KR20210137913A - 기판 반송 기구 및 기판 반송 방법 - Google Patents

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히토시 하시마
도흐루 도치하라
미치아키 마츠시타
히데카즈 기야마
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 기판의 지지부에 마련한 도전로를 통해 상기 기판을 접지시켜 제전하는 기판 반송 기구에 있어서, 기판의 손상을 확실하게 방지하는 것.
[해결수단] 기판을 지지하기 위해 상면이 기판에 대향하는 비도전성의 지지부와, 상기 기판을 반송하기 위해 상기 지지부를 이동시키는 이동 기구와, 상기 지지부와 이동 기구를 연결하며 접지되는 연결부와, 상기 지지부의 상면에 마련되고, 상기 기판이 상기 지지부에 접촉하지 않도록 상기 기판의 하면에 접하여 지지하는 도전성의 접촉부와, 상기 접촉부와 상기 연결부를 접속하도록 마련된 띠형 도전로와, 상기 띠형 도전로의 폭에 대한 상기 띠형 도전로끼리가 이루는 간격이 2배 이상이 되도록 상기 띠형 도전로가 구비하는 굴곡부를 구비한다.

Description

기판 반송 기구 및 기판 반송 방법{SUBSTRATE TRANSFER MECHANISM AND SUBSTRATE TRANSFER METHOD}
본 개시는 기판 반송 기구 및 기판 반송 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서는, 예컨대 기판인 반도체 웨이퍼(이하 「웨이퍼」라고 함)에 도포액을 도포하는 도포 처리나, 노광 처리, 가열 처리 등의 각종 처리가 행해진다. 이들 처리를 행하기 위해 웨이퍼는, 예컨대 장치에 포함되는 모듈 사이에서 반송되고, 그 반송은, 지지부에 의해 기판을 지지하여 반송하는 기판 반송 기구를 이용하여 행해진다.
그런데 처리 과정에서 웨이퍼에 정전기가 축적되는 경우가 있다. 이 정전기에 의한 방전(ESD: Electro Static Discharge)이 발생하면 그 에너지에 의해, 웨이퍼에 형성된 막이나 전자 소자, 또는 전기 회로에 불량 개소가 초래될 우려가 있다. 최근, 반도체 디바이스의 ESD 내성은, 디바이스의 설계상, 점차 낮아지고 있다. 특허문헌 1에는, 지지한 웨이퍼의 전하를, 도전성 재료를 통해 어스에 빼내는 지지부(기판 지지 부재)를 구비한 기판 반송 기구(기판 반송 장치)가 기재되어 있다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 평성8-227798호 공보
본 개시는 기판의 지지부에 마련한 도전로를 통해 상기 기판을 접지시켜 제전(除電)하는 기판 반송 기구에 있어서, 기판의 손상을 확실하게 방지할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 기판 반송 기구는, 기판을 지지하기 위한 상면이 기판에 대향하는 비도전성의 지지부와,
상기 기판을 반송하기 위해 상기 지지부를 이동시키는 이동 기구와,
상기 지지부와 이동 기구를 연결하며 접지되는 연결부와,
상기 지지부의 상면에 마련되고, 상기 기판이 상기 지지부에 접촉하지 않도록 상기 기판의 하면에 접하여 지지하는 도전성의 접촉부와,
상기 접촉부와 상기 연결부를 접속하도록 마련되는 띠형 도전로와,
상기 띠형 도전로의 폭에 대한 상기 띠형 도전로끼리가 이루는 간격이 2배 이상이 되도록 상기 띠형 도전로가 구비하는 굴곡부를 구비한다.
본 개시에 따르면, 기판의 지지부에 마련되는 도전로를 통해 상기 기판을 접지시켜 제전하는 기판 반송 기구에 있어서, 기판의 손상을 확실하게 방지할 수 있다.
도 1은 반송 아암에 있어서의 지지부를 나타내는 사시도이다.
도 2는 상기 지지부에 있어서의 분기부를 나타내는 분해 사시도이다.
도 3은 상기 지지부를 나타내는 측면도이다.
도 4는 분기부의 상면도 및 측면도이다.
도 5는 분기부를 평면에 전개한 전개도이다.
도 6은 접촉부와 피복부 사이의 간격을 설명하는 설명도이다.
도 7은 접촉부와 피복부 사이의 간격을 설명하는 설명도이다.
도 8은 지지부의 다른 예를 나타내는 설명도이다.
도 9는 띠형 도전로의 다른 예를 나타내는 전개도이다.
도 10은 띠형 도전로의 다른 예를 나타내는 전개도이다.
도 11은 띠형 도전로의 다른 예를 나타내는 전개도이다.
도 12는 띠형 도전로의 다른 예를 나타내는 전개도이다.
도 13은 지지부의 다른 예를 나타내는 평면도이다.
도 14는 지지부의 다른 예를 나타내는 사시도이다.
도 15는 지지부의 다른 예를 나타내는 평면도이다.
도 16은 도포, 현상 장치를 나타내는 종단면도이다.
도 17은 도포, 현상 장치를 나타내는 평면도이다.
본 개시에 따른 기판 반송 기구에 대해서 설명한다. 도 1은 기판인 반도체 웨이퍼(이하 「웨이퍼」라고 함)를 비진공 중, 예컨대 대기 분위기에서 반송하는 기판 반송 기구인, 반송 아암(2)에 있어서의 지지부(20)의 사시도이다. 지지부(20)는 두 갈래의 포크형으로 구성되는 판형체이고, 그 상면이 하방으로부터 웨이퍼(W)의 이면에 대향하는 상태로 상기 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지부(20)는, 베이스부(23)와, 베이스부(23)의 좌우로부터 각각 전방으로 신장하여 형성되는 2개의 분기부(21, 22)를 구비한다. 지지부(20)는, 비교적 얇아도 높은 강성이 얻어지도록 비도전성의 부재인 예컨대 세라믹스에 의해 구성된다. 또한, 비도전성이란, 예컨대 1012 Ω 이상의 저항값을 나타내는 것을 말한다. 그런데 이하의 지지부(20)의 설명에서, 좌우란 전방을 보았을 때의 좌우인 것으로 하고, 분기부(22)가 좌측, 분기부(21)가 우측에 위치한다. 지지부(20)는, 좌우 대칭으로 구성된다.
도 2의 분기부(21)의 사시도도 참조하여 설명을 계속한다. 지지부(20)의 상면에 있어서의 분기부(21, 22)의 선단측 및 베이스부(23)에는, 원판형의 흡착 패드(3)가 마련되고, 흡착 패드(3)의 하단부는, 지지부(20)에 마련되는 원형의 오목부(24)에 매설된다. 각 흡착 패드(3)는, 도전성 수지 등의 도전성 부재에 의해 구성되고, 웨이퍼(W)의 이면에 접촉하여, 지지부(20)의 상면으로부터 뜬 상태로 웨이퍼(W)를 지지한다.
또한 분기부(21, 22)의 선단측에 형성되는 오목부(24)의 내측벽은, 좌측의 일부, 우측의 일부가 오목부(24)의 외방을 향하여 각각 결여되어 있다. 그에 의해, 분기부(21, 22)의 가장자리와 오목부(24)를 접속하는 가늘고 긴 홈(29)이 형성된다. 오목부(24)의 저면 및 홈(29)의 저면은, 후술하는 띠형 도전로의 단부가 형성되는 제1 면을 형성한다. 그리고, 지지부(20)의 상면에 있어서 오목부(24) 및 홈(29)의 외측은, 이 제1 면보다 높은 제2 면을 형성한다.
각 흡착 패드(3)는, 웨이퍼(W)를 안정적으로 지지할 수 있도록 상단측을 향함에 따라 직경 확장되는 형상이고, 그 상면에 웨이퍼(W)가 배치된다. 또한, 상기 흡착 패드(3)의 상면의 중심부에는, 흡인 구멍(25)이 개구된다. 흡인 구멍(25)은, 도 3에 나타내는 바와 같이 지지부(20)의 내부에 형성되는 흡인로(26)에 접속되고, 흡인로(26)에는, 흡인부(27)가 접속된다. 흡인로(26)에는 밸브(V6)가 개재된다. 밸브(V6)의 개폐에 의해 흡인 구멍(25)으로부터의 흡인 상태, 비흡인 상태가 서로 전환되고, 각 흡착 패드(3) 상에 웨이퍼(W)의 이면이 배치될 때에 흡인 상태가 되어 웨이퍼(W)가 흡착된다. 흡착 패드(3)에 대해서, 분기부(21, 22)에 마련되는 것을 도면 부호 31, 베이스부(23)에 마련되는 것을 도면 부호 32로서 나타내는 경우가 있다. 흡착 패드(31, 32)는 접촉부에 상당하고, 지지부(20)에 마련되는 도전로에 접속된다.
발명의 배경이 되는 기술에서 서술한 바와 같이 웨이퍼(W)에 정전기가 축적되어 ESD가 발생하면, 상기 웨이퍼(W)가 손상되어 버릴 우려가 있다. 반송 아암(2)은, 그 ESD의 발생을 억제할 수 있도록 웨이퍼(W)를 제전할 수 있도록 구성된다. 구체적으로, 도전성 부재인 피막이 지지부(20)에 형성되고, 흡착 패드(31)를 접지 전위[후술하는 나사 부재(6)]에 접속하는 도전로로서 구성된다. 이와 같이 지지부(20)에 대해서는 높은 강성을 가지면서, 정전기를 빼내는 루트가 확보된다.
그런데 만약 그 도전로의 임피던스가 지나치게 낮으면, 웨이퍼(W)를 흡착 패드(31)에 배치하는 데 있어서, 웨이퍼(W)로부터 흡착 패드(31), 그리고 상기 지지부(20)에 형성한 도전로에, 급준한 전하의 이동이 일어난다. 즉, 지지부(20)에 형성한 도전로에 있어서, 단시간에 비교적 큰 전류가 흘러, 상기 전류의 피크값이 커진다. 그와 같이 도전로를 과대한 전류가 흐를 때에는, 웨이퍼(W)측에 있어서도 도전로에 유입되도록 과대한 전류가 흘러 버린다. 그 때문에 웨이퍼(W)에 형성된 회로에 대전류가 흘러, 주울 발열이 생기고, 회로를 구성하는 회로 소자의 접합부 파괴나 배선막의 용단을 발생시키는 경우가 있다. 또한 회로에 급준한 전위 변화가 발생함으로써, 국소 전계가 생기고, 산화막이 파괴되거나 한다. 그래서 반송 아암(2)에 있어서는, 도전로에 충분한 길이가 확보되어 적정한 임피던스가 얻어지도록, 이 도전로의 일부를 띠형 도전로(5)로서 구성한다. 이 띠형 도전로(5)는, 상기 띠형 도전로(5)에 있어서의 일부와 다른 일부 사이에서 단락하는 것이 방지되도록 구성된다. 그에 의해, 흡착 패드(3)의 상면과 나사 부재(6) 사이의 저항값은, 예컨대 적정한 정전기 제거가 기대되는 범위인 1×105 Ω 이상, 1×1012 Ω보다 낮은 값, 구체적으로는 예컨대 1×107 Ω∼9.9×109 Ω이 된다.
도 1에 나타내는 바와 같이 지지부(20)에 있어서의, 각 분기부(21, 22)의 선단 부분 및 흡착 패드(32)의 주위를 제외한 표면에 대해서, 예컨대 상기 도전성 부재를 이루는 피막인 피복부(4)에 의해 피복된다. 이 피복부(4)는, 구체적으로는 예컨대 도전성의 불소 수지에 의해 구성된다. 따라서 흡착 패드(32)는 그 주위가 피복부(4)에 둘러싸이고, 상기 흡착 패드(32)와 피복부(4) 사이는 절연된다. 그리고, 피복부(4)는 분기부(21, 22)에도 형성되어 있지만, 그 피복부(4)의 전방측의 가장자리는, 흡착 패드(31)보다 후방에 위치한다.
이 피복부(4)의 전방측의 가장자리와 흡착 패드[3(31)]가, 피복부(4)와 마찬가지로 도전성 부재의 피막으로서 구성된 띠형 도전로(5)로 접속된다. 또한 띠형 도전로(5)란, 도중에 분기하지 않고, 1개의 띠형으로 되어 있는 도전로를 말한다. 도면 중에서는, 피복부(4) 및 띠형 도전로(5)에는, 도트를 찍어 나타낸다.
띠형 도전로(5)에 대해서 상세하게 설명하기 전에, 도 3을 참조하여 반송 아암(2)의 다른 각 부의 구성을 설명해 두면, 반송 아암(2)은, 지지부(20)를 예컨대 전후 방향으로 슬라이드시키며, 베이스(9) 상을 이동하는 이동 기구인 이동체(10)를 구비한다. 도시는 생략하지만, 반송 아암(2)으로서는 베이스(9)를 수직축 둘레로 회전시키는 회전 기구 및 이 회전 기구를 수직 방향을 따라 승강시키는 승강 기구 등을 구비하고, 후술하는 장치의 각 모듈 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있게 구성된다.
상기 지지부(20)는, 피복부(4)와 도통되도록 마련되는 도전성의 연결부인 나사 부재(6)에 의해 이동체(10)에 연결된다. 이동체(10)를 구성하는 케이스(10A)는, 예컨대 도전성 재료로 구성되고, 접지 전위에 접속된다. 이에 의해 도 3에 모식적으로 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W), 흡착 패드(31), 띠형 도전로(5), 피복부(4), 나사 부재(6), 이동체(10)의 케이스(10A)로 흘러 접지 전위로 이어지는 도전 경로가 형성된다.
본 개시에 따른 띠형 도전로(5)의 구성에 대해서, 도 4, 도 5를 참조하여 설명한다. 띠형 도전로(5)는, 분기부(21, 22)의 선단에 각각 마련되고, 분기부(21, 22)가 연장되는 방향을 전방으로 하였을 때에, 각 띠형 도전로(5)가, 전후 방향으로 연장되는 축에 대하여 서로 경면 대칭으로 형성된다. 그 때문에 여기서는, 우측의 분기부(21)에 형성되는 띠형 도전로(5)의 구성에 대해서 설명한다.
도 4는 분기부(21)의 상면 및 우측면을 나타내고, 도 5는 분기부(21)의 선단부를 평면에 전개한 전개도를 나타낸다. 또한 도 5에서는 지지부(20)의 상면에 형성되는 오목부(24)를 기재하지 않고 상면측을 평탄한 면으로 하여 나타내며, 피복부(4) 및 띠형 도전로(5)의 두께를 무시하고 있다. 도 4, 도 5에서는 분기부(21)의 상면을 도면 부호 21A, 우측면을 도면 부호 21B, 하면을 도면 부호 21C, 좌측면을 도면 부호 21D로서 나타낸다.
도 4, 도 5에 나타내는 바와 같이 띠형 도전로(5)는, 1개의 띠형의 도전로를 분기부(21)의 상면(21A)[자세히는 오목부(24) 및 홈(29)의 저면] 및 하면(21C), 또한, 분기부(21)의 좌우측면(21B, 21D)의 4면에 걸쳐 둘러쳐서 마련된다. 분기부(21)의 하면(21C)에는, 좌우 방향으로 연장되는 3개의 도전로(51∼53)가 전후 방향으로 등간격으로 배열되어 형성된다. 3개의 도전로를 전방측으로부터 전단, 중단, 후단의 도전로(51∼53)로 하면, 피복부(4)와 후단의 도전로(53)는, 분기부(21)의 좌측면(21D)에 마련되는 도전로(54)에 의해 접속된다. 또한 후단의 도전로(53)와 중단의 도전로(52)는, 분기부(21)의 우측면(21B)에 마련되는 도전로(55)에 의해 접속된다. 또한 중단의 도전로(52)와 전단의 도전로(51)는, 분기부(21)의 좌측면(21D)에 마련되는 도전로(56)에 의해 접속된다. 우측면(21B) 또는 좌측면(21D)에 마련되는 도전로(54∼56)는, 각 측면을 전후로 연장되도록 형성된다.
또한 전단의 도전로(51)의 우측단부에는, 분기부(21)의 우측면(21B) 및 홈(29)의 저면을 통해, 그 선단이 오목부(24)의 저면에 둘러쳐진 도전로(57)가 접속된다. 그리고 오목부(24)의 저면에 둘러쳐진 도전로(57)와, 흡착 패드(31)의 하면은, 도시하지 않는 도전성 접착제를 통해 서로 접속된다. 따라서, 분기부(21)의 상면(21A)에 있어서 흡착 패드(31A)의 외측에는, 띠형 도전로(5)가 상기 홈(29)의 저면에만 마련된다.
그리고, 도 5에 나타내는 바와 같이 띠형 도전로(5)는, 1개의 도전로를 피복부(4)측으로부터, 분기부(21)의 선단 방향을 향하여, 좌우로 복수회 굴곡시켜, 주기적인 직사각형 파형이 되도록 반복 사행하는 도전 패턴으로서 형성된다. 그 때문에 띠형 도전로(5)는, 복수의 굴곡부(50)를 구비한다. 또한 굴곡부(50)란, 도전로를 평면에 전개하였을 때에 굴곡한 것을 말하고, 단순한 직선 형상의 도전로를 다른 면에 걸쳐 형성함으로써, 지지부(20)의 외형을 따라 구부러져 있는 것은, 굴곡부(50)에는 포함되지 않는다. 또한 띠형 도전로(5)에 있어서 흡착 패드(31)에 접하는 개소로부터 피복부(4)에 접속되는 개소에 이를 때까지, 각 부의 폭은 같고, 그 크기를 F로서 도면 중에 나타내고 있다. 도전로(51∼57)는 서로 2F 이상의 간격을 두고 배치된다. 또한 띠형 도전로(5)의 폭(F)은, 이 예에서는, 분기부(21)의 두께이다.
이와 같이 흡착 패드(31)와 나사 부재(6) 사이에 굴곡부(50)를 구비하는 띠형 도전로(5)를 마련함으로써, 흡착 패드(31)의 상면으로부터 나사 부재(6)와의 사이에 있어서의 도전로의 길이를 적정한 것으로 하여, 상기 도전로의 임피던스가 적정한 것으로 된다. 그리고, 그와 같이 굴곡부(50)를 구비하는 띠형 도전로(5)를 마련하는 데 있어서, 띠형 도전로(5)에 있어서의 폭 및 띠형 도전로(5)의 각 부가 이루는 간격이 상기 관계가 되도록 구성된다. 그와 같은 구성을 구비함으로써, 이 띠형 도전로(5) 내에 있어서의 하나의 부위와 다른 부위 간에서의 단락이 방지된다. 즉, 단락이 일어남으로써, 도전로의 임피던스 및 저항값이 원하는 범위로부터 벗어나, 도전로에 과대한 전류가 흘러 방전이 발생하는 것이 방지된다. 또한, 띠형 도전로(5)에 있어서의 폭 및 각 부의 간격에 대해서는, 뒤에 다른 예를 들어 더욱 자세하게 설명한다.
또한, 보충해 두면, 그와 같이 지지부(20)에 마련되는 도전로 내에서의 단락을 방지하는 목적에서, 분기부(21)의 하면(21C)에 있어서, 띠형 도전로(5)를 구성하는 도전로(53)와 피막(4)의 간격도, 2F 이상[띠형 도전로(5)의 폭(F)의 2배 이상]의 크기로 된다. 그리고 도 6에 나타내는 바와 같이, 분기부(21)의 상면(21A)에 있어서, 피복부(4)의 가장자리와 흡착 패드(31)가 이루는 간격(A1)도, 그와 같은 도전로 내에서의 단락을 방지하기 위해 2F 이상의 크기로 된다. 또한, 피막부(4)가 흡착 패드(31)의 상면의 하방까지 마련되는 경우에도, 흡착 패드(31)와 피막부(4)의 표면의 간격을 상기 간격(A1)과 마찬가지로 2F 이상의 크기로 하면 된다. 구체적으로 이 간격(A1)은 예컨대 4 ㎜ 이상이다. 이 간격(A1)의 거리의 적정값은, 웨이퍼(W)의 허용 목표의 대전 레벨에 따라 변경하는 것이 바람직하다.
본 개시에 따른 반송 아암(2)의 작용에 대해서 설명한다. 대전한 웨이퍼(W)의 하방측으로부터 반송 아암(2)의 지지부(20)가 상승하고, 웨이퍼(W)는, 도 3에 나타낸 바와 같이 3개소의 흡착 패드[3(31, 32)]에 접하도록 수평으로 지지되어, 흡착 패드(3)에 흡착된다. 웨이퍼(W)의 전하는, 흡착 패드(31), 도전성의 피막[띠형 도전로(5) 및 피복부(4)], 나사 부재(6)로 순서대로 이동하여, 상기 웨이퍼(W)는 제전된다.
상기한 바와 같이 도전성의 피막을 구성하는 띠형 도전로(5)가 마련됨으로써, 흡착 패드(31)와 나사 부재(6) 사이의 임피던스가 적정한 값이 되면서, 띠형 도전로(5)에 있어서의 일부와 다른 일부 사이에서의 단락이 방지된다. 따라서 상기 과대한 전류가 생기는 것이 방지된다. 그 결과로서, 웨이퍼(W)에 과대한 전류가 흐르는 것을 억제할 수 있어, 웨이퍼(W)에의 손상의 발생이 방지된다.
상기한 바와 같이 웨이퍼(W)가 제전되는 데 있어서, 도 6에서 설명한 바와 같이 피복부(4)와 흡착 패드(31) 사이의 단락에 대해서는, 피복부(4)와 흡착 패드(31)의 간격이 이미 전술한 바와 같이 2F 이상으로 설정됨으로써 방지된다. 이 피복부(4)와 흡착 패드(31) 위치 관계에 대해서 보충하여 설명하면, 상기 단락이 방지되도록, 피복부(4)와 흡착 패드(31)가 이루는 간격이란, 보다 자세하게는 이들 부재 사이에서 최소가 되는 간격이다. 구체적으로는 상기한 바와 같이 흡착 패드(31)는 상방을 향하여 갈수록 넓어지기 때문에, 흡착 패드(31)의 상단과 피복부(4)의 가장자리의 간격(A1)이, 이들 부재의 최소 간격이기 때문에, 상기 간격(A1)에 대해서 2F 이상이 된다. 단, 만약 도 7에 나타내는 바와 같이 흡착 패드(310)가 수직벽을 구비하는 원통인 경우는 흡착 패드(310)의 하단이 피복부(4)의 가장자리에 가장 가깝기 때문에, 상기 하단과 피복부(4)의 가장자리의 간격(A2)이 2F 이상이 된다.
그런데 만약 지지하는 웨이퍼(W)에 휘어짐이 생긴 경우, 웨이퍼(W)가 지지부(20)에 접촉하는 것이 생각되고, 지지부(20)의 상면에 형성된 띠형 도전로(5)의 영역이 클수록, 웨이퍼(W)와의 접촉에 의해 띠형 도전로(5)가 마모나 벗겨짐에 의해 파손될 리스크가 높아진다. 띠형 도전로(5)는 폭에 따라 저항값을 규정하기 때문에, 마모나 벗겨짐이 진행되어 나사 부재(6)에의 접속이 차단되면, 기능을 현저히 손상시킬 우려가 있다.
띠형 도전로(5)에 있어서는 그 단부를 이루는 도전로(57)만이 지지부(20)의 상면에 마련됨으로써, 그와 같은 웨이퍼(W)와의 접촉에 의한 띠형 도전로(5)의 파손을 방지할 수 있다. 즉, 상기 띠형 도전로(5)의 단부만을 지지부(20)의 상면에 배치함으로써, 흡착 패드(31)와 나사 부재(6) 사이를 흐르는 전류의 피크값의 상승을, 보다 확실하게 방지할 수 있기 때문에, 바람직하다.
또한 단부를 이루는 도전로(57)는, 흡착 패드(31)의 상면에서 지지되는 실리콘 기판이나 유리 기판 등 기판, 여기서는 웨이퍼(W)의 탄성·강성상, 웨이퍼(W)가 패드 상면에서 그 도전로(57)에 접촉할 정도까지 휘어질 수 있는 범위보다 충분히 내측에 배치되는 것이 바람직하다. 바꾸어 말하면, 띠형 도전로(5)에 있어서 단부를 이루는 도전로(57)는, 흡착 패드(31)를 기준으로 하여 지지된 웨이퍼(W)와 접촉하지 않는 범위의 위치에 마련되는 것이 바람직하다.
또한, 그 도전로(57)에 있어서는 분기부(21, 22)의 상면(21A)에 마련된 홈(29)의 저면에 형성된다. 따라서, 흡착 패드(31)의 상가장자리부와 도전로(57) 사이의 거리는 비교적 멀기 때문에, 상기한 바와 같이 웨이퍼(W)가 제전되는 데 있어서, 상기 상가장자리부와 띠형 도전로(5) 사이에서의 단락이 방지된다. 따라서, 상기한 바와 같이 흡착 패드(3)와 나사 부재(6) 사이를 흐르는 전류의 피크값의 상승을, 보다 확실하게 방지할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)를 수취할 때에 지지부(20)가 상승하여 웨이퍼(W)의 이면에 근접하지만, 그때에 웨이퍼(W)와 도전로(57)는 비교적 멀리 떨어지게 되기 때문에, 웨이퍼(W)로부터 도전로(57)에의 단락도 방지되기 때문에 바람직하다.
또한, 그와 같이 도전로(57)와 흡착 패드(31)의 거리를 멀게 하는 데 있어서는, 홈(29)[오목부(24)]에 도전로(57)를 형성하는 것에 한정되지 않는다. 도 8에 나타내는 바와 같이 분기부[21(22)]의 선단부의 표면을 경사면으로서 구성하여, 그 사면에 띠형 도전로(5)의 단부(57)를 형성하여도 좋다.
그런데 상기한 바와 같이 웨이퍼(W)가 휘어짐을 갖는 경우, 웨이퍼(W)가 지지부(20)에 접촉하는 것이 생각되고, 지지부(20)의 상면에 형성된 띠형 도전로(5)의 영역이 클수록, 웨이퍼(W)와의 접촉에 의해 띠형 도전로(5)가 파손될 리스크가 높아진다. 상기한 바와 같이 분기부(21)의 측면 및 하면에 띠형 도전로(5)를 형성하는 것은, 그와 같은 리스크를 저하시키면서, 띠형 도전로(5)가 적절한 길이를 확보하는 것에 기여하기 때문에 바람직하다.
예컨대 이 띠형 도전로(5)는, 분기부(21, 22)의 일부를 마스킹한 후에 도전로가 되는 막을 성막함으로써 형성된다. 그와 같이 띠형 도전로(5)를 형성하는 데 있어서, 분기부(21, 22)의 하면(21C), 측면(21B), 측면(21D)의 각각에 있어서 직선형의 마스크 패턴을 형성하면 된다. 즉, 분기부(21, 22)의 측면을 이용하지 않고, 하면(21C)에만 띠형 도전로(5)를 형성하면, 마스크 패턴은 굴곡부를 구비한 복잡한 것이 되지만, 상기한 바와 같이 분기부(21)의 측면을 이용하여 띠형 도전로(5)를 형성함으로써 마스크 패턴이 간소한 것으로 된다. 즉 분기부(21)의 측면에 띠형 도전로(5)의 일부를 형성함으로써, 지지부(20)의 제조가 용이하다는 이점이 있다.
또한, 분기부(21, 22)의 하면(21C) 외에 측면(21B, 21D)도 이용하여 띠형 도전로(5)를 형성하는 것은, 가령 흡착 패드(31)와 나사 부재(6)의 거리가 비교적 짧은 반송 아암(2)에 대해서도 충분한 길이의 띠형 도전로(5)를 형성할 수 있다. 그리고, 그에 의해 흡착 패드(31)와 나사 부재(6) 사이의 임피던스를 적정한 것으로 할 수 있다. 따라서, 분기부(21, 22)의 측면에 띠형 도전로(5)를 형성하는 것은, 흡착 패드[3(31)]의 레이아웃의 자유도를 높게 설정할 수 있는 것에 기여한다.
띠형 도전로(5)를 분기부(21, 22) 중의 한쪽에만 마련하여도 좋다. 또한 도 1에 나타낸 지지부(20)에 있어서의 베이스부(23)측의 흡착 패드(32)에 대해서, 도 5에서 나타낸 패턴 형상을 갖는 띠형 도전로(5)의 일단에 접속하고, 그 띠형 도전로(5)의 타단을 피복부(4)에 접속하여도 좋다. 즉, 2개의 흡착 패드(31) 및 하나의 흡착 패드(32) 중 적어도 어느 하나가, 띠형 도전로(5) 및 피복부(4)를 통해 나사 부재(6)에 접속되어 있으면 된다.
계속해서 띠형 도전로(5)의 다른 예에 대해서 도 9∼도 12를 참조하여 설명한다. 도 9∼도 12는 띠형 도전로(5A∼5D)를 평면에 전개한 도면을 나타내고 있고, 띠형 도전로(5A∼5D)는, 지지부(20)의 복수의 면에 걸쳐 형성되어도 좋고, 하나만의 면에 형성되어도 좋다.
도 9에 띠형 도전로(5A)로서 예시하는 바와 같이, 띠형 도전로로서는 각 부의 폭이 달라도 좋다. 이 도 9를 이용하여 띠형 도전로의 폭과 각 부의 간격의 관계에 대해서, 자세하게 설명한다. 띠형 도전로가 있는 점(P)에 대해서 보았을 때에 도전로의 형성 방향에 대하여 직교하는 선(L1)을 도전로의 일단으로부터 타단까지 긋는다. 이 L1의 길이가, 도전로의 점(P)에 있어서의 폭(F)이다. 이 L1에 대한 연장선(L2)을 길이가 2F가 되도록 긋는다. 그 연장선(L2)이 띠형 도전로에 접하지 않으면 된다. 그리고, 이 도 9의 띠형 도전로(5A) 및 도 5의 띠형 도전로(5)에 대해서는, 직각으로 굴곡한다. 그 굴곡부(50)에 대해서는, 상기 폭을 나타내는 선(L1)을 그을 수 없기 때문에(만약 긋고자 하면 띠형 도전로의 길이 방향을 나타내는 선이 되기 때문에), 그와 같은 굴곡부(50) 이외의 개소가, 상기 폭(F)에 대하여 간격(2F) 이상의 관계를 만족하고 있으면 된다.
또한 L1에 대한 연장선(L2)을 길이가 2F가 되도록 그었을 때에, 그 연장선(L2)이 띠형 도전로(5)에 접하지 않으면 되기 때문에, 도 10에 나타내는 바와 같이 띠형 도전로(5B)는, 굴곡부(50)가 하나가 되도록 형성하여도 좋다. 또한 도 11에 나타내는 바와 같이 S자 형상의 띠형 도전로(5C)여도 좋다. 즉 띠형 도전로(5C)를 평면에 전개하였을 때에, 되접어 꺽은 구성으로 되지 않아도 좋다. 또한 도 12에 나타내는 바와 같이 띠형 도전로(5D)의 굴곡부(50)로서는 호형으로 형성하여도 좋다.
또한 도 13에 반송 아암(2)의 다른 예를 나타낸다. 이 예는, 도 1에 나타낸 지지부(20)에, 웨이퍼(W)의 위치 맞춤을 행하기 위한 가이드(204)를 마련하고 있다. 가이드(204)는, 예컨대 지지부(20)의 베이스부(23)의 좌우로부터, 각각 지지부(20)에 지지되는 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리(측벽)의 외측으로 연장되도록 마련된다. 자세히는 후술의 다른 지지부를 설명할 때에 서술하지만, 이 가이드(204)에 대해서는 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리가 접촉되어, 웨이퍼(W)의 위치 맞춤을 행하는 얼라인먼트의 역할을 달성한다. 이 가이드(204)는, 예컨대 도전성 수지 등의 도전성 부재에 의해 구성된다. 가이드(204)는 베이스부(23)에 접하기 때문에, 가이드(204)의 표면은, 베이스부(23)의 피막(4)을 통해 나사 부재(6)에 전기적으로 접속된다.
그런데 임의의 부재로부터 방전이 일어나는 데 있어서, 상기 부재가 갖는 첨두 부위로부터 상기 방전이 발생하기 쉽다. 따라서 대전한 웨이퍼(W)로부터의 방전은, 면형체인 중심측에 비해서, 각부가 존재하는 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리로부터 일어나기 쉽다. 그 때문에, 지지부(20)가 대전한 웨이퍼(W)를 수취하기 위해 상기 웨이퍼(W)에 접할 때, 웨이퍼(W)로부터 가이드(204)로의 방전이 비교적 일어나기 쉽다. 그러나, 상기한 바와 같이 흡착 패드(31)와 나사 부재(6) 사이의 도전로에 띠형 도전로(5)를 마련하여, 상기 도전로의 임피던스가 적정한 것이 되도록 조정된다. 즉, 웨이퍼(W)를 수취할 때에 주로 가이드(204)로부터 나사 부재(6)로 전하가 이동한다고 하는 경우, 지지부(20)의 표면을 흐르는 전류의 피크값이 커져 버려, 띠형 도전로(5)가 그 역할을 충분히 달성할 수 없게 되어 버린다.
그래서, 가이드(204)와 나사 부재(6) 사이의 도전로에 있어서의 저항값(R1)은, 흡착 패드(31)와 나사 부재(6) 사이의 도전로에 있어서의 저항값(R2)보다 높아지도록 구성된다. 이에 의해 대전한 웨이퍼(W)를 지지부(20)가 수취할 때에, 가이드(204)가 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리에 근접하며 흡착 패드(31)가 웨이퍼(W)의 이면에 근접할 때, 웨이퍼(W)의 전하는, 보다 흐르기 쉬운 흡착 패드(31)를 통한 도전로로 이동한다. 그에 의해, 상기한 바와 같이 피크 전류값이 억제됨으로써, 방전의 발생이 억제된다.
또한, 가이드(204)와 나사 부재(6) 사이의 저항값, 흡착 패드(31)와 나사 부재(6) 사이의 저항값은, 각 부에 있어서의 측정 위치가 다르면 변화하기 때문에, 이들 저항값에 대해서 자세하게 서술해 둔다. 가이드(204)와 나사 부재(6) 사이의 저항값은, 가이드(204)에 있어서의 웨이퍼(W)의 접촉 위치와 나사 부재(6) 사이에서 가장 저항값이 낮아지는 경로의 저항값이다. 따라서, 이 예에서는 나사 부재(6)가 복수 마련되는데, 복수의 나사 부재(6) 중, 상기 가이드(204)에 있어서의 웨이퍼(W)의 접촉 위치에 가장 가까운 나사 부재(6)와 상기 접촉 위치 사이의 저항값이고, 구체적으로는 도면 중의 P12-P13 사이의 저항값이다. 또한, 가이드(204)에 있어서의 웨이퍼(W)의 접촉 위치란, 설계 상의 웨이퍼(W)의 접촉 위치이다. 즉, 반송 대상의 웨이퍼(W)에 휘어짐이 없는 것으로 하였을 때에, 가이드(204)의 표면에 있어서 웨이퍼(W)에 접촉하도록 설계된 위치이다.
마찬가지로 흡착 패드[3(31)]와 나사 부재(6) 사이의 저항값에 대해서도, 흡착 패드(3)에 있어서의 웨이퍼(W)와의 접촉 위치(즉 상면에 있어서의 위치)와 나사 부재(6) 사이에서 가장 저항값이 낮아지는 경로의 저항값이고, 구체적으로는 도면 중의 P11-P13 사이의 저항값이다. 따라서 P11-P13 사이의 저항값(R2)＜P12-P13 사이의 저항값(R1)이다.
상기한 바와 같이 저항값에 대해서 R2＜R1로 하도록 가이드(204)를 도전성 부재로서 구성하고 있지만, 예컨대 가이드(204)를 절연성 부재로서 형성하여, 표면에 도전성 부재에 의한 패턴을 형성함으로써, 웨이퍼(W)와 나사 부재(6)가 전기적으로 접속되도록 하여도 좋다. 이 도전성의 패턴으로서는, 도 4, 도 5 등에서 설명한 굴곡부(50)를 구비하는 띠형 도전로(5)를 마련하여도 좋다.
또한, 가이드(204)를 비도전성 재료로 구성하고, 그 표면이 제전되지 않는 구성으로 한 경우에는, 상기 가이드(204)가 대전하여, 파티클을 끌어당겨 버리고, 끌어당겨진 파티클이 웨이퍼(W)에 부착될 우려가 있다. 따라서, 상기한 바와 같이 가이드(204)를 도전성 부재에 의해 구성하며, 접지 전위에 접속되어 제전되는 구성으로 하는 것이, 웨이퍼(W)의 파티클 오염을 막기 위해 바람직하다.
또한 도 14는 흡착 패드(3) 대신에, 지지부(200)의 표면으로 돌출하는 도전성의 접촉부인 갭핀(300)을 마련한 지지부(200)를 나타낸다. 지지부(200)에 있어서, 갭핀(300)의 외측 영역은 피막부(4)에 덮이고, 갭핀(300)의 하단부는 피막부(4)에 전기적으로 접속된다. 따라서, 갭핀(300) 상에 지지되는 웨이퍼(W)는, 흡착 패드(3)에 지지되는 웨이퍼(W)와 마찬가지로, 제전된다. 이 반송 아암(2)의 지지부(200)는, 다수의 갭핀(300)이 선단부(201, 202) 및 베이스(203)에 분산되어 마련된다.
또한 이 지지부(200)는, 도 13에 나타내는 지지부(20)와 동일한 가이드(204)를 구비하고, 가이드(204)에 접촉함으로써도 제전된다. 가이드(204)에 대해서 보충해 두면, 웨이퍼(W)를 지지한 상태의 지지부(200)가 도 3에서 나타낸 베이스(9)를 전진한다. 그때에 관성에 의해 그 자리에 멈추고자 하는 웨이퍼(W)는 가이드(204)에 접촉하여, 압박된다. 그에 의해, 지지부(200)로부터의 웨이퍼(W)의 낙하가 방지되며, 지지부(200) 상으로부터의 위치 맞춤이 이루어진다. 또한, 도 13에서 나타낸 흡착 패드(3)를 마련한 지지부(20)에 대해서는, 흡착 패드(3)로부터의 흡인을 정지한 상태에서 그와 같은 위치 맞춤을 행하도록 할 수 있다.
그런데, 각 지지부(20, 200)에 대해 그 상면이 하방으로부터 웨이퍼(W)에 대향하지만, 웨이퍼(W)에 평행으로 되지 않아도 좋고, 웨이퍼(W)의 이면에 대하여 기울어 있어도 좋다. 그리고, 상기 각 예에서는 그와 같이 웨이퍼(W)에 대향하는 지지부(20)에 띠형 도전로(5)를 마련하고 있지만, 띠형 도전로(5)는 그와 같은 부재에 마련하는 것에는 한정되지 않는다. 도 15에 나타내는 반송 아암(205)의 예에서는 흡착 패드(31, 32)를 구비하는 지지부(210)가 복수 마련되고, 웨이퍼(W)의 측둘레를 둘러싸는 원호형의 포위부(212)의 내주에 접속된다. 나사 부재(6)를 통해 포위부(212)는 이동체(10)(도 15에서는 도시하지 않음)에 접속된다. 흡착 패드(31)가 마련되는 지지부(210) 및 포위부(212)에는 지지부(20)와 동일하게 도전성의 피복부(4)에 의해 피복되고, 피복부(4)를 통해 흡착 패드(31)와 나사 부재(6)가 전기적으로 접속된다. 이 피복부(4)에 대해서, 포위부(212)의 상면의 피막이 도 5에서 설명한 바와 같이 복수의 굴곡부(50)을 갖는 띠형 도전로(5)로서 구성된다. 즉 띠형 도전로(5)는, 웨이퍼(W)에 대향하는 부재에 마련하는 것에는 한정되지 않는다.
계속해서 전술한 반송 아암(2)이 마련되는, 도포, 현상 장치에 대해서 설명한다. 도포, 현상 장치는 도 16 및 도 17에 나타내는 바와 같이 캐리어 블록(B1)과, 처리 블록(B2)과, 인터페이스 블록(B3)을 직선형으로 접속하여 구성된다. 인터페이스 블록(B3)에는, 또한 노광 스테이션(B4)이 접속된다.
캐리어 블록(B1)은, 기판인 예컨대 직경 300 ㎜의 웨이퍼(W)를 복수매 수납하는 반송 용기인, 캐리어(C)(예컨대 FOUP)로부터 장치 내에 반입출하는 역할을 가지고, 캐리어(C)의 배치 스테이지(101)와, 도어(102)와, 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 반송 아암[2(103)]을 구비한다.
처리 블록(B2)은, 웨이퍼(W)에 액처리를 행하기 위한 제1∼제6 단위 블록(D1∼D6)이 밑에서부터 순서대로 적층되어 구성되고, 각 단위 블록(D1∼D6)은, 후술하는 액처리 유닛(110)에서, 웨이퍼(W)에 공급하는 처리액이 다른 것을 제외하고 대략 동일한 구성이다.
도 17에 대표하여 단위 블록(D3)의 구성을 나타내면, 단위 블록(D3)에는, 캐리어 블록(B1)측으로부터 인터페이스 블록(B3)을 향하는 직선형의 반송 영역(R3)을 이동하는 반송 아암[205(A3)]과, 컵 모듈(111)을 구비하는, 예컨대 웨이퍼(W)에 레지스트액을 공급하기 위한 액처리 유닛(110)이 마련된다. 액처리 유닛(110)은, 예컨대 컵 모듈(111)로, 회전하는 웨이퍼(W)을 향하여 처리액, 여기서는 레지스트액을 공급하고, 웨이퍼(W)의 표면에 레지스트액을 펴서 도포막을 형성한다.
또한 단위 블록(D1∼D3) 액처리 유닛(110)에 있어서 웨이퍼(W)에 레지스트막이 되는 처리액을 도포하고, 단위 블록(D4∼D6)에 있어서는, 액처리 유닛(110)에 있어서 웨이퍼(W)에 현상액을 공급하여 현상 처리를 행한다. 또한 선반 유닛(U1∼U6)에는 열처리 장치가 적층된다. 반송 영역(R3)의 캐리어 블록(B1)측에는, 서로 적층된 복수의 모듈에 의해 구성되는 선반 유닛(U7)이 마련된다. 반송 아암[2(103)]과 반송 아암[205(A3)] 사이의 웨이퍼(W)의 전달은, 선반 유닛(U7)의 전달 모듈과 반송 아암[205(104)]을 통해 행해진다.
인터페이스 블록(B3)은, 처리 블록(B2)과 노광 스테이션(B4) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 것으로, 복수의 처리 모듈이 서로 적층된 선반 유닛(U8, U9, U10)을 구비한다. 또한 도 17 중의 부호 105, 106은 각각 선반유닛(U8, U9) 사이, 선반 유닛(U9, U10) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 하기 위한 반송 아암(2)이고, 도 17 중의 도면 부호 107은, 선반 유닛(U10)과 노광 스테이션(B4) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 하기 위한 반송 아암(2)이다.
도포, 현상 장치 및 노광 스테이션(B4)을 포함하는 시스템의 웨이퍼(W)의 반송 경로의 개략에 대해서 간단하게 설명한다. 웨이퍼(W)는, 캐리어(C)→반송 아암[2(103)]→선반 유닛(U7)의 전달 모듈→반송 아암[205(104)]→선반 유닛(U7)의 전달 모듈→단위 블록(D1∼D3)→인터페이스 블록(B3)→노광 스테이션(B4)의 순서로 흘러 간다. 이에 의해 웨이퍼(W)의 표면에 레지스트막이 도포되고, 또한 레지스트막의 표면에 노광 처리가 행해진다. 또한 노광 처리가 행해진 웨이퍼(W)는, 인터페이스 블록(B3)을 통해, 단위 블록(D4∼D6)에 반송된다. 또한 단위 블록(D4∼D6)에 있어서 열처리가 행해지고, 계속해서 액처리 유닛(110)에 반송되어 현상 처리가 행해진다. 그 후 웨이퍼(W)는, 선반 유닛(U7)의 전달 모듈(TRS)→반송 아암[2(103)]→캐리어(C)의 순서로 흘러 간다.
이러한 도포, 현상 장치에 있어서, 예컨대 액처리 유닛(110)에서, 회전하는 웨이퍼(W)에 처리액을 공급하였을 때에, 처리액과, 회전하는 웨이퍼(W)의 마찰에 의해 웨이퍼(W)에 정전기가 대전하는 경우가 있다. 이러한 웨이퍼(W)를 반송 아암[2, 205(103, 104, 105, 106, 107, A3)]에 전달하였을 때에, 순간적으로 과대한 전류가 흐르는 것을 방지하면서 웨이퍼(W)의 제전을 할 수 있다.
이상에 검토한 바와 같이, 이번에 개시된 실시형태는, 모든 점에서 예시로서 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 한다. 상기 실시형태는, 첨부된 청구범위 및 그 주지를 일탈하는 일 없이, 여러 가지 형태로 생략, 치환, 변경, 조합이 행해져도 좋다.
2: 반송 아암 5: 띠형 도전로
6: 나사 부재 10: 이동체
20: 지지부 31: 흡착 패드
50: 굴곡부

Claims (6)

  1. 기판을 지지하기 위한 상면이 기판에 대향하는 비도전성의 지지부와,
    상기 기판을 반송하기 위해 상기 지지부를 이동시키는 이동 기구와,
    상기 지지부와 이동 기구를 연결하며 접지되는 연결부와,
    상기 지지부의 상면에 마련되고, 상기 기판이 상기 지지부에 접촉하지 않도록 상기 기판의 하면에 접하여 지지하는 도전성의 접촉부와,
    상기 접촉부와 상기 연결부를 접속하도록 마련되는 띠형 도전로와,
    상기 띠형 도전로의 폭에 대한 상기 띠형 도전로끼리가 이루는 간격이 2배 이상이 되도록 상기 띠형 도전로가 구비하는 굴곡부
    를 구비하는 것인, 기판 반송 기구.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 지지부에 있어서 상기 접촉부와 떨어지고 상기 연결부와 접속한 영역에서 도전성 부재에 의해 형성되는 피복부를 구비하고,
    상기 띠형 도전로는, 상기 접촉부와 상기 피복부를 접속함으로써 상기 접촉부와 상기 연결부를 접속하도록 구성되며,
    상기 피복부와 상기 접촉부가 이루는 간격이, 상기 띠형 도전로끼리가 이루는 간격의 크기 이상인 것인, 기판 반송 기구.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 띠형 도전로는 상기 지지부에 있어서 상면과 상면 이외의 면에 걸쳐 형성되고,
    상기 지지부의 상면에는 상기 접촉부에 접속되는 상기 띠형 도전로의 일단부만이 마련되는 것인, 기판 반송 기구.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 띠형 도전로는, 상기 지지부의 표면에 마련되는 도전성 부재에 의해 구성되고,
    상기 띠형 도전로는, 상기 지지부의 상면에 마련되는 도전성 부재의 일부를 구성하며,
    상기 지지부의 상면은 제1 면과, 상기 제1 면보다 상기 기판에 근접한 제2 면을 구비하고,
    상기 도전성 부재의 다른 일부는 상기 제2 면에 마련되고, 상기 띠형 도전로의 일단부는, 상기 제1 면에 마련되는 것인, 기판 반송 기구.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판의 측벽에 접촉하고 상기 지지부에 대한 기판의 위치를 규제하는 가이드부가 상기 지지부에 마련되고,
    상기 지지부 및 가이드부의 각각 표면에는, 상기 가이드부와 상기 연결부를 접속하는 도전로가 마련되며,
    상기 가이드부와 상기 연결부 사이의 저항값은, 상기 접촉부와 상기 연결부 사이의 저항값보다 높은 것인, 반송 기구.
  6. 기판을 지지하기 위해 비도전성의 지지부의 상면을 상기 기판에 대향시키는 공정과,
    접지되는 연결부를 통해 상기 지지부에 연결되는 이동 기구에 의해, 상기 지지부를 이동시켜 상기 기판을 반송하는 공정과,
    상기 지지부의 상면에 마련되는 도전성의 접촉부에 의해, 상기 기판이 상기 지지부에 접촉하지 않도록 상기 기판의 하면에 접하여 지지하는 공정과,
    상기 접촉부와 상기 연결부를 접속하도록 마련되는 띠형 도전로에 의해, 상기 기판의 전하를 상기 연결부로 이동시키는 공정
    을 구비하고,
    상기 띠형 도전로에는, 상기 띠형 도전로의 폭에 대한 상기 띠형 도전로끼리가 이루는 간격이 2배 이상이 되도록 상기 띠형 도전로가 구비하는 굴곡부가 마련되는 것인, 기판 반송 방법.
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