JPS6060724A - 半導体露光装置 - Google Patents

半導体露光装置

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Publication number
JPS6060724A
JPS6060724A JP58168236A JP16823683A JPS6060724A JP S6060724 A JPS6060724 A JP S6060724A JP 58168236 A JP58168236 A JP 58168236A JP 16823683 A JP16823683 A JP 16823683A JP S6060724 A JPS6060724 A JP S6060724A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor wafer
outer periphery
optical system
light
alignment mechanism
Prior art date
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Pending
Application number
JP58168236A
Other languages
English (en)
Inventor
Hirofumi Fukuzawa
福沢　弘文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS6060724A publication Critical patent/JPS6060724A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ 本発明は半導体露光装置に縁り、特にプライメン１−機
構を備えた露光装置を用いて、レンズ１−を塗布された
半導体ウェハーの外周へ光を露光してレンズ１−の外周
部を除去する半導体露光装置に関する。
［発明の技術的背景コ 従来から、ポジティブ形レジストを塗布された半導体ウ
ニう）−の外周の該レジストを除去するには、第１図（
ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すようにレジスト１を塗布後
高温でレジスト固化された半導体ウェハー２を回転させ
ながらその外周に溶剤３を吹き付けることによりレジス
ト１を除去することが知られている。
［背景技術の問題点］ しかしながら、従来の半導体ウェハー外周のレジスト除
去は、溶剤を用いて行なうのでレジスト除去幅を一定に
することが難かしく、尚かつ溶剤が半導体ウェハーの外
周以外に跳ね返って生ずるレジスト不良が生ずる等の問
題点を有している。
［発明の目的］ 本発明は、以上の欠点を解消するためになされたもので
、半導体ウェハーの中心出しと方向付けを行なうアライ
メント機構を有すると共に、半導体ウェハーの外周を光
で露光するための集光レンズ等の光学系を設けることに
より、容易かつ正確にレジストの外周部を除去できる半
導体露光装置を提供することを目的とする。
［発明の概要］ 本発明の半導体露光装置は、半導体ウェハーの中心出し
及びオリエンテーリング・フラットにより方向付けを行
なうアライメント機構と、該アライメント機構によりア
ライメントがとられた半導体ウェハーの外周を露光する
ために光を伝送する第１の光学系と、半導体ウェハーの
露光された外周によって囲まれた部分にマスクパターン
を描画するために光を伝送する第２の光学系とを備えた
ものである。
［発明の実施例］ 以下本発明の好ましい実施例を第２図（ａ）、　（ｂ）
、第３図を参照して詳述する。本発明の半導体露光装置
は、アライヌ２１〜機構１０と、光源４と、反射鏡５と
、フィルター６と、第１の光学系１５と、第２の光学系
１６とから構成されている。即ち光源４は、光としての
紫外線（以下紫外線と称す）を全方向に放射するもので
反射鏡５の内側に収納されている。反射鏡５は、紫外線
を集光できる凹面鏡である。フィルター６は、受光した
紫外線を所定波長の第２の紫外線と所定波長以外の第１
の紫外線とに選択分離して各々第２の光学系１６と第１
の光学系１５とに入射させる。シャッター１１、光伝送
媒体１２及び集光レンズ１３とで形成される第１の光学
系１５は、後述するアライメント機構１０によりアライ
メントがとられた半導体ウェハー２の外周を露光するた
めに第１の紫外線を伝送する。シャッター１１は、紫外
線が露光される位置に配置されて、半導体ウェハー２が
回転した状態で開成される開閉機構である。光伝送媒体
１２は、受光した第１の紫外線を半導体ウェハー２に導
びくことのできる光ファイバー（以下光ファイバーと称
す）等から成っている。集光レンズ１３は、レジスＩ〜
欠けを防止する為に光ファイバー１２から出射された第
１の紫外線を集光して中心出しされた半導体ウェハー２
の外周を露光する。光学レンズ７及びマスク９とで形成
される第２の光学系１６は、半導体ウェハー２の露光さ
れた外周によって囲まれた部分にマスクパターンを描画
するために光としての第２の紫外線を伝送する。光学レ
ンズ７は、マスクパターン８を描画する為にレンズ１〜
塗布された半導体ウェハー２に第２の紫外線を露光する
もので、所定の数だけ紫外線の伝送経路」二に配置され
ている。またマスク９は、所定数の光学レンズ７の所定
の位置に配されている。アライメント機構１０は、半導
体ウェハー２の中心出し及びオリエンテーリング・フラ
ットにより方向付けを行なう。
この様に構成された半導体露光装置は、次に示すように
動作する。第３図に示すように波長領域２００〜５００
ｎｍの紫外線を光源４から光学系に放射する。該紫外線
は、フィルター６でもって波長４３６ｎｍの第２の紫外
線と、４３６ｎｍ以外の波長領域をもつ第１の紫外線と
に選択分離される。
まず第１の紫外線は、フィルター６を透過した後に集光
レンズ】３で集光され、そして光ファイバー１２を伝播
して他の集光レンズ１３で再度集光される。この第１の
紫外線は、その後アライメント機構で中心出し及びオリ
エンテーリング・フラット１７により方向付けされた半
導体ウェハー２の外周を第４図で示すように露光する。
その後にシャッター１１を閉成する。次に第２の光学系
を伝播する第２の紫外線は、光学レンズ７及びマスク９
を介して第５図に示すように半導体ウェハー２の所定の
位置、いわゆるフィールドにマスクパターンを露光する
。本発明の露光装置による転写をステップアンドリピー
ト方式で行なうものとすると、マスクパターンは次の様
に形成される。即ち、１つのフィールドを描画し、該描
画が終ったら半導体ウェハー２を機械的に移動させ、隣
のフィールドを描画する。この描画を半導体ウェハ−２
全体にわたって行う。次に第６図に示すようにこの露光
済み半導体ウェハー２を現像する。するとポジティブ形
レジストの露光した部分が可溶化して溶解除去され、第
７図に示すような半導体ウェハー２が得られる。この場
合１つ１つのフィールドはパターン形成されたものとな
る。
以上の実施例では第１の紫外線に４３６ｎｍ以外の紫外
を用いたが、レジストを感光させるに足るものであるな
らば、別の光源を用いることも可能である。
［発明の効果］ 以上の実施例からも明らかなように本発明の露光装置に
よれば、半導体ウェハーの中心出し及びオリエンテーリ
ング・フラットにより方向付けを行なうアライメント機
構と、半導体ウェハーの外周を露光するために光を伝送
する第１の光学系と、半導体ウェハーにマスクパターン
を描画するために光を伝送する第２の光学系とで構成し
たので、レンズｌ−の半導体ウェハー外周部から起るレ
ンズ１〜欠けを防止するための外周除去幅が安定してい
て、半導体ウェハー製作上の小止りが良くなる。
更に、従来から使用されている半導体露光装置の光源を
そのまま利用できるので、簡易な改造を加えることで本
装置が実現できる。
更にまた、半導体ウェハーのパターン検査時のハンドリ
ング及び半導体ウェハー搬送時において起る。ポジティ
ブ形レジストの半導体ウェハー周辺部からのＩノジスト
欠けを防止出来、半導体デバイスの欠陥を減少させるこ
とが可能である。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）は従来におけるレジスＩ−塗布状態にある
半導体ウェハーの側面図、第１図（ｂ）は従来における
溶剤吹き付は状態にある半導体ウェハーの側面図、第１
図（Ｃ）は従来における外周のレンズ１〜が除去された
状態にある半導体ウェハーの側面図、第２図（ａ）は本
発明による中心出し前の状態にある半導体ウェハーの平
面図、第２図（ｂ）は本発明による中心出し後の状態に
ある半導体ウェハーの平面図、第３図は本発明の半導体
露光装置の構成図、第４図は本発明による外周が露光状
態にある半導体ウェハーの斜視図、第５図はマスクパタ
ーン露光状態にある半導体ウェハーの斜視図、第６図は
現像状態にある半導体ウェハーの側面図。 第７図は外周がレジスト除去されると共にレジストパタ
ーンが形成された半導体ウェハーの平面図である。 Ｊ・・・・・・・・・・ポジティブ形レジスト２・・・
・・・・・・・半導体ウェハー３・・・・・・・・・・
溶剤 ４・・・・・・・・・・光源 ５・・・・・・・・・・反射鏡 ６・・・・・・・・・・フィルター ７・・・・・・・・・・光学レンズ ８・・・・・・・・・・マスクパターン９・・・・・・
・・・・マスク １０・・・・・・・・・・アライメント機構１１・・・
・・・・・・・シャッター １２・・・・・・・・・・光伝送媒体（光ファイバー）
１３・・・・・・・・・・集光レンズ １４・・・・・・・・・・半導体ウェハーの外周１５・
・・・・・・・・・第１の光学系】６・・・・・・・・
・・第２の光学系１７・・・・・・・・・・オリエンテ
ーリング・フラット１８・・・・・・・・・・現像液 （７３］７）代理人弁理士　則近憲佑（ほか１名）第１
図 第２図 （０）、。 第３図 第６図 第４図 第５図 １／ 第７図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体ウェハーの中心出し及びオリエンテーリング・フ
    ラットにより方向付けを行なうアライメン１〜機構と、
    該アライメント機構によりアライメントがとられた半導
    体ウェハーの外周を露光するために光を伝送する第１の
    光学系と、半導体ウェハーの露光された外周によって囲
    まれた部分にマスクパターンを描画するために光を伝送
    する第２の光学系とを備えたことを特徴とする半導体露
    光装置。
JP58168236A 1983-09-14 1983-09-14 半導体露光装置 Pending JPS6060724A (ja)

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