JP2003151883A - 露光マスク密着方法及び密着装置並びに露光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 露光用マスクと基板との密着性を向上させ、
露光光の波長より小さな微細パターンを作製する近接場
露光方法においても、高品位な露光が行える露光マスク
の密着方法及び密着装置並びに露光装置を提供する。 【解決手段】 露光光の波長より小さい開口が含まれる
パターンを有した露光マスク３を用い、感光性レジスト
層の形成された基板５にこのパターンの露光を行う前
に、予め露光マスク３と基板５とを密着させる際に、露
光マスク３と基板５とを重ね合わせて加圧ローラ１３
ａ，１３ｂに挟み込み、該加圧ローラ１３ａ，１３ｂを
露光マスク３及び基板５に対して相対移動させること
で、露光マスク３と基板５との間に残留する気体を双方
の界面から追い出すようにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に形成され
た感光性レジスト層に露光光の波長より小さなパターン
を露光するために、露光マスクと基板との密着性を向上
させる露光マスク密着方法及び密着装置並びに露光装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】光リソグラフィ技術は、特に縮小投影露
光技術とレジスト技術の進歩により目覚ましい勢いで発
展してきた。そして、更なる微細化の要望から、露光光
の波長を小さくすることが求められている。しかし、光
を用いるリソグラフィでは、光の回折限界が解像度の限
界となるため、波長が２４８ｎｍのＦ₂エキシマレーザ
を用いても線幅１００ｎｍの微細化がレンズ列光学系を
用いたリソグラフィの限界と言われている。さらに、そ
の先のナノメータオーダの解像度を得ようとすると、コ
スト高となる電子線やＸ線（特に、ＳＯＲ光：シンクロ
トロン放射光）リソグラフィ技術を用いる必要があり、
現実的ではなかった。

【０００３】このような問題を解決する方法として、露
光光の波長よりも小さい開口を含むパターンを有した露
光マスクに露光光を照射し、そのときの露光マスクの開
口からしみだす近接場光によってフォトレジスト等のレ
ジスト感光層を露光する近接場露光方法が提案されてい
る。この方法によれば、露光光の波長に拘わらず、上記
の露光マスクの開口の大きさ程度の微細パターンを形成
可能となる。この近似場光を用いる露光装置としては、
例えば特開平２０００−１１２１１６号公報等に一例が
示されている。

【０００４】ところで、この近接場光のしみだす深さ、
つまり、露光マスクに垂直な方向への近接場光の到達距
離は、露光マスクの開口程度の極めて短い距離でしかな
い。従って、このような近接場光を利用して露光するた
めには、露光マスクと基板とを完全に密着させることが
肝要である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の密着露光技術では、露光マスクと基板とを完全に密
着させることは実際上難しく、基板に塗布されたレジス
ト層と露光マスク表面との間の界面には、どうしてもエ
アギャップがある程度残ってしまう。この原因の一つ
に、ウェハにレジストを塗布する際に用いられるスピン
コート法では、遠心力でウェハ周辺部のレジストが盛り
上がる傾向がある点が挙げられる。ウェハ周辺部でレジ
ストが盛り上がると、図６（ａ）に示すように、レジス
ト層５１の表面が露光マスク５３の接触面に対して相対
的に凹状となり、図６（ｂ）に示すように、露光マスク
５３と基板５５とを重ね合わせたときに、この凹状部内
５７に空気が閉じ込められてしまうことになる。このよ
うに、レジスト表面に露光マスクを密着させる場合、密
着時にウェハと露光マスクとの間に空気が残り、エアギ
ャップが生じやすくなっていた。

【０００６】パターンの線幅が１００ｎｍより大きい通
常の露光時には、この程度のエアギャップが存在しも実
質的に支障はなかったが、特に近接場露光方法において
は、このようなエアギャップがあると、露光マスクの開
口直下の極浅い距離にしか近接場光が生じないため、レ
ジストに正確なパターン転写が行うことができないとい
う問題を生じる。また、このレジスト表面がマスク接触
面に対して凹形状になる他の原因としては、例えば、露
光マスク形状、ウェハ形状、露光台面形状等が関係する
と考えられるが、個別にこれらの形状を制御することは
実際上困難である。

【０００７】本発明は、このような従来の問題点に鑑み
てなされたもので、露光用マスクと基板との密着性を向
上させ、露光光の波長より小さな微細パターンを作製す
る近接場露光方法においても、高品位な露光が行える露
光マスクの密着方法及び密着装置並びに露光装置を提供
することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的達成のため、本
発明に係る請求項１記載の露光マスク密着方法は、露光
光の波長より小さい開口が含まれるパターンを有した露
光マスクを用い、感光性レジスト層の形成された基板に
前記パターンの露光を行う前に、予め前記露光マスクと
前記基板とを密着させる露光マスク密着方法であって、
前記露光マスクと前記基板とを重ね合わせて加圧ローラ
に挟み込み、該加圧ローラを前記露光マスク及び基板に
対して相対移動させることで、前記露光マスクと前記基
板との間の界面に残留する気体を該界面から追い出すこ
とを特徴とする。

【０００９】この露光マスク密着方法では、露光マスク
と基板とを重ね合わせて加圧ローラに挟み込み、この加
圧ローラを露光マスク及び基板に対して相対移動させる
ことで、露光マスクと基板との間の界面に残留する気体
を該界面から追い出して、露光用マスクと基板との密着
性を向上させることができ、露光光の波長より小さな微
細パターンを作製する近接場露光方法においても高品位
な露光が実現できるようになる。

【００１０】請求項２記載の露光マスク密着方法は、前
記重ね合わせた露光マスクと基板とを、一対の加圧ロー
ラにより所定のニップ圧をもって挟み込み、前記一対の
加圧ローラを前記露光マスクと基板に対して相対移動さ
せることを特徴とする。

【００１１】この露光マスク密着方法では、一対の加圧
ローラにより所定のニップ圧をもって露光マスクと基板
とを挟み込み相対移動させることにより、露光マスクと
基板との密着が確実に行われ、良好な密着性を得ること
ができる。

【００１２】請求項３記載の露光マスク密着方法は、保
持台に載置した前記露光マスクと基板とを、前記加圧ロ
ーラによって所定のニップ圧をもって挟み込み、前記加
圧ローラを前記保持台に対して相対移動させることを特
徴とする。

【００１３】この露光マスク密着方法では、加圧ローラ
と保持台との間に露光マスクと基板とを挟み込み相対移
動させることにより、簡単な構成で良好な密着性を得る
ことができる。

【００１４】請求項４記載の露光マスク密着方法は、前
記感光性レジスト層が、ドライエッチングにより除去可
能な第１レジスト層と、光照射による照射部分のみ又は
非照射部分のみが現像溶媒に可溶となる耐ドライエッチ
ング性を有する第２レジスト層とをこの順に前記基板上
に積層して形成されていることを特徴とする。

【００１５】この露光マスク密着方法では、感光性レジ
スト層が２層レジストからなり、近接場光により第２レ
ジスト層が露光されることにより、これを現像処理する
ことで露光された第２レジスト層が選択的に除去されて
パターンが得られる。そしてこのパターンをマスクとし
て第１レジスト層をドライエッチングすることで、基板
上に高いアスペクト比のパターン化されたレジストが形
成される。このパターン化されたレジストを用いて基板
を加工することで、微小なパターンを基板に形成するこ
とができる。

【００１６】請求項５記載の露光マスク密着装置は、露
光光の波長より小さい開口が含まれるパターンを有した
露光マスクと、感光性レジスト層の形成された基板とを
密着させる露光マスク密着装置であって、前記露光マス
クと前記基板とを重ね合わせて挟み込む加圧ローラと、
前記加圧ローラを前記露光マスクと前記基板に対して押
圧する押圧手段と、前記加圧ローラを前記露光マスクと
前記基板に対して相対移動させる相対移動手段と、を備
えたことを特徴とする。

【００１７】この露光マスク密着装置では、加圧ローラ
により露光マスクと基板とを重ね合わせて挟み込み、押
圧手段によりクイーズローラを露光マスクと基板に対し
て押圧し、相対移動手段により加圧ローラを露光マスク
と基板に対して相対移動させることで、露光マスクと基
板との間の界面に残留する気体を該界面から追い出し
て、露光用マスクと基板との密着性を向上させることが
でき、露光光の波長より小さな微細パターンを作製する
近接場露光方法においても高品位な露光が実現できるよ
うになる。

【００１８】請求項６記載の露光マスク密着装置は、前
記加圧ローラが、一対の加圧ローラであることを特徴と
する。

【００１９】この露光マスク密着装置では、一対の加圧
ローラにより所定のニップ圧をもって露光マスクと基板
とを挟み込み相対移動させることにより、露光マスクと
基板との密着が確実に行われ、良好な密着性を得ること
ができる。

【００２０】請求項７記載の露光マスク密着装置は、前
記露光マスクと前記基板とを載置する保持台を備え、前
記加圧ローラが、前記保持台に対峙して前記露光マスク
と前記基板とを挟んで載置されることを特徴とする。

【００２１】この露光マスク密着装置では、加圧ローラ
と保持台との間に露光マスクと基板とを挟み込み相対移
動させることにより、簡単な構成で良好な密着性を得る
ことができる。

【００２２】請求項８記載の露光装置は、請求項５〜請
求項７のいずれか１項記載の露光マスク密着装置と、前
記露光マスク密着装置により密着された露光マスク及び
基板に対して前記露光マスク側から露光光を照射する光
源と、を備えたことを特徴とする。

【００２３】この露光装置では、露光マスク密着装置に
より密着処理することにより、露光マスクと基板との間
の界面に残留する気体を該界面から追い出して、露光用
マスクと基板との密着性を向上させることができ、この
密着処理後の露光マスク及び基板に対して、露光マスク
側から露光光を照射することにより、露光マスクの開口
からしみ出す近接場光を、基板上の感光性レジスト層に
確実に照射することができる。これにより、高品位な近
接場露光が実現できるようになる。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る露光マスク密
着方法及び密着装置並びに露光装置の好適な実施の形態
について、図面を参照して詳細に説明する。図１は本発
明に係る露光マスク密着装置の一概略構成図、図２は露
光マスクの密着動作の説明図である。本実施形態の露光
マスク密着装置１００は、概略的には、近接場露光に用
いる露光マスクと、感光性レジスト層の形成された基板
とを重ね合わせて搬入部１１に供給し、装置内部の加圧
ローラ及び相対移動手段としてのスクイーズローラ対１
３によって双方を押圧しつつ移動させることで双方全体
を密着させ、搬出部１５に排出するものである。露光マ
スク密着装置１００から排出された密着状態の露光マス
ク及び基板は、露光装置に取り付けて近接場露光を行う
が、この近接場露光の手順についての詳細は後述するこ
とにする。

【００２５】まず、露光マスク密着装置１００の構成を
説明する。露光マスク密着装置１００は、図１に示すよ
うに、密着させる被処理物１を載置して装置内部に導入
する搬入部１１と、搬入部１１に載置された被処理物１
を装置内部に導入するピックアップローラ１７と、被処
理物１を上下に挟み込む下側スクイーズローラ１３ａ及
び上側スクイーズローラ１３ｂからなるスクイーズロー
ラ対１３と、上側スクイーズローラ１３ｂを下側スクイ
ーズローラ１３ａ側に押圧するエアシリンダやバネ材等
の押圧手段１９と、各スクイーズローラ１３ａ，１３ｂ
を回転駆動するモータＭと、スクイーズローラ対１３に
より密着処理後の被処理物１を排出する搬出部１５とを
主要な構成として備えている。

【００２６】上側スクイーズローラ１３ａ、及び下側ス
クイーズローラ１３ｂは、少なくとも被処理物１の幅よ
り長い軸方向幅を有するローラであって、それぞれが同
一形態に構成されている。ローラの表面はシリコンゴム
等の軟質材料で形成し、押圧時における被処理物１との
密着性を向上させている。上側スクイーズローラ１３ｂ
はその取り付け軸の両端に押圧手段１９が取り付けら
れ、押圧手段１９による押圧力Ｆにより下側スクイーズ
ローラ１３ａとの間に所定のニップ圧を生じさせてい
る。このときのニップ圧は被処理物１の厚みや材質等に
応じて適宜設定される。なお、各スクイーズローラ１３
ａ，１３ｂはモータＭにより互いに反対の方向に回転駆
動されるが、一方のローラを従動ローラとして片側のロ
ーラのみ駆動する構成としてもよい。これらスクイーズ
ローラ１３ａ，１３ｂが回転駆動されることで、被処理
物１が搬入部１１から搬出部１５へと搬送される。

【００２７】次に、上記露光マスク密着装置１００によ
る密着動作を説明する。図２（ａ）に示すように、近接
場露光を行う露光マスク３と表面に感光性レジスト層の
形成された基板５とを重ね合わせた被処理物１を、搬入
部１１に供給、或いは、搬入部１１において双方を重ね
合わせて供給する。供給された被処理物１は、搬入部１
１からピックアップローラ１７により装置内に引き込ま
れてスクイーズローラ対１３に挟み込まれる。すると、
回転駆動されたスクイーズローラ対１３によって、被処
理物１が端部から順次スクイーズローラ対１３に通され
る。このとき、被処理物１の露光マスク３と基板５との
間の界面に残存する空気（気泡）７は、スクイーズロー
ラ対１３の転がり移動に伴って移動する。即ち、図２
（ｂ）に示すように、スクイーズローラ対１３により被
処理物１を所定のニップ圧をもって挟み込みながら、ス
クイーズローラ対１３と被処理物１とを相対的に移動さ
せることで、スクイーズローラ１３が露光マスク３と基
板５との間の空気７を基板５の縁部に移動させ、最終的
に露光マスク３と基板５との間の界面から追い出す。

【００２８】ここで、上記露光マスク３は、露光光の波
長よりも幅の小さい開口が含まれるパターンを有して、
露光光が照射されたときに、この開口から近接場光をし
み出させる近接場光露光用のフォトマスクである。この
露光マスク３は、例えば厚さ０．４〜０．５ｍｍ程度の
ＳｉＯ₂により形成したマスク、或いは、ガラス等のマ
スク基板上に金属の微小な開口パターンを形成したマス
ク等を用いることができる。また、基板５は、例えば厚
さ０．３ｍｍのＳｉウェハを用いることができるが、こ
れに限らず、ＧａＡｓ等の半導体基板や、ＳｉＯ₂膜等
の絶縁膜が最上層に形成された基板でもよい。レジスト
層は、近接場光の照射を受けた部分のみが所定の現像溶
液に可溶となるポジ型レジスト、或いは、近接場光の非
照射部分のみが所定の現像溶液に可溶となるネガ型レジ
ストのいずれであってもよく、１つの層からなる通常の
フォトレジストの他にも、例えば特開２００１−１５４
２７号公報に開示されている２層レジストを用いること
もできる。

【００２９】スクイーズローラ対１３による被処理物１
の相対移動速度は、空気７を確実に移動させることがで
きる最大の速度に適宜設定される。また、この移動速度
は、スクイーズローラ対１３に挟まれる被処理物１の面
積（ニップ長さ）が増加したときに減速させ、減少した
ときに加速させる等の加減速動作を伴ってもよい。

【００３０】これにより、露光マスク３と基板５との間
に介在する空気の殆どがスクイーズローラ対１３の通過
によって円滑に押し出され、その結果、双方の間の空気
が確実に除去され、高い密着状態が得られる。従って、
後述する近接場露光処理において、露光光の波長より小
さい露光用マスク３の開口から発生する近接場光が、基
板５のレジスト層６に確実に到達して、微細なパターン
が正確に露光転写できるようになる。

【００３１】次に、この密着処理された被処理物１を露
光装置により行う近接場露光について説明する。図３は
近接場露光を行う露光装置の側面を一部断面で示した概
略構成図である。まず、図３を用いて露光装置１２０の
構成を説明する。この露光装置１２０は、表面５ａにレ
ジスト層６が形成された基板５を、裏面５ｂ側から保持
する概略円柱状の基板保持台２１と、この基板保持台２
１を内部に収容するように配置された概略円筒状の露光
マスク保持部材２３と、この露光マスク保持部材２３上
に保持された露光マスク３を介して上記レジスト層６に
露光光２７を照射する露光光源２５とを備えている。

【００３２】上記露光光源２５としては、例えばｇ線
（波長４３６ｎｍ）等、波長が概ね４００ｎｍ以上であ
り、偏光板等により所望の方向に偏光された露光光２７
を発するものが用いられている。

【００３３】基板保持台２１の上面は、基板５を保持す
る基板保持面２１ａとされている。また、この基板保持
台２１には、基板保持台２１を上下に貫通して、基板保
持面２１ａの周縁部の複数位置及び中央位置で開口する
複数の排気通路２１ｂが形成されている。この保持台２
１と露光マスク保持部材２３との間には、基板保持台２
１の全周に亘ってシール部材２９が介装され、基板保持
台２１と露光マスク保持部材２３との間の空間は、この
シール部材２９を境に上下に分割されている。そして、
露光マスク保持部材２３には、シール部材２９より上側
の空間の位置において露光マスク保持部材２３を横方向
に貫通する排気通路２３ｂが形成されている。

【００３４】これら排気通路２１ｂ，２３ｂは、配管３
１を介して、例えば真空ポンプ等の空気吸引手段３３に
連通されている。この空気吸引手段３３は、配管３１及
び露光マスク保持部材２３と協働して、前述のように密
着処理された露光マスク３と基板５とを、基板保持台２
１に確実に固定するためのものである。

【００３５】次に、露光装置１２０による露光手順を説
明する。まず、露光マスク密着装置１００によって密着
処理された露光マスク３及び基板５を、基板５の裏面５
ｂが基板保持面２１ａに接する状態にして、基板保持台
２１の上に載置する。その後、空気吸引手段３３が駆動
されると、基板保持台２１の複数の排気通路２１ｂから
空気が吸引され、これにより基板５は基板保持台２１の
基板保持面２１ａに固定される。また、露光マスク保持
部材２３の排気通路２３ｂからも空気が吸引されて、露
光マスク３下側の露光マスク保持部材２３に画成されて
いる空間も真空排気されるので、露光マスク３が下側に
引かれて基板５のレジスト層６との密着が一層強固とな
る。

【００３６】そして、この状態で露光光源２５が駆動さ
れることにより、露光マスク３を介してレジスト層６に
露光光２７が照射されて、レジスト層６が近接場光によ
って露光される。つまり、露光マスク３の露光光２７の
波長よりも幅の小さい開口から近接場光がしみ出して、
これらの開口からなる微細なパターンがレジスト層６に
転写露光される。

【００３７】また、露光光源２５は、露光マスク３のパ
ターンの直線の向きと同じ方向に直線偏光した露光光２
７を照射することで、レジスト層６に露光されるパター
ンの線幅が太ることを防止して、線幅の小さい微細なパ
ターンを露光可能にしている。露光光２７の偏光方向を
変化させるには、例えば、光源からの光路の途中に介装
された偏光板をパターンの直線の向きと一致するように
回転させればよい。なお、直線でなく円形等のパターン
や、複数の相異なる方向に延びる直線からなるパターン
である場合は、偏光板を光路から外して非偏光状態の露
光光２７を照射することで、緻密なパターンが露光可能
となる。

【００３８】次に、上記のように露光マスクと基板とを
密着させて近接場露光した後の微細パターンの形成方法
を説明する。図４は近接場露光による微細パターン形成
方法の説明図である。図４（ａ）に示すように、基板５
上には、有機高分子からなりドライエッチングにより除
去可能な第１レジスト層６ａと、光照射による照射部分
のみ又は非照射部分のみが現像溶媒に可溶となる耐ドラ
イエッチング性を有する感光性材料からなる第２レジス
ト層６ｂとが、スピンコート法或いはスプレイ法等によ
り順次塗布されて、レジスト層６（２層レジスト）を形
成している。

【００３９】次に、図４（ｂ）に示すように、ガラス等
のマスク基板３ａ上に金属の微小な開口パターン３ｂを
形成した露光マスク３を、前述の露光マスク密着装置１
００により基板５上のレジスト層６に密着させる。そし
て、前述の露光装置１２０に、この密着された露光マス
ク３と基板５とを取り付けて、例えばｉ線（波長３６５
ｎｍ）を発生する露光光源２５からの露光光２７を、露
光マスク３側から照射する。これにより、露光マスク３
の開口部からしみ出す近接場光２８によって、図４
（ｃ）に示すようにレジスト層６への露光が行われて、
露光された部分のレジスト（第２レジスト層６ｂ）が感
光する。

【００４０】次に、図４（ｄ）に示すように、レジスト
層６の露光された基板５を露光装置１２０から取り外
し、第２レジスト層６ｂを現像液で現像処理すると、第
２レジスト層６ｂがポジ型レジストである場合には、露
光された部分が現像溶媒に可溶であるためポジ型パター
ンが形成される。また、第２レジスト層６ｂがネガ型レ
ジストの場合には、露光パターンが反転されたネガ型パ
ターンが形成される。その後、図４（ｅ）に示すよう
に、第２レジスト層の６ｂパターンをマスクとして、第
１レジスト層６ａをＯ₂プラズマによりドライエッチン
グすることで、アスペクト比の高い微細なパターンを形
成する。ドライエッチングは、イオンドライエッチング
又はガスエッチングであってもよい。

【００４１】そして、図４（ｆ）に示すように、パター
ン化されたレジスト層６をマスクとして基板５をエッチ
ング、又は蒸着等により加工する。その後、レジスト層
６を剥離することで、微細なパターンの形成された基板
５が得られる。この剥離は、第１レジスト層６ａが露光
等により何ら変質していないため、第１レジスト層６ａ
の溶解により簡単に実施することができる。また、プラ
ズマアッシングにより剥離することも可能である。な
お、第２レジスト層６ｂの厚さは、近接場光のしみ出し
深さと同程度かそれ以下が望ましい。

【００４２】また、第１レジスト層６ａの有機高分子材
料は、Ｏ₂プラズマによりエッチングされるものであれ
ばよく、公知のフォトレジストでもよいが、パターン形
成後に、これをマスクとして基板５をドライエッチング
する際の耐プラズマ性を考慮すると、芳香族含有ポリマ
ーが望ましい。なお、２層レジストの材料は、特開２０
０１−１５４２７号公報に詳細が示されているので、適
宜参照されたい。上記のようにレジスト層６を２層レジ
ストとすることで、しみ出し深さが少ない近接場光によ
る露光であっても、高アスペクト比のレジストパターン
を容易に形成することができる。

【００４３】次に、本発明に係る露光マスク密着装置の
第２実施形態を説明する。図５は本実施形態の露光マス
ク密着装置が搭載され近接場露光を行う露光装置の側面
を一部断面で示した概略構成図である。ここで、図３に
示した同一の部材に対しては同一の符号を付与すること
でその説明は省略するものとする。前述の第１実施形態
においては、露光マスク密着装置と露光装置とを別体に
構成していたが、本実施形態においては、これらを一体
化して構成している。

【００４４】図５（ａ）に示すように、露光装置２２０
は、基板保持台２１上にレジスト層６を上側に基板５が
載置され、さらに、露光マスク保持部材２３上に露光マ
スク３が載置され、この露光マスク３の露光光源２５側
の表面を基板５側に押圧する露光マスク密着装置２００
が、基板保持台２１及び露光マスク保持部材２３と露光
光源２５との間に配設されている。露光マスク密着装置
２００は、前述と同様の構成のスクイーズローラ３５を
押圧手段１９を介してボールネジ・ナット機構等の移動
機構３７に取り付けて、このスクイーズローラ３５を露
光マスク３に対して押圧可能に支持している。このスク
イーズローラ３５は、ボールネジ３９に螺号されたナッ
ト部４１に軸支され、モータｍによってボールネジ３９
を回転駆動することで、図５（ｂ）に示すように移動自
在な構成にされている。

【００４５】この露光装置２２０では、基板保持台２１
に基板５を載置して、露光マスク保持部材２３上に露光
マスク３を載置した後に、空気吸引手段３３を駆動し
て、基板５を基板保持台２１の基板保持面２１ａに吸着
させると共に、露光マスク３を基板５のレジスト層６に
吸着させる。この状態で露光マスク密着装置２００を動
作させ、スクイーズローラ３５を押圧手段１９によって
所定の押圧力を印加しつつ、露光マスク３の全面を転が
り移動させる。これにより、スクイーズローラ３５は基
板保持台２１との間でニップ圧を発生させながら転がり
移動して、露光マスク３と基板５とを密着させる。この
密着処理後に、スクイーズローラ３５は、露光処理に支
障のない位置まで退避され、前述の近接場露光処理が行
われる。

【００４６】このように、本実施形態の露光装置２２０
及び露光マスク密着装置２００によれば、露光マスク３
と基板５とを重ね合わせて露光する際に、スクイーズロ
ーラ３５により密着処理することにより、双方の密着性
が向上し、露光マスクからしみ出した近接場光が確実に
レジスト層に露光されるようになり、高品位な近接場露
光が実施可能となる。また、露光装置２２０内に露光マ
スク密着装置２００を搭載することにより、一連の処理
を連続して実施でき、塵埃の付着防止や高速化に寄与す
ることができる。

【００４７】以上説明した各実施形態の露光マスクの密
着装置では、一対のスクイーズローラ、乃至、スクイー
ズローラと基板保持台との間で密着処理を行う例を示し
たが、スクイーズローラの構成はこれに限らず、例え
ば、一対のスクイーズローラを用いる場合に、一方のス
クイーズローラをクラウンローラとすることで、ニップ
圧を均一化したり、一方のスクイーズローラを金属ロー
ラ等としてニップ圧を増大させた構成としてもよい。ま
た、スクイーズローラと基板保持台とを協働させる場合
に、スクイーズローラを、軟質のスクレーパーやブラシ
毛の植設されたブラシ材等により構成してもよい。

【００４８】

【発明の効果】本発明の露光マスク密着方法によれば、
露光マスクと基板とを重ね合わせてスクイーズローラに
挟み込み、このスクイーズローラを露光マスク及び基板
に対して相対移動させることで、露光マスクと基板との
間に残留する気体を双方の界面から追い出して、露光用
マスクと基板との密着性を向上させることができ、露光
光の波長より小さな微細パターンを作製する近接場露光
方法においても高品位な露光が実現できるようになる。

【００４９】また、本発明の露光マスク密着装置によれ
ば、スクイーズローラにより露光マスクと基板とを重ね
合わせて挟み込み、押圧手段によりクイーズローラを露
光マスクと基板に対して押圧し、相対移動手段によりス
クイーズローラを露光マスクと基板に対して相対移動さ
せることで、露光マスクと基板との間に残留する気体を
双方の界面から追い出して、露光用マスクと基板との密
着性を向上させることができる。

【００５０】さらに、本発明の露光装置によれば、露光
マスク密着装置により密着処理することにより、露光マ
スクと基板との間に残留する気体を双方の界面から追い
出して、露光用マスクと基板との密着性を向上させるこ
とができ、この密着処理後の露光マスク及び基板に対し
て、露光マスク側から露光光を照射することにより、露
光マスクの開口からしみ出す近接場光を、基板上の感光
性レジスト層に確実に照射することができる。これによ
り、高品位な近接場露光が実現できるようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態に係る露光マスク密着装
置の一概略構成図である。

【図２】露光マスク密着装置による露光マスクの密着動
作の説明図である。

【図３】近接場露光を行う露光装置の側面を一部断面で
示した概略構成図である。

【図４】近接場露光による微細パターン形成方法の説明
図である。

【図５】本発明の第２実施形態に係る露光装置であっ
て、露光マスク密着装置が搭載され近接場露光を行う露
光装置の側面を一部断面で示した概略構成図である

【図６】従来の密着露光技術による露光マスクと基板と
の密着の様子を示す説明図である。

【符号の説明】

１ 被処理物 ３ 露光マスク ５ 基板 ６ レジスト層 ６ａ 第１レジスト層 ６ｂ 第２レジスト層 ７ 空気（気体） １３ スクイーズローラ対（加圧ローラ） １３ａ 下側スクイーズローラ（加圧ローラ） １３ｂ 上側スクイーズローラ（加圧ローラ） １９ 押圧手段 ２１ 基板保持台 ２３ マスク保持部材 ２５ 露光光源 ２７ 露光光 ２８ 近接場光 ３５ スクイーズローラ（加圧ローラ） ３７ 移動機構（相対移動手段） ３９ ボールネジ ４１ ナット部 １００，２００ 露光マスク密着装置 １２０，２２０ 露光装置

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 露光光の波長より小さい開口が含まれる
   パターンを有した露光マスクを用い、感光性レジスト層
   の形成された基板に前記パターンの露光を行う前に、予
   め前記露光マスクと前記基板とを密着させる露光マスク
   密着方法であって、 前記露光マスクと前記基板とを重ね合わせて加圧ローラ
   に挟み込み、該加圧ローラを前記露光マスク及び基板に
   対して相対移動させることで、前記露光マスクと前記基
   板との間の界面に残留する気体を該界面から追い出すこ
   とを特徴とする露光マスク密着方法。
2. 【請求項２】 前記重ね合わせた露光マスクと基板と
   を、一対の加圧ローラにより所定のニップ圧をもって挟
   み込み、前記一対の加圧ローラを前記露光マスクと基板
   に対して相対移動させることを特徴とする請求項１記載
   の露光マスク密着方法。
3. 【請求項３】 保持台に載置した前記露光マスクと基板
   とを、前記加圧ローラによって所定のニップ圧をもって
   挟み込み、前記加圧ローラを前記保持台に対して相対移
   動させることを特徴とする請求項１記載の露光マスク密
   着方法。
4. 【請求項４】 前記感光性レジスト層が、ドライエッチ
   ングにより除去可能な第１レジスト層と、光照射による
   照射部分のみ又は非照射部分のみが現像溶媒に可溶とな
   る耐ドライエッチング性を有する第２レジスト層とをこ
   の順に前記基板上に積層して形成されていることを特徴
   とする請求項１〜請求項３のいずれか１項記載の露光マ
   スク密着方法。
5. 【請求項５】 露光光の波長より小さい開口が含まれる
   パターンを有した露光マスクと、感光性レジスト層の形
   成された基板とを密着させる露光マスク密着装置であっ
   て、 前記露光マスクと前記基板とを重ね合わせて挟み込む加
   圧ローラと、 前記加圧ローラを前記露光マスクと前記基板に対して押
   圧する押圧手段と、 前記加圧ローラを前記露光マスクと前記基板に対して相
   対移動させる相対移動手段と、を備えたことを特徴とす
   る露光マスク密着装置。
6. 【請求項６】 前記加圧ローラが、一対の加圧ローラで
   あることを特徴とする請求項５記載の露光マスク密着装
   置。
7. 【請求項７】 前記露光マスクと前記基板とを載置する
   保持台を備え、 前記加圧ローラが、前記保持台に対峙して前記露光マス
   クと前記基板とを挟んで載置されることを特徴とする請
   求項６記載の露光マスク密着装置。
8. 【請求項８】 請求項５〜請求項７のいずれか１項記載
   の露光マスク密着装置と、 前記露光マスク密着装置により密着された露光マスク及
   び基板に対して前記露光マスク側から露光光を照射する
   光源と、を備えたことを特徴とする露光装置。