JPS6294932A - 位置合わせ方法及び装置 - Google Patents
位置合わせ方法及び装置Info
- Publication number
- JPS6294932A JPS6294932A JP60235924A JP23592485A JPS6294932A JP S6294932 A JPS6294932 A JP S6294932A JP 60235924 A JP60235924 A JP 60235924A JP 23592485 A JP23592485 A JP 23592485A JP S6294932 A JPS6294932 A JP S6294932A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical system
- reticle
- mark
- wafer
- chuck
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の属する技術分野］
本発明は半導体露光装置等の位置合わせ方法及び装置に
関するものである。
関するものである。
［従来技術］
ステップアンドリピート方式の投影露光装置（以トスチ
ッパと呼ぶ）′Ｉ；におけるレチクル等の原板とウェハ
等の露光体との位置合わせつについては従来よりさまざ
まな方式が提案されている。
ッパと呼ぶ）′Ｉ；におけるレチクル等の原板とウェハ
等の露光体との位置合わせつについては従来よりさまざ
まな方式が提案されている。
その中で代表的なタイプはレチクルとウェハにマークを
付け、両者を光学系を通して合致させるように操作して
位置合わせを行なうものである。
付け、両者を光学系を通して合致させるように操作して
位置合わせを行なうものである。
従来のこの方法は位置合わせマーク用照明光源をレチク
ルに対し、投影光学系及びウェハの反対側に置き、ウエ
ハマークトにレチクルマークを投影し、この投影部から
の反射光を再び投影光学系及びレチクルを通して検出部
に光信号として入射させる構成をとっていた。光源を発
した光はレチクルと投影光学系を２度通る１１になり、
検出部に入る光信号はそれだけ弱められる。又ウェハＬ
に投影されたレチクルマーク像は回折やウェハ表面状態
等により非常に不安定で、この像からの光信号を検知す
る場合はノイズの影響が大きい、従って鮮明なレチクル
マーク像信号を検知するにはレチクルマークから直接反
射された光を別に検知する°１τが必要で、２つの光信
号を分離する為に光学系に偏光板を入れる等の特別な構
成にしなければならなかった。この為光学系が複雑にな
り、偏光板、偏光ビームスプリッタ等の光学パーツも特
性の厳しいものが必要とされた。
ルに対し、投影光学系及びウェハの反対側に置き、ウエ
ハマークトにレチクルマークを投影し、この投影部から
の反射光を再び投影光学系及びレチクルを通して検出部
に光信号として入射させる構成をとっていた。光源を発
した光はレチクルと投影光学系を２度通る１１になり、
検出部に入る光信号はそれだけ弱められる。又ウェハＬ
に投影されたレチクルマーク像は回折やウェハ表面状態
等により非常に不安定で、この像からの光信号を検知す
る場合はノイズの影響が大きい、従って鮮明なレチクル
マーク像信号を検知するにはレチクルマークから直接反
射された光を別に検知する°１τが必要で、２つの光信
号を分離する為に光学系に偏光板を入れる等の特別な構
成にしなければならなかった。この為光学系が複雑にな
り、偏光板、偏光ビームスプリッタ等の光学パーツも特
性の厳しいものが必要とされた。
［発明の目的］
本発明の目的は前述従来例の問題を除去し、筒中な光学
系で安定したレチクルマーク信号を検出できる位置合わ
せ方法及び装置を提供するｉｌＧにある。
系で安定したレチクルマーク信号を検出できる位置合わ
せ方法及び装置を提供するｉｌＧにある。
この目的を達成する為に後述の実施例では照明光学系を
レチクルに対し光学系及びウェハと同じ側に置き、光学
系を通ってきた丁のマーク信号を含む光でレチクルマー
クを照ＩＪ１シ、その透過光を直接検出部に受光させて
レチクルマーク信号を検出するようにしている。
レチクルに対し光学系及びウェハと同じ側に置き、光学
系を通ってきた丁のマーク信号を含む光でレチクルマー
クを照ＩＪ１シ、その透過光を直接検出部に受光させて
レチクルマーク信号を検出するようにしている。
［実施例］
第１図〜第３図で本発明の一実施例を説明する。
第１図は本実施例のステッパの概略構成を示すブロック
図である。同図において、ｌはオフアキシスなアライメ
ント光学系、２はウェハ、３はウェハを載せる保持治具
としてのチャック、４はレーザｆ−渉計を有するウェハ
ステージである。５はレチクル６の像をウェハ２へ縮小
投影する縮小投影光学系、７はＴＴＬアライメント光学
系、８は照１町光学系である。９および工５は中央処理
装置（ＣＰＵ）である、１１．１２および１３はそれぞ
れＣＰＵ９を介し、ウニ／ｈ供給装置２１および２２と
オンライン接続されているステッパである。これらのス
テッパにはウニ／＼供給装置２１および２２を介し順次
ウェハが自動的に供給され。
図である。同図において、ｌはオフアキシスなアライメ
ント光学系、２はウェハ、３はウェハを載せる保持治具
としてのチャック、４はレーザｆ−渉計を有するウェハ
ステージである。５はレチクル６の像をウェハ２へ縮小
投影する縮小投影光学系、７はＴＴＬアライメント光学
系、８は照１町光学系である。９および工５は中央処理
装置（ＣＰＵ）である、１１．１２および１３はそれぞ
れＣＰＵ９を介し、ウニ／ｈ供給装置２１および２２と
オンライン接続されているステッパである。これらのス
テッパにはウニ／＼供給装置２１および２２を介し順次
ウェハが自動的に供給され。
フルオートで露光処理が行なわれている。１４はオフラ
インのステッパであり、ＣＰＵ９の丁でオンライン接続
されている機器とのデータのやりとりは、フロッピーデ
ィスク装置１０および１６によりフロッピーディスクを
介して行なわれる。
インのステッパであり、ＣＰＵ９の丁でオンライン接続
されている機器とのデータのやりとりは、フロッピーデ
ィスク装置１０および１６によりフロッピーディスクを
介して行なわれる。
２１および２２はステッパ１１〜１４にウニハラ供給す
るウェハ供給袋ご（以ド、アライメントステーションと
いう）でアル。
るウェハ供給袋ご（以ド、アライメントステーションと
いう）でアル。
第２図は、ウェハチャックにウェハを吸着したときのに
面図である。第１図と共通または対応する部分について
は回−の符号で表わす。３１はウェハを支持するチャッ
クにｐめ配置されるマーク（以ｆ、チャックマークとい
う）、３２はチップのアライメントマークである。
面図である。第１図と共通または対応する部分について
は回−の符号で表わす。３１はウェハを支持するチャッ
クにｐめ配置されるマーク（以ｆ、チャックマークとい
う）、３２はチップのアライメントマークである。
第２図において、ウェハ２はバキュームあるいは静電方
式等によりチャック３に吸着される。
式等によりチャック３に吸着される。
これにより、チャックにウェハを載せた状態で、すなわ
ちチャックに対してウェハを動かすことなく、チャック
を動かすことが可能となる。バキュームによる支持の場
合は空気を引いているホースをつけたままで移動Ｆｊｆ
能であるようにしておく。
ちチャックに対してウェハを動かすことなく、チャック
を動かすことが可能となる。バキュームによる支持の場
合は空気を引いているホースをつけたままで移動Ｆｊｆ
能であるようにしておく。
次に、第１図および第２図を参照して、この構成の動作
を説明する。ここでは、アライメントステーション２１
からステッパ１１にウェハ２を供給する場合を説明する
。アライメントステーション２１は、まず、チャックマ
ーク３１に対してウェハ２の各ショット位置（チップ位
置）をオフアキシスなアライメント光学系ｌを使用して
検出する。チャックマーク３１は、露光の際ウェハをレ
チクルと位置合わせするための基準マークとなるもので
あるから、従来のオフアキシスアライメントにおけるウ
ェハにの７ライメントマークと同様な機能を果す。すな
わち、アライメントステーションにおける各ショット位
置の検出により、従来のオフアキシスアライメントによ
る露光の際ｆめ定めておき使用していた「所定の間隔」
の（ｆｉを実際に測定することとなる。この測定により
、「所定の間隔」からずれ量、すなわちウェハを取巻く
環境の変化等による「所定の間隔」からの誤差１１１が
わかる。その各ショット毎のずれ量はライメントスチー
ジョン２１で計′ＡＨＬ ＣＰ Ｕ ９に備えである不
図示の記憶装置またはオフライン用のフロッピーディス
クｌＯに記憶される。
を説明する。ここでは、アライメントステーション２１
からステッパ１１にウェハ２を供給する場合を説明する
。アライメントステーション２１は、まず、チャックマ
ーク３１に対してウェハ２の各ショット位置（チップ位
置）をオフアキシスなアライメント光学系ｌを使用して
検出する。チャックマーク３１は、露光の際ウェハをレ
チクルと位置合わせするための基準マークとなるもので
あるから、従来のオフアキシスアライメントにおけるウ
ェハにの７ライメントマークと同様な機能を果す。すな
わち、アライメントステーションにおける各ショット位
置の検出により、従来のオフアキシスアライメントによ
る露光の際ｆめ定めておき使用していた「所定の間隔」
の（ｆｉを実際に測定することとなる。この測定により
、「所定の間隔」からずれ量、すなわちウェハを取巻く
環境の変化等による「所定の間隔」からの誤差１１１が
わかる。その各ショット毎のずれ量はライメントスチー
ジョン２１で計′ＡＨＬ ＣＰ Ｕ ９に備えである不
図示の記憶装置またはオフライン用のフロッピーディス
クｌＯに記憶される。
次に、このウェハ２が依ったチャック３をアライメント
ステーション２１からステッパ１１の露光ステージ４′
へ移動する。ＣＰＵ９は前記の７ライメントステーシヨ
ン２１における測定により取得し記憶しておいた各ショ
ットの「所定の間隔」からのずれ計を取り出し、ステッ
パ１１にそのデータを送る。ステッパ１１では、ＴＴＬ
等のウェハやチップの位置を検出するｆ段によりレチク
ル６とチャックマーク３１とを合わせ、この合わせた位
置から、「所定の間隔」＋「ずれ酸」を各ショク］・毎
に駆動し露光を行なう。
ステーション２１からステッパ１１の露光ステージ４′
へ移動する。ＣＰＵ９は前記の７ライメントステーシヨ
ン２１における測定により取得し記憶しておいた各ショ
ットの「所定の間隔」からのずれ計を取り出し、ステッ
パ１１にそのデータを送る。ステッパ１１では、ＴＴＬ
等のウェハやチップの位置を検出するｆ段によりレチク
ル６とチャックマーク３１とを合わせ、この合わせた位
置から、「所定の間隔」＋「ずれ酸」を各ショク］・毎
に駆動し露光を行なう。
以上のように７ライメントステーシヨンを使用し予め多
数枚のチャックを用、へしておき、各チャック１−のウ
ェハに対し各ショット位置を検出し記憶しておけば、露
光ステージ七で７ライメントする時間は、実質［−１Ｔ
ＴＬでチャックマークを検出する時間だけとなる。従っ
て、露光ステージににおいては高速でかつ高精度なアラ
イメントが可能となる。
数枚のチャックを用、へしておき、各チャック１−のウ
ェハに対し各ショット位置を検出し記憶しておけば、露
光ステージ七で７ライメントする時間は、実質［−１Ｔ
ＴＬでチャックマークを検出する時間だけとなる。従っ
て、露光ステージににおいては高速でかつ高精度なアラ
イメントが可能となる。
第３図にステッパ１１におけるレチクル６とチャックマ
ーク３１を位置合わせする為の位置検出装置の部分の具
体図を示す、３３はウエノ＼チャックの外周部に設けら
れた透Ｉ！１部材でチャックマーク３１は透明部材３３
の上に設置されている。３４は透明部材３３とチャック
本体の境界に設けられたミラー、３５はビーム光源を含
む走査光学系である。
ーク３１を位置合わせする為の位置検出装置の部分の具
体図を示す、３３はウエノ＼チャックの外周部に設けら
れた透Ｉ！１部材でチャックマーク３１は透明部材３３
の上に設置されている。３４は透明部材３３とチャック
本体の境界に設けられたミラー、３５はビーム光源を含
む走査光学系である。
図に示すように、走査光学系３５はチャック３′の横か
らビームを走査する。走査ビームはまずチャック３′の
透明部材３３に入射し、ミラー３４で反射して、透明部
材３３］二のウェハマーク３１に裏から照射される。こ
こでウェハマーク信号−を得た走査ビームはこの後投影
光学系５を介してレチクル６のレチクルマーク６ａ付近
を走査し、レチクル６を透過してＴＴＬアライメント光
学系７に入射する五になる。
らビームを走査する。走査ビームはまずチャック３′の
透明部材３３に入射し、ミラー３４で反射して、透明部
材３３］二のウェハマーク３１に裏から照射される。こ
こでウェハマーク信号−を得た走査ビームはこの後投影
光学系５を介してレチクル６のレチクルマーク６ａ付近
を走査し、レチクル６を透過してＴＴＬアライメント光
学系７に入射する五になる。
位置検出用ビームは縮小投影光学系とレチクルを１度し
か通らず、従来の様な光学系とレチクルを２度通るタイ
プに比べ強い信号出力を得る五ができる。又レチクルマ
ーク６ａに入射したビームの透過光をそのままＴＴＬア
ライメント光学系７で検出する構成をとっているのでレ
チクルマーク信号は従来のウェハＪｌのレチクルマーク
投影像からの光信号より鮮明でノイズが少なく安定した
ものになる。この為レチクル６からの直接光信号を分敲
して検出する必要がなく、偏光板等の光学パーツも不要
になるので光学系が筒中である。又位置検出時にウェハ
に光をあてる必要がないので照明光の波長は露光用のも
のと同じでも問題がない。
か通らず、従来の様な光学系とレチクルを２度通るタイ
プに比べ強い信号出力を得る五ができる。又レチクルマ
ーク６ａに入射したビームの透過光をそのままＴＴＬア
ライメント光学系７で検出する構成をとっているのでレ
チクルマーク信号は従来のウェハＪｌのレチクルマーク
投影像からの光信号より鮮明でノイズが少なく安定した
ものになる。この為レチクル６からの直接光信号を分敲
して検出する必要がなく、偏光板等の光学パーツも不要
になるので光学系が筒中である。又位置検出時にウェハ
に光をあてる必要がないので照明光の波長は露光用のも
のと同じでも問題がない。
第４図に本発明の他の実施例の位置検出装置の部分の具
体図を示す、３６は照明光学系、３７は撮像素子−であ
る。照明光学系３６をチャックの透明部材３３の真ドに
配置し、ミラー３４を通らず直接ドからチャックマーク
３１を照明する構成をとっている。１番目の実施例でも
走査光学系３５をこの様に配置する川は可能で、逆もで
きる。照明光学系３６によって照明されたチャックマー
ク３１と投影光学系５を介して照明されるレチクルマー
ク６ａの像は撮像素子に導かれ、画像処理される。この
方法であればチャック３′とレチクル６のずれ方が実際
に［１で見てわかるという利点がある。
体図を示す、３６は照明光学系、３７は撮像素子−であ
る。照明光学系３６をチャックの透明部材３３の真ドに
配置し、ミラー３４を通らず直接ドからチャックマーク
３１を照明する構成をとっている。１番目の実施例でも
走査光学系３５をこの様に配置する川は可能で、逆もで
きる。照明光学系３６によって照明されたチャックマー
ク３１と投影光学系５を介して照明されるレチクルマー
ク６ａの像は撮像素子に導かれ、画像処理される。この
方法であればチャック３′とレチクル６のずれ方が実際
に［１で見てわかるという利点がある。
チャックマークの高さは位置検出用照明光と露光用照明
光の波長が同じならウェハ表面の高さと同じにできる０
両者が異なる波長ならば投影光学系５の色収差を補正す
る分だけ投影光学系５の光軸方向にオフセットを持った
位置にチャックマークを持ってくる様にすればよい。又
、走査光学系１つ ３５、照明光学系３６はチャックマーク１つに配置して
もよいし、１つであってもチャックマークがそれぞれ投
影光学系のＦに来た１１νに必ず照明される様な配置に
しておけば問題ない。
光の波長が同じならウェハ表面の高さと同じにできる０
両者が異なる波長ならば投影光学系５の色収差を補正す
る分だけ投影光学系５の光軸方向にオフセットを持った
位置にチャックマークを持ってくる様にすればよい。又
、走査光学系１つ ３５、照明光学系３６はチャックマーク１つに配置して
もよいし、１つであってもチャックマークがそれぞれ投
影光学系のＦに来た１１νに必ず照明される様な配置に
しておけば問題ない。
実施例ではステッパについてのみ説明したが、ミラース
キャン露光方式や投影光学系のないコンタクト露光方式
、ｘ′＃ｌｊ、露光方式においても本発明が実施でき、
本発明により安定したマスク信号が検出できる。特にＸ
線露光においては１回の露光面積が少ない為ステッパ同
様１枚のウェハを数回に分けて露光することが考えられ
る。そこで本実施例の様な構成にすればステッパの時と
同様の効果が得られる。
キャン露光方式や投影光学系のないコンタクト露光方式
、ｘ′＃ｌｊ、露光方式においても本発明が実施でき、
本発明により安定したマスク信号が検出できる。特にＸ
線露光においては１回の露光面積が少ない為ステッパ同
様１枚のウェハを数回に分けて露光することが考えられ
る。そこで本実施例の様な構成にすればステッパの時と
同様の効果が得られる。
［発明の効果］
未発［Ｊ＋により筒中な光学系で安定したレチクルマー
ク信号を検出できる位置検出方法及び装こが１１丁イ彪
になった。
ク信号を検出できる位置検出方法及び装こが１１丁イ彪
になった。
第１図は本発明をステッパに適用した一実施例に於ける
ステッパの概略構成を示すブロック図。 第２図はウェハチャックにウェハを吸着した時のＬ面図
、第３図は前記ステッパの位置検出装置付近の概略図、
第４図は本発明の別の実施例の位置検出装置付近の概略
図である。 図中： ｌ二オフアキシスアライメント光学系 ２．７：ウェハ ３ 、３’ ：チャック ４ 、４’ ：ウエハステージ ５：投影露光用光学系 ６：レチクル ６ａニレチクルマーク ７：ＴＴＬアライメント光学系 ９．１５：ＣＰＵ １０．１６：フロッピーディスク装置 １１．１２，１３．１４＋ステツパ ２１．２２ニアライメントスチージヨン３１：チャック
マーク ３２：チップの７ライメントマーク ３３：チャック付属透明部材 ３４：ミラー ３５：走査光学系 ３６：照明光学系 ３７：撮像素子 ３８：ミラー である。
ステッパの概略構成を示すブロック図。 第２図はウェハチャックにウェハを吸着した時のＬ面図
、第３図は前記ステッパの位置検出装置付近の概略図、
第４図は本発明の別の実施例の位置検出装置付近の概略
図である。 図中： ｌ二オフアキシスアライメント光学系 ２．７：ウェハ ３ 、３’ ：チャック ４ 、４’ ：ウエハステージ ５：投影露光用光学系 ６：レチクル ６ａニレチクルマーク ７：ＴＴＬアライメント光学系 ９．１５：ＣＰＵ １０．１６：フロッピーディスク装置 １１．１２，１３．１４＋ステツパ ２１．２２ニアライメントスチージヨン３１：チャック
マーク ３２：チップの７ライメントマーク ３３：チャック付属透明部材 ３４：ミラー ３５：走査光学系 ３６：照明光学系 ３７：撮像素子 ３８：ミラー である。
Claims (2)
- （１）ウェハ保持治具に設けられたマーク部を透過した
光を基板のマーク部に照射して前記ウェハ保持治具と前
記基板との位置合わせを行う事を特徴とする位置合わせ
方法。 - （２）投影露光装置の位置合わせ装置に於いて、ウェハ
保持治具に固定された透明部材、前記透明部材に設けら
れたマーク、前記マークを含む前記透明部材を通して投
影光学系及び基板方向に光を照射する光照射手段、を有
する事を特徴とする位置合わせ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60235924A JPS6294932A (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | 位置合わせ方法及び装置 |
| US07/273,707 US4861162A (en) | 1985-05-16 | 1988-11-15 | Alignment of an object |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60235924A JPS6294932A (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | 位置合わせ方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6294932A true JPS6294932A (ja) | 1987-05-01 |
| JPH0562812B2 JPH0562812B2 (ja) | 1993-09-09 |
Family
ID=16993254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60235924A Granted JPS6294932A (ja) | 1985-05-16 | 1985-10-21 | 位置合わせ方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6294932A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6381818A (ja) * | 1986-09-25 | 1988-04-12 | Nikon Corp | 投影光学装置 |
| JPH01226447A (ja) * | 1988-03-05 | 1989-09-11 | Toyota Autom Loom Works Ltd | 産業車両における可変容量ポンプの停止装置 |
| US5386269A (en) * | 1988-05-12 | 1995-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment and exposure apparatus |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5356975A (en) * | 1976-11-01 | 1978-05-23 | Hitachi Ltd | Exposure apparatus |
-
1985
- 1985-10-21 JP JP60235924A patent/JPS6294932A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5356975A (en) * | 1976-11-01 | 1978-05-23 | Hitachi Ltd | Exposure apparatus |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6381818A (ja) * | 1986-09-25 | 1988-04-12 | Nikon Corp | 投影光学装置 |
| JPH01226447A (ja) * | 1988-03-05 | 1989-09-11 | Toyota Autom Loom Works Ltd | 産業車両における可変容量ポンプの停止装置 |
| US5386269A (en) * | 1988-05-12 | 1995-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment and exposure apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0562812B2 (ja) | 1993-09-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4952060A (en) | Alignment method and a projection exposure apparatus using the same | |
| US6356343B1 (en) | Mark for position detection and mark detecting method and apparatus | |
| US4861162A (en) | Alignment of an object | |
| JPH04317316A (ja) | 投影露光装置 | |
| US4617469A (en) | Exposure apparatus with detecting means insertable into an exposure path | |
| JP2003282420A (ja) | 露光方法及び装置 | |
| US6081320A (en) | Illumination apparatus and exposure apparatus | |
| JPS61174717A (ja) | 位置合わせ装置 | |
| JPH09246160A (ja) | 投影露光装置 | |
| JPS6294932A (ja) | 位置合わせ方法及び装置 | |
| JPS5990929A (ja) | 投影露光装置のピント合わせ方法 | |
| JPS61263123A (ja) | ステップアンドリピート露光方法 | |
| JPS63107139A (ja) | 感光基板のアライメント方法 | |
| JPH0744138B2 (ja) | 位置合わせ装置 | |
| JPS59161815A (ja) | 投影露光装置 | |
| JPS63221616A (ja) | マスク・ウエハの位置合わせ方法 | |
| JP3584121B2 (ja) | 走査型投影露光装置 | |
| JPH0569300B2 (ja) | ||
| JP2550994B2 (ja) | 位置合せ方法 | |
| JP3291769B2 (ja) | 位置検出装置、露光装置及び露光方法 | |
| JP3237022B2 (ja) | 投影露光装置 | |
| JPS62159029A (ja) | レチクル・マスク欠陥検査装置 | |
| JPS62200724A (ja) | 投影露光装置 | |
| JP2949328B2 (ja) | 光露光方法 | |
| JPS6134939A (ja) | 半導体焼付装置 |