JP2949328B2 - 光露光方法 - Google Patents
光露光方法Info
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- JP2949328B2 JP2949328B2 JP7287052A JP28705295A JP2949328B2 JP 2949328 B2 JP2949328 B2 JP 2949328B2 JP 7287052 A JP7287052 A JP 7287052A JP 28705295 A JP28705295 A JP 28705295A JP 2949328 B2 JP2949328 B2 JP 2949328B2
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- Japan
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- light
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- semiconductor wafer
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- pattern
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7065—Production of alignment light, e.g. light source, control of coherence, polarization, pulse length, wavelength
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【発明の属する技術分野】本発明は、光露光装置に係
り、大規模集積回路の製造に使用されるような、半導体
ウエハ上に複数の原画パターンを投影レンズを介して重
ねて投影するとともに、半導体ウエハに形成した位置合
わせ用マークを投影レンズを介して検出する光露光方法
に関する。 【従来の技術】従来の大規模集積回路の製造工程等にお
ける光露光方法においては、半導体ウエハ上に一つの原
画パターンを投影して転写したのち、次の原画パターン
を前回転写した原画パターン上に重ねて転写するように
している。そして、前回転写したパターンと、今回転写
する原画のパターンとを重ね合わせるための前回パター
ンの検出方法は、原画パターンを半導体ウエハ上に転写
するために供せられる投影レンズを介して、検出光を半
導体ウエハ上の位置合わせ用マークに照射し、この反射
光像を投影レンズを介して観察する方法がとられてい
る。通常、投影レンズは、原画パターンを収差なく、か
つ高解像度をもって半導体ウエハ上に転写する性能を必
要とし、この性能を発揮させるために単色光専用となっ
ている。したがって、半導体ウエハ上の位置合わせ用マ
ークの反射光像を検出する検出光も、単色光であること
が必要となる。ところが、位置合わせ用マークの周辺に
おけるフォトレジストの塗布むらにより、反射光が干渉
を起こし、位置合わせ用マークの検出の際に、検出信号
が大きく乱れることがわかっている。そこで、この問題
を解決するため、特願昭５８−１８７０２５号で複数波
長の光により、位置合わせ用マークを検出する方法が提
案されている。周知のように、複数波長の光による結像
位置は、各波長により異なる。すなわち、図３に示すよ
うに、半導体ウエハ（被露光体）１０の位置合わせ用マ
ーク１２から反射してくる光を、投影レンズである縮小
レンズ１４を介して原画パターンが形成してある原板
（レチクル）１６の基準窓１８に導き、検出スリット２
０上に結像させる場合、例えば実線に示したｅ線（５４
７ｎｍ）の結像点２２を検出スリット２０上にしたと
き、ｄ線（５７７ｎｍ）の結像点２４は、図３の破線に
示すごとくｅ線の結像点２２の上方にくる。そこで特願
昭５８−１８７０２５号では、次のような方法が提案さ
れている。◆ （１）複数波長の光を用いて位置合わせ用マークを検出
する場合、各単色光のベストフォーカス像が所定の位置
に結像するように、半導体ウエハを各波長に対応してベ
ストフォーカス位置に上下動させる。◆ （２）半導体ウエハを一定の位置に固定しておき、各単
色光のベストフォーカス像が結像する位置に、それぞれ
測定装置を設ける。◆ しかし、（１）の方法は、一つの波長においてデータを
取り込んだのち、他の波長に対応したベストフォーカス
位置にウエハを移動させてデータを取り込むため、時間
がかかる。また、前記（２）の方法は、各波長に対応し
て光学系を設けねばならず、装置が複雑となるばかりで
なく、コストの上昇を招く。 【発明が解決しようとする課題】従来の光露光方法にあ
っては、通常、投影レンズは、原画パターンを収差な
く、かつ高解像度をもって半導体ウエハ上に転写する性
能を必要とし、この性能を発揮させるために単色光専用
となっている。したがって、半導体ウエハ上の位置合わ
せ用マークの反射光像を検出する検出光も、単色光であ
ることが必要となる。ところが、位置合わせ用マークの
周辺におけるフォトレジストの塗布むらにより、反射光
が干渉を起こし、位置合わせ用マークの検出の際に、検
出信号が大きく乱れる問題点がある。本発明の目的は、
複数波長の光を用いて被露光体上の位置合わせ用マーク
を検出する際に、各波長の像を同一の位置に同時に結像
することのできる光露光方法を提供することにある。 【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明に係る光露光方法は、少なくとも３の波長を
含んだ照射光を被露光体に形成した位置合わせ用マーク
に照射し、照射光の照射により位置合わせ用マークから
反射した反射光を異なる波長の光を異なる位置に結像さ
せる投影レンズを通過させ、投影レンズを通過しそれぞ
れの波長に応じて異なる位置に結像するそれぞれの像を
互いに同じ光路を通って同時に検出手段に結像するよう
に補正レンズで補正し、それぞれの波長に応じた像の情
報を検出手段で検出し、検出手段の検出結果に基づいて
原画パターンと被露光体とを相対的に位置合わせし、原
画パターンの像を投影レンズを経て被露光体に投影露光
する構成とする。 【発明の実施の形態】本発明の一実施例を図１を参照し
ながら説明する。図１に示すように、半導体ウエハ（被
露光体）１０を載置する移動台２６は、駆動モータ２
８，３０に接続してあり、図の矢印に示したＸ，Ｙ方向
に、いわゆるステップアンドリピートで移動できるよう
になっている。移動台２６の位置は、レーザ測長部３２
によって検出される。レーザ測長部３２は、レーザ光源
３４が発するレーザ光を、例えばハーフミラー３６によ
り二つの方向に分けて干渉計３８，４０に導き、図示し
ない計算機により干渉計３８，４０を介して移動台２６
のＸ方向およびＹ方向の位置を算出する。計算機は、駆
動モータ２８，３０を制御して、移動台２６を０．０５
μｍの精度をもって位置決め、制御する。半導体ウエハ
１０の上方には、投影レンズである縮小レンズ１４が配
置されており、この縮小レンズ１４の上方に原板載置台
４２が位置している。原板載置台４２上には、レチクル
（原画パターン）１６を固定配置することができる。そ
して、レチクル１６は、露光照明部（光源）４４からの
光がコンデンサレンズ４６を介して照射される。レチク
ル１６には、基準窓４８，５０が設けてあり、この基準
窓４８，５０を介してパターン検出部５２，５４の照射
光を、半導体ウエハ１０に形成してある位置合わせ用マ
ーク１２Ｘ，１２Ｙに照射できるようになっている。パ
ターン検出部５２，５４は、それぞれパターン検出器５
６，５８、スリット６０，６２、コリメータ６４，６
６、色収差補正用の補正レンズ６８，７０、ハーフミラ
ー７２，７４、ミラー７６，７８及び照明器８０，８２
と、コリメータの焦点部に図示しない検出スリットとを
有している。なお検出手段は、例えばパターン検出器５
６とスリット６０とよりなるものとする。本実施例の作
用は、次のとおりである。まず、移動台２６上の所定の
位置に半導体ウエハ１０を載置し、原板載置台４２に最
初のレチクル１６を設置する。そして、露光照明部４４
の発する光を、コンデンサレンズ４６により集光し、レ
チクル１６に照射する。レチクル１６を透過した光は、
縮小レンズ１４により半導体ウエハ１０上に投影され、
レチクル１６のパターンが半導体ウエハ１０に転写され
る。最初のレチクル１６のパターンが半導体ウエハ１０
に転写されたのちは、次のレチクル１６が原板載台４２
に設置され、半導体ウエハ１０上に転写されている先の
パターンの上に、新たなパターンを重ねて転写する。こ
の先のパターン上に新たなパターンを重ねて転写する場
合、各パターンの整合を図り、精度よく重ね合わせるた
めに、半導体ウエハ１０とレチクル１６との位置合わせ
が、次のようにして行われる。パターン検出部５２，５
４の照明器８０，８２の発する光を、ハーフミラー７
２，７４およびミラー７６，７８を介して基準窓４８，
５０に導く、基準窓４８，５０を通過した光は、縮小レ
ンズ１４を介して半導体ウエハ１０上に形成されている
位置合わせ用マーク１２Ｘ，１２Ｙに照射される。そし
て、位置合わせ用マーク１２Ｘ，１２Ｙにおいて反射し
た光は、再び縮小レンズ１４を介してレチクル１６に導
かれレチクル１６上に結像する。このレチクル１６上に
結像した位置合わせ用マーク１２Ｘ，１２Ｙは、拡大さ
れてミラー７６，７８およびハーフミラー７２，７４を
介して補正レンズ６８，７０に導かれ、図示しない検出
スリット上に結像する。補正レンズ６８，７０を介して
結像される位置合わせ用マークの像は、図２に示すよう
に、例えば実線に示したｅ線の像と、破線に示したｄ線
の像とが同一の位置、すなわち検出スリット２０上に結
像する。この検出スリット２０上に位置合わせ用マーク
を結像させている光は、コリメータ６４，６６により平
行光線とされたのち、再びスリット６０，６２上に結像
し、パターン検出器５６，５８により検出される。そし
て、半導体ウエハ１０上の位置合わせ用マーク１２Ｘ，
１２Ｙの位置のＸ，Ｙ座標がレーザ測長部３２により求
められる。この位置合わせ用マーク１２Ｘ，１２Ｙの
Ｘ，Ｙ座標を、半導体ウエハ１０上の二つのチップにつ
いて求め、半導体ウエハ１０とレチクル１６との位置の
相対誤差を知り、その相対誤差を移動台２６を制御して
補正する。このように、本実施例においては、補正レン
ズ６８，７０を用いて波長の異なる、例えばｄ線とｅ線
の位置合わせ用マークの反射光像を、同一位置に結像さ
せるようにしたため、半導体ウエハ１０上のフォトレジ
ストの塗布むらによる反射光の影響を小さくし、半導体
ウエハ１０とレチクル１６との位置合わせを速やかに、
かつ容易に行うことができる。しかも、本実施例におい
ては、位置合わせ用マーク１２Ｘ，１２Ｙの反射光の光
路に補正レンズ６８，７０を挿入しただけであるため、
複雑な複数の光学系を設ける必要がなく、装置の単純化
を図ることができる。前記実施例においては、位置合わ
せ用マーク１２Ｘ，１２Ｙを検出する検出光線としてｄ
線とｅ線を用いた場合について説明したが、検出光線は
これに限定されないことはもちろんである。また、三つ
以上の波長の異なる単色光を用いることも可能である。
なお、前記実施例においては、補正レンズ６８，７０を
コリメータの直前に置いた場合について説明したが、補
正レンズ６８，７０はコリメータ６４，６６と縮小レン
ズ１４との間であれば、どこに挿入してもよい。 【発明の効果】本発明によれば、３以上の波長を含んだ
光によって得た被露光体上の位置合わせ用マークの像の
それぞれを、同時に検出手段の位置に結像し検出するこ
とができるため、被露光体上のフォトレジストの塗布む
らによる反射光の干渉の影響を小さくし、被露光体と露
光体との位置合わせを速やかに、かつ高精度に行うこと
ができる。
り、大規模集積回路の製造に使用されるような、半導体
ウエハ上に複数の原画パターンを投影レンズを介して重
ねて投影するとともに、半導体ウエハに形成した位置合
わせ用マークを投影レンズを介して検出する光露光方法
に関する。 【従来の技術】従来の大規模集積回路の製造工程等にお
ける光露光方法においては、半導体ウエハ上に一つの原
画パターンを投影して転写したのち、次の原画パターン
を前回転写した原画パターン上に重ねて転写するように
している。そして、前回転写したパターンと、今回転写
する原画のパターンとを重ね合わせるための前回パター
ンの検出方法は、原画パターンを半導体ウエハ上に転写
するために供せられる投影レンズを介して、検出光を半
導体ウエハ上の位置合わせ用マークに照射し、この反射
光像を投影レンズを介して観察する方法がとられてい
る。通常、投影レンズは、原画パターンを収差なく、か
つ高解像度をもって半導体ウエハ上に転写する性能を必
要とし、この性能を発揮させるために単色光専用となっ
ている。したがって、半導体ウエハ上の位置合わせ用マ
ークの反射光像を検出する検出光も、単色光であること
が必要となる。ところが、位置合わせ用マークの周辺に
おけるフォトレジストの塗布むらにより、反射光が干渉
を起こし、位置合わせ用マークの検出の際に、検出信号
が大きく乱れることがわかっている。そこで、この問題
を解決するため、特願昭５８−１８７０２５号で複数波
長の光により、位置合わせ用マークを検出する方法が提
案されている。周知のように、複数波長の光による結像
位置は、各波長により異なる。すなわち、図３に示すよ
うに、半導体ウエハ（被露光体）１０の位置合わせ用マ
ーク１２から反射してくる光を、投影レンズである縮小
レンズ１４を介して原画パターンが形成してある原板
（レチクル）１６の基準窓１８に導き、検出スリット２
０上に結像させる場合、例えば実線に示したｅ線（５４
７ｎｍ）の結像点２２を検出スリット２０上にしたと
き、ｄ線（５７７ｎｍ）の結像点２４は、図３の破線に
示すごとくｅ線の結像点２２の上方にくる。そこで特願
昭５８−１８７０２５号では、次のような方法が提案さ
れている。◆ （１）複数波長の光を用いて位置合わせ用マークを検出
する場合、各単色光のベストフォーカス像が所定の位置
に結像するように、半導体ウエハを各波長に対応してベ
ストフォーカス位置に上下動させる。◆ （２）半導体ウエハを一定の位置に固定しておき、各単
色光のベストフォーカス像が結像する位置に、それぞれ
測定装置を設ける。◆ しかし、（１）の方法は、一つの波長においてデータを
取り込んだのち、他の波長に対応したベストフォーカス
位置にウエハを移動させてデータを取り込むため、時間
がかかる。また、前記（２）の方法は、各波長に対応し
て光学系を設けねばならず、装置が複雑となるばかりで
なく、コストの上昇を招く。 【発明が解決しようとする課題】従来の光露光方法にあ
っては、通常、投影レンズは、原画パターンを収差な
く、かつ高解像度をもって半導体ウエハ上に転写する性
能を必要とし、この性能を発揮させるために単色光専用
となっている。したがって、半導体ウエハ上の位置合わ
せ用マークの反射光像を検出する検出光も、単色光であ
ることが必要となる。ところが、位置合わせ用マークの
周辺におけるフォトレジストの塗布むらにより、反射光
が干渉を起こし、位置合わせ用マークの検出の際に、検
出信号が大きく乱れる問題点がある。本発明の目的は、
複数波長の光を用いて被露光体上の位置合わせ用マーク
を検出する際に、各波長の像を同一の位置に同時に結像
することのできる光露光方法を提供することにある。 【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明に係る光露光方法は、少なくとも３の波長を
含んだ照射光を被露光体に形成した位置合わせ用マーク
に照射し、照射光の照射により位置合わせ用マークから
反射した反射光を異なる波長の光を異なる位置に結像さ
せる投影レンズを通過させ、投影レンズを通過しそれぞ
れの波長に応じて異なる位置に結像するそれぞれの像を
互いに同じ光路を通って同時に検出手段に結像するよう
に補正レンズで補正し、それぞれの波長に応じた像の情
報を検出手段で検出し、検出手段の検出結果に基づいて
原画パターンと被露光体とを相対的に位置合わせし、原
画パターンの像を投影レンズを経て被露光体に投影露光
する構成とする。 【発明の実施の形態】本発明の一実施例を図１を参照し
ながら説明する。図１に示すように、半導体ウエハ（被
露光体）１０を載置する移動台２６は、駆動モータ２
８，３０に接続してあり、図の矢印に示したＸ，Ｙ方向
に、いわゆるステップアンドリピートで移動できるよう
になっている。移動台２６の位置は、レーザ測長部３２
によって検出される。レーザ測長部３２は、レーザ光源
３４が発するレーザ光を、例えばハーフミラー３６によ
り二つの方向に分けて干渉計３８，４０に導き、図示し
ない計算機により干渉計３８，４０を介して移動台２６
のＸ方向およびＹ方向の位置を算出する。計算機は、駆
動モータ２８，３０を制御して、移動台２６を０．０５
μｍの精度をもって位置決め、制御する。半導体ウエハ
１０の上方には、投影レンズである縮小レンズ１４が配
置されており、この縮小レンズ１４の上方に原板載置台
４２が位置している。原板載置台４２上には、レチクル
（原画パターン）１６を固定配置することができる。そ
して、レチクル１６は、露光照明部（光源）４４からの
光がコンデンサレンズ４６を介して照射される。レチク
ル１６には、基準窓４８，５０が設けてあり、この基準
窓４８，５０を介してパターン検出部５２，５４の照射
光を、半導体ウエハ１０に形成してある位置合わせ用マ
ーク１２Ｘ，１２Ｙに照射できるようになっている。パ
ターン検出部５２，５４は、それぞれパターン検出器５
６，５８、スリット６０，６２、コリメータ６４，６
６、色収差補正用の補正レンズ６８，７０、ハーフミラ
ー７２，７４、ミラー７６，７８及び照明器８０，８２
と、コリメータの焦点部に図示しない検出スリットとを
有している。なお検出手段は、例えばパターン検出器５
６とスリット６０とよりなるものとする。本実施例の作
用は、次のとおりである。まず、移動台２６上の所定の
位置に半導体ウエハ１０を載置し、原板載置台４２に最
初のレチクル１６を設置する。そして、露光照明部４４
の発する光を、コンデンサレンズ４６により集光し、レ
チクル１６に照射する。レチクル１６を透過した光は、
縮小レンズ１４により半導体ウエハ１０上に投影され、
レチクル１６のパターンが半導体ウエハ１０に転写され
る。最初のレチクル１６のパターンが半導体ウエハ１０
に転写されたのちは、次のレチクル１６が原板載台４２
に設置され、半導体ウエハ１０上に転写されている先の
パターンの上に、新たなパターンを重ねて転写する。こ
の先のパターン上に新たなパターンを重ねて転写する場
合、各パターンの整合を図り、精度よく重ね合わせるた
めに、半導体ウエハ１０とレチクル１６との位置合わせ
が、次のようにして行われる。パターン検出部５２，５
４の照明器８０，８２の発する光を、ハーフミラー７
２，７４およびミラー７６，７８を介して基準窓４８，
５０に導く、基準窓４８，５０を通過した光は、縮小レ
ンズ１４を介して半導体ウエハ１０上に形成されている
位置合わせ用マーク１２Ｘ，１２Ｙに照射される。そし
て、位置合わせ用マーク１２Ｘ，１２Ｙにおいて反射し
た光は、再び縮小レンズ１４を介してレチクル１６に導
かれレチクル１６上に結像する。このレチクル１６上に
結像した位置合わせ用マーク１２Ｘ，１２Ｙは、拡大さ
れてミラー７６，７８およびハーフミラー７２，７４を
介して補正レンズ６８，７０に導かれ、図示しない検出
スリット上に結像する。補正レンズ６８，７０を介して
結像される位置合わせ用マークの像は、図２に示すよう
に、例えば実線に示したｅ線の像と、破線に示したｄ線
の像とが同一の位置、すなわち検出スリット２０上に結
像する。この検出スリット２０上に位置合わせ用マーク
を結像させている光は、コリメータ６４，６６により平
行光線とされたのち、再びスリット６０，６２上に結像
し、パターン検出器５６，５８により検出される。そし
て、半導体ウエハ１０上の位置合わせ用マーク１２Ｘ，
１２Ｙの位置のＸ，Ｙ座標がレーザ測長部３２により求
められる。この位置合わせ用マーク１２Ｘ，１２Ｙの
Ｘ，Ｙ座標を、半導体ウエハ１０上の二つのチップにつ
いて求め、半導体ウエハ１０とレチクル１６との位置の
相対誤差を知り、その相対誤差を移動台２６を制御して
補正する。このように、本実施例においては、補正レン
ズ６８，７０を用いて波長の異なる、例えばｄ線とｅ線
の位置合わせ用マークの反射光像を、同一位置に結像さ
せるようにしたため、半導体ウエハ１０上のフォトレジ
ストの塗布むらによる反射光の影響を小さくし、半導体
ウエハ１０とレチクル１６との位置合わせを速やかに、
かつ容易に行うことができる。しかも、本実施例におい
ては、位置合わせ用マーク１２Ｘ，１２Ｙの反射光の光
路に補正レンズ６８，７０を挿入しただけであるため、
複雑な複数の光学系を設ける必要がなく、装置の単純化
を図ることができる。前記実施例においては、位置合わ
せ用マーク１２Ｘ，１２Ｙを検出する検出光線としてｄ
線とｅ線を用いた場合について説明したが、検出光線は
これに限定されないことはもちろんである。また、三つ
以上の波長の異なる単色光を用いることも可能である。
なお、前記実施例においては、補正レンズ６８，７０を
コリメータの直前に置いた場合について説明したが、補
正レンズ６８，７０はコリメータ６４，６６と縮小レン
ズ１４との間であれば、どこに挿入してもよい。 【発明の効果】本発明によれば、３以上の波長を含んだ
光によって得た被露光体上の位置合わせ用マークの像の
それぞれを、同時に検出手段の位置に結像し検出するこ
とができるため、被露光体上のフォトレジストの塗布む
らによる反射光の干渉の影響を小さくし、被露光体と露
光体との位置合わせを速やかに、かつ高精度に行うこと
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る光露光装置の概略構成を示す斜視
図である。 【図２】波長の異なる複数の単色光による位置合わせ用
マークの結像位置の説明図である。 【図３】従来の波長の異なる複数の単色光による位置合
わせ用マークの結像位置の説明図である。 【符号の説明】 １０ 半導体ウエハ １２，１２Ｘ，１２Ｙ 位置合わせ用マーク １４ 縮小レンズ １６ レチクル ２６ 移動台 ３２ レーザ測長部 ４４ 露光照明部 ４６ コンデンサレンズ ５２，５４ パターン検出部 ５６，５８ パターン検出器 ６４，６６ コリメータ ６８，７０ 補正レンズ ８０，８２ 照明器
図である。 【図２】波長の異なる複数の単色光による位置合わせ用
マークの結像位置の説明図である。 【図３】従来の波長の異なる複数の単色光による位置合
わせ用マークの結像位置の説明図である。 【符号の説明】 １０ 半導体ウエハ １２，１２Ｘ，１２Ｙ 位置合わせ用マーク １４ 縮小レンズ １６ レチクル ２６ 移動台 ３２ レーザ測長部 ４４ 露光照明部 ４６ コンデンサレンズ ５２，５４ パターン検出部 ５６，５８ パターン検出器 ６４，６６ コリメータ ６８，７０ 補正レンズ ８０，８２ 照明器
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭54−13329（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−123231（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−50518（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−90929（ＪＰ，Ａ)
特開 昭56−110234（ＪＰ，Ａ)
独国公開3336963（ＤＥ，Ａ１)
(58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名)
G03F 9/00
H01L 21/30 507
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．少なくとも３の波長を含んだ照射光を被露光体に形
成した位置合わせ用マークに照射し、該照射光の照射に
より前記位置合わせ用マークから反射した反射光を異な
る波長の光を異なる位置に結像させる投影レンズを通過
させ、該投影レンズを通過しそれぞれの波長に応じて異
なる位置に結像するそれぞれの像を互いに同じ光路を通
って同時に検出手段に結像するように補正レンズで補正
し、それぞれの波長に応じた像の情報を前記検出手段で
検出し、該検出手段の検出結果に基づいて原画パターン
と前記被露光体とを相対的に位置合わせし、前記原画パ
ターンの像を前記投影レンズを経て前記被露光体に投影
露光することを特徴とする光露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7287052A JP2949328B2 (ja) | 1995-11-06 | 1995-11-06 | 光露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7287052A JP2949328B2 (ja) | 1995-11-06 | 1995-11-06 | 光露光方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60045195A Division JPS61203640A (ja) | 1985-03-07 | 1985-03-07 | 光露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08240919A JPH08240919A (ja) | 1996-09-17 |
| JP2949328B2 true JP2949328B2 (ja) | 1999-09-13 |
Family
ID=17712437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7287052A Expired - Lifetime JP2949328B2 (ja) | 1995-11-06 | 1995-11-06 | 光露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2949328B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3336963A1 (de) | 1983-08-12 | 1985-02-21 | Werner Dr. Vaduz Tabarelli | Vorrichtung zum projektionskopieren einer maske auf ein werkstueck |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4171871A (en) * | 1977-06-30 | 1979-10-23 | International Business Machines Corporation | Achromatic unit magnification optical system |
| JPS5950518A (ja) * | 1982-09-01 | 1984-03-23 | パ−キン−エルマ−・ツエンゾ−ル・アンシュタルト | 投影プリント方法 |
| JPS5990929A (ja) * | 1982-11-17 | 1984-05-25 | Canon Inc | 投影露光装置のピント合わせ方法 |
| JPS59123231A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-17 | Toshiba Corp | 自動マスク合せ装置 |
-
1995
- 1995-11-06 JP JP7287052A patent/JP2949328B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3336963A1 (de) | 1983-08-12 | 1985-02-21 | Werner Dr. Vaduz Tabarelli | Vorrichtung zum projektionskopieren einer maske auf ein werkstueck |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08240919A (ja) | 1996-09-17 |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |