CN110899246A - 光罩缺陷的清洁装置及清洁方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种光罩缺陷的清洁装置及清洁方法，清洁装置用于对待处理光罩上的待清洁缺陷进行清洁，待清洁缺陷形成于待处理光罩的待处理表面上，清洁装置包括：缺陷吸附组件，缺陷吸附组件与待处理表面之间具有间距，且缺陷吸附组件基于静电感应吸附待清洁缺陷，以实现待处理光罩的清洁。本发明在半导体光罩的缺陷移除过程当中，利用非破坏性的静电吸附原理与装备进行光罩缺陷的移除，从而达到光罩清洁的目的，采用本发明的方案，不仅可以实现光罩缺陷的去除，还可以在去除过程中防止光罩的保护薄膜受到皱折或破损，同时也可以防止保护薄膜受到刮伤，还可进一步实现光罩缺陷的全面性清洁，装置简便，清洁过程简捷，清洁速度快。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种光罩缺陷的清洁装置及清洁方法。
背景技术
在数字化的时代中，许多电器用具、物品都以高科技IC芯片进行操控，以达到自动化的目的，而IC芯片主要以极精密的半导体集成电路组成，其制造过程主要利用光罩在无尘的环境中，使用高精密度的机台对晶圆进行高精密度的积层作业来完成，其厂房、机台的制造成本相对较为昂贵，因此，在制造晶片的过程中，致力于提高光罩的良率成为本领域技术人员目前较为重要的课题。
在半导体生产制造中，因机台因素或人为因素不可避免的会出现光罩被超出规格的微粒污染，特别是在光罩保护薄膜上形成颗粒缺陷(defect)，只有及时的对该些微粒进行处理才可以进行后续的产品生产。然而，目前业内对光罩覆膜上的污染颗粒很难去除，多数时候只能将光罩返厂清洗或修补，在一定程度上降低了产品的生产效率。
因此，如何提供一种光罩缺陷的清洁装置及光罩缺陷清洁方法，以解决现有技术中存在的上述问题实属必要。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种光罩缺陷的清洁装置及清洁方法，用于解决现有技术中光罩上的缺陷难以去除以及现有去除光罩缺陷的方式容易造成光罩保护薄膜损害、清洁速度慢等的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种光罩缺陷的清洁装置，用于对待处理光罩上的待清洁缺陷进行清洁，所述待清洁缺陷形成于所述待处理光罩的待处理表面上，所述清洁装置包括：
缺陷吸附组件，使用所述缺陷吸附组件对所述待处理表面上的所述待清洁缺陷进行清洁时，将所述缺陷吸附组件设置成与所述待处理表面之间具有间距，且所述缺陷吸附组件基于静电感应吸附所述待清洁缺陷，以实现所述待处理光罩的清洁。
作为本发明的一种可选方案，所述缺陷吸附组件包括静电吸盘，所述清洁装置还包括电源装置，其中，所述静电吸盘设置于所述待处理表面上方，所述电源装置与所述静电吸盘电连接，以使得所述静电吸盘上产生吸附电荷，所述静电吸盘基于所述吸附电荷的静电感应吸附所述待清洁缺陷。
作为本发明的一种可选方案，所述待处理光罩包括保护薄膜，所述待清洁缺陷形成于所述保护薄膜上，所述保护薄膜形成有所述待清洁缺陷的表面构成所述待处理表面，其中，所述静电吸盘的形状与所述保护薄膜的形状概呈相同，所述静电吸盘的尺寸超出对应方向上所述保护薄膜尺寸的5％-10％；所述静电吸盘的材质包括金属。
作为本发明的一种可选方案，所述待处理光罩还包括基板、掩膜图形以及环形边框，其中，所述掩膜图形及所述环形边框设置于所述基板表面，且所述环形边框位于所述掩膜图形外围，所述保护薄膜设置于所述环形边框远离所述基板的一侧且与所述环形边框及所述基板形成一腔体。
作为本发明的一种可选方案，所述缺陷吸附组件与所述待处理表面之间的间距介于1mm-10mm之间。
作为本发明的一种可选方案，所述清洁装置还包括静电消除装置，以消除所述待处理光罩上的静电。
本发明还提供一种光罩缺陷的清洁方法，所述清洁方法包括如下步骤：
1)提供待处理光罩，且所述待处理光罩的待处理表面上形成有待清洁缺陷；以及
2)基于静电感应吸附的方式吸附所述待清洁缺陷，以实现所述待处理光罩的清洁。
作为本发明的一种可选方案，步骤2)中，基于静电感应吸附的方式吸附所述待清洁缺陷具体包括步骤：
2-1)提供缺陷吸附组件，将所述缺陷吸附组件设置于所述待处理表面上方，且所述缺陷吸附组件与所述待处理表面之间具有间距；以及
2-2)运行所述缺陷吸附组件，以使所述缺陷吸附组件基于静电感应吸附的方式吸附所述待清洁缺陷。
作为本发明的一种可选方案，步骤2-1)中所述缺陷吸附组件包括静电吸盘，步骤2-2)中还包括提供电源装置的步骤，其中，所述电源装置与所述静电吸盘电连接，运行所述缺陷吸附组件的方式包括：开启所述电源装置，以使所述静电吸盘上产生吸附电荷，所述静电吸盘基于所述吸附电荷的静电感应吸附所述待清洁缺陷。
作为本发明的一种可选方案，所述待清洁缺陷不带电，控制所述静电吸盘产生吸附正电荷及吸附负电荷中的任意一种。
作为本发明的一种可选方案，运行所述缺陷吸附组件的方式中还包括关闭所述电源装置的步骤，以在所述缺陷吸附组件运行的过程中交替的进行所述电源装置的开启与所述电源装置的关闭。
作为本发明的一种可选方案，所述电源装置开启的时间介于1s-5s之间，所述电源装置关闭的时间介于1s-5s之间；所述电源装置开启的过程中，输出电压介于10v-100v之间，输出电流介于0.01mA-0.1mA之间。
作为本发明的一种可选方案，所述待处理光罩包括保护薄膜，所述待清洁缺陷形成于所述保护薄膜上，所述保护薄膜形成有所述待清洁缺陷的表面构成所述待处理表面，其中，所述静电吸盘的形状与所述保护薄膜的形状概呈相同，所述静电吸盘的尺寸超出对应方向上所述保护薄膜尺寸的5％-10％；所述静电吸盘的材质包括金属。
作为本发明的一种可选方案，步骤2-1)中，所述缺陷吸附组件与所述待处理表面之间的间距介于1mm-10mm之间。
作为本发明的一种可选方案，步骤1)与步骤2)之间还包括对所述待处理光罩进行静电预去除的步骤。
作为本发明的一种可选方案，步骤2)之后，还包括步骤：对进行所述待清洁缺陷吸附后的所述待处理光罩进行静电消除处理。
作为本发明的一种可选方案，所述静电消除处理的方式包括：采用离子风装置对所述待处理光罩进行离子风吹风处理。
如上所述，本发明的光罩缺陷的清洁装置及清洁方法，具有以下有益效果：
本发明提供一种光罩缺陷的清洁装置及清洁方法，使得在半导体光罩的缺陷移除过程当中，利用非破坏性的静电吸附原理与装备进行光罩缺陷的移除，从而达到光罩清洁的目的，采用本发明的方案，不仅可以实现光罩缺陷的去除，还可以在去除过程中防止光罩的保护薄膜受到皱折或破损，同时也可以防止保护薄膜受到刮伤，还可进一步实现光罩缺陷的全面性清洁，装置简便，清洁过程简捷，清洁速度快。
附图说明
图1显示为本发明提供的光罩缺陷的清洁装置的结构示意图。
图2显示为本发明提供的光罩缺陷的清洁方法的工艺流程图。
图3显示为本发明提供的光罩缺陷的清洁方法中使静电吸盘产生吸附电荷的示意图。
图4显示为本发明提供的光罩缺陷的清洁方法中基于静电感应吸附待清洁缺陷示意图。
图5显示为本发明提供的光罩缺陷的清洁方法中采用离子风装置进行静电消除的图示。
图6显示为本发明对比例中进行光罩缺陷去除的方式。
元件标号说明
100 待处理光罩
100a 待处理表面
101 保护薄膜
102 基板
103 掩膜图形
104 环形边框
200 待清洁缺陷
301 缺陷吸附组件
302 电源装置
401 吸附电荷
402 感应电荷
500 静电消除装置
S1～S2 步骤1)至步骤2)
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1至图5。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，虽图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。
如图1所示，本发明提供一种光罩缺陷的清洁装置，用于对待处理光罩100上的待清洁缺陷200进行清洁，所述待清洁缺陷200形成于所述待处理光罩100的待处理表面100a上，所述清洁装置包括：
缺陷吸附组件301，使用所述缺陷吸附组件301对所述待处理表面100a上的所述待清洁缺陷进行清洁时，将所述缺陷吸附组件301设置成与所述待处理表面之间具有间距，且所述缺陷吸附组件301基于静电感应吸附所述待清洁缺陷200，以实现所述待处理光罩的清洁。
具体的，本发明中提供一种对光罩上的污染颗粒进行清洁的装置，即对图中所述待处理光罩100上的待清洁缺陷200进行去除，其中，本发明的清洁装置基于静电感应吸附的方式去除所述待清洁缺陷200，也就是说，本发明中，所述待处理光罩100具有形成有待清洁缺陷200的待处理表面100a，所述缺陷吸附组件301通过静电吸附原理，将所述待处理光罩100上的待清洁缺陷200吸附起来，从而将其从待处理光罩100的待处理表面100a上移除，达到待处理光罩的清洁的目的，基于上述方式，静电吸附的方式不仅可以实现光罩缺陷的有效去除，减小对待处理光罩造成的伤害，还可以实现大面积全面去除缺陷，达到全面性清洁的目的，提高缺陷去除效率。其中，静电吸附是指：当一个带有静电的物体靠近另一个不带静电的物体时，由于静电感应，没有静电的物体内部靠近带静电物体的一边会集聚与带电物体所携带电荷相反极性的电荷(另一侧产生相同数量的同极性电荷)，由于异性电荷互相吸引，就会表现出“静电吸附”现象。采用上述方式，在一示例中，所述待清洁缺陷的粒径大于40μm，采用静电吸附去除的方式中可以实现所述待清洁缺陷200的移除率达到95％以上。另外，将所述缺陷吸附组件301设置成与所述待处理表面100a之间具有间距的方式可以是通过在使用时手动调整，也可以是通过可调节支架等方式进行调整。
在一示例中，如图1所示，所述缺陷吸附组件301包括静电吸盘，所述清洁装置还包括电源装置302，其中，所述静电吸盘301设置于所述待处理表面100a上方，所述电源装置302与所述静电吸盘电连接，以使得所述静电吸盘上产生吸附电荷401，所述静电吸盘基于所述吸附电荷的静电感应吸附所述待清洁缺陷200。
具体的，在该示例中，提供一种缺陷吸附组件301的结构，其可以是静电吸盘301，其中，所述静电吸盘301设置在所述待处理光罩100的上方，优选设置在所述待处理光罩100的需要进行缺陷去除的待处理表面100a的正上方，与需要去除缺陷的区域上下对应，从而有利于静电吸附过程的进行及其控制，所述待清洁缺陷200位于光罩的待处理表面的上表面，且所述静电吸盘301与所述待处理表面100a之间具有间距，即所述静电吸盘301与所述待清洁缺陷200之间具有间距，所述清洁装置中设置的所述电源装置302可以通过通电的方式使所述静电吸盘301上形成吸附电荷401，以用于待清洁缺陷200的吸附。
作为示例，所述静电吸盘301的材质包括金属，如可以是铝、铜等，可以实现在所述电源装置302的作用下产生吸附电荷401。
作为示例，所述待处理光罩100包括保护薄膜101，所述待清洁缺陷200形成于所述保护薄膜101上，所述保护薄膜101形成有所述待清洁缺陷的表面构成所述待处理表面100a，其中，所述静电吸盘301的形状与所述保护薄膜101的形状概呈相同，且所述静电吸盘301的尺寸超出对应方向上所述保护薄膜101尺寸的5％-10％。
具体的，在一示例中，所述待处理光罩100上设置有保护薄膜(Pellicle)101，光罩保护薄膜101能够防止光罩被污染，比如，防止外界颗粒落到光罩的有效图形区域上，光罩保护膜101通常是聚合物(polymer)材质，如硝化纤维或氟化物等材料制成，其可以通过固体粘胶(glue)等将光罩保护薄膜101的边缘粘贴在光罩的边缘上，以保护住光罩上的有效图形区域。另外，该示例中，所述待清洁缺陷200形成在所述保护薄膜101的表面上，从而所述保护薄膜101的形成有所述待清洁缺陷200的表面作为所述待处理光罩100的待处理表面100a。另外，在一可选示例中，所述保护薄膜101的厚度介于280nm-810nm之间，优选介于350nm-600nm之间，其中，本文中的“介于…之间”是指包括两端端点值的数值范围。
具体的，在一可选示例中，当所述缺陷吸附组件301选择为所述静电吸盘时，所述静电吸盘的形状与所述保护薄膜101的形状概呈相同，即，所述保护薄膜101的形状如果是正方形，则所述静电吸盘301的形状也设置成正方形，从而有利于静电吸附过程的进行，提高静电吸附效率，另外，对于静电吸盘的尺寸，优选超出对应方向上所述保护薄膜101的尺寸的5％-10％，例如，如果所述保护薄膜101的形状是长方形，则所述静电吸盘的形状也是长方形，且二者的形状上下相互对应，也就是说，所述静电吸盘的长边与所述保护薄膜101的长边上下对应相对应，短边也是位置上上下对应，其中，所述静电吸盘的长边两端均超出保护薄膜101长边一段距离s，如图1所示，在一示例中，该距离s介于所述保护薄膜101尺寸的5％-10％，从而在实现静电吸附的同时保护所述保护薄膜101均匀全面受力，在一示例中，所述静电吸盘的形状为正方形，所述静电吸盘的边长介于10cm-20cm之间，该示例选择为15.24cm。
作为示例，所述待处理光罩100还包括基板102、掩膜图形103以及环形边框104，其中，所述掩膜图形103及所述环形边框104设置于所述基板102表面，且所述环形边框104位于所述掩膜图形103外围，所述保护薄膜101设置于所述环形边框104远离所述基板102的一侧且与所述环形边框104及所述基板102形成一腔体。
具体的，在该示例中，所述基板102包括透明基板，可以为石英玻璃基板或纳玻璃基板，所述保护薄膜101的边缘可以是粘附在所述环形边框104的一端，所述环形边框104的相对的另外一端可以粘附在所述基板102上，从而所述保护薄膜101与所述环形边框104及所述基板102形成一腔体，以保护位于腔体中的所述掩膜图形103，其中，在进一步可选的示例中，采用当采用静电吸盘的方式进行吸附时，所述静电吸盘的尺寸小于对应方向上所述基板的尺寸，从而防止静电吸附过程中对整体待处理光罩带来的静电作用的影响及损伤等。
作为示例，所述缺陷吸附组件301与所述待处理表面之间的间距介于1mm-10mm之间。
具体的，该示例中，控制所述缺陷吸附组件301与所述待处理表面100a之间的间距，也即控制所述缺陷吸附组件301与所述待清洁缺陷之间的间距，当所述缺陷吸附组件301为静电吸盘301时，该间距为所述静电吸盘301与所述待处理表面100a之间的间距，另外，当所述待清洁缺陷位于所述保护薄膜101表面时，该间距可以是所述静电吸盘的靠近所述保护薄膜101的吸盘吸附表面与形成有待清洁缺陷的所述保护薄膜101表面之间的距离，上述间距的设置，一方面可以有利于对待处理光罩及所述保护薄膜进行机械保护，防止所述缺陷吸附组件对所述保护薄膜造成机械破坏，另外，有利于静电吸附的进行，提高静电吸附效率，再一方面，还可以有利于缓解所述待处理光罩受到的静电伤害。其中，在一示例中，该间距如图1中的d所示，介于1mm-10mm之间，优选介于3mm-8mm之间。
作为示例，所述光罩缺陷的清洁装置还包括静电消除装置500，以去除所述待处理光罩100上的静电。
具体的，如图5所示，在一示例中，还设置一静电消除装置500，如所述静电消除装置500可以是离子风装置，如离子风扇，在进行静电吸附去除所述待处理光罩100上的待清洁缺陷200之后，用于消除所述待处理光罩100上残余的静电，防止静电对光罩造成伤害，其中，在一可选示例中，设置所述离子风扇持续吹风的时间介于5s-120s之间，优选介于20s-100s之间。另外，对于所述静电消除装置500的设置，其可以固定在光罩载台上，在静电吸附去除缺陷之后直接进行静电去除的步骤，还可以通过额外装置设置在所述待处理光罩100的外围，如可以实现自所述待处理光罩100的基板的底部接收离子风，另外，所述静电消除装置还可以是旋转设置，即静电消除装置设置在一支架上，所述静电消除装置可以绕所述支架上的轴进行旋转，从而实现所述待处理光罩的全面静电去除。
另外，需要说明的，采用本发明的光罩缺陷清洁装置，可以解决诸多缺陷去除工艺中的问题，如使用风吹或人力的方式进行清除微粒过程中的诸多缺陷，可以解决光罩上的污染颗粒往往很难去除，特别是去除过程很容易对光罩的保护薄膜造成损害等问题，如对于使用高压气枪吹高压气体将光罩上的缺陷移除的方式，高压气体使用不当容易对光罩保护薄膜(Pellicle)造成皱折或破损，对于使用人力控制头发将光罩缺陷挑起的方式，人力控制头发将缺陷挑除，容易对光罩覆膜造成刮痕，并且区域性的清除方法并非像全面性的清洁快速，而采用本发明的清洁装置，解决了高压气体对保护薄膜造成褶皱或破损的缺陷，解决了头发对光罩覆膜造成刮痕以及头发去除缺陷过程中清洁区域小，速度慢等问题。
另外，如图2-5所示，本发明还提供一种光罩缺陷的清洁方法，其中，所述清洁方法优选采用本发明的光罩缺陷的清洁装置进行清洁，所述清洁方法包括如下步骤：
首先，如图2中的S1所示，进行步骤1)，提供待处理光罩100，且所述待处理光罩的待处理表面100a上形成有待清洁缺陷200；
具体的，该步骤中提供需要进行缺陷去除的待处理光罩100，其中，所述待处理光罩100形成有待清洁缺陷200的表面为待处理光罩的待处理表面100a。
在一示例中，所述待处理光罩100上设置有保护薄膜(Pellicle)101，光罩保护薄膜101能够防止光罩被污染，比如，防止外界颗粒落到光罩的有效图形区域上，光罩保护膜101通常是聚合物(polymer)材质，如硝化纤维或氟化物等材料制成，其可以通过固体粘胶(glue)等将光罩保护薄膜101的边缘粘贴在光罩的边缘上，以保护住光罩上的有效图形区域。该示例中，所述待清洁缺陷200形成在所述保护薄膜101的表面上，从而所述保护薄膜101的形成有所述待清洁缺陷200的表面作为所述待处理光罩100的待处理表面100a。另外，在一可选示例中，所述保护薄膜101的厚度介于280nm-810nm之间，优选介于350nm-600nm之间。
具体的，在另一示例中，所述待处理光罩100还包括基板102、掩膜图形103以及环形边框104，其中，所述掩膜图形103及所述环形边框104设置于所述基板102表面，且所述环形边框104位于所述掩膜图形103外围，所述保护薄膜101设置于所述环形边框104远离所述基板102的一侧且与所述环形边框104及所述基板102形成一腔体。在该示例中，所述基板102包括透明基板，可以为石英玻璃基板或纳玻璃基板，所述保护薄膜101的边缘可以是粘附在所述环形边框104的一端，所述环形边框104的相对的另外一端可以粘附在所述基板102上，从而所述保护薄膜101与所述环形边框104及所述基板102形成一腔体，以保护位于腔体中的所述掩膜图形103。
接着，如图1中的S2所示，进行步骤2)，基于静电感应吸附的方式吸附所述待清洁缺陷，以实现所述待处理光罩的清洁。
具体的，该步骤中，基于静电感应吸附的方式去除所述待清洁缺陷200，即，通过静电吸附原理，将所述待处理光罩100上的待清洁缺陷200吸附起来，从而将其从待处理光罩100的待处理表面100a上移除，达到待处理光罩的清洁的目的，基于上述方式，静电吸附的方式不仅可以实现光罩缺陷的有效去除，减小对待处理光罩造成的伤害，另外，静电吸附还可以实现大面积全面去除缺陷，达到全面性清洁的目的，提高缺陷去除效率。
如图1及图3-5所示，在一示例中，步骤2)中，基于静电感应吸附的方式吸附所述待清洁缺陷具体包括步骤：
如图1所示，进行步骤2-1)，提供缺陷吸附组件301，将所述缺陷吸附组件301设置于所述待处理表面100a上方，且所述缺陷吸附组件301与所述处理表面100a之间具有间距；
具体的，本示例中通过缺陷吸附组件301实现对待清洁缺陷200的静电吸附去除。
作为示例，步骤2-1)中，所述缺陷吸附组件301包括静电吸盘，步骤2-2)中还包括提供电源装置302的步骤，所述静电吸盘与电源装置302电连接，其中，该示例中，所述静电吸盘301设置在所述待处理光罩100的上方，优选设置在所述待处理光罩100的需要进行缺陷去除的待处理表面100a的正上方，与需要去除缺陷的区域上下对应，从而有利于静电吸附过程的进行及其控制，所述待清洁缺陷200位于光罩的待处理表面的上表面，且所述静电吸盘301与所述待处理表面100a之间具有间距，即所述静电吸盘301与所述待清洁缺陷200之间具有间距，所述清洁装置中设置的所述电源装置302可以通过通电的方式使所述静电吸盘301上形成吸附电荷401，以用于待清洁缺陷200的吸附。
作为示例，所述静电吸盘301的材质包括金属，如可以是铝、铜等，可以实现在所述电源装置302的作用下产生吸附电荷401。
如图3-5所示，接着进行步骤2-2)，运行所述缺陷吸附组件301，以使所述缺陷吸附组件301基于静电感应吸附的方式吸附所述待清洁缺陷200。
具体的，在一示例中，当所述缺陷吸附组件300包括静电吸盘，所述静电吸盘与所述电源装置302电连接时，运行所述缺陷吸附组件301的方式包括：开启所述电源装置302，以使得所述静电吸盘上产生吸附电荷401，所述静电吸盘基于所述吸附电荷401的静电感应吸附所述待清洁缺陷200。
具体的，所述电源装置302给所述静电吸盘通电后，所述静电吸盘上产生了吸附电荷401，即产生了静电，此时，基于静电吸附原理，待清洁缺陷200靠近所述吸附电荷401的一侧产生了与所述吸附电荷401电性相反感应电荷402，从而基于吸附电荷401与感应电荷402之间的静电吸引力，所述待清洁缺陷200被吸附移除，实现待处理光罩的清洁，如图3、4所示。
作为示例，所述待清洁缺陷200不带电，控制所述静电吸盘301产生吸附正电荷及吸附负电荷中的任意一种。
具体的，该示例中，提供一种控制所述静电吸盘产生吸附电荷401的种类的方式，其中，所述待清洁缺陷200不带电包括：所述待清洁缺陷本身不带电，对于不带电的所述待清洁缺陷200，可以控制所述静电吸盘产生任何电性的所述吸附电荷，只要可以实现所述待清洁缺陷200的吸附；所述待清洁缺陷200不带电还包括：所述待清洁缺陷缺陷本身带有正电荷或者负电荷，但是，所述待清洁缺陷所带的电荷可以是采用静电消除装置已经进行了静电消除，带电的所述待清洁缺陷可以是被本申请步骤中的离子风除去，此时，所述待清洁缺陷不带电，所述静电吸盘基于静电吸附方式对其进行吸附。另外，在一示例中，所述静电吸盘进行吸附时，对所述静电吸盘先充电，可以通过人为控制对所述静电吸盘通入正负电荷，从而使得所述静电吸盘产生对应电荷，待清洁缺陷会带相反的电荷，进行相互吸引。
作为示例，运行所述缺陷吸附组件301的方式中还包括关闭所述电源装置302的步骤，以在所述缺陷吸附组件301运行的过程中交替的进行所述电源装置302的开启与所述电源装置302的关闭。
具体的，在该示例中，提供缺陷吸附组件301实现待清洁缺陷200的静电吸附去除的另一方式，当所述缺陷吸附组件301为静电吸盘，静电吸盘与电源装置302电连接时，在整个静电吸附去除的过程中，交替的进行所述电源装置302的开启与关闭，从而使得所述静电吸盘上间断的产生吸附电荷401，也就是说，在整个静电吸附去除的过程中，对所述待清洁缺陷200的静电作用是交替进行的，从而可以基于间断的冲击力的作用破坏所述待清洁缺陷200在所述待处理光罩100表面的吸附作用，实现待清洁缺陷的去除。
作为示例，所述电源装置302开启的时间介于1s-5s之间，所述电源装置302关闭的时间介于1s-5s之间；所述电源装置302开启的过程中，输出电压介于10v-100v之间，输出电流介于0.01mA-0.1mA之间。
具体的，在一示例中，运行所述缺陷吸附组件300进行待清洁缺陷静电吸附的过程中，如在电源装置302开启，所述静电吸盘产生吸附电荷401的过程中，输出电压介于10v-100v之间，优选介于20v-80v之间，输出电流介于0.01mA-0.1mA之间，优选介于0.05mA-0.08mA之间，另外，对于交替进行电源装置的开启和关闭的过程，所述电源装置302开启的时间介于1s-5s之间，所述电源装置302关闭的时间介于1s-5s之间，在一示例中，并设置所述静电吸盘与所述待处理表面之间的间距介于1mm-10mm之间，基于上述条件，可以进一步有利于防止所述待处理光罩在静电吸附去除缺陷的过程中受到的静电伤害。另外，在一个静电吸附的过程中交替进行电源装置的开启和关闭，在一示例中，将所述电源装置开启和电源装置关闭一次作为一个重复周期，在一次缺陷静电吸附的过程中，可以进行3-20个所述重复周期，依据实际需求进行选择。另外，在一可选示例中，所述电源装置关闭的时间小于所述电源装置开启的时间，从而有利于提高清洁装置的工作效率，提高缺陷去除率。
作为示例，所述缺陷吸附组件301与所述待处理表面之间的间距介于1mm-10mm之间；
具体的，该示例中，控制所述缺陷吸附组件301与所述待处理表面100a之间的间距，也即控制所述缺陷吸附组件301与所述待清洁缺陷之间的间距，当所述缺陷吸附组件301为静电吸盘301时，该间距为所述静电吸盘301与所述待处理表面100a之间的间距，另外，当所述待清洁缺陷位于所述保护薄膜101表面时，该间距可以是所述静电吸盘的靠近所述保护薄膜101的吸盘吸附表面与形成有待清洁缺陷的所述保护薄膜101表面之间的距离，上述间距的设置，一方面可以有利于对待处理光罩及所述保护薄膜进行机械保护，防止所述缺陷吸附组件对所述保护薄膜造成机械破坏，另外，有利于静电吸附的进行，提高静电吸附效率，再一方面，还可以有利于缓解所述待处理光罩受到的静电伤害。其中，在一示例中，该间距如图1中的d所示，介于1mm-10mm之间，优选介于3mm-8mm之间。
作为示例，所述待处理光罩100包括保护薄膜101，所述待清洁缺陷200形成于所述保护薄膜101上，其中，所述静电吸盘301的形状与所述保护薄膜101的形状概呈相同，且所述静电吸盘301的尺寸超出对应方向上所述保护薄膜101尺寸的5％-10％
作为示例，所述静电吸盘301的材质包括金属，如可以是铝、铜等。
具体的，在一可选示例中，当所述缺陷吸附组件301选择为所述静电吸盘时，所述静电吸盘的形状与所述保护薄膜101的形状概呈相同，即，所述保护薄膜101的形状如果是正方形，则所述静电吸盘301的形状也设置成正方形，从而有利于静电吸附过程的进行，提高静电吸附效率，另外，对于静电吸盘的尺寸，优选超出对应方向上所述保护薄膜101的尺寸的5％-10％，例如，如果所述保护薄膜101的形状是长方形，则所述静电吸盘的形状也是长方形，且二者的形状上下相互对应，也就是说，所述静电吸盘的长边与所述保护薄膜101的长边上下对应相对应，短边也是位置上上下对应，其中，所述静电吸盘的长边两端均超出保护薄膜101长边一段距离s，如图1所示，在一示例中，该距离s介于所述保护薄膜101尺寸的5％-10％，从而在实现静电吸附的同时保护所述保护薄膜101均匀全面受力，在一示例中，所述静电吸盘的形状为正方形，所述静电吸盘的边长介于10cm-20cm之间，该示例选择为15.24cm。
作为示例，步骤1)与步骤2)之间还包括对所述待处理光罩100进行静电预去除的步骤。
具体的，在该示例中，还在进行静电吸附去除缺陷的步骤之前对所述待处理光罩进行静电预去除的步骤，如可以采用离子风扇进行离子风吹风的方式对所述待处理光罩进行静电去除，从而可以防止所述待处理光罩上存在的静电对后续进行的缺陷静电吸附造成的影响。
作为示例，步骤2)之后，还包括步骤：对进行所述待清洁缺陷吸附后的所述待处理光罩100进行静电消除处理。
作为示例，所述静电消除处理的方式包括：采用离子风装置对所述待处理光罩100进行离子风吹风处理。
具体的，在一示例中，还包括对进行所述待清洁缺陷吸附后的所述待处理光罩100进行静电消除处理的步骤，可以采用静电消除装置500进行静电消除，如所述静电消除装置500可以是离子风装置，如离子风扇，可以采用离子风扇进行所述静电消除处理的过程，在进行静电吸附去除所述待处理光罩100上的待清洁缺陷200之后，用于消除所述待处理光罩上残余的静电，防止静电对光罩造成伤害，其中，在一可选示例中，设置所述离子风扇持续吹风的时间介于5s-120s之间，优选介于20s-100s之间。另外，对于所述静电消除装置500的设置，其可以固定在光罩载台上，在静电吸附去除缺陷之后直接进行静电去除的步骤，还可以通过额外装置设置在所述待处理光罩100的外围，如可以实现自所述待处理光罩100的基板的底部接收离子风，另外，所述静电消除装置还可以是旋转设置，即静电消除装置设置在一支架上，所述静电消除装置可以绕所述支架上的轴进行旋转，从而实现所述待处理光罩的全面静电去除。在一示例中，可以对待处理光罩交替的进行光罩表面的待清洗缺陷的吸附与静电消除的步骤，从而可以有效的保护光罩。
另外，如图6所示，本发明还提供一对比例，在该对比例中，通过人力控制头发将光罩缺陷挑起的方式或者使用高压气体将光罩缺陷移除的方式进行光罩上缺陷的移除，其中，在对比例的方案中，高压气体使用不当容易对保护薄膜(Pellicle)造成皱折或破损，人力控制头发将缺陷(defect)挑除，容易对保护薄膜造成刮痕，并且区域性的清除方法并非像全面性的清洁快速，难以有效地去除光罩上的缺陷。
综上所述，本发明提供一种光罩缺陷的清洁装置及清洁方法，所述装置用于对待处理光罩上的待清洁缺陷进行清洁，所述待清洁缺陷形成于所述待处理光罩的待处理表面上，其特征在于，所述清洁装置包括：缺陷吸附组件，所述缺陷吸附组件与所述待处理表面之间具有间距，且所述缺陷吸附组件基于静电感应吸附所述待清洁缺陷，以实现所述待处理光罩的清洁。本发明提供的光罩缺陷的清洁装置及清洁方法，使得在半导体光罩的缺陷移除过程当中，利用非破坏性的静电吸附原理与装备进行光罩缺陷的移除，从而达到光罩清洁的目的，采用本发明的方案，不仅可以实现光罩缺陷的去除，还可以在去除过程中防止光罩的保护薄膜受到皱折或破损，同时也可以防止保护薄膜受到刮伤，还可进一步实现光罩缺陷的全面性清洁，装置简便，清洁过程简捷，清洁速度快。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (17)
1.一种光罩缺陷的清洁装置，用于对待处理光罩上的待清洁缺陷进行清洁，所述待清洁缺陷形成于所述待处理光罩的待处理表面上，其特征在于，所述清洁装置包括：
缺陷吸附组件，使用所述缺陷吸附组件对所述待处理表面上的所述待清洁缺陷进行清洁时，将所述缺陷吸附组件设置成与所述待处理表面之间具有间距，且所述缺陷吸附组件基于静电感应吸附所述待清洁缺陷，以实现所述待处理光罩的清洁。
2.根据权利要求1所述的光罩缺陷的清洁装置，其特征在于，所述缺陷吸附组件包括静电吸盘，所述清洁装置还包括电源装置，其中，所述静电吸盘设置于所述待处理表面上方，所述电源装置与所述静电吸盘电连接，以使得所述静电吸盘上产生吸附电荷，所述静电吸盘基于所述吸附电荷的静电感应吸附所述待清洁缺陷。
3.根据权利要求2所述的光罩缺陷的清洁装置，其特征在于，所述待处理光罩包括保护薄膜，所述待清洁缺陷形成于所述保护薄膜上，所述保护薄膜形成有所述待清洁缺陷的表面构成所述待处理表面，其中，所述静电吸盘的形状与所述保护薄膜的形状概呈相同，所述静电吸盘的尺寸超出对应方向上所述保护薄膜尺寸的5％-10％；所述静电吸盘的材质包括金属。
4.根据权利要求3所述的光罩缺陷的清洁装置，其特征在于，所述待处理光罩还包括基板、掩膜图形以及环形边框，其中，所述掩膜图形及所述环形边框设置于所述基板表面，且所述环形边框位于所述掩膜图形外围，所述保护薄膜设置于所述环形边框远离所述基板的一侧且与所述环形边框及所述基板形成一腔体。
5.根据权利要求1所述的光罩缺陷的清洁装置，其特征在于，所述缺陷吸附组件与所述待处理表面之间的间距介于1mm-10mm之间。
6.根据权利要求1-5中任意一项所述的光罩缺陷的清洁装置，其特征在于，所述清洁装置还包括静电消除装置，以消除所述待处理光罩上的静电。
7.一种光罩缺陷的清洁方法，其特征在于，所述清洁方法包括如下步骤：
1)提供待处理光罩，且所述待处理光罩的待处理表面上形成有待清洁缺陷；以及
2)基于静电感应吸附的方式吸附所述待清洁缺陷，以实现所述待处理光罩的清洁。
8.根据权利要求7所述的光罩缺陷的清洁方法，其特征在于，步骤2)中，基于静电感应吸附的方式吸附所述待清洁缺陷具体包括步骤：
2-1)提供缺陷吸附组件，将所述缺陷吸附组件设置于所述待处理表面上方，且所述缺陷吸附组件与所述待处理表面之间具有间距；以及
2-2)运行所述缺陷吸附组件，以使所述缺陷吸附组件基于静电感应吸附的方式吸附所述待清洁缺陷。
9.根据权利要求8所述的光罩缺陷的清洁方法，其特征在于，步骤2-1)中所述缺陷吸附组件包括静电吸盘，步骤2-2)中还包括提供电源装置的步骤，其中，所述电源装置与所述静电吸盘电连接，运行所述缺陷吸附组件的方式包括：开启所述电源装置，以使所述静电吸盘上产生吸附电荷，所述静电吸盘基于所述吸附电荷的静电感应吸附所述待清洁缺陷。
10.根据权利要求9所述的光罩缺陷的清洁方法，其特征在于，所述待清洁缺陷不带电，控制所述静电吸盘产生吸附正电荷及吸附负电荷中的任意一种。
11.根据权利要求9所述的光罩缺陷的清洁方法，其特征在于，运行所述缺陷吸附组件的方式中还包括关闭所述电源装置的步骤，以在所述缺陷吸附组件运行的过程中交替的进行所述电源装置的开启与所述电源装置的关闭。
12.根据权利要求11所述的光罩缺陷的清洁方法，其特征在于，所述电源装置开启的时间介于1s-5s之间，所述电源装置关闭的时间介于1s-5s之间；所述电源装置开启的过程中，输出电压介于10v-100v之间，输出电流介于0.01mA-0.1mA之间。
13.根据权利要求9所述的光罩缺陷的清洁方法，其特征在于，所述待处理光罩包括保护薄膜，所述待清洁缺陷形成于所述保护薄膜上，所述保护薄膜形成有所述待清洁缺陷的表面构成所述待处理表面，所述静电吸盘的形状与所述保护薄膜的形状概呈相同，所述静电吸盘的尺寸超出对应方向上所述保护薄膜尺寸的5％-10％；所述静电吸盘的材质包括金属。
14.根据权利要求8所述的光罩缺陷的清洁方法，其特征在于，步骤2-1)中，所述缺陷吸附组件与所述待处理表面之间的间距介于1mm-10mm之间。
15.根据权利要求7所述的光罩缺陷的清洁方法，其特征在于，步骤1)与步骤2)之间还包括对所述待处理光罩进行静电预去除的步骤。
16.根据权利要求7-15中任意一项所述的光罩缺陷的清洁方法，其特征在于，步骤2)之后，还包括步骤：对进行所述待清洁缺陷吸附后的所述待处理光罩进行静电消除处理。
17.根据权利要求16所述的光罩缺陷的清洁方法，其特征在于，所述静电消除处理的方式包括：采用离子风装置对所述待处理光罩进行离子风吹风处理。
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