JPH0577931A - 半導体装置の搬送装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体装置搬送経路での半導体装置封止樹脂
部の帯電を抑え，半導体装置の静電破壊を防ぐことの出
来る半導体装置の搬送装置を提供する事を目的とする。 【構成】 半導体装置１を搬送レール６を含む搬送経路
１２を介して搬送するに際し、該搬送経路１２中を搬送
される当該半導体装置１に対して、当該半導体装置１を
搬送経路１２に沿って移動させる機能と該半導体装置１
を該搬送経路１２から浮上させる機能とを有する流体５
を当該半導体装置１に当接させる流体当接手段１５が設
けられている半導体装置の搬送装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は，半導体装置の搬送装置
に関し，特に，外部リード切断／整形以後の半導体装置
の搬送装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置は，年々，微細化が進行して
おり，それに伴って，半導体装置の静電耐圧も低下して
いる。従って，半導体装置製造時の静電気による半導体
装置の内部破壊いわゆる静電破壊が問題になっている。
また，半導体装置の製造は自動化が進んでおり，近年，
特に，半導体製造装置による静電破壊が問題となってい
る。その破壊原因は，半導体製造装置の搬送経路での半
導体装置封止樹脂部の帯電であることが多いため，半導
体製造装置の搬送経路での静電破壊防止対策を行う必要
がある。

【０００３】つまり、半導体装置の製造工程に於いて
は、作業者が該半導体装置に接触することによって、当
該作業者の持っている静電気が、当該半導体装置に放電
される場合や、該半導体装置がマニュアルもしくは自動
機器により、搬送されている間に、搬送経路の部材と該
半導体装置とが摩擦接触する事により半導体装置内部に
かなりの量の静電気が溜まる事が知られている。

【０００４】係る静電気の量は、一般的な場合でも１０
０Ｖ以上、場合によっては４００乃至１０００Ｖもの電
圧が帯電する場合もある。係る多量の静電気の溜まった
半導体装置の外部リードが、一旦、搬送中に金属等の導
電性物体に接触すると、該半導体装置内に帯電していた
該静電気は、一挙に放電する為、ＩＣ等の集積回路から
構成されている半導体装置は、確実に破壊されてしま
い、不良品として処分されている。

【０００５】処で、従来に於ける該半導体装置の水平方
向への搬送方法を説明すると，一般的に，図７に示す３
種類に大別される。図７（ａ）は，半導体装置１を金属
や樹脂製の搬送用のピン２などを用いて，機械的に搬送
する方法である（所謂メカ搬送と称せられるものであ
る）。又、図７（ｂ）は，ゴムや金属製のバキュームパ
ッド３を用い，半導体装置１を吸引して搬送する方法で
ある（所謂バキュームパッド搬送と称せられるものであ
る）。

【０００６】更に、図７（ｃ）は，圧縮空気や送風機な
どを用い，流体吹き出し口４から勢いよく吹き出す流体
５の風圧によって，半導体装置１を搬送する方法である
（所謂エアー搬送と称せられるものである）。上記３種
類の搬送方法の中で，半導体装置を帯電させにくい搬送
方法は，図１０に示すとおり，（ｂ）のバキュームパッ
ド搬送法である。

【０００７】係るバキュームパッド搬送法では，搬送距
離の大小に関わらず，一定量しか，半導体装置を帯電さ
せないため，搬送距離が長い場合，半導体装置の帯電／
静電破壊防止には有利である。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかし，同搬送方法
は，搬送時間がかかったり、該半導体装置の吸着ミスや
落下が発生したり、又該半導体装置と搬送装置との間に
於いて、絶えず位置合わせ作業を行う事が必要であった
りする為、半導体装置の搬送処理能力を著しく低下させ
てしまうと言う問題が存在している。

【０００９】そのため，係るメカ搬送法に比べ半導体装
置を帯電させにくいエアー搬送で，何らかの帯電／静電
破壊防止対策をとる必要があるとの要請が高まってい
る。一方、従来の半導体製造装置搬送経路での静電破壊
防止対策の一貫として，一般的に，イオナイザーと呼ば
れる空気イオン化装置１０を併用して，半導体装置の搬
送経路での半導体装置封止樹脂部の帯電を除電してい
た。ところが，半導体製造装置の搬送スピードが速いこ
とや，図８（ａ）に示すように，半導体装置封止樹脂部
の帯電９は，半導体装置搬送経路と半導体装置封止樹脂
部との摩擦などによって起こるので，その帯電部分９が
半導体装置搬送経路と半導体装置との接触面となってい
ることが多く，図８（ｂ）に示す様に、イオン化された
空気が当接する該半導体装置の表面部分の帯電電荷は除
去されるが、特に該半導体装置の反対面は、該イオン化
された空気が該帯電面９に到達しにくい状態にあること
により，半導体装置の搬送経路にイオナイザーを用いて
も，半導体装置の封止樹脂部帯電面が十分に除電されな
いことが多い状態で有った。

【００１０】尚、従来からの知見では、図８（ａ）に示
す様に、当該半導体装置の該空気イオン化装置１０と対
向している面の帯電電荷は、該イオン化された空気が当
接する該半導体装置の表面部分の静電気電荷は除去され
るが、当該半導体装置の周縁部、即ちエッジ部に存在す
る電荷は、該イオン化された空気に当接しえないので完
全には除電されていない。 従って、当該半導体装置
における該周縁部に残存している該帯電電荷は、半導体
装置の内部回路を破壊してしまう。

【００１１】従って，半導体装置の搬送経路にイオナイ
ザーを用いた場合でも半導体装置の封止樹脂部帯電面が
十分に除電されず帯電したまま搬送されるため，外部リ
ードが金属等の低抵抗物質と接近／接触する際に放電
し，半導体装置が静電破壊してしまうといった問題を生
じていた。また，イオナイザーの効果は，直視できない
ため，保守／管理が難しいといった問題点もある。

【００１２】本発明の目的は、上記した従来技術の欠点
を改良し、半導体装置における搬送方法の改善により，
半導体装置搬送経路での半導体装置封止樹脂部の帯電を
抑え，半導体装置の静電破壊を防ぐことの出来る半導体
装置の搬送装置を提供する事を目的とする。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記した目的
を達成するため、以下に記載されたような技術構成を採
用するものである。即ち、半導体装置を搬送レールを含
む搬送経路を介して搬送するに際し、該搬送経路中を搬
送される当該半導体装置に対して、当該半導体装置を搬
送経路に沿って移動させる機能と該半導体装置を該搬送
経路から浮上させる機能とを有する流体を当該半導体装
置に当接させる流体当接手段が設けられている半導体装
置の搬送装置である。

【００１４】

【作用】本発明では，図１の如く，半導体装置の搬送装
置の一例である搬送レール６内の搬送通路１１を搬送さ
れる半導体装置１に空気等の流体５を半導体装置１に吹
き当て当接することによって，半導体装置１を該搬送レ
ール６の底面部から浮き上がらせ、当該半導体装置１と
該搬送レール６の底面部との摩擦が軽減されるようにな
り，半導体装置１の帯電を抑えることができ，且つ半導
体装置１の静電気による内部破壊を防ぐことが可能とな
る。

【００１５】

【実施例】以下に、本発明に係る半導体装置の搬送装置
の具体例を図面を参照しながら詳細に説明する。図１
は，本発明の原理説明図である。図中，半導体装置１を
搬送レール６を含む搬送経路１２を介して搬送するに際
し、該搬送経路１２中を搬送される当該半導体装置１に
対して、当該半導体装置１を搬送経路１２に沿って移動
させる機能と該半導体装置１を該搬送経路１２から浮上
させる機能とを有する流体５を当該半導体装置１に当接
させる流体当接手段１５と流体吹き出し口４とが設けら
れている半導体装置の搬送装置である。

【００１６】即ち、本発明に係る半導体装置の搬送装置
に於いては、従来の半導体装置の搬送装置が、図９に示
す様に、半導体装置１を搬送方向に搬送しやすく，流体
５に無駄のないよう効率的に，搬送方向と反対側の半導
体装置１の側面の中央に目掛けて流体５を吹き当ててい
たが，本発明では，図１の如く，半導体装置１に浮力と
搬送力が働くよう，流体５を半導体装置１に吹き当てる
ことによって，半導体装置１と搬送レール６との摩擦が
軽減するようにしているものである。

【００１７】本発明に於ける該半導体装置の搬送装置に
於いて、該流体当接手段は、該半導体装置を搬送経路に
沿って移動させる機能を有する流体を吹き出す手段と、
該半導体装置を該搬送経路から浮上させる機能とを有す
る流体を吹き出す手段とが独立に形成されているもので
有っても良く、又該両機能が一つの手段で発揮される様
に構成されたもので有っても良い。

【００１８】該後者の例としては、該流体当接手段は、
該搬送経路の該半導体装置が搬送される通路の軸方向に
対して、所定の角度を以て傾斜した中心軸を持った流体
吹き出しノズルが設けられている様にしたもので有って
も良い。又、本発明に於ける該半導体装置の搬送装置に
於いて、該流体当接手段における該半導体装置を搬送経
路に沿って移動させる機能を有する流体を吹き出す手段
から、独立して構成される手段、即ち、該半導体装置を
該搬送経路から浮上させる流体を吹き出す手段とては、
当該搬送経路の搬送通路の底面に複数個の流体吹き出し
口を設け、該複数個の流体吹き出し口から、所定の流量
の流体を吹き出す様に構成するもので有っても良い。

【００１９】更に、本発明に於ける該半導体装置の搬送
装置に於いては、該搬送経路の搬送通路の底面に設けら
れた複数個の流体吹き出し口から構成される該流体を吹
き出し手段と組み合わせて使用される、該半導体装置を
搬送経路に沿って移動させる機能を有する流体を吹き出
す手段としては、当該搬送経路の搬送通路の中心軸と平
行に当該流体を吹き出す吹き出し口を含む流体吹き出し
手段で構成されるもので有っても良い。

【００２０】又、本発明に於ける該半導体装置の搬送装
置に於いては、該半導体装置を該搬送経路１２の搬送レ
ール６内に形成された搬送通路１１を搬送するに際し、
該半導体装置１と該搬送通路１１内面との摩擦接触を少
なくする為に、該搬送通路の内部底面１３に該搬送通路
の軸方向に沿って少なくとも一本の凸状筋線体７が設け
られている事が好ましく、更には、該凸状筋線体７が２
本互いに平行に配列されているものが好ましい。

【００２１】又、本発明に於ける該半導体装置の搬送装
置に於いては、かくして形成された２本の凸状筋線体の
間に形成された空間部１４に該流体当接手段である流体
吹き出し口４、４’、４”等を配置させる事も好まし
い。本発明に係る該半導体装置の搬送装置に於いては、
該搬送経路に沿って、イオナイザーの様な流体のイオン
化装置が付加されていても良く、かかるイオン化装置と
の併用によって、帯電量をより効果的に減少させる事が
可能となる。

【００２２】即ち、該流体５に，イオナイザー等でイオ
ン化された空気を用いることにより，半導体装置１に浮
力が働き半導体装置１が帯電しにくくなっている上に，
更に，僅かに帯電したものまで除電可能となる。本発明
に於いて使用される流体としては、特に限定されるもの
ではないが、例えば、空気、不活性ガス等から選択され
た一つの流体が使用されるものである。

【００２３】又、当該流体は、イオン化された流体を用
いるものであっても良い。一方、半導体装置を構成して
いる封止材料、例えばエポキシ樹脂等は、周辺温度が高
い程、抵抗が低下する為、帯電量が少なくなる傾向があ
るので、本発明に於いて使用される該流体の温度は高い
ものである事が好ましい。即ち、該流体５に，ヒーター
等で熱せられた高温の流体を用いることにより，半導体
装置１の封止樹脂の表面抵抗が下がり，半導体装置１に
浮力が働き半導体装置１が帯電しにくくなっている上
に，更に，帯電量の減衰が速くなるために，半導体装置
１の帯電が抑えられ，半導体装置１の帯電／静電破壊防
止効果が高まる。

【００２４】又、本発明に於ける該半導体装置の搬送装
置に於いては、ヒーター等を用いて搬送経路１２を加熱
する事によっても、流体５及び半導体装置が加熱される
為、同様の効果が得られる。該温度は、半導体装置の外
部リードが半田メッキされている場合、常温以上１８０
℃迄である事が好ましい。

【００２５】なぜなら、その場合、流体の加熱温度が１
８０℃程度を越えると、はんだメッキの劣化が発生する
ため好ましくない。又、本発明に係る当該流体は、湿気
を含んでいる事が好ましい。これは、該流体が適度の湿
気を含んでいると、摩擦帯電量が少なくなる傾向がある
からである。

【００２６】つまり、該流体５に，加湿器等で湿った湿
潤な空気を用いることにより，半導体装置１の封止樹脂
の表面抵抗が下がり，水分の影響で半導体装置１の封止
樹脂が摩擦帯電しにくくなることにより，半導体装置１
に浮力が働き半導体装置１が帯電しにくくなっている上
に，更に，帯電しにくく，帯電量の減衰が速くなるため
に，半導体装置１の帯電が抑えられ，半導体装置１の帯
電／静電破壊防止効果が高まる。

【００２７】本発明に係る半導体装置の搬送装置に於け
る該搬送経路を構成する搬送レール６の内面部を構成す
る材料は、前記搬送レールに帯電列を考慮した材質を用
いることが好ましく、例えば、当該搬送経路内に設けら
れた該凸状筋線体は、搬送される該半導体装置を構成す
る材質と、帯電列が同じか若しくは近接した材質で構成
されたものである事が好ましい。

【００２８】即ち、該搬送レール６に，帯電列を考慮し
た半導体装置１の封止樹脂部を帯電させにくい材料を用
いることにより，半導体装置１に浮力が働き半導体装置
１が帯電しにくくなっている上に，更に，半導体装置１
が帯電しにくくなるため，半導体装置１の帯電／静電破
壊防止効果が高まる。本発明に係る画素１の搬送装置に
於ける該搬送経路を構成する搬送レール６の内、少なく
とも、半導体装置１の外部リードの接触／接近する部分
を構成する材料は、高抵抗で、しかも非帯電性の材料を
用いることが好ましい。

【００２９】その材料の最適な抵抗値は、材質や半導体
装置１の静電耐圧、搬送装置による半導体装置１の帯電
量にもよるが、例えば、１０⁵ 〜１０¹⁰〔Ω〕程度であ
る。即ち、該搬送レール６の内、少なくとも半導体装置
１の外部リードの接触／接近する部分を構成する材料
を、高抵抗で、しかも非帯電性の材料を用いることによ
り、半導体装置１に浮力が働き、半導体装置１が帯電し
にくくなっている上に、更に、半導体装置１に溜まった
静電気がその外部リードから搬送レール６への放電を緩
和する為、半導体装置１の静電破壊防止効果が高まる。

【００３０】又、半導体装置１の搬送先であるトレー、
マガジン・・・等の半導体装置１の収納物の材料に、高
抵抗で、しかも非帯電性の材料を用いる事によっても、
同様の効果が得られる。処で図２は、本発明の第１の具
体例の構成図であり，同一の流体吹き出し口４で半導体
装置１の搬送と半導体装置１に浮力の付与を行えるよう
に構成した流体当接手段１５の例を示すもので有って、
流体吹き出し口４を搬送レール６の下面１３に設けたも
のである。流体吹き出し口４を流体５が半導体装置１の
搬送方向と反対側の面の下側に吹き当たるように，搬送
レール６の下面に設ければ，半導体装置１に浮力が働
き，半導体装置１が、該搬送経路の部材と接触が少なく
なるので、半導体装置１の静電破壊を防ぐことができ
る。

【００３１】図３は，本発明の第２の具体例の構成図で
あり，同一の流体吹き出し口４’で半導体装置１の搬送
と半導体装置１に浮力の付与を行えるように構成した流
体当接手段１５の例を示すもので有って、流体吹き出し
口４’を搬送レール６の上面に設けたものである。この
場合も，流体吹き出し口４’を流体５が半導体装置１の
搬送方向と反対側の面の下側に吹き当たるように，搬送
レール６の上面に設ければ，半導体装置１に浮力が働
き，半導体装置１の静電破壊を防ぐことができる。

【００３２】図４は，本発明の第３の具体例の構成図で
あり，半導体装置１の搬送用流体当接手段１５とは別
に，半導体装置１への浮力付与専用の流体吹き出し口
４”を搬送レール６の下面１３に設けたものである。浮
力付与専用の流体吹き出し口４”を流体５”が半導体装
置１の裏面に吹き当たるように搬送レール６下面１３に
設ければ，半導体装置１に浮力が働き，半導体装置１の
静電破壊を防ぐことができる。

【００３３】図５は，図２乃至図４の実施例の搬送レー
ルの断面形状の一例をしめしたものであり、半導体装置
１の搬送用流体当接手段１５とは別に，半導体装置１へ
の浮力付与専用の流体吹き出し口４”を搬送レール６の
下面１３に設けたものである。浮力付与専用の流体吹き
出し口４”を流体５”が半導体装置１裏面に吹き当たる
ように搬送レール６下面１３に設ければ，半導体装置１
に浮力が働き，半導体装置１の静電破壊を防ぐことがで
きる。

【００３４】又、本具体例では、該半導体装置１と該搬
送通路１１内面との摩擦接触を少なくする為に、該搬送
通路の内部底面１３に該搬送通路の軸方向に沿って２本
の凸状筋線体７が設けられているものであり、２本の凸
状筋線体の間に形成された空間部１４に該流体当接手段
である流体吹き出し口４、４’、４”等を配置されてい
るものである。

【００３５】上述の実施例での流体吹き出し口４の数・
方向・位置、大きさ、形状等は特に限定されるものでは
なく、半導体装置１に少しでも浮力が働けばよく，半導
体装置１と搬送レール６との摩擦が少しでも軽減される
様に構成されたものであればよい。本発明に係る該半導
体装置の搬送装置の搬送経路１２を構成する搬送レール
の断面形状の一例を図６（第５の具体例）に示してある
が、本発明における該搬送経路１２の搬送通路１１を形
成する搬送レールの断面形状は、特に特定されるもので
はなく、該半導体装置の形状、重量、材質等に応じて適
宜の形状のものを選択的に使用することが可能である。

【００３６】該搬送経路１２の軸方向の長さは、例えば
３０ｃｍで有っても良く、本発明に於いて使用される流
体の圧力、吹き出し量、温度、湿度、吹き出し角度等
は、該半導体装置の形状、重量、材質等、更には、該搬
送経路１２の軸方向の所定の長さを該半導体装置が通過
するに必要な時間とを勘案して適宜決定する事が出来
る。

【００３７】本発明に於いては、上記の全ての実施例
は，その一部若しくは全部を組み合わせて，半導体製造
装置の搬送経路の静電気対策に用いてもよく，係る組み
合わせによって，更に，より高い帯電／静電破壊防止効
果が期待できる。図１１に本発明に係る半導体装置の搬
送装置に於いて、イオナイザーを併用した場合としない
場合の帯電量の低減効果を示すグラフを示す。

【００３８】図１１によると、本発明に於いてイオナイ
ザーを併用した場合には、イオナイザーを併用しない場
合に比べてかなりの効果がある事が判明した。図１２
は、本発明に係る該半導体装置１の搬送装置に於いて、
該搬送経路１２及び該流体（空気）を加熱して、半導体
装置１を加熱した場合の半導体装置１の帯電量の低減効
果を示すグラフであり、常温（２５℃）に比べてかなり
の効果がある事が判明した。

【００３９】図１３は、本発明に係る該半導体装置１に
於いて、該流体（空気）５を加湿した場合の半導体装置
１の帯電量の低減効果を示すグラフであり、湿度を高く
する事によって、かなりの効果がある事が判明した。図
１４は、本発明に係る該半導体装置１の搬送装置に於け
る搬送レール６の内面部を構成する材料に帯電列を考慮
した材料を用いた場合の半導体装置１の帯電量の低減効
果を示すグラフであり、帯電列を考慮した材料Ｂ，Ｃ，
はＡに比べてかなりの効果がある事が判明した。

【００４０】図１５は、本発明に係る該半導体装置１の
内面部の内、半導体装置１の外部リードと接触／接近す
る部分を構成する材料に、高抵抗の非帯電性材料を用い
た場合の半導体装置１の不良率の低減効果を示すグラフ
であり、高抵抗の非帯電性材料Ｅ，ＦはＤに比べてかな
りの効果がある事が判明した。又図１６は、本発明に係
る実施例で断面形状が第１実施例及び第２実施例に示す
半導体装置の搬送装置と従来の半導体装置の搬送装置に
於ける帯電量の低減効果を示すグラフであり、本発明の
搬送装置が従来のものに比べて大幅に帯電量が低減する
事が判明した。

【００４１】

【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
半導体装置の搬送装置での半導体装置の静電破壊を防止
できるため，半導体製造工程での歩留り向上，品質向上
に寄与するところが大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は本発明の原理を説明する図である。

【図２】図２は本発明による第１実施例を示す図であ
る。

【図３】図３は本発明による第２実施例を示す図であ
る。

【図４】図４は本発明による第３実施例を示す図であ
る。

【図５】図５は本発明による第１実施例及び第３実施例
の断面形状の第１の態様を示す図である。

【図６】図６は本発明による第１実施例及び第３実施例
の断面形状の第２の態様を示す図である。

【図７】図７は従来例である主な搬送方法を説明する図
である。

【図８】図８は従来例であるイオナイザーによる半導体
装置の除電の様子を表す図である。

【図９】図９は従来のエアー搬送方法を示す図である。

【図１０】図１０は搬送方法別の半導体装置の帯電量の
データを示す図である。

【図１１】図１１はイオナイザーの効果を示す図であ
る。

【図１２】図１２は半導体装置を高温に加熱した場合の
効果を示す図である。

【図１３】図１３は流体に湿気を含んだ空気を用いた場
合の効果を示す図である。

【図１４】図１４は、搬送レール内面部を構成する材料
に、帯電列を考慮した材料を用いた場合の効果を示す図
である。

【図１５】図１５は、搬送レール上で、半導体装置１の
外部リードと接触／接近する部分を構成する材料に、高
抵抗の非帯電性材料を用いた場合の効果を示す図であ
る。

【図１６】図１６は本発明の効果を示す図である。

【符号の説明】

１…半導体装置 ２…搬送ピン ３…バキュームパッド ４…流体吹き出し口 ５…流体 ６…搬送レール ７…凸状筋線体 ９…帯電電荷（帯電面） １０…イオン化装置（イオナイザー） １１…搬送通路 １２…搬送経路 １３…搬送通路内部底面（搬送レール下面） １４…空間部 １５…流体当接手段

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体装置を搬送レールを含む搬送経路
   を介して搬送するに際し、該搬送経路中を搬送される当
   該半導体装置に対して、当該半導体装置を搬送経路に沿
   って移動させる機能と該半導体装置を該搬送経路から浮
   上させる機能とを有する流体を当該半導体装置に当接さ
   せる流体当接手段が設けられている事を特徴とする半導
   体装置の搬送装置。
2. 【請求項２】 該流体当接手段は、該半導体装置を搬送
   経路に沿って移動させる機能を有する流体を吹き出す手
   段と、該半導体装置を該搬送経路から浮上させる機能と
   を有する流体を吹き出す手段とから構成されている事を
   特徴とする請求項１記載の半導体装置の搬送装置。
3. 【請求項３】 該流体当接手段は、該搬送経路の該半導
   体装置が搬送される通路の軸方向に対して、所定の角度
   を以て傾斜した中心軸を持った流体吹き出し口が設けら
   れている事を特徴とする請求項１乃至２記載の半導体装
   置の搬送装置。
4. 【請求項４】 該流体当接手段における該半導体装置を
   該搬送経路から浮上させる機能を有する流体を吹き出す
   手段は、当該搬送経路の搬送通路の底面に設けられた複
   数個の流体吹き出し口を含んでいる事を特徴とする請求
   項１乃至３記載の半導体装置の搬送装置。
5. 【請求項５】 該流体当接手段の、該半導体装置を搬送
   経路に沿って移動させる流体を吹き出す手段は、当該搬
   送経路の搬送通路の中心軸と平行に当該流体を吹き出す
   吹き出し口を含んでいる事を特徴とする請求項１乃至４
   記載の半導体装置の搬送装置。
6. 【請求項６】 該搬送経路の搬送通路に、該搬送通路の
   軸方向に沿って少なくとも一本の凸状筋線体が設けられ
   ている事を特徴とする請求項１乃至５記載の半導体装置
   の搬送装置。
7. 【請求項７】 該凸状筋線体が２本互いに平行に配列さ
   れており、且つ該２本の凸状筋線体の間に形成された空
   間部に該流体当接手段が配置されている事を特徴とする
   請求項１乃至６記載の半導体装置の搬送装置。
8. 【請求項８】 該搬送経路に沿って、流体のイオン化装
   置が付加されている事を特徴とする請求項１乃至７記載
   の半導体装置の搬送装置。
9. 【請求項９】 当該流体は、空気、不活性ガスから選択
   された一つの流体が使用されるものであり、且つ該選択
   された一つの流体は、イオン化された流体、高温度に加
   熱された流体、或いは湿気を含んでいる流体の中から選
   択された一つの流体である事を特徴とする請求項１乃至
   ８記載の半導体装置の搬送装置。
10. 【請求項１０】 当該搬送経路内に設けられた該凸状筋
    線体は、搬送される該半導体装置を構成する材質と、帯
    電列が同じか若しくは近接した材質で構成されている事
    を特徴とする請求項１乃至８記載の半導体装置の搬送装
    置。
11. 【請求項１１】 該搬送経路の搬送通路を高温度に加熱
    する加熱手段が設けられている事を特徴とする請求項１
    乃至８記載の半導体装置の搬送装置。
12. 【請求項１２】 該搬送経路の搬送通路が高抵抗を持っ
    た非帯電性の材質で構成されている事を特徴とする請求
    項１乃至８、１１及び１２記載の半導体装置の搬送装
    置。
13. 【請求項１３】 半導体装置の搬送先である半導体装置
    の収納物が、高抵抗を持った非帯電性の材質で構成され
    ている事を特徴とする請求項１乃至８、１１及び１２記
    載の半導体装置の搬送装置に連なる半導体装置の収納
    物。