JP2006086411A

JP2006086411A - 基板処理装置

Info

Publication number: JP2006086411A
Application number: JP2004271167A
Authority: JP
Inventors: Akio Hashizume; 彰夫橋詰
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2004-09-17
Filing date: 2004-09-17
Publication date: 2006-03-30

Abstract

【課題】洗浄後にシリル化処理を行ってドライプロセスによるダメージを回復させることにより、低誘電率被膜の特性を回復させることができる。
【解決手段】洗浄ユニット２３で洗浄処理を行った後、シリル化ユニット３３でシリル化材料を基板Ｗに供給してシリル化処理を行うので、洗浄により清浄化されてダメージ部分が露出した被膜がシリル化され、その被膜の誘電率を元の状態に戻すことができる。したがって、ダメージ部分をエッチングして除去する等の余分な処理を行うことなく、低誘電率被膜の特性を回復させることができる。また、洗浄ユニット２３による洗浄処理に続けてシリル化ユニット３３によるシリル化処理に移ることにより、洗浄により露出した部分が酸化する等の悪影響を防止できる。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板（以下、単に基板と称する）等の基板に対して処理を行う基板処理装置に係り、特に、ドライプロセスにより低誘電率被膜にダメージを受けた基板を処理する技術に関する。

近年、半導体分野においては集積度が急激に高くなっており、その一手法として多層化ということも行われている。そのためには層間絶縁が必要不可欠であるが、多層化に伴う寄生容量に起因して動作速度等の低下を抑制するために、被膜には低誘電率材料が用いられるのが一般的である。なお、ここでいう低誘電率とは、酸化膜ＳｉＯ₂よりも比誘電率（ｋ）が低いことである。

具体的には、低誘電率材料によって基板の表面に被膜を形成し、その上に所定パターンのマスクを形成した後にドライエッチングを行い、マスクをアッシングで剥離する等の処理を繰り返して多層化を進めてゆく。このときドライエッチング及びアッシングでは、基板に反応生成物が付着するので、それを除去するための洗浄を行う（例えば、特許文献１参照）。
特開２００２−２０８５７７号公報

しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。

すなわち、従来の装置は、反応生成物を除去することができるものの、被膜の表面には被膜の誘電率が高くなるというダメージが残る。そこで、従来は、エッチングを過剰に行うオーバエッチにより、被膜のうちダメージを受けた部分を除去する必要がある。したがって、デザインルールを緩くする必要があって、多層化による高集積化の妨げとなっている。または、ダメージに対する処置を何ら行わず、ダメージがあっても許容される動作速度内での設計を行う必要があり、多層化の設計における自由度が低いという問題がある。

また、低誘電率材料で多層化を図っていない場合であっても、低誘電率被膜を用いている場合があるが、この場合には誘電率が劣化したまま使用する必要が生じるという問題がある。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、洗浄後にシリル化処理を行ってドライプロセスによるダメージを回復させることにより、低誘電率被膜の特性を回復させることができる基板処理装置を提供することを目的とする。

本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。

すなわち、請求項1に記載の発明は、低誘電率被膜が被着されている基板をドライプロセスにより処理し、低誘電率被膜にダメージを受けた基板を処理する基板処理装置において、前記基板上に生成された反応生成物を除去する洗浄ユニットと、前記洗浄ユニットで処理された基板に対して、前記低誘電率被膜の誘電率を回復させるシリル化材料を供給手段から供給してシリル化処理を行うシリル化ユニットと、を備えていることを特徴とするものである。

［作用・効果］請求項1に記載の発明によれば、ドライプロセスによりダメージを受けた被膜を有する基板に対して、洗浄ユニットで洗浄処理を行った後、シリル化ユニットの供給手段からシリル化材料を供給してシリル化処理を行う。すると、洗浄により清浄化されてダメージ部分が露出した被膜がシリル化され、その被膜の誘電率を元の状態に戻すことができる。したがって、ダメージ部分をエッチングして除去する等の余分な処理を行うことなく、低誘電率被膜の特性を回復させることができる。また、洗浄ユニットによる洗浄処理に続けてシリル化ユニットによるシリル化処理に移ることにより、洗浄により露出した部分が酸化する等の悪影響を防止できる。

本発明において、供給手段は、ＳｉＯＣを含むの低誘電率材料を供給することが好ましく（請求項２）、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）を含む低誘電率材料を供給することが好ましい（請求項３）。これらをシリル化材料として供給することにより、ダメージを受けた被膜の誘電率を回復させることができる。

また、本発明において、シリル化ユニットは、基板を収容するためのチャンバー内を減圧する減圧手段と、基板を加熱する加熱手段とをさらに備え、前記供給手段からシリル化材料を供給する際には、前記加熱手段で基板を加熱し、前記減圧手段で減圧を行うことことが好ましい（請求項４）。加熱手段で加熱するとともに減圧手段で減圧した環境下で基板を処理することにより、シリル化材料を被膜の細かいパターン部分にまで浸透させることができるとともに、シリル化の反応を早めることができる。

また、本発明において、シリル化ユニットは、チャンバー内に不活性ガスを供給するガス供給手段をさらに備えていることが好ましい（請求項５）。不活性ガスでチャンバー内の気体をパージした状態でシリル化処理を行うことにより、例えば、被膜下で露出している配線材料や基板が酸化する等の悪影響を防止できる。

また、本発明において、シリル化ユニットは、基板を冷却する冷却手段をさらに備えていることが好ましい（請求項５）。反応を早めるために加熱手段で基板を加熱した後、基板を搬出する前に基板を冷却することで、次の処理に短時間の内に搬送できる。

なお、本明細書は、次のような「基板処理方法」に係る発明も開示している。

（１）低誘電率被膜が被着されている基板をドライプロセスで処理した後、低誘電率被膜にダメージを受けた基板を処理する基板処理方法において、
基板上に生成された反応生成物を洗浄ユニットで除去する過程と、
前記過程に続いて、低誘電率被膜の誘電率を回復させるシリル化材料を供給してシリル化ユニットでシリル化処理を行う過程と、
を同一装置内において実施することを特徴とする基板処理方法。

前記（１）に記載の発明によれば、洗浄ユニットにおける洗浄の後、続いてシリル化ユニットでシリル化処理を行うと、洗浄により清浄化されてダメージ部分が露出した被膜がシリル化され、その被膜の誘電率を元の状態に戻すことができる。したがって、ダメージ部分をエッチングして除去する等の余分な処理を行うことなく、低誘電率被膜の特性を回復させることができる。また、続けてシリル化処理に移ることにより、洗浄により露出した部分が酸化する等の悪影響を防止できる。

（２）前記（１）に記載の基板処理方法において、前記シリル化材料として、ＳｉＯＣを含むの低誘電率材料を供給することを特徴とする。これをシリル化材料として供給することにより、ダメージを受けた被膜の誘電率を回復させることができる。

前記（２）に記載の発明によれば、前記シリル化材料として、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）を含む低誘電率材料を供給することを特徴とする基板処理方法。

本発明に係る基板処理装置によれば、洗浄ユニットで洗浄処理を行った後、シリル化ユニットの供給手段からシリル化材料を供給してシリル化処理を行うと、洗浄により清浄化されてダメージ部分が露出した被膜がシリル化され、その被膜の誘電率を元の状態に戻すことができる。したがって、ダメージ部分をエッチングして除去する等の余分な処理を行うことなく、低誘電率被膜の特性を回復させることができる。また、洗浄ユニットによる洗浄処理に続けてシリル化ユニットによるシリル化処理に移ることにより、洗浄により露出した部分が酸化する等の悪影響を防止できる。

以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。

図１は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。

この基板処理装置は、図１の左側からインデクサユニット１と、第１ユニット部３と、中継部５と、第２ユニット部７とを備えている。インデクサユニット１は、基板Ｗを複数枚収容したカセットＣを載置する搬入部９と、第１ユニット部３及び第２ユニット部７で処理が施された基板Ｗを収容するカセットＣを載置する搬出部１１とを備えた載置台１３を備えている。載置台１３の右側には、カセットＣとの間で基板Ｗを受け渡すための搬入出機構１５が設けられている。この搬入出機構１５は、載置台１３に載置されたカセットＣに沿って移動自在に構成された搬入出ロボット１７と、第１ユニット部３との間で基板Ｗを受け渡すための中継台１９とを備えている。

なお、本装置は、主としてドライプロセスを行った基板Ｗを対象にして処理を行うものであり、その基板ＷがカセットＣに収納されて載置台１３の搬入部９に載置される。

第１ユニット部３は、基板Ｗを搬送するための搬送部２１と、この搬送部２１を挟んで２個ずつ対向して配置された合計４個の洗浄ユニット２３とを備えている。搬送部２１は、搬入出機構１５の中継台１９との間で基板Ｗを受け渡すとともに、各洗浄ユニット２３との間で基板Ｗを受け渡す搬送ロボット２５を備えている。この搬送ロボット２５は、並設されている洗浄ユニット２３に沿って直線的に移動可能であり、基板Ｗを当接支持する、平面視Ｃの字状の支持部２７を備えている。また、支持部２７は、鉛直軸周りに回転可能であり、各洗浄ユニット２３に対してアクセス可能になっている。

第１ユニット部３の第２ユニット部７側に配設されている中継部５は、中継台２９を備えている。この中継台２９は、第１ユニット部３と第２ユニット部７との間で基板Ｗを搬送する際に、受け渡しのために一時的に基板Ｗが載置される。

第２ユニット部７は、基板Ｗを搬送するための搬送部３１と、この搬送部３１を挟んで２個ずつ対向配置された計４個のシリル化ユニット３３とを備えている。搬送部３１は、中継台２９との間で基板Ｗを受け渡すとともに、各シリル化ユニット３３との間で基板を受け渡す搬送ロボット３５を備えている。搬送ロボット３５は、並設されているシリル化ユニット３３に沿って直線的に移動可能であり、基板Ｗを当接支持する、平面視Ｃの字状の支持部３７を備えている。また、支持部３７は、鉛直軸周りに回転可能であり、各シリル化ユニット３３に対してアクセス可能になっている。

次いで、図２を参照して洗浄ユニット２３について説明する。なお、図２は、洗浄ユニットの概略構成を示す縦断面図である。

洗浄ユニット２３は、チャンバー３９の内部に、基板Ｗを水平姿勢で支持するスピンチャック４１と、このスピンチャック４１の周囲を囲うカップ４３と、スピンチャック４１の上方で除去液を供給するノズル４５と、同様に純水を供給するノズル４７とを備えている。スピンチャック４１は、スピンモータ４９の回転軸に連結されており、鉛直軸周りに回転駆動される。

ノズル４５は、スピンチャック４１の上方にあたる供給位置と、カップ４３の側方に外れた待機位置とにわたり移動可能に構成されている。このノズル４５には、除去液供給源５１に連通接続された配管５３が接続されており、配管５３に設けられた開閉弁５５によって供給が制御される。また、ノズル４７は、同様の供給位置と待機位置とにわたって移動可能である。ノズル４７には、純水供給源５７に連通接続されている配管５９が連通されている。ノズル４７からの供給は、配管５９に配設された開閉弁６１によって制御される。

なお、除去液供給源５１は、基板Ｗをドライプロセスにより処理した際に基板Ｗに生じた反応生成物を除去するための除去液が貯留されている。なお、ドライプロセスとしては、基板Ｗのレジストマスクを灰化するアッシングや、ドライエッチングなどが例示される。これらのドライプロセスを施すと、レジストや薄膜に起因する反応生成物としてポリマーが生じる。このポリマーを溶解除去するのが除去液であり、例えば、有機物を除去する有機物除去液や、反応生成物を除去する反応生成物除去液、詳細にはポリマー除去液である。除去液は、薄膜に対して有機物を選択的に除去する液であり、具体的には有機アルカリ液を含む液体、有機アミンを含む液体、フッ化アンモン系物質を含む液体、無機酸を含む液体が使用できる。

このように構成されている洗浄ユニット２３による処理は、例えば、次のようにして行われる。

まず、チャンバー３９の図示しないシャッターを開放し、搬送ロボット２５で基板Ｗを搬入してスピンチャック４１に載置する。そして基板Ｗをスピンチャック４１に固定した後、スピンモータ４９を回転させるとともにノズル４５を処理位置に移動させる。次いで、スピンモータ４９が所定の回転数に到達すると、開閉弁５５を開放して除去液を基板Ｗの表面に供給する。この供給を所定時間行った後、開閉弁５５を閉止し、ノズル４５を待機位置に戻す。そして、ノズル４７を供給位置に移動した後、開閉弁６１を開放して所定時間だけ純水を供給し、基板Ｗに付着している除去液を洗い流す。その後、開閉弁６１を閉止して純水供給を停止し、ノズル４７を待機位置に戻すとともに、スピンモータ４９の回転数を高速回転に切り換えて純水を振り切って基板Ｗを乾燥させる。そして、チャンバー３９から基板Ｗを搬出する。

次いで、図３を参照してシリル化ユニット３３について説明する。なお、図３は、シリル化ユニットの概略構成を示す縦断面図である。

このシリル化ユニット３３は、チャンバー６３と、チャンバー６３の側面に形成されている搬入出口６５を開閉するシャッター６７と、チャンバー６３の下部に配備されている載置プレート６９とを備えている。チャンバー６３の上部には、滞留部７１の下部に拡散板７３を備えた上方供給部７５が配備されている。上方供給部７５には上部に供給口７７が形成されており、ここには配管７９が連通接続されている。配管７９は、三方弁８１を介して配管８３，８５が連通されている。配管８３は、窒素ガス供給源８７に連通され、配管８５は、シリル化材料供給源８９に連通されている。窒素ガスの供給は開閉弁９１で制御され、シリル化材料の供給は開閉弁９３で制御される。

なお、上方供給部７５が本発明における供給手段及びガス供給手段に相当する。

載置プレート６９は、平面視で正三角形の頂点に対応する各位置に当接ピン９５を備え、環状部材９７とともに一体的に昇降する。また、載置プレート６９は、本発明の加熱手段に相当する加熱ヒータ９９を内蔵しており、上面に載置された基板Ｗを加熱する。図３における載置プレート６９の左側にあたる搬入出口６５側には、第１排気口１０１が配設され、図３における載置プレート６９の右側には、第２排気口１０３が配設されている。これらには、それぞれ図示しない排気ポンプが接続されている。

載置プレート６９を挟んで搬入出口６５の反対側には、奥側供給部１０５が配設されている。奥側供給部１０５は、チャンバー６３を仕切るように取り付けられたフィルタ１０６と、このフィルタ１０６によって形成されている空間１０７と、この空間１０７に窒素ガスを供給する供給口１０９とを備えている。供給口１０９には、開閉弁１１１が取り付けられ、窒素ガス供給源１１３に連通された配管１１５が連津接続されている。

チャンバー６３の上部であって滞留部７１の外周部には、滞留部７１を囲うように冷却管１１７が配設されている。本発明の冷却手段に相当する冷却管１１７には、図示しない冷却液供給源から冷却液が供給されて、滞留部７１に滞留している窒素ガスを所定の温度に冷却してから基板Ｗに対して供給するようになっている。

なお、シリル化材料は、基板Ｗに被着されている低誘電率被膜の成分に応じて選択すればよい。例えば、ＳｉＯＣを含む低誘電率材料やＨＭＤＳを含む低誘電率材料が挙げられる。

ドライプロセスにより誘電率の劣化というダメージが加わった被膜に対して、低誘電率材料（例えば、ＳｉＯＣを含む低誘電率材料やＨＭＤＳを含む低誘電率材料）を供給すると、被膜のダメージを受けている表面部分において誘電率の劣化が回復する。これは、ダメージを受けた部分において、有機化合物上の活性な水素が３換シリル基（ＳｉＲ₃）で置換されるシリル化が生じ、被膜の誘電率が回復するためと考えられる。

次に、図４から図８を参照して、上述した基板処理装置による基板Ｗの処理について説明する。図４は、基板の一部断面を模式的に示した図であり、（ａ）はドライプロセス時を、（ｂ）はドライプロセス後を、（ｃ）は洗浄処理後を、（ｄ）はシリル化処理後を示す。また、図５〜図８は、シリル化処理における装置の状態を示した模式図であり、図９は、シリル化処理のタイムチャートである。

この例で説明する基板Ｗは、図４（ａ）に示すように、下層に銅配線１２１を備え、その上部に、ストッパー膜１２３と、低誘電率被膜１２５と、低誘電率被膜１２７と、レジストマスク１２９とを順に被着され、所定パターンが形成されたレジストマスク１２９を介してエッチングされているものとする。

この基板Ｗを図４（ａ）に示すようにドライプロセスでアッシングすると、図４（ｂ）に示すように、レジストマスク１２９が灰化除去される一方で、ストッパー膜１２３と、低誘電率被膜１２５と、低誘電率被膜１２７とは、その表面に反応生成物１３１が生じる。

このような状態の基板ＷをカセットＣに収納し、載置台１３の搬入部９に載置する。処理開始をオペレータが指示すると、インデクサユニット１から基板Ｗが搬出され、第１ユニット部３のいずれかの洗浄ユニット２３に基板Ｗが搬入される。そして、上述したように、スピンチャック４１に基板Ｗを固定した状態で回転させ、ノズル４５から除去液を供給して、反応生成物１３１の除去を行う。その後の状態を示したのが図４（ｃ）である。

洗浄ユニット２３により、基板Ｗの各膜１２３，１２５，１２７に生じていた反応生成物１３１は除去される（図４（ｃ））。しかし、反応生成物１３１が完全に除去されても、各膜１２３，１２５，１２７には、ダメージ１３３が残る。このダメージ１３３の存在により、各例誘電率被膜１２５，１２７は誘電率が高くなった状態となる。

洗浄ユニット２３による処理が終わった後、搬送ロボット２５により基板Ｗを搬出し、中継台２９を経由して、搬送ロボット３５により基板Ｗをいずれかのシリル化ユニット３３に搬入する。

まず、図５に示すように、シャッター６７を移動して、チャンバー６３の搬入出口６５を開放する。このとき、開閉弁１１１を開放するとともに、第１排気口１０１から排気を行う。これにより、開放された搬入出口６５からチャンバー６３内に外気が侵入することを防止できる。次いで、図６に示すように、当接ピン９５を上昇させ、搬送ロボット３５の支持部３７から基板Ｗを受け取った後、搬送ロボット３５の支持部３７をチャンバー６３内から退出させる。そして、開閉弁１１１を閉止するとともに、三方弁８１を開閉弁９１側に切り換えてから開閉弁９１を開放する。また、第１排気口１０１及び第２排気口１０３から排気を行う。さらに、当接ピン９５を下降させて、基板Ｗを載置プレート６９の上面に載置する。この排気により、図９に示すように、チャンバー６３内の圧力は、大気圧Ｐ０から、これよりも低い圧力Ｐ２に向かって下がってゆく。なお、この時間に相当する時点ｔ０〜ｔ１までは、例えば、３０［ｓｅｃ］程度であり、圧力Ｐ２は、例えば、２０［ｋＰａ］程度である。

次に、圧力Ｐ２に到達した時点ｔ１において、開閉弁９１を閉止するとともに、三方弁１５を開放弁９３側に切り換えてから開閉弁９３を開放する。これにより、図７に示すように供給口７７からシリル化材料が供給され、上方供給部７５より基板Ｗに向けてシリル化材料が供給される。なお、第１排気口１０１及び第２排気口１０３からの排気は弱くしておく。また、このとき、載置プレート６９に内蔵されている加熱ヒータ６９で基板Ｗを加熱するのが好ましい。加熱温度は、例えば、１２０〜１４０℃程度である。これにより、減圧と加熱の作用により、低誘電率被膜１２５，１２７の細かいパターン部分にまでシリル化材料を浸透させることができる（図４（ｄ））。

上記の状態をｔ１時点からｔ２時点までのＴ１時間（例えば、２０［ｓｅｃ］程度）にわたって維持する。すると、圧力がＰ２からＰ１（例えば、９０［ｋＰａ］程度）にまで上昇する。

ｔ２時点では、開閉弁９３を閉止して三方弁１５を開閉弁９１側に切り換えてから、開閉弁９１を開放するとともに、当接ピン９５を上昇させる（図８）。また、同時に冷却管１１７に冷却液を流通させる。これにより基板Ｗには、上方供給部７５から温度調節された窒素ガスが供給されることになる。この状態を、ｔ３時点まで維持する。ｔ２時点からｔ３時点までは、例えば、１２０［ｓｅｃ］程度である。基板Ｗの温度が１００℃以下、好ましくは室温程度まで冷却されると、第１排気口１０１及び第２排気口１０３からの排気を強めてチャンバー６３内の圧力を低下させ（ｔ３時点からｔ４時点）、これを一定時間維持し（ｔ４時点からｔ５時点）、その後第１排気口１０１及び第２排気口１０３からの排気を弱めて、大気圧Ｐ０にまでチャンバー６３内の圧力を戻す（ｔ５時点からｔ７時点）。チャンバー６３内の圧力が大気圧に戻った後、シャッター６７を移動して搬送ロボット３５により基板Ｗを搬出する。

上述したように、洗浄処理に続いてシリル化処理を終えた基板Ｗは、中継台２９を経由して搬出部１１のカセットＣに収納される。

本実施例装置によると、洗浄ユニット２３で洗浄処理を行った後、シリル化ユニット３３でシリル化材料を基板Ｗに供給してシリル化処理を行うので、洗浄により清浄化されてダメージ部分が露出した被膜がシリル化され、図４（ｄ）に示すようにその被膜の誘電率を元の状態に戻すことができる。したがって、ダメージ部分をエッチングして除去する等の余分な処理を行うことなく、低誘電率被膜の特性を回復させることができる。その結果、多層化を行う基板Ｗでは、その設計自由度を高めることができる。また、洗浄ユニット２３による洗浄処理に続けてシリル化ユニット３３によるシリル化処理に移ることにより、洗浄により露出した部分が酸化する等の悪影響を防止できる。

本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

（１）上述した実施例では、減圧した雰囲気中で基板を加熱してシリル化処理を行っているが、減圧せず非加熱でシリル化処理を施すようにしてもよい。これによりシリル化ユニット３３の構成を簡易化することができる。また、減圧だけ行ったり、非減圧で加熱だけ行ったりしてシリル化を行うようにしてもよい。

（２）上記の構成では、チャンバー６３内に不活性ガスとして窒素ガスを供給しているが、基板の酸化等を防止する気体であればこれ以外の不活性ガスを供給するようにしてもよい。

（３）上述した実施例では、シリル化処理に続けて基板を冷却することにより、次の処理に短時間の内に搬送できるようにしているが、この構成は必須ではなく省略してもよい。これにより装置構成を簡単化できる。また、冷却する場合であっても、上記構成に限定されるものではなく、例えば、載置プレート自体を冷却して基板Ｗを冷却するようにしてもよい。

（４）上記実施例装置では、洗浄ユニット２３とシリル化ユニット３３とを並設しているが、高さ方向に積層配置してもよい。

（５）上述した実施例における洗浄ユニット２３にシリル化材料供給ノズルを設け、洗浄後に同一ユニット内でシリル化処理まで行うように構成してもよい。

実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。洗浄ユニットの概略構成を示す縦断面図である。シリル化ユニットの概略構成を示す縦断面図である。基板の一部断面を模式的に示した図であり、（ａ）はドライプロセス時を、（ｂ）はドライプロセス後を、（ｃ）は洗浄処理後を、（ｄ）はシリル化処理後を示す。シリル化処理における装置の状態を示した模式図である。シリル化処理における装置の状態を示した模式図である。シリル化処理における装置の状態を示した模式図である。シリル化処理における装置の状態を示した模式図である。シリル化処理のタイムチャートである。

符号の説明

Ｗ … 基板
１７ … 搬送ロボット
２３ … 洗浄ユニット
３３ … シリル化ユニット
６３ … チャンバー
７５ … 上方供給部
９９ … 加熱ヒータ
１０１ … 第１排気口
１０３ … 第２排気口
１１７ … 冷却管
１２１ … 銅配線
１２３ … ストッパー膜
１２５，１２７ … 低誘電率被膜
１２９ … レジストマスク
１３１ … 反応生成物
１３３ … ダメージ

Claims

低誘電率被膜が被着されている基板をドライプロセスにより処理し、低誘電率被膜にダメージを受けた基板を処理する基板処理装置において、
前記基板上に生成された反応生成物を除去する洗浄ユニットと、
前記洗浄ユニットで処理された基板に対して、前記低誘電率被膜の誘電率を回復させるシリル化材料を供給手段から供給してシリル化処理を行うシリル化ユニットと、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記供給手段は、ＳｉＯＣを含むの低誘電率材料を供給することを特徴とする基板処理装置。
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記供給手段は、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）を含む低誘電率材料を供給することを特徴とする基板処理装置。
請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記シリル化ユニットは、基板を収容するためのチャンバー内を減圧する減圧手段と、基板を加熱する加熱手段とをさらに備え、
前記供給手段からシリル化材料を供給する際には、前記加熱手段で基板を加熱し、前記減圧手段で減圧を行うことを特徴とする基板処理装置。
請求項１から４のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記シリル化ユニットは、チャンバー内に不活性ガスを供給するガス供給手段をさらに備えていることを特徴とする基板処理装置。
請求項４または５に記載の基板処理装置において、
前記シリル化ユニットは、基板を冷却する冷却手段をさらに備えていることを特徴とする基板処理装置。