KR100488376B1

KR100488376B1 - 기판 처리 방법 및 기판 처리 설비

Info

Publication number: KR100488376B1
Application number: KR10-2002-0022860A
Authority: KR
Inventors: 요오이찌이노우에; 요시비꼬사까시따; 가쯔미와따나베; 노부유끼가와까미; 다까히꼬이시이; 유우스께무라오까; 기미쯔구사이또오; 도모미이와따; 이꾸오미조보따; 다까시미야께; 료오지기따까도
Original assignee: 가부시키가이샤 고베 세이코쇼; 다이닛뽕스크린세이조오가부시키가이샤
Priority date: 2001-04-27
Filing date: 2002-04-26
Publication date: 2005-05-11
Also published as: CN1385882A; TW538472B; KR20020083462A; US6703316B2; CN1206708C; US20020160625A1

Abstract

본 발명은 웨이퍼 등의 기판에 대하여 습식 처리로부터 초임계 건조까지의 일련의 처리를 실시할 수 있고, 게다가 안전하고 범용성이 높아, 더욱 높은 생산성을 달성하는 것을 과제로 한다.

습식 처리 장치(1)에 있어서 웨이퍼(9)에 소정의 습식 처리를 실시하고, 순수에 의한 린스 처리 후의 웨이퍼(9)를 미건조 상태 그대로 웨이퍼 반송 장치(3)에 의해 습식 처리 장치(1)와는 별도로 설치된 건조 처리 장치(2)로 반송하고, 여기서 웨이퍼(9)에 초임계 건조 처리를 실시하도록 했다.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 설비{SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING ARRANGEMENTS}

본 발명은 반도체 웨이퍼, 액정 표시 디스플레이(LCD) 또는 플라즈마 디스플레이(PDP)용 유리 기판, 혹은 프린트 기판 등의 제조에 적합한 기판 처리 방법 및 기판 처리 설비에 관한 것이다. 특히, 현상, 성막, 세정, 에칭, 린스, 치환 등의 처리를 습식으로 행하고(액체를 사용한 처리), 그러한 후에 초임계 유체를 이용하여 기판의 건조를 행하는 기판 처리 방법 및 기판 처리 설비에 관한 것이다.

이미 알려진 바와 같이, 반도체 칩의 세계에서는 그 미세화가 급속히 진행하고 있다. 칩 내부의 배선 사이즈는 1O년 전에는 1 ㎛ 정도였던 것이 현재에는 0.18 ㎛ 정도로까지 미세화되고, 또한 0.13 ㎛의 장치가 실용화되고 있는 한편, 0.10 ㎛ 내지 0.07 ㎛, 혹은 0.05 ㎛까지도 구체적인 타겟으로 한 기술 개발이 시작되고 있다.

그런데, 이러한 미세화에 수반하여 종래는 아무런 영향이 없었던 모관력이 제조 프로세스 상, 무시할 수 없는 존재가 되어 오고 있다. 즉, 반도체 칩의 제조에서는 실리콘 웨이퍼에 다수의 약액을 공급하면서 소정의 습식 처리를 실시하고, 그 후 순수로 세정하여 건조시키는 것이지만, 이 때 가공선 폭이 매우 미세하므로, 기체와 액체의 계면 장력에 기인하는 모관력에 의해 현상 후의 레지스트가 서로 끌어당기게 되어 도괴한다는 현상이 발생하고 있다.

이러한 현상은, 예를 들어 마이크로 캔틸레버와 같은 강성이 작은 구조를 갖는 MEMS(Micro Electro Mechanical System)라 불리우는 전기 기계 장치의 제조에 있어서도 발생하고 있다. 즉, 통상 이러한 종류의 장치는 희생층을 불산이나 수산화 칼륨(K0H) 등의 수용액에 의해 에칭하여 제거하여 형태를 만들고, 그 후 린스액으로 세정하고 나서 건조시키지만, 이 경우에도 린스액의 건조에 수반하여, 캔틸레버가 모관력에 의해서 서로 고정 부착되고, 또한 캔틸레버와 베이스면이 고정 부착해 버리는 것이 알려져 있다.

또한, 포러스 low-k층간 절연막의 형성에 있어서도 같은 문제가 있다. 즉, 이 재료에서는 유전율을 낮추기 위해 기공율을 높이지만, 스핀 코트에 의한 성막, 겔화, 액 치환 등의 공정을 거친 후, 건조시키게 되는 제조 프로세스를 채용하기 때문에, 건조 공정에 있어서 다공질 구조 그 자체가 모관력의 영향을 받아 붕괴해 버리는 것이 알려져 있다.

이와 같이, 반도체 칩의 미세화에 수반하는 모관력에 의한 영향, 즉 미세 구조의 도괴 붕괴는 현실적으로 혹은 가까운 장래에, 큰 문제가 된다고 생각할 수 있다.

그래서, 이 문제를 해결하기 위해 여러 가지의 방법이 검토되고 있으며, 그 중 초임계 이산화탄소(초임계 유체)를 이용한 초임계 건조 기술은 유력한 수단 중 하나로서 최근 주목을 끌고 있다. 간단히 설명하면, 도6의 압력과 온도의 상태도에 도시한 바와 같이, 온도만을 이용하는 통상의 건조(도6에 있어서 액체 A로부터 기체 D)에서는 반드시 기액 평형선을 통과하므로, 이 때에 기액 계면에서 모관력이 발생하게 된다. 이에 반해, 온도와 압력을 이용하여 초임계 상태를 경유하고 나서 건조하는 경우(도6에 있어서 액체 A → 압력이 높은 액체 B → 초임계 액체 C → 기체 D)에는 기액 평형선을 통과하지 않으며, 따라서 본질적으로 모관력 프리의 상태로 건조시키는 것이 가능해진다는 것이다.

예를 들어, 제이. 벡. 사이언스 테크놀로지 B18(6)(J. Vac. Sci. Technol. B18(6))의 2000년 11월/12월호의 3308면의 "수성 린스 처리된 레지스트 시스템용 초임계 건조(Supercritical drying for water-rinsed resist systems)"와 3313면의 "패턴 붕괴를 방지하기 위해 초임계 이산화탄소를 사용한 수성 기반 포토레지스트 건조(Aqueous-based photoresist drying using supercritical carbon dioxide to prevent pattern collapse)"에는 미세화에 수반하는 건조시의 레지스트 도괴의 문제와, 이 문제 해결을 위한 초임계 건조의 유효성이 서술되어 있다.

또한, 일본 특허 공개 평8-250464호 공보에는 MEMS 부품 제조 공정에 있어서의 건조시의 고정 부착의 문제와, 이 문제 해결을 위한 초임계 건조의 유효성이 서술되어, 구체적인 방법과 장치가 개시되어 있다.

일본 특허 공개 평8-250464호 공보에는, 구체적인 방법 및 장치로서 일련의 처리를 모두 공통의 고압 용기(챔버) 내에서 실시하는 원-배스(one-bath) 방식의 기술이 개시되어 있다.

이 방법 및 장치는 웨이퍼를 초임계 처리 장치의 고압 용기 내에 반입하고, 강산성 액체에 의한 에칭 처리, 순수에 의한 린스 처리 및 알코올에 의한 치환 처리라고 하는 일련의 습식 처리를 실시한 후, 액체 이산화탄소를 장치 내에 도입하여 웨이퍼 표면의 알코올을 치환하고, 또한 온도를 상승시켜 이산화탄소를 초임계 상태로 함으로써 초임계 건조 처리를 실시한 후, 감압한다는 것이다.

그런데, 이 제안은 개념으로서는 우수하긴 하지만, 실용화되는 관점에서는 많은 문제를 포함하고 있어, 실시는 곤란하다.

왜냐하면，웨이퍼의 습식 처리에서는 강산이나 강알칼리를 사용하지만, 이들 액체는 접촉면을 부식시키므로, 이들 액체를 고압 용기 내로 도입하여 사용하는 것은 안전성면에서 현실적이지 않기 때문이다. 환언하면, 습식 처리에서 사용되는 액체가 현저히 제약되게 되므로 범용성이 결핍되기 때문이다. 또, 챔버 내면을 불소 수지로 내식 코팅하는 것도 생각할 수 있지만, 이 방법은 단기적으로는 유효하지만, 고압하에서 장기간 그 기능을 계속적으로 발휘하는 것은 어렵고, 또한 챔버 그 자체의 내면을 코팅했다고 해도, 그곳에 이르는 가는 배관이나 커플링, 고압 밸브 등의 부품의 모든 내면을 내식 코팅하는 것은 실제적으로는 곤란하여, 결국 이 방법도 현실적이지는 못하다.

또한, 높은 압력에 견딜 필요가 있으므로, 배관 등의 구경을 통상의 독립된 습식 처리 장치와 같이 크게 취할 수는 없으며, 그로 인해 액의 출입에 시간이 지나치게 걸려 생산성이 나쁘다. 게다가, 고압 용기를 사용할 필요가 없는 공정(습식 처리 공정)까지도 상기 챔버 내에서 행하는 것은 경제적으로 보아도 낭비이며 현실적이지 못하다.

본 발명은 이러한 사정에 비추어 이루어진 것으로, 그 목적은 웨이퍼 등의 기판에 대해 습식 처리로부터 초임계 건조까지의 일련의 처리를 실시할 수 있고, 게다가 안전하고 범용성이 높아, 더욱 높은 생산성을 겸비한 기판 처리 방법 및 기판 처리 설비를 제공하는 데 있다.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 기판 처리 방법은 습식 처리 장치에 있어서 기판에 처리액을 공급하여 소정의 습식 처리를 실시하는 습식 처리 공정과, 상기 습식 처리 후의 기판을 미건조 상태 그대로 상기 습식 처리 장치와는 별도로 설치된 건조 처리 장치로 반송하는 반송 공정과, 상기 건조 처리 장치에 있어서 초임계 유체를 이용한 초임계 건조 처리를 상기 기판에 실시하는 건조 처리 공정을 갖는 것이다(청구항 1).

이 방법에 의하면, 습식 처리 후의 기판을 미건조 상태 그대로 건조 처리 장치로 반송하여 초임계 건조 처리를 실시하므로, 최종적인 웨이퍼의 건조 처리를 모관력 프리인 상태로 행할 수 있다. 게다가, 습식 처리 공정과 건조 처리 공정이 다른 장치에 의해 행해지므로, 고압 용기와의 관계에서 습식 처리 공정에 있어서 사용되는 처리액의 종류에 제약이 부과되는 일이 없어지며, 또한 처리액에 의한 고압 용기 내의 부식 등의 문제도 해소된다. 또, 원-배스 방식과 같이, 고압 용기에 대하여 처리액을 시간을 들여 출입하는 일도 없어진다.

청구항 1에 기재된 기판 처리 방법에 있어서는, 상기 습식 처리 후, 상기 초임계 건조 처리 전에 상기 기판에 건조 방지용의 액체를 공급하는 공정을 더 구비하는 것이 바람직하다(청구항 2).

이와 같이 하면, 초임계 건조 처리 전의 기판의 자연 건조를 양호하게 방지할 수 있게 된다.

청구항 2에 기재된 기판 처리 방법에 있어서는, 상기 건조 처리 장치에 반송된 상기 기판에 건조 방지용의 액체를 공급하면 좋고(청구항 3), 이 경우에는 상기 기판을 저속으로 회전시키면서 상기 건조 방지용의 액체를 공급하고 균일하게 기판을 적시는 것이 바람직하다(청구항 4).

이와 같이 기판을 회전시키면서 액체를 공급하면, 반송 중에 부착된 먼지 등을 원심력을 이용하여 효과적으로 제거할 수 있고, 또한 필요 최저한의 액량으로 기판을 균일하게 적시는 것이 가능해진다.

또한, 청구항 2에 기재된 기판 처리 방법에 있어서는, 상기 습식 처리 후, 상기 기판을 수송용 용기로 옮겨, 이 수송용 용기 내에 건조 방지용의 상기 액체를 공급하여 기판을 이 액체에 침지하고, 이 상태에서 상기 기판을 수송용 용기와 일체로 상기 건조 처리 장치로 반송하도록 해도 좋다(청구항 5).

이와 같이 하면, 반송 중에 기판이 자연 건조되는 것을 확실하게 방지하는 것이 가능해진다.

청구항 1에 기재된 기판 처리 방법에 있어서는, 상기 건조 처리 공정에 있어서 상기 기판을 저속으로 회전시키는 것이 바람직하다(청구항 6).

이와 같이 기판을 회전시키는 처리를 실시하면, 기판의 회전에 수반하는 원심력에 의해 기판에 부착된 처리액 등을 신속하게 배제할 수 있으므로, 건조 처리를 촉진시키는 것이 가능해진다.

또, 청구항 1에 기재된 기판 처리 방법에 있어서, 상기 습식 처리 공정은 예를 들어 기판에 처리액을 공급하면서 현상, 성막, 에칭 및 세정 등의 처리를 차례로 실시하는 복수의 공정을 포함하며, 상기 반송 공정은 세정된 기판을 미건조 상태 그대로 반송하도록 하고, 액체 공급 공정은 상기 세정 처리에 사용된 것과 동일한 액을 기판에 공급하도록 하는 것을 생각할 수 있다(청구항 7).

또한, 청구항 1에 기재된 기판 처리 방법에 있어서, 상기 건조 처리 공정은 초임계 유체를 공급하여 상기 건조 처리 장치 내를 초임계 상태로 하는 공정과, 미리 정해진 시간만큼 상기 초임계 상태를 보유 지지하는 공정과, 상기 시간의 경과 후, 건조 처리 장치 내를 대기압까지 감압하는 공정과, 건조 처리 장치 내로부터 건조 처리 후의 상기 기판을 취출하는 공정을 포함한다(청구항 8).

한편, 본 발명의 기판 처리 설비는 상기 청구항에 기재된 기판 처리 방법을 실시하는 데 적합한 장치로서, 이하와 같은 구성을 갖는 것이다.

청구항 9에 기재된 기판 처리 설비는 기판에 처리액을 공급하여 소정의 습식 처리를 실시하는 습식 처리 장치와, 이 습식 처리 장치와는 별도로 설치되고 기판에 대하여 초임계 유체를 이용한 초임계 건조 처리를 실시하는 건조 처리 장치와, 상기 습식 처리 후의 기판을 상기 습식 처리 장치로부터 취출하여 미건조 상태 그대로 상기 건조 처리 장치로 반송하는 반송 수단과, 상기 습식 처리 후 상기 초임계 건조 처리 전에 상기 기판에 건조 방지용 액체를 공급하는 액 공급 수단을 구비하고 있는 것이다.

이 장치에 따르면, 습식 처리 장치에 있어서 소정의 습식 처리가 기판에 실시된 후, 상기 기판이 반송 수단에 의해 습식 처리 장치로부터 취출되어 미건조 상태에서 건조 처리 장치로 반송되고, 여기서 초임계 건조 처리에 제공되게 된다. 또한, 액 공급 수단에 의해 기판의 자연 건조를 효과적으로 방지하는 것이 가능해진다.

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청구항 9에 기재된 기판 처리 설비에 있어서, 상기 건조 처리 장치는 기판을 회전 가능하게 지지하는 기판 지지 수단과, 상기 기판 지지 수단을 저속으로 회전시키는 회전 수단을 갖고, 이 기판 지지 수단에 의해 기판을 지지하고 지지 수단을 회전시키면서 건조 처리를 실시하도록 구성되어 있는 것이 바람직하다(청구항 11).

이 구성에 따르면, 건조 처리 중에 기판을 회전시키는 것이 가능해진다. 즉 기판을 회전시킴으로써, 기판에 부착된 처리액 등을 원심력에 의해 효과적으로 배제할 수 있고, 그 결과 건조 처리를 보다 촉진시키는 것이 가능해진다.

또한, 청구항 9에 기재된 기판 처리 설비에 있어서, 상기 액 공급 수단은 기판을 수용 가능한 용기를 갖고, 이 용기 내에 건조 방지용의 상기 액체를 공급하여 상기 액체에 기판을 침지시키도록 구성되고, 상기 반송 수단은 상기 습식 처리 장치로부터 취출한 기판을 상기 용기에 수납하고 상기 액체에 기판을 침지시킨 상태에서 이 용기를 상기 건조 처리 장치로 반송하도록 구성되어 있는 것이 바람직하다.

이 구성에 따르면, 기판을 액체에 침지한 상태에서 반송하므로, 초임계 건조 처리 전에 기판이 자연 건조되는 것을 확실하게 방지할 수 있게 된다.

또, 청구항 9에 기재된 기판 처리 설비에 있어서, 반송 수단은 습식 처리 후의 미건조 상태의 기판을 습식 처리 장치로부터 취출하여 반송하는 제1 반송 부재와, 초임계 건조 처리 후의 건조된 기판을 반송하는 제2 반송 부재를 갖고 있는 것이 바람직하다.

이와 같은 구성에 따르면, 반송 수단을 매체로 하여 초임계 건조 처리 후의 건조된 기판에 처리액이 부착되는 것을 유효하게 방지하는 것이 가능해진다.

또한, 청구항 12에 기재된 기판 처리 설비에 있어서, 반송 수단은 기판을 직접 지지하여 반송하는 기판 반송 부재와 상기 용기를 지지하여 반송하는 용기 반송 부재를 구비한 제1 반송 장치와, 상기 용기에 대하여 기판을 출입시키는 제2 반송 장치를 구비하는 것이 바람직하다.

본 발명의 제1 실시 형태에 대해서 도면을 이용하여 설명한다.

상기 도면은 본 발명이 적용되는 기판 처리 설비를 개략적으로 평면도로 도시하고 있다. 이 도면에 도시한 장치는 기판으로서 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라 함)를 처리하는 설비로서, 웨이퍼에 대하여 차례로 처리액을 공급하여 소정의 습식 처리를 실시하는 습식 처리 장치(1)와, 습식 처리 후의 웨이퍼를 건조시키는 건조 처리 장치(2)와, 카세트 스테이션(4)과, 웨이퍼를 반송하는 웨이퍼 반송 장치(3)(반송 수단)를 베이스 상에 구비하고 있다.

베이스 상에 있어서 각 처리 장치(1, 2) 및 웨이퍼 반송 장치(3)는 하나의 하우징(5) 속에 수납되어 있고, 이 하우징(5)의 격벽(5A)에 의해 상기 각 처리 장치(1, 2)와 카세트 스테이션(4)이 구획되어 있다. 또, 기판 처리 설비는 일반적으로 클린룸 내에 설치되지만, 필요에 따라서 상기 하우징 내의 청정도 등이 제어되도록 되어 있다.

상기 습식 처리 장치(1)는, 예를 들어 현상, 에칭, 세정, 코팅, 겔화, 린스 등의 소정의 액 처리를 웨이퍼에 실시하는 장치이다. 도시한 예에서는, 습식 처리 장치 1개(1기)이지만, 필요에 따라서 2개 이상의 습식 처리 장치(1)가 나란히 설치된다.

상기 건조 처리 장치(2)는 초임계 유체를 이용하여 웨이퍼(9)(도2에 도시함)에 초임계 유체 건조 처리를 실시하는 장치로, 도2에 도시한 바와 같은 건조 처리용의 고압 용기(101)를 갖고 있다.

고압 용기(101)는 웨이퍼(9)의 출입을 행하는 개폐 가능한 개구부(도시 생략)를 갖는 동시에, 그 내부에 웨이퍼 적재대(102)(기판 지지 수단)를 구비하고 있다. 웨이퍼 적재대(102)는 지지축(103a) 및 모터 등의 구동원(103b) 등을 구비한 회전 구동 기구(103)에 연결되어 있고, 상기 구동원(103b)의 작동에 의해 회전 구동되도록 구성되어 있다.

또한, 고압 용기(101)에는 액 도입 구멍(201) 및 공급관(104)을 통해 보호액의 공급원(105)이 접속되어 있는 동시에, 액 도입 구멍(도시하지 않음) 및 공급관(106)을 통해 초임계 유체의 공급원(107)이 각각 접속되어 있다.

상기 보호액은 웨이퍼(9)의 건조를 방지하기 위한 액체(건조 방지용의 액체)로서, 예를 들어 습식 처리 장치(1)에서 마지막으로 웨이퍼(9)로 공급되는 처리액과 공통의 처리액이 이용되고 있고, 상기 실시 형태에서는 후술하는 린스액인 순수(純水)가 이용되고 있다. 즉, 이 실시 형태에서는 액 도입 구멍(201), 공급관(104) 및 공급원(105) 등에 의해 본 발명의 액체 공급 수단이 구성되어 있다.

한편, 초임계 유체는 상기 실시 형태에 있어서는 이산화탄소가 이용되고 있고, 공급원(107)에 있어서 소정의 온도 및 압력으로 조정되고 나서 상기 고압 용기(101)로 공급되도록 되어 있다. 또, 건조 처리 장치(2)에는 다시 가압 감압 장치 등(도시 생략)이 설치되지만, 이들의 부대 설비는 클린룸 밖에 배치되어 있다.

상기 카세트 스테이션(4)은, 예를 들어 웨이퍼(9)를 상하 복수단에 수납한 카세트를 적재하고, 상기 웨이퍼 반송 장치(3)에 의해 웨이퍼(9)를 출입하는 곳으로서, 도1에 도시한 바와 같이 상기 예에서는 3개의 카세트(4-1, 4-2, 4-3)가 적재되어 있다. 또, 카세트 스테이션(4)에 대한 카세트의 반입 및 반출은 도면 밖의 핸들링 장치에 의해 행해지도록 되어 있다.

웨이퍼 반송 장치(3)는 상기 각 처리부(1, 2) 및 카세트 스테이션의 각 카세트 상호간에 웨이퍼(9)를 반송하는 것으로, 예를 들어 수평 다관절형의 아암의 선단부에 요동 가능한 웨이퍼 지지부를 구비한 한 쌍의 핸드(31, 32)[제1 핸드(31), 제2 핸드(32)라 함]를 가진 스칼라형 로봇으로 구성되어 있고, 상기 습식 처리 장치(1)와 건조 처리 장치(2)의 사이에 정확하게 배치되어 있다.

상기 핸드(31, 32) 중 제1 핸드(31)(제1 반송 부재)는 습윤 웨이퍼(젖은 상태의 웨이퍼)의 반송, 즉 습식 처리 장치(1)로부터 건조 처리 장치(2)로의 웨이퍼(9)의 반송에 사용된다. 한편, 제2 핸드(32)(제2 반송 부재)는 건조 웨이퍼의 반송, 즉 카세트 스테이션의 각 카세트로부터 습식 처리 장치(1)로의 웨이퍼(9)의 반송 및 건조 처리 장치(2)로부터 상기 카세트로의 웨이퍼(9)의 반송에 사용된다. 이와 같이 핸드를 구별하여 사용함으로써 습식 처리 전의 웨이퍼(9), 혹은 초임계 건조 처리 후의 웨이퍼(9)의 반송시에, 핸드에 부착된 수분 등에 의해 웨이퍼(9)가 오염되는 것을 방지하도록 되어 있다.

이상과 같은 기판 처리 설비의 구성에 있어서, 웨이퍼(9)의 처리는 다음과 같이 하여 행해진다. 우선, 웨이퍼 반송 장치(3)의 제2 핸드(32)에 의해 카세트(4-1 내지 4-3)로부터 처리하기 위해 웨이퍼(9)가 취출되어 습식 처리 장치(1)로 반송되고, 여기서 웨이퍼(9)에 소정의 습식 처리가 실시된다.

예를 들어, 습식 처리 장치(1)에서의 처리가 현상 처리인 경우[즉 습식 처리 장치(1)가 현상 장치인 경우]에는 알칼리성 수용액이 웨이퍼면에 적하되어 현상 처리가 실시된다. 통상, 현상에 필요로 하는 시간은 45초 내지 1분 정도이며, 소정시간 현상액에 의해 현상 처리가 실시된 후는 린스액, 상기 예는 순수에 의해 린스 처리가 실시된다. 린스 처리에 필요로 하는 시간도 현상과 같은 정도이다. 또, 다음의 초임계 건조 처리를 촉진시키기 위해, 순수에 의한 린스 처리 후, 순수보다도 이산화탄소와의 친화성이 좋은 유기용제를 이용하여 다시 린스 처리를 실시하도록 해도 좋다.

습식 처리 장치(1)에 있어서 린스 처리가 완료되면, 표면이 젖은 상태의 웨이퍼(9)가 그대로 웨이퍼 반송 장치(3)에 의해 습식 처리 장치(1)로부터 취출되어 건조 처리 장치(2)로 반송된다. 또, 이러한 종류의 현상 처리에서는 린스 처리 후, 웨이퍼(9)를 3000 rpm 정도의 고속으로 회전시켜 원심 건조시키는 것이 일반적이지만, 상기 습식 처리 장치(1)에서는 건조 처리를 일체 실시하지 않고, 미건조 상태에서 웨이퍼(9)를 습식 처리 장치(1)로부터 취출하여 건조 처리 장치(2)로 반송한다. 이 때, 웨이퍼(9)의 반송은 웨이퍼 반송 장치(3)의 제1 핸드(31)에 의해 행해지고, 또한 자연 건조가 시작되기 전에 습식 처리 장치(1)로부터 건조 처리 장치(2)로 웨이퍼(9)가 반송된다.

건조 처리 장치(2)로 반송된 웨이퍼(9)는 상기 개구부를 통해 고압 용기(101) 내로 반입되어 웨이퍼 적재대(102)에 세트된다.

웨이퍼 적재대(102)에 웨이퍼(9)가 세트되면, 상기 공급원(107)으로부터 공급관(104)을 통해 웨이퍼(9)에 순수가 공급되고, 반송 중에 잃어버린 웨이퍼 표면의 순수가 보충된다. 즉, 이에 의해 초임계 건조 처리가 실시되기 전에 웨이퍼(9)가 자연 건조되는 것이 방지된다. 또한, 반송 중에 웨이퍼(9)에 부착된 미소한 먼지가 씻겨져 내림으로써, 먼지가 부착된 상태에서 웨이퍼(9)에 건조 처리가 실시되는 것이 방지된다.

또, 순수의 공급시에는 필요에 따라서 상기 회전 구동 기구(103)의 작동에 의해 웨이퍼 적재대(102)가 회전 구동되고, 이에 의해 웨이퍼(9)가 회전하게 된다. 즉, 이와 같이 웨이퍼(9)를 회전시키면서 순수를 공급함으로써, 원심력에 의해 효과적으로 먼지 등이 제거되는 동시에, 필요 최저한의 액량으로 웨이퍼(9)의 표면이 균일하게 젖은 상태(액 끊김이 없는 상태)가 된다.

계속해서, 상기 공급원(107)에 있어서 온도 압력이 조정된 초임계 이산화탄소가 공급관(104)을 통하여 초임계 건조 장치(2)로 공급되고, 상기 고압 용기(101)의 내부가 초임계 상태(예를 들어 35 ℃, 9 ㎫)가 된다.

초임계 이산화탄소가 공급되어 고압 용기(101) 내가 소정의 초임계 상태가 되면, 미리 정해진 일정한 시간만큼 상기 상태가 보유 지지되고, 이에 의해 웨이퍼(9)에 초임계 건조 처리가 실시된다. 이 때, 필요에 따라서 웨이퍼 적재대(102)의 구동에 의해 웨이퍼(9)가 회전하게 됨으로써 건조 처리가 촉진되게 된다. 즉, 웨이퍼(9)에 부착된 모든 순수를 초임계 이산화탄소 속에 용해 배출시켜 제거하는 경우에는 어느 정도 시간이 필요하게 되지만, 상기한 바와 같이 웨이퍼(9)를 회전시켜 웨이퍼 표면에 부착된 대부분의 순수를 그 원심력에 의해 제거하면서, 세부에 남는 매우 미량의 순수를 초임계 이산화탄소 속에 용해시켜 제거함으로써 단시간에 효과적으로 웨이퍼(9)를 건조시킬 수 있다. 또, 이 때의 웨이퍼(9)의 회전 속도는 일반적인 습식 처리 후의 원심 건조와 같이 액이 분산하는 것 같은고속(3000 rpm 정도)에서의 회전이 아니며, 예를 들어 웨이퍼 상의 액이 순조롭게 흘러내릴 정도의 낮은 속도(20 내지 500 rpm 정도)가 바람직하다. 이와 같은 적절한 회전을 부여함으로써, 원심력에 의한 미세 구조의 도괴 등의 폐해를 수반하지 않고, 웨이퍼 상의 여분의 액을 효과적으로 제거할 수 있다.

이렇게 하여 일정 시간이 경과하면, 상기 고압 용기(101) 내의 압력이 대기압까지 감압된 후, 웨이퍼 반송 장치(3)의 제2 핸드(32)에 의해 건조 처리 후의 웨이퍼(9)가 건조 처리 장치(2)로부터 취출된다. 그리고, 카세트 스테이션(4)으로 반송된 후, 소정의 카세트(4-1 내지 4-3)에 수납되고, 이에 의해 상기 웨이퍼(9)에 대한 일련의 처리가 종료한다.

이상과 같이 이 기판 처리 설비에 따르면, 습식 처리 장치(1)에 있어서 웨이퍼(9)에 소정의 습식 처리를 실시하고, 순수에 의한 린스 처리 후의 웨이퍼(9)를 미건조 상태에서 웨이퍼 반송 장치(3)에 의해 습식 처리 장치(1)와는 별도로 설치한 건조 처리 장치(2)로 반송하여 초임계 건조 처리를 행하므로, 즉 습식 처리와 초임계 건조 처리를 각각 별개의 전용 장치로 행하므로, 고압 용기와의 관계에서 습식 처리에 사용하는 처리액의 종류(성상)에 제약이 부과되는 일이 없어, 이에 의해 범용성을 높일 수 있다. 또한, 건조 처리 장치(2)에 있어서는 처리액에 의한 부식 등의 문제가 해소되고, 고압 용기 내에 내식 코팅을 실시하지 않아도 안전하게 웨이퍼(9)에 대하여 초임계 건조 처리를 실시할 수 있다. 게다가, 원-배스 방식과 같이, 습식 처리시의 처리액을 가는 배관을 통하여 고압 용기에 시간을 들여 출입시키는 일도 없으므로, 웨이퍼(9)의 처리를 신속하게 행하는 것이 가능하며, 이에 의해 높은 생산성을 실현할 수 있다.

그런데, 이와 같이 습식 처리와 초임계 건조 처리를 각각 별개의 장치(1, 2)로 행하는 경우에는 습식 처리 종료 후, 웨이퍼(9)를 반송할 때에 웨이퍼(9)가 자연 건조되는 것이 염려되는 바이다. 즉, 반송 중에 웨이퍼(9)가 자연 건조 되면, 미세 구조 부분에 있어서 모관력이 작용하고, 상기 구조 부분이 붕괴하는 등으로 인해 웨이퍼(9)에 초임계 건조 처리를 실시하는 의미가 없어지기 때문이다. 그러나, 이 설비에서는 습식 처리 장치(1)와 건조 처리 장치(2) 사이에 웨이퍼 반송 장치(3)를 배치하고, 습식 처리 장치(1)로부터 건조 처리 장치(2)로의 웨이퍼(9)의 반송이 신속하게 행해지도록 구성되어 있고, 또한 습식 처리 후, 웨이퍼(9)를 회전시키는 이른바 원심 건조 처리를 행하지 않고 웨이퍼(9)를 미건조 상태에서 습식 처리 장치(1)로부터 취출하여 건조 처리 장치(2)로 반송되도록 구성되어 있고, 또 건조 처리 장치(2)로의 반입 후는 즉시 순수를 웨이퍼(9)로 공급하여 웨이퍼(9)의 자연 건조를 방지하도록 구성되어 있으므로, 습식 처리 후 초임계 건조 처리까지의 사이에 웨이퍼(9)가 자연 건조되는 것을 유효하게 방지할 수 있다.

또, 이 설비에서는 상기한 바와 같이 습식 처리 후, 웨이퍼(9)의 고속 회전에 의한 원심 건조 처리를 행하지 않으므로, 원심력에 의해 웨이퍼(9)의 미세 구조 부분을 도괴시킬 우려도 없다.

다음에, 본 발명의 제2 실시 형태에 대해서 설명한다.

도3은, 본 발명이 적용되는 기판 처리 설비의 제2 실시 형태를 개략적으로 평면도로 도시하고 있다. 또, 이 도면에 도시한 설비의 기본 구성은 제1 실시 형태(도1)와 공통되므로, 공통된 구성 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하여 설명을 생략하고, 다른 구성 부분만 상세하게 설명하는 것으로 한다.

제2 실시 형태에서는, 습식 처리 후의 웨이퍼(9)를 미건조 상태에서 습식 처리 장치(1)로부터 건조 처리 장치(2)로 반송하여 초임계 건조 처리를 실시하는 점에서 구성이 공통적이지만, 습식 처리 후의 웨이퍼(9)를 수송용 용기에 수납하여, 이 용기와 일체로 건조 처리 장치(2)로 반송하도록 구성되어 있는 점에서 제1 실시 형태와 구성이 다르다.

즉, 웨이퍼 반송 장치 측방의 중간 위치(10)에는 수송 용기(6)를 적재하는 스테이션이 설치되는 동시에, 이 스테이션에 상기 수송 용기(6) 내에 보호액(순수)을 공급하는 액 공급 장치(8)가 설치되어 있다. 수송 용기(6)는, 도4에 도시한 바와 같이 상방이 개구된 접시형의 용기이다.

또한, 습식 처리 장치(1) 및 상기 중간 위치(1O) 사이에는 수송 용기(6)에 대하여 웨이퍼(9)를 출입시키기 위한 웨이퍼 장전 장치(7)(제2 반송 장치)가 설치되어 있다. 이 웨이퍼 장전 장치(7)에도 웨이퍼 반송 장치(3)와 마찬가지로, 습윤 웨이퍼를 출입시키는 제1 보유 지지 부재(71)와 건조된 상태의 웨이퍼(9)를 출입시키는 제2 보유 지지 부재(72)가 설치되어 있고, 후술하는 바와 같이 습식 처리 후의 웨이퍼(9)를 수송 용기(6)에 수납할 때에는 제1 보유 지지 부재(71)가 사용되는 한편, 초임계 건조 처리 후의 웨이퍼(9)를 수송 용기(6)로부터 취출할 때에는 제2 보유 지지 부재(2)가 사용되도록 구성되어 있다.

또, 도시를 생략하지만 웨이퍼 반송 장치(3)의 제1 핸드(31) 및 제2 핸드(32)는 각각 웨이퍼 지지부(기판 보유 지지 부재)와 용기 지지부(용기 보유 지지 부재)를 갖고 있어, 웨이퍼(9) 그 자체를 반송할 수 있는 한편, 상기 수송 용기(6)에 대해서도 이를 반송할 수 있도록 구성되어 있다. 즉, 이 제2 실시 형태에서는 상기 웨이퍼 반송 장치(3)가 본 발명의 제1 반송 장치를, 웨이퍼 장전 장치(7)가 제2 반송 장치를 각각 구성하고, 이들 웨이퍼 반송 장치(3) 및 웨이퍼 장전 장치(7)에 의해 웨이퍼(9)의 반송 수단이 구성되어 있다.

또한, 제2 실시 형태의 건조 처리 장치(2)에 있어서는 상기 고압 용기(101) 내에 웨이퍼 적재대(102)는 설치되어 있지 않고, 수송 용기(6)가 직접, 상기 회전 구동 기구(103)에 연결되도록 구성되어 있다. 또, 고압 용기(101) 내에 보호액(순수)을 공급하기 위한 액 도입 구멍(201), 공급관(104) 및 공급원(105) 등은 설치되어 있지 않고, 상기 액 공급 장치(8) 등이 본 발명의 액 공급 수단으로서 기능하도록 구성되어 있다.

이상과 같은 제2 실시 형태의 구성에 있어서, 습식 처리가 종료한 웨이퍼(9)는 웨이퍼 반송 장치(30)의 제1 핸드(31)[웨이퍼 지지부]에 의해 미건조 상태에서 습식 처리 장치(1)로부터 취출되어 웨이퍼 장전 장치(7)[제1 보유 지지부(71)]로 전달되고, 이 웨이퍼 장전 장치(7)에 의해 상기 스테이션에 놓여진 수송 용기(6) 내에 수납된다.

수송 용기(6)에 웨이퍼(9)가 이동 탑재되면, 상기 액 공급 장치(8)가 작동하여 수송 용기 내에 보호액, 즉 순수가 공급된다. 이 때, 순수는 도4에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(9)의 상면을 덮는 레벨까지 공급되고, 이에 의해 웨이퍼 전체가 순수에 침지된 상태가 된다. 또, 이 경우 미리 수송 용기(6) 내에 순수를 저장해 두고, 그곳에 웨이퍼(9)를 수납하도록 해도 좋다.

순수의 공급이 완료되면, 다음에 웨이퍼 반송 장치(30)의 제1 핸드(31)[용기 지지부]에 의해 수송 용기(6)가 스테이션으로부터 건조 처리 장치(2)로 반송되어, 고압 용기(101) 내의 상기 회전 구동 기구(103)에 연결된다.

그리고, 공급원(107)에 있어서 온도 압력이 조정된 초임계 이산화탄소가 공급관(104)을 지나서 초임계 건조 장치(2)로 공급되고, 상기 고압 용기(101)의 내부가 초임계 상태(예를 들어 35 ℃, 9 ㎫)가 되어, 웨이퍼(9)에 초임계 건조 처리가 실시된다. 이 때, 상기 회전 구동 기구(103)의 작동에 의해 수송 용기(6)와 웨이퍼(9)가 일체로 낮은 속도(20 내지 500 rpm 정도)로 회전하게 됨으로써, 수송 용기(6) 내에 저장된 순수나 웨이퍼(9)에 부착된 순수가 신속하게 제거되고, 이에 의해 제1 실시 형태와 마찬가지로, 웨이퍼(9)의 건조 처리가 촉진되게 된다. 또, 이 때 원심력에 의해 액체가 원활하게 유출되도록 수송 용기(6)에 있어서의 웨이퍼(9)의 수납 공간은 중심이 깊고 주변이 얕은 원뿔형으로 형성되어 있는 것이 바람직하다.

이렇게 하여 일정 시간이 경과하면, 상기 고압 용기(101) 내의 압력이 대기압까지 감압된 후, 웨이퍼 반송 장치(3)의 제2 핸드(32)[용기 지지부]에 의해 건조 처리 후의 웨이퍼(9)가 수송 용기(6)와 함께 건조 처리 장치(2)로부터 취출되어, 중간 위치(10)의 상기 스테이션에 적재된다. 그리고, 웨이퍼 장전 장치(7)[제2 보유 지지 부재(72)]에 의해 수송 용기(6)로부터 취출된 후, 웨이퍼 반송 장치(30)의 제2 핸드(32)[웨이퍼 지지부]로 전달되고, 카세트 스테이션(4)으로 반송되어 소정의 카세트(4-1 내지 4-3)에 수납되게 된다.

이상 설명한 제2 실시 형태의 기판 처리 설비에 따르면, 상기한 바와 같이 습식 처리가 종료한 웨이퍼(9)를 수송 용기(6)에 수납하고, 이 수송 용기(6) 내에 있어서 순수에 침지한 상태에서 건조 처리 장치(2)까지 웨이퍼(9)를 반송하도록 구성되어 있으므로, 습식 처리 장치(1)로부터 건조 처리 장치(2)까지의 웨이퍼(9)의 반송 중, 혹은 건조 처리 장치(2)에 있어서의 처리 개시까지의 대기 시간 중에 웨이퍼(9)가 자연 건조되는 것을 확실하게 방지할 수 있다.

게다가, 건조 처리 장치(2)에서의 초임계 건조 처리시에는 상술한 바와 같이 수송 용기(6)를 회전시킴으로써, 그 원심력으로 수송 용기(6) 내의 순수를 신속하게 배출할 수 있도록 하고 있으므로, 웨이퍼(9)의 자연 건조를 확실하게 방지하면서도 건조 처리 장치(2)에서의 건조 처리를 신속하게 행할 수 있다는 효과가 있다.

그런데, 이상 설명한 제1 및 제2 실시 형태는 본 발명의 기판 처리 방법이 적용되는 기판 처리 설비(본 발명에 관한 기판 처리 설비)의 대표적인 예로서, 그 구체적인 구성은 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 적절하게 변경 가능하다. 예를 들어, 이하와 같은 구성을 채용할 수도 있다.

(1) 상기 실시 형태에서는 습식 처리 장치(1) 및 건조 처리 장치(2)가 각 1개(1기) 설치되어 있지만, 습식 처리 장치(1) 및 건조 처리 장치(2)를 필요에 따라 각각 복수 배치하도록 해도 좋다. 또한, 습식 처리 장치(1)와 건조 처리 장치(2)에다가, 베이크로나 치환 장치를 조립한 구성으로 해도 좋다.

(2) 상기 실시 형태에서는 웨이퍼 반송 장치(3)로서 스칼라형 로봇으로 이루어지는 정치식(선회식)의 장치를 채용하고 있지만, 예를 들어 이동식(주행식)의 장치를 채용해도 좋다. 또한, 카세트(4-1 내지 4-3)에 대하여 웨이퍼(9)의 출입만을 행하는 전용의 출입 장치를 카세트 스테이션에 별도 설치하여, 이 장치와 상기 웨이퍼 반송 장치(3) 사이에서 웨이퍼(9)의 전달을 행하도록 구성해도 좋다.

(3) 상기 실시 형태에서는 2개의 핸드[제1 핸드(31), 제2 핸드(32)]를 가진 웨이퍼 반송 장치(3)를 채용하고, 초임계 건조 처리의 전후로 이들 핸드(31, 32)를 구별 사용하고 있지만, 웨이퍼(9)가 오손될 우려가 없는 경우에는, 공통된 핸드로 초임계 건조 처리 전후의 웨이퍼(9)를 반송하도록 구성해도 좋다. 이에 따르면, 웨이퍼 반송 장치(3)의 구성을 간략화할 수 있다는 장점이 있다.

(4) 상기 실시 형태에서는 습식 처리 후, 초임계 건조 처리까지의 사이의 웨이퍼(9)의 자연 건조를 방지하기 위해 액 공급 수단[즉, 제1 실시 형태에서는 공급관(104, 105) 등, 제2 실시 형태에서는 수송 용기(6)나 액 공급 장치(8) 등]을 설치하고 있지만, 예를 들어 처리액의 성상 등과의 관계에서 웨이퍼(9)가 자연 건조될 우려가 없는 경우에는 액 공급 수단을 생략하여 설비 구성을 간략화하는 것도 가능하다. 단, 습식 처리 장치(1)에서 사용되는 처리액의 제약을 없애어, 범용성을 높이기 위해서는 상기한 바와 같은 액 공급 수단을 설치해 두는 것이 바람직하다.

(5) 상기 실시 형태에서는 건조 방지용의 액체(보호액)로서, 습식 처리 장치(1)의 최종 공정에서 공급되는 린스액(순수)을 웨이퍼(9)에 공급하도록 하고 있지만, 물론 웨이퍼(9)의 자연 건조를 유효하게 방지할 수 있다면 그 이외의 액체라도 상관없다.

(6) 제1 실시 형태에 있어서, 초임계 건조 처리의 개시 후, 공급관(104) 등(액체 공급 수단)에 의한 순수의 공급을 어느 정도 계속하도록 해도 좋다. 이에 따르면 순수의 공급이 도중에 끊기는 일 없이 건조 처리로 이행되므로, 웨이퍼(9)의 자연 건조를 보다 확실하게 방지할 수 있다는 장점이 있다. 단, 초임계 건조 처리 중은 고압 용기(101) 내가 고압이 되므로, 액체 공급 수단으로서 고압의 액 공급 펌프 등이 필요하게 된다.

(7) 제1 실시 형태에 있어서, 액체 공급 수단을 웨이퍼 반송 장치(3)에 설치하고, 초임계 처리 개시까지의 대기 시간 중, 반송 장치(3)에 의해 웨이퍼(9)에 순수를 공급하도록 해도 좋다.

(8) 상기 실시 형태에서는 초임계 건조 처리시에는 웨이퍼(9)를 회전시키도록 하고 있지만, 물론 웨이퍼(9)를 정지시킨 상태에서 건조 처리를 실시하도록 해도 상관없다. 단, 웨이퍼(9)의 회전을 병용하면, 상술한 바와 같이 웨이퍼 등에 부착된 순수를 신속하게, 또한 효과적으로 배제할 수 있으므로, 건조 처리를 신속하게 행하는 데 있어서 바람직하다.

(9) 상기 실시 형태에서는 초임계 건조 처리에 있어서, 공급원(107)에서 온도 압력이 조정된 초임계 이산화탄소를 고압 용기(101) 내로 공급하도록 하고 있지만, 액체 이산화탄소를 고압 용기(101) 내에 도입하고, 온도를 상승시켜 이산화탄소를 초임계 상태로 함으로써 초임계 건조 처리를 실시하도록 해도 좋다.

(10) 수송 용기(6)로서는 상기한 바와 같이 한 장의 웨이퍼(9)를 수납하는 구성 이외에, 간격을 두고 복수매의 웨이퍼(9)를 적층하여 수납할 수 있도록 구성해도 좋다.

(11) 상기 실시 형태에서는 2개의 보유 지지 부재[제1 보유 지지 부재(71),제2 보유 지지 부재(72)]를 가진 웨이퍼 장전 장치(7)를 채용하고, 초임계 건조 처리의 전후로 이들 보유 지지 부재(71, 72)를 구별하여 사용하고 있지만, 웨이퍼(9)가 오손될 우려가 없는 경우에는 공통된 보유 지지 부재로 초임계 건조 처리 전후의 웨이퍼(9)를 수송 용기(6)에 대하여 출입하도록 구성해도 좋다. 이에 따르면, 웨이퍼 장전 장치(7)의 구성을 간략화할 수 있다는 장점이 있다.

그런데, 이상 설명한 본 발명 중 습식 처리 후, 건조 방지용의 보호액을 웨이퍼에 공급하는 점, 이 보호액의 공급시에 웨이퍼를 회전시키는 점, 또한 초임계 건조 처리 중에 웨이퍼를 회전시키는 점에 대해서는 습식 처리를 초임계 건조 장치 중에서 행하는 원-배스 방식의 경우에도 적용하는 것이 가능하다. 이 경우에는 처리하기 위한 웨이퍼를 초임계 건조 장치 내로 반입하고, 우선 초임계 건조 장치에 약액을 공급함으로써 웨이퍼를 습식 처리한다. 습식 처리 완료 후, 원심 건조를 행하지 않고 계속해서 초임계 건조를 행한다. 이 경우, 습식 처리 완료 후 보호액을 웨이퍼로 공급하는 동시에, 필요에 따라서 웨이퍼를 회전시킴으로써 웨이퍼를 건조시키지 않고 초임계 건조를 개시한다. 그리고, 초임계 건조 처리 중에는 웨이퍼를 회전시킴으로써 건조 처리를 촉진시키도록 한다. 또, 이후의 순서는 앞에서 서술한 본 발명의 실시 형태와 마찬가지이다.

원-배스 방식은 사용 약액의 제한이 많아 범용성이 결여되어 있지만, 통상의 습식 처리 장치가 불필요하므로 콤팩트하고, 습식 처리로서 특정의 온화한 약액을 이용하는 용도로는 사용할 수 있다. 예를 들어 MEMS의 제조에 있어서, 수용성의 희생층을 사용하는 경우에는 사용액이 순수와 알코올이므로 적합하다.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 습식 처리 장치에 있어서 웨이퍼에 소정의 습식 처리를 실시한 후, 미건조 상태에서 웨이퍼를 습식 처리 장치와는 별도로 마련한 건조 처리 장치로 반송하여 초임계 건조 처리를 행하므로, 고압 용기와의 관계에서 습식 처리에 사용하는 처리액의 종류(성상)에 제약을 받게 되는 일이 없어, 이에 의해 범용성을 높일 수 있다. 또한, 처리액에 의한 부식 등의 문제가 해소되고, 고압 용기 내에 내식 코팅을 실시하지 않아도 안전하게 웨이퍼에 대하여 초임계 건조 처리를 실시할 수 있다. 게다가, 습식 처리시의 처리액을 고압 용기에 시간을 들여 출입시키는 일도 없으므로, 웨이퍼의 처리를 신속하게 행하는 것이 가능하여, 이에 의해 높은 생산성을 실현할 수 있다.

도1은 본 발명에 관한 기판 처리 설비의 제1 실시 형태를 도시한 개념도(평면도).

도2는 건조 처리 장치의 구성을 도시한 단면 개념도.

도3은 본 발명에 관한 기판 처리 설비의 제2 실시 형태를 도시한 개념도(평면도).

도4는 수송 용기의 일예를 도시한 단면도.

도5는 건조 처리 장치의 구성을 도시한 단면 개념도.

도6은 압력과 온도의 상태도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

1 : 습식 처리 장치

2 : 건조 처리 장치

3 : 웨이퍼 반송 장치

4 : 카세트 스테이션

5 : 하우징

6 : 수송 용기

7 : 웨이퍼 장전 장치

8 : 액 공급 장치

9 : 웨이퍼

101 : 고압 용기

103 : 회전 구동 기구

Claims

습식 처리 장치에 있어서 기판에 처리액을 공급하여 소정의 습식 처리를 실시하는 습식 처리 공정과, 상기 습식 처리 후의 기판을 미건조 상태 그대로 상기 습식 처리 장치와는 별도로 설치된 건조 처리 장치로 반송하는 반송 공정과, 상기 건조 처리 장치에 있어서 초임계 유체를 이용한 초임계 건조 처리를 상기 기판에 실시하는 건조 처리 공정을 갖는 기판 처리 방법.
제1항에 있어서, 상기 습식 처리 후, 상기 초임계 건조 처리 전에 상기 기판에 건조 방지용의 액체를 공급하는 공정을 더 구비하는 기판 처리 방법.
제2항에 있어서, 상기 건조 처리 장치에 반송된 상기 기판에 건조 방지용의 액체를 공급하는 기판 처리 방법.
제3항에 있어서, 상기 기판을 저속으로 회전시키면서 상기 건조 방지용의 액체를 공급하고 균일하게 기판을 적시는 기판 처리 방법.
제2항에 있어서, 상기 습식 처리 후, 상기 기판을 수송용 용기로 옮겨 이 수송용 용기 내에 건조 방지용의 상기 액체를 공급하여 기판을 이 액체에 침지하고, 이 상태에서 상기 기판을 수송용 용기와 일체로 상기 건조 처리 장치로 반송하는 기판 처리 방법.
제1항에 있어서, 상기 건조 처리 공정에 있어서 상기 기판을 저속으로 회전시키는 기판 처리 방법.
제2항에 있어서, 상기 습식 처리 공정은 기판에 처리액을 공급하면서 현상, 성막, 에칭 및 세정 등의 처리를 차례로 실시하는 복수의 공정을 포함하며, 상기 반송 공정은 세정된 기판을 미건조 상태 그대로 반송하도록 하고, 상기 액체 공급 공정은 상기 습식 처리 공정에서의 세정 처리에 사용된 것과 동일한 액을 기판에 공급하는 기판 처리 방법.
제1항에 있어서, 상기 건조 처리 공정은 초임계 유체를 공급하여 상기 건조 처리 장치 내를 초임계 상태로 하는 공정과, 미리 정해진 시간만큼 상기 초임계 상태를 보유 지지하는 공정과, 상기 시간의 경과 후, 건조 처리 장치 내를 대기압까지 감압하는 공정과, 상기 건조 처리 장치 내로부터 건조 처리 후의 상기 기판을 취출하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
기판에 처리액을 공급하여 소정의 습식 처리를 실시하는 습식 처리 장치와, 이 습식 처리 장치와는 별도로 설치되고 기판에 대하여 초임계 유체를 이용한 초임계 건조 처리를 실시하는 건조 처리 장치와, 상기 습식 처리 후의 기판을 상기 습식 처리 장치로부터 취출하여 미건조 상태 그대로 상기 건조 처리 장치로 반송하는 반송 수단과, 상기 습식 처리 후 상기 초임계 건조 처리 전에 상기 기판에 건조 방지용 액체를 공급하는 액 공급 수단을 구비하는 기판 처리 설비.
삭제
제9항에 있어서, 상기 건조 처리 장치는 기판을 회전 가능하게 지지하는 기판 지지 수단과, 상기 기판 지지 수단을 저속으로 회전시키는 회전 수단을 갖고, 이 기판 지지 수단에 의해 기판을 지지하고 지지 수단을 회전시키면서 건조 처리를 실시하도록 구성되어 있는 기판 처리 설비.
제9항에 있어서, 상기 액 공급 수단은 기판을 수용 가능한 용기를 갖고, 이 용기 내에 건조 방지용의 상기 액체를 공급하여 상기 액체에 기판을 침지시키도록 구성되고, 상기 반송 수단은 상기 습식 처리 장치로부터 취출한 기판을 상기 용기에 수납하고 상기 액체에 기판을 침지시킨 상태에서 이 용기를 상기 건조 처리 장치로 반송하도록 구성되어 있는 기판 처리 설비.
제9항에 있어서, 상기 반송 수단은 습식 처리 후의 미건조 상태의 기판을 습식 처리 장치로부터 취출하여 반송하는 제1 반송 부재와, 초임계 건조 처리 후의 건조된 기판을 반송하는 제2 반송 부재를 갖고 있는 기판 처리 설비.
제12항에 있어서, 상기 반송 수단은 기판을 직접 지지하여 반송하는 기판 반송 부재와 상기 용기를 지지하여 반송하는 용기 반송 부재를 구비한 제1 반송 장치와, 상기 용기에 대하여 기판을 출입시키는 제2 반송 장치를 구비하는 기판 처리 설비.