CN110896043A - 用于处理基板的装置 - Google Patents

用于处理基板的装置 Download PDF

Info

Publication number
CN110896043A
CN110896043A CN201910852522.7A CN201910852522A CN110896043A CN 110896043 A CN110896043 A CN 110896043A CN 201910852522 A CN201910852522 A CN 201910852522A CN 110896043 A CN110896043 A CN 110896043A
Authority
CN
China
Prior art keywords
chamber
developing
substrate
transfer
supercritical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910852522.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110896043B (zh
Inventor
崔基勋
许瓒宁
金度宪
崔海圆
李在晟
A·科里阿金
郑址洙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semes Co Ltd
Original Assignee
Semes Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semes Co Ltd filed Critical Semes Co Ltd
Publication of CN110896043A publication Critical patent/CN110896043A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110896043B publication Critical patent/CN110896043B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G03F7/325—Non-aqueous compositions
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3042—Imagewise removal using liquid means from printing plates transported horizontally through the processing stations
    • G03F7/3057—Imagewise removal using liquid means from printing plates transported horizontally through the processing stations characterised by the processing units other than the developing unit, e.g. washing units
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

一种用于处理基板的装置包括：显影室，其通过供应显影溶液对基板执行显影工艺；超临界室，其通过供应超临界流体来处理基板；和传送室，其具有传送单元，该传送单元在显影室与超临界室之间传送基板W。

Description

用于处理基板的装置
技术领域
本文中所描述的本发明构思的实施方式涉及一种基板处理装置，且更具体地，涉及一种用于执行显影工艺和超临界工艺的基板处理装置。
背景技术
执行诸如沉积、光刻、蚀刻、清洁等各种工艺来制造半导体器件。在这些工艺之中，光刻工艺包括涂覆工艺、曝光工艺和显影工艺。涂覆工艺为用光敏材料(诸如光刻胶)涂覆基板的工艺。曝光工艺为通过光掩膜使涂覆的光刻胶膜暴露于光源的光以在基板上形成电路图案的工艺。显影工艺为使基板的曝光区域选择性地显影的工艺。
通常，显影工艺包括显影溶液供应步骤、冲洗溶液供应步骤和干燥步骤。在干燥步骤中，执行使支撑基板的自旋卡盘旋转且通过使用由该自旋卡盘施加在基板上的离心力而干燥基板上残留的显影溶液或冲洗溶液的自旋干燥法。
随着在基板上形成的图案的临界尺寸(CD)的减小，在相关领域中的自旋干燥法导致图案塌陷或弯曲的倾斜现象。该问题被指出作为执行光刻工艺的现有设备的限制。
发明内容
本发明构思的实施方式提供一种用于有效地执行显影工艺的装置。
本发明构思的实施方式提供一种用于防止基板在从显影室传送到超临界室时被干燥的装置。
本发明构思的实施方式提供一种用于防止图案塌陷或弯曲的倾斜现象的装置。
本发明构思的实施方式提供一种用于有效地执行涂覆工艺、显影工艺和超临界工艺的基板处理装置的平台。
本发明构思的实施方式提供一种用于使传送基板所花费的单件工时最小化的装置。
由本发明构思解决的技术问题不限于前述问题，并且本发明构思所属的领域中的技术人员将从如下描述清楚地理解本文中未提及的其它技术问题。
根据示例性实施方式，一种用于处理基板的装置包括：显影室，所述显影室通过供应显影溶液对所述基板执行显影工艺；超临界室，所述超临界室通过供应超临界流体来处理所述基板；和传送室，所述传送室具有传送单元，所述传送单元在所述显影室与所述超临界室之间传送所述基板。
根据一实施方式，所述装置还可以包括控制器，所述控制器控制所述传送单元，并且所述控制器可以控制所述传送单元以将上面残留有所述显影溶液的所述基板从所述显影室传送到所述超临界室。
根据一实施方式，所述显影室可以包括供应所述显影溶液的显影喷嘴和供应清洁溶液的清洁喷嘴，并且所述装置还可以包括控制器，其控制所述传送单元。所述控制器可以控制所述传送单元以将上面残留有所述显影溶液或所述清洁溶液的所述基板从所述显影室传送到所述超临界室。
根据一实施方式，所述装置还可以包括热处理室，所述热处理室对所述基板执行热处理工艺。
根据示例性实施方式，一种用于处理基板的装置包括：转位模块，所述转位模块包括载体，所述载体用于在其中容纳所述基板；处理模块，所述处理模块对所述基板执行工艺；和接口模块，所述接口模块将所述处理模块与外部步进机连接。所述转位模块、所述处理模块和所述接口模块按顺序布置成行。所述处理模块包括处理块，所述处理块对所述基板执行所述工艺。所述处理块包括：显影室，所述显影室通过供应显影溶液对所述基板执行显影工艺；涂覆室，所述涂覆室通过供应涂覆溶液在所述基板上形成涂膜；热处理室，所述热处理室对所述基板执行热处理工艺；超临界室，所述超临界室通过供应超临界流体来处理所述基板；和传送室，所述传送室具有传送单元，所述传送单元在所述显影室、所述涂覆室、所述热处理室与所述超临界室之间传送所述基板。
根据一实施方式，所述装置还可以包括控制器，所述控制器控制所述传送单元，并且所述控制器可以控制所述传送单元以将上面残留有所述显影溶液的所述基板从所述显影室传送到所述超临界室。
根据一实施方式，所述显影室可以包括供应所述显影溶液的显影喷嘴和供应清洁溶液的清洁喷嘴，并且所述装置还可以包括控制器，其控制所述传送单元。所述控制器可以控制所述传送单元以将上面残留有所述显影溶液或所述清洁溶液的所述基板从所述显影室传送到所述超临界室。
根据一实施方式，所述涂覆室和所述显影室可以竖直地彼此上下堆叠。所述超临界室沿竖直方向的尺寸可以大于所述涂覆室或所述显影室沿所述竖直方向的尺寸且可以等于或小于所述涂覆室和所述显影室沿所述竖直方向的尺寸之和。
根据一实施方式，所述涂覆室和所述显影室可以置于所述传送室的一侧，并且所述热处理室可以置于所述传送室的相反侧。
根据一实施方式，所述超临界室可以置于所述传送室的一侧和相反侧。
根据一实施方式，所述处理块可以包括多个处理块，所述多个处理块竖直地彼此上下堆叠。
根据示例性实施方式，一种用于处理基板的装置包括：转位模块，所述转位模块包括载体，所述载体用于在其中容纳所述基板；处理模块，所述处理模块对所述基板执行工艺；和接口模块，所述接口模块将所述处理模块与外部步进机连接。所述转位模块、所述处理模块和所述接口模块按顺序布置成行。所述处理模块包括：涂覆块，所述涂覆块对所述基板执行涂覆工艺；和显影块，所述显影块对所述基板执行显影工艺。所述涂覆块包括：涂覆室，所述涂覆室通过供应涂覆溶液在所述基板上形成涂膜；第一热处理室，所述第一热处理室对所述基板执行热处理工艺；和第一传送室，所述第一传送室具有传送单元，所述传送单元在所述涂覆室与所述第一热处理室之间传送所述基板。所述显影块包括：显影室，所述显影室通过供应显影溶液对所述基板执行显影工艺；第二热处理室，所述第二热处理室对所述基板执行热处理工艺；超临界室，所述超临界室通过供应超临界流体来处理所述基板；和第二传送室，所述第二传送室具有传送单元，所述传送单元在所述显影室、所述第二热处理室与所述超临界室之间传送所述基板W。
根据一实施方式，所述装置还可以包括：控制器，所述控制器控制所述第二传送室的所述传送单元，并且所述控制器可以控制所述传送单元以将所述基板按顺序传送到所述显影室和所述超临界室。
根据一实施方式，所述控制器可以控制所述传送单元以将上面残留有所述显影溶液的所述基板从所述显影室传送到所述超临界室。
根据一实施方式，所述显影室可以包括供应所述显影溶液的显影喷嘴和供应清洁溶液的清洁喷嘴。所述控制器可以控制所述传送单元以将上面残留有所述显影溶液或所述清洁溶液的所述基板从所述显影室传送到所述超临界室。
根据一实施方式，所述显影室可以包括多个显影室，所述多个显影室竖直地彼此上下堆叠。所述超临界室沿竖直方向的尺寸可以大于一个显影室沿所述竖直方向的尺寸且可以等于或小于彼此上下堆叠的两个显影室沿所述竖直方向的尺寸。
根据一实施方式，所述显影块中的所述显影室和所述第二热处理室可以置于所述传送室的一侧，并且所述超临界室可以置于所述传送室的一侧和相反侧。
根据一实施方式，所述涂覆块可以包括多个涂覆块且所述显影块可以包括多个显影块，其中，所述涂覆块和所述显影块可以竖直地彼此上下堆叠。
附图说明
根据参照以下附图的以下描述，上述目的和特征以及其它目的和特征将变得明显，其中，贯穿各个图，相同参考标记指代相同部分，除非另有指示，且其中：
图1为示出根据本发明构思的实施方式的基板处理装置的示意性立体图；
图2为示出图1的处理块的基板处理装置的截面图；
图3为示出图1的基板处理装置的平面图；
图4为示出图3的传送单元的手部的视图；
图5为示出图3的热处理室的示意性水平截面图；
图6为示出图5的热处理室的竖直截面图；
图7为示出根据本发明构思的另一实施方式的基板处理装置的示意性立体图；
图8为示出图7的涂覆块和显影块的基板处理装置的截面图；和
图9为示出图7的基板处理装置的平面图。
具体实施方式
在下文中将参照附图更详细地描述本发明构思的实施方式。然而，本发明构思可以不同形式来体现，且不应当被视为受限于本文中提出的实施方式。而是，提供这些实施方式，以使得本发明构思将是透彻的且完整的，并将向本领域的技术人员全面传达本发明构思的范围。在附图中，为了说明清楚，夸大了部件的尺寸。
图1为示出根据本发明构思的实施方式的基板处理装置的示意性立体图。图2为示出图1的处理块的基板处理装置的截面图。图3为示出图1的基板处理装置的平面图。
参照图1至图3，基板处理装置1包括转位模块20、处理模块30和接口模块40。根据一实施方式，转位模块20、处理模块30和接口模块40按顺序布置成行。在下文中，布置转位模块20、处理模块30和接口模块40的方向被称为X轴方向12，当俯视时垂直于X轴方向12的方向被称为Y轴方向14，并且垂直于X轴方向12和Y轴方向14二者的方向被称为Z轴方向16。
转位模块20将基板W从容纳有基板W的载体10传送到处理模块30并将完全处理过的基板W放置在载体10中。转位模块20的纵向方向平行于Y轴方向14。转位模块20包括加载端口22和转位框架24。加载端口22相对于处理模块30位于转位框架24的相反侧。容纳有基板W的载体10被放置在加载端口22上。加载端口22可以沿着Y轴方向14来布置。
可以使用密闭载体10(诸如正面开口标准箱(FOUP))作为载体10。可以通过传送器具(未示出)或由操作者将载体10放置在加载端口22上，该传送部件诸如高架传送机、高架输送机或自动引导载具。
在转位框架24中提供转位机械手2200。在转位框架24中提供纵向方向平行于Y轴方向14的导轨2300，并且转位机械手2200可在导轨2300上移动。转位机械手2200包括手部2220，基板W被放置在手部2220上，并且手部2220可前后移动、可围绕沿Z轴方向16定向的轴旋转、且可沿着Z轴方向16移动。
根据本发明构思的实施方式，处理模块30可以对基板W执行处理工艺。例如，处理模块30可以对基板W执行涂覆工艺、显影工艺、热处理工艺和超临界工艺。
处理模块30包括处理块30a。处理块30a可以对基板W执行处理工艺。可以提供多个处理块30a。处理块30a可以彼此上下堆叠。根据图3的实施方式，可以提供三个处理块30a。根据一实施方式，这三个处理块30a可以执行相同工艺且可以具有相同结构。
参照图2和图3，每个处理块30a可以包括热处理室3200、传送室3400、涂覆室3500、显影室3600、超临界室3700和缓存室3800。
热处理室3200对基板W执行热处理工艺。该热处理工艺可以包括冷却过程和加热过程。涂覆室3500将涂覆溶液供应到基板W以在基板W上形成涂覆膜。该涂覆膜可以为光刻胶膜或抗反射膜。显影室3600将显影溶液供应到基板W以对基板W执行显影工艺。例如，显影室3600可以包括用于滴涂显影溶液的显影喷嘴和用于滴涂清洁溶液的清洁喷嘴。因此，显影室3600可以将显影溶液和/或清洁溶液供应到基板W。超临界室3700将超临界流体供应到基板W以处理基板W。例如，超临界室3700可以通过将超临界流体供应到基板W来对基板W执行干燥工艺。
传送室3400可以在处理块30a中的热处理室3200、涂覆室3500、显影室3600和超临界室3700之间传送基板W。传送室3400被布置使得其纵向方向平行于X轴方向12。在传送室3400中提供传送单元3420。传送单元3420可以在热处理室3200、涂覆室3500、显影室3600和超临界室3700之间传送基板W。根据一实施方式，传送单元3420具有手部A，基板W被放置在手部A上，并且手部A可前后移动、可围绕沿Z轴方向16定向的轴旋转、且可沿着Z轴方向16移动。在传送室3400中提供纵向方向平行于X轴方向12的导轨3300，并且传送单元3420可在导轨3300上移动。
图4为示出图3的传送单元的手部的视图。参照图4，手部A具有底座3428和支撑突出部3429。底座3428可以具有外周局部弯曲的环孔形状。底座3428的内径大于基板W的直径。支撑突出部3429从底座3428向内延伸。可以提供多个支撑突出部3429。支撑突出部3429可以支撑基板W的边缘区域。根据一实施方式，可以按恒定间隔提供四个支撑突出部3429。
再次参照图2和图3，涂覆室3500和显影室3600可以在处理块30a中置于传送室3400的一侧。
在处理块30a中，显影室3600的数量可以小于涂覆室3500的数量。这是因为在显影室3600中执行显影工艺的时间短于在涂覆室3500中执行涂覆工艺的时间。因此，可以减少不执行显影工艺的显影室3600的数量，并且可以防止过度的占用空间增大。
根据一实施方式，可以在处理块30a中提供多个涂覆室3500。多个涂覆室3500中的一个可以堆叠在显影室3600上。多个涂覆室3500中的另一个可以不堆叠在显影室3600上。例如，如图2所示，可以在处理块30a中提供两个涂覆室3500和一个显影室3600。两个涂覆室3500中的一个可以竖直地堆叠在显影室3600上。可替选地，涂覆室3500可以置于显影室3600之下。此外，另一个涂覆室3500可以不堆叠在显影室3600上。
可以在处理块30a中提供超临界室3700。可以将超临界室3700提供为邻近显影室3600。例如，可以将超临界室3700提供为邻近堆叠在涂覆室3500上的显影室3600。因为将显影室3600和超临界室3700提供为彼此邻近，所以可以将在显影室3600中进行了显影工艺的基板W立即传送到超临界室3700。因此，可以使传送基板W所花费的单件工时最小化。此外，控制传送单元3420的控制器(未示出)可以控制传送单元3420将上面残留有显影溶液或清洁溶液的基板W从显影室3600传送到超临界室3700。因此，可以防止基板W在被传送时被干燥。
超临界室3700可以沿竖直方向具有比涂覆室3500或显影室3600更大的尺寸。此外，超临界室3700沿竖直方向的尺寸可以等于或小于一个涂覆室3500和一个显影室3600沿竖直方向的尺寸之和。超临界室3700产生高压环境并将超临界流体供应到基板W。因此，超临界室3700在装置中占用的面积比涂覆室3500或显影室3600更大。根据本发明构思的实施方式，一个超临界室3700沿竖直方向的尺寸可以具有使得涂覆室3500和显影室3600能够邻近超临界室3700设置的尺寸。即，涂覆室3500和显影室3600可以邻近超临界室3700设置，从而简化基板W在处理块30a中的传送路径且使传送基板W所花费的单件工时最小化。
超临界室3700可以置于传送室3400的一侧和另一侧。当俯视时，置于传送室3400的一侧和另一侧的超临界室3700可以相对于传送室3400而面向彼此。
在相关领域中，在显影工艺之后使用在旋转基板时干燥基板的自旋干燥法来干燥该基板。然而，由于该基板上形成有精细的图案，因此在相关领域中的自旋干燥法引起图案塌陷或弯曲的倾斜现象。相比之下，根据本发明构思的实施方式，在对基板W执行显影工艺之后，将上面残留有显影溶液或清洁溶液的基板W立即传送到超临界室3700。超临界室3700将超临界流体供应到基板W并干燥基板W，从而使上文提及的倾斜现象最小化。此外，因为在显影溶液或清洁溶液残留在基板W上的状态下传送基板W，所以可以避免在传送时干燥基板W且因此使质量降级的问题。
可以提供多个热处理室3200。多个热处理室3200可以沿着Z轴方向16彼此上下堆叠。此外，当俯视时，热处理室3200可以置于传送室3400的相反侧，以面对置于传送室3400的一侧的涂覆室3500和显影室3600。
可以提供多个缓存室3800。一些缓存室3800置于转位模块20与传送室3400之间。在下文中，这些缓存室被称为前缓存区3802。前缓存区3802沿着竖直方向彼此上下堆叠。其它缓存室置于传送室3400与接口模块40之间。在下文中，这些缓存室被称为后缓存区3804。后缓存区3804沿着竖直方向彼此上下堆叠。前缓存区3802和后缓存区3804均临时地储存多个基板W。储存在前缓存区3802中的基板W被转位机械手2200和传送单元3420提取。储存在后缓存区3804中的基板W被传送单元3420和第一机械手4602提取。
接口模块40将处理模块30与外部步进机(stepper)50连接。接口模块40具有接口框架4100、附加处理室4200、接口缓存区4400和传送部件4600。
接口框架4100可以在其顶部具有风机过滤单元，该风机过滤单元在接口框架4100中形成向下的气流。附加处理室4200、接口缓存区4400和传送部件4600置于接口框架4100中。在将在处理块30a中处理过的基板W传送到步进机50之前，附加处理室4200可以执行预定的附加工艺。可替选地，在将在步进机50中处理过的基板W传送到处理块30a之前，附加处理室4200可以执行预定的附加工艺。根据一实施方式，该附加工艺可以为使基板W的边缘区域暴露于光的边缘曝光工艺、清洁基板W的顶侧的顶侧清洁工艺、或清洁基板W的背侧的背侧清洁工艺。可以提供多个附加处理室4200。附加处理室4200可以彼此上下堆叠。附加处理室4200可以全部都执行相同工艺。可替选地，一些附加处理室4200可以执行不同工艺。
接口缓存区4400提供临时停放在处理块30a、附加处理室4200与步进机50之间传送的基板W的空间。可以提供多个接口缓存区4400。接口缓存区4400可以彼此上下堆叠。
根据一实施方式，附加处理室4200可以置于沿传送室3400的纵向方向定向的延长线的一侧，并且接口缓存区4400可以置于该延长线的相反侧。
传送部件4600在处理块30a、附加处理室4200与步进机50之间传送基板W。传送部件4600可以利用一个或多个机械手来实现。根据一实施方式，传送部件4600具有第一机械手4602和第二机械手4606。第一机械手4602可以在处理块30a、附加处理室4200与接口缓存区4400之间传送基板W，并且第二机械手4606可以在接口缓存区4400与步进机50之间传送基板W。
第一机械手4602和第二机械手4606均包括手部，基板W被放置在该手部上，并且该手部可前后移动、可围绕平行于Z轴方向16的轴旋转、且可沿着Z轴方向16移动。
图5为示出图3的热处理室的示意性水平截面图，并且图6为示出图5的热处理室的竖直截面图。参照图5和图6，热处理室3200具有壳体3210、冷却单元3220、加热单元3230和传送板3240。
壳体3210具有基本为矩形的平行六面体形状。壳体3210具有形成在其侧壁中的入口(未示出)，通过该入口将基板W装载到壳体3210中或从壳体3210卸载。该入口可以保持打开。可替选地，可以提供用于打开或关闭该入口的门(未示出)。在壳体3210中提供冷却单元3220、加热单元3230和传送板3240。沿着Y轴方向14并排提供冷却单元3220和加热单元3230。根据一实施方式，冷却单元3220可以被定位成比加热单元3230更靠近传送室3400。
冷却单元3220具有冷却板3222。当俯视时，冷却板3222可以具有基本为圆形的形状。冷却板3222在其中具有冷却部件3224。根据一实施方式，冷却部件3224可以形成在冷却板3222中且可以用作供冷却流体流经的流体通道。
加热单元3230具有加热板3232、封盖3234和加热器3233。当俯视时，加热板3232可以具有基本为圆形的形状。加热板3232的直径比基板W大。加热板3232配备有加热器3233。加热器3233可以为施加有电流的电阻加热元件。加热板3232具有可沿着Z轴方向16竖直移动的升降销3238。升降销3238从加热单元3230之外的传送单元接收基板W并将该基板W下放在加热板3232上，或者使基板W升离加热板3232并将该基板W传送到加热单元3230之外的传送单元。根据一实施方式，可以提供三个升降销3238。封盖3234在其中具有底部打开的空间。封盖3234位于加热板3232之上且被致动器3236竖直地移动。当使封盖3234与加热板3232接触时，由封盖3234和加热板3232所围绕的空间用作加热基板W的加热空间。
传送板3240具有基本为圆板的形状且其直径对应于基板W的直径。传送板3240具有形成在其边缘的凹口3244。凹口3244的形状可以对应于形成在上述传送单元3420的手部A上的突出部3429。此外，与形成在手部A上的突出部3429同样多的凹口3244形成在对应于突出部3429的位置。当改变沿竖直方向彼此对齐的手部A和传送板3240的竖直位置时，在手部A和传送板3240之间传送基板W。传送板3240被安装在导轨3249上且通过致动器3246沿着导轨3249移动。多个狭缝形的引导槽3242形成在传送板3240中。引导槽3242从传送板3240的边缘向内延伸。引导槽3242的纵向方向平行于Y轴方向14，并且引导槽3242沿着X轴方向12彼此间隔开。当在传送板3240和加热单元3230之间传送基板W时，引导槽3242防止传送板3240和升降销3238彼此干扰。
在将基板W直接放置在加热板3232上的状态下加热基板W。在使放置有基板W的传送板3240接触冷却板3222的状态下冷却基板W。传送板3240由具有高传热速率的材料形成，用于冷却板3222和基板W之间的高效传热。根据一实施方式，传送板3240可以由金属形成。
在一些热处理室3200中的加热单元3230可以通过在加热基板W时供应气体来提高光刻胶与基板W的粘附性。根据一实施方式，气体可以是六甲基二硅烷气体。
图7为示出根据本发明构思的另一实施方式的基板处理装置的示意性立体图。图8为示出图7的涂覆块和显影块的基板处理装置的截面图。图9为示出图7的基板处理装置的平面图。
处理模块30可以对基板W执行处理工艺。例如，处理模块30可以对基板W执行涂覆工艺、显影工艺、热处理工艺和超临界工艺。
处理模块30可以具有涂覆块30b和显影块30c。涂覆块30b对基板W执行涂覆工艺，并且显影块30c对基板W执行显影工艺。可以提供多个涂覆块30b。涂覆块30b可以彼此上下堆叠。可以提供多个显影块30c。显影块30c可以彼此上下堆叠。根据图7的实施方式，提供两个涂覆块30b和两个显影块30c。涂覆块30b可以置于显影块30c之下。根据一实施方式，这两个涂覆块30b可以执行相同工艺且可以具有相同结构。此外，这两个显影块30c可以执行相同工艺且可以具有相同结构。
参照图8和图9，每个涂覆块30b可以包括第一热处理室3200b、第一传送室3400b和涂覆室3500。
可以提供多个涂覆室3500。一些涂覆室3500可以彼此上下堆叠。当俯视时，涂覆块30b中的涂覆室3500可以置于第一传送室3400b的一侧。涂覆室3500沿着X轴方向12并排布置。
可以提供多个第一热处理室3200b。一些第一热处理室3200b可以彼此上下堆叠。当俯视时，第一热处理室3200b可以置于第一传送室3400b的相反侧，以面对置于第一传送室3400b的一侧的涂覆室3500。
此外，第一传送室3400b可以包括传送单元3420，该传送单元3420在第一热处理室3200b和涂覆室3500之间传送基板W。
显影块30c可以各自包括第二热处理室3200c、第二传送室3400c、显影室3600和超临界室3700。
可以提供多个超临界室3700。当俯视时，超临界室3700可以置于第二传送室3400c的一侧和相反侧。置于第二传送室3400c的一侧的超临界室3700可以沿着X轴方向12并排布置。可以与置于第二传送室3400c的相反侧的超临界室3700一起提供显影室3600和第二热处理室3200c。第二热处理室3200c、显影室3600和超临界室3700可以沿着X轴方向12并排布置。
可以在第二传送室3400c的相反侧提供多个第二热处理室3200c和显影室3600。第二热处理室3200c和显影室3600可以沿着Z轴方向16而彼此上下堆叠。
置于第二传送室3400c的相反侧的超临界室3700可以邻近显影室3600设置。因为显影室3600和超临界室3700被提供为彼此邻近，所以可以将在显影室3600中进行了显影工艺的基板W立即传送到超临界室3700。因此，可以使传送基板W所花费的单件工时最小化。
此外，控制器(未示出)可以控制传送单元3420将上面残留有显影溶液或清洁溶液的基板W从显影室3600传送到超临界室3700。因此，可以防止基板W在被传送时被干燥。
此外，超临界室3700可以各自沿竖直方向具有比一个显影室3600更大的尺寸。此外，超临界室3700沿竖直方向的尺寸可以等于或小于彼此上下堆叠的两个显影室3600沿竖直方向的尺寸之和。
上文的详细描述基于根据本发明构思的实施方式的基板处理装置。然而，不受限于此，本发明构思适用于所有用于处理基板的装置。
根据实施方式，本发明构思可以有效地执行显影工艺。
根据实施方式，本发明构思可以防止基板在从显影室传送到超临界室时被干燥。
根据实施方式，本发明构思可以防止图案塌陷或弯曲的倾斜现象。
根据实施方式，本发明构思可以有效地执行涂覆工艺、显影工艺和超临界工艺。
根据实施方式，本发明构思可以使传送基板所花费的单件工时最小化。
本发明构思的效果不限于上述效果，并且本发明构思所属的领域中的技术人员可以根据本说明书和附图清楚地理解本文中未提及的任何其它效果。
尽管参照示例性实施方式描述了本发明构思，但是对于本领域的技术人员将显而易见的是，可以进行各种改变和修改，而不脱离本发明构思的精神和范围。因此，应当理解，上述实施方式不是限制性的，而是说明性的。

Claims (18)

1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
显影室，所述显影室被配置成通过供应显影溶液对所述基板执行显影工艺；
超临界室，所述超临界室被配置成通过供应超临界流体来处理所述基板；和
传送室，所传送室具有传送单元，所述传送单元被配置成在所述显影室与所述超临界室之间传送所述基板。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述装置还包括控制器，所述控制器被配置成控制所述传送单元，并且
其中，所述控制器控制所述传送单元以将上面残留有所述显影溶液的所述基板从所述显影室传送到所述超临界室。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述显影室包括被配置成供应所述显影溶液的显影喷嘴和被配置成供应清洁溶液的清洁喷嘴，
其中，所述装置还包括控制器，所述控制器被配置成控制所述传送单元，并且
其中，所述控制器控制所述传送单元以将上面残留有所述显影溶液或所述清洁溶液的所述基板从所述显影室传送到所述超临界室。
4.根据权利要求2或3所述的装置，其中，所述装置还包括热处理室，所述热处理室被配置成对所述基板执行热处理工艺。
5.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
转位模块，所述转位模块包括载体，所述载体用于在其中容纳所述基板；
处理模块，所述处理模块被配置成对所述基板执行工艺；和
接口模块，所述接口模块被配置成将所述处理模块与外部步进机连接，
其中，所述转位模块、所述处理模块和所述接口模块按顺序布置成行，
其中，所述处理模块包括处理块，所述处理块被配置成对所述基板执行所述工艺，并且
其中，所述处理块包括：
显影室，所述显影室被配置成通过供应显影溶液对所述基板执行显影工艺；
涂覆室，所述涂覆室被配置成通过供应涂覆溶液在所述基板上形成涂膜；
热处理室，所述热处理室被配置成对所述基板执行热处理工艺；
超临界室，所述超临界室被配置成通过供应超临界流体来处理所述基板；和
传送室，所述传送室具有传送单元，所述传送单元被配置成在所述显影室、所述涂覆室、所述热处理室与所述超临界室之间传送所述基板。
6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述装置还包括控制器，所述控制器被配置成控制所述传送单元，并且
其中，所述控制器控制所述传送单元以将上面残留有所述显影溶液的所述基板从所述显影室传送到所述超临界室。
7.根据权利要求5所述的装置，其中，所述显影室包括被配置成供应所述显影溶液的显影喷嘴和被配置成供应清洁溶液的清洁喷嘴，
其中，所述装置还包括控制器，所述控制器被配置成控制所述传送单元，并且
其中，所述控制器控制所述传送单元以将上面残留有所述显影溶液或所述清洁溶液的所述基板从所述显影室传送到所述超临界室。
8.根据权利要求6或7所述的装置，其中，所述涂覆室和所述显影室竖直地彼此上下堆叠，并且
其中，所述超临界室沿竖直方向的尺寸大于所述涂覆室或所述显影室沿所述竖直方向的尺寸且等于或小于所述涂覆室和所述显影室沿所述竖直方向的尺寸之和。
9.根据权利要求8所述的装置，其中，所述涂覆室和所述显影室置于所述传送室的一侧，并且
其中，所述热处理室置于所述传送室的相反侧。
10.根据权利要求9所述的装置，其中，所述超临界室置于所述传送室的所述一侧和所述相反侧。
11.根据权利要求10所述的装置，其中，所述处理块包括多个处理块，所述多个处理块竖直地彼此上下堆叠。
12.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
转位模块，所述转位模块包括载体，所述载体用于在其中容纳所述基板；
处理模块，所述处理模块被配置成对所述基板执行工艺；和
接口模块，所述接口模块被配置成将所述处理模块与外部步进机连接，
其中，所述转位模块、所述处理模块和所述接口模块按顺序布置成行，
其中，所述处理模块包括：
涂覆块，所述涂覆块被配置成对所述基板执行涂覆工艺；和
显影块，所述显影块被配置成对所述基板执行显影工艺，
其中，所述涂覆块包括：
涂覆室，所述涂覆室被配置成通过供应涂覆溶液在所述基板上形成涂膜；
第一热处理室，所述第一热处理室被配置成对所述基板执行热处理工艺；和
第一传送室，所述第一传送室具有传送单元，所述传送单元被配置成在所述涂覆室与所述第一热处理室之间传送所述基板，并且
其中，所述显影块包括：
显影室，所述显影室被配置成通过供应显影溶液对所述基板执行显影工艺；
第二热处理室，所述第二热处理室被配置成对所述基板执行热处理工艺；
超临界室，所述超临界室被配置成通过供应超临界流体来处理所述基板；和
第二传送室，所述第二传送室具有传送单元，所述传送单元被配置成在所述显影室、所述第二热处理室与所述超临界室之间传送所述基板。
13.根据权利要求12所述的装置，还包括：
控制器，所述控制器被配置成控制所述第二传送室的所述传送单元，
其中，所述控制器控制所述传送单元将所述基板按顺序传送到所述显影室和所述超临界室。
14.根据权利要求13的装置，其中，所述控制器控制所述传送单元以将上面残留有所述显影溶液的所述基板从所述显影室传送到所述超临界室。
15.根据权利要求13所述的装置，其中，所述显影室包括被配置成供应所述显影溶液的显影喷嘴和被配置成供应清洁溶液的清洁喷嘴，并且
其中，所述控制器控制所述传送单元将上面残留有所述显影溶液或所述清洁溶液的所述基板从所述显影室传送到所述超临界室。
16.根据权利要求14或15所述的装置，其中，所述显影室包括多个显影室，所述多个显影室竖直地彼此上下堆叠，并且
其中，所述超临界室沿竖直方向的尺寸大于一个显影室沿所述竖直方向的尺寸并且等于或小于彼此上下堆叠的两个显影室沿所述竖直方向的尺寸。
17.根据权利要求16所述的装置，其中，所述显影块中的所述显影室和所述第二热处理室置于所述传送室的一侧，并且所述超临界室置于所述传送室的所述一侧和相反侧。
18.根据权利要求17所述的装置，其中，所述涂覆块包括多个涂覆块且所述显影块包括多个显影块，所述涂覆块和所述显影块竖直地彼此上下堆叠。
CN201910852522.7A 2018-09-12 2019-09-10 用于处理基板的装置 Active CN110896043B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2018-0108733 2018-09-12
KR1020180108733A KR102225957B1 (ko) 2018-09-12 2018-09-12 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110896043A true CN110896043A (zh) 2020-03-20
CN110896043B CN110896043B (zh) 2023-08-11

Family

ID=69720775

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910852522.7A Active CN110896043B (zh) 2018-09-12 2019-09-10 用于处理基板的装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10908503B2 (zh)
JP (2) JP2020043344A (zh)
KR (1) KR102225957B1 (zh)
CN (1) CN110896043B (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7181081B2 (ja) * 2018-12-28 2022-11-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板搬送方法
KR102636979B1 (ko) * 2019-04-26 2024-02-14 삼성전자주식회사 멀티 챔버 장치
KR102278629B1 (ko) * 2019-07-22 2021-07-19 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP7442386B2 (ja) 2020-05-14 2024-03-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US11640115B2 (en) 2020-09-04 2023-05-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Substrate processing apparatus, semiconductor manufacturing equipment, and substrate processing method
KR102556368B1 (ko) 2020-10-30 2023-07-18 세메스 주식회사 반송 핸드 및 기판 처리 장치
KR102567503B1 (ko) * 2020-12-14 2023-08-16 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR102607809B1 (ko) * 2021-06-25 2023-11-29 세메스 주식회사 지지 유닛, 이를 포함하는 베이크 장치 및 기판 처리 장치
KR102619709B1 (ko) * 2021-10-25 2024-01-02 세메스 주식회사 포토리소그래피 장치용 처리 블록 및 이를 이용한 포토리소그래피 장치
KR102619710B1 (ko) * 2021-10-25 2024-01-02 세메스 주식회사 포토리소그래피 장치용 처리 블록 및 이를 이용한 포토리소그래피 장치
KR102619708B1 (ko) * 2021-10-25 2024-01-02 세메스 주식회사 포토리소그래피 장치용 처리 블록 및 이를 이용한 포토리소그래피 장치
KR20230089387A (ko) 2021-12-13 2023-06-20 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20230092188A (ko) 2021-12-17 2023-06-26 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 방법
US11940734B2 (en) 2022-04-21 2024-03-26 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for treating substrate

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003045770A (ja) * 2001-07-27 2003-02-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2003092244A (ja) * 2001-09-17 2003-03-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US7665917B2 (en) * 2007-03-30 2010-02-23 Tokyo Electron Limited Heat treatment apparatus and methods for thermally processing a substrate using a pressurized gaseous environment
US20130000140A1 (en) * 2011-06-30 2013-01-03 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for treating substrate
EP2779222A1 (en) * 2013-03-12 2014-09-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Substrate treatment systems using supercritical fluid
CN107017182A (zh) * 2015-10-29 2017-08-04 细美事有限公司 基板处理设备
KR20180043438A (ko) * 2016-10-19 2018-04-30 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법, 그리고 이를 가지는 설비
KR20180077949A (ko) * 2016-12-29 2018-07-09 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 이를 포함한 기판 처리 시스템

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6748960B1 (en) * 1999-11-02 2004-06-15 Tokyo Electron Limited Apparatus for supercritical processing of multiple workpieces
WO2001033615A2 (en) 1999-11-02 2001-05-10 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for supercritical processing of multiple workpieces
JP4044300B2 (ja) 2001-04-27 2008-02-06 株式会社神戸製鋼所 ウェハ等の処理設備および処理方法
JP3895138B2 (ja) 2001-08-07 2007-03-22 株式会社神戸製鋼所 ウェハ等の処理方法および処理設備
KR100488376B1 (ko) 2001-04-27 2005-05-11 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 기판 처리 방법 및 기판 처리 설비
US6852194B2 (en) * 2001-05-21 2005-02-08 Tokyo Electron Limited Processing apparatus, transferring apparatus and transferring method
JP4026750B2 (ja) * 2002-04-24 2007-12-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2003347186A (ja) * 2002-05-23 2003-12-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2004172231A (ja) 2002-11-18 2004-06-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法、基板処理装置および基板処理システム
JP4000052B2 (ja) 2002-12-05 2007-10-31 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US7029832B2 (en) * 2003-03-11 2006-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Immersion lithography methods using carbon dioxide
JP4381909B2 (ja) 2004-07-06 2009-12-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US20070242248A1 (en) * 2004-10-26 2007-10-18 Nikon Corporation Substrate processing method, exposure apparatus, and method for producing device
JP4518986B2 (ja) * 2005-03-17 2010-08-04 東京エレクトロン株式会社 大気搬送室、被処理体の処理後搬送方法、プログラム及び記憶媒体
JP4414921B2 (ja) * 2005-03-23 2010-02-17 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布、現像方法
JP4657940B2 (ja) 2006-02-10 2011-03-23 東京エレクトロン株式会社 基板の処理システム
KR20110080857A (ko) * 2010-01-07 2011-07-13 세메스 주식회사 기판 이송 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP5397399B2 (ja) 2010-07-09 2014-01-22 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置
JP2013033963A (ja) 2011-07-29 2013-02-14 Semes Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP5986811B2 (ja) 2012-06-08 2016-09-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
US9527118B2 (en) 2014-11-10 2016-12-27 Semes Co., Ltd. System and method for treating a substrate
KR101979601B1 (ko) 2016-06-02 2019-05-20 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR20180045588A (ko) * 2016-10-26 2018-05-04 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102037906B1 (ko) 2017-06-23 2019-11-27 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7301575B2 (ja) 2018-05-15 2023-07-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、記憶媒体及び基板処理装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003045770A (ja) * 2001-07-27 2003-02-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR100434191B1 (ko) * 2001-07-27 2004-06-04 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치
JP2003092244A (ja) * 2001-09-17 2003-03-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US7665917B2 (en) * 2007-03-30 2010-02-23 Tokyo Electron Limited Heat treatment apparatus and methods for thermally processing a substrate using a pressurized gaseous environment
US20130000140A1 (en) * 2011-06-30 2013-01-03 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for treating substrate
EP2779222A1 (en) * 2013-03-12 2014-09-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Substrate treatment systems using supercritical fluid
CN107017182A (zh) * 2015-10-29 2017-08-04 细美事有限公司 基板处理设备
KR20180043438A (ko) * 2016-10-19 2018-04-30 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법, 그리고 이를 가지는 설비
KR20180077949A (ko) * 2016-12-29 2018-07-09 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 이를 포함한 기판 처리 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200030653A (ko) 2020-03-23
JP2021073706A (ja) 2021-05-13
KR102225957B1 (ko) 2021-03-11
CN110896043B (zh) 2023-08-11
JP2020043344A (ja) 2020-03-19
US20200081347A1 (en) 2020-03-12
JP7168699B2 (ja) 2022-11-09
US10908503B2 (en) 2021-02-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110896043B (zh) 用于处理基板的装置
KR101999890B1 (ko) 열처리 장치, 기판 처리 장치 및 열처리 방법
KR20210011197A (ko) 기판 처리 장치
CN115642118A (zh) 支撑单元和包括该支撑单元的基板处理设备
KR102280035B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102397850B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102282145B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20220014475A (ko) 기판 처리 장치
KR20210052796A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP7354206B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR102315666B1 (ko) 반송 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR102259066B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102201887B1 (ko) 기판 지지 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR102256689B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102281045B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102303596B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102403199B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102081707B1 (ko) 밸브 유닛 및 액 공급 유닛
KR20220094882A (ko) 기판 처리 장치
KR20220094021A (ko) 반송 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR20220094018A (ko) 반송 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR20220061621A (ko) 반송 플레이트, 반송 유닛의 제조방법 및 기판 처리 장치
KR20220094022A (ko) 반송 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR20210011546A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20220093563A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant