JPS62287638A - ウエハ保持具 - Google Patents

ウエハ保持具

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JPS62287638A
JPS62287638A JP13015886A JP13015886A JPS62287638A JP S62287638 A JPS62287638 A JP S62287638A JP 13015886 A JP13015886 A JP 13015886A JP 13015886 A JP13015886 A JP 13015886A JP S62287638 A JPS62287638 A JP S62287638A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor wafer
holder
wafer
retainer
static electricity
Prior art date
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Pending
Application number
JP13015886A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobuyuki Ishii
石井 信幸
Hideyuki Tomidokoro
富所 秀之
Kazunori Sadate
佐立 和則
Kazuyuki Umetsu
和之 梅津
Masashi Watanabe
昌志 渡辺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Microcomputer Engineering Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Microcomputer Engineering Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP13015886A priority Critical patent/JPS62287638A/ja
Publication of JPS62287638A publication Critical patent/JPS62287638A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体ウェハの移し変え等を行う際に適用し
て好適な保持具に関するものである。
発行所日経マグロウヒル社、pp179〜192)には
、ICの静電破壊についての記載がある。
その概要は、ICのパッケージに帯電した静電気がピン
等を介して放電し、ICを静電破壊することがある、と
いうものである。
しかし、不発明者等の検討によると、上記静電破壊はI
Cの製造工程においても発生することが明らかになった
本発明者等は、ICの製造工程、たとえば半導体ウェハ
の処理工程における静電破壊の発生とその低減について
検討した。以下は、公知とされた技術ではないが、本発
明者等によって検討された技術であり、その概要は下記
のとおりである。
〔発明が解決しようと−fる問題点3 丁なわち、半導体ウェハの処理工程には、半導体ウェハ
を治具に収納したまま水洗いし、次いで乾燥する工程が
ある。この水洗いは、1200/rpm糧度の回転を行
いつつ50℃〜60°C程度に加熱するものであり、リ
ンサー乾燥と呼ばれている工程である。
本発明者等の検討によると、上記乾燥中に空気との摩擦
により、半導体ウェハに7kv〜10kvもの電圧レベ
ルの静電気か帯電することか明らかになった。この帯電
を放置すると、半導体ウェハの静電破壊が発生すること
がある。
一方、半導体ウェハの処理工程においては、半導体ウェ
ハの移動、治具から治具への移し代え等の作業があり、
この作業は手作業で行われることもあり、自動的に行わ
れることもある。
ところで、上記手作業は真空ビンセットによって行われ
ることが多い。真空ビンセットは、真空の吸着力を利用
して半導体ウェハを吸着し、保持するものである。
真空ビンセットのウェハ吸着部は、金属からテフロン、
石英に代わりつつある。
金属は半導体ウェハを傷っけや丁く好ましくない。しか
し、テフロン、石英は絶縁体であって、帯電した静電気
を放電させることができない。
そこで、本発明者等は、上記ウェハ吸着部に軟性の導電
体層を形成すれば、半導体ウェハを傷つげることなく保
持することができ、しかも放電作用により静電破壌を低
減し得ることに気づいた。
本発明の目的は、半導体ウェハを安全に保持することが
できるうえに、保持動作を行いつつ半導体ウェハに帯!
する静電気を放電して静電破壊を低減し得る保持具を提
供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書および添付図面から明らかKなろであろう。
〔問題点を解決するだめの手段〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、半導体ウェハの保持具における半導体ウェハ
の吸着部に導電体層を形成し、その一端を接地するもの
である。
〔作用〕
上記した手段によれば、上記半導体ウェハ吸着部で半導
体ウェハを吸着すると同時に、半導体ウェハの表面が上
記導電体層を介して接地され、半導体ウェハに帯電した
静電気を放電して静電破壊を低減し得るうえに、半導体
ウェハを安全に保持する、という本発明の目的を達成す
ることができる。
〔実施例−1〕 以下、第1図および第2図を参照して本発明を適用した
半導体ウェハ保持具の第1実施例を説明する。なお、第
4図は半導体ウェハ保持具(以下において保持具という
)の外観を示す斜視図であり、第2図は吸着を示す側面
図である。
本実施例の特徴は、保持具自体を導電体により形成した
ことにある。
】は保持具であり、全体が導電性プラスチックで導電可
能に形成されている。
2は吸気口であり、点綴で示す通気孔3に連結している
。そしてパイプ4を介して真空ポンプに接続され、空気
を吸いこむものである。
上記吸気口2と平面部5とは、本発明でいう接触面に相
当し、この面に第2図に示すように半導体ウェハ6が接
触し、かつ空気の吸いこみによって吸着される。
ここで注目すべきは、上記保持具1がアース線接続部7
を介して接地されていることである。このため、半導体
ウェハ6を第2図のように吸着すると同時に、半導体ウ
ェハ6が保持具1を介して接地され、帯電していた静′
屯気が一挙に放電されろ。
本実施例に示す保持具は、下記のような効果を有する。
(1)  半導体ウェハを真空吸着により保持”rる保
持具を導電体によって形成し、半導体ウェハを吸着する
と同時に上記保持具を介して接地することにより、半導
体ウェハの保持と静電気の放電とを同時に行う、という
効果が得られる。
(2)上記保持具が金属ではなく、軟性の導電性プラス
チックにて形成されているので、半導体ウェハの表面に
不所望な傷をつけることがなく、製品の歩留まりが向上
する、という効果かえられる。
〔実施例−2〕 次に、第3図および第4図を参照して本発明の第2実施
例を説明する。
なお、本実施例と上記第1実施例との相違点は、上記吸
気口に板バネを設けたことにある。
第3図に示すように、吸気口2のほぼ中央部には、弾性
を有する板バネ11が一端を固定されて設けられている
。仮バネ11は、吸気口2によって半導体ウェハ6が上
記のように吸着されたとぎ、半導体ウェハ6の表面に接
触する。板バネ6の一端は、接地されているので、上記
吸着と同時に半導体ウェハ6に帯電していた静電気が板
バネ11を介して放電される。
したがって、上記同様に、半導体ウェハ6の保持作用と
静電破壊の低減とが同時に行われろことになる。
本実施例は上記同様の効果を有するうえに、下記の効果
を奏する。
(3)半導体ウェハの接地が板バネによって行われるの
で、保持具を非導電性の合成樹脂で形成することができ
、コスト低減を図ることができる。
〔実施例−3〕 次に、第5図および第6図を参照して本発明の第3実施
例を説明する。
本実施例と上記実施例との相違点は、半導体ウェハとの
接触面に点接触ともいえる接地手段を形成したことにあ
る。
保持具1の接触面5には、導電体31の一端がほぼ面一
に形成されている。上記導電体31の他端は接地されて
いる。この導電体31は、保持具1内に導電体31を一
体に設け、その先端部を研磨して半導体ウェハ6の表面
を傷つげないように配慮されている。
したがって、本実施例に示す保持具1において、半導体
ウェハ6を吸着し得ると同時に、半導体ウェハ6に帯電
していた静電気を放電することができろ。
本実施例に示した保持具は、上記各実施例と同様の効果
を奏する。
〔実施例−4〕 次に、第7図を参照して本発明の第4実施例を説明する
本実施例と上記各実施例との相違点は、自動的に半導体
ウェハな処理jる機器に本発明を通用したことにある。
ベルトコンベア41によって矢印方向に移#する半導体
ウェハ6は、オートハンドラ42上に載置される。オー
トハンドラ42は、矢印Aで示すような運動を自動的に
行うものであり、その一端は接地されている。
したがって、オートハンドラ42上に載置された半導体
ウェハ6は、治具43に収納されるまでの間において、
帯電していた静電気が放電されることになる。
なお、治具43は、半導体ウェハ6が一枚収納されろ毎
に、所定間隔上昇するように構成されている。
この結果、治具43内には、静電気が放電された半導体
ウェハ6が順次収納されることになる。
本実施例は、下記の如き効果を奏jる。
(4)半導体ウェハを自動的に移動するオートハンドラ
を接地し、このオートハンドラに接触する半導体ウェハ
を上記オートハンドラを介して接地することにより、半
導体ウェハの処理工程において自動的に半導体ウェハに
帯電していた静電気を放電する、という効果が得られろ
以上に、本発明者等によってなされた発明を実施例にも
とづき具体的に説明したが、本発明は上記に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、第1実施例
に示した保持具において、全体を接触面を導電性を有す
る皮膜によって覆うようにしてもよい。この場合、保持
具は導電性プラスチックは不要になり、コスト低減が可
能になる。
以上の説明では、主として本発明者等によってなされた
発明をその背景となった利用分野である半導体ウェハの
静電気の放電に適用した場合について説明したが、それ
に限定されるものではなく、半導体装置の製造工程に広
く利用することができる。
〔発明の効果〕
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
丁なわち、半導体ウェハを保持する保持具、或いは載置
して移動せしめるハンドラにおいて、上記半導体クエハ
の接触面を接地することにより、半導体ウェハを保持、
または移動せしめる間に半導体ウェハに帯電していた静
電気を放電することができ、半導体ウェハの所定の処理
を行いつつ静電破壊を低減するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は本発明の第1実施例を示すもので
あって、 第1図は保持具の形状を示す斜視図、 第2図は半導体ウェハの吸着を示す側面図、第3図は本
発明の第2実施例を示す保持具の側面図、 第4図は上記保持具の他の側面を示す側面図。 第5図は本発明の第3実施例を示す保持具の側面図、 第6図は上記保持具の底面図、 第7図は本発明の第4実施例を示すオートノ・ンドラの
説明図である。 1・・・保持具、2・・・吸気口、5・・・接触面、6
・・・半導体ウェハ、42・・・オートハンドラ、43
・・・治具。 代理人 弁理士  小 川 勝 男 第  1  図 第  2  図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、ウェハを保持する保持具であって、上記ウェハとの
    接触面に導電部を有することを特徴とするウェハ保持具
JP13015886A 1986-06-06 1986-06-06 ウエハ保持具 Pending JPS62287638A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13015886A JPS62287638A (ja) 1986-06-06 1986-06-06 ウエハ保持具

Applications Claiming Priority (1)

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JP13015886A JPS62287638A (ja) 1986-06-06 1986-06-06 ウエハ保持具

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62287638A true JPS62287638A (ja) 1987-12-14

Family

ID=15027381

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13015886A Pending JPS62287638A (ja) 1986-06-06 1986-06-06 ウエハ保持具

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JP (1) JPS62287638A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01268041A (ja) * 1988-04-19 1989-10-25 Shimizu Corp ウェハキャリア
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