JP2915458B2 - 半導体ウェーハ洗浄装置 - Google Patents
半導体ウェーハ洗浄装置Info
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- JP2915458B2 JP2915458B2 JP33698789A JP33698789A JP2915458B2 JP 2915458 B2 JP2915458 B2 JP 2915458B2 JP 33698789 A JP33698789 A JP 33698789A JP 33698789 A JP33698789 A JP 33698789A JP 2915458 B2 JP2915458 B2 JP 2915458B2
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- Japan
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- semiconductor wafer
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- cleaned
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Description
【発明の詳細な説明】 （１）発明の目的 ［産業上の利用分野］ 本発明は、ローダから受取った半導体ウェーハを洗浄
室で回転せしめつつ洗浄水によって洗浄し乾燥したのち
アンローダに対し送出してなる半導体ウェーハ洗浄装置
に関し、特に、洗浄室の出口部に対して導電性珪素から
なる電極を配設することにより洗浄済の半導体ウェーハ
に発生された静電気を中和してなる半導体ウェーハ洗浄
装置に関するのである。
室で回転せしめつつ洗浄水によって洗浄し乾燥したのち
アンローダに対し送出してなる半導体ウェーハ洗浄装置
に関し、特に、洗浄室の出口部に対して導電性珪素から
なる電極を配設することにより洗浄済の半導体ウェーハ
に発生された静電気を中和してなる半導体ウェーハ洗浄
装置に関するのである。
［従来の技術］ 従来、この種の半導体ウェーハ洗浄装置としては、ロ
ーダから受取った半導体ウェーハを洗浄室で１枚ずつ回
転保持体に保持して回転せしめつつ洗浄水によって洗浄
し乾燥したのちアンローダに向けて送出してなるものが
提案されていた。
ーダから受取った半導体ウェーハを洗浄室で１枚ずつ回
転保持体に保持して回転せしめつつ洗浄水によって洗浄
し乾燥したのちアンローダに向けて送出してなるものが
提案されていた。
［解決すべき問題点］ しかしながら、従来の半導体ウェーハ洗浄装置では、
半導体ウェーハが回転保持体に保持された状態で回転せ
しめられつつ洗浄され乾燥されていたので、（ｉ）半導
体ウェーハに静電気が発生されてしまう欠点があり、ひ
いては（ii）洗浄室からアンローダに向けて送出された
洗浄済の半導体ウェーハにダストが付着されてしまう欠
点があり、結果的に（iii）洗浄効果を損う欠点があっ
た。
半導体ウェーハが回転保持体に保持された状態で回転せ
しめられつつ洗浄され乾燥されていたので、（ｉ）半導
体ウェーハに静電気が発生されてしまう欠点があり、ひ
いては（ii）洗浄室からアンローダに向けて送出された
洗浄済の半導体ウェーハにダストが付着されてしまう欠
点があり、結果的に（iii）洗浄効果を損う欠点があっ
た。
そこで、本発明は、これらの欠点を除去すべく、洗浄
室の出口部に対し導電性珪素からなる電極を配設して洗
浄済の半導体ウェーハに発生された静電気を中和してな
る半導体ウェーハ洗浄装置を提供せんとするものであ
る。
室の出口部に対し導電性珪素からなる電極を配設して洗
浄済の半導体ウェーハに発生された静電気を中和してな
る半導体ウェーハ洗浄装置を提供せんとするものであ
る。
（２）発明の構成 ［問題点の解決手段］ 本発明により提供される問題点の解決手段は、 「ローダから受取った半導体ウェーハを洗浄室で回転せ
しめつつ洗浄水によって洗浄し乾燥したのちアンローダ
に向けて送出してなる半導体ウェーハ洗浄装置におい
て、洗浄室の出口部に対して導電性珪素からなる電極を
配設すると共に、前記電極間に搬送ガイドを設け、前記
搬送ガイドによって移送される洗浄済の半導体ウェーハ
に発生された静電気を中和してなることを特徴とする半
導体ウェーハ洗浄装置」 である。
しめつつ洗浄水によって洗浄し乾燥したのちアンローダ
に向けて送出してなる半導体ウェーハ洗浄装置におい
て、洗浄室の出口部に対して導電性珪素からなる電極を
配設すると共に、前記電極間に搬送ガイドを設け、前記
搬送ガイドによって移送される洗浄済の半導体ウェーハ
に発生された静電気を中和してなることを特徴とする半
導体ウェーハ洗浄装置」 である。
［作用］ 本発明にかかる半導体ウェーハ洗浄装置は、上述の
［問題点の解決手段］に明示した構成を有しているの
で、 （ｉ）洗浄済の半導体ウェーハから静電気を除去する作
用 をなし、ひいては （ii）洗浄済の半導体ウェーハに対しダストが付着する
ことを防止する作用 をなし、結果的に （iii）洗浄効果をお維持する作用をなす。
［問題点の解決手段］に明示した構成を有しているの
で、 （ｉ）洗浄済の半導体ウェーハから静電気を除去する作
用 をなし、ひいては （ii）洗浄済の半導体ウェーハに対しダストが付着する
ことを防止する作用 をなし、結果的に （iii）洗浄効果をお維持する作用をなす。
（iv）また、電極として導電性珪素が用いられるため、
半導体ウェーハの金属ダストによる汚染を防止する作用
をなす。
半導体ウェーハの金属ダストによる汚染を防止する作用
をなす。
［実施例］ 次に、本発明にかかる半導体ウェーハ洗浄装置につい
て、その好ましい実施例を挙げ、添付図面を参照しつ
つ、具体的に説明する。しかしながら、以下に説明する
実施例は、本発明の理解を容易化ないし促進化するため
に記載されるものであって、本発明を限定するために記
載されるものではない。換言すれば、以下に説明される
実施例において開示される各要素は、本発明の精神なら
びに技術的範囲に属する全ての設計変更ならびに均等物
置換を含むものである。
て、その好ましい実施例を挙げ、添付図面を参照しつ
つ、具体的に説明する。しかしながら、以下に説明する
実施例は、本発明の理解を容易化ないし促進化するため
に記載されるものであって、本発明を限定するために記
載されるものではない。換言すれば、以下に説明される
実施例において開示される各要素は、本発明の精神なら
びに技術的範囲に属する全ての設計変更ならびに均等物
置換を含むものである。
（添付図面の説明） 第１図は、本発明の半導体ウェーハ洗浄装置の一実施
例を示すための構成図である。
例を示すための構成図である。
（実施例の構成） まず、第１図を参照しつつ、本発明にかかる半導体ウ
ェーハ洗浄装置の一実施例について、その構成を詳細に
説明する。
ェーハ洗浄装置の一実施例について、その構成を詳細に
説明する。
10は、本発明にかかる半導体ウェーハ洗浄装置であっ
て、半導体ウェーハ保持体11Aに対して保持されている
半導体ウェーハＭを１枚ずつ取り出し搬送ガイド11Bの
一端部に対して与えるためのローダ11と、搬送ガイド11
Bの他端部に入口部が配設されており洗浄水供給管12Aか
ら洗浄水（たとえば純水もしくは炭酸水）を供給しつつ
ローダ11から与えられた半導体ウェーハＭを回転保持体
12Bで保持して回転せしめることにより１枚ずつ洗浄し
乾燥するための洗浄室12と、洗浄室12の出口部に対し搬
送ガイド13Aを介して配設されており洗浄済の半導体ウ
ェーハＭ＊を１枚ずつ半導体ウェーハ保持体13Bに保持
せしめるためのアンローダ13と、搬送ガイド13Aの近傍
に配置されており洗浄済の半導体ウェーハＭ＊に発生さ
れた静電気を中和するための電気14とを備えてなる。
尚、第１図に示すように、搬送ガイド13Aは電極14間に
設けられ、半導体ウェーハＭ＊は搬送ガイド13Aによっ
て移送される 回転保持体12Bは、半導体ウェーハＭを真空吸着して
保持している。
て、半導体ウェーハ保持体11Aに対して保持されている
半導体ウェーハＭを１枚ずつ取り出し搬送ガイド11Bの
一端部に対して与えるためのローダ11と、搬送ガイド11
Bの他端部に入口部が配設されており洗浄水供給管12Aか
ら洗浄水（たとえば純水もしくは炭酸水）を供給しつつ
ローダ11から与えられた半導体ウェーハＭを回転保持体
12Bで保持して回転せしめることにより１枚ずつ洗浄し
乾燥するための洗浄室12と、洗浄室12の出口部に対し搬
送ガイド13Aを介して配設されており洗浄済の半導体ウ
ェーハＭ＊を１枚ずつ半導体ウェーハ保持体13Bに保持
せしめるためのアンローダ13と、搬送ガイド13Aの近傍
に配置されており洗浄済の半導体ウェーハＭ＊に発生さ
れた静電気を中和するための電気14とを備えてなる。
尚、第１図に示すように、搬送ガイド13Aは電極14間に
設けられ、半導体ウェーハＭ＊は搬送ガイド13Aによっ
て移送される 回転保持体12Bは、半導体ウェーハＭを真空吸着して
保持している。
電極14は、洗浄済の半導体ウェーハＭ＊が金属ダスト
によって汚染されることを回避するために、導電性珪素
によって形成されている。また、電極14は、適宜の電源
14Aに接続されている。
によって汚染されることを回避するために、導電性珪素
によって形成されている。また、電極14は、適宜の電源
14Aに接続されている。
（実施例の作用） 更に、第１図を参照しつつ、本発明にかかる半導体ウ
ェーハ洗浄装置の一実施例について、その作用を詳細に
説明する。
ェーハ洗浄装置の一実施例について、その作用を詳細に
説明する。
本発明にかかる半導体ウェーハ洗浄装置10では、半導
体ウェーハ保持体11Aを矢印Ａ方向に移動せしめつつ、
ローダ11によって半導体ウェーハＭが半導体ウェーハ保
持体11Aから１枚ずつ搬送ガイド11Bに与えられる。
体ウェーハ保持体11Aを矢印Ａ方向に移動せしめつつ、
ローダ11によって半導体ウェーハＭが半導体ウェーハ保
持体11Aから１枚ずつ搬送ガイド11Bに与えられる。
搬送ガイド11Bは、半導体ウェーハＭを洗浄室12に向
けて周知の要領で移送する。
けて周知の要領で移送する。
洗浄室12では、半導体ウェーハＭを回転保持体12Bで
吸着保持し矢印Ｘ方向に向けて回転しつつ、洗浄水供給
管12Aから洗浄水（たとえば純水もしくは炭酸水）を供
給することにより洗浄し乾燥する。
吸着保持し矢印Ｘ方向に向けて回転しつつ、洗浄水供給
管12Aから洗浄水（たとえば純水もしくは炭酸水）を供
給することにより洗浄し乾燥する。
洗浄室12において洗浄された半導体ウェーハＭ（以下
Ｍ＊と記す）は、搬送ガイド13Aに与えられる。このと
き、洗浄室12の出口部外側に導電性珪素からなる電極14
が配置されているので、洗浄済の半導体ウェーハＭ
＊は、静電気を除去される。このとき、電極として導電
性珪素が用いられているため、金属ダストによる半導体
ウェーハの汚染が防止される。
Ｍ＊と記す）は、搬送ガイド13Aに与えられる。このと
き、洗浄室12の出口部外側に導電性珪素からなる電極14
が配置されているので、洗浄済の半導体ウェーハＭ
＊は、静電気を除去される。このとき、電極として導電
性珪素が用いられているため、金属ダストによる半導体
ウェーハの汚染が防止される。
洗浄済の半導体ウェーハＭ＊は、そののち、搬送ガイ
ド13Aによってアンローダ13に与えられる。
ド13Aによってアンローダ13に与えられる。
アンローダ13では、半導体ウェーハ保持体13Bを矢印
Ｂ方向に移動せしめつつ、洗浄済の半導体ウェーハＭ＊
が半導体ウェーハ保持体13Bに対し１枚ずつ保持せしめ
られる。
Ｂ方向に移動せしめつつ、洗浄済の半導体ウェーハＭ＊
が半導体ウェーハ保持体13Bに対し１枚ずつ保持せしめ
られる。
（具体例） 加えて、本発明にかかる半導体ウェーア洗浄装置につ
いて、一層理解を深めるために、具体的な数値などを挙
げて説明する。
いて、一層理解を深めるために、具体的な数値などを挙
げて説明する。
実施例 導電性珪素からなる電極に対し電源から50Hzで20KVの
電圧を与えた状態で、ローダより洗浄室に対し直径が５
インチの半導体ウェーハ（ここではシリコンウェーハ）
を１枚ずつ供給し、洗浄供給管から純水を供給しつつ洗
浄し乾燥せしめたのち、搬送ガイドを介してアンローダ
に向けて送出した。半導体ウェーハは、全部で25枚洗浄
された。
電圧を与えた状態で、ローダより洗浄室に対し直径が５
インチの半導体ウェーハ（ここではシリコンウェーハ）
を１枚ずつ供給し、洗浄供給管から純水を供給しつつ洗
浄し乾燥せしめたのち、搬送ガイドを介してアンローダ
に向けて送出した。半導体ウェーハは、全部で25枚洗浄
された。
この結果、アンローダに与えられた洗浄済の半導体ウ
ェーハは、静電気の帯電圧が全て100V以下となってお
り、0.3μｍ以上の径をもつダストが平均6.2個除去され
ていた。ちなみに、洗浄済の半導体ウェーハには、金属
ダストの付着が見られなかった。
ェーハは、静電気の帯電圧が全て100V以下となってお
り、0.3μｍ以上の径をもつダストが平均6.2個除去され
ていた。ちなみに、洗浄済の半導体ウェーハには、金属
ダストの付着が見られなかった。
比較例 電極に対し電源から電圧を印加することなく、実施例
と同一の洗浄作業を反復した。
と同一の洗浄作業を反復した。
この結果、アンローダに与えられた洗浄済の半導体ウ
ェーハは、静電気の帯電圧が全て3.0〜4.0KVとなってお
り、0.3μｍ以上の径をもつダストが平均5.3個除去され
ていた。ちなみに、洗浄済の半導体ウェーハには、金属
ダストの付着が見られなかった。
ェーハは、静電気の帯電圧が全て3.0〜4.0KVとなってお
り、0.3μｍ以上の径をもつダストが平均5.3個除去され
ていた。ちなみに、洗浄済の半導体ウェーハには、金属
ダストの付着が見られなかった。
実施例と比較例との比較 実施例は、比較例に比べ、0.3μｍ以上の径をもつダ
ストを半導体ウェーハ１枚あたり平均0.9個除去でき
た。
ストを半導体ウェーハ１枚あたり平均0.9個除去でき
た。
（３）発明の効果 上述より明らかなように、本発明にかかる半導体ウェ
ーハ洗浄装置は、上述の［問題点の解決手段］に明示し
た構成を有しているので、 （ｉ）洗浄済の半導体ウェーハから静電気を除去できる
効果 を有し、ひいては （ii）洗浄済の半導体ウェーハに対しダストが付着する
ことを防止できる効果 を有し、結果的に （iii）洗浄効果を維持できる効果を有する。
ーハ洗浄装置は、上述の［問題点の解決手段］に明示し
た構成を有しているので、 （ｉ）洗浄済の半導体ウェーハから静電気を除去できる
効果 を有し、ひいては （ii）洗浄済の半導体ウェーハに対しダストが付着する
ことを防止できる効果 を有し、結果的に （iii）洗浄効果を維持できる効果を有する。
（iv）また、電極として導電性珪素が用いられているた
め、半導体ウェーハの金属ダストによる汚染を防止する
効果を有する。
め、半導体ウェーハの金属ダストによる汚染を防止する
効果を有する。
第１図は、本発明にかかる半導体ウェーハ洗浄装置の一
実施例を示すための構成図である。10 ……半導体ウェーハ洗浄装置 11……ローダ 11A……半導体ウェーハ保持体 11B……搬送ガイド 12……洗浄室 12A……洗浄水供給管 12B……回転保持体 13……アンローダ 13A……搬送ガイド 13B……半導体ウェーハ保持体 14……電極 14A……電源
実施例を示すための構成図である。10 ……半導体ウェーハ洗浄装置 11……ローダ 11A……半導体ウェーハ保持体 11B……搬送ガイド 12……洗浄室 12A……洗浄水供給管 12B……回転保持体 13……アンローダ 13A……搬送ガイド 13B……半導体ウェーハ保持体 14……電極 14A……電源
Claims (1)
- 【請求項１】ローダから受取った半導体ウェーハを洗浄
室で回転せしめつつ洗浄水によって洗浄し乾燥したのち
アンローダに向けて送出してなる半導体ウェーハ洗浄装
置において、洗浄室の出口部に対して導電性珪素からな
る電極を配設すると共に、前記電極間に搬送ガイドを設
け、前記搬送ガイドによって移送される洗浄済の半導体
ウェーハに発生された静電気を中和してなることを特徴
とする半導体ウェーハ洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33698789A JP2915458B2 (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | 半導体ウェーハ洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33698789A JP2915458B2 (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | 半導体ウェーハ洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03196626A JPH03196626A (ja) | 1991-08-28 |
| JP2915458B2 true JP2915458B2 (ja) | 1999-07-05 |
Family
ID=18304433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33698789A Expired - Fee Related JP2915458B2 (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | 半導体ウェーハ洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2915458B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0817894A (ja) * | 1994-06-27 | 1996-01-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板表面処理装置 |
| US6009890A (en) * | 1997-01-21 | 2000-01-04 | Tokyo Electron Limited | Substrate transporting and processing system |
| US6543461B2 (en) * | 1999-02-11 | 2003-04-08 | Nova Measuring Instruments Ltd. | Buffer system for a wafer handling system field of the invention |
| CN112987314A (zh) * | 2021-03-15 | 2021-06-18 | 维沃移动通信有限公司 | 智能眼镜的控制方法、装置、智能眼镜和电子设备 |
-
1989
- 1989-12-26 JP JP33698789A patent/JP2915458B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03196626A (ja) | 1991-08-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |