KR200141133Y1

KR200141133Y1 - 반도체소자 제조 공정용 웨이퍼 가장자리 노광장치

Info

Publication number: KR200141133Y1
Application number: KR2019960029046U
Authority: KR
Inventors: 전정영
Original assignee: 문정환; 엘지반도체주식회사
Priority date: 1996-09-12
Filing date: 1996-09-12
Publication date: 1999-04-01
Also published as: KR19980015777U

Abstract

본 고안은 반도체소자 제조를 위한 노광 공정시 감광막을 제거하기가 어려운 웨이퍼 가장자리의 곡면부에 도포된 감광막을 효과적으로 제거하여 후공정에서의 웨이퍼 및 웨이퍼 카세트 오염을 미연에 방지할 수 있도록 한 것이다.

이를 위해, 본 고안은 웨이퍼척(1)에 로딩된 웨이퍼(2)의 가장자리 상부에 설치되는 광차단용 셔터(3) 상부에 옵틱 파이버(4)를 통해 나오는 빛을 반사하도록 설치되는 반사경(5)과, 상기 반사경(5)에서 반사된 빛을 웨이퍼(2) 가장자리의 곡면부로 재반사하여 웨이퍼(2) 가장자리에 도포된 감광막(6)을 제거시키도록 웨이퍼(2) 외주면과 일단 가장자리와 일정간격 이격되게 설치되는 오목 반사경(7)으로 구성된 반도체소자 제조 공정용 웨이퍼 가장자리 노광장치이다.

Description

반도체소자 제조 공정용 웨이퍼 가장자리 노광장치

본 고안은 반도체소자 제조 공정용 웨이퍼 가장자리 노광장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체소자 제조를 위한 노광 공정시 웨이퍼 가장자리의 곡면부에 도포된 감광막을 효과적으로 제거할 수 있도록 한 웨이퍼 가장자리 노광장치에 관한 것이다.

종래에는 웨이퍼(2) 상면에 감광막(6)(Photo Resist)을 도포하고 마스킹하여 노광한 후, 현상(developing)전에 웨이퍼(2) 가장자리를 노광하여 웨이퍼(2) 가장자리의 감광막을 제거하게 된다.

즉, 제1도에 나타낸 바와 같이, 감광막(6)이 도포된 웨이퍼(2)가 웨이퍼 가장자리 노광장치 내로 들어온 후, 옵틱 파이버(4)(Optic Fiber)를 통하여 조사되는 빛을 차단하는 역할을 하는 셔터(3)가 개방되면 광원(도시는 생략함)으로부터 나온 빛이 상기 옵틱 파이버(4)를 통해 나와 웨이퍼(2) 상면 가장자리에 조사되고, 이 때 웨이퍼척(1)이 회전함에 따라 웨이퍼(2) 가장자리에 도포된 감광막(6)은 조사되는 빛에 의해 제거된다.

그러나, 이와 같은 종래의 웨이퍼 가장자리 노광장치는 웨이퍼(2) 가장자리에 도포된 감광막(6) 제거를 위한 노광시, 옵틱 파이버(4)를 통해 조사된 빛이 한방향으로만 직진하므로 인해 웨이퍼(2) 가장자리의 곡면부에 닿지 못하여 감광막(6)의 제거가 불완전하게 이루어지는 단점이 있었다.

이에 따라, 웨이퍼(2) 가장자리의 곡면부에 잔류하는 감광막(6)에 의해 웨이퍼(2) 및 웨이퍼 카세트의 오염을 야기시켜 반도체소자의 수율을 저하시키게 되는 등 많은 문제점이 있었다.

본 고안은 상기한 제반 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 반도체소자 제조를 위한 노광 공정시 웨이퍼 가장자리의 곡면부에 도포된 감광막을 효과적으로 제거할 수 있도록 한 반도체소자 제조 공정용 웨이퍼 가장자리 노광장치를 제공하는데 그 목적이 있다.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 고안은 웨이퍼척에 로딩된 웨이퍼의 가장자리 상부에 설치되는 광차단용 셔터 상부에 옵틱 파이버를 통해 나오는 빛을 반사하도록 설치되는 반사경과, 상기 반사경에서 반사된 빛을 웨이퍼 가장자리의 곡면부로 재반사하여 웨이퍼 가장자리에 도포된 감광막을 제거시키도록 웨이퍼 외주면과 일단 가장자리와 일정간격 이격되게 설치되는 오목 반사경으로 구성된 반도체소자 제조 공정용 웨이퍼 가장자리 노광장치이다.

제1도는 종래의 웨이퍼 가장자리 노광장치가 설치된 상태를 나타낸 종단면도.

제2도는 본 고안의 웨이퍼 가장자리 노광장치를 나타낸 종단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 웨이퍼척 2 : 웨이퍼

3 : 광차단용 셔터 4 : 옵틱 파이버

5 : 반사경 6 : 감광막

7 : 오목 반사경

이하, 본 고안의 일실시예를 첨부도면 제2도를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

제2도는 본 고안의 웨이퍼 가장자리 노광장치를 나타낸 종단면도로서, 본 고안은 웨이퍼척(1)에 로딩된 웨이퍼(2)의 가장자리 상부에 설치되는 광차단용 셔터(3) 상부에 옵틱 파이버(4)를 통해 나오는 빛을 반사하는 반사경(5)이 설치되고, 웨이퍼(2) 외주면과 일단 가장자리와 일정간격 이격된 위치에는 상기 반사경(5)에서 반사된 빛을 웨이퍼(2) 가장자리의 곡면부로 재반사하여 웨이퍼(2) 가장자리에 도포된 감광막(6)을 제거시키는 오목 반사경(7)이 설치되어 구성된다.

이와 같이 구성된 본 고안에 따른 웨이퍼 가장자리 노광장치에 의한 웨이퍼(2) 가장자리 감광막(6) 제거 과정은 후술하는 바와 같이 이루어진다.

먼저, 감광막(6)이 도포된 웨이퍼(2)가 웨이퍼 가장자리 노광장치 내로 들어와 웨이퍼척(1) 상면에 로딩된 후, 옵틱 파이버(4)(Optic Fiber)를 통하여 조사되는 빛을 차단하는 역할을 하는 광차단용 셔터(3)가 개방되면 광원(도시는 생략함)으로부터 나은 빛이 상기 옵틱 파이버(4)를 통해 나와 웨이퍼(2) 상면 가장자리에 조사된다.

이때, 웨이퍼척(1)이 회전함에 따라 옵틱 파이버(4)가 이동하지 않더라도 웨이퍼(2) 가장자리에 도포된 감광막(6)이 옵틱 파이버(4)를 통해 조사되는 빛에 의해 제거된다.

한편, 이와 동시에 옵틱 파이버(4)로부터 조사되는 빛은 상기 광차단용 셔터(3) 상부에 설치된 반사경(5)에 의해 반사되어 웨이퍼(2) 가장자리로부터 일정간격 이격된 위치에 설치된 오목 반사경(7)의 경면에 닿은 다음, 다시 반사되어 웨이퍼(2) 가장자리의 곡면부에 도달하므로써 웨이퍼(2) 가장자리의 곡면부에 도포된 감광막(6)을 제거하게 된다.

즉, 본 고안은 웨이퍼(2)의 가장자리의 감광막(6) 제거를 위한 노광시, 웨이퍼(2) 가장자리 상면에 도포된 감광막(6)은 옵틱 파이버(4)로부터 조사되는 빛에 의해 직접 노광되어 제거되는 한편, 웨이퍼(2) 가장자리의 곡면부에 도포된 감광막(6)은 광차단용 셔터(3) 상부에 설치된 반사경(5) 및 웨이퍼(2) 가장자리로부터 반경방향으로 일정간격 이격된 위치에 설치된 오목 반사경(7)의 반사작용에 의해 도달하는 빛에 의해 노광되어 제거되므로써 후공정에서의 웨이퍼(2) 및 웨이퍼 카세트 오염을 방지하여 반도체소자의 수율을 향상시킬 수 있게 된다.

본 고안은 반도체소자 제조를 위한 노광 공정시, 웨이퍼(2) 가장자리의 감광막(6) 제거를 위해 옵틱 파이버(4)를 통해 조사되는 빛이 도달하기 어려운 부분인 웨이퍼(2) 가장자리의 곡면부에도 빛이 조사되도록 하여 웨이퍼(2) 가장자리에 도포된 감광막(6)을 완전히 제거시킬 수 있으므로 인해 후공정에서의 웨이퍼(2) 및 웨이퍼 카세트의 오염을 미연에 방지하여 반도체소자의 수율을 향상시킬 수 있게 된다.

Claims

감광막이 코팅된 웨이퍼가 로딩되는 웨이퍼척과, 상기 웨이퍼의 가장자리 일부 영역만이 노출되도록 웨이퍼 상부에 이격 설치되는 광차단용 셔터와, 상기 웨이퍼의 상기 광차단용 셔터 외측으로 노출된 영역의 상부에 이격 설치되는 옵틱 파이버를 포함하여서 된 웨이퍼 가장자리 노광장치에 있어서; 상기 옵틱 파이버에서 나오는 빛의 일부를 소정의 각도로 반사하도록 상기 광차단용 셔터 상부에 설치되는 반사경과, 상기 반사경에서 반사되어 나온 빛을 웨이퍼 가장자리의 곡면부로 재반사하여 웨이퍼 가장자리의 곡면부에 도포된 감광막을 제거시키도록 웨이퍼 외주면과 일정간격 이격되게 설치되는 오목 반사경이 구비됨을 특징으로 하는 반도체소자 제조 공정용 웨이퍼 가장자리 노광장치.