JP2674746B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JP2674746B2 JP2674746B2 JP62030901A JP3090187A JP2674746B2 JP 2674746 B2 JP2674746 B2 JP 2674746B2 JP 62030901 A JP62030901 A JP 62030901A JP 3090187 A JP3090187 A JP 3090187A JP 2674746 B2 JP2674746 B2 JP 2674746B2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はホストレジストを塗布された半導体基板の周
縁部へレーザ光を照射してホトレジストを除去する半導
体製造装置に関する。 〔従来の技術〕 従来、ホスレジスト回転塗布装置において、半導体基
板の裏面および側面へのホトレジスト回り込みを防止す
るために第２図に示すように半導体基板６を、スピンチ
ャック５を回転させながら半導体基板６の裏面端部にホ
トレジストの溶剤をノズル７から吹きつけホトレジスト
を除去する方法がある（以下、この方法をバックリンス
方式と呼ぶことにする）。 〔発明が解決しようとする問題点〕 上述した従来のバックリンス方式は、半導体基板の裏
面端部にホトレジストの溶剤を吹きつけ余分なホトレジ
ストを溶かし除去する方法を取っているため、ホトレジ
ストの溶剤が半導体基板表面に回り込み半導体基板表面
に塗布されたホトレジストを溶かしてしまうという欠点
がある。 さらに、溶剤の吹きつけ量、圧力等の条件が狂うと、
半導体基板の裏面端部に吹きつけた溶剤が飛び散り、半
導体基板表面に塗布されたホトレジストを部分的に溶か
すという欠点がある。 さらに、半導体基板表面のホトレジストが溶けること
により、塗布されたホトレジストが溶けた部分で盛り上
り、半導体基板表面に塗布されたホトレジストの膜厚不
均一部分が生じることがある。 つまり、マスクと半導体基板を密着させ目合・露光を
行なう場合、ホトレジスト膜厚に不均一部分があること
により、マスクと半導体基板との密着性が悪くなり、所
望するパターンが得られず、加工精度が低下するという
欠点である。 さらに、溶剤の飛び散った部分での半導体基板表面上
ホトレジストが薄くなることからホトレジストのパター
ン加工形成精度が悪くなり、また極度にホトレジストが
薄くなっている部分では耐ドライエッチング性が悪くな
り、ドライエッチングを行なうことによりピンホールが
生じるということである。 いずれの欠点も半導体素子製造の歩留を低下させる要
因となる。 本発明の目的はホトレジストの溶剤を用いることな
く、余分なホトレジストを除去し、半導体素子製造の歩
留を向上させる半導体製造装置を提供することにある。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明の半導体製造装置は、ホトレジストが塗布され
た半導体基板を保持回転させるスピンチャックと、スピ
ンチャックに保持された半導体基板の周縁近傍のホトレ
ジストをレーザ光により無現像エッチング除去するため
のレーザ光源とを有することを特徴とする。 〔実施例〕 次に本発明について図面を参照して説明する。第１図
は本発明の第１の実施例である。第１図において、１は
エキシマレーザ、２は光ファイバー、３は光ファイバー
２の端部を上向きに支持する光ファイバー支持台、４は
支持台３の下方位置で基板６の径方向に付設したレー
ル、５はスピンチャック、６は半導体基板である。 まず、PMMAレジスト８を1.5μｍの厚さに回転塗布す
る。その際第３図のようにPMMAレジスト８は半導体基板
６の裏面Ａ点および側面Ｂ点に回り込む。次に、PMMAレ
ジスト８が半導体基板６上に塗布された状態で、半導体
基板６を０〜8000rpmの範囲の任意の回転数で回転さ
せ、該基板６の裏面に回り込んだPMMAレジスト８のＣ点
に光ファイバー２を介してレーザ光を照射する。 このときのレーザエネルギーは2000mJ/cm2以上使用す
るレーザはKrFエキシマレーザ、照射パワーは0.9MW/cm2
〜12MW/cm2程度である。レーザ光を照射されたPMMAレジ
スト８はエッチング除去される。その理由は下述のとお
りである。 エキシマレーザを用いた無現像エッチングは河村良
行，豊田浩一，難波進らにより、レーザ研究8:941−94
3,1980:エキシマーザによるPMMAのホトエッチング：と
して報告されており、レーザの照射パワー密度があるし
きい値を越すと、現像処理を行なわなくても照射された
部分がエッチングされるとういうことが明らかになって
いる。 したがって、レーザ光を照射されたPMMAレジス８はエ
ッチング除去される。 さらに光ファイバー２を２′の位置までレール４上を
移動させ、半導体基板６の裏面および側面に回り込んだ
PMMAレジスト８をエッチング除去し、第５図のように、
半導体基板６の裏面および側面に回り込んだPMMAレジス
ト８を完全に除去する。第６図は本発明の第２の実施例
である。11はエキシマレーザ、12は光ファイバー、13は
モーター駆動式光ファイバー支持台、14は光ファイバー
支持台用移動レール、15はスピンチャック、16は半導体
基板である。 まず、PMMAレジストを1.5μｍの厚さに回転塗布をす
る。第７図のようにPMMAレジストは16半導体基板の裏面
Ａ点および側面Ｂ点に8PMMAレジストが回り込む。次に8
PMMAレジストが16半導体基板に塗布された状態で、16半
導体基板の表面Ｃ点に光ファイバーを介してレーザ光を
照射する（第８図）。この時のレーザのエネルギーは20
00mJ/cm2以上、使用するレーザはKrFエキシマレーザ、
照射パワーは0.9MW/cm2〜12MW/cm2程度である。レーザ
光を照射された8PMMAレジストはエッチング除去され
る。 したがって、レーザを照射された8PMMAはエッチング
除去される。さらに、第８図に示すように光ファイバー
12を12′の位置まで12″を12の位置まで14光ファイバ
ー支持台用レール上を光ファイバーを移動させる。この
ようにして、16半導体基板の裏面および側面に回り込ん
だ8PMMAレジストと、所望でない16半導体基板表面の8PM
MAレジストとをエッチング除去し、第９図のように16半
導体基板の表面周辺部、側面、および裏面に被着してい
る所望でないPMMAレジストを完全に除去する。 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明はホトレジストの回転塗布
終了後、半導体基板の裏面および側面に付着したホトレ
ジスト部分にレーザ光を照射することにより、半導体基
板の裏面および側面に回り込んで付着した余分なホトレ
ジストを無現像光エッチングして完全に除去できる効果
がある。その結果、従来方法であるバックリンス方式で
欠点となっていた半導体表面のホトレジストが溶けるこ
とを避けられるため、ドライエッチングによるピンホー
ルの発生と半導体基板とマスクの密着性の悪さを解消で
き、正確なパターニングが可能となる。さらに縮小投影
露光方式においても半導体基板の裏面および側面のホト
レジスト回り込みを防止して正確なパターニングが可能
となることは明らかである。又、ホトレジストの盛り上
りによるパターン加工精度の低下とレジスト除去が難し
くなること、さらに、溶剤の飛び散りによるピンホール
の発生とそれにともなう耐ドライエッチ性の低下、等の
欠点が解消でき、正確なパターニングおよびウェハー周
辺部からのレジストカスの発生を防止できる効果があ
る。さらに、縮少投影露光方式においても同様な効果が
得られることは明らかである。
縁部へレーザ光を照射してホトレジストを除去する半導
体製造装置に関する。 〔従来の技術〕 従来、ホスレジスト回転塗布装置において、半導体基
板の裏面および側面へのホトレジスト回り込みを防止す
るために第２図に示すように半導体基板６を、スピンチ
ャック５を回転させながら半導体基板６の裏面端部にホ
トレジストの溶剤をノズル７から吹きつけホトレジスト
を除去する方法がある（以下、この方法をバックリンス
方式と呼ぶことにする）。 〔発明が解決しようとする問題点〕 上述した従来のバックリンス方式は、半導体基板の裏
面端部にホトレジストの溶剤を吹きつけ余分なホトレジ
ストを溶かし除去する方法を取っているため、ホトレジ
ストの溶剤が半導体基板表面に回り込み半導体基板表面
に塗布されたホトレジストを溶かしてしまうという欠点
がある。 さらに、溶剤の吹きつけ量、圧力等の条件が狂うと、
半導体基板の裏面端部に吹きつけた溶剤が飛び散り、半
導体基板表面に塗布されたホトレジストを部分的に溶か
すという欠点がある。 さらに、半導体基板表面のホトレジストが溶けること
により、塗布されたホトレジストが溶けた部分で盛り上
り、半導体基板表面に塗布されたホトレジストの膜厚不
均一部分が生じることがある。 つまり、マスクと半導体基板を密着させ目合・露光を
行なう場合、ホトレジスト膜厚に不均一部分があること
により、マスクと半導体基板との密着性が悪くなり、所
望するパターンが得られず、加工精度が低下するという
欠点である。 さらに、溶剤の飛び散った部分での半導体基板表面上
ホトレジストが薄くなることからホトレジストのパター
ン加工形成精度が悪くなり、また極度にホトレジストが
薄くなっている部分では耐ドライエッチング性が悪くな
り、ドライエッチングを行なうことによりピンホールが
生じるということである。 いずれの欠点も半導体素子製造の歩留を低下させる要
因となる。 本発明の目的はホトレジストの溶剤を用いることな
く、余分なホトレジストを除去し、半導体素子製造の歩
留を向上させる半導体製造装置を提供することにある。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明の半導体製造装置は、ホトレジストが塗布され
た半導体基板を保持回転させるスピンチャックと、スピ
ンチャックに保持された半導体基板の周縁近傍のホトレ
ジストをレーザ光により無現像エッチング除去するため
のレーザ光源とを有することを特徴とする。 〔実施例〕 次に本発明について図面を参照して説明する。第１図
は本発明の第１の実施例である。第１図において、１は
エキシマレーザ、２は光ファイバー、３は光ファイバー
２の端部を上向きに支持する光ファイバー支持台、４は
支持台３の下方位置で基板６の径方向に付設したレー
ル、５はスピンチャック、６は半導体基板である。 まず、PMMAレジスト８を1.5μｍの厚さに回転塗布す
る。その際第３図のようにPMMAレジスト８は半導体基板
６の裏面Ａ点および側面Ｂ点に回り込む。次に、PMMAレ
ジスト８が半導体基板６上に塗布された状態で、半導体
基板６を０〜8000rpmの範囲の任意の回転数で回転さ
せ、該基板６の裏面に回り込んだPMMAレジスト８のＣ点
に光ファイバー２を介してレーザ光を照射する。 このときのレーザエネルギーは2000mJ/cm2以上使用す
るレーザはKrFエキシマレーザ、照射パワーは0.9MW/cm2
〜12MW/cm2程度である。レーザ光を照射されたPMMAレジ
スト８はエッチング除去される。その理由は下述のとお
りである。 エキシマレーザを用いた無現像エッチングは河村良
行，豊田浩一，難波進らにより、レーザ研究8:941−94
3,1980:エキシマーザによるPMMAのホトエッチング：と
して報告されており、レーザの照射パワー密度があるし
きい値を越すと、現像処理を行なわなくても照射された
部分がエッチングされるとういうことが明らかになって
いる。 したがって、レーザ光を照射されたPMMAレジス８はエ
ッチング除去される。 さらに光ファイバー２を２′の位置までレール４上を
移動させ、半導体基板６の裏面および側面に回り込んだ
PMMAレジスト８をエッチング除去し、第５図のように、
半導体基板６の裏面および側面に回り込んだPMMAレジス
ト８を完全に除去する。第６図は本発明の第２の実施例
である。11はエキシマレーザ、12は光ファイバー、13は
モーター駆動式光ファイバー支持台、14は光ファイバー
支持台用移動レール、15はスピンチャック、16は半導体
基板である。 まず、PMMAレジストを1.5μｍの厚さに回転塗布をす
る。第７図のようにPMMAレジストは16半導体基板の裏面
Ａ点および側面Ｂ点に8PMMAレジストが回り込む。次に8
PMMAレジストが16半導体基板に塗布された状態で、16半
導体基板の表面Ｃ点に光ファイバーを介してレーザ光を
照射する（第８図）。この時のレーザのエネルギーは20
00mJ/cm2以上、使用するレーザはKrFエキシマレーザ、
照射パワーは0.9MW/cm2〜12MW/cm2程度である。レーザ
光を照射された8PMMAレジストはエッチング除去され
る。 したがって、レーザを照射された8PMMAはエッチング
除去される。さらに、第８図に示すように光ファイバー
12を12′の位置まで12″を12の位置まで14光ファイバ
ー支持台用レール上を光ファイバーを移動させる。この
ようにして、16半導体基板の裏面および側面に回り込ん
だ8PMMAレジストと、所望でない16半導体基板表面の8PM
MAレジストとをエッチング除去し、第９図のように16半
導体基板の表面周辺部、側面、および裏面に被着してい
る所望でないPMMAレジストを完全に除去する。 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明はホトレジストの回転塗布
終了後、半導体基板の裏面および側面に付着したホトレ
ジスト部分にレーザ光を照射することにより、半導体基
板の裏面および側面に回り込んで付着した余分なホトレ
ジストを無現像光エッチングして完全に除去できる効果
がある。その結果、従来方法であるバックリンス方式で
欠点となっていた半導体表面のホトレジストが溶けるこ
とを避けられるため、ドライエッチングによるピンホー
ルの発生と半導体基板とマスクの密着性の悪さを解消で
き、正確なパターニングが可能となる。さらに縮小投影
露光方式においても半導体基板の裏面および側面のホト
レジスト回り込みを防止して正確なパターニングが可能
となることは明らかである。又、ホトレジストの盛り上
りによるパターン加工精度の低下とレジスト除去が難し
くなること、さらに、溶剤の飛び散りによるピンホール
の発生とそれにともなう耐ドライエッチ性の低下、等の
欠点が解消でき、正確なパターニングおよびウェハー周
辺部からのレジストカスの発生を防止できる効果があ
る。さらに、縮少投影露光方式においても同様な効果が
得られることは明らかである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の第１の実施例のホトレジスト除去装置
のウェハースチャック部の概略図、第２図は従来のバッ
クリンス方式によるホトレジスト回転塗布装置の概略
図、第３図〜第５図は半導体基板の裏面および側面に回
り込んだホトレジストを本発明第１の実施例により除去
する過程を示す断面図、第６図は本発明の第２の実施例
のホトレジスト除去装置のウェハースチャック部の断面
概略図、第７図ないし第９図は本発明の第２の実施例に
よる半導体基板表面周辺部、側面部、裏面部に被着した
不要なホトレジストを除去する過程を示す断面図であ
る。 1,11……エキシマレーザ、2,2′,12,12′,12″,12…
…光ファイバー、３……光ファイバー支持台、４……レ
ール、5,15……スピンチャック、６……半導体基板、7,
17……溶剤吹き出し口、8,18……PMMAレジスト、13……
モーター駆動式光ファイバー支持台、14……光ファイバ
ー支持台用移動レール、Ａ……ホストレジスト裏面回り
込み部、Ｂ……ホトレジスト側面回り込み部である。
のウェハースチャック部の概略図、第２図は従来のバッ
クリンス方式によるホトレジスト回転塗布装置の概略
図、第３図〜第５図は半導体基板の裏面および側面に回
り込んだホトレジストを本発明第１の実施例により除去
する過程を示す断面図、第６図は本発明の第２の実施例
のホトレジスト除去装置のウェハースチャック部の断面
概略図、第７図ないし第９図は本発明の第２の実施例に
よる半導体基板表面周辺部、側面部、裏面部に被着した
不要なホトレジストを除去する過程を示す断面図であ
る。 1,11……エキシマレーザ、2,2′,12,12′,12″,12…
…光ファイバー、３……光ファイバー支持台、４……レ
ール、5,15……スピンチャック、６……半導体基板、7,
17……溶剤吹き出し口、8,18……PMMAレジスト、13……
モーター駆動式光ファイバー支持台、14……光ファイバ
ー支持台用移動レール、Ａ……ホストレジスト裏面回り
込み部、Ｂ……ホトレジスト側面回り込み部である。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．ホトレジストが塗布された半導体基板を保持回転さ
せるスピンチャックと、前記スピンチャックに保持され
た前記半導体基板の周縁近傍のホトレジストをレーザ光
により無現像エッチング除去するためのレーザ光源とを
有することを特徴とする半導体装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61-35817 | 1986-02-20 | ||
| JP3581786 | 1986-02-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62276828A JPS62276828A (ja) | 1987-12-01 |
| JP2674746B2 true JP2674746B2 (ja) | 1997-11-12 |
Family
ID=12452492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62030901A Expired - Fee Related JP2674746B2 (ja) | 1986-02-20 | 1987-02-12 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2674746B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63195724U (ja) * | 1987-06-04 | 1988-12-16 | ||
| JP2634853B2 (ja) * | 1988-05-09 | 1997-07-30 | 日本電気株式会社 | 回転塗布装置 |
| IL115933A0 (en) | 1995-11-09 | 1996-01-31 | Oramir Semiconductor Ltd | Process and apparatus for oblique beam revolution for the effective laser stripping of sidewalls |
| IL115934A0 (en) * | 1995-11-09 | 1996-01-31 | Oramir Semiconductor Ltd | Laser processing chamber with cassette cell |
| US20050260771A1 (en) * | 2002-07-08 | 2005-11-24 | Mitsuaki Iwashita | Processing device and processing method |
| JP4870988B2 (ja) * | 2006-01-06 | 2012-02-08 | 積水化学工業株式会社 | 基材外周処理方法 |
| JP4704916B2 (ja) * | 2006-01-06 | 2011-06-22 | 積水化学工業株式会社 | 基材外周処理装置及び方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56162336A (en) * | 1980-05-16 | 1981-12-14 | Hitachi Ltd | Air conditioner |
| JPS5892221A (ja) * | 1981-11-27 | 1983-06-01 | Nec Kyushu Ltd | 半導体基板露光装置 |
| JPS59138335A (ja) * | 1983-01-28 | 1984-08-08 | Toshiba Corp | ウエハ端部のレジスト露光装置 |
| JPS59158520A (ja) * | 1983-02-28 | 1984-09-08 | Toshiba Corp | 照射装置 |
| JPS6060724A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-08 | Toshiba Corp | 半導体露光装置 |
| JPS61137320A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-25 | Hitachi Ltd | ウエハ処理装置 |
-
1987
- 1987-02-12 JP JP62030901A patent/JP2674746B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62276828A (ja) | 1987-12-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |