TWI574114B - 光罩吸盤潔淨器及光罩吸盤清潔方法 - Google Patents

光罩吸盤潔淨器及光罩吸盤清潔方法 Download PDF

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Description

光罩吸盤潔淨器及光罩吸盤清潔方法
本發明係關於一種光罩吸盤潔淨器(reticle chuck cleaner)及光罩吸盤清潔(reticle chuck cleaning)方法。更詳而言之，係關於一種用以清潔EUV曝光裝置之光罩吸盤的光罩吸盤潔淨器等。
近年來，隨著半導體的微細化，已使用一種EUV微影術(lithography)。由於EUV光的波長短到13.5nm，且在大氣中會立即衰減，因此使用EUV光的晶圓曝光裝置(EUV掃描器)需要在真空中組合曝光光學系統。此時，由於光罩平台本身被置於真空中，因此在EUV遮罩的吸盤機構中無法使用真空吸盤，而採用了靜電吸盤方式。在靜電吸盤方式中，相較於真空吸盤方式，為獲得相同的保持力，需要更大面積的吸盤區域。因此，在EUV遮罩中，係需要將背面大半的部分設為吸盤區域。
如此，在EUV微影術中，由於要將EUV遮罩之背面的大半部分設為吸盤區域，因此易於在吸盤機構的表面存在有異物。而且，當在與EUV遮罩之間夾著異物時，EUV遮罩會變形，在圖案面亦會產生變形，故會有轉印至晶圓上的圖案變形了的問題產生。此外，由於吸盤機構位於真空吸盤之中，因此為了要去除異物，需將真空吸盤內恢復為大氣壓再進行清潔作業。此時，EUV掃描器的停止時間變長，而成為EUV掃描器之運轉率降低的主要原因。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
專利文獻1：日本特開2009-146959號公報
本發明之主要目的係提供一種光罩吸盤潔淨器，不需將EUV曝光裝置之真空吸盤內曝露在大氣下，即可簡易進行腔室內之光罩吸盤的清潔，有助於提升EUV曝光裝置的運轉率。
為了解決上述問題，本發明係提供一種光罩吸盤潔淨器，其係用以清潔EUV曝光裝置之光罩吸盤，該光罩吸盤潔淨器係具備：貼附於光罩吸盤之吸盤區域的黏著劑層；積層於該黏著劑層的支撐層；及具有可搬運至光罩吸盤之形狀的基板；前述支撐層與前述基板係局部地接合。前述支撐層與前述基板的局部地接合，係可藉由設在前述支撐層與前述基板之間之具有黏合性之區域與不具黏合性之區域的部分黏合層來進行。
在此光罩吸盤潔淨器中，前述支撐層與前述基板的接合部係設置為：在該接合部中前述支撐層被拉緊，藉此產生貼附於光罩吸盤之前述黏著劑層之剝離起點。因此，在該光罩吸盤潔淨器中，前述基板即藉由其自身重量隔著前述接合部拉緊前述支撐層，藉以產生前述剝離起點。再者，所產生之剝離起點，係具有做為前述黏著劑層自前述光罩吸盤開始剝離的位置作用。
在此光罩吸盤潔淨器中，可設為：前述部分黏合層可為光硬化型黏著劑層，且該光硬化型黏著劑層中之經光硬化的區域係構成前述支撐層與前述基板的非接合部，而剩 餘的區域則構成前述接合部。
在此光罩吸盤潔淨器中，較佳為在前述支撐層與前述基板之非接合部中，實施有用以提高所接觸之前述支撐層與前述基板之分離性、或所接觸之前述部分黏合層與前述基板之分離性的處理。以該處理而言，係可採用前述基板表面之凹凸形成或粗面化。
此外，本發明係提供一種光罩吸盤清潔方法，其係用以清潔EUV曝光裝置之光罩吸盤的方法，該方法包括：(1)貼附步驟，其係將具備貼附於光罩吸盤之吸盤區域之黏著劑層、積層於該黏著劑層之支撐層、及具有可搬運至光罩吸盤之形狀的基板，且前述支撐層與前述基板局部地接合的光罩吸盤潔淨器，抵靠在收容於EUV曝光裝置之經真空排氣之腔室內的光罩吸盤，並使前述黏著劑層與光罩吸盤密合；及(2)剝離步驟，其係解除前述光罩吸盤潔淨器對於光罩吸盤的推壓，藉由以前述基板的自身重量隔著前述接合部拉緊前述支撐層，使貼附於光罩吸盤的前述黏著劑層剝離，而從光罩吸盤取下光罩吸盤潔淨器。
在此光罩吸盤清潔方法中，於前述(1)的步驟中，係相對於光罩吸盤從下方抵靠並貼附載置於光罩搬運手段之前述光罩吸盤潔淨器。然後，在前述(2)的步驟中，係藉由使光罩搬運手段往下方移動而解除前述光罩吸盤潔淨器對於光罩吸盤的推壓，使得因前述基板的自身重量從光罩吸盤剝離的前述光罩吸盤潔淨器，承載在移動到下方的光罩搬運手段上。
在此光罩吸盤清潔方法中，亦可於前述(2)的步驟中， 使用承載在光罩搬運手段上之光罩吸盤潔淨器，再度進行前述(1)的步驟，亦可重複進行由前述(1)及前述(2)的步驟所構成的操作。
以下一面參照圖式一面說明用以實施本發明之較佳形態。另外，以下說明的實施形態，係僅顯示本發明具代表性之實施形態的一例，本發明之範圍不應據此作狹義解釋。說明係以下列順序來進行。
1、第1實施形態之光罩吸盤潔淨器及使用該光罩吸盤潔淨器之光罩吸盤清潔方法
(1)光罩吸盤潔淨器
(2)光罩吸盤清潔方法
2、第2實施形態之光罩吸盤潔淨器及使用該光罩吸盤潔淨器之光罩吸盤清潔方法
(1)光罩吸盤潔淨器
(2)光罩吸盤清潔方法
1、第1實施形態之光罩吸盤潔淨器及使用該光罩吸盤潔淨器之光罩吸盤清潔方法 (1)光罩吸盤潔淨器
圖1(A)~圖1(B)係說明本發明之第1實施形態之光罩吸盤潔淨器之構成的示意圖，圖1(A)係顯示剖面圖，圖1(B)係顯示俯視圖。符號A所示之光罩吸盤潔淨器係具備：貼附於EUV曝光裝置之光罩吸盤之吸盤區域的黏著劑層1；積層於黏著劑層1的支撐層2；及具有可搬運至光罩吸盤之形狀的基板3。
符號4係顯示將支撐層2與基板3予以接合或黏合在 具有黏合性之區域41(以下亦稱「黏合區域41」)的部分黏合層。黏合區域41係設於部分黏合層4的周緣部，而部分黏合層4之中央部(黏合區域41以外的部分)係設為不具黏合性的區域42(以下亦稱「非黏合區域42」)。
〔黏著劑層〕
黏著劑層1係可藉由以(甲基)丙烯酸酯系聚合物為主成分的黏著劑、或胺基甲酸酯系、聚酯系、環氧系、聚氯乙烯系、三聚氰胺系、聚醯亞胺系、及聚矽氧系等之黏著劑所形成。詳細內容將於後陳述，但黏著劑係具有可使附著在光罩吸盤之異物接合之程度的接合性，只要具有可使光罩吸盤潔淨器A藉由自身重量從光罩吸盤剝離之程度的接合性，則可使用習知公知的黏著劑。
在黏著劑中，視需要亦可添加黏合賦予劑、硬化劑、塑化劑、聚合抑制劑及抗老化劑等的各種添加劑。
黏著劑層1對於支撐層2的積層，例如可藉由以丙烯酸酯共聚物為主成分，且將以異氰酸酯化合物為交聯劑之黏著劑之甲苯/醋酸乙基溶液予以旋塗於支撐層2來進行。除此之外，黏著劑層1可藉由凹版塗布機、缺角輪塗布機、刮棒塗布機、刮刀塗布機、輥塗機、凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、柔性版印刷、膠印印刷、絲網印刷、噴塗等之習知公知的方法來形成於支撐層2。此外，不限定於將黏著劑直接塗布於支撐層2上的方法，亦可採用將以所希望厚度預先塗布於剝離薄膜上的黏著劑予以轉印至支撐層2的方法。
黏著劑層1在乾燥後的厚度並未特別限定，但例如為0.5~5.0μm，較佳為1~2μm。黏著劑層1係形成為與EUV 曝光裝置之光罩吸盤之吸盤區域相等或較其更大。
〔支撐層〕
支撐層2係可藉由聚氯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚酯、乙烯-乙烯醇、聚胺基甲酸酯、離子聚合物、聚醯胺、聚醯亞胺、及PET等之習知公知的樹脂而形成。此等樹脂亦可做為複數個樹脂之熔融混合物或共聚物來使用。此等樹脂中，PET之硬度較高，故特佳。此外，支撐層2亦可為由複數個樹脂層所構成的多層構造。
〔部分黏合層〕
部分黏合層4例如可設為使用與黏著劑層1相同的黏著劑來形成黏合區域41，且可使用與支撐層2相同的樹脂來形成非黏合區域42。此外，以部分黏合層4而言，亦可採用藉由通用的兩面膠帶來構成黏合區域41，且藉由PET薄膜等構成非黏合區域42者。
在光罩吸盤潔淨器A中，由於部分黏合層4只要能將支撐層2與基板3局部地接合或黏合即可，因此非黏合區域42為非必要的構成。亦即，部分黏合層4亦可為僅藉由黏著劑所形成的黏合區域41，或是僅由藉由兩面膠帶所構成之黏合區域41而構成者，而不設置非黏合區域42。此時，支撐層2之基板3側之面中未與基板3接合的部分，亦可直接與基板3接觸。
此外，部分黏合層4亦可使用藉由放射線和紫外線等之活性光線而硬化之光硬化型黏著劑來形成。將光硬化型黏著劑塗敷於支撐層2或基板3，使用遮罩且僅對經塗敷之光硬化型黏著劑中之成為非黏合區域42的部分照射光，而使之硬化。因此，可形成不被光照射而維持黏接性之黏合 區域41、及經由光照射而硬化而喪失黏接性之非黏合區域42的部分黏合層4。
〔基板〕
基板3只要是具有可搬運至EUV曝光裝置之光罩吸盤之形狀者，則其材質並未特別限定，可使用玻璃、石英、合成石英等之空白光罩基板來形成。
基板3例如設為合成石英之6英吋基板(厚度為0.25英吋)時，其重量為325g左右。只要基板3是此程度的重量，如後所述，就足以藉由基板3之自身重量將光罩吸盤潔淨器A從光罩吸盤予以剝離。另外，基板3之重量只要在可達成本發明之效果下，可做任意設定。
光罩吸盤潔淨器A除黏著劑層1、支撐層2、部分黏合層4及基板3以外，尚可具有形成在與基板3之黏著劑層1相反側之面的對準標記。對準標記係於在EUV曝光裝置中搬運或夾住光罩吸盤潔淨器A時使用。對準標記與通常之EUV遮罩的製作相同，係可藉由將光阻塗布在以形成於基板3上之鉭為主成分的吸收體膜，將光阻圖案作為蝕刻遮罩而對吸收體膜進行蝕刻，且將光阻予以洗淨、去除而形成。
(2)光罩吸盤清潔方法
接著參照圖2(A)~(B)及圖3(A)~(C)來說明使用光罩吸盤潔淨器A的光罩吸盤清潔方法。圖2(A)~(B)係用以說明光罩吸盤清潔方法之貼附步驟的剖面示意圖，圖3(A)~(C)係用以說明剝離步驟的剖面示意圖。
〔貼附步驟〕
在貼附步驟中，首先，係將光罩吸盤潔淨器A載置於EUV曝光裝置之光罩端口(port)P，且以與通常之光罩搬運相同方式搬運至EUV曝光裝置之經真空排氣的腔室內(參照圖2(A))。
接著，以與通常之光罩吸盤相同方式將光罩端口P靠近光罩吸盤C，且相對於光罩吸盤C從下方來抵靠光罩吸盤潔淨器A，並使黏著劑層1與光罩吸盤C密合並貼附。此時，附著於光罩吸盤C之異物D會附著於黏著劑層1，且以陷入於黏著劑層1中之方式被收回(參照圖2(B))。在此，黏著劑層1亦可藉由施加電壓於光罩吸盤C，使光罩吸盤潔淨器A暫時地靜電卡夾於光罩吸盤C而與光罩吸盤C密合。
〔剝離步驟〕
在剝離步驟中，首先，係使光罩端口P從光罩吸盤C分開，且解除光罩吸盤潔淨器A對於光罩吸盤C的推壓。因此，失去藉由光罩端口P之支撐之光罩吸盤潔淨器A的基板3，即因為自身重量而隔著為基板3與支撐層2之接合部的黏合區域41而將支撐層2朝下方拉緊。然後，其結果形成了積層於支撐層2之黏著劑層1自光罩吸盤C剝離的剝離起點(參照圖3(A)箭號Q)。
黏著劑層1係形成為與光罩吸盤C之吸盤區域相等或較其更大，由於黏合區域41係設於部分黏合層4的周緣部，所以隔著黏合區域41之基板3的自身重量，會集中負載在黏著劑層1與光罩吸盤C之接觸面之最外側部分(參照箭號Q)。因此，在黏著劑層1與光罩吸盤C之接觸面的最外側部分，會有用以將黏著劑層1從光罩吸盤C剝離之 極大的力產生作用，而產生上述的剝離起點。
藉由剝離起點的產生，黏著劑層1自光罩吸盤C的剝離，即從黏著劑層1與光罩吸盤C之接觸面之最外側部分朝向內側進行(參照圖3(B))。而且，當黏著劑層1從光罩吸盤C完全剝離時，光罩吸盤潔淨器A即會掉落且承載在移動到下方的光罩端口P上。此時，如圖3(C)所示，陷入於黏著劑層1中之異物D即從光罩吸盤C被去除。
為使從光罩吸盤C剝離的光罩吸盤潔淨器A筆直地掉落至下方的光罩端口P上，在基板3的表面31，較佳係形成用以提高所接觸之部分黏合層4與非黏合區域42之分離性的溝32(參照圖4(A)~(B)及圖5(A)~(B))。
在解除光罩吸盤潔淨器A對於光罩吸盤C的推壓後，當部分黏合層4之非黏合區域42仍然貼附在基板3之表面31、或尚未均勻地分離時，如圖4(B)所示，光罩吸盤潔淨器A自光罩吸盤C的剝離，會有在光罩吸盤潔淨器A傾斜之狀態下進行的情形。此時，從光罩吸盤C完全剝離的光罩吸盤潔淨器A，有可能不會筆直地掉落，而不會順利地被承載在光罩端口P上。
在基板3的表面31先形成同心圓狀的複數個溝32(參照圖5(A))、或格子狀的複數個溝32(參照圖5(B))，故在解除光罩吸盤潔淨器A對於光罩吸盤C的推壓後，基板3與部分黏合層4即得以均勻地分離。其結果，光罩吸盤潔淨器A即會在保持水平狀態下從光罩吸盤C剝離，而筆直地朝下方掉落至光罩端口P。
於基板3之表面31上形成溝32，係可藉由以與雷文森遮罩(Levenson Mask)之製作相同方法來進行。亦即，在 將光阻塗布在形成於基板3上之鉻膜上然後，藉由電子射束描繪裝置來描繪溝32的圖案，且藉由顯影處理來形成光阻圖案。接著，將光阻圖案作為蝕刻遮罩並藉由乾式蝕刻法來選擇性蝕刻鉻膜。最後，將鉻圖案作為蝕刻遮罩並藉由乾式蝕刻法來選擇性蝕刻石英基板，將光阻予以洗淨去除而形成溝32。另外，溝32不限定於圖式之同心圓狀或格子狀，只要是中心對稱，則可以任意的圖案來形成。
用以提高基板3之表面31與部分黏合層4之非黏合區域42之分離性的處理，並不限定於形成如上述之溝32之凹凸的方法，亦可採用將表面31粗面化，或是在基板3或部分黏合層4之一方或雙方表面塗布剝離劑之方法。
基板3之表面31的凹凸處理，係例如可藉由印刷法等的方法來進行。此外，以剝離劑而言，係例如可使用氟樹脂等。
另外，在部分黏合層4係僅為藉由黏著劑所形成之黏合區域41、或僅由藉由雙面膠帶所構成之黏合區域41所成者而不設置非黏合區域42的情形下，支撐層2會直接與基板3的表面31接觸。即使在此情形下，為了提高支撐層2與基板3的分離性，也可進行與上述相同的處理。
如此，若使用光罩吸盤潔淨器A，只要在使黏著劑層1與光罩吸盤C密合之後再進行剝除的操作，不用破壞EUV曝光裝置之真空腔室的真空，即可進行光罩吸盤C的清潔。因此，與要將真空腔室暫時恢復為大氣壓、且將光罩吸盤從真空腔室內取出後再清掃的習知方法有所不同，不需要使裝置長時間停止，可大幅改善裝置的運轉率，而提升半導體元件的製造效率。
再者，由於光罩吸盤潔淨器A係藉由基板3的自身重量而從光罩吸盤C剝離，因此不會有貼附於光罩吸盤之光罩吸盤潔淨器無法剝除而無法取下的情形。
光罩吸盤之清潔，亦可藉由使用在剝離步驟中承載在光罩端口P上之光罩吸盤潔淨器A再度進行剝離步驟，重複進行。由貼附步驟及剝離步驟所構成的操作，較佳係重複進行直到附著在光罩吸盤C的異物D被充分去除。在清潔結束後，光罩吸盤潔淨器A係藉由光罩端口P送回至腔室外。
在以上所說明之第1實施形態之光罩吸盤潔淨器中，係說明了將黏合區域41設於部分黏合層4之周緣部之例。然而，黏合區域41只要是可藉由將支撐層2與基板3局部地接合或黏合，使基板3之自身重量集中負載於黏著劑層1與光罩吸盤C之接觸面之一部分，而產生黏著劑層1自光罩吸盤C的剝離起點，則其可設置於部分黏合層4的任意部位。例如，如圖6所示，黏合區域41亦可設於部分黏合層4的四個角落。
2、第2實施形態之光罩吸盤潔淨器及使用該光罩吸盤潔淨器之光罩吸盤清潔方法 (1)光罩吸盤潔淨器
圖7(A)~(B)係用以說明本發明之第2實施形態之光罩吸盤潔淨器之構成的示意圖，圖7(A)係顯示剖面圖，圖7(B)係顯示俯視圖。符號B所示之光罩吸盤潔淨器係具備貼附於EUV曝光裝置之光罩吸盤之吸盤區域的黏著劑層1；積層於黏著劑層1的支撐層2；及具有可搬運至光罩吸盤之形狀的基板3。
相較於上述之第1實施形態之光罩吸盤潔淨器A，光罩吸盤潔淨器B係在不設置將支撐層2與基板3局部地接合或黏合之部分黏合層4(參照圖1(A)~(B))，而藉由雙面膠帶43來接合支撐層2與基板3之點有所不同。雙面膠帶43係以在支撐層2及基板3之間，俯視觀看下成為通過兩者中心之十字之方式插入。
在光罩吸盤潔淨器B中，黏著劑層1、支撐層2及基板3的構成，由於與光罩吸盤潔淨器A為相同的構成，故省略其說明，以下係說明使用光罩吸盤潔淨器B之光罩吸盤清潔方法。
(2)光罩吸盤清潔方法
圖8(A)~(B)係用以說明光罩吸盤清潔方法之貼附步驟的剖面示意圖，圖9(A)~(C)係用以說明剝離步驟的剖面示意圖。
〔貼附步驟〕
貼附步驟係與使用上述之第1實施形態之光罩吸盤潔淨器A之光罩吸盤清潔方法相同，首先，將光罩吸盤潔淨器B載置於EUV曝光裝置之光罩端口P。然後，以與通常之光罩搬運相同之方式搬運至EUV曝光裝置之經真空排氣的腔室內(參照圖8(A))。
接著，以與通常之光罩吸盤相同方式將光罩端口P靠近光罩吸盤C，且相對於光罩吸盤C從下方來抵靠光罩吸盤潔淨器B，並使黏著劑層1與光罩吸盤C密合而貼附。此時，附著於光罩吸盤C之異物D會附著於黏著劑層1，且以陷入於黏著劑層1中之方式被收回(參照圖8(B))。
〔剝離步驟〕
在剝離步驟中，首先，係使光罩端口P從光罩吸盤C分開，且解除光罩吸盤潔淨器B對於光罩吸盤C的推壓。因此，失去藉由光罩端口P之支撐之光罩吸盤潔淨器B的基板3，即因為自身重量而隔著為基板3與支撐層2之接合部的雙面膠帶43而將支撐層2朝下方拉緊。然後，其結果即產生積層於支撐層2之黏著劑層1自光罩吸盤C剝離的剝離起點(參照圖9(A)箭號Q)。
由於雙面膠帶43僅在中央接合支撐層2及基板3，因此隔著雙面膠帶43之基板3的自身重量，會集中負載在黏著劑層1與光罩吸盤C之接觸面之中央部分(參照箭號Q)。因此，在黏著劑層1與光罩吸盤C之接觸面的中央部分，會有用以將黏著劑層1從光罩吸盤C剝離之極大的力產生作用，而產生上述的剝離起點。
藉由剝離起點的產生，黏著劑層1自光罩吸盤C的剝離，即從黏著劑層1與光罩吸盤C之接觸面之中央部分朝向外側進行(參照圖9(B))。而且，當黏著劑層1從光罩吸盤C完全剝離時，光罩吸盤潔淨器B即會掉落且承載在移動到下方的光罩端口P上。此時，如圖9(C)所示，陷入於黏著劑層1中之異物D即從光罩吸盤C被去除。
在光罩吸盤潔淨器B中，為了也使從光罩吸盤C剝離的光罩吸盤潔淨器B能筆直地掉落至下方的光罩端口P上，較佳係在基板3的表面31進行用以提高與所接觸之支撐層2之分離性的處理。此處理係可藉由以與光罩吸盤潔淨器A相同的方式進行。
如此，若使用光罩吸盤潔淨器B，只要在使黏著劑層1與光罩吸盤C密合之後進行剝除的操作，不用破壞EUV曝 光裝置之真空腔室的真空，即可進行光罩吸盤C的清潔。因此，與要將真空腔室暫時恢復為大氣壓且在將光罩吸盤從真空腔室內取出後再清掃的習知方法有所不同，不需要使裝置長時間停止，可大幅改善裝置的運轉率，而提升半導體元件的製造效率。
再者，由於光罩吸盤潔淨器B係藉由基板3的自身重量而從光罩吸盤C剝離，因此不會有貼附於光罩吸盤之光罩吸盤潔淨器無法剝除而無法取下的情形。
光罩吸盤之清潔亦可藉由使用在剝離步驟中承載在光罩端口P上之光罩吸盤潔淨器B再度進行剝離步驟、重複進行之點，係如在光罩吸盤潔淨器A中所說明。
此外，雙面膠帶43只要可藉由將支撐層2與基板3局部地接合或黏合，且使基板3之自身重量集中負載於黏著劑層1與光罩吸盤C之接觸面之一部分，而產生黏著劑層1自光罩吸盤C剝離的剝離起點，則可設置於任意部位之點，亦如上所述。
1‧‧‧黏著劑層
2‧‧‧支撐層
3‧‧‧基板
4‧‧‧部分黏合層
31‧‧‧基板表面
32‧‧‧溝
41‧‧‧黏合區域
42‧‧‧非黏合區域
43‧‧‧雙面膠帶
A、B‧‧‧光罩吸盤潔淨器
C‧‧‧光罩吸盤
D‧‧‧異物
P‧‧‧光罩端口
Q‧‧‧剝離起點
圖1(A)及(B)係說明本發明之第1實施形態之光罩吸盤潔淨器A之構成的圖。
圖2(A)及(B)係說明使用光罩吸盤潔淨器A之光罩吸盤清潔方法之貼附步驟的圖。
圖3(A)至(C)係說明使用光罩吸盤潔淨器A之光罩吸盤清潔方法之剝離步驟的圖。
圖4(A)及(B)係用以說明用以提高基板3與部分黏合層4之分離性之溝32的剖面示意圖。
圖5(A)及(B)係用以說明用以提高基板3與部分 黏合層4之分離性之溝32的上面示意圖。
圖6係說明第1實施形態之變形例之光罩吸盤潔淨器之黏合區域41之構成的上面示意圖。
圖7(A)及(B)係說明本發明之第2實施形態之光罩吸盤潔淨器B之構成的圖。
圖8(A)及(B)係說明使用光罩吸盤潔淨器B之光罩吸盤清潔方法之貼附步驟的圖。
圖9(A)至(C)係說明使用光罩吸盤潔淨器B之光罩吸盤清潔方法之剝離步驟的圖。
1‧‧‧黏著劑層
2‧‧‧支撐層
3‧‧‧基板
4‧‧‧部分黏合層
41‧‧‧黏合區域
42‧‧‧非黏合區域
A‧‧‧光罩吸盤潔淨器

Claims (14)

  1. 一種光罩吸盤潔淨器，其係用以清潔EUV曝光裝置之光罩吸盤，該光罩吸盤潔淨器係具備：貼附於光罩吸盤之吸盤區域的黏著劑層；積層於該黏著劑層的支撐層；及具有可搬運至光罩吸盤之形狀的基板；前述支撐層與前述基板係局部地接合。
  2. 如申請專利範圍第1項之光罩吸盤潔淨器，其中前述支撐層與前述基板的接合部係設置為：在該接合部中前述支撐層被拉緊，藉此產生貼附於光罩吸盤之前述黏著劑層之剝離起點。
  3. 如申請專利範圍第2項之光罩吸盤潔淨器，其中前述剝離起點係藉由前述基板以其自身重量隔著前述接合部來拉緊前述支撐層而產生。
  4. 如申請專利範圍第3項之光罩吸盤潔淨器，其中前述剝離起點係具有做為前述黏著劑層自前述光罩吸盤開始剝離的位置的作用。
  5. 如申請專利範圍第4項之光罩吸盤潔淨器，其中在前述支撐層與前述基板之間設有部分黏合層，該部分黏合層具有具黏合性之區域與不具黏合性之區域。
  6. 如申請專利範圍第5項之光罩吸盤潔淨器，其中前述部分黏合層係做為光硬化型黏著劑層；該光硬化型黏著劑層中之經光硬化的區域係構成前述支撐層與前述基板的非接合部，而剩餘的區域則構成前述接合部。
  7. 如申請專利範圍第5或6項之光罩吸盤潔淨器，其中在前 述支撐層與前述基板之非接合部中，實施有用以提高所接觸之前述支撐層與前述基板之分離性、或所接觸之前述部分黏合層與前述基板之分離性的處理。
  8. 如申請專利範圍第7項之光罩吸盤潔淨器，其中前述處理係前述基板表面之凹凸形成或粗面化。
  9. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之光罩吸盤潔淨器，其中前述黏著劑層係由以(甲基)丙烯酸酯系聚合物為主成分的黏著劑所構成。
  10. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之光罩吸盤潔淨器，其中前述基板為空白光罩基板。
  11. 如申請專利範圍第10項之光罩吸盤潔淨器，其中前述空白光罩基板係由玻璃、石英或合成石英所構成。
  12. 一種光罩吸盤清潔方法，其係用以清潔EUV曝光裝置之光罩吸盤的方法，該方法包括：貼附步驟，其係將具備貼附於光罩吸盤之吸盤區域之黏著劑層、積層於該黏著劑層之支撐層、及具有可搬運至光罩吸盤之形狀的基板、且前述支撐層與前述基板局部地接合的光罩吸盤潔淨器，抵靠在收容於EUV曝光裝置之經真空排氣之腔室內的光罩吸盤，並使前述黏著劑層與光罩吸盤密合；及剝離步驟，其係解除前述光罩吸盤潔淨器對於光罩吸盤的推壓，藉由以前述基板的自身重量隔著前述接合部拉緊前述支撐層，使貼附於光罩吸盤的前述黏著劑層剝離，而從光罩吸盤取下光罩吸盤潔淨器。
  13. 如申請專利範圍第12項之光罩吸盤清潔方法，其中在前述貼附步驟中，係相對於光罩吸盤從下方來抵靠並貼附載 置於光罩搬運手段之前述光罩吸盤潔淨器，而且，在前述剝離步驟中，係藉由使光罩搬運手段往下方移動而解除前述光罩吸盤潔淨器對於光罩吸盤的推壓，使得因前述基板的自身重量而從光罩吸盤剝離的前述光罩吸盤潔淨器，承載在移動到下方的光罩搬運手段上。
  14. 如申請專利範圍第13項之光罩吸盤清潔方法，其中重複進行由前述貼附步驟及前述剝離步驟所構成的操作。
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014020027B3 (de) * 2013-03-15 2023-03-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithographiesystem mit eingebettetem reinigungsmodul sowie verfahren
US10459353B2 (en) 2013-03-15 2019-10-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography system with an embedded cleaning module
JP6196123B2 (ja) * 2013-10-18 2017-09-13 東芝メモリ株式会社 チャッククリーナ及びクリーニング方法
JP2015176934A (ja) * 2014-03-13 2015-10-05 株式会社東芝 静電チャッククリーナ、クリーニング方法、および露光装置
JP6419635B2 (ja) * 2014-04-23 2018-11-07 株式会社アルバック 保持装置、真空処理装置
CN105988308A (zh) * 2015-03-03 2016-10-05 上海凸版光掩模有限公司 一种掩模版上残胶的去除方法
WO2017030841A1 (en) * 2015-08-14 2017-02-23 M Cubed Technologies, Inc. Method for removing contamination from a chuck surface
CN109513691B (zh) * 2017-09-20 2021-06-01 台湾积体电路制造股份有限公司 晶圆座的清洁方法、半导体制作方法与清洁系统
JP6956604B2 (ja) * 2017-11-13 2021-11-02 キヤノン株式会社 基板処理装置および物品製造方法
CN110899246A (zh) * 2018-09-14 2020-03-24 长鑫存储技术有限公司 光罩缺陷的清洁装置及清洁方法
CN109023241B (zh) * 2018-09-18 2020-06-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 掩膜版和掩膜版的清洗方法
CN112955822B (zh) 2018-11-09 2024-10-11 Asml控股股份有限公司 利用具有可控几何形状和组成的清洁衬底进行刻蚀支撑件清洁
US12117737B2 (en) * 2018-12-28 2024-10-15 Asml Holding N.V. Apparatus and method for cleaning a support structure in a lithographic system
JP7308677B2 (ja) * 2019-07-10 2023-07-14 キヤノントッキ株式会社 成膜装置、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法
US11199562B2 (en) 2019-08-08 2021-12-14 Western Digital Technologies, Inc. Wafer testing system including a wafer-flattening multi-zone vacuum chuck and method for operating the same
TWI792198B (zh) * 2020-06-01 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍｌ控股公司 用於清潔微影設備之一部分之清潔工具及方法
CN112934859B (zh) * 2021-01-29 2022-06-07 泉意光罩光电科技(济南)有限公司 光罩杂质去除设备和光罩杂质去除方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006229122A (ja) * 2005-02-21 2006-08-31 Nikon Corp チャック表面の異物除去方法、容器、及びテーブル
JP2007165699A (ja) * 2005-12-15 2007-06-28 Nikon Corp 静電チャックのパーティクル除去方法、静電チャックのパーティクル除去装置および露光装置
TW200949458A (en) * 2008-04-23 2009-12-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacutring method, cleaning system and method for cleaning a patterning device
TW201103652A (en) * 2009-04-30 2011-02-01 Nitto Denko Corp Cleaning sheet, conveyance member with cleaning function, cleaning method of substrate processing apparatus, and substrate processing apparatus

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL128894C (zh) * 1961-04-25 1900-01-01
JPH08148461A (ja) * 1994-11-18 1996-06-07 Nitto Denko Corp 半導体ウエハに付着した異物の除去方法
JP3425267B2 (ja) * 1995-03-29 2003-07-14 日東電工株式会社 精密電子部品の異物除去用粘着テ―プ
JP2003142370A (ja) 2001-10-31 2003-05-16 Nitto Denko Corp レチクルが接する装置のクリーニング方法
JP2003218063A (ja) * 2002-01-24 2003-07-31 Canon Inc ウエハ貼着用粘着シート及び該シートを利用する加工方法
EP1359466A1 (en) * 2002-05-01 2003-11-05 ASML Netherlands B.V. Chuck, lithographic projection apparatus, method of manufacturing a chuck and device manufacturing method
JP2003209034A (ja) 2002-10-09 2003-07-25 Toshiba Corp 半導体基板処理装置のクリーニング方法
JP2008226973A (ja) 2007-03-09 2008-09-25 Nikon Corp 露光装置
JP2009146959A (ja) 2007-12-12 2009-07-02 Canon Inc 露光装置及び洗浄装置
JP2011044490A (ja) 2009-08-19 2011-03-03 Nikon Corp 観察装置、露光装置及びデバイスの製造方法
JP5329387B2 (ja) * 2009-12-25 2013-10-30 株式会社東芝 洗浄用レチクル、レチクルステージの洗浄方法及び半導体装置の製造方法
US20120009394A1 (en) * 2010-07-07 2012-01-12 MOS Art Pack Corporation Bonding method and bonding substrate
JP5743450B2 (ja) * 2010-07-28 2015-07-01 株式会社東芝 レチクルチャッククリーナー

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006229122A (ja) * 2005-02-21 2006-08-31 Nikon Corp チャック表面の異物除去方法、容器、及びテーブル
JP2007165699A (ja) * 2005-12-15 2007-06-28 Nikon Corp 静電チャックのパーティクル除去方法、静電チャックのパーティクル除去装置および露光装置
TW200949458A (en) * 2008-04-23 2009-12-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacutring method, cleaning system and method for cleaning a patterning device
TW201103652A (en) * 2009-04-30 2011-02-01 Nitto Denko Corp Cleaning sheet, conveyance member with cleaning function, cleaning method of substrate processing apparatus, and substrate processing apparatus

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Publication number Publication date
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