JPH04116917A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JPH04116917A JPH04116917A JP2238649A JP23864990A JPH04116917A JP H04116917 A JPH04116917 A JP H04116917A JP 2238649 A JP2238649 A JP 2238649A JP 23864990 A JP23864990 A JP 23864990A JP H04116917 A JPH04116917 A JP H04116917A
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- Japan
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- wafer
- resist
- exposure
- edge
- facet
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- Pending
Links
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
フォトリソグラフィ工程においてウェハエツジにレジス
トを残さないためのウェハエツジの露光装置に関し。
トを残さないためのウェハエツジの露光装置に関し。
ウェハエツジの端面のレジストを完全に露光し。
またファセット位置決めと同時に露光できる装置を提供
することを目的とし。
することを目的とし。
１）照射光をウェハの外側に向かって該ウェハ面に対し
斜めに照射する照射部と、該照射光の一部を受けその反
射光を該ウェハの端面に照射する反射鏡とを有するよう
に構成する。
斜めに照射する照射部と、該照射光の一部を受けその反
射光を該ウェハの端面に照射する反射鏡とを有するよう
に構成する。
２）前記照射部および前記反射鏡が該ウェハの周囲に追
随して移動する手段を有するように構成する。
随して移動する手段を有するように構成する。
３）前記照射部とファセット位置決め機構とを一体化し
て構成されているように構成する。
て構成されているように構成する。
本発明はフォトリソグラフィ工程においてウェハエツジ
にレジストを残さないためのウェハエツジ露光装置に関
する。
にレジストを残さないためのウェハエツジ露光装置に関
する。
近年の半導体装置の高集積化に伴い、ウェハプロセス中
におけるウェハエツジからの発塵低減が要求されており
、ウェハエツジのレジスト除去を完全化してレジスト残
滓による汚染やパターン不良を防止する必要が生じてい
る。
におけるウェハエツジからの発塵低減が要求されており
、ウェハエツジのレジスト除去を完全化してレジスト残
滓による汚染やパターン不良を防止する必要が生じてい
る。
本発明はこの要求に対応した露光装置として利用するこ
とができる。
とができる。
第５図（ａ）、 （ｂ）は従来例によるウェハエツジ露
光装置の平面図と断面図である。
光装置の平面図と断面図である。
図において、■はウェハ、 ＩＡはウェハエツジの露光
領域、２はエツジ照射部、３は照射光（紫外線）、４は
ファセット位置決め機構、６はレジスト、８は位置決め
センサである。
領域、２はエツジ照射部、３は照射光（紫外線）、４は
ファセット位置決め機構、６はレジスト、８は位置決め
センサである。
従来のウェハエツジ露光装置においては、紫外線３の照
射方向がウェハ１の主面に対して垂直である。
射方向がウェハ１の主面に対して垂直である。
また、ファセット位置決め機構４と照射部２か独立して
おり、ファセット位置決め後に、ウエノ１を回転させな
がらウェハエツジを露光していた。
おり、ファセット位置決め後に、ウエノ１を回転させな
がらウェハエツジを露光していた。
ところが、照射方向がウェハに垂直であればウェハ端面
にまで回り込んだレジストを完全に露光できなかった。
にまで回り込んだレジストを完全に露光できなかった。
そのため露光時間が長（かかり、また、ウェハ形状に正
確に追随して露光できなかった。
確に追随して露光できなかった。
第６図（ａ）、 （ｂ）は従来例によるウェハエツジ露
光を説明する断面図である。
光を説明する断面図である。
第６図（ａ）は、ウェハ１の表面にレジスト６を被着し
、照射光３をウェハエツジに照射して露光している状態
を示す。
、照射光３をウェハエツジに照射して露光している状態
を示す。
第６図ｆｂ）は、露光後、レジストを現像した後の状態
を示す。
を示す。
この場合９図示のようにウェハ端面にレジスト残滓が付
着している。
着している。
従来例によると、ウェハエツジの端面にレジストが残っ
たままエツチング装置やイオン注入装置でウェハが処理
され、これらの装置の搬送部のレジスト汚染や１発塵に
よるパターン不良を生していた。
たままエツチング装置やイオン注入装置でウェハが処理
され、これらの装置の搬送部のレジスト汚染や１発塵に
よるパターン不良を生していた。
また、ファセット位置決めと露光が同時にできないとい
う欠点があった。
う欠点があった。
本発明はウェハエツジの端面のレジストを完全に露光し
、またファセット位置決めと同時に露光できる装置を提
供することを目的とする。
、またファセット位置決めと同時に露光できる装置を提
供することを目的とする。
上記課題の解決は。
■）照射光をウェハの外側に向かって該ウェハ面に対し
斜めに照射する照射部と、該照射光の一部を受けその反
射光を該ウェハの端面に照射する反射鏡とを有する露光
装置、あるいは ２）前記照射部および前記反射鏡が該ウェハの周囲に追
随して移動する手段を有する前記１）記載の露光装置、
あるいは ３）前記照射部とファセット位置決め機構とを一体化し
て構成されている前記１）あるいは２）記載の露光装置
により達成される。
斜めに照射する照射部と、該照射光の一部を受けその反
射光を該ウェハの端面に照射する反射鏡とを有する露光
装置、あるいは ２）前記照射部および前記反射鏡が該ウェハの周囲に追
随して移動する手段を有する前記１）記載の露光装置、
あるいは ３）前記照射部とファセット位置決め機構とを一体化し
て構成されている前記１）あるいは２）記載の露光装置
により達成される。
本発明はウェハの外側に向かって斜めに照射してウェハ
エツジ表面のレジストを露光すると同時に、斜め照射光
の一部を反射鏡に受は端面を照射して露光するようにし
たものである。
エツジ表面のレジストを露光すると同時に、斜め照射光
の一部を反射鏡に受は端面を照射して露光するようにし
たものである。
また２本発明はファセット位置決めと露光が２段階の処
理によらず同時動作が可能となるように。
理によらず同時動作が可能となるように。
ファセット位置決めと照射部を一体化して、処理時間の
短縮およびウェハ形状に忠実な露光を行えるようにした
ものである。
短縮およびウェハ形状に忠実な露光を行えるようにした
ものである。
第１図（ａ）、 （ｂｌは本発明の一実施例によるウニ
／’％エツジ露光装置の平面図と断面図である。
／’％エツジ露光装置の平面図と断面図である。
図において、■はウェハ、 ＩＡはウニ１１エツジの露
光領域、２はエツジ照射部、３は照射光（紫外線）、４
はファセット位置決め機構、５はウニ／）チャック、６
はレジスト、７は反射鏡、８は位置決めセンサである。
光領域、２はエツジ照射部、３は照射光（紫外線）、４
はファセット位置決め機構、５はウニ／）チャック、６
はレジスト、７は反射鏡、８は位置決めセンサである。
実施例のウェハエツジ露光装置においては、紫外線３は
ウェハ１の外側に向かってウェハの主面に対し斜めに照
射される。
ウェハ１の外側に向かってウェハの主面に対し斜めに照
射される。
また、ファセット位置決め機構４と照射部２が一体化さ
れており、ウェハを回転させながらウェハエツジのレジ
スト６を露光する。
れており、ウェハを回転させながらウェハエツジのレジ
スト６を露光する。
この際９反射鏡７に照射した光が反射してウェハ端面を
露光する。
露光する。
反射鏡７の取りつけ位置と角度および照射角度を可変に
し、レジストの種類、膜厚等により最適条件を決定でき
るようにする。
し、レジストの種類、膜厚等により最適条件を決定でき
るようにする。
第２図（ａ）、 （ｂ）は実施例によるウェハエツジ露
光を説明する断面図である。
光を説明する断面図である。
第２図ｔａ＋は、ウェハ１の表面にレジスト６を被着し
、照射光３をウェハエツジの表面およびその一部を反射
鏡７に照射して露光している状態を示す。
、照射光３をウェハエツジの表面およびその一部を反射
鏡７に照射して露光している状態を示す。
第２図（ｂ）は、露光後、レジストを現像した後の状態
を示す。
を示す。
この場合９図示のようにウェハ端面にレジスト残滓の付
着はない。
着はない。
第３図は他の実施例を説明する断面図である。
この例は７反射鏡７は第１図の実施例で平面鏡を用いた
のに対して、放物鏡等の凹面鏡を用いた場合である。
のに対して、放物鏡等の凹面鏡を用いた場合である。
第４図（ａ）、 （ｂ）はファセット位置決め機構と照
射部が一体化されたウェハエツジ露光装置の平面図であ
る。
射部が一体化されたウェハエツジ露光装置の平面図であ
る。
第４図（ａ）において、ファセット位置決め機構４に照
射部２と反射鏡７が組み込まれ、ウエノ＼の回転に伴い
９位置決めセンサ８によりウェハエツジに追随しながら
露光を行う。矢印はファセット位置決め機構４の移動方
向を示す。
射部２と反射鏡７が組み込まれ、ウエノ＼の回転に伴い
９位置決めセンサ８によりウェハエツジに追随しながら
露光を行う。矢印はファセット位置決め機構４の移動方
向を示す。
第４図（ｂ）は、ファセットが位置決めされた状態を示
す。
す。
実施例ではウェハの回転と照射部がウェハエツジを追随
する機構とによりウェハ全周を露光しているが、照射部
と反射鏡をウェハ全周にわたって配置しても効果は同じ
である。
する機構とによりウェハ全周を露光しているが、照射部
と反射鏡をウェハ全周にわたって配置しても効果は同じ
である。
つぎに、露光工程の流れを説明する。
第７図（ａ）、 （ｂ）は従来例と対比して実施例の露
光工程を示す流れ図である。
光工程を示す流れ図である。
第７図（ａ）は実施例の場合で、露光部と一体になった
位置決め部が可動であり、ウェハチャックは回転のみを
行う。
位置決め部が可動であり、ウェハチャックは回転のみを
行う。
図において、まず位置決め部をウェハエツジに移動し、
ウェハの円周部を検知し９位置決め部のセンタリングを
行いウェハの円周部を露光する。
ウェハの円周部を検知し９位置決め部のセンタリングを
行いウェハの円周部を露光する。
つぎに９位置決め部をウェハのファセット部に移動し、
ファセットの縁を検知し、ファセットの位置決めをして
ファセット部の露光を行う。
ファセットの縁を検知し、ファセットの位置決めをして
ファセット部の露光を行う。
第７図（ｂ）は従来例の場合で位置決め部が固定であり
、露光部とウェハチャックは可動である。
、露光部とウェハチャックは可動である。
まず、ウェハを位置決め部に移動し、ウェハの円周部を
検知し、ウェハチャックをセンタリングした後、ファセ
ットを検知し、ファセットの位置決めをする。
検知し、ウェハチャックをセンタリングした後、ファセ
ットを検知し、ファセットの位置決めをする。
次いで、ウェハを回転してファセットを露光部に移動す
る。
る。
次いで露光部をウェハエツジに移動し、ウェハを回転さ
せてウェハの円周部を露光する。
せてウェハの円周部を露光する。
次いで、露光部がファセットに移動し、露光部をファセ
ットに沿って移動させてファセットの露光を行う。
ットに沿って移動させてファセットの露光を行う。
以上の結果、実施例と従来例とを比較すると。
実施例では従来例のようにファセットの位置決めと露光
が２段階の処理によらず、処理時間が短縮できる。
が２段階の処理によらず、処理時間が短縮できる。
以上説明したように本発明によれば、ウェハエツジの端
面のレジストを完全に露光し、またファセット位置決め
と同時に露光できる装置が得られた。
面のレジストを完全に露光し、またファセット位置決め
と同時に露光できる装置が得られた。
この結果、ウェハプロセス中のレジスト残滓の剥離によ
る汚染やパターン不良を低減し、また。
る汚染やパターン不良を低減し、また。
エツジ露光は工数槽になるが１本発明によれば処理時間
を短縮でき、処理数の向上が期待できる。
を短縮でき、処理数の向上が期待できる。
第１図（ａ）、 （ｂ）は本発明の一実施例によるウエ
ハエツジ露光装置の平面図と断面図。 第２図（ａ）、 （ｂ）は実施例によるウェハエツジ露
光を説明する断面図。 第３図は他の実施例を説明する断面図。 第４図（ａ）、 （ｂ）はファセット位置決め機構と照
射部が一体化されたウェハエツジ露光装置の平面図。 第５図（ａ）、 （ｂ）は従来例によるウェハエツジ露
光装置の平面図と断面図。 第６図（ａ）、 （ｂ）は従来例によるウェハエツジ露
光を説明する断面図。 第７図（ａ）、 （ｂ）は従来例と対比して実施例の露
光工程を示す流れ図である。 図において。 ｌはウェハ ＩＡはウェハエツジの露光領域。 ２はエツジ照射部。 ３は照射光（紫外線）。 ４はファセット位置決め機構。 ５はウェハチャック。 ６はレジスト。 ７は反射鏡。 ８は位置決めセンサ 案１１ｆ！り１ω平面図と断面図 第 １ 図 イゼ乙の実方包ｆり’Ｒ１）比σエトり第 ３ 図 峻別の［’！２ｔｆｆｉ明す５１ＴｒｒＴＪａ第２ 図 従来例の平面図とＷｍ１図 男 ５ 閏 ゝ〜１ 従来例１の露を反説明す５断面図 東 乙 図
ハエツジ露光装置の平面図と断面図。 第２図（ａ）、 （ｂ）は実施例によるウェハエツジ露
光を説明する断面図。 第３図は他の実施例を説明する断面図。 第４図（ａ）、 （ｂ）はファセット位置決め機構と照
射部が一体化されたウェハエツジ露光装置の平面図。 第５図（ａ）、 （ｂ）は従来例によるウェハエツジ露
光装置の平面図と断面図。 第６図（ａ）、 （ｂ）は従来例によるウェハエツジ露
光を説明する断面図。 第７図（ａ）、 （ｂ）は従来例と対比して実施例の露
光工程を示す流れ図である。 図において。 ｌはウェハ ＩＡはウェハエツジの露光領域。 ２はエツジ照射部。 ３は照射光（紫外線）。 ４はファセット位置決め機構。 ５はウェハチャック。 ６はレジスト。 ７は反射鏡。 ８は位置決めセンサ 案１１ｆ！り１ω平面図と断面図 第 １ 図 イゼ乙の実方包ｆり’Ｒ１）比σエトり第 ３ 図 峻別の［’！２ｔｆｆｉ明す５１ＴｒｒＴＪａ第２ 図 従来例の平面図とＷｍ１図 男 ５ 閏 ゝ〜１ 従来例１の露を反説明す５断面図 東 乙 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）照射光をウェハの外側に向かって該ウェハ面に対し
斜めに照射する照射部と、該照射光の一部を受けその反
射光を該ウェハの端面に照射する反射鏡とを有すること
を特徴とする露光装置。 ２）前記照射部および前記反射鏡が該ウェハの周囲に追
随して移動する手段を有することを特徴とする請求項１
記載の露光装置。 ３）前記照射部とファセット位置決め機構とを一体化し
て構成されていることを特徴とする請求項１あるいは２
記載の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2238649A JPH04116917A (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2238649A JPH04116917A (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04116917A true JPH04116917A (ja) | 1992-04-17 |
Family
ID=17033271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2238649A Pending JPH04116917A (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04116917A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6867842B2 (en) * | 1999-08-24 | 2005-03-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Edge rinse apparatus and edge rinse method |
| CN110308619A (zh) * | 2019-05-09 | 2019-10-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 边缘曝光装置、方法、显示基板、显示装置 |
| JP2022021513A (ja) * | 2020-07-22 | 2022-02-03 | 三菱電機株式会社 | 露光装置 |
-
1990
- 1990-09-07 JP JP2238649A patent/JPH04116917A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6867842B2 (en) * | 1999-08-24 | 2005-03-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Edge rinse apparatus and edge rinse method |
| CN110308619A (zh) * | 2019-05-09 | 2019-10-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 边缘曝光装置、方法、显示基板、显示装置 |
| CN110308619B (zh) * | 2019-05-09 | 2022-03-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 边缘曝光装置、方法、显示基板、显示装置 |
| JP2022021513A (ja) * | 2020-07-22 | 2022-02-03 | 三菱電機株式会社 | 露光装置 |
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