WO2017188377A1 - 試料搬送部材 - Google Patents

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WO2017188377A1
WO2017188377A1 PCT/JP2017/016726 JP2017016726W WO2017188377A1 WO 2017188377 A1 WO2017188377 A1 WO 2017188377A1 JP 2017016726 W JP2017016726 W JP 2017016726W WO 2017188377 A1 WO2017188377 A1 WO 2017188377A1
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conductor
transport member
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保典 川邊
石峯 裕作
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京セラ株式会社
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    • C04B2237/00Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/68Forming laminates or joining articles wherein at least one substrate contains at least two different parts of macro-size, e.g. one ceramic substrate layer containing an embedded conductor or electrode

Definitions

  • This disclosure relates to a sample transport member.
  • a silicon epitaxial wafer which is a type of semiconductor wafer used for flash memories of CPUs (Central Processing Units) and MPUs (Micro Processing Units), is formed on the surface of a silicon single crystal substrate.
  • the epitaxial layer is vapor-phase grown.
  • Such vapor phase growth is performed, for example, using a single wafer type vapor phase growth apparatus.
  • This single wafer type vapor phase growth apparatus is an apparatus for processing silicon single crystal substrates one by one.
  • the single wafer type vapor phase growth apparatus includes a susceptor on which a silicon single crystal substrate is placed, a reaction chamber in which a heating means such as a halogen lamp is arranged around, and a silicon single crystal substrate is carried onto the susceptor.
  • a sample carrying member for carrying out the silicon epitaxial wafer after the vapor phase growth processing (hereinafter, the silicon single crystal substrate and the silicon epitaxial wafer may be collectively referred to as a sample) from the reaction chamber to the outside. And the inside.
  • static electricity is generated by contact during loading and unloading of the sample.
  • floating particles particles
  • the sample may be adhered and contaminated.
  • Patent Document 1 discloses that a holding unit made of an insulator that is in contact with the substrate and holds the substrate and a grounded and made of a conductor. There has been proposed a transfer arm including a grounding part and a conductive part made of a conductor in contact with the substrate and the grounding part.
  • the sample transport member includes a base made of ceramic, a support portion including a conductive member on at least a part of a support surface of the sample, and a ground located outside the base from the conductive member. A conductive layer connected to the portion.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line A-A ′ in FIG. 1.
  • FIG. 2 is a sectional view taken along line B-B ′ in FIG. 1.
  • FIG. 6 is another example of a cross-sectional view taken along line B-B ′ in FIG. 1. It is an enlarged view in the S section shown in FIG.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line C-C ′ in FIG. 6.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line D-D ′ in FIG. 6. It is a top view which shows an example of the sample processing apparatus provided with the sample conveyance member of this indication.
  • the sample transport member according to the present disclosure is not only one in which the sample transport member itself does not easily generate particles, but also can neutralize static electricity.
  • the sample transport member of the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings.
  • the sample transport member 10 of the present disclosure is positioned inside the base 1, a support portion 4 including a conductive member 3 on at least a part of the support surface 2 of the sample, and the base 1. And a conductive layer 5 connected from the conductive member 3 to the grounding portion outside the substrate 1.
  • the sample support surface 2 is a surface that contacts the sample or faces the sample at a distance of 10 ⁇ m or less.
  • substrate 1 in the sample conveyance member 10 of this indication consists of ceramics. Ceramics have both high durability and corrosion resistance, and particles are hardly generated even when used in a highly corrosive gas atmosphere or under high temperature and pressure. Furthermore, the sample transport member 10 according to the present disclosure allows static electricity generated when the sample and the support surface 2 are brought into contact with each other to escape from the conductive member 3 on the support surface 2 through the conductive layer 5 to the ground portion. Static electricity can be removed. As described above, the sample transport member 10 according to the present disclosure is not only one in which the sample transport member itself does not easily generate particles, but also can neutralize static electricity.
  • connection holes 8 for connecting with the metal shaft of a sample conveyance apparatus (not shown) with a volt
  • the conductive layer 3 and the sample transport device are connected via the bolt, and the shaft serves as a grounding portion.
  • 1 shows an example of the sample transport member 10 in which the base 1 is Y-shaped when viewed in plan, but the base 1 is not limited to the Y-shape, but is rectangular or circular. The shape may be trapezoidal or the like.
  • the ceramic constituting the substrate aluminum oxide ceramics, zirconium oxide ceramics, silicon nitride ceramics, aluminum nitride ceramics, silicon carbide ceramics, mullite ceramics, or the like can be used.
  • the aluminum oxide ceramics contain 70% by mass or more of aluminum oxide out of 100% by mass of all components constituting the ceramics. The same applies to other ceramics.
  • the material of the base body 1 can be confirmed by the following method.
  • measurement is performed using an X-ray diffractometer (XRD), and the obtained value of 2 ⁇ (2 ⁇ is a diffraction angle) is compared with a JCPDS card.
  • XRD X-ray diffractometer
  • 2 ⁇ 2 ⁇ is a diffraction angle
  • JCPDS JCPDS card
  • XRD X-ray diffractometer
  • the conductive member 3 in the sample transport member 10 of the present disclosure may be made of any material as long as it is a member having conductivity.
  • the conductive member 3 contains 90% by mass or more of platinum out of 100% by mass of all the components constituting the conductive member 3, platinum is excellent in corrosion resistance and oxidation resistance. Even when the member 10 is used in a corrosive gas or in an oxidizing atmosphere, static electricity can be satisfactorily eliminated over a long period of time.
  • the conductive member 3 is made of a conductive resin, it is difficult to damage the sample even if the contact with the sample is repeated, so that generation of particles from the sample can be suppressed.
  • the conductive resin may be a resin such as silicone, polyimide, or polyetheretherketone, which has a conductive material such as metal or carbon fiber.
  • the conductive member 3 constitutes at least a part of the support surface 2, but the entire support surface 2 may be the conductive member 3 and the support portion 4 may be the conductive member 3. Good.
  • the volume resistivity of the conductive member 3 in the sample transport member 10 of the present disclosure may be 1 ⁇ ⁇ cm or more and 10 9 ⁇ ⁇ cm or less. If such a configuration is satisfied, the discharge phenomenon caused by the static electricity moving at a time does not occur, and the static electricity on the sample can be eliminated.
  • the volume resistivity of the conductive member 3 can be measured by the following method.
  • a commercially available electrical resistance measuring instrument for example, Hiresta UXMCP-HT800 manufactured by Mitsubishi Chemical Analytech
  • the two needles of the electrical resistance measuring instrument are brought into contact with the conductive member 3 exposed on the support surface 2.
  • the volume resistivity of the conductive member 3 may be measured.
  • the sample transport member 10 is cut so that the conductive member 3 is exposed. Then, the volume resistivity of the exposed conductive member 3 may be measured.
  • the support portion 4 may be made of ceramics, and the conductive member 3 may be configured such that only the portion constituting the support surface 2 faces the sample. If such a configuration is satisfied, when the sample is placed on the support surface 2, the conductive member 3 is not exposed, and the exposed portions of the sample transport member 10 are all ceramics. The sample transport member 10 is more difficult to generate particles.
  • the support portion 4 may be made of a ceramic different from that of the base body 1. However, if the support portion 4 is made of the same ceramic as the base body 1, the support portion 4 and the base body 1 have the same thermal expansion coefficient, so Since cracks due to the difference in expansion coefficient do not occur, it can be used even in an environment where the temperature change is severe.
  • the support part 4 is made of the same ceramic as the base 1, for example, when the base 1 is made of aluminum oxide ceramics, the support part 4 is also made of aluminum oxide ceramics. is there.
  • the support portion 4 may have a shape in which the width dimension increases as it approaches the base 1 side from the support surface 2. If it is such a shape, since the area of the support surface 2 which contacts a sample is small, the possibility of attaching particles to the sample can be reduced. Further, since the area in contact with the substrate 1 is large, the load due to the sample applied to the support portion 4 can be stably supported by the substrate 1.
  • the number of support portions 4 may be any number as long as the sample can be stably supported. However, if the number of support portions 4 is three as shown in FIG. 1, the sample can be stably supported with a minimum contact area. it can. Examples of the three arrangements of the support portions 4 include an equilateral triangle arrangement or an isosceles triangle arrangement when the support portions 4 are connected with a line.
  • the conductive layer 5 in the sample transport member 10 of the present disclosure may be made of any material as long as it is a conductive member.
  • the conductive layer 5 contains a metal, static electricity received from the conductive member 3 can be quickly released to the grounding portion.
  • the metal contained in the conductive layer 5 may be, for example, molybdenum (Mo), tungsten (W), platinum (Pt), or the like.
  • Mo molybdenum
  • W tungsten
  • Pt platinum
  • the conductive layer 5 contains 90% by mass or more of platinum out of 100% by mass of all components constituting the conductive layer 5, the electrical resistance of the conductive layer 5 is reduced, and static electricity is removed in a short time. be able to.
  • the conductive layer 5 in the sample transport member 10 of the present disclosure may contain ceramic particles. If such a configuration is satisfied, the rigidity of the conductive layer 5 is improved, and the sample transport member 10 can be made difficult to vibrate when transported.
  • the ceramic particles and the ceramic constituting the substrate 1 are the same material.
  • the ceramic particles are preferably aluminum oxide (alumina).
  • the conductive member 3 in the sample transport member 10 of the present disclosure includes a plurality of first conductors 3a positioned along the direction intersecting the support surface 2 and the support surface 2 as illustrated in FIG. And a plurality of second conductors 3b connecting the plurality of first conductors 3a. If such a structure is satisfied, even if the sample transport member 10 vibrates during transport, the stress applied to the conductive member 3 due to the vibration can be dispersed by each second conductor 3b. As shown, the conductive member 3 has a single columnar shape, so that disconnection due to stress is less likely to occur, and the static electricity of the sample can be removed over a long period of time. Furthermore, even if one of the plurality of second conductors 3b is disconnected, the remaining second conductor 3b that is not disconnected can maintain electrical continuity with the first conductor 3a.
  • the first conductor 3a and the second conductor 3b may have any shape as long as a plurality of second conductors 3b can be connected to the first conductor 3a.
  • the first conductor 3a has a disk shape with a thickness of 2 to 50 ⁇ m and a diameter of 0.5 to 2 cm.
  • the second conductor 3b has a columnar shape with a height of 0.2 mm to 2.0 mm and a diameter of 50 ⁇ m to 700 ⁇ m. If the conductive member 3 has a single column shape as shown in FIG. 3, it may have a cylindrical shape with a diameter of 50 ⁇ m or more and 700 ⁇ m or less.
  • the number of the second conductors 3b connecting the adjacent first conductors 3a may be at least two. Moreover, if the 2nd conductor 3b is the part which comprises the support surface 2 among the conductive members 3, compared with the case where the 1st conductor 3a comprises the support surface 2, the conductive member exposed to the support surface 2 Since the area of 3 can be reduced, the generation of particles can be reduced.
  • At least one of the substrate 1 and the support unit 4 in the sample transport member 10 of the present disclosure is formed of a laminate of a plurality of plate-like bodies, and the first conductor 3a is located between adjacent plate-like bodies. Also good. As described above, if the substrate 1 and the support 4 are made of a laminate of a plurality of plate-like bodies, they can be easily manufactured even if they have complicated shapes by appropriately changing the size of each plate-like body. be able to. And if the 1st conductor 3a is located between adjacent plate-shaped bodies, when the sample conveyance member 10 vibrates with conveyance, stress can be released effectively and the disconnection by stress will generate
  • the second conductor 3b has a portion located on the support surface 2 side with respect to the first conductor 3a, rather than the first portion 21 and the first conductor 3a.
  • the vertical lines of the outer diameters of the first part 21 and the second member 22 may partially overlap.
  • the first portion 21 of the second conductor 3b is a portion corresponding to 1 ⁇ 2 of the entire length of the second conductor 3b from the first conductor 3a to the support surface 2 side. In FIG. It is a portion on the conductor 3a.
  • the second portion 22 of the second conductor 3b is a portion corresponding to 1 ⁇ 2 of the entire length of the second conductor 3b from the first conductor 3a to the conductive layer 5 side.
  • FIG. It is the part under 3a.
  • the vertical lines of the outer diameters of the first part 21 and the second member 22 are partially overlapped, as shown in FIG. The width A overlaps with the vertical line of the outer diameter of the portion 22. If such a configuration is satisfied, the stress applied to the conductive member 3 by vibration can be effectively dispersed by the second conductor 3b.
  • the base 1 ′ of the sample transport member 10 ′ of the present disclosure of the example shown in FIG. 6 has a flow path 6 inside, and the support portion 4 is connected to the flow path 6 and opens to the support surface 2.
  • An air inlet 7 is provided.
  • the flow path 6 is connected with the exhaust hole 9 which has an opening part in the surface of the base
  • a suction mechanism (not shown) connected to the opening portion of the exhaust hole 9 is operated, and the sample can be adsorbed by the adsorbing force generated at this time. With such a configuration, the sample can be supported more stably.
  • the flow path 6 may be provided in any way, but the conductive member 3 and the conductive layer 5 may not be exposed on the inner surface of the flow path 6. Good. If such a configuration is satisfied, particles are generated from the inner surface of the flow path 6, and there is less possibility that the particles pass through the flow path 6 and are discharged from the intake hole 7. Therefore, the sample transport member 10 of the present disclosure is less likely to generate particles.
  • FIG. 8 although the shape of the flow path 6 has shown the example which is Y shape when planarly viewed, it is not limited to this, What kind of shape may be sufficient. .
  • FIG. 9 a sample processing apparatus 30 shown in FIG. 9 will be described as an example of an apparatus including the sample transport members 10 and 10 ′ of the present disclosure.
  • the sample transport member is denoted by “10”.
  • the sample processing apparatus 30 shown in FIG. 9 is a multi-chamber type sample processing apparatus 30 that continuously processes the wafers 18 one by one.
  • the sample transport apparatus 20 is located in the approximate center of the transport chamber 19.
  • two sample cassette chambers 15 including a plurality of processing chambers 14a to 14d and a sample cassette 17 for storing wafers 18 before and after the processing are located around the transfer chamber 19 through a gate valve 16.
  • the following processing is performed in each of the processing chambers 14a to 14d.
  • the wafer 18 is oxidized and an oxide film is formed on the surface thereof.
  • the oxide film formed on the wafer 18 is removed using a plasma dry etching apparatus.
  • an epitaxial process for forming an epitaxial layer is performed.
  • a layer made of aluminum, titanium, titanium nitride, or the like is formed on the wafer 18 by a sputtering method.
  • the sample transport device 20 is also rotatably attached to the shaft 11 that rotates in the axial direction, the first arm 12 that is rotatably attached to the shaft 11, and the tip of the first arm 12.
  • the second arm 13 and the sample transport member 10 of the present disclosure fixed to the tip of the second arm 13 are provided.
  • the sample transport device 20 extends the second arm 13 so that the processing chambers 14a to 14d or the sample cassette chamber 15 can be moved to the processing chambers 14a to 14d.
  • the sample transport member 10 is entered to carry in and carry out the wafer 18.
  • sample transport member 10 of the present disclosure is not limited to the use as a part of the arm for transporting the sample, such as the sample processing apparatus 30 described above, and the exposure, grinding, etc. When performing this process, it may be used as a member on which the sample is placed.
  • a predetermined amount of a sintering aid, a binder, a solvent, a dispersing agent, and the like is added to and mixed with raw material powders such as aluminum oxide, zirconium oxide, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, and mullite to prepare a slurry.
  • a green sheet is formed by the doctor blade method using this slurry.
  • the slurry is spray-dried by spray granulation (spray drying) and granulated, and a green sheet is formed by roll compaction.
  • the obtained green sheet is processed using a known method such as a laser and a mold so as to have a desired shape.
  • a known method such as a laser and a mold so as to have a desired shape.
  • the through hole can be used as the flow path 6 or the connecting hole 8 by a laminating method described later.
  • a conductive paste mainly composed of molybdenum, tungsten, platinum or the like is prepared, and the conductive paste is printed on a portion where the conductive layer 5 of the green sheet is formed.
  • the conductive layer 5 contains ceramic particles by adding ceramic particles to the conductive paste.
  • green sheets are laminated by a lamination method to produce a molded body.
  • a lamination method to produce a molded body.
  • the slurry mentioned above is just to use the slurry mentioned above as a bonding agent used when laminating
  • substrate 1 which provided the conductive layer 5 inside can be obtained by baking the obtained molded object according to the baking conditions of each raw material powder.
  • the raw material powder is an oxide, since it is fired in the air atmosphere, it is preferable to use a conductive paste mainly composed of platinum that is difficult to oxidize. Further, when the raw material powder is a non-oxide, it is fired in a reducing atmosphere or a vacuum atmosphere. Therefore, a conductive paste mainly composed of tungsten or molybdenum is preferably used.
  • the conductive member 3 constitutes at least a part of the support surface 2 and is disposed so as to be in contact with the conductive layer 5 to obtain the sample transport member 10 of the present disclosure.
  • the conductive member 3 may be bonded to the support portion 4 or the base 1 via an adhesive, or may be screwed to the support portion 4 or the base 1 by forming the conductive member 3 in a screw shape. Also good.
  • the conductive member 3 includes a plurality of first conductors 3a positioned along the direction intersecting the support surface 2 and a plurality of second conductors extending along the support surface 2 and connecting the plurality of first conductors 3a.
  • the substrate 1 and the support part 4 may be produced by the following method.
  • a plurality of through holes having an arbitrary shape such as a columnar shape are formed in a green sheet, and then a plurality of the through holes filled with the conductive paste are prepared.
  • the conductive paste filled in the through hole of the green sheet becomes the second conductor 3b after firing.
  • the green sheets are stacked, and at this time, the conductive paste is formed into an arbitrary shape such as a disk shape so as to cover the conductive paste that becomes the second conductors 3b of both of the adjacent green sheets. Apply on green sheet.
  • the conductive paste applied here becomes the first conductor 3a after firing. Then, what is necessary is just to produce the base

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Abstract

本開示の試料搬送部材は、セラミックスからなる基体と、試料の支持面の少なくとも一部に導電性部材を含む支持部と、前記基体の内部に位置し、前記導電性部材から前記基体外の接地部に繋がる導電層とを備える。

Description

試料搬送部材
 本開示は、試料搬送部材に関する。
 CPU(Central Prоcessing Unit:中央処理装置)やMPU(Micrо Prоcessоr Unit:超小型演算処理装置)のフラッシュメモリ等に用いられる半導体ウエハの1種であるシリコンエピタキシャルウエハは、シリコン単結晶基板の表面にシリコンエピタキシャル層を気相成長させたものである。このような気相成長は、例えば、枚葉式の気相成長装置を用いて行なわれる。この枚葉式の気相成長装置は、シリコン単結晶基板を1枚ずつ処理する装置である。そして、枚葉式の気相成長装置は、シリコン単結晶基板を載置するサセプタと、周囲にハロゲンランプ等の加熱手段を配した反応室と、シリコン単結晶基板をサセプタ上に搬入したり、気相成長処理が終わった後のシリコンエピタキシャルウエハ(以下、シリコン単結晶基板およびシリコンエピタキシャルウエハを、総じて試料と記載する場合がある。)を反応室から外部へ搬出したりするための試料搬送部材と、を内部に備えている。
 ここで、試料の搬入時や搬出時における接触によって静電気が発生し、この静電気により試料が帯電すると、浮遊粒子(パーティクル)が引き寄せられ、試料にパーティクルが付着し、汚染される場合がある。
 そこで、試料搬送部材を介して静電気の除電ができるように、例えば、特許文献1には、基板と接触し基板を保持する、絶縁体からなる保持部と、接地されており、導電体からなる接地部と、基板および接地部と接触する、導電体からなる導電部とを備える搬送アームが提案されている。
特開2013-212920号公報
 本開示の試料搬送部材は、セラミックスからなる基体と、試料の支持面の少なくとも一部に導電性部材を含む支持部と、前記基体の内部に位置し、前記導電性部材から前記基体外の接地部に繋がる導電層とを備える。
本開示の試料搬送部材の一例を示す平面図である。 図1におけるA-A’線での断面図である。 図1におけるB-B’線での断面図である。 図1におけるB-B’線での断面図の他の例である。 図4に示すS部における拡大図である。 本開示の試料搬送部材の他の例を示す平面図である。 図6におけるC-C’線での断面図である。 図6におけるD-D’線での断面図である。 本開示の試料搬送部材を備えた試料処理装置の一例を示す平面図である。
 近年、CPUやMPUのフラッシュメモリ等の高性能化に向けて、シリコンエピタキシャルウエハに形成される配線が微細化の傾向にある。このように、配線の微細化に伴い、パーティクルが少しでも付着すると、配線の断線や欠落等の問題が発生するおそれが高まる。そのため、処理前のシリコン単結晶基板および処理後のシリコンエピタキシャルウエハ(以下、これらを総じて単に試料と記載する場合がある。)にパーティクルの付着が少ないことが求められる。そのため、試料搬送部材には、試料搬送部材自身がパーティクルを発生させにくいものであるだけでなく、試料の搬入時や搬出時における接触によって発生する静電気を除電できることが求められている。
 本開示の試料搬送部材は、試料搬送部材自身がパーティクルを発生させにくいものであるだけでなく、静電気を除電することができる。以下に、本開示の試料搬送部材について、図面を参照しながら詳細に説明する。
 本開示の試料搬送部材10は、図1および図2に示すように、基体1と、試料の支持面2の少なくとも一部に導電性部材3を含む支持部4と、基体1の内部に位置し、導電性部材3から基体1外の接地部に繋がる導電層5とを備えている。ここで、試料の支持面2とは、試料と接触する、または10μm以下の距離において試料と対向する面のことである。
 そして、本開示の試料搬送部材10における基体1は、セラミックスからなる。セラミックスは、高い耐久性および耐食性を兼ね備えており、腐食性の高いガス雰囲気下や、高温・高圧下で使用しても、パーティクルが発生しにくい。さらに、本開示の試料搬送部材10は、試料と支持面2とを接触させた際に発生する静電気を、支持面2における導電性部材3から導電層5を通って接地部へ逃がすことで、静電気を除電することができる。このように、本開示の試料搬送部材10は、試料搬送部材自身がパーティクルを発生させにくいものであるだけでなく、静電気を除電することができるものである。
 なお、図1においては、試料搬送装置(図示しない)の金属製のシャフトにボルトで連結するための連結孔8を4箇所備えている例を示している。そして、このボルトを介して、導電層3と試料搬送装置とが繋がる構造となっており、このシャフトが接地部となっている。また、図1においては、平面視した際に、基体1がY字状である試料搬送部材10の例を示しているが、基体1はY字状に限定されるものではなく、長方形、円形、台形等の形状であってもよい。
 また、基体1を構成するセラミックスには、酸化アルミニウム質セラミックス、酸化ジルコニウム質セラミックス、窒化珪素質セラミックス、窒化アルミニウム質セラミックス、炭化珪素質セラミックスまたはムライト質セラミックス等を用いることができる。ここで、酸化アルミニウム質セラミックスとは、セラミックスを構成する全成分100質量%のうち、酸化アルミニウムを70質量%以上含有するものである。なお、他のセラミックスについても同様である。
 ここで、基体1の材質は、以下の方法により確認することができる。まず、X線回折装置(XRD)を用いて測定し、得られた2θ(2θは、回折角度である。)の値より、JCPDSカードと照合する。ここでは、XRDにより基体1に酸化アルミニウムの存在が確認された場合を例に挙げて説明する。次に、ICP発光分光分析装置(ICP)または蛍光X線分析装置(XRF)を用いて、アルミニウム(Al)の定量分析を行なう。そして、ICPまたはXRFで測定したAlの含有量から酸化アルミニウム(Al)に換算した含有量が70質量%以上であれば、基体1は酸化アルミニウム質セラミックスで構成されている。
 また、本開示の試料搬送部材10における導電性部材3は、導電性を有する部材であればどのような材料で構成されていてもよい。例えば、導電性部材3が、導電性部材3を構成する全成分100質量%のうち、白金を90質量%以上含有していれば、白金は耐食性や耐酸化性に優れているため、試料搬送部材10が腐食性ガス中や酸化雰囲気で使用された場合でも、長期間に亘って、静電気を良好に除電することができる。
 また、導電性部材3が、導電性樹脂からなれば、試料との接触を繰り返しても、試料に傷を付けにくいことから、試料からパーティクルが発生することを抑制することができる。ここで、導電性樹脂としては、金属や炭素繊維等の導電性物質を有する、シリコーン、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン等の樹脂であればよい。
 なお、導電性部材3は、支持面2の少なくとも一部を構成するものであるが、支持面2全てが導電性部材3であってもよく、支持部4が導電性部材3であってもよい。
 また、本開示の試料搬送部材10における導電性部材3の体積抵抗率は、1Ω・cm以上10Ω・cm以下であってもよい。このような構成を満足するならば、静電気が一気に移動することによる放電現象が発生することが無く、試料が帯びた静電気を除電することができる。
 ここで、導電性部材3の体積抵抗率は、以下の方法で測定することができる。市販の電気抵抗測定器(例えば、三菱化学アナリテック製のハイレスタ- UXMCP-HT800)を用いて、電気抵抗測定器の2本の針を、支持面2において露出している導電性部材3に接触させることで、導電性部材3の体積抵抗率を測定すればよい。なお、支持面2において露出している導電性部材3の面積が小さく、電気抵抗測定器の針を接触させることができない場合には、導電性部材3が露出するように試料搬送部材10を切断し、露出させた導電性部材3の体積抵抗率を測定すればよい。
 また、本開示の試料搬送部材10は、支持部4がセラミックスからなり、導電性部材3は、支持面2を構成する部分のみが、試料と対向していてもよい。このような構成を満足するならば、支持面2上に試料を載置した際に、導電性部材3が露出せず、試料搬送部材10における露出箇所が全てセラミックスとなることから、本開示の試料搬送部材10はパーティクルをさらに発生させにくいものとなる。
 なお、支持部4は、基体1と異なるセラミックスで構成されていてもよいが、基体1と同じセラミックスで構成されているならば、支持部4と基体1との熱膨張係数が同じとなり、熱膨張係数の差に起因するクラックが発生しないことから、温度変化が激しい環境下でも使用することができる。ここで、支持部4が基体1と同じセラミックスで構成されるとは、例えば、基体1が酸化アルミニウム質セラミックスで構成されている場合、支持部4も酸化アルミニウム質セラミックスで構成されるということである。
 また、支持部4は、図3の断面図に示すように、支持面2から基体1側に近づくにつれ、幅寸法が大きくなる形状であってもよい。このような形状であるならば、試料と接触する支持面2の面積が小さいため、試料にパーティクルを付けるおそれを少なくすることができる。また、基体1と接触する面積が大きいため、支持部4に加わる試料による荷重を基体1で安定して支持することができる。
 また、支持部4の個数は、試料を安定して支持できる数であればよいが、図1に示すように3個であれば、最小限の接触面積で試料を安定して支持することができる。支持部4の3個の配置例としては、各支持部4同士を線で結んだ際に正三角形の配置または二等辺三角形の配置が挙げられる。
 また、本開示の試料搬送部材10における導電層5は、導電性を有する部材であればどのような材料で構成されていてもよい。例えば、導電層5が金属を含有するものであれば、導電性部材3から受け取った静電気を、速やかに接地部へ逃がすことができる。なお、導電層5が含有する金属としては、例えば、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、白金(Pt)等であればよい。特に、導電層5が、導電層5を構成する全成分100質量%のうち、白金を90質量%以上含有していれば、導電層5の電気抵抗は小さくなり、静電気を短時間で除去することができる。
 また、本開示の試料搬送部材10における導電層5は、セラミック粒子を含有していてもよい。このような構成を満足するならば、導電層5の剛性が向上し、搬送する際に、試料搬送部材10を振動しにくくすることができる。なお、上記セラミック粒子と基体1を構成するセラミックスとは同じ材質、例えば、基体1を構成するセラミックスが酸化アルミニウム質セラミックスである場合、セラミック粒子は酸化アルミニウム(アルミナ)であるのがよい。
 また、本開示の試料搬送部材10における導電性部材3は、図4に示すように、支持面2に対して交わる方向に沿って位置する複数の第1導体3aと、支持面2に沿っており、複数の第1導体3aを繋ぐ複数の第2導体3bとを備えていてもよい。このような構造を満足するならば、搬送に伴い試料搬送部材10が振動しても、振動により導電性部材3に加わる応力を、各第2導体3bで分散させることができることから、図3に示すような、導電性部材3が単一の柱状である場合に比べて、応力による断線が発生しにくく、長期間に亘って、試料の静電気を除電することができる。さらに、仮に、複数の第2導体3bのうち一つの第2導体3bが断線したとしても、断線していない残りの第2導体3bにより第1導体3aとの導通を維持することができる。
 ここで、第1導体3aおよび第2導体3bは、第1導体3aに複数の第2導体3bが繋がることが可能であれば、どのような形状であっても構わない。例えば、第1導体3aは、厚みが2μm以上50μm以下であり、直径が0.5cm以上2cm以下の円板状である。また、例えば、第2導体3bは高さが0.2mm以上2.0mm以下であり、直径が50μm以上700μm以下の円柱状である。なお、導電性部材3を、図3に示すような単一の柱状とするならば、直径が50μm以上700μm以下の円柱状とすればよい。
 また、隣り合う第1導体3a同士を繋ぐ第2導体3bの個数は、少なくとも2個以上であればよい。また、導電性部材3のうち第2導体3bが、支持面2を構成する部分であれば、第1導体3aが支持面2を構成する場合に比べて、支持面2に露出する導電性部材3の面積を少なくすることができることから、パーティクルの発生を低減することができる。
 また、本開示の試料搬送部材10における基体1および支持部4の少なくともいずれかは、複数の板状体の積層体からなり、隣り合う板状体の間に第1導体3aが位置していてもよい。このように、基体1や支持体4が、複数の板状体の積層体からなるならば、各板状体の大きさを適宜変更することで複雑な形状であっても、容易に作製することができる。そして、隣り合う板状体の間に第1導体3aが位置しているならば、搬送に伴い試料搬送部材10が振動した際、効果的に応力を逃がすことができ、応力による断線をより発生しにくくすることができる。なお、基体1および支持体4の両方が、複数の板状体の積層体からなってもよい。
 また、本開示の試料搬送部材10において、第2導体3bは、図5に示すように、第1導体3aよりも支持面2側に位置する部分を第1部位21、第1導体3aよりも導電層5側に位置する部分を第2部位22としたとき、第1部位21および第2部材22のそれぞれの外径の鉛直線が部分的に重なっていてもよい。ここで、第2導体3bの第1部位21とは、第1導体3aから支持面2側にかけて第2導体3bの全長の1/2までにあたる部分のことであり、図5においては、第1導体3aの上にある部分のことである。一方、第2導体3bの第2部位22とは、第1導体3aから導電層5側にかけて第2導体3bの全長の1/2までにあたる部分のことであり、図5においては、第1導体3aの下にある部分のことである。そして、第1部位21および第2部材22のそれぞれの外径の鉛直線が部分的に重なっているとは、図5に示すように、第1部位21の外径の鉛直線と、第2部位22の外径の鉛直線とが重なり合う幅Aが存在することである。このような構成を満足するならば、振動により導電性部材3に加わる応力を、第2導体3bにより効果的に分散できる。
 次に、図6に示す例の本開示の試料搬送部材10’の基体1’は、内部に流路6を有し、支持部4は、流路6に繋がるとともに、支持面2に開口する吸気口7を有している。ここで、流路6は、図7に示すように、吸気孔7以外にも基体1の表面に開口部分を有する排気孔9と繋がっている。そして、排気孔9の開口部分に接続された吸引機構(図示せず)を作動させ、このときに発生する吸着力によって試料を吸着することができる。このような構成であることで、試料をより安定して支持することができる。
 なお、本開示の試料搬送部材10’において、流路6はどのように設けられていても構わないが、導電性部材3および導電層5は、流路6の内面に露出していなくてもよい。このような構成を満足するならば、流路6の内面からパーティクルが発生し、このパーティクルが流路6内を通って、吸気孔7から排出されるおそれが少なくなる。よって、本開示の試料搬送部材10はパーティクルをより発生させにくいものとなる。なお、流路6の形状は、図8においては、平面視した際に、Y字状である例を示しているが、これに限定されるものではなく、どのような形状であってもよい。
 次に、本開示の試料搬送部材10、10’を備えた装置の一例として、図9に示す試料処理装置30を説明する。なお、図9および以下の説明においては、試料搬送部材には「10」の符号を付す。
 図9に示す試料処理装置30は、ウエハ18を1枚ごとに連続的に処理するマルチチャンバ方式の試料処理装置30である。この試料処理装置30においては、搬送室19のほぼ中央に試料搬送装置20が位置する。また、搬送室19の周囲にゲートバルブ16を介して複数の処理室14a~14dおよび処理前後のウエハ18を収納する試料カセット17を備えた2個の試料カセット室15が位置する。
 ここで、各処理室14a~14dでは、例えば以下のような処理が行なわれる。処理室14aでは、ウエハ18に対して酸化処理が施され、その表面に酸化膜が形成される。また、処理室14bでは、プラズマドライエッチング装置を用いて、ウエハ18に形成された酸化膜が除去される。また、処理室14cでは、エピタキシャル層を形成するためのエピタキシャル処理が行なわれる。また、処理室14dでは、例えば、アルミニウム、チタン、窒化チタン等からなる層がスパッタリング法によりウエハ18上に形成される。
 そして、試料搬送装置20は、軸方向に回転するシャフト11と、シャフト11に対して回転可能に取り付けられた第1のアーム12と、第1のアーム12の先端に同じく回転可能に取り付けられた第2のアーム13と、第2のアーム13の先端に固定された本開示の試料搬送部材10とを備える。
 また、この試料搬送装置20は、各処理室14a~14dまたは試料カセット室15のゲートバルブ16が開いた後、第2のアーム13を伸長させ、各処理室14a~14dまたは試料カセット室15に試料搬送部材10を進入させてウエハ18の搬入および搬出を行なうものである。このような試料処理装置30において、本開示の試料搬送部材10を備えていることにより、各種処理の過程においてウエハ18にパーティクルを付けるおそれを少なくすることができる。
 なお、本開示の試料搬送部材10は、上述した試料処理装置30のような、試料を搬送するアームの一部としての用途に限らず、露光装置や研削装置等で、試料に露光や研削等の処理を施す際に、試料を載置する部材として用いてもよい。
 以下、本開示の試料搬送部材10の製造方法の一例について説明する。
 まず、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化珪素、窒化アルミニウム、炭化珪素、ムライト等の原料粉末に、焼結助剤、バインダ、溶媒および分散剤等を所定量添加し、混合することでスラリーを作製する。
 次に、このスラリーを用いてドクターブレード法によりグリーンシートを形成する。または、スラリーを噴霧造粒法(スプレードライ法)により噴霧乾燥して造粒し、ロールコンパクション法によりグリーンシートを形成する。
 そして、得られたグリーンシートに対し、所望の形状になるようにレーザおよび金型等の公知の方法を用いて加工を行なう。このとき、グリーンシートに貫通孔を形成することによって、後述する積層工法によって、この貫通孔を流路6や連結孔8とすることができる。
 次に、モリブデン、タングステン、白金等を主成分とした導電性ペーストを準備し、グリーンシートの導電層5を形成する箇所に、導電性ペーストの印刷を行なう。このとき、導電性ペーストにセラミック粒子を添加することによって、導電層5がセラミック粒子を含有するものとなる。
 次に、積層工法によってグリーンシート同士を積層し、成形体を作製する。なお、グリーンシートを積層するときに用いる接合剤としては、上述したスラリーを用いればよい。
 そして、得られた成形体を各原料粉末の焼成条件に合わせて焼成することによって、導電層5を内部に備えた基体1を得ることができる。なお、原料粉末が酸化物である場合には大気雰囲気で焼成するため、酸化しにくい白金を主成分とした導電性ペーストを用いるのがよい。また、原料粉末が非酸化物である場合には還元雰囲気または真空雰囲気で焼成するため、タングステンまたはモリブデンを主成分とした導電性ペーストを用いるのがよい。
 次に、シリコーン、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン等の樹脂に金属や炭素繊維等の導電性物質を練り込んだ導電性樹脂からなる導電性部材3を準備する。
 そして、この導電性部材3を、支持面2の少なくとも一部を構成するとともに、導電層5に接触するように配置することによって、本開示の試料搬送部材10を得る。なお、導電性部材3は、接着剤を介して支持部4や基体1と接合してもよいし、導電性部材3をねじ形状にすることで、支持部4や基体1とねじ接合してもよい。
 なお、導電性部材3を、支持面2に対して交わる方向に沿って位置する複数の第1導体3aと、支持面2に沿っており、複数の第1導体3aを繋ぐ複数の第2導体3bとで構成するには、以下の方法で基体1や支持部4を作製すればよい。
 まず、グリーンシートに円柱状等の任意形状の貫通孔を複数個形成した後、この貫通孔内に上記導電性ペーストを充填したものを複数枚準備する。ここで、グリーンシートの貫通孔内に充填された導電性ペーストが、焼成後に第2導体3bとなる。次に、各グリーンシートを積層していくが、この時、隣り合うグリーンシートの両方の第2導体3bとなる導電性ペーストを覆うように、上記導電性ペーストを円板状等の任意形状にグリーンシート上に塗布する。ここで塗布した導電性ペーストが、焼成後に第1導体3aとなる。その後、焼成することで、基体1や支持部4を作製すればよい。
 1、1’:基体
 2:支持面
 3:導電性部材
 3a:第1導体
 3b:第2導体
 4:支持部
 5:導電層
 6:流路
 7:吸気孔
 10、10’:試料搬送部材

Claims (9)

  1.  セラミックスからなる基体と、
     試料の支持面の少なくとも一部に導電性部材を含む支持部と、
     前記基体の内部に位置し、前記導電性部材から前記基体外の接地部に繋がる導電層とを備える試料搬送部材。
  2.  前記導電性部材が導電性樹脂からなる請求項1に記載の試料搬送部材。
  3.  前記導電性部材の体積抵抗率は、1Ω・cm以上10Ω・cm以下である請求項1または請求項2に記載の試料搬送部材。
  4.  前記支持部がセラミックスからなり、
     前記導電性部材は、前記支持面を構成する部分のみが、前記試料と対向している請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の試料搬送部材。
  5.  前記導電層がセラミック粒子を含有している請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の試料搬送部材。
  6.  前記導電性部材は、前記支持面に対して交わる方向に沿って位置する複数の第1導体と、前記支持面に沿っており、複数の前記第1導体を繋ぐ複数の第2導体とを備える請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の試料搬送部材。
  7.  前記基体および前記支持部の少なくともいずれかは、複数の板状体の積層体からなり、隣り合う前記板状体の間に前記第1導体が位置している請求項6に記載の試料搬送部材。
  8.  前記第2導体は、前記第1導体よりも前記支持面側に位置する部分を第1部位、前記第1導体よりも前記導電層側に位置する部分を第2部位としたとき、前記第1部位および前記第2部位のそれぞれの外径の鉛直線が部分的に重なっている請求項6または請求項7に記載の試料搬送部材。
  9.  前記基体は、内部に流路を有し、
     前記支持部は、前記流路に繋がるとともに、前記支持面に開口する吸気口を有している請求項1乃至請求項8のいずれかに記載の試料搬送部材。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018131600A1 (ja) * 2017-01-10 2018-07-19 京セラ株式会社 熱処理用載置部材
JP2020021772A (ja) * 2018-07-30 2020-02-06 京セラ株式会社 試料搬送部材
JP7415782B2 (ja) 2020-05-11 2024-01-17 東京エレクトロン株式会社 基板搬送機構及び基板搬送方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62287638A (ja) * 1986-06-06 1987-12-14 Hitachi Ltd ウエハ保持具
JP2005512319A (ja) * 2001-12-03 2005-04-28 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 電気導電率を有する搬送部材およびその製造方法
JP2010177415A (ja) * 2009-01-29 2010-08-12 Kyocera Corp 保持用治具およびこれを備えた吸着装置
JP2011129373A (ja) * 2009-12-17 2011-06-30 Kurimoto Ltd 導電性粒子の製造方法及びその方法により製造された導電性粒子
JP2013212920A (ja) * 2012-04-03 2013-10-17 Sharp Corp 搬送アーム、搬送装置および搬送方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3145252B2 (ja) * 1994-07-29 2001-03-12 淀川化成株式会社 基板支承用側板およびそれを用いたカセット
US6133557A (en) * 1995-01-31 2000-10-17 Kyocera Corporation Wafer holding member
US5955858A (en) * 1997-02-14 1999-09-21 Applied Materials, Inc. Mechanically clamping robot wrist
KR20040031691A (ko) * 2001-08-10 2004-04-13 이비덴 가부시키가이샤 세라믹 접합체
JP5343954B2 (ja) * 2010-11-01 2013-11-13 株式会社安川電機 基板搬送用ハンド、それを備えた基板搬送装置および基板搬送方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62287638A (ja) * 1986-06-06 1987-12-14 Hitachi Ltd ウエハ保持具
JP2005512319A (ja) * 2001-12-03 2005-04-28 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 電気導電率を有する搬送部材およびその製造方法
JP2010177415A (ja) * 2009-01-29 2010-08-12 Kyocera Corp 保持用治具およびこれを備えた吸着装置
JP2011129373A (ja) * 2009-12-17 2011-06-30 Kurimoto Ltd 導電性粒子の製造方法及びその方法により製造された導電性粒子
JP2013212920A (ja) * 2012-04-03 2013-10-17 Sharp Corp 搬送アーム、搬送装置および搬送方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018131600A1 (ja) * 2017-01-10 2018-07-19 京セラ株式会社 熱処理用載置部材
JP2020021772A (ja) * 2018-07-30 2020-02-06 京セラ株式会社 試料搬送部材
JP7019529B2 (ja) 2018-07-30 2022-02-15 京セラ株式会社 試料搬送部材
JP7415782B2 (ja) 2020-05-11 2024-01-17 東京エレクトロン株式会社 基板搬送機構及び基板搬送方法

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