KR100375005B1 - 웨이퍼 클리닝 설비 및 이의 클리닝 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 케미컬(chemical)에 의한 세정이 종료된 웨이퍼를 제 1 순수에 투입하는 과정을 통하여 웨이퍼 클리닝을 수행한 후, 클리닝된 웨이퍼를 건조하기 위하여 제 1 순수의 수면 상부로 리프트할 때, 제 1 순수의 수면 아래 부분에 리프트되는 웨이퍼의 측면을 스쳐 지나가는 강력한 제 2 순수의 스트림(stream)을 형성하여 클리닝이 종료된 웨이퍼에 재부착된 파티클 제거, 웨이퍼에 부착된 물방울(Water droplet)의 형성 억제, 파티클 및 물방울 제거에 의하여 웨이퍼에 형성되는 워터마크(water mark)의 형성을 억제하는 복합 기능을 수행하는 웨이퍼 클리닝 설비 및 이의 클리닝 방법에 관한 것으로, 본 발명에 의하면, 웨이퍼에 부착되는 파티클의 개수를 절대적으로 감소시켜 클리닝 공정 후 웨이퍼에 잔류하는 잔류물 및 파티클에 의한 후속 공정 불량이 발생하지 않도록 한다.

Description

웨이퍼 클리닝 설비 및 이의 클리닝 방법{Equpiment for cleaning wafer and method for cleaning thereof}
본 발명은 웨이퍼 클리닝 설비 및 이의 클리닝 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 케미컬(chemical)에 의한 세정이 종료된 웨이퍼를 제 1 순수에 투입하는 과정을 통하여 웨이퍼의 클리닝을 수행한 후, 클리닝된 웨이퍼를 건조하기 위하여 제 1 순수의 수면 상부로 리프트할 때, 제 1 순수의 수면 아래 부분에 리프트되는 웨이퍼의 측면을 스쳐 지나가는 강력한 제 2 순수의 스트림(stream)을 형성하여 클리닝이 종료된 웨이퍼에 재부착된 파티클 제거, 웨이퍼에 부착된 물방울(Water droplet)의 형성 억제, 파티클 및 물방울 제거에 의하여 웨이퍼에 형성되는 워터마크(water mark)의 형성을 억제하는 복합 기능을 수행하는 웨이퍼 클리닝 설비 및 이의 클리닝 방법에 관한 것이다.
최근 반도체 산업의 급속한 기술 개발에 의하여 회로 선폭이 약 0.10㎛ 이하를 갖는 반도체 제품이 개발되고 있는 실정이다.
이와 같은 미세 회로 선폭을 갖는 반도체 제품은 기존 반도체 제품에 비하여 단위 면적당 집적할 수 있는 데이터의 수가 증가되고, 단위 시간당 처리할 수 있는 데이터의 수가 회로 선폭이 약 0.10㎛ 이상의 반도체 제품에 비하여 탁월한 성능을 갖는다.
이와 같이 미세한 회로 선폭을 갖는 반도체 제품을 생산하기 위해서는 정밀한 반도체 공정, 예를 들면, 스핀 코터(spin coater)에 의한 포토레지스막 도포 공정, 에칭 공정, 이온주입 공정, 데포 공정 등과 같은 정밀한 반도체 공정을 필요로 한다.
이와 같은 반도체 공정을 진행한 후에는 후속 공정을 진행하기 위하여 세정 공정을 수행해야 한다.
반도체 제조 공정에 있어 세정 공정은 더이상 필요하지 않은 포토레지스트막을 웨이퍼로부터 제거한 후, 웨이퍼상에 존재하는 포토레지스트막 잔류물, 건습식 에칭 후 잔류하는 에천트 및 에칭후 발생한 잔류물, 웨이퍼에 부착된 파티클, CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정 후, 웨이퍼상에 잔류하는 슬러리(slurry) 등을 소정 케미컬을 이용하여 웨이퍼로부터 제거함으로써 후속 반도체 공정 불량이 발생하는 것을 방지하는 매우 중요한 공정중 하나이다.
이와 같은 세정 공정이 진행된 웨이퍼는 다시 웨이퍼에 묻어 있는 케미컬을 제거하기 위하여 순수에 의하여 클리닝 및 건조를 수행하는 클리닝 공정이 진행된다.
이와 같은 클리닝 공정을 수행하는 클리닝 설비는 매우 다양한 설비가 개발, 보급된 바 있는데, 최근 개발된 클리닝 설비 중 하나인 미국 특허 등록 번호 4,911,761호에 개시된 "표면 건조 장치 및 방법(PROCESS AND APPARATUS FOR DRYING SURFACE)"에 개시된 기술적 사상을 살펴보면, 웨이퍼를 단일 챔버의 내부에 임시적으로 고정시킨 상태에서 챔버 내부에 클리닝용 순수 및 건조용 기체를 동시에 공급한 상태에서 순수 및 건조용 기체의 사이의 계면(boundary surface)을 웨이퍼에 대하여 조절되도록 함으로써 웨이퍼의 린싱 및 건조가 진행되도록 한다.
즉, 웨이퍼를 클리닝할 때에는 웨이퍼가 순수에 잠기도록 하고, 웨이퍼를 건조할 때에는 순수를 배출함으로써 건조용 기체에 웨이퍼가 노출되도록하여 웨이퍼의 건조가 이루어지도록 한다.
그러나, 이와 같은 웨이퍼 클리닝 설비에 의하여 웨이퍼를 클리닝하는 시점에서는 웨이퍼에 부착되었던 불순물, 슬러리, 각종 잔류물, 파티클 등이 웨이퍼로부터 이탈되어 클리닝되지만, 웨이퍼를 클리닝 한 후, 웨이퍼를 건조용 기체에 노출시켜 건조하는 과정에서 순수에 포함되었던 불순물, 슬러리, 각종 잔류물, 파티클 등이 웨이퍼에 재부착되는 빈도가 높아져 클리닝 공정의 효과를 반감시키는 문제점을 갖는다.
또한, 웨이퍼를 건조용 기체에 노출시켜 건조를 수행할 때, 순수가 웨이퍼의표면에 작은 물방울(water droplet)을 형성됨으로써, 이 물방울을 건조시키기 위한 건조 시간이 증가되고, 건조 시간을 단축시키기 위해서는 건조용 기체를 고온으로 가열하거나 웨이퍼가 건조용 기체에 노출되는 시간을 길게 해야 한다.
이때, 건조용 기체는 주로 이소프로필알콜(Isopropy1alcohol;IPA)과 다른 기체, 예를 들면, 질소 가스가 복합적으로 혼합된 기체가 사용되는 바, 웨이퍼의 건조 시간을 단축시키기 위하여 이소프로필알콜을 고온으로 가열할 경우, 이소프로필알콜이 폭발 위험성을 갖게 되는 문제점을 갖는다.
또한, 앞서 설명한 두가지 문제점인 불순물, 슬러리, 잔류물, 파티클의 웨이퍼 재부착 및 웨이퍼에 형성되는 물방울은 복합적으로 작용하여 또다른 문제점을 발생시킨다
즉, 웨이퍼에 재부착된 불순물, 슬러리, 각종 잔류물, 파티클은 웨이퍼에 형성된 물방울이 건조되면서 웨이퍼에 워터 마크가 형성되도록 한다.
따라서, 본 발명은 이와 같은 종래 문제점들을 감안한 것으로써, 본 발명의 목적은 웨이퍼에 부착된 불순물, 슬러리, 잔류물, 파티클 등이 클리닝 후, 웨이퍼에 재부착되지 않도록 함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 클리닝이 종료된 웨이퍼에 물방울의 형성을 억제하여 웨이퍼의 클리닝에 소요되는 시간을 단축시킴에 있다.
본 발명의 또다른 목적은 웨이퍼에 워터마크가 형성되지 않도록 함에 있다.
본 발명의 또다른 목적들은 상세하게 후술될 본 발명의 상세한 설명에 의하여 보다 명확해질 것이다.
도 1은 본 발명에 의한 웨이퍼 클리닝 설비의 블록도.
도 2는 본 발명에 의한 웨이퍼 클리닝 설비의 부분 절개 사시도.
도 3은 본 발명에 의한 웨이퍼 클리닝 설비의 작용을 설명하기 위한 설명도.
도 4a 내지 도 4g는 본 발명에 의한 웨이퍼 클리닝 설비에 의한 웨이퍼 클리닝 방법을 도시한 작용 설명도.
이와 같은 본 발명의 목적을 구현하기 위한 웨이퍼 클리닝 설비는 상부가 개구된 제 1 챔버, 하부가 개구된 상태로 제 1 챔버와 대향하는 제 2 챔버, 제 1 챔버 및 제 2 챔버를 일치, 어긋나게 상대 운동시키는 슬라이드 유닛을 포함하는 클리닝 챔버 유닛과, 제 1 챔버에 제 1 순수를 공급/배출시키는 제 1 순수 공급 유닛과, 제 2 챔버에 웨이퍼 건조용 기체를 공급/차단하는 건조기체 공급장치와, 제 1 챔버의 내부에 공급된 제 1 순수에 적어도 1 매 이상의 웨이퍼를 투입, 제 2 챔버로 웨이퍼를 리프트 시키는 웨이퍼 업-다운 유닛과, 제 1 챔버에 설치되어 제 1 순수의 계면 아래에서 웨이퍼를 스쳐 통과하도록 제 2 순수를 분사하는 제 2 순수 스트리밍 유닛과, 제 2 순수 스트리밍 유닛에 의하여 웨이퍼를 통과한 제 2 순수 및 웨이퍼에 부착되었던 불순물이 수거되는 포집 유닛을 포함한다.
또한, 본 발명의 목적을 구현하기 위한 이의 클리닝 방법은 웨이퍼를 제 1 순수가 수납된 제 1 챔버에 투입하는 단계와, 제 1 챔버에 건조용 기체가 분사되는 제 2 챔버를 결합시키는 단계와, 소정 시간 경과 후 투입된 웨이퍼를 제 1 챔버의 제 1 순수로부터 제 2 챔버쪽으로 리프트하면서 웨이퍼 건조용 기체를 공급하는 단계와, 웨이퍼의 원주면과 대향하는 방향으로부터 제 2 순수가 웨이퍼를 통과하도록 하여 웨이퍼의 파티클 제거, 물방울 제거 및 1차 건조를 개시하는 단계와, 웨이퍼 건조용 기체에 의하여 계면의 상부로 리프트된 웨이퍼를 2차 건조시키는 단계를 포함한다.
이하, 본 발명에 의한 웨이퍼 클리닝 설비 및 이의 클리닝 방법을 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
첨부된 도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명에 의한 웨이퍼 클리닝 설비(700)는 전체적으로 보아 클리닝 챔버 장치(100), 웨이퍼 업-다운 유닛(200;도 2 참조), 제 2 순수 스트리밍 유닛(300), 포집 유닛(400), 제 1 순수 공급/배출 유닛(500) 및 건조가스 공급유닛(600)과 이들을 제어하는 중앙처리장치(미도시)로 구성된다.
첨부된 도 2를 참조하면, 본 발명에 의한 클리닝 챔버 장치(100)는 전체적으로 보아 제 1 챔버(110)와 제 2 챔버(120), 제 1 챔버(110) 및 제 2 챔버(120)를 상대 운동시켜 일치 또는 분리시키는 슬라이딩 유닛(130)으로 구성된다.
구체적으로, 제 1 챔버(110)는 일실시예로 클리닝용 제 1 순수가 담겨지는 육면체 박스 형태로 상면중 일부에는 웨이퍼의 입출입이 가능하도록 개구(111)가 형성된다.
한편, 제 2 챔버(120)는 평면적이 제 1 챔버(110)에 형성된 개구(111)와 동일한 면적을 갖는 개구(미도시)를 갖는 육면체 형상을 갖는다.
이와 같은 형상을 갖는 제 2 챔버(120)는 제 1 챔버(110)와 연관되어 설치된다. 즉, 제 1 챔버(110)의 개구(111)와 제 2 챔버(120)의 개구는 상호 대향하면서 상세하게 후술될 슬라이딩 유닛(130)을 매개로 설치된다.
이와 같이 제 1 챔버(110)와 제 2 챔버(120)가 설치된 상태에서 웨이퍼의 입출입 및 제 1 순수에 의한 웨이퍼 클리닝, 건조 가스에 의한 웨이퍼 드라이가 이루어지도록 하기 위해서는 필수적으로 제 1 챔버(110)와 제 2 챔버(120)는 상대 운동 가능토록 해야 한다.
이를 구현하기 위해서 제 1 챔버(110)와 제 2 챔버(120)의 사이에는 슬라이딩 유닛(130)이 설치된다.
보다 구체적으로, 슬라이딩 유닛(130)은 가이드 레일(131) 및 챔버 구동장치(미도시)로 구성된다.
가이드 레일(131)은 제 1 챔버(110)의 폭과 제 2 챔버(120)의 폭을 합한 정도의 길이를 갖는 형상으로, 가이드 레일(131)은 일실시예로 제 1 챔버(110)의 상면에 형성된 4 개의 에지 중 상호 대향하는 2 개의 에지에 견고하게 결합된다.
이처럼 제 1 챔버(110)에 결합된 가이드 레일(131)에는 앞서 설명한 제 2 챔버(120)가 슬라이딩 가능하게 결합되고, 제 1 챔버(110)로부터 제 2 챔버(120)를 슬라이드 시키기 위하여 제 2 챔버(120)에는 챔버 구동장치가 설치된다.
이때, 챔버 구동장치는 실린더 방식, 기어 방식 등 제 1 챔버(110)에 설치된 가이드 레일(131)을 따라서 제 2 챔버(120)가 슬라이딩 되도록 하는 다양한 수단이 사용될 수 있다.
이와 같은 클리닝 챔버 장치(100)의 제 1 챔버(110)의 하부에는 제 1 챔버(110)로 제 1 순수를 공급하는 제 1 순수 공급/배출 유닛(500)이 설치된다.
제 1 순수 공급/배출 유닛(500)은 제 1 챔버(110)에 제 1 순수를 공급/배출하기 위하여 제 1 챔버(110)에 연통된 제 1 순수 공급/배출 배관(510), 제 1 순수 공급/배출 배관(510)에 연통된 제 1 순수 공급 유닛(520) 및 제 1 챔버(110)로부터제 1 순수가 배출되도록 하는 제 1 순수 배출 유닛(530;일부도시)으로 구성된다.
한편, 클리닝 챔버 장치(100)의 제 2 챔버(120)의 상부에는 건조가스 공급 유닛(600)이 설치된다.
건조가스 공급 유닛(600)은 다시 제 2 챔버(120)에 연통된 건조가스 공급 배관(610), 건조가스 공급 배관(610)에 건조가스를 공급하는 건조가스 공급기(미도시)를 포함한다.
이때, 건조가스 공급기에서 건조가스 공급 배관(610)으로 공급되는 건조 가스는 상온의 이소프로필렌알콜과 질소가스를 적정 비율로 혼합한 혼합 가스로, 제 2 챔버(120)의 내부에는 건조가스가 균일하게 분사되도록 하는 수단, 예를 들면, 제 2 챔버(120)의 상부에 소공이 균일하게 형성된 다공 플레이트 등이 설치될 수 있다.
이와 같이 클리닝 챔버 장치(100)에 건조가스 공급 유닛(600) 및 제 1 순수 공급/배출 유닛(500)이 설치된 상태에서 웨이퍼가 제 1 챔버(110)로부터 제 2 챔버(120)로 리프트 되도록 하기 위해서는 웨이퍼 업-다운 유닛(200)을 필요로 한다.
웨이퍼 업-다운 유닛(200)은 다시 웨이퍼 보트(210), 웨이퍼 이송 암(220), 웨이퍼 이송 암 구동장치(230)로 구성된다.
보다 구체적으로, 웨이퍼 이송 암 구동장치(230)는 클리닝 챔버 장치(100)에 근접되도록 설치되며, 웨이퍼 이송 암 구동장치(230)에는 업-다운되는 웨이퍼 이송 암(220)이 설치된다.
이때, 웨이퍼 이송 암(220)은 바람직한 실시예로 적어도 1 개 이상 바람직하게 3 개가 제 1 챔버(110)의 상면 중 개구(111) 이외의 부분에 형성된 관통공(112)에 삽입된다.
이때, 관통공(112)을 통하여 삽입된 웨이퍼 이송 암(220)의 단부에는 수평 방향으로 뻗고 상면에 복수개의 웨이퍼 슬롯이 형성된 웨이퍼 보트(210)가 설치된다.
이와 같은 웨이퍼 업-다운 유닛(200)은 웨이퍼가 제 1 챔버(110)에 공급된 제 1 순수에 공급되어 클리닝이 진행된 후, 제 2 챔버(120)로 이송되어 웨이퍼의 건조가 진행되도록 하는 역할을 한다.
한편, 제 1 챔버(110)에는 제 2 순수 스트리밍 유닛(300) 및 포집 유닛(400)이 설치된다.
포집 유닛(400)은 제 1 챔버(110)중 웨이퍼(1)의 원주면(1a)과 대향하는 측벽에 형성된 슬릿(slit) 형상의 개구(113)가 포함되도록 제 1 챔버(110)의 외측면에 형성된 포켓 형상의 포집몸체(410), 포집 몸체(410)에 형성된 드레인 배관(420;도 3 참조)으로 구성된다.
이때, 포집 유닛(400)의 포집 몸체(410)와 대향하는 제 1 챔버(410)의 측벽에는 웨이퍼(1)의 원주면(1a)과 대향하도록 제 2 순수 스트리밍 유닛(300)이 설치된다.
첨부된 도 2 또는 도 3을 참조하면, 제 2 순수 스트리밍 유닛(300)은 다시 제 2 순수 분사 노즐 몸체(310), 제 2 순수 분사 노즐 몸체(310)에 연결된 제 2 순수 공급 배관(320), 제 2 순수 공급 배관(320)에 연결된 제 2 순수 공급 유닛(330)으로 구성된다. 이때, 제 2 순수 공급 유닛(330)에서 공급되는 제 2 순수는 앞서 설명한 제 1 순수 공급/배출 유닛(500)으로부터 제 1 챔버(110)로 공급되어 웨이퍼의 잔류물 및 분술물에 의하여 오염된 제 1 순수보다 청정하도록 한다.
제 2 순수 분사 노즐 몸체(310)는 제 1 챔버(310)의 측벽에 형성된 웨이퍼(1)의 원주면(1a)과 대향하도록 일렬로 형성된 복수개의 관통공에 설치된다.
이때, 제 2 순수 분사 노즐 몸체(310)는 제 1 챔버(310)의 수면과 인접한 곳에 설치되도록 함으로써, 제 2 순수 공급 유닛(330) 및 제 2 순수 공급 배관(320)을 통하여 공급된 제 2 순수가 제 2 순수 분사 노즐 몸체(310)로부터 분사된다.
이때, 제 2 순수 분사 노즐 몸체(310)로부터 분사된 초순수는 웨이퍼를 지나가면서 제 2 순수 분사 노즐 몸체(310)와 대향하는 제 1 챔버(110)의 측벽에 형성된 슬릿 형상의 개구(113)를 통하여 포집 유닛(400)으로 배출된다.
이때, 제 2 순수 분사 노즐 몸체(310)로부터 분사된 제 2 순수의 흐름 방향과 웨이퍼(1)의 면은 평행하도록 하는 것이 바람직하며, 다르게는 제 2 순수 분사 노즐 몸체(310)로부터 분사된 제 2 순수의 흐름 방향이 웨이퍼(1)의 면과 소정 각도를 이루도록 하는 것 또한 바람직하다.
이때, 제 2 순수 분사 노즐 몸체(310)와 웨이퍼(1)의 면이 이루는 각도는 제 2 순수 분사 노즐 몸체(310)로부터 분사된 제 2 순수가 웨이퍼 보트(210)에 고정된 웨이퍼(1)와 웨이퍼(1)의 사이를 통과되도록 하는 범위 내에서 조정하도록 한다.
한편, 제 2 순수 분사 노즐 몸체(310)는 앞서 설명한 방법 이외에 제 2 순수분사 노즐 몸체(310)를 수평에 대하여 소정 각도 상방을 향하도록 하는 것 또한 무방하다.
이와 같은 구성을 갖는 제 2 순수 스트리밍 유닛(300)은 제 1 챔버(110)의 일측면으로부터 타측면 방향으로 강력한 제 2 순수의 흐름을 발생시키는 바, 제 1 순수에 의하여 린싱된 웨이퍼(1)가 웨이퍼 업-다운 유닛(200)에 의하여 제 1 순수로부터 리프트되는 순간 제 2 순수의 강력한 흐름에 의하여 웨이퍼(1)에 재부착된 각종 잔류물, 파티클 등을 다시 한번 웨이퍼(1)로부터 이탈된다.
이때, 웨이퍼(1)에 재부착된 각종 잔류물, 피티클 등은 제 2 순수에 혼합된 상태로 포집 유닛(400)의 포집 몸체(410)로 수납된 후 드레인된다.
이외에도 제 2 순수 스트리밍 유닛(300)에 의한 제 2 순수의 흐름은 웨이퍼(1)가 제 1 순수로부터 리프트되는 순간 웨이퍼(1)에 형성되려 하는 물방울의 형성을 억제하는 역할도 겸한다.
이밖에도, 제 2 순수 스트리밍 유닛(300)에 의한 제 2 순수의 흐름에 의하여 제 2 순수의 상부에는 제 2 순수의 흐름과 동일한 방향으로 발생한 기류에 의하여 부가적으로 웨이퍼(1)의 1차 건조가 이루어지도록 한다.
첨부된 도 4a 내지 도 4g에는 본 발명에 의한 웨이퍼 클리닝 설비의 클리닝 방법을 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
상세한 설명을 위하여 첨부된 도 2도 함께 참조하면, 먼저, 도 4a에 도시된 바와 같이 선행 반도체 공정이 종료된 후, 본 발명에 의한 웨이퍼 클리닝 설비(100)로 이송된 웨이퍼(1)가 외부 웨이퍼 트랜스퍼(미도시)에 의하여 지지된상태에서, 웨이퍼(1)는 도 4b에 도시된 바와 같이 제 2 챔버(120)가 도 2에 도시된 슬라이딩 유닛(130)에 의하여 제 1 챔버(110)의 일측으로 슬라이딩된다.
외부 웨이퍼 트랜스퍼(미도시)는 제 1 순수가 채워진 제 1 챔버(110)의 내부에 위치한 웨이퍼 업-다운 유닛(230)의 웨이퍼 보트(210)에 웨이퍼(1)를 안착시키고, 웨이퍼 업-다운 유닛(230)은 웨이퍼(1)를 이미 공급된 제 1 순수의 내부에 담그기 시작한다.
이어서, 웨이퍼 보트(210)에 안착된 웨이퍼(1)는 도 4c에 도시한 바와 같이 제 1 챔버(110)에 내부에 수납된 제 1 순수에 전체가 담그어져 웨이퍼(1)의 클리닝이 진행되고, 이후, 도 4d에 도시된 바와 같이, 제 2 챔버(120)가 제 1 챔버(110)의 상부에 겹쳐져 제 2 챔버(120)와 제 1 챔버(110)의 사이에 소정 공간이 형성되도록 한다.
이후, 도 4e에 도시된 바와 같이 웨이퍼 업-다운 유닛(230)에 의하여 웨이퍼(1)가 제 1 챔버(110)로부터 제 2 챔버(120)로 서서히 리프트되면서 제 2 챔버(120)로부터는 상온의 이소프로필렌알콜과 질소 가스의 혼합 기체가 리프트되는 웨이퍼(1)의 표면에 작용하여 웨이퍼(1)의 표면을 건조시키기 시작한다.
이때, 제 2 순수 스트리밍 유닛(300)에 의하여 발생한 제 2 순수의 흐름에 의하여 리프트되는 웨이퍼(1)의 표면에 재부착된 잔류물 및 파티클은 다시 한번 제거됨과 동시에 웨이퍼(1)의 표면에 형성되려 하는 물방울 역시 강한 제 2 순수의 흐름에 의하여 웨이퍼(1)의 표면에 형성되지 않게 된다.
이와 같은 과정을 거치면서 점차적으로 리프트된 웨이퍼(1)는 도 4f에 도시된 바와 같이 제 1 챔버(110)의 제 1 순수 및 제 2 순수로부터 완전히 리프트된 후 웨이퍼(1)의 건조가 계속 진행되는 바, 웨이퍼(1)가 제 1 챔버(110)로부터 제 2 챔버(120)로 리프트되는 과정 중 이미 건조가 시작되었기 때문에 도 4f에서 웨이퍼(1)가 건조되는 시간은 종래에 비하여 매우 짧다.
이후, 웨이퍼(1)의 건조가 모두 수행되면 도 4g에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(1)를 언로딩하기 위하여 제 1 챔버(110)에 수납된 제 1 순수가 배출된 후, 제 2 챔버(120)에 위치한 웨이퍼(1)는 제 1 챔버(110)으로 이송된다.
이후, 제 2 챔버(120)가 제 1 챔버(110)로부터 슬라이드 이동된 후, 제 1 챔버(110)에 위치한 웨이퍼(1)는 제 2 챔버(120) 위치까지 리프트된 후, 외부 웨이퍼 트랜스퍼(미도시)에 의하여 후속 공정으로 이송된다.
이상에서 상세하게 설명한 바에 의하면, 웨이퍼를 제 1 순수에 투입하는 과정에서 클리닝을 진행한 후, 웨이퍼를 건조하는 과정에서 웨이퍼에 재부착되는 잔류물 및 파티클을 제 1 순수보다 청정한 제 2 순수에 의하여 다시 한번 제거함으로써 웨이퍼에 부착되는 파티클의 개수를 절대적으로 감소시켜 클리닝 공정 후 웨이퍼에 잔류하는 잔류물 및 파티클에 의한 후속 공정 불량이 발생하지 않도록 한다.
또한, 웨이퍼를 제 1 순수에 의하여 클리닝한 후 제 1 순수로부터 리프트하는 과정에서 제 2 순수의 스트림에 의하여 웨이퍼에 물방울이 형성되지 않도록 함으로써 웨이퍼를 건조하는데 소요되는 시간이 증가되는 것을 방지하며, 물방울에 의한 워터마크 현상이 발생하지 않도록 한다.
또한, 웨이퍼에 부착되었던 잔류물 및 파티클은 제 2 순수의 흐름에 의하여 포집 유닛으로 공급됨으로써 제 1 순수에 포함된 잔류물 및 파티클의 농도를 현저하게 감소시키는 효과가 있다.
또한, 웨이퍼가 제 1 순수로부터 리프트되는 순간 제 2 순수의 흐름에 의하여 발생한 기류에 의하여 웨이퍼의 건조가 진행됨으로써 웨이퍼를 건조시키는데 소요되는 전체 시간이 크게 단축되는 효과가 있다.

Claims (8)

  1. 상부가 개구된 제 1 챔버, 하부가 개구된 상태로 상기 제 1 챔버와 대향하는 제 2 챔버, 상기 제 1 챔버 및 제 2 챔버를 일치, 어긋나게 상대 운동시키는 슬라이드 유닛을 포함하는 클리닝 챔버 유닛과;
    상기 제 1 챔버에 제 1 순수를 공급/배출시키는 제 1 순수 공급/배출 유닛과;
    상기 제 2 챔버에 웨이퍼 건조용 기체를 공급하는 건조기체 공급장치와;
    상기 제 1 챔버의 내부에 공급된 상기 제 1 순수에 적어도 1 매 이상의 웨이퍼를 투입, 상기 제 2 챔버로 상기 웨이퍼를 리프트 시키는 웨이퍼 업-다운 유닛과;
    상기 웨이퍼의 원주면과 대향하도록 상기 제 1 챔버에 형성된 관통공에 설치되어 상기 제 1 순수의 계면 아래에서 상기 웨이퍼를 스쳐 통과하도록 상기 제 1 순수보다 불순물 농도가 낮은 제 2 순수를 분사하는 제 2 순수 분사 노즐 몸체와 상기 제 2 순수 분사 노즐 몸체와 연결된 제 2 순수 공급관과 상기 제 2 순수 공급관에 연통된 제 2 순수 공급유닛을 포함하는 제 2 순수 스트리밍 유닛과;
    상기 제 2 순수 스트리밍 유닛에 의하여 상기 웨이퍼를 통과한 상기 제 2 순수 및 상기 웨이퍼에 부착되었던 불순물이 수거되는 포집 유닛을 포함하는 웨이퍼 클리닝 설비.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 순수 분사 노즐 몸체는 수평에 대하여 상부로 소정 각도 기울기를 갖도록 설치된 웨이퍼 클리닝 설비.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 순수 분사 노즐 몸체는 적어도 1 개 이상인 웨이퍼 클리닝 설비.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 순수 분사 노즐 몸체로부터 분사된 제 2 순수의 흐름 방향과 상기 웨이퍼는 수직을 이루지 않는 웨이퍼 클리닝 설비.
  6. 삭제
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 건조 기체는 인위적으로 가열하지 않은 웨이퍼 클리닝 설비.
  8. 삭제
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