JPH06151551A - 半導体装置の搬送方法及び搬送装置 - Google Patents

半導体装置の搬送方法及び搬送装置

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JPH06151551A
JPH06151551A JP4297006A JP29700692A JPH06151551A JP H06151551 A JPH06151551 A JP H06151551A JP 4297006 A JP4297006 A JP 4297006A JP 29700692 A JP29700692 A JP 29700692A JP H06151551 A JPH06151551 A JP H06151551A
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JP
Japan
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semiconductor device
carrying
suction pad
charge
charges
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Withdrawn
Application number
JP4297006A
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English (en)
Inventor
Koji Sugawa
幸次 須川
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Kyushu Fujitsu Electronics Ltd
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Kyushu Fujitsu Electronics Ltd
Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、半導体素子が樹脂封止された半導
体装置の搬送方法、及び搬送装置に関し、搬送中に生じ
る半導体装置の帯電を抑え、静電破壊を防止することを
目的とする。 【構成】 リード端子を外部に導出するように半導体素
子を樹脂封止してなる半導体装置の搬送方法において、
摩擦力により半導体装置1に対して正電荷を帯電させる
材料と、負電荷を帯電させる材料とを搬送部材として交
互に用いる構成とする。また、移動可能なアーム先端に
設けられる吸着パッド2により半導体装置1上面を吸着
させて、前記アーム3を移動させることで搬送を行う半
導体装置の搬送装置において、半導体装置1を吸着する
際に、該半導体装置1に対して正電荷を帯電させる材料
からなる吸着パッド2a,2cと、負電荷に帯電させる
吸着パッド2bとをそれぞれ備えた構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子が樹脂封止
された半導体装置の搬送方法、及び搬送装置に関する。
半導体装置は、近年小型化が進んでおり、これに伴って
半導体装置の静電耐量が低下している。従って、静電気
による半導体装置の破壊が起こり易くなっている。
【0002】半導体装置の製造は自動化が進み、製造工
程間の搬送も人手を要せず、自動的に行われる。例え
ば、吸着パッドを用いて半導体装置上面を吸着して移動
させたり、搬送路を搬送ピンやエアーによって搬送させ
る等の手段を用いている。このような搬送を行うと、半
導体装置に摩擦力が加わるため、半導体装置が帯電し
て、これが放電する際に破壊が生じることとなる。その
ため、搬送の際の帯電を防止することが望まれている。
【0003】
【従来の技術】従来の一般的な搬送方法を図4を参照し
ながら説明する。図4(a)は、吸着パッド12を用い
る方法であり、移動自在のアーム13先端に設けられる
吸着パッド12にて半導体装置11上面を吸着して、そ
の後アーム12を矢印のように移動させることで搬送を
行う。尚、吸着パッドは真空引きされることで半導体装
置11の吸着が可能となっている。
【0004】この吸着パッド12を用いる方法である
と、4方向にリード端子が導出するQFP(Quad Flat
Package)等にも使え汎用性がある。また図4(b)は、
傾斜する搬送レール14を半導体装置11自体の自重で
滑らせ、搬送するものである。これは搬送レールの上側
に複数の半導体装置を一列に収納するデバイスコンテナ
等を配置して、デバイスコンテナより連続的に半導体装
置を搬送するような場合に用いる。
【0005】これは搬送レール14のみで実現できるた
め、構造が簡単で小型、低コストとなる。更に図4
(c)は、水平の搬送レール24上を搬送させるもので
あり、搬送ピン16を矢印のように移動させることで半
導体装置11を強制的に搬送するものである。
【0006】また、図4(d)は、エアー噴出穴を設け
た搬送レール34上を搬送するものであり、穴からエア
ーを送ることで半導体装置11を搬送する。穴は傾斜し
て設けられており、エアーは搬送方向に斜めに送られ
る。これらの方法は、図4(b)の例とは異なり、搬送
レール上を強制的に搬送されるため搬送速度が速くな
る。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
搬送方法には、それぞれ長所があり、必要に応じて使い
わけられているが、いずれの方法も半導体装置に摩擦力
が加わり、それにより帯電が生じる。従って、従来の方
法おいては、図5に示すような除電、或いは帯電防止方
法を行っていた。
【0008】まず、図5(a)に示すように、搬送され
る半導体装置11上にイオナイザーと呼ばれる空気イオ
ン化装置15を設置することで除電を行う。これは、空
気中の窒素を正電荷、負電荷に分離するようにイオン化
して、この一方を半導体装置に帯電している電荷と結び
付けることで除電するものである。しかしながら、半導
体装置11の搬送速度が速い場合や、半導体装置の帯電
面が搬送装置の構成部材との接触面になっている場合が
多く、イオンが帯電面に到達しないことから除電効果は
十分ではなかった。また、イオナイザー15による除電
時間は、半導体装置11に溜まった電荷がリード端子か
ら低抵抗物質に放電する時間よりも長いため、除電され
る前に放電して結局半導体装置11が静電破壊してしま
う。
【0009】また、図5(b)に示す如く、半導体装置
11と接触する吸着パッド22の径を最小限に抑えた
り、図5(c)に示す如く、半導体装置との接触する部
分を小さくした構造の搬送レール44を用いることで、
帯電面積を小さくして帯電を抑える方法もとられてい
る。図6は、従来の帯電防止効果を示すグラフである。
【0010】図6(a)は、通常の吸着パッドの径R1
に対してR1 /2にした場合の帯電量の比較例であり、
図6(b)は接触面積がS1 の通常の搬送レールに対し
て接触面積をS1 /4とした搬送レールを用いた場合の
帯電量の比較例を示すものである。図5(b)(c)の
ような手段をとれば、図6(a)(b)に示す如くその
帯電量は確かに少なくなる。しかしながら、これらの方
法は半導体装置11の重さや形状により接触面積を小さ
くできない場合等、限界があると共に、搬送回数が多く
なったり、搬送距離が長くなれば小さな接触面積であっ
ても図6(a)(b)でも明らかなように帯電量は徐々
に増えていき、結局大きなものとなる。
【0011】本発明では、以上の課題を解決することを
目的としている。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明の半導体装置の製造方法は、リード端子を外部に導出
するように半導体素子を樹脂封止してなる半導体装置の
搬送方法において、摩擦力により半導体装置1に対して
正電荷を帯電させる材料と、負電荷を帯電させる材料と
を搬送部材として交互に用いることを特徴とする。
【0013】また移動自在なアーム3先端に設けられる
吸着パッド2により半導体装置上面を吸着させて、前記
アーム3を移動させることで搬送を行う半導体装置の搬
送装置において、半導体装置1を吸着する際に、該半導
体装置1に対して正電荷を帯電させる材料からなる吸着
パッド2a,2cと、負電荷に帯電させる吸着パッド2
bをそれぞれ備えていることを特徴とする。
【0014】
【作用】上記の如き本発明によると、搬送装置側の半導
体装置に接触する部分が、半導体装置に正電荷を帯電す
る材料と負電荷に帯電する材料により成され交互に接触
するため、半導体装置の搬送を繰り返しても、互いに打
ち消し合って帯電量が0V付近から離れないようにな
る。
【0015】従って、半導体装置は帯電されることがな
いため、除電の必要もなく静電破壊も起こらない。
【0016】
【実施例】以下に、本発明の半導体装置の搬送につい
て、図面を参照しながら詳細に説明する。図1は、本発
明の第一実施例を説明するための斜視図であり、1は搬
送物である半導体装置、2a〜2cは吸着パッド、3は
アーム、4a〜4cは各処理を施すために半導体装置1
を収容する凹部である。
【0017】半導体素子を樹脂パッケージにて封止する
ことで完成された半導体装置1は、捺印、試験等の最終
処理を行い出荷されることとなる。本実施例ではこのよ
うな処理の際の半導体装置1の搬送に係るものであり、
例えば、リード端子の切断及び整形工程、捺印工程、試
験工程といった各工程間の搬送を行うものである。上記
各工程は一連の装置内にて行われ、ローダより供給され
た半導体装置1が各工程を経てアンローダより導出され
る。
【0018】図1において、図示しないローダより半導
体装置1がまずリード端子の切断及び整形工程へと搬送
されて凹部3aに収容された後、リード端子の不要部分
の切断及び整形がなされる。そして第1の吸着パッド2
aにより吸着され次の捺印工程へと搬送される。第1の
吸着パッド2aは、半導体装置1のパッケージの材料で
あるエポキシ樹脂に対してその摩擦力により正電荷を帯
電させるようなシリコンゴムからなっている。
【0019】凹部3bに収容されて捺印処理がなされた
半導体装置1は、第2の吸着パッド2bにより吸着され
て矢印で示すように吸着パッドを移動させることで、次
工程である試験工程へと搬送される。この第2の吸着パ
ッド2bは、エポキシ樹脂に対してその摩擦力により負
電荷を帯電させるニトリルブタジエンゴム(NBR)か
らなっている。
【0020】その後、試験された半導体装置1は、第1
の吸着パッド2aと同様なシリコンからなる第3の吸着
パッド2cにより図示しないアンローダへと搬送される
ことになる。このように、半導体装置1と接触する吸着
パッドを交互に用いることにより、図2に示すように正
電荷と負電荷が互いに打ち消し合って、半導体装置1に
対して帯電が生じないこととなる。
【0021】図2(a)は、半導体装置のパッケージに
対して正電荷、負電荷とも僅かしか帯電しない材料を選
択した理想的な例を示したものである。しかしながら、
実際には耐熱性、耐薬品性等を考慮する必要があり、本
実施例の場合には、図2(b)に示すようなものとな
る。即ち、耐熱性及び耐薬品性等に優れたシリコンゴ
ム、NBRを用いた場合には、それぞれの帯電量が多く
なるため交互に使っても完全に0V付近にすることはで
きない。特に負電荷の帯電を起こすNBRはその帯電量
が多くなるため、吸着回数が多くなる場合には正電荷を
帯電させるシリコンゴムからなる吸着パッドの使用回数
を増やす必要がある。
【0022】図2(b)のグラフ上部分に示すアルファ
ベットはSがシリコンゴム、NがNBRを用いたことを
意味しており、例えば、図1の各工程の後、更に搬送さ
せる必要が有る場合には、NBRからなる吸着パッドを
1回使用した後は、シリコンからなる吸着パッドを3回
使用すると帯電量を0V付近にすることができる。更
に、図示はしないが、帯電量を減らすための手段を併用
すれば、帯電量をより0V付近にすることができる。
【0023】例えば、従来の技術でも説明したイオナイ
ザーを使って除電しながらの搬送を行ったり、また高
温、高湿度の下で搬送を行うと良い。即ち、半導体装置
又は吸着パッドが高温、或いは湿気の多い状態となる
と、電気抵抗が小さくなり、これにより帯電量が減るこ
ととなる。次に、本発明を搬送レール上の搬送に適用し
た第二実施例を図3により説明する。
【0024】図3は、搬送ピン6により半導体装置1を
矢印のように押すことで搬送レール5に沿って搬送させ
るものである。この場合、半導体装置1のパッケージの
下面と搬送レール5表面とが摩擦して帯電が生じること
になる。そのため、搬送レール5の材料を正電荷を帯電
させるものと、負電荷を帯電させるもので構成する必要
がある。
【0025】半導体装置1のパッケージはやはりエポキ
シ樹脂からなっており、これに対して正電荷を帯電させ
る導電性塩化ビニルや、表面を酸化させてフッ素樹脂コ
ーティングを行ったアルミニウムにて搬送レール5a、
5cの部分を構成する。そして搬送レール5aと5cと
の間に位置する搬送レール5bの部分を負電荷を帯電さ
せるクロックメッキを施した超鋼にて構成する。
【0026】この場合、搬送レール5a、5b、5cの
長さは、帯電量の関係からそれぞれl、3l、lとして
ある。本実施例では、搬送ピン6を用いる例を示した
が、自重降下によるもの、エアー吹きつけによるものに
おいても、同様な搬送レールで帯電量を0V付近にする
ことができる。
【0027】第一実施例、第二実施例において、半導体
装置1のパッケージをエポキシ樹脂として、これと接触
する搬送材料としてシリコンゴムとNBR、或いは導電
性塩化ビニルとクロックメッキした超鋼等を用いたが、
本発明は半導体装置1のパッケージに用いる材料に対し
て、正電荷を帯電するものと負電荷を帯電するものとを
所定の搬送回数、搬送距離毎に使い分けるものであり、
材料は諸特性を考慮して適宜選択すればよいため、実施
例に限定されるものではない。
【0028】
【効果】本発明の搬送方法、搬送装置によれば、搬送装
置側の半導体装置に接触する部分が、半導体装置を正電
荷に帯電させる材料と負電荷を帯電させる材料により成
され交互に接触するため、半導体装置の搬送を繰り返し
ても、互いに打ち消し合って帯電量が0V付近から離れ
ないようになる。従って、半導体装置に帯電される帯電
量が大きくなることはないため、小型で静電耐量の小さ
い半導体装置であっても静電破壊が生じない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一実施例を説明するための斜視図で
ある。
【図2】本発明の帯電防止効果を示すグラフである。
【図3】本発明の第二実施例を説明するための斜視図で
ある。
【図4】従来の搬送方法を説明するための斜視図であ
る。
【図5】従来の帯電防止方法を説明するための図であ
る。
【図6】従来の帯電防止効果を示すグラフである。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 リード端子を外部に導出するように半導
    体素子を樹脂封止してなる半導体装置(1)の搬送方法
    において、 摩擦力により半導体装置(1)に対して正電荷を帯電さ
    せる材料と、負電荷を帯電させる材料とを搬送部材とし
    て交互に用いることを特徴とする半導体装置の搬送方
    法。
  2. 【請求項2】 吸着パッドにより前記半導体装置(1)
    を搬送する方法であり、摩擦力により半導体装置に正電
    荷を帯電させる材料を用いた吸着パッド(2a、2c)
    と、負電荷を帯電させる材料を用いた吸着パッド(2
    b)を所定の搬送回数毎に用いることを特徴とする請求
    項1記載の半導体装置の搬送方法。
  3. 【請求項3】 半導体装置(1)を搬送レール上を滑ら
    せることで搬送させる半導体装置の搬送方法であり、半
    導体装置(1)に正電荷を帯電させる材料と負電荷を帯
    電させる材料とを所定長さ毎に、交互に並べた搬送レー
    ル(5)上を滑らせることを特徴とする請求項1記載の
    半導体装置の搬送方法。
  4. 【請求項4】 移動自在なアーム(3)先端に設けられ
    る吸着パッド(2)により半導体装置(1)上面を吸着
    させて、前記アーム(3)を移動させることで搬送を行
    う半導体装置の搬送装置において、 半導体装置を吸着する際に、該半導体装置(1)に対し
    て正電荷を帯電させる材料からなる吸着パッド(2a,
    2c)と、負電荷に帯電させる吸着パッド(2b)をそ
    れぞれ備えていることを特徴とする半導体装置の搬送装
    置。
  5. 【請求項5】 搬送レール上を半導体装置の自重、或い
    は搬送ピン等で押すことで滑らせて半導体装置の搬送を
    行う半導体装置の搬送装置において、 摩擦力により半導体装置(1)に正電荷を帯電させる材
    料と負電荷を帯電させる材料とを所定長さ毎に、交互に
    並べた搬送レール(5)を有することを特徴とする半導
    体装置の搬送装置。
JP4297006A 1992-11-06 1992-11-06 半導体装置の搬送方法及び搬送装置 Withdrawn JPH06151551A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106903978A (zh) * 2017-02-21 2017-06-30 深圳市华星光电技术有限公司 转印模板及微发光二极管的转印装置
US10211363B2 (en) 2017-02-21 2019-02-19 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd Transfer printing template and transfer printing device of micro light-emitting diode

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