JPS6324618A - 露光方法 - Google Patents

露光方法

Info

Publication number
JPS6324618A
JPS6324618A JP61166786A JP16678686A JPS6324618A JP S6324618 A JPS6324618 A JP S6324618A JP 61166786 A JP61166786 A JP 61166786A JP 16678686 A JP16678686 A JP 16678686A JP S6324618 A JPS6324618 A JP S6324618A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
alignment
wafer
substrate
optical system
exposure method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP61166786A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0650714B2 (ja
Inventor
Hideki Ine
秀樹 稲
Fumio Sakai
文夫 坂井
Kazushi Nakano
一志 中野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP61166786A priority Critical patent/JPH0650714B2/ja
Publication of JPS6324618A publication Critical patent/JPS6324618A/ja
Priority to US07/463,886 priority patent/US4952060A/en
Publication of JPH0650714B2 publication Critical patent/JPH0650714B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
    • G03F9/7084—Position of mark on substrate, i.e. position in (x, y, z) of mark, e.g. buried or resist covered mark, mark on rearside, at the substrate edge, in the circuit area, latent image mark, marks in plural levels

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、レチクルとウェハの位置合せを行ない、レチ
クル上のパターンをウニ八表面上に投影露光する露光方
法に関する。
［従来の技術］ 従来、レチクル上のパターン像を投影レンズを介してウ
ェハ裏面上に投影露光する装置においては、レチクルと
クエへのアライメントを行なう際、ウェハ表面に刻まれ
たアライメントマークに投影レンズ側からアライメント
光を入射し、その回折光をアライメント信号として得て
いた。
［発明が解決しようとする問題点］ ところで、このような装置は、アライメント信号が、ウ
ェハ裏面に塗布されているレジストの種類や塗布条件等
により ■　アライメント光のレジスト表面での反射光■　アラ
イメント光のレジスト内での屈折と多重反射、ならびに ■　アライメント光、段差部での回折光、上記反射光■
および上記反射光■相互の干渉等により影響を受けると
いう問題があった。
つまり、従来の装置においては、これらレジストの影響
が、アライメント信号の歪み、割れ、Ｓ／Ｎの低下およ
び疑似信号の発生等として現われ、アライメント精度劣
化の原因となるという欠点があった。例えば、ある条件
でレジストを回転塗布させたウェハは放射状にレジスト
の塗布むらを持ち、レジストはウェハ裏面のアライメン
トマークに対して第２図のような、非対称な塗布状態と
なることがある。
このようなりエバを縮小投影露光装置にて各ショット毎
にウェハ・レチクル間の相対位置合せを行ない、露光を
行なった場合、周辺のショットでは第３図のようにウェ
ハ中心のショットに対して放射状のベクトルを持つ位置
合せずれが生じ、その結果、位置合せ誤差が３０＝０．
２μｍを上回ることもある。この位置合せずれが生じる
原因は第２図のようにウェハ１上のアライメントマーク
に対してレジスト２が非対称に塗布され、このレジスト
を介して得られるアライメント信号は、このアライメン
トマークに対して非対称なレジストの影響を受けるため
である。
本発明の目的は、上述従来例の欠点を除去し、より高精
度の重ね合せ露光が可能な露光方法を提供することにあ
る。
［問題点を解決するための手段］ 上記目的を達成するため本発明では、基板の表面または
裏面に刻設したアライメントマークを基板の裏面側から
検出するようにしている。
［発明の作用および効果コ 本発明によると、レジストが塗布されていないウェハ裏
面に刻まれたアライメントマークからレジストを介せず
してアライメント信号を得るか、もしくはウェハを透過
するアライメント光をレジストが塗布されていないウェ
ハ裏面より入射しウェハ表面に刻まれたアライメントマ
ークよりレジストを介せずしてアライメント信号を得る
ようにしているため、レジストによる影響を受けずにア
ライメント信号を得、レジストによるアライメント精度
の低下を排除し、アライメント精度を向上させる効果が
ある。
また、ウェハ裏面に刻まれたアライメントマークにより
アライメントを行なうようにすれば、ウェハ表面でのア
ライメントマークの専有面積は；となりウェハ全面の利
用効率が向上し、また各工程毎のアライメントマークの
共通化を行なうことが可能となる利点がある。
［実施例］ 以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明の一実施例に係る露光装置の構成を示
す、同図において、１はレジストが塗布されたウェハ（
基板）、３はレチクル側アライメント光の光源、４はウ
ェハ１に転写する所望のパターンおよびレチクル側アラ
イメントマークが刻まれたレチクル（原板）、５はレチ
クルを固定するレチクルステージ、６はレチクル４を所
望の位置に位置決めするためのレチクルステージ駆動系
である。７はレチクル４上を照明する露光照明系、８は
レチクル４のパターンをウェハ１の表面に投影転写する
投影レンズ、９はウェハ１を保持するウェハチャック、
１０はウェハ１を搭載して所望の位置に穆勤するウェハ
ステージ、１１はウェハステージ駆動系である。また、
１２はウェハ側アライメント光の光源、１３はウニ八側
アライメントマ−りを位置合せする際の基準となる基準
マーク、１４はリレーレンズである。基準マーク１３は
リレーレンズ１４等を介してウェハチャック９の表面と
結像共役の位置に配置されている。１５は光源１２より
出射されたアライメント光をウェハ１の裏面に刻まれた
ウェハ側アライメントマークに入射させ、その回折光を
アライメント信号として得るためのウェハ側アライメン
ト光学系、１６はウェハ側アライメント光学系１５によ
り得られたアライメント信号を電気的信号に変換し基準
マーク１３とウェハ側アライメントマークの相対的ずれ
量を計測するところのウェハ側アライメント計測系であ
る。
次に上記構成からなる露光装置の動作を説明する。
まず、クエへの位置合せ露光に先立ち、レチクルステー
ジＳ上に固定されたレチクル４と基準マーク１３の位置
合せを行なう。
すなわち、ウェハチャック９上にウェハ１を載置しない
状態で光源３を点燈することにより、レチクル４に刻ま
れたレチクルアライメントマークを投影レンズ８を介し
てウェハチャック上空、例えばウェハ＋ｌｉｉ置時のウ
ェハ裏面に相当する位置の辺り、に空中結像させる。続
いてリレーレンズ１４を微動させることによりウェハチ
ャック９上空に結像しているレチクルアライメントマー
ク像を基準マーク１３上に再び結像させる。この状態で
ウェハ側アライメント計測系によりこのレチクルアライ
メントマークと基準マーク１３とのずれ量を計測し、こ
のずれ量が零となるようレチクルステージ駆動系６を介
してレチクルステージ５を駆動し、レチクル４と基準マ
ーク１３の位置合せを終了する。
次にウェハの位置合せ露光の工程に入る。
ウェハ側の位置合せは、ウェハチャック９上にウェハ１
を載置した状態で光源１２から出射したアライメント光
がウェハ側アライメント光学系１５を介してウェハチャ
ック９を通過し、ウェハ１の裏面に入射することから行
なわれる。ウェハ１の裏面には予め所望のウェハアライ
メントマークが刻まれており、ウェハ側アライメント計
測系１６は、このウェハアライメントマークにアライメ
ント光が入射すると、その回折光をアライメント信号と
して、このウェハアライメントマークとウェハ裏面（ウ
ェハチャック９表面）に対して結像共役点にある基準マ
ーク１３とのずれ量を検知する。ウェハステージ駆動系
１１は、このずれ量が零となるようにウェハステージｌ
Ｏを駆動する。ここで、ウェハチャック９は光源３およ
び１２から出射した光を十分透過する材質で作られてお
り、またウェハステージ１０はウェハ１とウェハ側アラ
イメント光学系１５の間の光路を十分確保できる空間を
有している。
このようにウェハ１と基準マーク１３との位置合せを行
なった後、露光照明系７の露光光により、予め基準マー
ク１３と位置合せされたレチクル４のパターンを投影レ
ンズ７を介してウェハ１表面に結像し焼き付ける。
［実施例の変形例］ なお、本発明は、上記実施例に限定されるものではなく
、適宜変形して実施することができる。
例えば、第１図において、光源１２はウェハ１を透過す
る光とすることができる。この場合、ウェハ裏面に塗布
されたレジストの影響を受けることなしにウェハ裏面に
刻まれたアライメントマークからアライメント信号を得
ることができ、予めウェハ裏面に所望のアライメントマ
ークを刻む必要がない。シリコンウェハを透過するアラ
イメント光光源としては例えば炭酸ガスレーザ（波長１
０．３１μｍ）を用いることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の一実施例に係る投影露光装置の概略
構成図、 第２図は、レジストを塗布したクエへの断面図、 第３図は、アライメント精度−例を示す精度マツプであ
る。 １；ウェハ、 ２ニレジスト、 ３：光源、 ４ニレチクル、 ５ニレチクルステージ、 ６：レチクルステージ駆動系、 ７：露光照明系、 ８：投影レンズ、 ９：ウェハチャック、 １０：ウェハステージ、 １１：ウェハステージ駆動系、 １２：光源、 １３：基準マーク、 １４：リレーレンズ、 １５：ウェハ側アライメント光学系、 １６：ウェハ側アライメント計測系。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、原板と基板とを位置合せし、原板上のパターンを投
    影光学系を介して基板の表面上に投影露光するに際し、
    該基板に対し上記投影光学系と反対の側に配置されたア
    ライメント光学系により該基板に刻設されたアライメン
    トマークを観察して該アライメントマークを該アライメ
    ント光学系の所定の位置基準に位置合せすることで上記
    原板と基板との位置合せを行なうことを特徴とする露光
    方法。 ２、前記アライメント光学系が、前記基板の裏面から光
    ビームを照射する光走査光学系を含む特許請求の範囲第
    １項記載の露光方法。 ３、前記光ビームが基板を透過可能な光であり、前記ア
    ライメント光学系が前記基板の表面に刻設されたアライ
    メントマークを該基板の裏面側から観察するものである
    特許請求の範囲第２項記載の露光方法。 ４、前記基板がシリコンウェハであり、前記光ビームの
    光源が炭酸ガスレーザである特許請求の範囲第３項記載
    の露光方法。 ５、前記アライメントマークが、前記基板の裏面に刻設
    されたものである特許請求の範囲第１または２項記載の
    露光方法。 ６、前記基板とアライメント光学系との位置合せ作業に
    先立って、前記基板を配置しない状態で前記投影光学系
    を介して原板上のアライメントマークの空中像を投影し
    、該空中像とアライメント光学系との位置合せを行なう
    特許請求の範囲第１〜５項のいずれか１つに記載の露光
    方法。
JP61166786A 1986-07-17 1986-07-17 露光方法 Expired - Fee Related JPH0650714B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61166786A JPH0650714B2 (ja) 1986-07-17 1986-07-17 露光方法
US07/463,886 US4952060A (en) 1986-07-17 1990-01-10 Alignment method and a projection exposure apparatus using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61166786A JPH0650714B2 (ja) 1986-07-17 1986-07-17 露光方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6324618A true JPS6324618A (ja) 1988-02-02
JPH0650714B2 JPH0650714B2 (ja) 1994-06-29

Family

ID=15837646

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61166786A Expired - Fee Related JPH0650714B2 (ja) 1986-07-17 1986-07-17 露光方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US4952060A (ja)
JP (1) JPH0650714B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004531062A (ja) * 2001-05-14 2004-10-07 ウルトラテック インク 裏側アライメントシステム及び方法
KR100579603B1 (ko) * 2001-01-15 2006-05-12 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치
JP2019517022A (ja) * 2016-05-25 2019-06-20 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2683075B2 (ja) * 1988-12-23 1997-11-26 キヤノン株式会社 半導体製造装置及び方法
KR100254024B1 (ko) * 1990-07-23 2000-06-01 가나이 쓰도무 반도체 장치의 제조 방법
US5337151A (en) * 1992-07-28 1994-08-09 Optical Radiation Corporation Double-sided circuit board exposure machine and method with optical registration and material variation compensation
JP3484684B2 (ja) * 1994-11-01 2004-01-06 株式会社ニコン ステージ装置及び走査型露光装置
US5850280A (en) 1994-06-16 1998-12-15 Nikon Corporation Stage unit, drive table, and scanning exposure and apparatus using same
US6721034B1 (en) 1994-06-16 2004-04-13 Nikon Corporation Stage unit, drive table, and scanning exposure apparatus using the same
JP3575615B2 (ja) * 1995-05-30 2004-10-13 アーエスエム リソグラフィ ベスローテン フェンノートシャップ 三次元的に位置決め可能なマスクホルダを有するリソグラフ装置
JP3201233B2 (ja) * 1995-10-20 2001-08-20 ウシオ電機株式会社 裏面にアライメント・マークが設けられたワークの投影露光方法
US5627378A (en) * 1996-02-28 1997-05-06 Orc Electronic Products, A Divison Of Benson Eyecare Corporation Die set for automatic UV exposure system
US5929997A (en) * 1997-07-02 1999-07-27 Winbond Electronics Corp. Alignment-mark measurements on the backside of a wafer for synchronous wafer alignment
TW406323B (en) * 1998-08-20 2000-09-21 United Microelectronics Corp Method for wafer alignment and the apparatus of the same
US7113258B2 (en) 2001-01-15 2006-09-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
EP1406126A1 (en) * 2001-01-15 2004-04-07 ASML Netherlands B.V. Device manufacturing method
US6621553B2 (en) 2001-03-30 2003-09-16 Perkinelmer, Inc. Apparatus and method for exposing substrates
TW594431B (en) * 2002-03-01 2004-06-21 Asml Netherlands Bv Calibration methods, calibration substrates, lithographic apparatus and device manufacturing methods
EP1341046A3 (en) * 2002-03-01 2004-12-15 ASML Netherlands B.V. Calibration methods, calibration substrates, lithographic apparatus and device manufacturing methods
JP3953355B2 (ja) 2002-04-12 2007-08-08 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 画像処理アライメント方法及び半導体装置の製造方法
DE10253919B4 (de) * 2002-11-19 2004-09-23 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Justage eines Substrates in einem Gerät zur Durchführung einer Belichtung
EP1477861A1 (en) * 2003-05-16 2004-11-17 ASML Netherlands B.V. A method of calibrating a lithographic apparatus, an alignment method, a computer program, a lithographic apparatus and a device manufacturing method
EP1477862A3 (en) * 2003-05-16 2006-07-05 ASML Netherlands B.V. A method of calibrating a lithographic apparatus, an alignment method, a computer program, a lithographic apparatus and a device manufacturing method
US6952255B2 (en) * 2003-08-06 2005-10-04 Lam Research Corporation System and method for integrated multi-use optical alignment
US7456966B2 (en) * 2004-01-19 2008-11-25 International Business Machines Corporation Alignment mark system and method to improve wafer alignment search range
DE102004009095B4 (de) * 2004-02-25 2007-03-08 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Bestimmen der Überlagerungsgenauigkeit einer Maskenstruktur auf einer Halbleiterschicht anhand von Justiermarken
US7371663B2 (en) * 2005-07-06 2008-05-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Three dimensional IC device and alignment methods of IC device substrates
JP4795300B2 (ja) * 2006-04-18 2011-10-19 キヤノン株式会社 位置合わせ方法、インプリント方法、位置合わせ装置、インプリント装置、及び位置計測方法
EP2029963A1 (en) * 2006-05-31 2009-03-04 Canon Kabushiki Kaisha Gap measuring method, imprint method, and imprint apparatus
US7847938B2 (en) * 2007-10-01 2010-12-07 Maskless Lithography, Inc. Alignment system for optical lithography
US8482732B2 (en) * 2007-10-01 2013-07-09 Maskless Lithography, Inc. Alignment system for various materials and material flows
US20130258339A1 (en) * 2012-03-28 2013-10-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer alignment mark scheme
US9640487B2 (en) 2012-03-28 2017-05-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer alignment mark scheme
US9978625B2 (en) * 2016-06-01 2018-05-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor method and associated apparatus
CN112908898B (zh) * 2021-01-27 2022-09-02 长鑫存储技术有限公司 控片量测方法及量测装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3752589A (en) * 1971-10-26 1973-08-14 M Kobayashi Method and apparatus for positioning patterns of a photographic mask on the surface of a wafer on the basis of backside patterns of the wafer
JPS554608A (en) * 1978-06-26 1980-01-14 Tokyo Shibaura Electric Co Paper discharging mechanism at bill return outlet
US4573791A (en) * 1979-04-03 1986-03-04 Optimetrix Corporation Step-and-repeat projection alignment and exposure system
US4385838A (en) * 1980-01-19 1983-05-31 Nippon Kogaku K. K. Alignment device
US4629313A (en) * 1982-10-22 1986-12-16 Nippon Kogaku K.K. Exposure apparatus
US4699515A (en) * 1984-02-28 1987-10-13 Nippon Kogaku K. K. Process of transfer of mask pattern onto substrate and apparatus for alignment therebetween

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100579603B1 (ko) * 2001-01-15 2006-05-12 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치
JP2004531062A (ja) * 2001-05-14 2004-10-07 ウルトラテック インク 裏側アライメントシステム及び方法
JP2019517022A (ja) * 2016-05-25 2019-06-20 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置
US10571815B2 (en) 2016-05-25 2020-02-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US10976675B2 (en) 2016-05-25 2021-04-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US11609503B2 (en) 2016-05-25 2023-03-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US11914308B2 (en) 2016-05-25 2024-02-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0650714B2 (ja) 1994-06-29
US4952060A (en) 1990-08-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6324618A (ja) 露光方法
US4269505A (en) Device for the projection printing of the masks of a mask set onto a semiconductor substrate
US5929997A (en) Alignment-mark measurements on the backside of a wafer for synchronous wafer alignment
JPS62145730A (ja) 投影型露光装置
JPH08167559A (ja) アライメント方法及び装置
JPS6227536B2 (ja)
US4803524A (en) Method of and apparatus for detecting the accuracy of superposition exposure in an exposure apparatus
JP2707541B2 (ja) 感光基板のアライメント方法
JPH0997758A (ja) 位置合わせ方法
US4808002A (en) Method and device for aligning first and second objects relative to each other
JPH08162393A (ja) 位置合わせ装置
US4050817A (en) Manufacture of multi-layer structures
JPS6294932A (ja) 位置合わせ方法及び装置
JP2637412B2 (ja) 位置あわせ方法
JPH0793251B2 (ja) 投影光学装置
JP3291769B2 (ja) 位置検出装置、露光装置及び露光方法
JPS63184328A (ja) 露光装置
JPS61256636A (ja) 縮小投影露光装置
JPS6489325A (en) Aligner
JP2569640B2 (ja) 投影露光の焦点合わせ補正方法
JPS62271428A (ja) 投影露光方法及び投影露光装置
JPS63100723A (ja) アライメント装置
JPS63194330A (ja) 半導体露光方法
JPH0334307A (ja) 半導体ウエハの露光方法
JPS61203640A (ja) 光露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees