JP3471543B2 - 回転式基板乾燥装置 - Google Patents
回転式基板乾燥装置Info
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- nitrogen gas
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
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- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
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- H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハや
液晶表示パネル用ガラス基板あるいは半導体製造装置用
マスク基板等の基板を回転させることにより、当該基板
に付着した液滴を除去して乾燥させる回転式基板乾燥装
置に関する。
液晶表示パネル用ガラス基板あるいは半導体製造装置用
マスク基板等の基板を回転させることにより、当該基板
に付着した液滴を除去して乾燥させる回転式基板乾燥装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】このような回転式基板乾燥装置として
は、従来、複数の基板を一括して投入するための開口部
を有するチャンバと、このチャンバの開口部を閉止する
ことにより基板の回転乾燥時における液滴の外部への飛
散を防止するためのカバーと、チャンバ内に外気を導入
するためのカバーに付設されたフィルターと、チャンバ
内において複数の基板を保持して回転するための回転手
段と、フィルターから導入された外気をチャンバから排
出するための排気口とを備えるものが知られている。そ
して、この回転式基板乾燥装置においては、回転手段に
保持された基板をチャンバ内において回転させることに
より、回転による遠心力で基板に付着した液滴を除去す
ると共に、回転手段の回転に伴ってフィルターから導入
される外気により基板表面の液滴の乾燥を促進させる構
成となっている。
は、従来、複数の基板を一括して投入するための開口部
を有するチャンバと、このチャンバの開口部を閉止する
ことにより基板の回転乾燥時における液滴の外部への飛
散を防止するためのカバーと、チャンバ内に外気を導入
するためのカバーに付設されたフィルターと、チャンバ
内において複数の基板を保持して回転するための回転手
段と、フィルターから導入された外気をチャンバから排
出するための排気口とを備えるものが知られている。そ
して、この回転式基板乾燥装置においては、回転手段に
保持された基板をチャンバ内において回転させることに
より、回転による遠心力で基板に付着した液滴を除去す
ると共に、回転手段の回転に伴ってフィルターから導入
される外気により基板表面の液滴の乾燥を促進させる構
成となっている。
【０００３】また、基板の乾燥をより促進させるため、
基板の表面にエタノールを供給することにより、基板の
表面に付着した水滴とエタノールとを置換した後、基板
を回転させて乾燥する回転式基板乾燥装置も提案されて
いる（例えば特開昭６２−１４２３２８号公報）。
基板の表面にエタノールを供給することにより、基板の
表面に付着した水滴とエタノールとを置換した後、基板
を回転させて乾燥する回転式基板乾燥装置も提案されて
いる（例えば特開昭６２−１４２３２８号公報）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の回転
式基板乾燥装置においては、チャンバ内に酸素を含んだ
外気が導入されることから、回転し乾燥しつつある基板
の表面と酸素とが接触することになる。基板が酸素と接
触した状態で乾燥した場合においては、基板と液滴との
界面において基板に酸化が発生する。このような酸化が
発生した場合においては、後工程である基板の成膜処理
工程において成膜不良等を引き起こし、当該基板により
製造される製品の歩留まりを低下させる。
式基板乾燥装置においては、チャンバ内に酸素を含んだ
外気が導入されることから、回転し乾燥しつつある基板
の表面と酸素とが接触することになる。基板が酸素と接
触した状態で乾燥した場合においては、基板と液滴との
界面において基板に酸化が発生する。このような酸化が
発生した場合においては、後工程である基板の成膜処理
工程において成膜不良等を引き起こし、当該基板により
製造される製品の歩留まりを低下させる。
【０００５】この発明は上記課題を解決するためになさ
れたものであり、乾燥工程における基板の酸化を防止す
ることのできる回転式基板乾燥装置を提供することを目
的とする。
れたものであり、乾燥工程における基板の酸化を防止す
ることのできる回転式基板乾燥装置を提供することを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、基板を回転させることにより基板に付着した液滴を
除去して乾燥させる回転式基板乾燥装置において、基板
を通過させるための開口部を有するチャンバと、前記開
口部を気密状態で閉鎖するためのカバーと、前記チャン
バとカバーにより形成された空間内に、不活性ガスを供
給する不活性ガス供給手段と、前記不活性ガス供給手段
により供給された不活性ガスを前記チャンバとカバーに
より形成された空間内から排出するための排出口と、前
記開口部からチャンバ内に進入する基板に向けて不活性
ガスを吹き付ける不活性ガス噴出手段とを備えることを
特徴とする。
は、基板を回転させることにより基板に付着した液滴を
除去して乾燥させる回転式基板乾燥装置において、基板
を通過させるための開口部を有するチャンバと、前記開
口部を気密状態で閉鎖するためのカバーと、前記チャン
バとカバーにより形成された空間内に、不活性ガスを供
給する不活性ガス供給手段と、前記不活性ガス供給手段
により供給された不活性ガスを前記チャンバとカバーに
より形成された空間内から排出するための排出口と、前
記開口部からチャンバ内に進入する基板に向けて不活性
ガスを吹き付ける不活性ガス噴出手段とを備えることを
特徴とする。
【０００７】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の発明において、前記チャンバの斜め上方に前記チャン
バと接続した状態で配設されている予備室をさらに備
え、前記予備室内に不活性ガス供給手段が配設されてい
る。
の発明において、前記チャンバの斜め上方に前記チャン
バと接続した状態で配設されている予備室をさらに備
え、前記予備室内に不活性ガス供給手段が配設されてい
る。
【０００８】請求項３に記載の発明は、請求項１または
請求項２に記載の発明において、前記チャンバとカバー
とにより形成される空間内を減圧するするための減圧手
段をさらに備える。
請求項２に記載の発明において、前記チャンバとカバー
とにより形成される空間内を減圧するするための減圧手
段をさらに備える。
【０００９】請求項４に記載の発明は、請求項３に記載
の発明において、前記排出口は、不活性ガスを前記チャ
ンバとカバーにより形成された空間内から排出させる排
気ダンパと、前記減圧手段とに接続されている。
の発明において、前記排出口は、不活性ガスを前記チャ
ンバとカバーにより形成された空間内から排出させる排
気ダンパと、前記減圧手段とに接続されている。
【００１０】請求項５に記載の発明は、請求項１乃至請
求項４のいずれかに記載の発明において、前記チャンバ
ーとカバーとにより形成された空間内に水溶性アルコー
ルの蒸気を供給する蒸気供給手段をさらに備える。
求項４のいずれかに記載の発明において、前記チャンバ
ーとカバーとにより形成された空間内に水溶性アルコー
ルの蒸気を供給する蒸気供給手段をさらに備える。
【００１１】請求項６に記載の発明は、請求項１乃至請
求項４のいずれかに記載の発明において、前記チャンバ
ーとカバーとにより形成された空間内に加熱された水蒸
気を供給する水蒸気供給手段をさらに備える。
求項４のいずれかに記載の発明において、前記チャンバ
ーとカバーとにより形成された空間内に加熱された水蒸
気を供給する水蒸気供給手段をさらに備える。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。図１はこの発明の第１実施形態
に係る回転式基板乾燥装置の側断面図であり、図２はそ
の斜視図である。
面に基づいて説明する。図１はこの発明の第１実施形態
に係る回転式基板乾燥装置の側断面図であり、図２はそ
の斜視図である。
【００１３】この回転式基板乾燥装置は、基板Ｗとして
の略円形の半導体ウエハに対して乾燥処理を行うもので
あり、略円筒形のチャンバ１１と、チャンバ１１の上方
に形成された開口部１２を開閉するためのカバー１３
と、チャンバ１１内に回転可能に設けられた横軸形のロ
ータ１４と、ロータ１４に着脱自在に架設された基板支
持部１５と、基板支持部１５を昇降するためにチャンバ
１１の下部に昇降自在に配設された支持部昇降機構１６
とを備えている。
の略円形の半導体ウエハに対して乾燥処理を行うもので
あり、略円筒形のチャンバ１１と、チャンバ１１の上方
に形成された開口部１２を開閉するためのカバー１３
と、チャンバ１１内に回転可能に設けられた横軸形のロ
ータ１４と、ロータ１４に着脱自在に架設された基板支
持部１５と、基板支持部１５を昇降するためにチャンバ
１１の下部に昇降自在に配設された支持部昇降機構１６
とを備えている。
【００１４】略円筒形のチャンバ１１の斜め上方には、
予備室１７が、チャンバ１１と互いに接続した状態で配
設されている。そして、この予備室１７内には、窒素ガ
ス供給ノズル２１とイオナイザ２２とが配設されてい
る。この窒素ガス供給ノズル２１は、チャンバ１１内に
向けて不活性ガスとしての窒素ガスを供給するためのも
のであり、図示しない窒素ガスの供給源と接続されてい
る。また、イオナイザ２２は、一対の放電針に高電圧を
印加して放電させ、そこを通過する気体をイオン化する
ものであり、後述する基板の回転乾燥時において、窒素
ガス等との摩擦により基板Ｗに生じた静電気を除去する
目的で使用される。
予備室１７が、チャンバ１１と互いに接続した状態で配
設されている。そして、この予備室１７内には、窒素ガ
ス供給ノズル２１とイオナイザ２２とが配設されてい
る。この窒素ガス供給ノズル２１は、チャンバ１１内に
向けて不活性ガスとしての窒素ガスを供給するためのも
のであり、図示しない窒素ガスの供給源と接続されてい
る。また、イオナイザ２２は、一対の放電針に高電圧を
印加して放電させ、そこを通過する気体をイオン化する
ものであり、後述する基板の回転乾燥時において、窒素
ガス等との摩擦により基板Ｗに生じた静電気を除去する
目的で使用される。
【００１５】なお、窒素ガス供給ノズル２１とイオナイ
ザ２２とを予備室１７内に配設しているのは次のような
理由による。すなわち、チャンバ１１内に窒素供給ノズ
ル２１やイオナイザ２２等による突起物を設けると、基
板Ｗより飛散する液滴のハネを発生させ液滴が基板Ｗに
再付着することや、突起物の周辺に液滴が溜まり汚染物
質が蓄積されるという問題が生ずる。このため、窒素ガ
ス供給ノズル２１とイオナイザ２２とをチャンバ１１内
に直接配設するかわりに、チャンバ１１と接続する予備
室１７内に配設しているのである。
ザ２２とを予備室１７内に配設しているのは次のような
理由による。すなわち、チャンバ１１内に窒素供給ノズ
ル２１やイオナイザ２２等による突起物を設けると、基
板Ｗより飛散する液滴のハネを発生させ液滴が基板Ｗに
再付着することや、突起物の周辺に液滴が溜まり汚染物
質が蓄積されるという問題が生ずる。このため、窒素ガ
ス供給ノズル２１とイオナイザ２２とをチャンバ１１内
に直接配設するかわりに、チャンバ１１と接続する予備
室１７内に配設しているのである。
【００１６】チャンバ１１の上方には矩形状の開口部１
２が形成されており、この開口部１２の外周部にはパッ
キング２３が配設されている。また、開口部１２と対向
する位置にはカバー１３が配設されている。このため、
図１に示すように、カバー１３が開口部１２と対向した
状態においては、開口部１２はカバー１３とパッキング
２３とにより気密状態で閉鎖される。
２が形成されており、この開口部１２の外周部にはパッ
キング２３が配設されている。また、開口部１２と対向
する位置にはカバー１３が配設されている。このため、
図１に示すように、カバー１３が開口部１２と対向した
状態においては、開口部１２はカバー１３とパッキング
２３とにより気密状態で閉鎖される。
【００１７】チャンバ１１における開口部１２の両側に
は、それぞれ、窒素ガス噴出ノズル２４と窒素ガス吸引
ノズル２５とが配設されている。窒素ガス噴出ノズル２
４は、図２に示すように、窒素ガスを噴出するための格
子状のノズル部を有し、窒素ガスを開口部１２に沿って
層状に噴出する。また、窒素ガス吸引ノズル２５は、窒
素ガス噴出ノズル２４のノズル部と対向して配置された
吸引部を有し、窒素ガス噴出ノズル２４より噴出された
窒素ガスを吸引する。このため、窒素ガス噴出ノズル２
４から窒素ガスを噴出すると共に窒素ガス吸引ノズル２
５により窒素ガスを吸引することにより、開口部１２の
上方において窒素ガスによるカーテン状の流れが発生す
る。
は、それぞれ、窒素ガス噴出ノズル２４と窒素ガス吸引
ノズル２５とが配設されている。窒素ガス噴出ノズル２
４は、図２に示すように、窒素ガスを噴出するための格
子状のノズル部を有し、窒素ガスを開口部１２に沿って
層状に噴出する。また、窒素ガス吸引ノズル２５は、窒
素ガス噴出ノズル２４のノズル部と対向して配置された
吸引部を有し、窒素ガス噴出ノズル２４より噴出された
窒素ガスを吸引する。このため、窒素ガス噴出ノズル２
４から窒素ガスを噴出すると共に窒素ガス吸引ノズル２
５により窒素ガスを吸引することにより、開口部１２の
上方において窒素ガスによるカーテン状の流れが発生す
る。
【００１８】なお、上述したカバー１３は図示しない開
閉機構と接続されており、図２に示すように、窒素ガス
吸引ノズル２５との干渉をさけるため、一旦上昇した後
開放位置まで移動するよう構成されている。
閉機構と接続されており、図２に示すように、窒素ガス
吸引ノズル２５との干渉をさけるため、一旦上昇した後
開放位置まで移動するよう構成されている。
【００１９】チャンバ１１の斜め下方には、窒素ガス供
給ノズル２１からチャンバ１１内に供給された窒素ガス
を排出するための排出口２６が配設されている。この排
出口２６は、排気ダンパ２７を介してクリーンルーム等
に装備された排気ダクトと接続されている。また、同様
に、排気口２６は、真空排気ダンパ２８を介して真空ポ
ンプ２９と接続されている。なお、上記排気ダンパ２７
および真空排気ダンパ２８は、閉鎖時にはその通路を完
全に密閉しうるタイプのものが使用されている。
給ノズル２１からチャンバ１１内に供給された窒素ガス
を排出するための排出口２６が配設されている。この排
出口２６は、排気ダンパ２７を介してクリーンルーム等
に装備された排気ダクトと接続されている。また、同様
に、排気口２６は、真空排気ダンパ２８を介して真空ポ
ンプ２９と接続されている。なお、上記排気ダンパ２７
および真空排気ダンパ２８は、閉鎖時にはその通路を完
全に密閉しうるタイプのものが使用されている。
【００２０】ロータ１４は間隔を隔てて対向配置された
左右一対の回転フランジ３１（図１においては一方のみ
図示）を複数の連結棒３３で連結した構造を有する。こ
のロータ１４には、複数の基板Ｗを支持した基板支持部
１５をロータ１４に固定するための支持部クランプ機構
３４と、基板Ｗを基板支持部１５に固定するための基板
クランプ機構３５とが設けられている。このロータ１４
は、ベルト３６を介してモータ３７と接続されており、
モータ３７の駆動により図１における紙面に垂直な軸を
中心に高速で回転する。
左右一対の回転フランジ３１（図１においては一方のみ
図示）を複数の連結棒３３で連結した構造を有する。こ
のロータ１４には、複数の基板Ｗを支持した基板支持部
１５をロータ１４に固定するための支持部クランプ機構
３４と、基板Ｗを基板支持部１５に固定するための基板
クランプ機構３５とが設けられている。このロータ１４
は、ベルト３６を介してモータ３７と接続されており、
モータ３７の駆動により図１における紙面に垂直な軸を
中心に高速で回転する。
【００２１】基板支持部１５の下方には、基板支持部１
５を昇降するための支持部昇降機構１６が配設されてい
る。この支持部昇降機構１６は、図示しないエアシリン
ダの駆動を受けて上下移動することにより、基板支持部
１５を、そこに支持した複数の基板Ｗを図示しないチャ
ックとの間で受け渡しする受け渡し位置と、図１に示す
位置との間で昇降させるよう構成されている。
５を昇降するための支持部昇降機構１６が配設されてい
る。この支持部昇降機構１６は、図示しないエアシリン
ダの駆動を受けて上下移動することにより、基板支持部
１５を、そこに支持した複数の基板Ｗを図示しないチャ
ックとの間で受け渡しする受け渡し位置と、図１に示す
位置との間で昇降させるよう構成されている。
【００２２】次に、この回転式基板乾燥装置による基板
Ｗの乾燥動作について説明する。図３および図４は基板
の乾燥動作を示すフローチャートである。
Ｗの乾燥動作について説明する。図３および図４は基板
の乾燥動作を示すフローチャートである。
【００２３】初期状態においては、カバー１３と排気ダ
ンパ２７および真空排気ダンパ２８とは閉鎖されてい
る。この状態において、窒素ガス供給ノズル２１からチ
ャンバ１１とカバー１３とにより形成された空間内に窒
素ガスを供給すると共に（ステップＳ１１）、排気ダン
パ２７を開放する（ステップＳ１２）。そして、この状
態で時間Ｔ１が経過するのを待つ（ステップＳ１３）。
これにより、チャンバ１１とカバー１３とにより形成さ
れた空間内が窒素ガスによりパージされる。
ンパ２７および真空排気ダンパ２８とは閉鎖されてい
る。この状態において、窒素ガス供給ノズル２１からチ
ャンバ１１とカバー１３とにより形成された空間内に窒
素ガスを供給すると共に（ステップＳ１１）、排気ダン
パ２７を開放する（ステップＳ１２）。そして、この状
態で時間Ｔ１が経過するのを待つ（ステップＳ１３）。
これにより、チャンバ１１とカバー１３とにより形成さ
れた空間内が窒素ガスによりパージされる。
【００２４】次に、排気ダンパ２７を閉鎖し（ステップ
Ｓ１４）、窒素ガス供給ノズル２１からの窒素ガスの供
給を停止する（ステップＳ１５）。また、窒素ガス噴出
ノズル２４から窒素ガスを噴出させると共に（ステップ
Ｓ１６）、窒素ガス吸引ノズル２５からの吸引を開始す
る（ステップＳ１７）。
Ｓ１４）、窒素ガス供給ノズル２１からの窒素ガスの供
給を停止する（ステップＳ１５）。また、窒素ガス噴出
ノズル２４から窒素ガスを噴出させると共に（ステップ
Ｓ１６）、窒素ガス吸引ノズル２５からの吸引を開始す
る（ステップＳ１７）。
【００２５】この状態において、カバー１３を開放する
（ステップＳ１８）。このとき、チャンバ１１における
排出口２６は閉鎖されており、また、チャンバ１１の開
口部１２の上方には窒素ガス噴出ノズル２４と窒素ガス
吸引ノズル２５の作用により窒素ガスによるカーテン状
の流れが形成されていることから、クリーンルームにお
けるダウンフロー等の影響により開口部１２からチャン
バ１１内に酸素を含んだ外気が進入することを防止する
ことができる。
（ステップＳ１８）。このとき、チャンバ１１における
排出口２６は閉鎖されており、また、チャンバ１１の開
口部１２の上方には窒素ガス噴出ノズル２４と窒素ガス
吸引ノズル２５の作用により窒素ガスによるカーテン状
の流れが形成されていることから、クリーンルームにお
けるダウンフロー等の影響により開口部１２からチャン
バ１１内に酸素を含んだ外気が進入することを防止する
ことができる。
【００２６】続いて、基板支持部１５を昇降させること
により開口部１２を介して複数の基板Ｗをチャンバ１１
内に搬入する（ステップＳ１９）。このとき、チャンバ
１１内に進入する基板Ｗは、窒素ガス噴出ノズル２４と
窒素ガス吸入ノズルとにより形成される窒素ガスの流れ
の中を通過する。このため、基板Ｗ間に存在する空気は
窒素ガス噴出ノズル２４から噴出される窒素ガスにより
吹き飛ばされることとなり、チャンバ１１内への外気の
持ち込みが防止される。
により開口部１２を介して複数の基板Ｗをチャンバ１１
内に搬入する（ステップＳ１９）。このとき、チャンバ
１１内に進入する基板Ｗは、窒素ガス噴出ノズル２４と
窒素ガス吸入ノズルとにより形成される窒素ガスの流れ
の中を通過する。このため、基板Ｗ間に存在する空気は
窒素ガス噴出ノズル２４から噴出される窒素ガスにより
吹き飛ばされることとなり、チャンバ１１内への外気の
持ち込みが防止される。
【００２７】チャンバ１１内への基板Ｗの搬入が完了す
れば、カバー１３を閉鎖し（ステップＳ２０）、窒素ガ
ス噴出ノズル２４からの窒素ガスの噴出を停止すると共
に（ステップＳ２１）窒素ガス吸引ノズル２５からの窒
素ガスの吸引を停止する（ステップＳ２２）。
れば、カバー１３を閉鎖し（ステップＳ２０）、窒素ガ
ス噴出ノズル２４からの窒素ガスの噴出を停止すると共
に（ステップＳ２１）窒素ガス吸引ノズル２５からの窒
素ガスの吸引を停止する（ステップＳ２２）。
【００２８】そして、再度、窒素ガス供給ノズル２１か
らチャンバ１１とカバー１３とにより形成された空間内
に窒素ガスを供給すると共に（ステップＳ２３）、排気
ダンパ２７を開放して窒素ガスを排出口２６から排出す
ることによりチャンバ１１内に窒素ガスの流れを生じさ
せる（ステップＳ２４）。また、イオナイザ２２を作動
させてそこを通過する窒素ガスをイオン化する（ステッ
プＳ２５）。
らチャンバ１１とカバー１３とにより形成された空間内
に窒素ガスを供給すると共に（ステップＳ２３）、排気
ダンパ２７を開放して窒素ガスを排出口２６から排出す
ることによりチャンバ１１内に窒素ガスの流れを生じさ
せる（ステップＳ２４）。また、イオナイザ２２を作動
させてそこを通過する窒素ガスをイオン化する（ステッ
プＳ２５）。
【００２９】この状態において、ロータ１４を回転させ
ることにより基板Ｗをその主面の中心部付近を回転中心
として回転させ（ステップＳ２６）、基板Ｗに付着した
液滴を回転による遠心力で除去すると共に、窒素ガス供
給ノズル２１より導入される窒素ガスにより基板Ｗ表面
の液滴の乾燥を促進させる。基板Ｗより除去された液滴
は、窒素ガスの流れに乗って排出口２６から排出され
る。
ることにより基板Ｗをその主面の中心部付近を回転中心
として回転させ（ステップＳ２６）、基板Ｗに付着した
液滴を回転による遠心力で除去すると共に、窒素ガス供
給ノズル２１より導入される窒素ガスにより基板Ｗ表面
の液滴の乾燥を促進させる。基板Ｗより除去された液滴
は、窒素ガスの流れに乗って排出口２６から排出され
る。
【００３０】この基板Ｗの乾燥時に、基板Ｗが酸素と接
触した場合には、基板Ｗを構成するシリコンと液滴との
界面において酸化が発生し、これがウォータマークとな
って、後工程の成膜処理において成膜不良を引き起こ
す。しかしながらこの実施の形態においては、チャンバ
１１とカバー１３とにより形成された空間内は窒素ガス
によりパージされているため、基板Ｗの表面で酸化が生
ずることはなく、基板Ｗにウォータマークが生じること
はない。
触した場合には、基板Ｗを構成するシリコンと液滴との
界面において酸化が発生し、これがウォータマークとな
って、後工程の成膜処理において成膜不良を引き起こ
す。しかしながらこの実施の形態においては、チャンバ
１１とカバー１３とにより形成された空間内は窒素ガス
によりパージされているため、基板Ｗの表面で酸化が生
ずることはなく、基板Ｗにウォータマークが生じること
はない。
【００３１】また、従来に回転式基板乾燥装置のように
外気をチャンバ１１とカバー１３とにより形成された空
間内に導入する構成ではないので、チャンバ１１とカバ
ー１３とにより形成された空間内に一定の湿度および温
度の気体を導入することができ、基板Ｗの乾燥状態を一
定に維持することが可能となる。
外気をチャンバ１１とカバー１３とにより形成された空
間内に導入する構成ではないので、チャンバ１１とカバ
ー１３とにより形成された空間内に一定の湿度および温
度の気体を導入することができ、基板Ｗの乾燥状態を一
定に維持することが可能となる。
【００３２】この状態で時間Ｔ２が経過すれば（ステッ
プＳ２７）、排気ダンパ２７を閉鎖すると共に（ステッ
プＳ２８）、真空排気ダンパ２８を開放し（ステップＳ
２９）真空ポンプ２９を作動させる（ステップＳ３
０）。これにより、チャンバ１１とカバー１３とにより
形成された空間内が減圧され、基板Ｗの表面に残存する
微細な液滴の蒸発が促進される。
プＳ２７）、排気ダンパ２７を閉鎖すると共に（ステッ
プＳ２８）、真空排気ダンパ２８を開放し（ステップＳ
２９）真空ポンプ２９を作動させる（ステップＳ３
０）。これにより、チャンバ１１とカバー１３とにより
形成された空間内が減圧され、基板Ｗの表面に残存する
微細な液滴の蒸発が促進される。
【００３３】そして、さらに時間Ｔ３が経過して基板Ｗ
が完全に乾燥すれば（ステップＳ３１）、ロータ１４の
回転を停止する（ステップＳ３２）。そして、イオナイ
ザ２２と真空ポンプ２９とを停止させると共に（ステッ
プＳ３３、Ｓ３４）、真空排気ダンパ２８を閉鎖する
（ステップＳ３５）。この状態においても、窒素ガス供
給ノズル２１からの窒素ガスの供給は継続している。
が完全に乾燥すれば（ステップＳ３１）、ロータ１４の
回転を停止する（ステップＳ３２）。そして、イオナイ
ザ２２と真空ポンプ２９とを停止させると共に（ステッ
プＳ３３、Ｓ３４）、真空排気ダンパ２８を閉鎖する
（ステップＳ３５）。この状態においても、窒素ガス供
給ノズル２１からの窒素ガスの供給は継続している。
【００３４】所定の時間が経過し、チャンバ１１とカバ
ー１３とにより形成された空間内の気圧が大気圧まで上
昇すれば（ステップＳ３６）、カバー１３を開放し（ス
テップＳ３７）、支持部昇降機構１６で基板支持部１５
を上昇させることにより、基板Ｗをチャンバ１１内より
搬出する（ステップＳ３８）。なお、後工程との関係か
ら基板Ｗをすぐに搬出しない場合等においては、チャン
バ１１とカバー１３とにより形成された空間内の気圧が
過度に高くなることを防止するため、排気ダンパ２７を
開放する。
ー１３とにより形成された空間内の気圧が大気圧まで上
昇すれば（ステップＳ３６）、カバー１３を開放し（ス
テップＳ３７）、支持部昇降機構１６で基板支持部１５
を上昇させることにより、基板Ｗをチャンバ１１内より
搬出する（ステップＳ３８）。なお、後工程との関係か
ら基板Ｗをすぐに搬出しない場合等においては、チャン
バ１１とカバー１３とにより形成された空間内の気圧が
過度に高くなることを防止するため、排気ダンパ２７を
開放する。
【００３５】基板Ｗの搬出が完了すれば、窒素ガス供給
ノズル２１からの窒素ガスの供給を停止すると共に（ス
テップＳ３９）、カバー１３を閉鎖して（ステップＳ４
０）処理を終了する。
ノズル２１からの窒素ガスの供給を停止すると共に（ス
テップＳ３９）、カバー１３を閉鎖して（ステップＳ４
０）処理を終了する。
【００３６】次に、この発明の第２の実施の形態につい
て説明する。図５はこの発明の他の実施形態に係る回転
式基板乾燥装置の側断面図である。なお、図１に示す実
施形態と同一の部材については同一の符号を付して詳細
な説明を省略する。
て説明する。図５はこの発明の他の実施形態に係る回転
式基板乾燥装置の側断面図である。なお、図１に示す実
施形態と同一の部材については同一の符号を付して詳細
な説明を省略する。
【００３７】図５に示す実施の形態においては、予備室
１７内に、チャンバ１１に向けて水溶性アルコールとし
てのＩＰＡ（イソプロピルアルコール）の蒸気を供給す
るＩＰＡ供給ノズル４１を付設した点と、真空ポンプ２
９と接続される真空排気ダンパ２８を省略した点が図１
に示す実施の形態とは異なる。なお、このＩＰＡ供給ノ
ズル４１は、図示しないＩＰＡタンク内において発生す
るＩＰＡの蒸気をキャリアガスとしての窒素ガスと共に
チャンバ１１とカバー１３とにより形成された空間内に
供給するものである。
１７内に、チャンバ１１に向けて水溶性アルコールとし
てのＩＰＡ（イソプロピルアルコール）の蒸気を供給す
るＩＰＡ供給ノズル４１を付設した点と、真空ポンプ２
９と接続される真空排気ダンパ２８を省略した点が図１
に示す実施の形態とは異なる。なお、このＩＰＡ供給ノ
ズル４１は、図示しないＩＰＡタンク内において発生す
るＩＰＡの蒸気をキャリアガスとしての窒素ガスと共に
チャンバ１１とカバー１３とにより形成された空間内に
供給するものである。
【００３８】次に、第２実施形態に係る回転式基板乾燥
装置による基板の乾燥動作について説明する。図６およ
び図７は基板Ｗの乾燥動作を示すフローチャートであ
る。
装置による基板の乾燥動作について説明する。図６およ
び図７は基板Ｗの乾燥動作を示すフローチャートであ
る。
【００３９】初期状態においては、カバー１３と排気ダ
ンパ２７および真空排気ダンパ２８とは閉鎖されてい
る。この状態において、窒素ガス供給ノズル２１からチ
ャンバ１１とカバー１３とにより形成された空間内に窒
素ガスを供給すると共に（ステップＳ４１）、排気ダン
パ２７を開放する（ステップＳ４２）。そして、この状
態で時間Ｔ１が経過するのを待つ（ステップＳ４３）。
これにより、チャンバ１１とカバー１３とにより形成さ
れた空間内が窒素ガスによりパージされる。
ンパ２７および真空排気ダンパ２８とは閉鎖されてい
る。この状態において、窒素ガス供給ノズル２１からチ
ャンバ１１とカバー１３とにより形成された空間内に窒
素ガスを供給すると共に（ステップＳ４１）、排気ダン
パ２７を開放する（ステップＳ４２）。そして、この状
態で時間Ｔ１が経過するのを待つ（ステップＳ４３）。
これにより、チャンバ１１とカバー１３とにより形成さ
れた空間内が窒素ガスによりパージされる。
【００４０】次に、排気ダンパ２７を閉鎖し（ステップ
Ｓ４４）、窒素ガス供給ノズル２１からの窒素ガスの供
給を停止する（ステップＳ４５）。また、窒素ガス噴出
ノズル２４から窒素ガスを噴出させると共に（ステップ
Ｓ４６）、窒素ガス吸引ノズル２５からの吸引を開始す
る（ステップＳ４７）。
Ｓ４４）、窒素ガス供給ノズル２１からの窒素ガスの供
給を停止する（ステップＳ４５）。また、窒素ガス噴出
ノズル２４から窒素ガスを噴出させると共に（ステップ
Ｓ４６）、窒素ガス吸引ノズル２５からの吸引を開始す
る（ステップＳ４７）。
【００４１】この状態において、カバー１３を開放する
（ステップＳ４８）。このとき、チャンバ１１における
排出口２６は閉鎖されており、また、チャンバ１１の開
口部１２の上方には窒素ガス噴出ノズル２４と窒素ガス
吸引ノズル２５の作用により窒素ガスによるカーテン状
の流れが形成されていることから、クリーンルームにお
けるダウンフロー等の影響により開口部１２からチャン
バ１１内に酸素を含んだ外気が進入することを防止する
ことができる。
（ステップＳ４８）。このとき、チャンバ１１における
排出口２６は閉鎖されており、また、チャンバ１１の開
口部１２の上方には窒素ガス噴出ノズル２４と窒素ガス
吸引ノズル２５の作用により窒素ガスによるカーテン状
の流れが形成されていることから、クリーンルームにお
けるダウンフロー等の影響により開口部１２からチャン
バ１１内に酸素を含んだ外気が進入することを防止する
ことができる。
【００４２】続いて、基板支持部１５を昇降させること
により開口部１２を介して複数の基板Ｗをチャンバ１１
内に搬入する（ステップＳ４９）。このとき、チャンバ
１１内に進入する基板Ｗは、窒素ガス噴出ノズル２４と
窒素ガス吸入ノズルとにより形成される窒素ガスの流れ
の中を通過する。このため、基板Ｗ間に存在する空気は
窒素ガス噴出ノズル２４から噴出される窒素ガスにより
吹き飛ばされることとなり、チャンバ１１内への外気の
持ち込みが防止される。
により開口部１２を介して複数の基板Ｗをチャンバ１１
内に搬入する（ステップＳ４９）。このとき、チャンバ
１１内に進入する基板Ｗは、窒素ガス噴出ノズル２４と
窒素ガス吸入ノズルとにより形成される窒素ガスの流れ
の中を通過する。このため、基板Ｗ間に存在する空気は
窒素ガス噴出ノズル２４から噴出される窒素ガスにより
吹き飛ばされることとなり、チャンバ１１内への外気の
持ち込みが防止される。
【００４３】チャンバ１１内への基板Ｗの搬入が完了す
れば、カバー１３を閉鎖し（ステップＳ５０）、窒素ガ
ス噴出ノズル２４からの窒素ガスの噴出を停止すると共
に（ステップＳ５１）窒素ガス吸引ノズル２５からの窒
素ガスの吸引を停止する（ステップＳ５２）。
れば、カバー１３を閉鎖し（ステップＳ５０）、窒素ガ
ス噴出ノズル２４からの窒素ガスの噴出を停止すると共
に（ステップＳ５１）窒素ガス吸引ノズル２５からの窒
素ガスの吸引を停止する（ステップＳ５２）。
【００４４】そして、再度、窒素ガス供給ノズル２１か
らチャンバ１１とカバー１３とにより形成された空間内
に窒素ガスを供給すると共に（ステップＳ５３）、ＩＰ
Ａ供給ノズル４１からＩＰＡの蒸気を供給する（ステッ
プＳ５４）。また、排気ダンパ２７を開放する（ステッ
プＳ５５）。これにより、基板Ｗの表面に付着した液滴
はＩＰＡに置換され、基板Ｗの表面から除去される。
らチャンバ１１とカバー１３とにより形成された空間内
に窒素ガスを供給すると共に（ステップＳ５３）、ＩＰ
Ａ供給ノズル４１からＩＰＡの蒸気を供給する（ステッ
プＳ５４）。また、排気ダンパ２７を開放する（ステッ
プＳ５５）。これにより、基板Ｗの表面に付着した液滴
はＩＰＡに置換され、基板Ｗの表面から除去される。
【００４５】時間Ｔ２が経過すれば、ＩＰＡ供給ノズル
４１からのＩＰＡ蒸気の供給を停止する（ステップＳ５
７）。そして、イオナイザ２２を作動させてそこを通過
する窒素ガスをイオン化する（ステップＳ５８）。
４１からのＩＰＡ蒸気の供給を停止する（ステップＳ５
７）。そして、イオナイザ２２を作動させてそこを通過
する窒素ガスをイオン化する（ステップＳ５８）。
【００４６】この状態において、ロータ１４を回転させ
ることにより基板Ｗをその主面の中心部付近を回転中心
として回転させ（ステップＳ５９）、基板Ｗ表面に残存
するＩＰＡを回転による遠心力で除去すると共に、窒素
ガス供給ノズル２１より導入される窒素ガスによりＩＰ
Ａの乾燥を促進させる。基板Ｗより除去されたＩＰＡ
は、窒素ガスの流れに乗って排出口２６から排出され
る。
ることにより基板Ｗをその主面の中心部付近を回転中心
として回転させ（ステップＳ５９）、基板Ｗ表面に残存
するＩＰＡを回転による遠心力で除去すると共に、窒素
ガス供給ノズル２１より導入される窒素ガスによりＩＰ
Ａの乾燥を促進させる。基板Ｗより除去されたＩＰＡ
は、窒素ガスの流れに乗って排出口２６から排出され
る。
【００４７】このとき、第１実施形態の場合と同様、チ
ャンバ１１とカバー１３とにより形成された空間内は窒
素ガスによりパージされているため、基板Ｗの表面で酸
化が生ずることはなく、基板Ｗにウォータマークが生じ
ることはない。また、従来に回転式基板乾燥装置のよう
に外気をチャンバ１１とカバー１３とにより形成された
空間内に導入する構成ではないので、チャンバ１１とカ
バー１３とにより形成された空間内に一定の湿度および
温度の気体を導入することができ、基板Ｗの乾燥状態を
一定に維持することが可能となる。さらに、基板Ｗの表
面の液滴は蒸発し易いＩＰＡに置換されているため、そ
の乾燥は迅速になされる。
ャンバ１１とカバー１３とにより形成された空間内は窒
素ガスによりパージされているため、基板Ｗの表面で酸
化が生ずることはなく、基板Ｗにウォータマークが生じ
ることはない。また、従来に回転式基板乾燥装置のよう
に外気をチャンバ１１とカバー１３とにより形成された
空間内に導入する構成ではないので、チャンバ１１とカ
バー１３とにより形成された空間内に一定の湿度および
温度の気体を導入することができ、基板Ｗの乾燥状態を
一定に維持することが可能となる。さらに、基板Ｗの表
面の液滴は蒸発し易いＩＰＡに置換されているため、そ
の乾燥は迅速になされる。
【００４８】この状態で時間Ｔ３が経過して（ステップ
Ｓ６０）、基板Ｗが完全に乾燥すれば、ロータ１４の回
転を停止する（ステップＳ６１）。そして、イオナイザ
２２を停止させると共に（ステップＳ６２）、排気ダン
パ２７を閉鎖する（ステップＳ６３）。この状態におい
ても、窒素ガス供給ノズル２１からの窒素ガスの供給は
継続している。
Ｓ６０）、基板Ｗが完全に乾燥すれば、ロータ１４の回
転を停止する（ステップＳ６１）。そして、イオナイザ
２２を停止させると共に（ステップＳ６２）、排気ダン
パ２７を閉鎖する（ステップＳ６３）。この状態におい
ても、窒素ガス供給ノズル２１からの窒素ガスの供給は
継続している。
【００４９】そして、カバー１３を開放し（ステップＳ
６４）、支持部昇降機構１６で基板支持部１５を上昇さ
せることにより、基板Ｗをチャンバ１１内より搬出する
（ステップＳ６５）。なお、後工程との関係から基板Ｗ
をすぐに搬出しない場合等においては、チャンバ１１と
カバー１３とにより形成された空間内の気圧が過度に高
くなることを防止するため、排気ダンパ２７を開放す
る。
６４）、支持部昇降機構１６で基板支持部１５を上昇さ
せることにより、基板Ｗをチャンバ１１内より搬出する
（ステップＳ６５）。なお、後工程との関係から基板Ｗ
をすぐに搬出しない場合等においては、チャンバ１１と
カバー１３とにより形成された空間内の気圧が過度に高
くなることを防止するため、排気ダンパ２７を開放す
る。
【００５０】そして、窒素ガス供給ノズル２１からの窒
素ガスの供給を停止すると共に（ステップＳ６６）、カ
バー１３を閉鎖して（ステップＳ６７）処理を終了す
る。
素ガスの供給を停止すると共に（ステップＳ６６）、カ
バー１３を閉鎖して（ステップＳ６７）処理を終了す
る。
【００５１】なお、チャンバ１１とカバー１３とにより
形成された空間内は窒素ガスによりパージされているた
め、該空間には極めて少ない酸素しか存在しない。ま
た、前記空間に供給する窒素ガスはイオナイザ２２によ
ってイオン化されており窒素ガスと基板Ｗとの摩擦に起
因する静電気が除去されるので、静電気による放電が防
止されている。従って、この第２実施例のように引火性
のＩＰＡを用いても、ＩＰＡに着火することを防止する
ことができる。
形成された空間内は窒素ガスによりパージされているた
め、該空間には極めて少ない酸素しか存在しない。ま
た、前記空間に供給する窒素ガスはイオナイザ２２によ
ってイオン化されており窒素ガスと基板Ｗとの摩擦に起
因する静電気が除去されるので、静電気による放電が防
止されている。従って、この第２実施例のように引火性
のＩＰＡを用いても、ＩＰＡに着火することを防止する
ことができる。
【００５２】次に、この発明の第３の実施の形態につい
て説明する。この第３実施形態に係る回転式基板乾燥装
置は、図５に示す回転式基板乾燥装置と同様の構成を有
する。但し、ＩＰＡの蒸気を供給するＩＰＡ供給ノズル
４１を、加熱された水蒸気を供給する水蒸気供給ノズル
４１に変更した点のみが異なる。この水蒸気供給ノズル
４１は、図示しない加熱水蒸気発生タンク内において発
生する加熱水蒸気をキャリアガスとしての窒素ガスと共
にチャンバ１１とカバー１３とにより形成された空間内
に供給するものである。
て説明する。この第３実施形態に係る回転式基板乾燥装
置は、図５に示す回転式基板乾燥装置と同様の構成を有
する。但し、ＩＰＡの蒸気を供給するＩＰＡ供給ノズル
４１を、加熱された水蒸気を供給する水蒸気供給ノズル
４１に変更した点のみが異なる。この水蒸気供給ノズル
４１は、図示しない加熱水蒸気発生タンク内において発
生する加熱水蒸気をキャリアガスとしての窒素ガスと共
にチャンバ１１とカバー１３とにより形成された空間内
に供給するものである。
【００５３】図８および図９は第３実施形態に係る回転
式基板乾燥装置の基板Ｗの乾燥動作を示すフローチャー
トである。
式基板乾燥装置の基板Ｗの乾燥動作を示すフローチャー
トである。
【００５４】この第３実施形態に係る回転式基板乾燥装
置の乾燥動作においては、第２実施形態に係る回転式基
板乾燥装置の乾燥動作におけるＩＰＡ蒸気の供給工程に
換えて水蒸気の供給工程を採用する（ステップＳ８
４）。この水蒸気供給工程においては、基板Ｗの表面に
付着した液滴は加熱された水蒸気に置換される。これに
より、回転乾燥工程のおける基板Ｗの乾燥が促進され
る。
置の乾燥動作においては、第２実施形態に係る回転式基
板乾燥装置の乾燥動作におけるＩＰＡ蒸気の供給工程に
換えて水蒸気の供給工程を採用する（ステップＳ８
４）。この水蒸気供給工程においては、基板Ｗの表面に
付着した液滴は加熱された水蒸気に置換される。これに
より、回転乾燥工程のおける基板Ｗの乾燥が促進され
る。
【００５５】このとき、第１実施形態の場合と同様、チ
ャンバ１１とカバー１３とにより形成された空間内は窒
素ガスによりパージされているため、基板Ｗの表面で酸
化が生ずることはなく、基板Ｗにウォータマークが生じ
ることはない。
ャンバ１１とカバー１３とにより形成された空間内は窒
素ガスによりパージされているため、基板Ｗの表面で酸
化が生ずることはなく、基板Ｗにウォータマークが生じ
ることはない。
【００５６】以上の実施形態においては、基板Ｗの乾燥
を促進するため、チャンバ１１とカバー１３とにより形
成された空間内を減圧する工程や、チャンバ１１とカバ
ー１３とにより形成された空間内にＩＰＡもしくは加熱
された水蒸気を供給する工程を採用しているが、これら
の工程を組み合わせることにより基板Ｗをより迅速に乾
燥させるようにしてもよい。
を促進するため、チャンバ１１とカバー１３とにより形
成された空間内を減圧する工程や、チャンバ１１とカバ
ー１３とにより形成された空間内にＩＰＡもしくは加熱
された水蒸気を供給する工程を採用しているが、これら
の工程を組み合わせることにより基板Ｗをより迅速に乾
燥させるようにしてもよい。
【００５７】また、上述した実施の形態においては、基
板Ｗをその主面に垂直な軸を回転中心として回転させる
ことにより乾燥する横軸式の基板乾燥装置にこの発明を
適用した場合について説明したが、縦軸式等の他の回転
式基板乾燥装置にこの発明を適用することもできる。
板Ｗをその主面に垂直な軸を回転中心として回転させる
ことにより乾燥する横軸式の基板乾燥装置にこの発明を
適用した場合について説明したが、縦軸式等の他の回転
式基板乾燥装置にこの発明を適用することもできる。
【００５８】また、上述した実施の形態においては、複
数の基板Ｗを直接基板支持部１５で支持して回転する構
成をとっているが、複数の基板Ｗをカセットに収納した
状態で回転させる構成としてもよく、さらには、単一の
基板Ｗをスピンチャック等により保持して回転させる回
転式基板乾燥装置にこの発明を適用してもよい。
数の基板Ｗを直接基板支持部１５で支持して回転する構
成をとっているが、複数の基板Ｗをカセットに収納した
状態で回転させる構成としてもよく、さらには、単一の
基板Ｗをスピンチャック等により保持して回転させる回
転式基板乾燥装置にこの発明を適用してもよい。
【００５９】さらに、上述した実施の形態においては、
基板Ｗとして略円形の半導体ウエハを使用した場合につ
いて説明したが、液晶表示パネル用ガラス基板や半導体
製造装置用マスク基板等の他の基板を乾燥する回転式基
板乾燥装置にこの発明を適用することも可能である。
基板Ｗとして略円形の半導体ウエハを使用した場合につ
いて説明したが、液晶表示パネル用ガラス基板や半導体
製造装置用マスク基板等の他の基板を乾燥する回転式基
板乾燥装置にこの発明を適用することも可能である。
【００６０】
【発明の効果】請求項１および請求項２に記載の発明に
よれば、チャンバとカバーとにより形成された空間内を
不活性ガスによりパージする構成を有することから、基
板と液滴との界面における基板の酸化を防止することが
できる。このため、成膜不良に起因する製品の歩留まり
の低下を防止することが可能となる。
よれば、チャンバとカバーとにより形成された空間内を
不活性ガスによりパージする構成を有することから、基
板と液滴との界面における基板の酸化を防止することが
できる。このため、成膜不良に起因する製品の歩留まり
の低下を防止することが可能となる。
【００６１】また、開口部からチャンバ内に進入する基
板に向けて不活性ガスを吹き付ける不活性ガス噴出手段
を備えることから、基板とともに外気がチャンバ内に進
入することを防止することができる。
板に向けて不活性ガスを吹き付ける不活性ガス噴出手段
を備えることから、基板とともに外気がチャンバ内に進
入することを防止することができる。
【００６２】請求項３および請求項４に記載の発明によ
れば、チャンバとカバーとにより形成された空間内を減
圧するための減圧手段を備えることから、チャンバ内を
減圧することにより基板の乾燥を促進することが可能と
なる。
れば、チャンバとカバーとにより形成された空間内を減
圧するための減圧手段を備えることから、チャンバ内を
減圧することにより基板の乾燥を促進することが可能と
なる。
【００６３】請求項５に記載の発明によれば、チャンバ
とカバーとにより形成された空間内に水溶性アルコール
の蒸気を供給する蒸気供給手段を備えることから、基板
表面の液滴を水溶性アルコールに置換することにより、
基板の乾燥を促進することが可能となる。
とカバーとにより形成された空間内に水溶性アルコール
の蒸気を供給する蒸気供給手段を備えることから、基板
表面の液滴を水溶性アルコールに置換することにより、
基板の乾燥を促進することが可能となる。
【００６４】請求項６に記載の発明によれば、チャンバ
とカバーとにより形成された空間内に加熱された水蒸気
を供給する水蒸気供給手段を備えることから、基板表面
の液滴を加熱された水蒸気に置換することにより、基板
の乾燥を促進することが可能となる。
とカバーとにより形成された空間内に加熱された水蒸気
を供給する水蒸気供給手段を備えることから、基板表面
の液滴を加熱された水蒸気に置換することにより、基板
の乾燥を促進することが可能となる。
【図１】この発明の第１実施形態に係る回転式基板乾燥
装置の側断面図である。
装置の側断面図である。
【図２】この発明の第１実施形態に係る回転式基板乾燥
装置の斜視図である。
装置の斜視図である。
【図３】基板の乾燥動作を示すフローチャートである。
【図４】基板の乾燥動作を示すフローチャートである。
【図５】この発明の他の実施形態に係る回転式基板乾燥
装置の側断面図である。
装置の側断面図である。
【図６】基板の乾燥動作を示すフローチャートである。
【図７】基板の乾燥動作を示すフローチャートである。
【図８】基板の乾燥動作を示すフローチャートである。
【図９】基板の乾燥動作を示すフローチャートである。
１１ チャンバ
１２ 開口部
１３ カバー
１４ ロータ
１５ 基板支持部
１７ 予備室
２１ 窒素ガス供給ノズル
２３ パッキング
２４ 窒素ガス噴出ノズル
２５ 窒素ガス吸引ノズル
２６ 排出口
２７ 排気ダンパ
２８ 真空排気ダンパ
２９ 真空ポンプ
４１ ＩＰＡ供給ノズル（水蒸気供給ノズル）
Ｗ 基板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平５−243205（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−299407（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−176513（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−24626（ＪＰ，Ａ)
特開 昭64−20625（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/304
F26B 5/08
Claims (6)
- 【請求項１】 基板を回転させることにより基板に付着
した液滴を除去して乾燥させる回転式基板乾燥装置にお
いて、 基板を通過させるための開口部を有するチャンバと、 前記開口部を気密状態で閉鎖するためのカバーと、 前記チャンバとカバーにより形成された空間内に、不活
性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、 前記不活性ガス供給手段により供給された不活性ガスを
前記チャンバとカバーにより形成された空間内から排出
するための排出口と、 前記開口部からチャンバ内に進入する基板に向けて不活
性ガスを吹き付ける不活性ガス噴出手段と、 を備えることを特徴とする回転式基板乾燥装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の回転式基板乾燥装置に
おいて、 前記チャンバの斜め上方に前記チャンバと接続した状態
で配設されている予備室をさらに備え、 前記予備室内に不活性ガス供給手段が配設されている回
転式基板乾燥装置。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の回転式
基板乾燥装置において、 前記チャンバとカバーとにより形成される空間内を減圧
するするための減圧手段をさらに備える回転式基板乾燥
装置。 - 【請求項４】 請求項３に記載の回転式基板乾燥装置に
おいて、 前記排出口は、不活性ガスを前記チャンバとカバーによ
り形成された空間内から排出させる排気ダンパと、前記
減圧手段とに接続されている回転式基板乾燥装置。 - 【請求項５】 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載
の回転式基板乾燥装置において、 前記チャンバーとカバーとにより形成された空間内に水
溶性アルコールの蒸気を供給する蒸気供給手段をさらに
備える回転式基板乾燥装置。 - 【請求項６】 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載
の回転式基板乾燥装置において、 前記チャンバーとカバーとにより形成された空間内に加
熱された水蒸気を供給する水蒸気供給手段をさらに備え
る回転式基板乾燥装置。
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