JPH01187822A - 不要レジスト除去方法及び装置 - Google Patents

不要レジスト除去方法及び装置

Info

Publication number
JPH01187822A
JPH01187822A JP63010878A JP1087888A JPH01187822A JP H01187822 A JPH01187822 A JP H01187822A JP 63010878 A JP63010878 A JP 63010878A JP 1087888 A JP1087888 A JP 1087888A JP H01187822 A JPH01187822 A JP H01187822A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
resist
light
flat part
orientation flat
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP63010878A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2623495B2 (ja
Inventor
Manabu Goto
学 後藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ushio Denki KK
Ushio Inc
Original Assignee
Ushio Denki KK
Ushio Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ushio Denki KK, Ushio Inc filed Critical Ushio Denki KK
Priority to JP63010878A priority Critical patent/JP2623495B2/ja
Publication of JPH01187822A publication Critical patent/JPH01187822A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2623495B2 publication Critical patent/JP2623495B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、感光性レジストを塗布した半導体ウェハ等
の電子材料における不要レジストを除去するための不要
レジスト除去方法及び装置に関するものである。
[従来の技術] 従来この種の技術、例えば半導体ウェハの回路パターン
の形成技術にあっては、ウェハ上に感光性レジスト膜を
形成する場合、一般にスピンコード払と言われる回転塗
布法が用いられる。
第3図(a)は半導体ウェハの平面図、同図(b)は半
導体ウェハに塗布されたレジストにUV(紫外線)光を
照射する場合の斜視図であり、第4図(a)、(b)は
第3図の方法で露光するための光照射を行う状態を示す
図で、同図(a)は平面図、同図(b)はその側断面図
であシ・− 第3図、第4図において、■はウェハ、laはパターし
形成部で、不図示のレチクルを用いて、これをレンズ(
不図示)により数分の1に縮小してウェハlに露光し、
この露光を次々と繰返す縮小露光方式(STEP AN
D REPEAT方式)によってパターンを形成する。
また、lbはウェハ周辺部、lcはレジストはみ出し部
、30はウェハlのオリエンテーション・フラット部(
以下、オリフラ部という)、8′は不図示のUv照射光
源からUV光を導く石英からなる導光ファイバ、4aは
このファイバ8′からUV光を照射する照射部分てあり
、ウェハlが回転してウェハ周辺部1bを光照射する。
ウェハ1にレジストを塗布するスピンコード法は、第4
図(a)に示すウェハlを回転台上に載置し、このウェ
ハl上の中心付近にレジストを注いで回転させ、遠心力
をもってウェハl上の表面全体にレジストを塗布するも
のである。しかしこのスピンコード法によると、第4図
(b)に示すようにレジストがウェハlのウェハ周辺部
1bをはみ出し、裏側にも回りこんてしまうことかある
。ウェハlのウェハ周辺部1bは、一般に第4図(b)
の如く断面が丸みを帯びていることか多く、よって裏側
への回りこみの回部性が大きい。
かつ回路パターンはウェハlの表面のウェハ周辺部1b
には形成せず、それ以外の部分(パターン形成部)la
に形成する(第3図(a)参照)ので、ウェハ周辺部1
bにはパターン形成用レジストは特に塗4Nする必要が
ない。しかしスピンコード法では、この部分にもどうし
てもレジストか塗布される。従来ウェハ周囲のレジスト
のハリをなくすようにしたスピンコード法の提案はある
か、その場合でもウェハ周辺部1bへのレジストの塗布
は残る。このような不要なレジスト、即ち第4図(b)
に示す裏側にも回りこんだレジストはみ出し部1cや、
ウェハlのウェハ周辺部1bに塗布された周辺レジスト
部分は、これが残ったままだと聞届を起こすことかある
。レジストは、一般に樹脂そのものが固くてもろいとい
う特徴があるため、工程中にウェハを搬送のために掴ん
だり、こすったりするような機械的ショックが加わると
欠落し、ダストとなって悪影響を及ぼすことがあるから
である。特に、ウェハlの搬送中にウェハlのレジスト
はみ出し部1c(第4図(b)参照)からレジスト片が
欠落して、これかウェハl上に付着し、エツチングされ
ないなどのことによりパターン欠陥をもたらしたり、イ
オン注入時のマスクとして働いて必要なイオン打込みか
阻害されたりして、歩留りを低下させることがある。
また、高エネルギー高濃度のイオン注入を行う場合、イ
オン注入時のウニ八周辺から発生する熱ストレスにより
、レジストクラック(割れ)が発生することがある。こ
のレジストクラックは、ウェハ周辺部のレジストが不規
則な部分や、きすがついてる部分から発生し、中央に向
って走るものであることか確認されている。
この問題は、半導体集積回路について高密度高集積化が
進み、歩留り維持のため、従来のコンタクト方式または
1:1プロジ工クシヨン方式のアライナな用いる露光方
法から、前述のステップと呼ばれる縮小投影方式に露光
方法か変わってきたこと及びそれに伴い、従来のパター
ン形成用フォトプロセスでの主力であったネガ型レジス
トに代り、ポジ型レジストを使わざるを得なくなってき
たという背景下で、極めて重要である。
このような不要部分のレジストを除去する方法として、
溶剤噴射法か用いられている。これは、レジストが付着
されたウェハlの裏面から溶剤を噴射して、不要なレジ
ストを溶かし去るものである。しかしこの方法では、第
4図のレジストはみ出し部1cのレジストは除去てきる
が、ウェハ周辺部1bのレジストは除去されない。この
ウェハ周辺部ibのレジストも除去すべく表面から溶剤
を噴射することは、パターン形成をしているレジスト部
分1aに与える悪影響を及ぼすことかある。
前述したレジスト片遊離によ−る不都合は、レジストは
み出し部1cのレジストを除去するということにより改
善されるか、未だ充分でなく、ウェへ周辺部1bのレジ
ストも除去する必要かある。
従って、この部分の不要レジストをも、容易に、しかも
確実に除去する方法として、従来は第3図に示すような
UV光照射を行っていた。尚、このUV光照射も、ウェ
ハ1上でのUv光の照射部分4aの形状は円形になって
しまう。
また、第5図(a)、(b)はウェハ周辺部1bに対す
るUV光照射の露光形状を説明するための図で、同図(
a)は従来の光照射により露光される形状を示している
。露光形状が円形であるのて、第5図(a)から明らか
なように、ウェハ周辺部1bの外周部1b−1と内周部
1b−3と、周辺中心部1b−2では積算露光量が相違
する。その結果、ウェハlの周辺部では不均一な露光と
なり。
現像後、均一なレジスト除去ができない。
従来より、半導体ウェハにパターンを形成するためには
、まずレジストを塗布し、ベーキングして前述のステッ
プ露光をし、現像し、エツチングしてパターンが形成さ
れるのか一般の工程である。しかるに、最近、高密度の
半導体集積回路には、処理工程中にレジストの耐熱性、
耐プラズマ性を高めるためにUV光照射によるハードニ
ングという工程が露光工程の前処理として行われている
。ところか、このハードニング処理を行うと、不均一な
レジスト膜かある場合、この不均一な膜によって周辺部
等に残ったレジストのくずれや破片が一層散乱して、パ
ターン形成に悪影響をもたらす。
以上述べたように、半導体ウェハにおけるパターン形成
の処理工程において、ウェハの周辺部に塗布された不要
なレジストを除去することが行われている。
[発明か解決しようとする課8]′X 上記のような従来の不要レジスト除去方法は、ウェハ周
辺部を、ウェハを回転させて導光ファイバを静止させた
まま光照射するか、もしくはその逆にウェハな静止させ
たまま導光ファイバを回転させるかして、その後、現像
することにより不要レジストの除去を行っていたか、こ
れらの方法てはウェハ外周部のオリフラ部に付着したレ
ジストを露光することは困難であるという問題あった。
この発明はかかる従来の問題点を解決するためになされ
たもので、ウェハ周辺部の円周部及びオリフラ部の不要
レジストに対して確実に露光することかでき、その露光
後の現像によって完全に除去できる不要レジスト除去方
法及び装置を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 上記の目的を達成するためにこの発明は、レジストか塗
布された半導体のウェハを所定位置に搬送する搬送機構
と、前記ウェハのオリフラ部検出機構と、このオリフラ
部が所定位置に配置される回転可使な処理ステージと、
光源部からの光を導光ファイバを用いてウェハの外周部
に光照射する光照射装置と、前記ウェハの周辺部のオリ
フラ部に光照射させるための導光ファイバ出射部駆動機
構とを具備した装置及びこの装置を用いて不要レジスト
の除去を行うものである。
〔作用] 上記の構成を有する装着を用いることにより、不要レジ
ストか塗布されたウェハ周辺部の全域が確実に露光され
、その後の現像によって完全に不要レジストは除去され
る。
[実施例] 第1図(a)はこの発明における不要レジスト除去方法
及びこの方法を実施するための装置の一実施例の主要部
の機略構成を示す斜視図で、同1”l (b)は同図(
a)により、ウェハ周辺部の露光の仕方を説明するため
の図である。第1図(a)、(b)において、2及び2
′はカセッt−,10及び10′はそれぞれローダ、ア
ンロータ、lOa及び10′aはそれぞれローダio。
アンローダ10’順次下方に駆動するローダ駆動機構、
アンローダ駆動機構である。5はそれぞれ一体に駆動さ
れる搬送ベルトであり、6は不図示の真空吸着孔を有す
る昇降及び回転可使な処理ステージ、3は回動によりウ
ェハ搬送ライン上の所定位置に配置及び退避するウェハ
中心出しアーム、7は同しく回動によりウェハ搬送ライ
ン上に配置及び退避されるオリフラ部検出搬送アーム、
11はこれら処理ステージ6、ウェハ中心出しアーム3
及びオリフラ部検出搬送アーム7の駆動部、Hはスポッ
ト光照射装置、8はスポット光照射装2tHに取付けら
れる導光ファイバ、8aは該導光ファイバ8の出射部、
8a−1は導光ファイバ出射部駆動機構であり、9は装
架台である。
第1図の装置において、ウェハlを多数収納したカセッ
ト2をローダ10にai2!iシ固定する。次に、ロー
ダ駆動機構10aが働いて、ローダlOが所定距離だけ
下降し、処理すべきウェハlが搬送ベルト5上に配置さ
れる。そして、搬送ベルト5が駆動し、ウェハlを処理
ステージ6の上方に搬送する。その間に、ウェハ中心出
しアーム3が退避位置から回動して、中心出し側壁3a
がウェハ搬送ライン上の所定位置に配置される。そして
、ウェハlが搬送ベルト5により搬送されてきて中心出
し側壁3aにあたり、自動的にウェハlの中心と処理ス
テージ6の中心が一致するようになっている。この状態
で処理ステージ6が上昇し、ウェハlを真空吸着した後
、ウェハ搬送ラインよりも若干−に一方に持ち上げる。
その後、オリフラ部検出搬送アーム7が回動して、搬送
ベルト5の間を通り抜けた後、その検出部7a、7bか
ウェハlを挟む状態に配置される。検出部7a。
7bには、それぞれ対応する位置に複数個の発光素子と
受光素子の組が配置され、オリフラ部に位置する受光素
子が光を検知することにより、オリフラ部の位置を検出
する。その後、ウェハ中心出しアーム3及びオリフラ部
検出搬送アーム7は、ウェハ搬送ラインより下方の退避
位置に退避する。
オリフラ部を検出して、該オリフラ部を処理ステージ6
の回転により所定位置に配置した後、スポット光照射装
置H内のシャッタが開くと共に処理ステージ6が回転し
て、所定の露光が行われる。
露光が終了し、処理ステージ6の回転か止まると、処理
ステージ6が下降し、ウェハlが再び搬送ベルト5上に
4itaiされ、処理ステージ6の真空吸着が解除され
る。その後、搬送ベルト5がウェハlを搬送し、アンロ
ーダ10’上に載置、固定されたカセット2′内に搬入
すると、木実施例の不要レジスト除去のための露光工程
が終了する。
第1図(b)はウェハ周辺部1bのうち、その円周部1
b−Aとオリフラ部1b−8の露光の仕方を説明するた
めの図て、まず1円周部1b−^とオリフラ部1b−8
の一方の境界部lb−イが照射される位とにウェハlを
配置した後、処理ステージ6の回転により矢印の方向に
ウェハlを回転させ、照射部分4aを円周部1b−Aと
オリフラ部1b−Bの他方の境界部1b−0まて移動さ
せ、ウェハlの回転を停止させる。この状態で、今度は
導光ファイバ出射部駆動機構8a−1により、導光ファ
イバ8の出射部8aを直線状に動かして、照射部分4a
を最初の照射位置である境界部1b−4まで直線状に移
動させることにより、オリフラ部1b−8の露光が達成
される。
尚、処理フチ−シロの回転をやめて、すべて導光ファイ
バ8の出射部8aを動かすことにより、円周部1b−A
及びオリフラ部1b−8の露光を行っても良い。
第2図は第1図における導光ファイバ8の出射部8aの
詳細を示した図で、第2図(a)は主として導光ファイ
バの出射部の側断面図、同図(b)は同図(a)のX−
xにおける断面図である。
第2図(a)、(b)において、21は素線を数千本束
ねて接着剤で固めた光学繊維束で矩形状に形成されてお
り、22はこの矩形状に形成された光学繊維束21の端
部に設けられる環アルマイト処理を施したアルミラム板
、23はこの光学m雄型21を包む可撓管、24は可撓
管23と鏡筒25をネジ26で接続すコネクタ、27は
鏡筒25中に収納される投影レンズ、28はスペーサで
ある。
第2図に示すように、光学繊維束21の先端からの光は
、±15°の拡がりを有する角度で放射されているのて
、投影レンズ27を設けて被照射物であるウェハl上に
光が結像するようにする。そして、この光学繊維束21
は矩形状に形成されていることにより、その露光量は第
5図(b)に示されるように矩形状の露光形状が得られ
るのて。
ウェハlか回転してウェハ周辺部1bを露光していった
際、ウェハ周辺部1bの中心部1b−2と外周部1b−
1,内周部1b−3についてほぼ均一な露光量となる。
尤も、この場合の形状は扇形状てあれば理想的な均一形
状の露光か行われるか、必ずしも扇形にする必要はなく
、それに類似した形状、即ちほぼ矩形状のものてあれば
かまわない。
また、光照射されるウェハlはその表面が鏡面に近いの
て、ウェハlからの反射光が導光ファイバ8の出射部に
反射されて戻ってくるか、その反射光かウェハlに再反
射するとウェハlのパターン形成領域を乱してしまうの
て、反射防止用のアルミニウム板22が設けられている
さらに、投影レンズ27を設けることによって、ウェハ
1に対して導光ファイバ8か一定間隔の照射距離をとる
ことかでき、かつ高い放射照度てシャープな露光を行う
ことができる。
」二足の実施例て露光されたウェハ周辺部1b及びオリ
フラ部30の周辺部のポジ型の不要レジストは公知のス
プレィ現像、もしくはその他の現像工程によって現像さ
れて除去される。また、このウェハ周辺部ib等の不要
レジストの現像工程は、パターン形成領域の現像の際に
同時に行ってもよい。
尚、処理ステージ6の回動機構については、図示して説
明するのを省略したが、装架台9の内部に格納されたモ
ータ等による公知の回動機構によって行えばよい。
また、導光ファイバ8は複数本設けて複数の出射端から
ウェハ周辺部1bを露光することも必要に応じて行えば
よい。
[発明の効果] 以上説明したとおり、この発明の不要レジスト除去方法
及び装置はレジス・トか塗布された半導体のウェハな所
定位置に搬送する搬送機構と、前記ウェハのオリフラ部
検出機構と、このオリフラ部か載置される所定位置に配
置された回転可能な処理ステージと、光源部からの光を
導光ファイバを用いてウェハの周辺部に光照射する光照
射装置と、前記導光ファイバの出射部を、前記ウェハの
周辺部のオリフラ部に光照射させるための導光ファイバ
出射部駆動機構とを具備したので、オリフラ部も確実に
光照射することができる。従って、レジスト除去か均一
に行われ、レジストの残留かなくゴミやダストの発生が
ないので、ウェハのパターン形成に悪影響を及ぼすこと
なく不要レジスト残留に基づく不良品の発生は防止する
ことがてきる。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)はこの発明における不要レジスト除去方法
及びこの方法を実施するための装置の一実施例の主要部
の概略構成を示す斜視図、同図(b)は同図(a)の装
置によるウェハ周辺部の露光の仕方を説明するための図
、第2図(a)は第1図における光ファイバの出射部の
側断面図、同図(b)は同図(a)のx−xにおける断
面図、第3図(a)は半導体ウェハの平面図、同図(b
)は半導体ウェハに塗布されたレジストにUV光を照射
する場合の斜視図、第4図(a)。 (b)は第3図の方法て露光するための光照射を行う状
態を示す図、第5図(a)、(b)はウェハ周辺部に対
するUV光照射の露光形状を説明するための図である。 図中。 l:ウェハ 5・搬送ベルト 6:処理ステージ 7、オリフラ部検出搬送アーム 8:導光ファイバ 10:ロータ lO′:アンロータ 8a−1:導光ファイバ出射部駆動機構Hスポット光照
射装置 代理人 弁理士 1)北 嵩 晴 d (b) 第2図 j(J (a) (b) 第3図 第4図 (a) (b) 第5図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)レジストが塗布された半導体のウェハの周辺部に
    導光ファイバで導かれた光を照射して、前記ウェハの周
    辺部のレジストを除去する不要レジスト除去方法におい
    て、前記周辺部の円周部は、前記ウェハを回転させるこ
    とにより光照射し、前記周辺部のオリエンテーション・
    フラット部は前記導光ファイバの出射部を直線的に動か
    すことにより光照射することを特徴とする不要レジスト
    除去方法。
  2. (2)レジストが塗布された半導体のウェハを所定位置
    に搬送する搬送機構と、前記ウェハのオリエンテーショ
    ン・フラット部検出機構と、このウェハのオリエンテー
    ション・フラット部が所定位置に配置される回転可能な
    処理ステージと、光源部からの光を導光ファイバを用い
    てウェハの周辺部に光照射する光照射装置と、前記ウェ
    ハの周辺部のオリエンテーション・フラット部に光照射
    させるための導光ファイバ出射部駆動機構とを具備した
    ことを特徴とする不要レジスト除去装置。
JP63010878A 1988-01-22 1988-01-22 不要レジスト除去方法及び装置 Expired - Fee Related JP2623495B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63010878A JP2623495B2 (ja) 1988-01-22 1988-01-22 不要レジスト除去方法及び装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63010878A JP2623495B2 (ja) 1988-01-22 1988-01-22 不要レジスト除去方法及び装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH01187822A true JPH01187822A (ja) 1989-07-27
JP2623495B2 JP2623495B2 (ja) 1997-06-25

Family

ID=11762586

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63010878A Expired - Fee Related JP2623495B2 (ja) 1988-01-22 1988-01-22 不要レジスト除去方法及び装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2623495B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01132124A (ja) * 1987-08-28 1989-05-24 Teru Kyushu Kk 露光方法及びその装置
JPH01192117A (ja) * 1988-01-27 1989-08-02 Teru Kyushu Kk レジスト処理装置及びレジスト処理方法
US5289263A (en) * 1989-04-28 1994-02-22 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus for exposing periphery of an object

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59158520A (ja) * 1983-02-28 1984-09-08 Toshiba Corp 照射装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59158520A (ja) * 1983-02-28 1984-09-08 Toshiba Corp 照射装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01132124A (ja) * 1987-08-28 1989-05-24 Teru Kyushu Kk 露光方法及びその装置
JPH01192117A (ja) * 1988-01-27 1989-08-02 Teru Kyushu Kk レジスト処理装置及びレジスト処理方法
US5289263A (en) * 1989-04-28 1994-02-22 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus for exposing periphery of an object

Also Published As

Publication number Publication date
JP2623495B2 (ja) 1997-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20120113205A (ko) 세정용 레티클, 레티클 스테이지의 세정 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
WO2017141736A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US7651285B2 (en) Edge exposure apparatus, coating and developing apparatus, edge exposure method and coating and developing method, and storage medium
CN108695209B (zh) 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
US4467210A (en) Electron-beam image transfer device
JPH01187822A (ja) 不要レジスト除去方法及び装置
JPH0530348Y2 (ja)
JPH021114A (ja) ウエハ周辺露光方法及び装置
JP2534567B2 (ja) ウエハ周辺露光方法及びウエハ周辺露光装置
JP2601309B2 (ja) ウエハ周辺露光装置
JPH0669126A (ja) ウエハ周辺部クリーニング装置
JPH05275324A (ja) レジスト除去方法および装置
JPS63160332A (ja) レジスト除去装置
JP2810680B2 (ja) 露光装置及び露光方法
JPH1041206A (ja) 半導体処理装置および処理方法
JPH07161628A (ja) 周辺露光装置
JPS61137320A (ja) ウエハ処理装置
JPH05217885A (ja) 周辺露光装置
KR20050011334A (ko) 반도체 웨이퍼 에지부 검사장치
JPS58105151A (ja) 感光性樹脂膜の形成方法
JP3087209B2 (ja) 露光装置
JP4111342B2 (ja) 周辺露光方法及びその装置
JPS62286246A (ja) 縮小投影露光装置
JPS62188227A (ja) レジスト塗布装置
JP2610481B2 (ja) 露光装置及び処理装置及び処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees