JPH0861846A - 半導体ウエハの乾燥方法及びその装置 - Google Patents
半導体ウエハの乾燥方法及びその装置Info
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- JPH0861846A JPH0861846A JP19676894A JP19676894A JPH0861846A JP H0861846 A JPH0861846 A JP H0861846A JP 19676894 A JP19676894 A JP 19676894A JP 19676894 A JP19676894 A JP 19676894A JP H0861846 A JPH0861846 A JP H0861846A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 完全に、しかも短時間でウエハを乾燥させ、
ウオータマークによるトラブルを無くし、製品の歩留り
向上を計る。 【構成】 この半導体ウエハの乾燥方法は、窒素ガスＮ
2 でパージした乾燥チャンバ４内に水洗後のウエハＳを
収容し、この状態のウエハＳの表面に液体イソプロピル
アルコール（ＩＰＡ）をかけ、ウエハＳの表面上の水分
とＩＰＡとを混合させて共沸混合物とし、その後、前記
乾燥チャンバ４内に高温窒素ガスＮ2 を供給して、前記
共沸混合物を揮発させる方法を採っている。
ウオータマークによるトラブルを無くし、製品の歩留り
向上を計る。 【構成】 この半導体ウエハの乾燥方法は、窒素ガスＮ
2 でパージした乾燥チャンバ４内に水洗後のウエハＳを
収容し、この状態のウエハＳの表面に液体イソプロピル
アルコール（ＩＰＡ）をかけ、ウエハＳの表面上の水分
とＩＰＡとを混合させて共沸混合物とし、その後、前記
乾燥チャンバ４内に高温窒素ガスＮ2 を供給して、前記
共沸混合物を揮発させる方法を採っている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、純水による洗浄後の
半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」と略記する）の表
面に残留している水分をイソプロピルアルコール（以
下、「ＩＰＡ」と記す）により乾燥する乾燥方法及びそ
の装置に関するものである。
半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」と略記する）の表
面に残留している水分をイソプロピルアルコール（以
下、「ＩＰＡ」と記す）により乾燥する乾燥方法及びそ
の装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】純水により洗浄した後のウエハの表面に
は水分が残留しており、この水分を乾燥させる方法とし
て、ウエハを高速回転させてその水分を振り飛ばそうと
するスピン乾燥方法、ＩＰＡ蒸気を利用したＩＰＡベー
パ乾燥方法などが主として用いられている。
は水分が残留しており、この水分を乾燥させる方法とし
て、ウエハを高速回転させてその水分を振り飛ばそうと
するスピン乾燥方法、ＩＰＡ蒸気を利用したＩＰＡベー
パ乾燥方法などが主として用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】集積度が増大するにし
たがって、ＩＣパターンなどが微細化し、ウエハの表面
に形成された凹凸も細かく多くなる。そのため、その微
細な凹凸に水分が残留し易く、また、その残留した水分
はスピン乾燥方法を用いても完全に飛ばしきれないた
め、その飛ばしきれない水分がウオータマークとして残
ってしまう。ＩＣパターンなどが微細化するにしたがっ
て、このウオータマークはこれまで以上に歩留りに影響
する。
たがって、ＩＣパターンなどが微細化し、ウエハの表面
に形成された凹凸も細かく多くなる。そのため、その微
細な凹凸に水分が残留し易く、また、その残留した水分
はスピン乾燥方法を用いても完全に飛ばしきれないた
め、その飛ばしきれない水分がウオータマークとして残
ってしまう。ＩＣパターンなどが微細化するにしたがっ
て、このウオータマークはこれまで以上に歩留りに影響
する。
【０００４】また、ＩＰＡベーパ乾燥方法は、例えば、
８６°Ｃ程度の高温のＩＰＡベーパが常温のウエハによ
って冷却されて液体に変わり、ウエハ表面に残留してい
る水分と溶け合い、揮発させることで乾燥する方法であ
るが、ウエハ温度がＩＰＡベーパ温度と同一温度になる
までに十分にＩＰＡベーパを供給しなければならず、大
量のＩＰＡを必要とする難点がある。この発明は、これ
らの諸問題点を解決することを課題とするものである。
８６°Ｃ程度の高温のＩＰＡベーパが常温のウエハによ
って冷却されて液体に変わり、ウエハ表面に残留してい
る水分と溶け合い、揮発させることで乾燥する方法であ
るが、ウエハ温度がＩＰＡベーパ温度と同一温度になる
までに十分にＩＰＡベーパを供給しなければならず、大
量のＩＰＡを必要とする難点がある。この発明は、これ
らの諸問題点を解決することを課題とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】それ故、この発明のウエ
ハの乾燥方法では、Ｎ2 でパージしたチャンバ内に水洗
後のウエハを収容し、この状態のウエハの表面にＩＰＡ
をかけ、そのウエハの表面上の水滴とＩＰＡとを混合さ
せて共沸混合物とし、その後、前記チャンバ内に高温の
Ｎ2 を供給して、前記共沸混合物を揮発させながら排気
する方法を採って、前記課題を解決した。
ハの乾燥方法では、Ｎ2 でパージしたチャンバ内に水洗
後のウエハを収容し、この状態のウエハの表面にＩＰＡ
をかけ、そのウエハの表面上の水滴とＩＰＡとを混合さ
せて共沸混合物とし、その後、前記チャンバ内に高温の
Ｎ2 を供給して、前記共沸混合物を揮発させながら排気
する方法を採って、前記課題を解決した。
【０００６】また、この乾燥方法を実現する乾燥装置
は、半導体ウエハをセットできる乾燥チャンバと、この
乾燥チャンバの一つの入口に接続された窒素ガス供給系
と、この乾燥チャンバの他の一つの入口に接続された高
温窒素ガス供給系と、前記乾燥チャンバの上方に在る入
口に接続されたノズルを含む液体イソプロピルアルコー
ル供給系とから構成することにより実現している。
は、半導体ウエハをセットできる乾燥チャンバと、この
乾燥チャンバの一つの入口に接続された窒素ガス供給系
と、この乾燥チャンバの他の一つの入口に接続された高
温窒素ガス供給系と、前記乾燥チャンバの上方に在る入
口に接続されたノズルを含む液体イソプロピルアルコー
ル供給系とから構成することにより実現している。
【０００７】
【作用】従って、この発明のウエハの乾燥方法によれ
ば、高温のＮ2 で共沸混合物が揮発され易くなり、そし
て続いて供給される高温のＮ2 でパージされるので、完
全に、しかも短時間でウエハを乾燥させることができ
る。
ば、高温のＮ2 で共沸混合物が揮発され易くなり、そし
て続いて供給される高温のＮ2 でパージされるので、完
全に、しかも短時間でウエハを乾燥させることができ
る。
【０００８】
【実施例】次に、図を用いて、この発明のウエハの乾燥
方法を説明する。図１はこの発明のＩＰＡを用いたウエ
ハの乾燥方法を説明するための第１の実施例である乾燥
装置のシステム図であり、図２は図１に示したウエハの
乾燥装置の変形例である第２の実施例のウエハの乾燥装
置のシステム図であり、そして図３はスピン乾燥方法に
適用した場合のこの発明のウエハの乾燥方法を説明する
ための第３の実施例である乾燥装置のシステム図であ
る。
方法を説明する。図１はこの発明のＩＰＡを用いたウエ
ハの乾燥方法を説明するための第１の実施例である乾燥
装置のシステム図であり、図２は図１に示したウエハの
乾燥装置の変形例である第２の実施例のウエハの乾燥装
置のシステム図であり、そして図３はスピン乾燥方法に
適用した場合のこの発明のウエハの乾燥方法を説明する
ための第３の実施例である乾燥装置のシステム図であ
る。
【０００９】先ず、図１を用いて、この発明のウエハの
乾燥方法を説明する。図１に示した乾燥装置１は、窒素
ガスＮ2 の供給源であるボンベ２と、液体ＩＰＡの供給
源であるタンク３と、ウエハの乾燥チャンバ４と、この
乾燥チャンバ４に前記ボンベ２から窒素ガスＮ2 を供給
するためのパイプ１２Ａ、切換えコック８、パイプ１２
ＢとからなるＮ2 供給系と、同乾燥チャンバ４に前記ボ
ンベ２から高温窒素ガスＮ2 を供給するためのパイプ１
２Ａ、切換えコック８、ヒータ５、パイプ１２Ｃとから
なる高温Ｎ2 供給系と、前記乾燥チャンバ４内の気体を
パージするための乾燥チャンバ４の底部から導出された
パイプ１２Ｄとバルブ１０とからなる排気系と、前記タ
ンク３から前記乾燥チャンバ４に液体ＩＰＡを供給する
ためのパイプ１３Ａ、供給ポンプ６、フィルタ７とから
なるＩＰＡ供給系と、前記乾燥チャンバ４から使用済み
ＩＰＡを前記タンク３に還流させるためのそのタンク３
の底部から導出されたパイプ１３Ｂ、切換えコック９、
パイプ１３ＣとからなるＩＰＡ還流系と、不良ＩＰＡを
前記乾燥チャンバ４から外部に排出するための前記パイ
プ１３Ｂ、前記切換えコック９、パイプ１３Ｄとからな
るＩＰＡ排液系と、そして前記乾燥チャンバ４内のＩＰ
Ａを排出するためのそのタンク３の底部から導出された
パイプ１４、バルブ１１とからなるＩＰＡ排出系とから
構成されている。
乾燥方法を説明する。図１に示した乾燥装置１は、窒素
ガスＮ2 の供給源であるボンベ２と、液体ＩＰＡの供給
源であるタンク３と、ウエハの乾燥チャンバ４と、この
乾燥チャンバ４に前記ボンベ２から窒素ガスＮ2 を供給
するためのパイプ１２Ａ、切換えコック８、パイプ１２
ＢとからなるＮ2 供給系と、同乾燥チャンバ４に前記ボ
ンベ２から高温窒素ガスＮ2 を供給するためのパイプ１
２Ａ、切換えコック８、ヒータ５、パイプ１２Ｃとから
なる高温Ｎ2 供給系と、前記乾燥チャンバ４内の気体を
パージするための乾燥チャンバ４の底部から導出された
パイプ１２Ｄとバルブ１０とからなる排気系と、前記タ
ンク３から前記乾燥チャンバ４に液体ＩＰＡを供給する
ためのパイプ１３Ａ、供給ポンプ６、フィルタ７とから
なるＩＰＡ供給系と、前記乾燥チャンバ４から使用済み
ＩＰＡを前記タンク３に還流させるためのそのタンク３
の底部から導出されたパイプ１３Ｂ、切換えコック９、
パイプ１３ＣとからなるＩＰＡ還流系と、不良ＩＰＡを
前記乾燥チャンバ４から外部に排出するための前記パイ
プ１３Ｂ、前記切換えコック９、パイプ１３Ｄとからな
るＩＰＡ排液系と、そして前記乾燥チャンバ４内のＩＰ
Ａを排出するためのそのタンク３の底部から導出された
パイプ１４、バルブ１１とからなるＩＰＡ排出系とから
構成されている。
【００１０】次に、このような構成の乾燥装置１を用い
てウエハＳを乾燥するこの発明の乾燥方法を説明する。
先ず、純水で洗浄された複数枚のウエハＳをキャリアＣ
に収容し、その状態のウエハＳを乾燥チャンバ４内にセ
ットし、このウエハセット状態の乾燥チャンバ４内に前
記ボンベ２から前記Ｎ2 供給系を通じてＮ2 を供給し、
乾燥チャンバ４内のエアーを前記排気系を通じてパージ
し、完全にパージし終わると、Ｎ2 の供給を止め、バル
ブ１０を閉める。
てウエハＳを乾燥するこの発明の乾燥方法を説明する。
先ず、純水で洗浄された複数枚のウエハＳをキャリアＣ
に収容し、その状態のウエハＳを乾燥チャンバ４内にセ
ットし、このウエハセット状態の乾燥チャンバ４内に前
記ボンベ２から前記Ｎ2 供給系を通じてＮ2 を供給し、
乾燥チャンバ４内のエアーを前記排気系を通じてパージ
し、完全にパージし終わると、Ｎ2 の供給を止め、バル
ブ１０を閉める。
【００１１】次に、前記切換えコック９を前記ＩＰＡ還
流系に切り換え、ＩＰＡ排出系のバルブ１１を閉め、前
記ＩＰＡ供給系の供給ポンプ６を作動させて、タンク３
から液体ＩＰＡをパイプ１３Ａ、フィルタ７を通じ、乾
燥チャンバ４に供給し、パイプ１３Ａの先端部に設けた
ノズル１３Ｎから乾燥チャンバ４内の全ウエハＳの表面
に液体ＩＰＡを一様に噴射し、液体ＩＰＡでウエハＳの
表面に残留していた水分との共沸混合物に変える。余分
な液体ＩＰＡは前記ＩＰＡ還流系からタンク３に回収す
る。
流系に切り換え、ＩＰＡ排出系のバルブ１１を閉め、前
記ＩＰＡ供給系の供給ポンプ６を作動させて、タンク３
から液体ＩＰＡをパイプ１３Ａ、フィルタ７を通じ、乾
燥チャンバ４に供給し、パイプ１３Ａの先端部に設けた
ノズル１３Ｎから乾燥チャンバ４内の全ウエハＳの表面
に液体ＩＰＡを一様に噴射し、液体ＩＰＡでウエハＳの
表面に残留していた水分との共沸混合物に変える。余分
な液体ＩＰＡは前記ＩＰＡ還流系からタンク３に回収す
る。
【００１２】全ウエハＳの表面に液体ＩＰＡを一様に噴
射し終えたら、このＩＰＡ供給系を止め、次に、前記高
温Ｎ2 供給系を作動させ、タンク３かＮ2 を前記ヒータ
５に供給して、例えば、１００°Ｃ程度に加熱し、高温
窒素ガスＮ2 を乾燥チャンバ４に供給し、高温にし、ウ
エハＳの表面上の前記共沸混合物を揮発、乾燥させる。
射し終えたら、このＩＰＡ供給系を止め、次に、前記高
温Ｎ2 供給系を作動させ、タンク３かＮ2 を前記ヒータ
５に供給して、例えば、１００°Ｃ程度に加熱し、高温
窒素ガスＮ2 を乾燥チャンバ４に供給し、高温にし、ウ
エハＳの表面上の前記共沸混合物を揮発、乾燥させる。
【００１３】ウエハＳの表面が乾燥すると、乾燥チャン
バ４内から乾燥したウエハＳを取り出す。そして、次の
乾燥しようとする他の複数枚のウエハＳをキャリアＣに
収容し、その状態で乾燥チャンバ４内にセットし、再び
Ｎ2 を供給して、乾燥チャンバ４内のエアーや前の乾燥
作業で残留しているＮ2 をパージし、前記と同様の手順
でウエハＳを乾燥させ、この作業を必要回数繰り返す。
バ４内から乾燥したウエハＳを取り出す。そして、次の
乾燥しようとする他の複数枚のウエハＳをキャリアＣに
収容し、その状態で乾燥チャンバ４内にセットし、再び
Ｎ2 を供給して、乾燥チャンバ４内のエアーや前の乾燥
作業で残留しているＮ2 をパージし、前記と同様の手順
でウエハＳを乾燥させ、この作業を必要回数繰り返す。
【００１４】この発明の乾燥方法を採ることにより、高
温のＮ2 で共沸混合物が揮発され易くなり、従って乾燥
時間を短縮することができ、しかもＩＰＡの使用量を抑
制することができる。
温のＮ2 で共沸混合物が揮発され易くなり、従って乾燥
時間を短縮することができ、しかもＩＰＡの使用量を抑
制することができる。
【００１５】乾燥作業を繰り返し行うことで、水分が液
体ＩＰＡに多く混入するようになり、不良ＩＰＡになる
と、前記ＩＰＡ排出系の切換えコック９を切り換えて、
パイプ１３Ｂとパイプ１３Ｄとを接続し、乾燥チャンバ
４から外部に排出するとよい。また、前記乾燥チャンバ
４は、その内部に液体ＩＰＡを溜める構造であってもよ
い。
体ＩＰＡに多く混入するようになり、不良ＩＰＡになる
と、前記ＩＰＡ排出系の切換えコック９を切り換えて、
パイプ１３Ｂとパイプ１３Ｄとを接続し、乾燥チャンバ
４から外部に排出するとよい。また、前記乾燥チャンバ
４は、その内部に液体ＩＰＡを溜める構造であってもよ
い。
【００１６】前記第１の実施例では、ウエハＳを予め別
の洗浄装置で純水洗浄した状態でキャリアＣに収容し、
これを乾燥チャンバ４内にセットし、乾燥する方法を示
したが、このウエハの純水洗浄を前記乾燥チャンバ４内
で行えるように前記乾燥装置１を構成してもよい。図２
に示した第２の実施例の乾燥装置がこの構成である。
の洗浄装置で純水洗浄した状態でキャリアＣに収容し、
これを乾燥チャンバ４内にセットし、乾燥する方法を示
したが、このウエハの純水洗浄を前記乾燥チャンバ４内
で行えるように前記乾燥装置１を構成してもよい。図２
に示した第２の実施例の乾燥装置がこの構成である。
【００１７】即ち、この乾燥装置１Ａの構成が乾燥装置
１の構成と異なる部分は、純水供給源２０と、この純水
供給源２０に接続されたパイプ２１と、前記乾燥チャン
バ４の上方からその内部に臨ませた、パイプ２１の先端
部に設けたノズル２１Ｎと、バルブ２２などからなる給
水系である。なお、前記純水供給源２０には給水ポンプ
などの水圧を高める装置が含くまれているものとする。
なお、乾燥装置１と同一の構成部分には同一の符号を付
してそれらの構成の説明を省略する。
１の構成と異なる部分は、純水供給源２０と、この純水
供給源２０に接続されたパイプ２１と、前記乾燥チャン
バ４の上方からその内部に臨ませた、パイプ２１の先端
部に設けたノズル２１Ｎと、バルブ２２などからなる給
水系である。なお、前記純水供給源２０には給水ポンプ
などの水圧を高める装置が含くまれているものとする。
なお、乾燥装置１と同一の構成部分には同一の符号を付
してそれらの構成の説明を省略する。
【００１８】この乾燥装置１ＡでウエハＳを洗浄、乾燥
させるには、先ず、乾燥チャンバ４内に複数枚のウエハ
Ｓを収容したキャリアＣをセットし、前記給水系のみを
作動させる。即ち、前記バルブ２２を開放して前記純水
供給源２０からパイプ２１を通じて水圧の掛かった純水
をノズル２１Ｎから前記セットした全てのウエハＳに噴
射し、水洗する。この場合、前記切換えコック９はパイ
プ１３Ｂと１３Ｄが接続されるように切り換えておき、
また、バルブ１０を閉めておくことはいうまでもない。
させるには、先ず、乾燥チャンバ４内に複数枚のウエハ
Ｓを収容したキャリアＣをセットし、前記給水系のみを
作動させる。即ち、前記バルブ２２を開放して前記純水
供給源２０からパイプ２１を通じて水圧の掛かった純水
をノズル２１Ｎから前記セットした全てのウエハＳに噴
射し、水洗する。この場合、前記切換えコック９はパイ
プ１３Ｂと１３Ｄが接続されるように切り換えておき、
また、バルブ１０を閉めておくことはいうまでもない。
【００１９】ウエハＳの水洗終了後、バルブ２２を閉
め、純水の供給を止め、そして切換えコック９をパイプ
１３Ｂとパイプ１３Ｃが接続されるように切り換え、一
方、切換えコック８を切り換え、パイプ１２Ａとパイプ
１２Ｂとを接続し、前記Ｎ2 供給系を作動させて窒素ガ
スＮ2 を乾燥チャンバ４内に供給し、乾燥チャンバ４内
のエアーなどが供給された前記窒素ガスＮ2 でパージす
る。言うまでもなく乾燥チャンバ４内のエアーなどが排
気できるようにバルブ１０を開けておく。以後の作業は
図１に示した第１実施例の乾燥装置１で説明した作業と
同一であるので説明を省略する。
め、純水の供給を止め、そして切換えコック９をパイプ
１３Ｂとパイプ１３Ｃが接続されるように切り換え、一
方、切換えコック８を切り換え、パイプ１２Ａとパイプ
１２Ｂとを接続し、前記Ｎ2 供給系を作動させて窒素ガ
スＮ2 を乾燥チャンバ４内に供給し、乾燥チャンバ４内
のエアーなどが供給された前記窒素ガスＮ2 でパージす
る。言うまでもなく乾燥チャンバ４内のエアーなどが排
気できるようにバルブ１０を開けておく。以後の作業は
図１に示した第１実施例の乾燥装置１で説明した作業と
同一であるので説明を省略する。
【００２０】この乾燥装置１Ａを用いる利点は、洗浄後
のウエハＳを全く外気に触れさせること無く乾燥まで行
うことができるという点にある。
のウエハＳを全く外気に触れさせること無く乾燥まで行
うことができるという点にある。
【００２１】次に、第３の実施例の乾燥装置１Ｂを用い
てウエハＳを乾燥させる方法を説明する。この場合は、
スピン乾燥方法にこの発明の乾燥方法を適用させたもの
で、ウエハは枚葉処理される。先ず、この乾燥装置１Ｂ
の構成を説明する。この乾燥装置１Ｂは一側壁の中央部
付近に、一枚のウエハＳを水平状態で挿入できるスリッ
ト状のウエハ出入口４ａが形成された乾燥チャンバ４Ａ
と、この乾燥チャンバ４Ａ内に格納されたスピン乾燥装
置３０と、水洗後のウエハＳを一枚づつ前記ウエハ出入
口４ａからスピン乾燥装置３０に装着し、乾燥後、そこ
から取り出せるアーム４１を備えたロボット４０とを備
え、その他の構成部分、即ち、Ｎ2 供給系、高温Ｎ2 供
給系、排気系、ＩＰＡ供給系、ＩＰＡ還流系、ＩＰＡ排
出系などは図１に示した乾燥装置１のものと同一である
のでそれらの構成の説明は省略する。なお、符号３１は
スピン乾燥装置３０を高速回転させるモータで、乾燥チ
ャンバ４Ａの底の外側に固定されている。
てウエハＳを乾燥させる方法を説明する。この場合は、
スピン乾燥方法にこの発明の乾燥方法を適用させたもの
で、ウエハは枚葉処理される。先ず、この乾燥装置１Ｂ
の構成を説明する。この乾燥装置１Ｂは一側壁の中央部
付近に、一枚のウエハＳを水平状態で挿入できるスリッ
ト状のウエハ出入口４ａが形成された乾燥チャンバ４Ａ
と、この乾燥チャンバ４Ａ内に格納されたスピン乾燥装
置３０と、水洗後のウエハＳを一枚づつ前記ウエハ出入
口４ａからスピン乾燥装置３０に装着し、乾燥後、そこ
から取り出せるアーム４１を備えたロボット４０とを備
え、その他の構成部分、即ち、Ｎ2 供給系、高温Ｎ2 供
給系、排気系、ＩＰＡ供給系、ＩＰＡ還流系、ＩＰＡ排
出系などは図１に示した乾燥装置１のものと同一である
のでそれらの構成の説明は省略する。なお、符号３１は
スピン乾燥装置３０を高速回転させるモータで、乾燥チ
ャンバ４Ａの底の外側に固定されている。
【００２２】次に、この乾燥装置１Ｂを用いてウエハＳ
を乾燥する乾燥方法を説明する。先ず、ロボット４０を
作動させ、そのアーム４１で一枚のウエハＳを保持して
前記乾燥チャンバ４Ａのウエハ出入口４ａからスピン乾
燥装置３０に装着し、装着し終えたらアーム４１を元の
位置に戻してウエハ出入口４ａを閉じる。その後、前記
第１の実施例で説明したように、ボンベ２から窒素ガス
Ｎ2 をＮ2 供給系を通じて乾燥チャンバ４Ａに供給し、
エアーなどをパージすると同時に、モータ３１を作動さ
せてスピン乾燥装置３０を高速で回転させる。
を乾燥する乾燥方法を説明する。先ず、ロボット４０を
作動させ、そのアーム４１で一枚のウエハＳを保持して
前記乾燥チャンバ４Ａのウエハ出入口４ａからスピン乾
燥装置３０に装着し、装着し終えたらアーム４１を元の
位置に戻してウエハ出入口４ａを閉じる。その後、前記
第１の実施例で説明したように、ボンベ２から窒素ガス
Ｎ2 をＮ2 供給系を通じて乾燥チャンバ４Ａに供給し、
エアーなどをパージすると同時に、モータ３１を作動さ
せてスピン乾燥装置３０を高速で回転させる。
【００２３】次に、ＩＰＡ供給系の供給ポンプ６を作動
させ、ノズル１３Ｎから液体ＩＰＡをウエハＳの表面に
噴射し、ウエハＳの表面に残留していた水分とＩＰＡの
共沸混合物が生成した後、前記ヒータ５を作動させて前
記高温Ｎ2 供給系から高温窒素ガスＮ2 を乾燥チャンバ
４Ａ内に供給し、前記共沸混合物の揮発を促進させてウ
エハＳを乾燥することは前記第１の実施例で説明した通
りである。この乾燥後、ロボット４０を作動させてアー
ム４１でウエハ出入口４ａから乾燥したウエハＳを取り
出し、これで一枚のウエハＳの乾燥作業が終了する。こ
の乾燥装置１Ｂによる乾燥方法の作用、効果はこれまで
に説明したことと同様である。
させ、ノズル１３Ｎから液体ＩＰＡをウエハＳの表面に
噴射し、ウエハＳの表面に残留していた水分とＩＰＡの
共沸混合物が生成した後、前記ヒータ５を作動させて前
記高温Ｎ2 供給系から高温窒素ガスＮ2 を乾燥チャンバ
４Ａ内に供給し、前記共沸混合物の揮発を促進させてウ
エハＳを乾燥することは前記第１の実施例で説明した通
りである。この乾燥後、ロボット４０を作動させてアー
ム４１でウエハ出入口４ａから乾燥したウエハＳを取り
出し、これで一枚のウエハＳの乾燥作業が終了する。こ
の乾燥装置１Ｂによる乾燥方法の作用、効果はこれまで
に説明したことと同様である。
【００２４】
【発明の効果】以上、説明したように、この発明のウエ
ハの乾燥方法によれば、高温のＮ2 で水とＩＰＡとの共
沸混合物が揮発され易くなり、そして続いて供給されて
いる高温のＮ2 でパージされるので、完全に、しかも短
時間でウエハを乾燥させることができ、ウオータマーク
によるトラブルが殆ど無くなり、それだけ製品の歩留り
を向上することができた。しかもＩＰＡの使用量を抑制
することができる。
ハの乾燥方法によれば、高温のＮ2 で水とＩＰＡとの共
沸混合物が揮発され易くなり、そして続いて供給されて
いる高温のＮ2 でパージされるので、完全に、しかも短
時間でウエハを乾燥させることができ、ウオータマーク
によるトラブルが殆ど無くなり、それだけ製品の歩留り
を向上することができた。しかもＩＰＡの使用量を抑制
することができる。
【図１】 この発明のＩＰＡを用いた半導体ウエハの乾
燥方法を説明するための第１の実施例である乾燥装置の
システム図である。
燥方法を説明するための第１の実施例である乾燥装置の
システム図である。
【図２】 図１に示した半導体ウエハの乾燥装置の変形
例である第２の実施例の半導体ウエハの乾燥装置のシス
テム図である。
例である第２の実施例の半導体ウエハの乾燥装置のシス
テム図である。
【図３】 図３はスピン乾燥方法に適用した場合のこの
発明の半導体ウエハの乾燥方法を説明するための第３の
実施例である乾燥装置のシステム図である。
発明の半導体ウエハの乾燥方法を説明するための第３の
実施例である乾燥装置のシステム図である。
Ｃ キャリア Ｓ 半導体ウエハ １ この発明の第１の実施例の乾燥装置 １Ａ この発明の第２の実施例の乾燥装置 １Ｂ この発明の第３の実施例の乾燥装置 ２ 窒素ガスＮ2 供給源であるボンベ ３ 液体ＩＰＡ供給源であるタンク ４ 乾燥チャンバ ４Ａ 乾燥チャンバ ４ａ ウエハ出入口 ５ ヒータ ６ 供給ポンプ ７ フィルタ ８ 切換えコック ９ 切換えコック １３Ｎ ノズル ２０ 純水供給源 ２１Ｎ ノズル ３０ スピン乾燥装置 ３１ モータ ４０ ロボット ４１ アーム
Claims (3)
- 【請求項１】 窒素ガスでパージしたチャンバ内に水洗
後の半導体ウエハを収容し、この状態の前記半導体ウエ
ハの表面にイソプロピルアルコールをかけ、半導体ウエ
ハの表面上の水滴とイソプロピルアルコールとを混合さ
せて共沸混合物とし、その後、前記チャンバ内に高温の
窒素ガスを供給して、前記共沸混合物を揮発させること
を特徴とする半導体ウエハの乾燥方法。 - 【請求項２】 半導体ウエハをセットできる乾燥チャン
バと、この乾燥チャンバの一つの入口に接続された窒素
ガス供給系と、この乾燥チャンバの他の一つの入口に接
続された高温窒素ガス供給系と、前記乾燥チャンバの上
方に在る入口に接続されたノズルを含む液体イソプロピ
ルアルコール供給系とから構成された半導体ウエハの乾
燥装置。 - 【請求項３】 前記乾燥チャンバの上方に在る他の一つ
の入口にノズルを含む純水供給系が接続されていること
を特徴とする請求項２に記載の半導体ウエハの乾燥装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19676894A JPH0861846A (ja) | 1994-08-22 | 1994-08-22 | 半導体ウエハの乾燥方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19676894A JPH0861846A (ja) | 1994-08-22 | 1994-08-22 | 半導体ウエハの乾燥方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0861846A true JPH0861846A (ja) | 1996-03-08 |
Family
ID=16363307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19676894A Pending JPH0861846A (ja) | 1994-08-22 | 1994-08-22 | 半導体ウエハの乾燥方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0861846A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6328809B1 (en) | 1998-10-09 | 2001-12-11 | Scp Global Technologies, Inc. | Vapor drying system and method |
| US6381872B1 (en) | 2000-08-25 | 2002-05-07 | Nec Corporation | Method for drying a semiconductor wafer, a mixture for drying, and a dryer |
| US6430840B1 (en) | 2000-08-03 | 2002-08-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of and apparatus for drying a wafer using isopropyl alcohol |
| JP2003297795A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-10-17 | A-Tech Ltd | 半導体ウェーハの洗浄・乾燥装置、及び洗浄・乾燥方法 |
| CN107065453A (zh) * | 2017-02-14 | 2017-08-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 干燥组件及显影装置 |
| CN112420485A (zh) * | 2019-08-21 | 2021-02-26 | 长鑫存储技术有限公司 | 晶圆加工方法 |
-
1994
- 1994-08-22 JP JP19676894A patent/JPH0861846A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2003297795A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-10-17 | A-Tech Ltd | 半導体ウェーハの洗浄・乾燥装置、及び洗浄・乾燥方法 |
| CN107065453A (zh) * | 2017-02-14 | 2017-08-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 干燥组件及显影装置 |
| CN112420485A (zh) * | 2019-08-21 | 2021-02-26 | 长鑫存储技术有限公司 | 晶圆加工方法 |
| CN112420485B (zh) * | 2019-08-21 | 2023-03-31 | 长鑫存储技术有限公司 | 晶圆加工方法 |
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