JPS62224929A

JPS62224929A - レジスト塗布方法

Info

Publication number: JPS62224929A
Application number: JP6714286A
Authority: JP
Inventors: Akihiro Endo; 章宏遠藤
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1986-03-27
Filing date: 1986-03-27
Publication date: 1987-10-02

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）この発明は、電子ビームまたはイオンビームなどによる
直接露光によシ半導体デバイスを製造する場合に用いら
れるレジスト塗布方法に関する。

（従来の技術）電子ビームまたはイオンビーム（以下、荷電ビームと記
す）を用いた直接露光によシ半導体デバイスを製造する
場合、下地パターンに重ね合わせてパターンを露光する
必要がある。この場合、精度良く重ね合わせを行うため
に、あらかじめ下地パターンに位置合わせ用マークを形
成しておき、そのマークを荷電ビームで走査した時に得
られる反射電子または２次電子の信号（以下マーク信号
と記す）を検出することによりマーク位置を求めた後に
、その値を基に座標系の補正を行って、重ね合わせ露光
を行うという手段がとられている。

そして、その重ね合わせ精度を良好にするには、マーク
信号のＳ／Ｎ比をできるだけ大きくすることが望ましい
。

重ね合わせ霧光を行う際、下地基板上にはレジストが一
様に塗布されている。したがって、第３図に示すように
、レジスト３は、下地基板１に形成された位置合わせ用
マーク２上にも塗布されることとなる。ここで、前述し
たマーク信号のＳ／Ｎ比を大きくするためには、位置合
わせ用マーク２ノエッジ部分２ａ、２ｂの上のレジスト
３の膜厚を薄くすることが必要である。

そこで、従来は、特開昭５９−１４８３３２号公報に開
示され、かつ前記第３図に示されるように、マーク２を
台形形状として、マーク２の上面部の幅（エッソ部分２
ａと２ｂの距離）を極力狭くすることにより、エツジ部
分２ａ　、２ｂにおけるレジスト３の薄膜化を図ってい
る。あるいは、特開昭５９−１４８３３３号公報に開示
され、かつ第４図に示されるように、マーク２の側壁を
垂直とすることにより、エツジ部分２ａ、２ｔ）におけ
るレジスト３の薄膜化を図っている。

また、従来、これらと目的が異なるが、特開昭５８−１
８００２２号公報に開示され、かつ第５図に示されるよ
うに、位置合わせ用マーク２をＶ溝４で形成する方法も
考えられている。

（発明が解決しようとする問題点）しかしながら、上記の第３図および第４図に示す方法で
は、Ｓ／Ｎ比の改善は図られてはいるが、エツジ部分２
ａとエツジ部分２ｂでレジスト３のグロファイルが異な
るため、検出されるエツジ位置にずれが発生し、重ね合
わせ精度を低下させてしまうという問題がある。

このエツジ部分２ａと２ｂにおけるレジスト３のグロフ
ァイルの違いを低減させる目的で考、ｔられたものが、
前記第５図に示す方法である。しかし、これによる前記
低減効果はレジスト３の塗布膜厚に依存せざるを得ない
ものであるため不安定なものであり、また、鏑比も、前
記第３図および第４図に示す方法に比べてエツジ部分２
ａ、２ｂにおけるレジスト３の膜厚が厚いために小さい
ものであった。

そこで、この発明では、上記従来技術と全く発想を代え
、レジストの塗布方法を改良して上記種種の問題点を解
決しようとするものである。この発明は、レジスト膜厚
に依らずＳ／Ｎ比の高い安定したマーク信号が得られる
と共に、マークのエツジ位置検出にずれが発生すること
なく、高精度な重ね合わせ露光が可能となるＶソスト塗
布方法を提供することを目的とする。

（問題点を解決するだめの手段）この発明では、基板上にレジストを回転塗布すると同時
に、位置合わせ用マークが形成された基板周辺部にレジ
ストの溶媒を滴下する。

（作用）このようにすると、溶媒の滴下によシ、基板周辺部の位
置合わせ用マーク上にはレジストが溜らなくなり、位置
合わせ用マーク上からはレジストが除去される。

（実施例）以下この発明の一実施例を図面を参照して説明する。

第２図は、レジストが塗布されるウニ／”１　（基板）
の平面図であり、このウェハ１１には、デノｆイスツク
ターン領域１２の外接円（中心はウエノ１１１中心と同
一）外の３ケ所に配置して凸形の位置合わせ用マーク１
３が形成されている。

第１図は、この発明の一実施例で用いられるレジスト塗
布装置の正面図である。この図において、２１は、上記
ウェハ１１を真空チャックし回転させる支持台である。

この支持台２１の中心上方には第１のノズル２２が配置
されており、この第１のノズル２２には、レジスト導入
管２３を通してレジストが供給される。また、この第１
のノズル２２の側方には第２のノズル２４が配置される
。

この第２のノズル２４は、レジストの溶媒導入管２５を
通してレジストの溶媒が供給され、該溶媒を、支持台２
１上のウェハ１１の周辺部（デバイス／ぞターン領域１
２外のマーク形成領域）に滴下する。

さて、このような塗布装置を用いて第２図のウェハ１１
に対してレジストの塗布を実施する場合は、まず、その
ウェハ１１を支持台２１に真空チャックし、支持台２１
を低速回転（５０〜１０１００ＲＰさせる。次に、レジ
ストの溶媒を溶媒導入管２５を通して第２のノズル２４
に供給し、この第２のノズル２４よりウェハ１１の表面
のマーク形成領域（デバイスパターン領域１２外の周辺
部）に滴下する。そして、上記レジストの溶媒がウェハ
１１の上記マーク形成領域に充分行き渡った後に、レジ
スト導入管２３よシ供給されるレジストを第１のノズル
２２よシウエノＳｌｌ上に滴下する。と同時に、支持台
２１およびウエノＳ１１を所定の回転速度（高速回転）
にあげて、所定の時間この状態を維持することによシ、
前記レジストをウェハ１１上に広げて該ウェハ１１上に
所望の膜厚でレジストを塗布する。この間、第２のノズ
ル２４よシ、レジストの溶媒を適当量滴下し続ける。こ
れにより、ウェハ１１のマーク形成領域の位置合わせ用
マーク１３上にはレジストが溜ることがなくなシ、デバ
イスノｆターン領域１２のレジスト膜厚に影響を与える
仁となく、マーク１３上のレジストのみが除去されるよ
うになる。そして、このように位置合わせ用マーク１３
上からレジストが除去されることにより、重ね合わせ露
光における位置合わせ用マーク検出時、レジスト膜厚に
依らず泳比の高い安定したマーク信号が得られると共に
、マーク１３のエッソ位置の検出にずれが発生すること
がなくなる。

（発明の効果）以上詳述したように、この発明の方法によれば、重ね合
わせ露光における位置合わせ用マーク検出時、レジスト
膜厚に依らずＳ／Ｎ比の高い安定したマーク信号が得ら
れると共に、マークのエッソ位置の検出にずれが発生す
ることがなくな夛、高精度な重ね合わせ霧光が可能とな
る。

また、従来、ネガ屋レジストを使用する場合は、マーク
検出時に荷電ビーム照射によシマーク上のレジストが感
光することにより、マーク上に不要な膜がエツチングさ
れずに堆積し、マーク検出の縮化の低下を招いていたが
、この発明の方法によシマーク上のレジストを除去でき
るため、このような不具合も除去される。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図はこの発明のレジスト塗布方法の一
実施例を説明するための図で、第１図はレジスト塗布装
置の正面図、第２図はウェハの平面図、第３図ないし第
５図は各々従来の技術を説明するための断面図である。１１・・・ウェハ、１２・・・デバイスフ９ターン領域
。１３・・・位置合わせ用マーク、２１・・・支持台、２
２・・・第１のノズル、２３・・・レジスト導入管、２
４・・・第２のノズル、２５・・・レジストの溶媒導入
管。

Claims

【特許請求の範囲】（ａ）基板上にレジストを回転塗布すると同時に、（ｂ）位置合わせ用マークが形成された基板周辺部にレ
ジストの溶媒を滴下することを特徴とするレジスト塗布
方法。