WO2018173566A1 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置および基板処理方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2018173566A1
WO2018173566A1 PCT/JP2018/005310 JP2018005310W WO2018173566A1 WO 2018173566 A1 WO2018173566 A1 WO 2018173566A1 JP 2018005310 W JP2018005310 W JP 2018005310W WO 2018173566 A1 WO2018173566 A1 WO 2018173566A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
drying
unit
chamber
liquid
Prior art date
Application number
PCT/JP2018/005310
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
喬 太田
高橋 光和
本庄 一大
Original Assignee
株式会社Screenホールディングス
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社Screenホールディングス filed Critical 株式会社Screenホールディングス
Priority to CN201880014780.1A priority Critical patent/CN110352473B/zh
Priority to KR1020197024817A priority patent/KR102327272B1/ko
Publication of WO2018173566A1 publication Critical patent/WO2018173566A1/ja

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052Wet cleaning only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248Temperature monitoring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67772Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover

Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for drying after processing a substrate with a processing liquid.
  • substrates to be processed include semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, plasma display substrates, FED (Field-Emission-Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, photo Mask substrates, ceramic substrates, solar cell substrates and the like are included.
  • a substrate processing apparatus that processes a substrate with a processing liquid.
  • a substrate processing apparatus includes, for example, a processing unit that supplies a processing liquid to a substrate and then dries the substrate.
  • a typical processing unit includes a spin chuck that holds and rotates a substrate, a chemical solution nozzle that supplies a chemical solution to the substrate, and a rinse solution nozzle that supplies a rinse solution to the substrate.
  • Such a processing unit performs a chemical liquid process, a rinse process, and a spin drying process.
  • the chemical solution is supplied from the chemical solution nozzle to the surface of the substrate rotated by the spin chuck.
  • the supply of the chemical solution is stopped, the rinse solution is supplied from the rinse solution nozzle to the surface of the substrate rotated by the spin chuck, and the chemical solution on the substrate is replaced with the rinse solution.
  • the supply of the rinse liquid is stopped, the substrate is rotated at a high speed by the spin chuck, and the rinse liquid on the substrate is shaken off.
  • DIW deionized water
  • DIW deionized water
  • Patent Document 1 after supplying IPA onto a substrate, the substrate is heated to form a vapor phase film of IPA between and above the fine pattern, and a liquid film of IPA is formed with the vapor phase film. A method for supporting and removing the IPA liquid film outside the substrate in this state is proposed.
  • Patent Document 1 is an excellent method capable of removing IPA outside the substrate without rotating the substrate, and can suppress the collapse of the fine pattern on the substrate.
  • IPA is a liquid having a smaller surface tension than DIW, but the energy that the surface tension exerts on the fine pattern increases as the time that the gas-liquid interface of the IPA contacts the fine pattern is longer. Therefore, by minimizing the time during which the IPA gas-liquid interface is in contact with the fine pattern, the collapse of the fine pattern can be more reliably suppressed or prevented.
  • the present inventor arranges a substrate having a liquid film of low surface tension liquid on the surface thereof in the decompression chamber, and reduces the pressure in the decompression chamber. investigated.
  • the processing chamber for liquid processing has a large volume in order to accommodate large parts such as a spin chuck, and it is difficult to instantaneously depressurize such a large volume space.
  • Such a problem is not limited to the case where drying under reduced pressure is performed after processing with a low surface tension liquid liquid such as IPA, but a drying process that is difficult to execute in the liquid processing unit is performed after substrate processing in the liquid processing unit. This is a problem that occurs widely in some cases.
  • One object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can satisfactorily dry the substrate surface by transporting the substrate to the drying unit while maintaining the state of the substrate surface after processing in the liquid processing unit. It is to be.
  • the low surface tension liquid is removed from the substrate surface by a decompression process while suppressing or preventing the collapse of the pattern on the substrate surface.
  • a substrate processing apparatus includes a liquid processing unit for supplying a processing liquid to the surface of a substrate in the processing chamber, a drying unit for drying the processing liquid on the substrate surface in the drying chamber, and a substrate to the processing chamber.
  • a main transport unit that transports the substrate, a local transport unit that transports the substrate from the processing chamber to the drying chamber, and a drying prevention that prevents drying of the processing liquid on the substrate surface while the substrate is transported by the local transport unit.
  • An anti-drying fluid supply unit for supplying fluid to the substrate surface.
  • the substrate to be processed is carried into the processing chamber of the liquid processing unit by the main transfer unit.
  • the processing liquid is supplied to the substrate in the processing chamber, and the substrate is processed by the processing liquid.
  • the substrate is transported from the processing chamber to the drying chamber, and a drying process for drying the processing liquid on the substrate surface is performed in the drying chamber.
  • the substrate is transferred from the processing chamber to the drying chamber by a local transfer unit provided separately from the main transfer unit.
  • an anti-drying fluid that prevents the processing liquid from drying is supplied to the surface of the substrate being transported. Therefore, the substrate processed by the liquid processing unit is carried into the drying chamber while being maintained in the state after the processing, and is subjected to a drying process by the drying unit. Thereby, it is possible to suppress drying in a state where the substrate surface is inadvertently and not controlled during transport by the local transport unit. That is, the drying process for removing the processing liquid from the surface of the substrate can be performed in a controlled environment in the drying chamber. Accordingly, the substrate can be satisfactorily dried while avoiding adverse effects on the substrate due to inadvertent drying.
  • the liquid processing unit includes a substrate holding unit that holds the substrate horizontally and a processing liquid discharge unit that discharges the processing liquid to the substrate held by the substrate holding unit.
  • the liquid processing unit may further include a substrate rotating unit that rotates the substrate held by the substrate holding unit around a rotation axis along the vertical direction.
  • the anti-drying fluid supply unit includes a nozzle that is provided in a transfer arm of the local transfer unit and that discharges the anti-drying fluid toward a substrate held by the transfer arm.
  • the anti-drying fluid since the anti-drying fluid is discharged toward the substrate from the nozzle provided in the transfer arm of the local transfer unit, the anti-drying fluid can be reliably supplied to the substrate surface being transferred. Thereby, inadvertent drying of the substrate surface during conveyance by the local conveyance unit can be more reliably suppressed.
  • the substrate processing apparatus further includes an arm cooling unit that cools the transfer arm of the local transfer unit to a temperature of the substrate at the time of transfer (for example, normal temperature or less).
  • This configuration can prevent the substrate from being heated during the transfer by the local transfer unit. Thereby, since evaporation of the processing liquid on the substrate surface can be suppressed, inadvertent drying of the substrate surface can be further suppressed.
  • the drying unit includes a decompression unit that decompresses the drying chamber to a pressure lower than atmospheric pressure.
  • the liquid component on the substrate surface can be evaporated by reducing the pressure in the drying chamber to a pressure lower than the atmospheric pressure by the decompression unit, thereby achieving the drying of the substrate surface. Since the drying of the substrate surface by the reduced pressure is completed quickly (for example, instantaneously), the drying process can be performed while suppressing the influence of the surface tension of the treatment liquid on the substrate, particularly the pattern formed on the substrate surface.
  • the drying unit further includes a nozzle that supplies an anti-drying fluid to the surface of the substrate in the drying chamber.
  • the pressure in the drying chamber is reduced, it is preferable that the supply of the drying prevention fluid is stopped and the pressure reduction in the drying chamber proceeds promptly. As a result, the influence of the surface tension of the processing liquid on the substrate can be further reduced.
  • the drying unit includes a substrate heating unit that heats the substrate in the drying chamber.
  • the volume of the drying chamber is smaller than the volume of the processing chamber.
  • a substrate holding unit is provided in the drying chamber, and an anti-drying fluid is supplied from the nozzle to the surface of the substrate held in the substrate holding unit.
  • the local transport unit is configured to transport the substrate along a transport path passing through the local transport chamber, and the drying chamber and the local transport chamber communicate with each other.
  • the substrate is transferred from the processing chamber to the drying chamber in the local transfer chamber.
  • the influence of the processing liquid on the substrate surface being transferred by the local transfer unit is kept in the local transfer chamber. Therefore, the influence of the processing liquid on the main transfer unit and other components of the substrate processing apparatus can be suppressed.
  • the drying chamber has a carry-in opening through which the substrate is carried by the local transport unit, and the local transport unit has a lid unit that seals the carry-in opening. .
  • the local transport unit can carry in the substrate from the carry-in opening of the drying chamber, and the carry-in opening can be sealed with the lid unit. Thereby, it is not necessary to prepare a separate opening / closing mechanism for the carry-in opening.
  • the local transport unit includes a transport arm for transporting a substrate, and the lid unit is provided on the transport arm.
  • the loading opening can be sealed by the lid unit by the operation of transporting the substrate to the drying chamber by the transport arm.
  • the transfer arm may serve as a substrate holding unit that holds the substrate in the drying chamber.
  • the transfer arm may serve as a substrate holding unit that holds the substrate in the drying chamber.
  • the treatment liquid is a low surface tension liquid having a surface tension smaller than that of water.
  • the influence on the substrate due to the surface tension of the processing liquid can be reduced.
  • the substrate can be transported to the drying chamber by the local transport unit while preventing the low surface tension liquid from being dried, and the low surface tension liquid can be dried in a controlled state in the drying chamber. Thereby, the influence on the substrate by the surface tension of the low surface tension liquid can also be suppressed.
  • the anti-drying fluid includes vapor or droplets (mist) of the processing liquid.
  • the concentration of the processing liquid vapor in the atmosphere on the substrate surface is high during transfer by the local transfer unit. Thereby, evaporation of the treatment liquid can be effectively suppressed.
  • the treatment liquid contains an organic solvent
  • the drying prevention fluid contains vapor or droplets (mist) of the organic solvent.
  • An organic solvent is an example of a low surface tension liquid having a lower surface tension than water.
  • the organic solvent as the treatment liquid and the vapor or droplets of the organic solvent as the anti-drying fluid are preferably composed of the same kind of organic solvent, but may be another kind of organic solvent.
  • the main transport unit is disposed in a main transport chamber, and the local transport unit is disposed in a local transport chamber separated from the main transport chamber.
  • the anti-drying fluid for example, vapor or droplets of organic solvent
  • the local transport unit can be retained in the local transfer chamber, so that the influence of the anti-drying fluid on the substrate transferred by the main transfer unit can be suppressed.
  • the substrate processing method includes: a liquid processing step for supplying a processing liquid to the surface of the substrate in the processing chamber; a drying step for drying the processing liquid on the substrate surface in the drying chamber; A main transport step for transporting the substrate into the processing chamber, a local transport step for transporting the substrate from the processing chamber to the drying chamber by a local transport unit, and while the substrate is transported in the local transport step, And a drying prevention fluid supply step of supplying a drying prevention fluid for preventing the drying of the processing liquid to the substrate surface.
  • the drying prevention fluid in the drying prevention fluid supply step, is discharged from the nozzle provided in the transfer arm of the local transfer unit toward the substrate held by the transfer arm. .
  • One embodiment of the substrate processing method further includes an arm cooling step of cooling the transfer arm of the local transfer unit to a temperature of the substrate or less during transfer.
  • the drying step includes a depressurizing step of depressurizing the drying chamber to a pressure lower than atmospheric pressure.
  • One embodiment of the substrate processing method further includes a step of supplying an anti-drying fluid to the surface of the substrate in the drying chamber prior to the drying step.
  • the drying step includes a substrate heating step of heating the substrate in the drying chamber.
  • the volume of the drying chamber is smaller than the volume of the processing chamber.
  • the drying chamber has a loading opening into which a substrate is loaded by the local transport unit, and the method is provided in the local transport unit prior to the drying step.
  • the method further includes the step of sealing the carry-in opening with the lid unit formed.
  • the processing liquid is a low surface tension liquid having a surface tension smaller than that of water.
  • the anti-drying fluid includes vapor or droplets of the processing liquid.
  • the processing liquid includes an organic solvent
  • the drying prevention fluid includes vapor or droplets of the organic solvent
  • FIG. 1A is a plan view for explaining the configuration of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 1B is a schematic elevation view for explaining the configuration of the substrate processing apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining a configuration example of a liquid processing unit provided in the substrate processing apparatus.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view for explaining a configuration example of a drying unit provided in the substrate processing apparatus.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining a configuration example of a local transfer robot provided in the substrate processing apparatus.
  • FIG. 5A is an illustrative plan view for explaining the configuration of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 5A is an illustrative plan view for explaining the configuration of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 5B is a schematic elevation view for explaining the configuration of the substrate processing apparatus according to the second embodiment.
  • FIG. 6A is an illustrative plan view for explaining the configuration of a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 6B is an illustrative elevation view for explaining the configuration of the substrate processing apparatus according to the third embodiment.
  • FIG. 7 is an illustrative elevation view for explaining the configuration of the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention, and shows the configuration of one side of the main transfer chamber.
  • FIG. 8 is an illustrative plan view for explaining the configuration of the substrate processing apparatus according to the fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a view for explaining the configuration of a substrate processing apparatus according to the sixth embodiment of the present invention, and shows a configuration example of a drying unit.
  • FIG. 1A is a plan view for explaining the configuration of a substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention
  • FIG. 1B is an elevation view thereof.
  • the substrate processing apparatus 1 includes a carrier holding unit 2, an indexer robot IR, a plurality of liquid processing units M11 to M14 and M21 to M24 (collectively referred to as “liquid processing unit M”), and a plurality of drying units D11 to D11. D14, D21 to D24 (referred to collectively as “drying unit D”), main transfer robot CR, and local transfer robots LR11 to LR14, LR21 to LR24 (referred to collectively as “local transfer robot LR”).
  • the main transfer robot CR is an example of a main transfer unit
  • the local transfer robot LR is an example of a local transfer unit.
  • the carrier holding unit 2 holds a carrier 3 that is a substrate container for holding a plurality of substrates W in a stacked state.
  • the carrier holding unit 2 is configured to hold a plurality of carriers 3.
  • the indexer robot IR accesses the carrier 3 held by the carrier holding unit 2 to take in and out the substrate W, and transfers the substrate W to and from the main transfer robot CR.
  • the plurality of liquid processing units M and the plurality of drying units D are three-dimensionally arranged so as to form a multilayer structure (a two-layer structure in this embodiment).
  • the main transfer robot CR is disposed in the main transfer chamber 5 that extends linearly from the carrier holding portion 2 in a plan view, and is disposed on both sides of the main transfer chamber 5.
  • Two stacked unit groups G 1, G 2; G 3, G 4 are arranged along the main transfer chamber 5.
  • four stacked unit groups G1 to G4 are arranged around the main transfer robot CR.
  • liquid processing units M11 to M14 and M21 to M24 are arranged in the first layer S1 and the second layer S2 of the substrate processing apparatus 1, respectively, and the substrate processing apparatus 1 has a total of eight liquid processing units M. It has.
  • first layer S ⁇ b> two liquid processing units M ⁇ b> 11 and M ⁇ b> 12; M ⁇ b> 13 and M ⁇ b> 14 are arranged along the main transfer chamber 5 on both sides of the main transfer chamber 5.
  • Four drying units D11 to D14 are arranged on the four liquid processing units M11 to M14, respectively.
  • two liquid processing units M21, M22; M23, M24 are arranged along the main transfer chamber 5 on each side of the main transfer chamber 5.
  • Four drying units D21 to D24 are arranged on the four liquid processing units M21 to M24, respectively.
  • One liquid processing unit M and a drying unit D disposed thereon form a corresponding pair.
  • the laminated unit group G1 is configured by laminating a liquid processing unit M11, a drying unit D11, a liquid processing unit M21, and a drying unit D21 in order from the bottom.
  • the stacked unit group G2 is configured by stacking a liquid processing unit M12, a drying unit D12, a liquid processing unit M22, and a drying unit D22 in order from the bottom.
  • the stacked unit group G3 is configured by stacking a liquid processing unit M13, a drying unit D13, a liquid processing unit M23, and a drying unit D23 in order from the bottom.
  • the stacked unit group G4 is configured by stacking a liquid processing unit M14, a drying unit D14, a liquid processing unit M24, and a drying unit D24 in order from the bottom.
  • the main transfer robot CR can access a total of eight liquid processing units M to deliver a substrate W, and can access a total of eight drying units D to take out the substrate W. Furthermore, the indexer robot IR The substrate W can be transferred between the two.
  • four local transfer robots LR are provided in the first layer S1, and four local transfer robots LR are provided in the second layer S2. More specifically, in the plan view, two local transfer robots LR11, LR12; LR13, LR14 are arranged on each side of the main transfer chamber 5 in the first layer S1. More specifically, on one side of the main transfer chamber 5, in the first layer S1, one local transfer robot LR11 is disposed between the carrier holding unit 2 and the liquid processing unit M11, and the carrier holding unit Another local transfer robot LR12 is arranged at an end portion far from 2. The arrangement of the two local transfer robots LR13 and LR14 on the other side of the main transfer chamber 5 is the same.
  • the four local transfer robots LR21, LR22; LR23, LR24 in the second layer S2 are also arranged in the same manner.
  • the local transfer robots LR11 to LR14 and LR21 to LR24 are arranged in local transfer chambers C11 to C14, C21 to C24 (collectively referred to as “local transfer chamber C”), respectively.
  • the local transfer chamber C forms a transfer space partitioned so as to be separated (separated) from the main transfer chamber 5.
  • one local transfer robot LR is provided for each pair of liquid processing unit M and drying unit D.
  • the local transfer robot LR takes out the substrate W after being processed by the liquid processing unit M from the liquid processing unit M and transfers it to the corresponding drying unit D.
  • the operation examples of the indexer robot IR, the main transfer robot CR, and the local transfer robot LR are outlined as follows.
  • the indexer robot IR takes out an unprocessed substrate W from one of the carriers 3 and passes it to the main transfer robot CR.
  • the main transfer robot CR carries the substrate W received from the indexer robot IR into one of the liquid processing units M.
  • the liquid processing unit M performs a process on the loaded substrate W.
  • the substrate W processed by the liquid processing unit M is unloaded by the local transfer robot LR and transferred to the drying unit D disposed immediately above the substrate W.
  • the drying unit D dries the loaded substrate W.
  • the substrate W after the drying process is unloaded by the main transfer robot CR.
  • the main transfer robot CR passes the substrate W to the indexer robot IR.
  • the indexer robot IR stores the transferred substrate W in one of the carriers 3.
  • the indexer robot IR may operate so as to pass the unprocessed substrate W to the main transport robot CR and receive the processed substrate W from the main transport robot CR immediately before, immediately after, or simultaneously with it.
  • the main transport robot CR may operate to receive an unprocessed substrate W from the indexer robot IR and to pass the processed substrate W to the indexer robot IR immediately before, immediately after, or at the same time.
  • the main transfer robot CR may operate so as to carry the unprocessed substrate W into the liquid processing unit M and to carry out the processed substrate W from the drying unit D immediately after or immediately before.
  • one drying unit D is associated with one liquid processing unit M. And the liquid processing unit M and the drying unit D are laminated
  • the local transport robot LR unloads the substrate W processed by the liquid processing unit M from the liquid processing unit M, transports it to the drying unit D corresponding to the liquid processing unit M, and loads it into the drying unit D. Specifically, the local transport robot LR transports the substrate W taken out from the liquid processing unit M in the vertical direction (more specifically, upward).
  • the main transport robot CR carries the unprocessed substrate W into the liquid processing unit M, and unloads the processed substrate W from the drying unit D.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining a configuration example of the liquid processing unit M.
  • the liquid processing unit M includes a processing chamber 11.
  • a spin chuck 12 as a substrate holding unit which can hold and rotate the substrate W horizontally, a cup 13 surrounding the spin chuck 12, a chemical solution nozzle 14, a rinse solution nozzle 15, and an organic solvent A nozzle 16 is provided.
  • the spin chuck 12 is rotated around a vertical rotation axis 18 by a motor 17 which is an example of a substrate rotation unit.
  • a chemical solution pipe 21 is coupled to the chemical solution nozzle 14.
  • a chemical liquid valve 22 for opening and closing the chemical liquid passage is interposed.
  • the chemical solution is supplied from the chemical solution supply source 23 to the chemical solution pipe 21.
  • a rinse liquid pipe 26 is coupled to the rinse liquid nozzle 15.
  • a rinsing liquid valve 27 for opening and closing the rinsing liquid passage is interposed.
  • the rinse liquid is supplied from the rinse liquid supply source 28 to the rinse liquid pipe 26.
  • the rinse liquid is DIW (deionized water) in this embodiment. Of course, other rinse solutions such as carbonated water may be used.
  • Organic solvent piping 31 is coupled to the organic solvent nozzle 16.
  • An organic solvent valve 32 for opening and closing the organic solvent passage is interposed in the middle of the organic solvent pipe 31.
  • An organic solvent is supplied to the organic solvent pipe 31 from an organic solvent supply source 33 in a liquid state.
  • the organic solvent is an example of a low surface tension liquid having a surface tension smaller than that of the rinsing liquid.
  • Examples of the organic solvent include IPA (isopropyl alcohol) and HFE (hydrofluoroether).
  • a substrate loading opening 37 into which an unprocessed substrate W is loaded by the main transport robot CR, and a substrate unloading opening 38 from which a substrate W processed by the local transport robot LR is unloaded. are formed respectively.
  • the substrate carry-in opening 37 and the substrate carry-out opening 38 are respectively provided with shutters 39 and 40 for opening and closing them.
  • the shutters 39 and 40 are driven to open and close by shutter drive units 41 and 42, respectively.
  • the substrate carry-in opening 37 is an opening that allows the main transfer chamber 5 and the processing chamber 11 to communicate with each other, and is formed in the side wall 35 that partitions the main transfer chamber 5 and the processing chamber 11.
  • the substrate carry-out opening 38 is an opening that allows the processing chamber 11 and the local transfer chamber C to communicate with each other, and is formed on the side wall 36 that divides the processing chamber 11 and the local transfer chamber C.
  • the shutter 39 opens the substrate carry-in opening 37.
  • the hand HC (arm) of the main transfer robot CR holding the unprocessed substrate W enters the processing chamber 11 from the substrate carry-in opening 37 and transfers the substrate W to the spin chuck 12.
  • the hand of the main transfer robot CR that has transferred the substrate W to the spin chuck 12 exits the processing chamber 11 through the substrate transfer opening 37.
  • the shutter drive unit 41 drives the shutter 39 to close the substrate carry-in opening 37.
  • the spin chuck 12 is rotated by the motor 17 and the chemical solution valve 22 is opened.
  • the chemical solution is supplied to the surface of the rotating substrate W, and the chemical solution spreads over the entire surface of the substrate W by centrifugal force.
  • the chemical solution process for treating the substrate W with the chemical solution is executed.
  • closing the chemical liquid valve 22 the supply of the chemical liquid is stopped, and the chemical liquid process is completed.
  • the rinse liquid valve 27 is opened while the spin chuck 12 continues to rotate. Thereby, the rinse liquid is supplied to the surface of the rotating substrate W. The rinse liquid spreads over the entire surface of the substrate W and replaces the chemical solution on the surface of the substrate W. Thus, the rinsing process is executed. By closing the rinse liquid valve 27, the supply of the rinse liquid is stopped, and the rinse process is completed.
  • the organic solvent valve 32 is opened after the end of the rinsing process or immediately before the end of the rinsing process. Thereby, the organic solvent is supplied to the surface of the substrate W in a liquid state.
  • the spin chuck 12 is held in a rotating state. Accordingly, the organic solvent spreads over the entire surface of the substrate W and replaces the rinse liquid on the surface of the substrate W. Thereafter, the rotational speed of the spin chuck 12 is reduced, so that the organic solvent is deposited on the surface of the substrate W, and a thick organic solvent liquid film 10 is formed (organic solvent filling step). The rotation of the spin chuck 12 is stopped while maintaining the liquid accumulation state.
  • An organic solvent is an example of a low surface tension liquid having a smaller surface tension than water.
  • the shutter drive unit 42 drives the shutter 40 to open the substrate carry-out opening 38.
  • the hand LH (arm) of the local transfer robot LR enters the processing chamber 11, receives the substrate W from the spin chuck 12, and passes the substrate W out of the processing chamber 11 through the substrate carry-out opening 38. And carry it out.
  • the local transport robot LR transports the substrate W to the drying unit D while maintaining the organic solvent liquid film 10 on the surface of the substrate W.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view for explaining a configuration example of the drying unit D.
  • the drying unit D has a reduced pressure drying chamber 51 (an example of a drying chamber) composed of a vacuum chamber (vacuum chamber) that can be sealed.
  • the volume of the vacuum drying chamber 51 is smaller than the volume of the processing chamber 11 of the liquid processing unit M, whereby the vacuum drying chamber 51 has a structure that can efficiently depressurize the internal space.
  • a substrate holder 52 as a substrate holding unit that holds the substrate W is disposed in the vacuum drying chamber 51.
  • the substrate holder 52 incorporates a heater 53 as a substrate heating unit, thereby forming a hot plate.
  • a plurality of (three or more) lift pins 54 are disposed through the substrate holder 52. The lift pins 54 are moved up and down by the lift pin lifting / lowering unit 55, thereby moving the substrate W up and down on the substrate holder 52.
  • the reduced pressure drying chamber 51 has a base portion 511 and a movable lid portion 512 that moves up and down with respect to the base portion 511.
  • the movable lid portion 512 is moved up and down relative to the base portion 511 by the lid portion driving unit 56.
  • a drying processing space 50 is defined between the base portion 511 and the movable lid portion 512.
  • the lower end edge portion 58 of the movable lid portion 512 is formed along a plane that follows the upper surface 59 of the base portion 511.
  • an O-ring 60 as a seal member is disposed at a position facing the lower end edge portion 58 of the movable lid portion 512.
  • the exhaust pipe 62 is coupled to the base portion 511.
  • the exhaust pipe 62 communicates with the drying processing space 50.
  • the exhaust pipe 62 is connected to an exhaust unit 63 such as a vacuum pump.
  • An exhaust valve 64 is interposed in the exhaust pipe 62.
  • the exhaust unit 63 is an example of a decompression unit, and by opening the exhaust valve 64 and driving the exhaust unit 63, the drying processing space 50 can be decompressed to a pressure lower than the atmospheric pressure.
  • the movable lid 512 is provided with an organic solvent vapor nozzle 71 for introducing an organic solvent vapor (organic solvent gas) as a dry prevention fluid into the drying treatment space 50.
  • An organic solvent pipe 72 is coupled to the organic solvent vapor nozzle 71.
  • An organic solvent valve 73 is interposed in the middle of the organic solvent pipe 72.
  • the organic solvent pipe 72 is coupled to an organic solvent vapor supply source 74 that supplies an organic solvent vapor (a gaseous organic solvent).
  • the organic solvent vapor supply source 74 includes, for example, a tank 75 that stores the organic solvent liquid 80 and a temperature adjustment unit 76 that adjusts the temperature of the organic solvent liquid 80 in the tank 75 (specifically, heating).
  • the temperature adjustment unit 76 includes, for example, a circulation pipe 77, a pump 78 and a heater 79 interposed in the circulation pipe 77.
  • the organic solvent liquid 80 in the tank 75 is pumped out by the pump 78, led to the circulation pipe 77, heated by the heater 79, and then returned to the tank 75 through the circulation pipe 77.
  • the inlet of the organic solvent pipe 72 is disposed at a position higher than the liquid surface of the organic solvent liquid 80 in the tank 75. Accordingly, the organic solvent vapor existing in the space above the liquid surface of the organic solvent in the tank 75 is supplied to the organic solvent pipe 72.
  • the carrier gas pipe 82 may join the organic solvent pipe 72 as necessary.
  • a carrier gas valve 83 is interposed in the carrier gas pipe 82.
  • the carrier gas pipe 82 is connected to a carrier gas supply source 84 that supplies carrier gas.
  • a nitrogen gas or other inert gas is suitable as the carrier gas.
  • the carrier gas assists the introduction of the organic solvent vapor supplied through the organic solvent pipe 72 into the drying processing space 50. It is preferable that the organic solvent vapor supply source 74 supplies the vapor of the same organic solvent as the organic solvent supplied by the liquid processing unit M.
  • the carrier gas pipe 82 is connected to the upper portion of the tank 75 as shown by a two-dot chain line in FIG. A configuration may be adopted in which carrier gas (nitrogen gas or the like) is directly supplied to a space above the upper limit liquid level. In this case, the organic solvent vapor generated in the tank 75 is introduced into the organic solvent pipe 72 together with the carrier gas.
  • carrier gas nitrogen gas or the like
  • the operation of the drying unit D is outlined as follows.
  • the hand LH of the local transfer robot LR carries the substrate W with the organic solvent liquid film 10 formed on the surface thereof into the drying unit D.
  • the movable lid portion 512 is in an open position away from the base portion 511, whereby a substrate carry-in opening is formed between the movable lid portion 512 and the base portion 511.
  • the lift pin 54 is in a raised position where the tip thereof is spaced upward from the surface of the substrate holder 52.
  • the hand LH of the local transfer robot LR enters between the movable lid portion 512 and the base portion 511 and passes the substrate W to the lift pins 54.
  • the lift pins 54 to which the substrate W has been transferred descend and place the substrate W on the upper surface of the substrate holder 52.
  • the lid drive unit 56 lowers the movable lid 512 and presses it against the base 511 via the O-ring 60. Thereby, the drying process space 50 becomes a sealed space. Further, the exhaust valve 64 is opened and the exhaust unit 63 is driven, whereby the atmosphere in the drying processing space 50 is exhausted and the drying processing space 50 is decompressed.
  • the organic solvent valve 73 and the carrier gas valve 83 are opened, and the organic solvent vapor is supplied into the drying processing space 50 from the organic solvent vapor nozzle 71. Thereby, evaporation of the organic solvent from the organic solvent liquid film 10 on the surface of the substrate W is suppressed, and drying before the start of pressure reduction is suppressed.
  • the organic solvent valve 73 and the carrier gas valve 83 are closed so as not to inhibit the decompression.
  • the organic solvent on the surface of the substrate W is instantly evaporated, whereby the substrate W is dried.
  • the heater 53 is driven to heat the substrate holder 52, the substrate W is heated, so that the drying of the substrate W is also promoted.
  • the exhaust unit 63 is stopped, and the inside of the drying processing space 50 is pressurized to atmospheric pressure by opening the carrier gas valve 83 as necessary.
  • the lid driving unit 56 raises the movable lid 512 and separates it from the base 511. Further, the lift pins 54 rise to lift the substrate W to a height away from the upper surface of the substrate holder 52.
  • the hand HC of the main transport robot CR enters between the movable lid portion 512 and the base portion 511, scoops the processed substrate W from the lift pins 54, and exits to the main transport chamber 5.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining a configuration example of the local transport robot LR.
  • the local transfer robot LR is disposed in the local transfer chamber C.
  • the local transfer chamber C faces the processing chamber 11 of the liquid processing unit M and the reduced-pressure drying chamber 51 of the drying unit D disposed on the processing chamber 11, and when the reduced-pressure drying chamber 51 is opened.
  • the vacuum drying chamber 51 communicates.
  • the local transfer robot LR includes a hand LH (arm) for holding the substrate W and a hand drive unit 90 for driving the hand LH.
  • the hand drive unit 90 moves the hand LH horizontally and vertically, and further rotates the hand LH about the vertical rotation axis 89 as necessary.
  • the hand LH enters the processing chamber 11 of the liquid processing unit M, receives the substrate W from the spin chuck 12, transports the substrate W to the drying unit D, and passes the substrate W into the vacuum drying chamber 51. Can be transferred to the lift pin 54 (see FIG. 3), and then moved out to the local transfer chamber C.
  • the local transfer robot LR Since the drying unit D is disposed on the liquid processing unit M, the local transfer robot LR operates to lift the hand LH to the height of the drying unit D after unloading the substrate W from the liquid processing unit M. To do.
  • the periphery of the substrate W held by the hand LH (particularly near the upper surface of the substrate W) ) Is provided with an organic solvent gas nozzle 91 for supplying an organic solvent vapor as an anti-drying fluid.
  • the organic solvent gas nozzle 91 is connected to the organic solvent gas pipe 92.
  • An organic solvent gas valve 93 is interposed in the organic solvent gas pipe 92.
  • the organic solvent gas pipe 92 is connected to an organic solvent gas supply source 94. It is preferable that the organic solvent gas supply source 94 supplies vapor (gas) of the same organic solvent (for example, IPA) as the organic solvent supplied by the liquid processing unit M.
  • the organic solvent gas nozzle 91 and the like constitute a dry prevention fluid supply unit.
  • the organic solvent gas valve 93 By opening the organic solvent gas valve 93, the organic solvent gas can be supplied into the local transfer chamber C, particularly near the substrate W held by the hand LH. Thereby, the periphery of the organic solvent liquid film 10 on the upper surface of the substrate W becomes an atmosphere having a high concentration of the organic solvent gas. Therefore, the evaporation of the organic solvent constituting the organic solvent liquid film 10 is difficult to proceed, so that the substrate W can be transported from the liquid processing unit M to the drying unit D while the organic solvent liquid film 10 is kept on the substrate W.
  • the relative position between the organic solvent gas nozzle 91 and the hand LH is kept substantially constant, so that the organic matter in the space around the substrate W is also transported by the hand LH.
  • the solvent concentration can be stably maintained at a high value. Thereby, evaporation of the organic solvent can be suppressed or prevented more reliably.
  • the local transfer robot LR may further include a hand cooling unit 97 (arm cooling unit) for cooling the hand LH.
  • the hand cooling unit 97 may be configured to circulate the refrigerant in the refrigerant passage 98 formed in the hand LH. Instead of such a configuration having the refrigerant passage 98, an electronic cooling element (not shown) for cooling the hand LH may be provided.
  • the hand cooling unit 97 may be configured to cool the cooling plate 99 provided in the local transfer chamber C. In this case, the hand LH is brought into contact with the cooling plate 99 while the local transfer robot LR is not holding the substrate W. Thereby, the hand LH is cooled during the non-operation period of the hand LH. By transporting the substrate W by the cooled hand LH, the substrate W can be cooled during the transport, so that evaporation of the organic solvent on the substrate W can be suppressed or prevented.
  • the hand LH may be configured in a plate shape corresponding to the shape of the substrate W.
  • a plate-like hand LH has a notched plate shape in which a notch for avoiding a chuck pin provided in the spin chuck 12 is formed in the periphery for delivery of the substrate W to and from the spin chuck 12. You may do it.
  • an organic solvent gas nozzle 91A for supplying an organic solvent gas into the local transfer chamber C (drying prevention fluid supply) An example of a unit) may be arranged.
  • a mist (droplet) of the organic solvent may be supplied from these nozzles.
  • the substrate W to be processed is carried into the processing chamber 11 of the liquid processing unit M by the main transfer robot CR.
  • the processing liquid is supplied to the substrate W in the processing chamber 11, and the substrate W is processed by the processing liquid.
  • the processing liquid finally supplied to the substrate W in the liquid processing unit M is an organic solvent which is an example of a low surface tension liquid, and the processed substrate W holds the organic solvent liquid film 10 on the surface thereof. .
  • the substrate W is transferred from the processing chamber 11 to the reduced pressure drying chamber 51 by the local transfer robot LR, and a drying process for drying the organic solvent on the surface of the substrate W is executed in the reduced pressure drying chamber 51.
  • the transfer of the substrate W from the processing chamber 11 to the vacuum drying chamber 51 is performed by a local transfer robot LR provided separately from the main transfer robot CR.
  • a local transfer robot LR provided separately from the main transfer robot CR.
  • the substrate W processed in the liquid processing unit M is carried into the reduced-pressure drying chamber 51 in a state after the processing, that is, in a state where the organic solvent liquid film 10 is formed on the surface, and is subjected to a drying process by the drying unit D. receive.
  • drying in the state where the surface of the substrate W is careless and uncontrolled during the transfer by the local transfer robot LR can be suppressed. That is, the drying process for removing the organic solvent from the surface of the substrate W can be performed in the adjusted environment in the vacuum drying chamber 51. Thereby, the adverse effect on the substrate W due to inadvertent drying can be avoided, and the substrate W can be satisfactorily dried.
  • the liquid processing unit M has a spin chuck 12 in the processing chamber 11 and has a relatively large volume. For this reason, it is not practical to decompress the space in the processing chamber 11 and perform drying under reduced pressure. Even if it is possible, it takes a long time to decompress the space having a large volume. Then, since the time during which the pattern on the surface of the substrate W is subjected to the surface tension from the organic solvent becomes longer, the pattern on the surface of the substrate W is influenced by the surface tension (specifically, the pattern of the substrate W is relatively small). There is a risk of damage such as collapse.
  • the substrate W after the processing by the liquid processing unit M is carried into the vacuum drying chamber 51 having a smaller volume, and the vacuum drying processing in the vacuum drying chamber 51 is performed.
  • the organic solvent on the surface of the substrate W can be instantly dried, the collapse of the pattern on the surface of the substrate W can be suppressed or prevented.
  • the organic solvent gas nozzles 91 and 91A are provided in the hand LH of the local transfer robot LR or in the vicinity thereof (specifically, in any part of the transfer arm including the hand LH or in the local transfer chamber C). Has been placed.
  • the organic solvent gas is supplied from the organic solvent gas nozzles 91 and 91A to the surface of the substrate W being transferred by the local transfer robot LR. Accordingly, inadvertent drying of the surface of the substrate W being transferred by the local transfer robot LR can be more reliably suppressed.
  • the substrate W can be prevented from being heated during transfer by the local transfer robot LR. Thereby, since evaporation of the organic solvent on the surface of the substrate W can be suppressed, inadvertent drying of the surface of the substrate W can be further suppressed.
  • the drying unit D is provided with an organic solvent vapor nozzle 71 for supplying organic solvent vapor to the surface of the substrate W.
  • organic solvent vapor nozzle 71 for supplying organic solvent vapor to the surface of the substrate W.
  • the local transfer robot LR is configured to transfer the substrate W along the transfer path passing through the local transfer chamber C.
  • the influence of the organic solvent on the surface of the substrate W being transferred by the local transfer robot LR is kept in the local transfer chamber C. Therefore, the influence of the organic solvent on the main transfer robot CR and other components of the substrate processing apparatus 1 can be suppressed.
  • the main transfer robot CR is arranged in the main transfer chamber 5, and the local transfer robot LR is arranged in the local transfer chamber C separated from the main transfer chamber 5. Thereby, since it can suppress or prevent that the vapor
  • FIG. 5A is an illustrative plan view for explaining the configuration of a substrate processing apparatus 1A according to the second embodiment of the present invention
  • FIG. 5B is an elevation view thereof. 5A and 5B, the same reference numerals are assigned to the corresponding parts of the above-described parts in FIGS. 1A and 1B.
  • a local transfer chamber C is arranged between two stacked unit groups G1, G2 arranged on one side of the main transfer chamber 5, and the local transfer robot LR is placed in the local transfer chamber C. Has been placed.
  • a local transfer chamber C is arranged between two stacked unit groups G3 and G4 arranged on the other side of the main transfer chamber 5, and a local transfer robot LR is arranged in the local transfer chamber C.
  • the plurality of units constituting the laminated unit groups G1 to G4 and the laminated state thereof are the same as in the case of the first embodiment.
  • the main transfer robot CR can access a total of eight liquid processing units M and pass a substrate W, and can access a total of eight drying units D to access a substrate. W can be taken out, and the substrate W can be transferred to and from the indexer robot IR.
  • two local transfer robots LR are provided in the first layer S1, and two local transfer robots LR are provided in the second layer S2. More specifically, in the plan view, one local transfer robot LR11, LR12 is arranged on each side of the main transfer chamber 5 in the first layer S1. More specifically, on one side of the main transfer chamber 5, in the first layer S1, one local transfer robot LR11 is disposed between the liquid processing units M11 and M12. Similarly, one local transfer robot LR12 is disposed between the liquid processing units M13 and M14 on the other side of the main transfer chamber 5.
  • the two local transfer robots LR21 and LR22 in the second layer S2 are similarly arranged.
  • the local transfer robots LR11, LR12, LR21, LR22 are arranged in the local transfer chambers C11, C12, C21, C22, respectively.
  • the local transfer chamber C forms a transfer space partitioned so as to be separated (separated) from the main transfer chamber 5.
  • the local transfer robot LR11 arranged on one side of the main transfer chamber 5 is shared by the two liquid processing units M11 and M12. That is, the local transport robot LR11 takes out the substrate W that has been processed by the liquid processing unit M11 on the side close to the carrier holding unit 2, transports the substrate W in the vertical direction (more specifically, upward), and the liquid processing unit M11. It carries in to drying unit D11 on the top. Further, the local transport robot LR11 takes out the substrate W that has been processed in the liquid processing unit M12 on the side far from the carrier holding unit 2, transports the substrate W in the vertical direction (more specifically, upward), and the liquid processing unit M12. It carries in to drying unit D12 on the top.
  • the local transport robot LR11 transports the substrate W that has been processed in the liquid processing unit M11 on the side close to the carrier holding unit 2 to the drying unit D12 on the liquid processing unit M12 on the side far from the carrier holding unit 2. Also good. Similarly, the local transport robot LR11 transports the substrate W, which has been processed in the liquid processing unit M12 on the side far from the carrier holding unit 2, to the drying unit D11 on the liquid processing unit M11 on the side close to the carrier holding unit 2. May be. More generally, the local transfer robot LR11 includes two liquid processing units M11 and M12 disposed on one side of the main transfer chamber 5 in the first layer S1, and two drying units respectively disposed on them. D11 and D12 can be accessed. Then, the substrate W that has been processed by one liquid processing unit M11, M12 is carried into one of the two drying units D11, D12 by the local transport robot LR11 and subjected to a drying process.
  • the operation of the local transfer robot LR12 arranged on the other side of the main transfer chamber 5 in the first layer S1 is the same. That is, the local transfer robot LR12 is configured to be accessible to the two liquid processing units M13 and M14 and the two drying units D13 and D14, and the local transfer robot LR11 on the opposite side of the main transfer chamber 5 with respect to them. The same operation is performed.
  • the operation of the local transfer robots LR21 and LR22 arranged in the second layer S2 is the same. That is, the local transfer robot LR21 is configured to be accessible to the two liquid processing units M21 and M22 and the two drying units D21 and D22, and performs the same operation as the local transfer robot LR11.
  • the local transfer robot LR22 is configured to be accessible to the two liquid processing units M23 and M24 and the two drying units D23 and D24, and performs the same operation as the local transfer robot LR11.
  • the two local transfer robots LR11 and LR21 arranged on one side of the main transfer chamber 5 are respectively arranged in two local transfer chambers C11 and C21 that overlap in plan view.
  • the two local transfer robots LR12 and LR22 disposed on the other side of the main transfer chamber 5 are respectively disposed in two local transfer chambers C12 and C22 that overlap in plan view.
  • the two local transfer chambers C11, C21; C12, C22 that overlap in the vertical direction may be a single local transfer chamber that communicates vertically. Then, one local transfer robot LR may be arranged in the one local transfer chamber C.
  • the liquid processing unit M11, the drying unit D11, the liquid processing unit M21, and the drying unit D21 are stacked in this order on the carrier holding unit 2 side with respect to the local transfer chamber C.
  • the laminated unit group G1 is located, and the laminated unit group G2 in which the liquid processing unit M12, the drying unit D12, the liquid processing unit M22, and the drying unit D22 are laminated in this order is located on the side far from the carrier holding unit 2.
  • One local transfer robot LR arranged in the local transfer chamber C can access a total of eight units constituting the pair of stacked unit groups G1 and G2.
  • the local transport robot LR carries in one drying unit D11, D12, D21, D22 stacked immediately above one substrate W that has been processed by a certain liquid processing unit M11, M12, M21, M22. It may work.
  • the local transport robot LR can access any one of the four drying units D11, D12, D21, and D22 that can access one substrate W that has been processed by a certain liquid processing unit M11, M12, M21, and M22. You may carry it in one.
  • productivity can be improved by carrying the substrate W into the drying unit D that is not used for processing.
  • the other side of the main transfer chamber 5 has the same configuration, and one local transfer robot LR shared by the two stacked unit groups G3 and G4 can be operated in the same manner.
  • the configuration of this embodiment can reduce the occupation area (footprint) of the substrate processing apparatus 1A.
  • FIG. 6A is an illustrative plan view for explaining the configuration of a substrate processing apparatus 1B according to a third embodiment of the present invention
  • FIG. 6B is an elevation view thereof.
  • the unit arrangement forms a three-layer structure including the first layer S1, the second layer S2, and the third layer S3.
  • three stacked unit groups G11, G12, G13 are arranged along the main transfer chamber 5 on one side of the main transfer chamber 5, and three stacked units are arranged on the other side of the main transfer chamber 5.
  • Groups G14, G15, and G16 are arranged along the main transfer chamber 5.
  • the stacked unit group G11 is configured by stacking three liquid processing units M11, M21, and M31 in order from the bottom.
  • the stacked unit group G13 is configured by stacking three liquid processing units M12, M22, and M32 in order from the bottom.
  • the stacked unit group G12 disposed between the stacked unit groups G11 and G13 is configured by stacking six drying units D11, D12, D21, D22, D31, and D32 in order from the bottom.
  • local transport chambers C11, C21, and C31 are stacked in order from the bottom between the stacked unit groups G11 and G13, and the local transport robots LR11, LR21, and LR31 are respectively disposed therein. ing.
  • the local transfer chambers C11, C21, and C31 are arranged on the opposite side of the main transfer chamber 5 with respect to the stacked unit group G12.
  • the stacked unit group G14 is configured by stacking three liquid processing units M13, M23, and M33 in order from the bottom.
  • the stacked unit group G16 is configured by stacking three liquid processing units M14, M24, and M34 in order from the bottom.
  • the stacked unit group G15 disposed between the stacked unit groups G14 and G16 is configured by stacking six drying units D13, D14, D23, D24, D33, and D34 in order from the bottom.
  • local transfer chambers C12, C22, and C32 are sequentially stacked from the bottom between the stacked unit groups G14 and G16, and the local transfer robots LR12, LR22, and LR32 are respectively disposed therein. ing.
  • the local transfer chambers C12, C22, and C32 are disposed on the side opposite to the main transfer chamber 5 with respect to the stacked unit group G15.
  • a pair of liquid processing units M11 and M12 are arranged on one side of the main transfer chamber 5 along the longitudinal direction in the plan view of the main transfer chamber 5 in the first layer S1.
  • a pair of drying units D11 and D12 and one local transfer robot LR11 are disposed between the pair of liquid processing units M11 and M12.
  • the pair of drying units D11 and D12 are stacked one above the other.
  • the drying units D11 and D12 are arranged at positions close to the main transfer chamber 5, and the local transfer robot LR11 is arranged on the opposite side of the main transfer chamber 5 with respect to the drying units D11 and D12.
  • the local transfer robot LR11 is disposed in the local transfer chamber C11.
  • the local transfer robot LR11 can access the pair of liquid processing units M11 and M12 and the pair of drying units D11 and D12.
  • the local transfer robot LR11 operates to unload the substrate W that has been processed by one liquid processing unit M11, M12 and to load the substrate W into one of the pair of drying units D11, D12.
  • a pair of liquid processing units M13 and M14 are arranged along the longitudinal direction of the main transfer chamber 5 in plan view.
  • a pair of drying units D13 and D14 and one local transfer robot LR12 are arranged between them.
  • the pair of drying units D13 and D14 are stacked one above the other.
  • These drying units D13 and D14 are arranged at positions close to the main transfer chamber 5, and a local transfer chamber C12 is defined on the opposite side of the main transfer chamber 5 with respect to the drying units D13 and D14. LR12 is accommodated.
  • the local transport robot LR12 can access the pair of liquid processing units M13 and M14 and the pair of drying units D13 and D14.
  • the local transfer robot LR12 operates to unload the substrate W that has been processed by one liquid processing unit M13, M14 and to load the substrate W into one of the pair of drying units D13, D14.
  • the unit arrangement of the second layer S2 and the third layer S3 and the operation of the local transfer robot LR in each layer are the same.
  • the second layer S2 includes a pair of liquid processing units M21, M22, a pair of drying units D21, D22 and one local transfer robot LR21 disposed on one side of the main transfer chamber 5, It includes a pair of liquid processing units M23, M24, a pair of drying units D23, D24 and one local transfer robot LR22 arranged on the other side.
  • the third layer S3 includes a pair of liquid processing units M31, M32, a pair of drying units D31, D32 and one local transfer robot LR31 arranged on one side of the main transfer chamber 5, A pair of liquid processing units M33 and M34, a pair of drying units D33 and D34, and one local transfer robot LR32 disposed on the other side are included.
  • the liquid processing unit M and the drying unit D are arranged in a plane (horizontal arrangement), thereby suppressing a total height of the substrate processing apparatus 1B, and a large number of liquid processing units. M and a drying unit D can be provided.
  • the three local transfer robots LR11, LR21, and LR31 arranged on one side of the main transfer chamber 5 are arranged in the three local transfer chambers C11, C21, and C31 that overlap in a plan view.
  • the three local transfer chambers C11, C21, and C31 may be a single local transfer chamber C that communicates vertically. Further, one local transfer robot LR may be arranged in the one local transfer chamber C.
  • a laminated unit group G11 in which three liquid processing units M11, M21, and M31 are laminated is positioned on the carrier holding unit 2 side with respect to the local transfer chamber C, and on the side far from the carrier holding unit 2,
  • a laminated unit group G13 in which three liquid processing units M12, M22, and M32 are laminated is positioned, and a laminated unit in which six drying units D11, D12, D21, D22, D31, and D32 are laminated on the main transfer chamber 5 side.
  • Group G12 is located.
  • One local transfer robot LR arranged in the local transfer chamber C can access a total of twelve units constituting these three stacked unit groups G11 to G13.
  • the local transport robot LR may operate so as to carry one substrate W, which has been processed by a certain liquid processing unit M, into the drying unit D located in the same layer. Further, the local transport robot LR may carry one substrate W, which has been processed by a certain liquid processing unit M, into any one of the six accessible drying units D. Generally, productivity can be improved by carrying the substrate W into the drying unit D that is not used for processing. Of course, the same configuration can be applied to the opposite side of the main transfer chamber 5.
  • the configuration of this embodiment can reduce the occupation area (footprint) of the substrate processing apparatus 1B. Furthermore, as can be understood from the comparison of FIG. 5B and FIG. 6B and the like, the configuration of this embodiment allows more units to be arranged in the same height space. In other words, substrate processing apparatuses having the same number of units can be configured at a lower height.
  • FIG. 7 is an illustrative elevation view for explaining the configuration of the substrate processing apparatus 1C according to the fourth embodiment of the present invention, and shows the configuration of one side of the main transfer chamber.
  • a pair of stacked unit groups G21 and G22 are arranged on one side of the main transfer chamber 5 (see FIG. 5A and the like), and local transfer robots LR1 and LR2 are arranged between them.
  • one stacked unit group G21 is configured by stacking three liquid processing units M1, M2, and M3 in three layers.
  • Another stacked unit group G22 includes one liquid processing unit M4 and four drying units D1 to D4 stacked in order on the liquid processing unit M4.
  • a similar configuration is provided on the opposite side of the main transfer chamber 5.
  • the main transfer robot CR can access the four liquid processing units M1 to M4 and the four drying units D1 to D4 arranged on one side of the main transfer chamber 5, and similarly on the opposite side of the main transfer chamber 5. Access to four arranged liquid processing units and four drying units.
  • two local transfer robots LR1 and LR2 are provided on one side of the main transfer chamber 5, and these are arranged in one local transfer chamber C.
  • the lower local transfer robot LR1 may be accessible to three liquid processing units M1, M2, and M4 and two drying units D1 and D2.
  • the upper local transfer robot LR2 may be accessible to the two liquid processing units M2 and M3 and the four drying units D1 to D4.
  • These local transfer robots LR1 and LR2 operate to carry the substrate W after being processed by the liquid processing units M1 to M4 into any one of the drying units D1 to D4.
  • a similar configuration is provided on the opposite side of the main transfer chamber 5, and the operations of the two local transfer robots are the same.
  • FIG. 8 is an illustrative plan view for explaining the configuration of a substrate processing apparatus 1D according to the fifth embodiment of the present invention.
  • three stacked unit groups G31, G32, and G33 are provided.
  • the first stacked unit group G31 is configured by stacking liquid processing units M11, M21, and M31 in a plurality of layers (three layers in this embodiment).
  • the second stacked unit group G32 faces the first stacked unit group G31 along the alignment direction of the carriers 3 in the carrier holding unit 2.
  • the second stacked unit group G32 is configured by stacking liquid processing units M12, M22, and M32 in a plurality of layers.
  • the third stacked unit group G33 is disposed between the first and second stacked unit groups G31 and G32.
  • the third stacked unit group G33 is configured by stacking the drying units D1 to D6 in a plurality of layers (six layers in this embodiment), and is similar to the stacked unit groups G12 and G15 shown in FIGS. 6A and 6B. It has the composition of.
  • a local transfer chamber C is arranged on the side opposite to the main transfer robot CR with respect to the drying units D1 to D6.
  • a local transfer robot LR is arranged in the local transfer chamber C.
  • One local transfer robot LR may be provided in each layer corresponding to the liquid processing units M11, M12; M21, M22; M31, M32. Further, one local transfer robot LR that is commonly used for the liquid processing units M arranged in a plurality of layers (for example, all layers) may be provided.
  • the main transfer robot CR is disposed in the main transfer chamber 5A.
  • the main transfer chamber 5 is defined between the first to third stacked unit groups G31 to G33 and the indexer robot IR.
  • the transfer of the substrate W between the indexer robot IR and the main transfer robot CR may be performed via the substrate transfer unit 7 that temporarily holds the substrate W.
  • the main transfer robot CR carries the unprocessed substrate W received from the indexer robot IR through the substrate transfer unit 7 into one liquid processing unit M included in the first or second stacked unit group G31, G32. .
  • the substrate W processed by the liquid processing unit M is unloaded by the local transfer robot LR, and is loaded into any of the drying units D1 to D6 accessible by the local transfer robot LR.
  • the substrate W processed by the drying unit D is taken out by the main transfer robot CR and transferred to the indexer robot IR via the substrate transfer unit 7.
  • FIG. 9 is a view for explaining the configuration of the substrate processing apparatus according to the sixth embodiment of the present invention, and shows a configuration example of the drying unit D.
  • the drying unit D has a reduced pressure drying chamber 111 that constitutes a vacuum chamber.
  • An exhaust pipe 112 is connected to the vacuum drying chamber 111.
  • the exhaust pipe 112 is connected to an exhaust unit 113 such as a vacuum pump.
  • An exhaust valve 110 is interposed in the exhaust pipe 112.
  • a substrate loading opening 114 for loading the substrate W is formed in the side wall 115 in the vacuum drying chamber 111. Furthermore, a substrate carry-out opening 116 for carrying out the substrate W is formed in the side wall 117 in the vacuum drying chamber 111.
  • a shutter 118 for opening and closing the substrate carry-out opening 116 is provided, and the shutter 118 is driven by a shutter drive unit 119.
  • An O-ring 120 as a seal member is provided on the surface of the shutter 118 that faces the vacuum drying chamber 111. The shutter 118 is pressed against the side wall 117 of the vacuum drying chamber 111, thereby hermetically sealing the substrate carry-out opening 116 through the O-ring 120.
  • the shutter drive unit 119 drives the shutter 118 to open the substrate carry-out opening 116.
  • the hand HC of the main transport robot CR enters the opened substrate carry-out opening 116.
  • the substrate carry-in opening 114 is opened and closed by a lid member 125 provided in the hand LH of the local transfer robot LR.
  • An O-ring 126 as a seal member is provided on the surface of the lid member 125 that faces the vacuum drying chamber 111.
  • the local transfer robot LR carries the substrate W after being processed by the liquid processing unit M into the reduced-pressure drying chamber 111 and further presses the lid member 125 against the side wall 115 of the reduced-pressure drying chamber 111 via the O-ring 126. Operate. Thereby, the board
  • an organic solvent vapor nozzle 71A for introducing an organic solvent vapor (organic solvent gas) as a drying preventing fluid into the space in the vacuum drying chamber 111 is provided.
  • the organic solvent vapor nozzle 71A has the same configuration as that of the drying unit shown in FIG. 3, and an organic solvent vapor is supplied to the organic solvent vapor nozzle 71A. 9, parts corresponding to those in FIG. 3 are given the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • the outline of the operation of the drying unit D is as follows.
  • the local transfer robot LR carries the substrate W into the vacuum drying chamber 111 with the substrate carry-out opening 116 closed by the shutter 118.
  • This substrate W is a substrate in a state where the organic solvent liquid film 10 is formed on the upper surface thereof.
  • the local transfer robot LR causes the hand LH to enter the reduced-pressure drying chamber 111 and presses the lid member 125 against the outer surface of the side wall 115 of the reduced-pressure drying chamber 111 to close the substrate carry-in opening 114.
  • the inside of the vacuum drying chamber 111 becomes an airtight sealed space.
  • the exhaust valve 110 is opened and the exhaust unit 113 is operated, whereby the space in the vacuum drying chamber 111 is depressurized to a pressure lower than the atmospheric pressure. Thereby, the organic solvent liquid film 10 on the substrate W is instantly dried.
  • the organic solvent valve 73 and the carrier gas valve 83 are opened, and the organic solvent vapor is supplied into the vacuum drying chamber 111 from the organic solvent vapor nozzle 71. The Thereby, evaporation of the organic solvent from the organic solvent liquid film 10 on the surface of the substrate W is suppressed, and drying before the start of pressure reduction is suppressed.
  • the organic solvent valve 73 and the carrier gas valve 83 are closed so as not to inhibit the pressure reduction.
  • the exhaust unit 113 is stopped, and the carrier gas valve 83 is opened as necessary. Thereby, the space in the vacuum drying chamber 111 returns to atmospheric pressure.
  • the shutter drive unit 119 retracts the shutter 118 from the substrate carry-out opening 116, thereby opening the substrate carry-out opening 116.
  • the main transfer robot CR causes the hand HC to enter the reduced-pressure drying chamber 111, receives the substrate W that has been dried from the hand LH of the local transfer robot LR, and carries the substrate W out of the substrate carry-out opening 116.
  • the shutter drive mechanism for opening and closing the substrate carry-in opening 114 can be omitted.
  • the substrate W can be held in the vacuum drying chamber 111 by the hand LH of the local transfer robot LR, there is no need to provide a substrate holding mechanism in the vacuum drying chamber 111. Since the organic solvent can be instantly dried by reducing the pressure, there is no possibility that the productivity will be greatly affected by the holding of the substrate W during the drying process by the hand LH of the local transfer robot LR.
  • the substrate carry-in opening 114 can be sealed by the lid member 125, and the vacuum drying process can be performed while holding the substrate W in the vacuum drying chamber 111 as it is. Therefore, the operation dedicated to opening and closing the substrate carry-in opening 114 and the delivery operation of the substrate W can be omitted, so that the time required for the entire process can be shortened and productivity can be improved.
  • drying unit D of this embodiment may be configured to heat the substrate W by providing the heater 53 as shown in FIG.
  • the liquid processing unit M may include a blocking plate 19 having a facing surface 19 a that faces the top surface of the substrate W held by the spin chuck 12.
  • a blocking plate lifting / lowering unit that moves the blocking plate 19 up and down above the spin chuck 12 to bring the blocking plate 19 close to or away from the upper surface of the substrate W is preferably provided.
  • a rinsing process or an organic solvent liquid deposition process with the blocking plate 19 approaching the upper surface of the substrate W, droplets or mist bounced from the surroundings adhere to the upper surface of the substrate W. Can be suppressed or prevented.
  • the rinsing liquid nozzle 15 and the organic solvent nozzle 16 are incorporated in the blocking plate 19 and are arranged so as to discharge liquid from the vicinity of the center of the opposing surface 19a of the blocking plate 19 toward the center of the substrate W, for example. Preferably it is.
  • the liquid processing unit M may further include a substrate cooling unit that cools the substrate W.
  • the substrate cooling unit may include, for example, a cold / hot plate 20 (see FIG. 2) provided to face the lower surface of the substrate W held by the spin chuck 12.
  • a plate driving unit that moves the cold / hot plate toward / separates from the lower surface of the substrate W may be further provided.
  • the cold / hot plate may be a plate in which a refrigerant path through which the refrigerant flows is formed.
  • the cold / hot plate may be equipped with the electronic cooling / heating element.
  • the substrate cooling unit cools the substrate to a temperature below the dew point of the organic solvent, and suppresses or prevents evaporation of the organic solvent on the surface of the substrate W.
  • the substrate cooling unit preferably maintains the substrate W at a temperature equal to or lower than the dew point of the organic solvent during the period from the organic solvent liquid deposition step to the time when the accumulated substrate W is unloaded from the liquid processing unit M. .
  • the entire processing chamber 11 of the liquid processing unit M may be cooled, and the atmosphere in the processing chamber 11 may be cooled below the dew point of the organic solvent.
  • the liquid processing unit M prevents the drying by supplying an anti-drying fluid (for example, an organic solvent vapor or mist (droplet)) to the surface of the substrate W in order to suppress or prevent the evaporation of the organic solvent on the surface of the substrate W.
  • a fluid supply unit may be provided.
  • the drying prevention fluid supply unit includes a nozzle 130 (see FIG. 2) that discharges the drying prevention fluid toward the surface of the substrate W held by the spin chuck 12, a pipe 131 that supplies the drying prevention fluid to the nozzle 130, and a pipe. It is preferable to include a valve 132 interposed in 131.
  • the pipe 131 is connected to the dry prevention fluid supply source 133.
  • the nozzle 130 may be incorporated in the above-described blocking plate 19 or may be a movable nozzle that can move between a processing position above the substrate W and a retracted position retracted from above the substrate W.
  • the organic solvent liquid film 10 is formed on the surface of the substrate W in the liquid processing unit M.
  • the organic solvent liquid film 10 may be formed by the drying unit D. More specifically, in the liquid processing unit M, the processing is ended in a state where the upper surface of the substrate W is wet with the rinsing liquid. The substrate W wet with the rinse liquid is transferred to the drying unit D by the local transfer robot LR. In the drying unit D, the organic solvent is supplied to the rinse liquid on the upper surface of the substrate W, and the evaporation of the rinse liquid is promoted. In this case, as shown in FIG.
  • the substrate holder 52 includes a cooling unit 53C as a substrate cooling unit, and the substrate holder 52 is configured as a temperature adjustment plate.
  • the cooling unit 53C may have a refrigerant passage that passes through the substrate holder 52, or may have an electronic cooling element.
  • vapor or mist (droplet) of the organic solvent is supplied to the surface of the substrate W.
  • the organic solvent is mixed into the rinse liquid on the surface of the substrate W, and the rinse liquid on the surface of the substrate W is easily evaporated.
  • the supply of the organic solvent is stopped, and the liquid component on the surface of the substrate W can be instantaneously dried by setting the periphery of the substrate W to a reduced pressure atmosphere.
  • the surface of the substrate W being transferred has a rinsing liquid vapor (for example, water vapor) Mist (droplet) is supplied.
  • the substrate transfer unit for temporarily holding the substrate W is disposed between the indexer robot IR and the main transfer robot CR, and the fifth embodiment (see FIG. 8). Similarly, the substrate may be transferred between them.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

基板処理装置は、処理室内で基板の表面に処理液を供給する液処理ユニットと、乾燥室内で基板表面の処理液を乾燥させる乾燥ユニットと、前記処理室へ基板を搬入する主搬送ユニットと、前記処理室から前記乾燥室へ基板を搬送するローカル搬送ユニットと、前記ローカル搬送ユニットによって基板が搬送されている間、前記基板表面の処理液の乾燥を防ぐ乾燥防止流体を前記基板表面に供給する乾燥防止流体供給ユニットと、を含む。

Description

基板処理装置および基板処理方法
 この発明は、基板を処理液で処理した後に乾燥する基板処理装置および基板処理方法に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。
 半導体装置等の製造工程では、基板を処理液で処理する基板処理装置が用いられる。このような基板処理装置は、たとえば、基板に処理液を供給し、その後に基板を乾燥させる処理ユニットを含む。典型的な処理ユニットは、基板を保持して回転させるスピンチャックと、基板に薬液を供給する薬液ノズルと、基板にリンス液を供給するリンス液ノズルとを含む。このような処理ユニットは、薬液工程と、リンス工程と、スピン乾燥工程とを実行する。薬液工程では、スピンチャックで回転されている基板の表面に薬液ノズルから薬液が供給される。リンス工程では、薬液の供給を停止し、スピンチャックで回転されている基板の表面にリンス液ノズルからリンス液が供給され、基板上の薬液がリンス液に置換される。スピン乾燥工程では、リンス液の供給を停止し、スピンチャックで基板を高速回転させて、基板上のリンス液が振り切られる。
 典型的なリンス液であるDIW(脱イオン水)は、表面張力が大きい液体である。そのため、スピン乾燥工程でリンス液を振り切るときに、基板上の微細なパターンが表面張力によって倒壊するおそれがある。
 そこで、基板上の薬液をDIWで薬液を置換した後に、より表面張力の低いIPA(イソプロピルアルコール)で基板上のDIWを置換し、そのIPAを基板外に排除する方法が提案されている。しかし、IPAの排除をスピン乾燥によって行うと、基板表面の微細パターンの倒壊が生じ得る。
 そこで、特許文献1は、IPAを基板上に供給した後、基板を加熱してIPAの気相膜を微細パターンの間および微細パターンの上方に形成し、その気相膜でIPAの液膜を支持し、その状態でIPA液膜を基板外に排除する方法を提案している。
特開2014-112652号公報
 特許文献1の方法は、基板を回転させることなくIPAを基板外に排除することができる優れた方法であり、基板上の微細パターンの倒壊を抑制することができる。
 IPAはDIWよりも表面張力が小さな液体であるが、その表面張力が微細パターンに及ぼすエネルギーは、微細パターンにIPAの気液界面が接する時間が長いほど大きくなる。そこで、IPAの気液界面が微細パターンに接する時間を最小化することにより、微細パターンの倒壊をより確実に抑制または防止できる。
 本件発明者は、IPA等の低表面張力液体を基板表面から瞬時に取り除くために、低表面張力液体の液膜を表面に有する基板を減圧室内に配置し、減圧室内の気圧を減圧する構成について検討した。
 しかし、液処理を行う処理室はスピンチャック等の大きな部品を収容するために、大きな容積を有しており、このような大容積の空間を瞬時に減圧することは至難である。
 したがって、小容積の減圧室を液処理ユニットの処理室とは別に準備する必要があり、したがって、液処理を終えた基板を減圧室まで搬送する必要が生じる。
 ところが、このような搬送を行うと、その搬送途中で基板上の低表面張力液体の乾燥が始まり、しかもその乾燥が基板面内で不均一に生じることが分かった。そのため、減圧室に至るよりも前に、基板上の微細パターンが倒壊してしまう。
 このような課題は、IPA等の低表面張力液体液による処理の後に減圧乾燥を行う場合に限らず、液処理ユニットでの基板処理の後に当該液処理ユニット内では実行し難い乾燥工程を実行する場合に広く生じる課題である。
 この発明の一つの目的は、液処理ユニットでの処理後の基板表面の状態を維持しながら乾燥ユニットまで基板を搬送して基板表面の乾燥処理を良好に行える基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
 この発明の一つの実施形態は、基板表面に低表面張力液体を供給した後、その低表面張力液体を、基板表面のパターンの倒壊を抑制または防止しながら減圧工程によって基板表面から排除するための基板処理装置および基板処理方法を提供する。
 この発明の一実施形態に係る基板処理装置は、処理室内で基板の表面に処理液を供給する液処理ユニットと、乾燥室内で基板表面の処理液を乾燥させる乾燥ユニットと、前記処理室へ基板を搬入する主搬送ユニットと、前記処理室から前記乾燥室へ基板を搬送するローカル搬送ユニットと、前記ローカル搬送ユニットによって基板が搬送されている間、前記基板表面の処理液の乾燥を防ぐ乾燥防止流体を前記基板表面に供給する乾燥防止流体供給ユニットと、を含む。
 この構成によれば、処理対象の基板は、主搬送ユニットによって、液処理ユニットの処理室に搬入される。液処理ユニットでは、処理室内で基板に処理液が供給され、その処理液によって基板が処理される。その後、処理室から乾燥室へと基板が搬送され、乾燥室内で基板表面の処理液を乾燥させるための乾燥処理が実行される。処理室から乾燥室への基板の搬送は、主搬送ユニットとは別に設けられたローカル搬送ユニットによって行われる。それにより、主搬送ユニットおよび主搬送ユニットの可動範囲に存在し得る部品や他の基板に対して処理液の影響が及ぶことを抑制できる。
 一方、ローカル搬送ユニットによって搬送されている間、その搬送中の基板の表面には、処理液の乾燥を防ぐ乾燥防止流体が供給される。したがって、液処理ユニットで処理された基板は、その処理後の状態が保持されたままで、乾燥室に搬入され、乾燥ユニットによる乾燥処理を受ける。それにより、ローカル搬送ユニットによる搬送中における基板表面の不用意で制御されない状態での乾燥を抑制できる。つまり、基板の表面から処理液を排除するための乾燥工程を、乾燥室内の調整された環境中で行える。それによって、不用意な乾燥による基板への悪影響を回避して、基板の乾燥を良好に行うことができる。
 この発明の一実施形態では、前記液処理ユニットが、基板を水平に保持する基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットに保持された基板に処理液を吐出する処理液吐出ユニットとを含む。前記液処理ユニットは、前記基板保持ユニットに保持された基板を鉛直方向に沿う回転軸線まわりに回転させる基板回転ユニットをさらに含んでいてもよい。
 この発明の一実施形態では、前記乾燥防止流体供給ユニットが、前記ローカル搬送ユニットの搬送アームに備えられ、当該搬送アームに保持された基板に向けて乾燥防止流体を吐出するノズルを含む。
 この構成によれば、ローカル搬送ユニットの搬送アームに備えられたノズルから乾燥防止流体が基板に向けて吐出されるので、搬送中の基板表面に対して確実に乾燥防止流体を供給できる。それにより、ローカル搬送ユニットによる搬送中の基板表面の不用意な乾燥をより確実に抑制できる。
 この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記ローカル搬送ユニットの搬送アームを、搬送時の基板の温度以下(たとえば常温以下)に冷却するアーム冷却ユニットをさらに含む。
 この構成により、ローカル搬送ユニットによる搬送中に基板が加温されることを回避できる。それにより、基板表面の処理液の蒸発を抑制できるので、基板表面の不用意な乾燥を一層抑制できる。
 この発明の一実施形態では、前記乾燥ユニットが、前記乾燥室内を大気圧よりも低圧に減圧する減圧ユニットを含む。この構成により、減圧ユニットによって乾燥室内を大気圧よりも低圧に減圧することによって、基板表面の液成分を蒸発させることができ、それによって、基板表面の乾燥が達成される。減圧による基板表面の乾燥は、速やかに(たとえば瞬時に)完了するので、処理液の表面張力が基板、とくに基板表面に形成されたパターンに及ぼす影響を抑制しながら、乾燥工程を行える。
 この発明の一実施形態では、前記乾燥ユニットが、前記乾燥室内において基板の表面に乾燥防止流体を供給するノズルをさらに含む。乾燥室内において、基板の表面に乾燥防止流体が供給されることにより、乾燥処理が始まる前に基板表面の不用意な乾燥が開始することを回避できる。
 たとえば、乾燥室内を減圧するときには、乾燥防止流体の供給を停止して、乾燥室内の減圧を速やかに進行させることが好ましい。それにより、処理液の表面張力が基板に与える影響をより少なくすることができる。
 この発明の一実施形態では、前記乾燥ユニットが、前記乾燥室内において基板を加熱する基板加熱ユニットを含む。
 この発明の一実施形態では、前記乾燥室の容積が、前記処理室の容積よりも小さい。この構成により、乾燥室内での乾燥処理(たとえば減圧乾燥処理)を速やかに進行させることができるので、乾燥処理時間をさらに短くできる。それにより、処理液の表面張力が基板に与える影響をさらに少なくすることができる。
 この発明の一実施形態では、前記乾燥室内に基板保持ユニットが備えられ、前記基板保持ユニットに保持された基板の表面に前記ノズルから乾燥防止流体が供給される。
 この発明の一実施形態では、前記ローカル搬送ユニットが、ローカル搬送室を通る搬送経路に従って基板を搬送するように構成されており、前記乾燥室と前記ローカル搬送室とが連通している。
 この構成により、処理室から乾燥室への基板の搬送がローカル搬送室内で行われる。それにより、ローカル搬送ユニットによって搬送中の基板表面の処理液の影響がローカル搬送室内に留められる。したがって、主搬送ユニットその他の基板処理装置の構成部分に対する処理液の影響を抑制できる。
 この発明の一実施形態では、前記乾燥室が、前記ローカル搬送ユニットによって基板が搬入される搬入開口を有しており、前記ローカル搬送ユニットが、前記搬入開口を密閉する蓋ユニットを有している。
 この構成により、ローカル搬送ユニットは、乾燥室の搬入開口から基板を搬入し、かつその搬入開口を蓋ユニットによって密閉できる。それにより、搬入開口の開閉機構を別に準備する必要がない。
 この発明の一実施形態では、前記ローカル搬送ユニットが、基板を搬送する搬送アームを備えており、前記蓋ユニットが前記搬送アームに設けられている。この構成により、搬送アームで乾燥室に基板を搬送する動作により、蓋ユニットによって搬入開口を密閉できる。
 この場合、搬送アームは、乾燥室内で基板を保持する基板保持ユニットの役割を担ってもよい。それにより、乾燥室内に別の基板保持ユニットを設ける必要がなくなる。とくに、減圧乾燥のように、乾燥工程に要する時間が短い場合には、乾燥室内でローカル搬送ユニットの搬送アームで基板を保持する構成とすることにより、基板の受け渡しを省略できるから、工程全体の所要時間を短縮でき、生産性を向上できる。
 この発明の一実施形態では、前記処理液が、水よりも表面張力が小さい低表面張力液体である。この構成により、処理液の表面張力による基板への影響を低減できる。しかも、低表面張力液体の乾燥を防止しながら、ローカル搬送ユニットによって乾燥室まで基板が搬送され、乾燥室内で制御された状態で低表面張力液体を乾燥させることができる。それにより、低表面張力液体の表面張力による基板への影響も抑制できる。
 この発明の一実施形態では、前記乾燥防止流体が、前記処理液の蒸気または液滴(ミスト)を含む。この構成では、ローカル搬送ユニットによる搬送中は、基板表面の雰囲気中の処理液蒸気の濃度が高い。それにより、処理液の蒸発を効果的に抑制できる。
 この発明の一実施形態では、前記処理液が有機溶剤を含み、前記乾燥防止流体が有機溶剤の蒸気または液滴(ミスト)を含む。有機溶剤は、水よりも表面張力が低い低表面張力液体の一例である。液処理ユニットでの処理を有機溶剤による処理で終えることにより、基板表面への表面張力の影響を抑制できる。そして、ローカル搬送ユニットによる搬送中に有機溶剤の蒸気または液滴を基板表面に供給することで、基板表面の有機溶剤の乾燥を抑制できる。
 処理液としての有機溶剤と、乾燥防止流体としての有機溶剤の蒸気または液滴とは、同種の有機溶剤で構成することが好ましいが、別の種類の有機溶剤であってもよい。
 この発明の一実施形態では、前記主搬送ユニットが主搬送室に配置されており、前記ローカル搬送ユニットが、前記主搬送室から離隔されたローカル搬送室に配置されている。この構成により、乾燥防止流体(たとえば有機溶剤の蒸気または液滴)をローカル搬送室内に留めることができるので、主搬送ユニットによって搬送される基板に対する乾燥防止流体の影響を抑制できる。
 この発明の一実施形態に係る基板処理方法は、処理室内で基板の表面に処理液を供給する液処理工程と、乾燥室内で基板表面の処理液を乾燥させる乾燥工程と、主搬送ユニットによって前記処理室へ基板を搬入する主搬送工程と、ローカル搬送ユニットによって前記処理室から前記乾燥室へ基板を搬送するローカル搬送工程と、前記ローカル搬送工程で基板が搬送されている間、前記基板表面の処理液の乾燥を防ぐ乾燥防止流体を前記基板表面に供給する乾燥防止流体供給工程と、を含む。
 この基板処理方法の一実施形態では、前記乾燥防止流体供給工程において、前記ローカル搬送ユニットの搬送アームに備えられたノズルから、当該搬送アームに保持された基板に向けて乾燥防止流体が吐出される。
 前記基板処理方法の一実施形態は、前記ローカル搬送ユニットの搬送アームを、搬送時の基板の温度以下に冷却するアーム冷却工程をさらに含む。
 前記基板処理方法の一実施形態では、前記乾燥工程が、前記乾燥室内を大気圧よりも低圧に減圧する減圧工程を含む。
 前記基板処理方法の一実施形態は、前記乾燥工程に先立って、前記乾燥室内において基板の表面に乾燥防止流体を供給する工程をさらに含む。
 前記基板処理方法の一実施形態では、前記乾燥工程が、前記乾燥室内において基板を加熱する基板加熱工程を含む。
 前記基板処理方法の一実施形態では、前記乾燥室の容積が、前記処理室の容積よりも小さい。
 前記基板処理方法の一実施形態では、前記乾燥室が、前記ローカル搬送ユニットによって基板が搬入される搬入開口を有しており、前記方法が、前記乾燥工程に先立って、前記ローカル搬送ユニットに備えられた蓋ユニットによって前記搬入開口を密閉する工程をさらに含む。
 前記基板処理方法の一実施形態では、前記処理液が、水よりも表面張力が小さい低表面張力液体である。
 前記基板処理方法の一実施形態では、前記乾燥防止流体が、前記処理液の蒸気または液滴を含む。
 前記基板処理方法の一実施形態では、前記処理液が有機溶剤を含み、前記乾燥防止流体が有機溶剤の蒸気または液滴を含む。
 上記の特徴は、任意の組合せで組み合わせることができる。
 本発明における上述の、またはさらに他の目的、特徴および効果は、添付図面を参照して次に述べる実施形態の説明により明らかにされる。
図1Aは、この発明の第1の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための平面図である。 図1Bは、前記第1の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な立面図である。 図2は、前記基板処理装置に備えられた液処理ユニットの構成例を説明するための図解的な断面図である。 図3は、前記基板処理装置に備えられた乾燥ユニットの構成例を説明するための図解的な断面図である。 図4は、前記基板処理装置に備えられたローカル搬送ロボットの構成例を説明するための図である。 図5Aは、この発明の第2の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な平面図である。 図5Bは、前記第2の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な立面図である。 図6Aは、この発明の第3の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な平面図である。 図6Bは、前記第3の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な立面図である。 図7は、この発明の第4の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な立面図であり、主搬送室の一方側の構成が示されている。 図8は、この発明の第5の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な平面図である。 図9は、この発明の第6の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図であり、乾燥ユニットの構成例を示す。
 以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
 図1Aは、この発明の第1の実施形態に係る基板処理装置1の構成を説明するための平面図であり、図1Bはその立面図である。基板処理装置1は、キャリヤ保持部2と、インデクサロボットIRと、複数の液処理ユニットM11~M14,M21~M24(総称するときには「液処理ユニットM」という。)と、複数の乾燥ユニットD11~D14,D21~D24(総称するときには「乾燥ユニットD」という。)と、主搬送ロボットCRと、ローカル搬送ロボットLR11~LR14,LR21~LR24(総称するときには「ローカル搬送ロボットLR」という。)とを含む。主搬送ロボットCRは主搬送ユニットの一例であり、ローカル搬送ロボットLRはローカル搬送ユニットの一例である。
 キャリヤ保持部2は、複数枚の基板Wを積層状態で保持する基板容器であるキャリヤ3を保持する。この実施形態では、キャリヤ保持部2は、複数のキャリヤ3を保持可能に構成されている。インデクサロボットIRは、キャリヤ保持部2に保持されたキャリヤ3にアクセスして基板Wを出し入れし、かつ主搬送ロボットCRとの間で基板Wの受け渡しを行う。
 複数の液処理ユニットMおよび複数の乾燥ユニットDは、この実施形態では、複数層構造(この実施形態では2層構造)を成すように立体的に配置されている。具体的には、図1Aに表れているように、平面視において、キャリヤ保持部2から直線状に延びた主搬送室5に主搬送ロボットCRが配置されており、主搬送室5の両側に2つずつの積層ユニット群G1,G2;G3,G4が主搬送室5に沿って配置されている。それにより、平面視において、主搬送ロボットCRの周囲に4箇の積層ユニット群G1~G4が配置されている。
 基板処理装置1の第1層S1および第2層S2に各4個の液処理ユニットM11~M14,M21~M24が配置されており、基板処理装置1は、合計で8個の液処理ユニットMを備えている。第1層S1において、主搬送室5の両側に2つずつの液処理ユニットM11,M12;M13,M14が主搬送室5に沿って配置されている。これらの4個の液処理ユニットM11~M14の上に4個の乾燥ユニットD11~D14がそれぞれ配置されている。さらに、第2層S2において、主搬送室5の両側に2つずつの液処理ユニットM21,M22;M23,M24が主搬送室5に沿って配置されている。これらの4個の液処理ユニットM21~M24の上に4個の乾燥ユニットD21~D24がそれぞれ配置されている。一つの液処理ユニットMと、その上に配置された乾燥ユニットDとが、対応する対を成している。
 積層ユニット群G1は、下から順に、液処理ユニットM11、乾燥ユニットD11、液処理ユニットM21および乾燥ユニットD21を積層して構成されている。積層ユニット群G2は、下から順に、液処理ユニットM12、乾燥ユニットD12、液処理ユニットM22および乾燥ユニットD22を積層して構成されている。積層ユニット群G3は、下から順に、液処理ユニットM13、乾燥ユニットD13、液処理ユニットM23および乾燥ユニットD23を積層して構成されている。積層ユニット群G4は、下から順に、液処理ユニットM14、乾燥ユニットD14、液処理ユニットM24および乾燥ユニットD24を積層して構成されている。
 主搬送ロボットCRは、合計8個の液処理ユニットMにアクセスして基板Wを渡すことができ、かつ合計8個の乾燥ユニットDにアクセスして基板Wを取り出すことができ、さらにインデクサロボットIRとの間で基板Wを受け渡しすることができる。
 ローカル搬送ロボットLRは、この実施形態では、第1層S1に4個備えられ、第2層S2に4個備えられている。より具体的には、平面視において、第1層S1には、主搬送室5の両側に2個ずつのローカル搬送ロボットLR11,LR12;LR13,LR14が配置されている。さらに具体的には、主搬送室5の一方側において、第1層S1には、キャリヤ保持部2と液処理ユニットM11との間に一つのローカル搬送ロボットLR11が配置されており、キャリヤ保持部2から遠い側の端部にもう一つのローカル搬送ロボットLR12が配置されている。主搬送室5の他方側における2つのローカル搬送ロボットLR13,LR14の配置も同様である。そして、第2層S2における4個のローカル搬送ロボットLR21,LR22;LR23,LR24も同様に配置されている。ローカル搬送ロボットLR11~LR14,LR21~LR24は、ローカル搬送室C11~C14,C21~C24(総称するときには「ローカル搬送室C」という。)内にそれぞれ配置されている。ローカル搬送室Cは、主搬送室5から分離(離隔)するように区画された搬送空間を形成している。
 こうして、各対の液処理ユニットMおよび乾燥ユニットDに対して、一つのローカル搬送ロボットLRが設けられている。ローカル搬送ロボットLRは、液処理ユニットMによって処理された後の基板Wを当該液処理ユニットMから取り出して、対応する乾燥ユニットDへと搬送する。
 インデクサロボットIR、主搬送ロボットCRおよびローカル搬送ロボットLRの動作例を概説すれば、次のとおりである。
 すなわち、インデクサロボットIRは、いずれかのキャリヤ3から未処理の基板Wを取り出し、主搬送ロボットCRに渡す。主搬送ロボットCRは、インデクサロボットIRから受け取った基板Wをいずれかの液処理ユニットMに搬入する。液処理ユニットMは、搬入された基板Wに対する処理を実行する。液処理ユニットMによって処理された基板Wは、ローカル搬送ロボットLRによって搬出され、その直上に配置された乾燥ユニットDへと搬送される。乾燥ユニットDは、搬入された基板Wを乾燥する。この乾燥処理後の基板Wは、主搬送ロボットCRによって搬出される。主搬送ロボットCRは、その基板WをインデクサロボットIRに渡す。インデクサロボットIRは、渡された基板Wをいずれかのキャリヤ3に収納する。
 インデクサロボットIRは、未処理の基板Wを主搬送ロボットCRに渡し、その直前、直後または同時に、処理済みの基板Wを主搬送ロボットCRから受け取るように動作してもよい。同様に、主搬送ロボットCRは、未処理の基板WをインデクサロボットIRから受け取り、その直前、直後または同時に、処理済みの基板WをインデクサロボットIRに渡すように動作してもよい。さらに、主搬送ロボットCRは、未処理の基板Wを液処理ユニットMに搬入し、その直後または直前に乾燥ユニットDから処理済みの基板Wを搬出するように動作してもよい。
 このように、この実施形態では、一つの液処理ユニットMに対して一つの乾燥ユニットDが対応付けられている。そして、液処理ユニットMと乾燥ユニットDとが積層されている。さらに、一つの液処理ユニットMおよび一つの乾燥ユニットDの対に対して、一つのローカル搬送ロボットLRが設けられており、ローカル搬送ロボットLRは、それらの液処理ユニットMおよび乾燥ユニットDにアクセス可能である。ローカル搬送ロボットLRは、液処理ユニットMによって処理された基板Wを液処理ユニットMから搬出し、その液処理ユニットMに対応する乾燥ユニットDへと搬送して、その乾燥ユニットDに搬入する。具体的には、ローカル搬送ロボットLRは、液処理ユニットMから取り出した基板Wを垂直方向(さらに具体的には上方)へと搬送する。主搬送ロボットCRは、未処理の基板Wを液処理ユニットMに搬入し、乾燥ユニットDから処理後の基板Wを搬出する。
 図2は、液処理ユニットMの構成例を説明するための図解的な断面図である。液処理ユニットMは、処理室11を備えている。処理室11内には、基板Wを水平に保持して回転可能な基板保持ユニットとしてのスピンチャック12と、スピンチャック12を取り囲むカップ13と、薬液ノズル14と、リンス液ノズル15と、有機溶剤ノズル16とが設けられている。スピンチャック12は、基板回転ユニットの一例であるモータ17によって鉛直な回転軸線18まわりに回転させられる。
 薬液ノズル14には、薬液配管21が結合されている。薬液配管21の途中には、薬液通路を開閉する薬液バルブ22が介装されている。薬液配管21には、薬液供給源23から薬液が供給される。リンス液ノズル15には、リンス液配管26が結合されている。リンス液配管26の途中には、リンス液通路を開閉するリンス液バルブ27が介装されている。リンス液配管26には、リンス液供給源28から、リンス液が供給される。リンス液は、この実施形態ではDIW(脱イオン水)である。むろん、炭酸水等の他のリンス液が用いられてもよい。
 有機溶剤ノズル16には、有機溶剤配管31が結合されている。有機溶剤配管31の途中には、有機溶剤通路を開閉する有機溶剤バルブ32が介装されている。有機溶剤配管31には、有機溶剤供給源33から有機溶剤が液体の状態で供給される。有機溶剤は、リンス液よりも表面張力が小さい低表面張力液体の一例である。有機溶剤としては、IPA(イソプロピルアルコール)、HFE(ハイドロフルオロエーテル)などを例示することができる。
 処理室11の側壁35,36には、主搬送ロボットCRによって未処理の基板Wが搬入される基板搬入開口37と、ローカル搬送ロボットLRによって処理済みの基板Wが搬出される基板搬出開口38とがそれぞれ形成されている。基板搬入開口37および基板搬出開口38には、それらを開閉するシャッタ39,40がそれぞれ配置されている。シャッタ39,40は、シャッタ駆動ユニット41,42によって、それぞれ開閉駆動される。基板搬入開口37は、主搬送室5と処理室11とを連通させる開口であり、主搬送室5と処理室11とを区画する側壁35に形成されている。基板搬出開口38は、処理室11とローカル搬送室Cとを連通させる開口であり、処理室11とローカル搬送室Cとを区画する側壁36に形成されている。
 液処理ユニットMの動作を概説すれば次のとおりである。
 主搬送ロボットCRが未処理の基板Wを搬入するとき、シャッタ39が基板搬入開口37を開く。未処理の基板Wを保持した主搬送ロボットCRのハンドHC(アーム)が基板搬入開口37から処理室11内へと進入し、スピンチャック12に、その基板Wを渡す。基板Wをスピンチャック12に渡した主搬送ロボットCRのハンドは、基板搬入開口37を通って処理室11から退出する。その後、シャッタ駆動ユニット41は、シャッタ39を駆動して、基板搬入開口37を閉じる。
 次いで、モータ17によってスピンチャック12が回転させられ、薬液バルブ22が開かれる。それにより、回転状態の基板Wの表面に薬液が供給され、遠心力によって基板W表面の全域に薬液が行き渡る。こうして、基板Wを薬液で処理する薬液工程が実行される。薬液バルブ22を閉じることにより薬液の供給が停止して、薬液工程が終了する。
 薬液工程の後、スピンチャック12の回転を継続しながら、リンス液バルブ27が開かれる。それにより、回転状態の基板Wの表面にリンス液が供給される。リンス液は、基板W表面の全域に広がり、基板W表面の薬液を置換する。こうしてリンス工程が実行される。リンス液バルブ27を閉じることによりリンス液の供給が停止して、リンス工程が終了する。
 このリンス工程の終了後、またはリンス工程の終了直前に、有機溶剤バルブ32が開かれる。それにより、基板W表面に有機溶剤が液体の状態で供給される。スピンチャック12は回転状態に保持される。したがって、有機溶剤は、基板W表面の全域に広がり、基板W表面のリンス液を置換する。その後、スピンチャック12の回転速度が減速されることにより、基板W表面に有機溶剤が液盛りされ、厚い有機溶剤液膜10が形成される(有機溶剤液盛り工程)。その液盛り状態を保持して、スピンチャック12の回転が停止される。有機溶剤は、水よりも表面張力が小さい低表面張力液体の一例である。
 次に、シャッタ駆動ユニット42は、シャッタ40を駆動して、基板搬出開口38を開く。この基板搬出開口38から、ローカル搬送ロボットLRのハンドLH(アーム)が処理室11内に進入し、スピンチャック12から基板Wを受け取り、基板搬出開口38を通して、当該基板Wを処理室11外へと搬出する。このとき、ローカル搬送ロボットLRは、基板W表面の有機溶剤液膜10を維持した状態で、乾燥ユニットDまで基板Wを搬送する。
 図3は、乾燥ユニットDの構成例を説明するための図解的な断面図である。乾燥ユニットDは、密閉可能な減圧チャンバ(真空チャンバ)からなる減圧乾燥室51(乾燥室の一例)を有している。減圧乾燥室51の容積は、液処理ユニットMの処理室11の容積よりも小さく、それによって、減圧乾燥室51は、内部空間を効率的に減圧できる構造を有している。減圧乾燥室51内に、基板Wを保持する基板保持ユニットとしての基板ホルダ52が配置されている。基板ホルダ52には、基板加熱ユニットとしてのヒータ53が内蔵されており、それによって、ホットプレートが構成されている。基板ホルダ52を貫通して複数(3本以上)のリフトピン54が配置されている。リフトピン54は、リフトピン昇降ユニット55によって上下動され、それによって、基板ホルダ52上で基板Wを上下動させる。
 減圧乾燥室51は、ベース部511と、ベース部511に対して上下動する可動蓋部512とを有している。可動蓋部512は、蓋部駆動ユニット56によって、ベース部511に対して上下動させられる。ベース部511と可動蓋部512との間に乾燥処理空間50が区画される。可動蓋部512の下端縁部58は、ベース部511の上面59に倣う平面に沿って形成されている。ベース部511において、可動蓋部512の下端縁部58に対向する位置には、シール部材としてのOリング60が配置されている。可動蓋部512をベース部511に接近させ、ベース部511に向けて押し付けると、可動蓋部512とベース部511との間がOリング60によって密閉される。こうして、密閉された乾燥処理空間50が形成される。
 ベース部511には、排気配管62が結合されている。排気配管62は、乾燥処理空間50に連通している。排気配管62は、真空ポンプ等の排気ユニット63に接続されている。排気配管62には、排気バルブ64が介装されている。排気ユニット63は減圧ユニットの一例であり、排気バルブ64を開いて排気ユニット63を駆動することによって、乾燥処理空間50を大気圧よりも低い気圧に減圧できる。
 可動蓋部512には、乾燥処理空間50に乾燥防止流体としての有機溶剤蒸気(有機溶剤ガス)を導入するための有機溶剤蒸気ノズル71が設けられている。有機溶剤蒸気ノズル71には、有機溶剤配管72が結合されている。有機溶剤配管72の途中には、有機溶剤バルブ73が介装されている。有機溶剤配管72は、有機溶剤蒸気(気体の状態の有機溶剤)を供給する有機溶剤蒸気供給源74に結合されている。
 有機溶剤蒸気供給源74は、たとえば、有機溶剤の液体80を貯留するタンク75と、タンク75内の有機溶剤の液体80を温度調節(具体的には加熱)する温度調節ユニット76を含む。温度調節ユニット76は、たとえば、循環配管77と、循環配管77に介装されたポンプ78およびヒータ79とを含む。ポンプ78によってタンク75内の有機溶剤の液体80が汲み出されて循環配管77に導かれ、ヒータ79によって加熱された後に、循環配管77を通ってタンク75に帰還される。有機溶剤配管72の入口は、タンク75内において有機溶剤の液体80の液面よりも高い位置に配置されている。したがって、タンク75内の有機溶剤液面上方の空間に存在する有機溶剤蒸気が有機溶剤配管72に供給される。
 有機溶剤配管72には、必要に応じて、キャリヤガス配管82が合流していてもよい。キャリヤガス配管82にはキャリヤガスバルブ83が介装されている。キャリヤガス配管82は、キャリヤガスを供給するキャリヤガス供給源84に接続されている。キャリヤガスとしては、窒素ガスその他の不活性ガスが適当である。キャリヤガスは、有機溶剤配管72を通って供給される有機溶剤蒸気の乾燥処理空間50への導入を補助する。有機溶剤蒸気供給源74は、液処理ユニットMで供給される有機溶剤と同種の有機溶剤の蒸気を供給することが好ましい。
 キャリヤガス配管82を有機溶剤配管72に合流させる構成に代えて、図3に二点鎖線で示すように、キャリヤガス配管82をタンク75の上部に接続し、タンク75内の上方空間(液体80上限液面高よりも上の空間)にキャリヤガス(窒素ガス等)を直接供給する構成としてもよい。この場合、タンク75内で生じた有機溶剤蒸気は、キャリヤガスとともに、有機溶剤配管72に導入される。
 乾燥ユニットDの動作を概説すれば、次のとおりである。
 ローカル搬送ロボットLRのハンドLHは、表面に有機溶剤の液膜10が形成された状態の基板Wを乾燥ユニットDに搬入する。基板Wが搬入されるとき、可動蓋部512はベース部511から離れた開放位置にあり、それにより、可動蓋部512とベース部511との間に基板搬入開口が形成される。このとき、リフトピン54は、その先端が基板ホルダ52の表面から上方に離間した上昇位置にある。その状態で、ローカル搬送ロボットLRのハンドLHが、可動蓋部512とベース部511との間に進入して、リフトピン54に基板Wを渡す。基板Wを渡されたリフトピン54は、下降し、基板ホルダ52の上面に基板Wを載置する。
 一方、蓋部駆動ユニット56は、可動蓋部512を下降させ、Oリング60を介してベース部511に押し付ける。これにより、乾燥処理空間50が密閉空間となる。さらに、排気バルブ64が開かれ、排気ユニット63が駆動されることにより、乾燥処理空間50内の雰囲気が排気され、乾燥処理空間50が減圧される。
 乾燥処理空間50の減圧が開始されるまでの期間には、有機溶剤バルブ73およびキャリヤガスバルブ83が開かれ、有機溶剤蒸気ノズル71から乾燥処理空間50内に有機溶剤の蒸気が供給される。それにより、基板Wの表面の有機溶剤液膜10からの有機溶剤の蒸発が抑制され、減圧開始前の乾燥が抑制される。乾燥処理空間50の減圧が開始されると、減圧を阻害しないように、有機溶剤バルブ73およびキャリヤガスバルブ83が閉じられる。
 乾燥処理空間50内が減圧されることによって、基板Wの表面の有機溶剤が瞬時に蒸発し、それによって、基板Wが乾燥される。併せて、ヒータ53を駆動して基板ホルダ52を加熱すれば、基板Wが加熱されるので、それによっても、基板Wの乾燥が促進される。
 基板Wの乾燥が終了した後、排気ユニット63が停止され、必要に応じてキャリヤガスバルブ83を開くことにより、乾燥処理空間50内が大気圧まで加圧される。その後、蓋部駆動ユニット56が、可動蓋部512を上昇させて、ベース部511から離間させる。さらに、リフトピン54が上昇して、基板ホルダ52の上面から上方に離れた高さまで基板Wを持ち上げる。この状態で、主搬送ロボットCRのハンドHCが可動蓋部512とベース部511との間に進入し、リフトピン54から処理後の基板Wをすくいとり、主搬送室5へと退出する。
 図4は、ローカル搬送ロボットLRの構成例を説明するための図である。ローカル搬送ロボットLRは、ローカル搬送室C内に配置されている。ローカル搬送室Cは、液処理ユニットMの処理室11と、当該処理室11の上に配置された乾燥ユニットDの減圧乾燥室51とに対向し、減圧乾燥室51が開かれているときに、減圧乾燥室51と連通する。
 ローカル搬送ロボットLRは、基板Wを保持するためのハンドLH(アーム)と、ハンドLHを駆動するハンド駆動ユニット90とを含む。ハンド駆動ユニット90は、ハンドLHを水平移動および垂直移動させ、さらに必要に応じて、ハンドLHを鉛直な回転軸線89まわりに回動させる。それにより、ハンドLHは、液処理ユニットMの処理室11内に進入してスピンチャック12から基板Wを受け取り、その基板Wを乾燥ユニットDまで搬送し、減圧乾燥室51内へとその基板Wを搬入してリフトピン54(図3参照)に渡し、その後にローカル搬送室Cに退出することができる。
 乾燥ユニットDは、液処理ユニットMの上に配置されているので、ローカル搬送ロボットLRは、液処理ユニットMから基板Wを搬出した後、ハンドLHを乾燥ユニットDの高さまで上昇させるように動作する。
 ローカル搬送ロボットLRのハンドLH(またはハンドLHの移動によらずにハンドLHとの相対位置が大きく変化しない可動部位)には、ハンドLHに保持された基板Wの周囲(とくに基板Wの上面付近)に乾燥防止流体としての有機溶剤蒸気を供給する有機溶剤ガスノズル91が配置されている。有機溶剤ガスノズル91は、有機溶剤ガス配管92に接続されている。有機溶剤ガス配管92には、有機溶剤ガスバルブ93が介装されている。有機溶剤ガス配管92は、有機溶剤ガス供給源94に接続されている。有機溶剤ガス供給源94は、液処理ユニットMで供給される有機溶剤と同種の有機溶剤(たとえばIPA)の蒸気(気体)を供給することが好ましい。有機溶剤ガスノズル91等により、乾燥防止流体供給ユニットが構成されている。
 有機溶剤ガスバルブ93を開くことにより、ローカル搬送室C内、とくにハンドLHに保持された基板Wの付近に有機溶剤ガスを供給することができる。これにより、基板Wの上面の有機溶剤液膜10の周囲は有機溶剤ガスの濃度が高い雰囲気となる。そのため、有機溶剤液膜10を構成する有機溶剤の蒸発が進みにくいので、有機溶剤液膜10を基板W上に保ったままで、液処理ユニットMから乾燥ユニットDへと基板Wを搬送できる。この実施形態では、ハンドLHが移動しても、有機溶剤ガスノズル91とハンドLHとの相対位置がほぼ一定に保たれるので、ハンドLHによって搬送される途中においても基板Wの周囲の空間の有機溶剤濃度を安定的に高い値に保持できる。それにより、有機溶剤の蒸発をより確実に抑制または防止できる。
 ローカル搬送ロボットLRは、さらに、ハンドLHを冷却するハンド冷却ユニット97(アーム冷却ユニット)を備えていてもよい。ハンド冷却ユニット97は、ハンドLHに形成された冷媒通路98に冷媒を循環させるように構成されていてもよい。このような冷媒通路98を有する構成に代えて、ハンドLHを冷却する電子冷熱素子(図示せず)を備えてもよい。また、ハンド冷却ユニット97は、ローカル搬送室Cに備えられた冷却プレート99を冷却するように構成されていてもよい。この場合、ローカル搬送ロボットLRが基板Wを保持していない期間に、ハンドLHが冷却プレート99に接触させられる。それにより、ハンドLHの非稼働動期間にハンドLHが冷却される。その冷却されたハンドLHによって基板Wを搬送することにより、搬送中に基板Wを冷却できるので、基板W上の有機溶剤の蒸発を抑制または防止できる。
 ハンドLHに保持された基板Wを効率的に冷却するために、ハンドLHは、基板Wの形状に対応したプレート状に構成されていてもよい。このようなプレート状のハンドLHは、スピンチャック12との基板Wの受け渡しのために、スピンチャック12に備えられたチャックピンを回避する切欠きが周囲に形成された切欠き付プレート形状を有していてもよい。
 図4に示すように、ハンドLHに有機溶剤ガスノズル91を備える代わりに、またはその有機溶剤ガスノズル91に加えて、ローカル搬送室C内に有機溶剤ガスを供給する有機溶剤ガスノズル91A(乾燥防止流体供給ユニットの一例)が配置されてもよい。
 また、ノズル91,91Aから有機溶剤蒸気を供給する代わりに、それらのノズルから、有機溶剤のミスト(液滴)を供給してもよい。
 以上のように、この実施形態によれば、処理対象の基板Wは、主搬送ロボットCRによって、液処理ユニットMの処理室11に搬入される。液処理ユニットMでは、処理室11内で基板Wに処理液が供給され、その処理液によって基板Wが処理される。液処理ユニットMで最後に基板Wに供給される処理液は、低表面張力液体の一例である有機溶剤であり、処理後の基板Wは、その表面に有機溶剤液膜10を保持している。この基板Wは、ローカル搬送ロボットLRによって、処理室11から減圧乾燥室51へと搬送され、減圧乾燥室51内で基板W表面の有機溶剤を乾燥させるための乾燥処理が実行される。
 処理室11から減圧乾燥室51への基板Wの搬送は、主搬送ロボットCRとは別に設けられたローカル搬送ロボットLRによって行われる。それにより、主搬送ロボットCRおよびその可動範囲に存在し得る部品や他の基板Wに対して有機溶剤の影響が及ぶことを抑制できる。とくに、主搬送ロボットCRに有機溶剤の液体がかかったり、基板W上の液体が主搬送ロボットCRの周囲にまき散らされたりすることを回避できる。
 ローカル搬送ロボットLRによって搬送されている間、その搬送中の基板Wの表面には、有機溶剤の乾燥を防ぐ乾燥防止流体として、有機溶剤の蒸気が供給される。したがって、液処理ユニットMで処理された基板Wは、その処理後の状態、すなわち表面に有機溶剤液膜10が形成された状態で、減圧乾燥室51に搬入され、乾燥ユニットDによる乾燥処理を受ける。それにより、ローカル搬送ロボットLRによる搬送中における基板W表面の不用意で制御されない状態での乾燥を抑制できる。つまり、基板Wの表面から有機溶剤を排除するための乾燥工程を、減圧乾燥室51内の調整された環境中で行える。それによって、不用意な乾燥による基板Wへの悪影響を回避して、基板Wの乾燥を良好に行うことができる。
 液処理ユニットMは、処理室11内にスピンチャック12を有しており、その容積が比較的大きい。そのため、処理室11内の空間を減圧して減圧乾燥を行うのは実際的でなく、仮に可能であるとしても、大きな容積の空間の減圧には長い時間がかかる。すると、基板W表面のパターンが有機溶剤から表面張力を受ける時間が長くなるから、有機溶剤の表面張力が比較的小さいとはいえ、基板W表面のパターンは表面張力による影響(具体的にはパターン倒壊等の損傷)を受けるおそれがある。
 そこで、この実施形態では、液処理ユニットMで処理を終えた後の基板Wを、より容積の小さい減圧乾燥室51に搬入し、減圧乾燥室51内での減圧乾燥処理を行っている。これにより、基板W表面の有機溶剤を瞬時に乾燥させることができるので、基板W表面のパターンの倒壊を抑制または防止できる。
 また、この実施形態では、ローカル搬送ロボットLRのハンドLHまたはその近傍(具体的にはハンドLHを含む搬送アームのいずれかの箇所、またはローカル搬送室C内)に、有機溶剤ガスノズル91,91Aが配置されている。この有機溶剤ガスノズル91,91Aから、ローカル搬送ロボットLRによって搬送されている基板Wの表面に有機溶剤ガスが供給される。それにより、ローカル搬送ロボットLRによる搬送中の基板W表面の不用意な乾燥をより確実に抑制できる。
 また、ローカル搬送ロボットLRのハンド(搬送アーム)をハンド冷却ユニット97によって常温以下に冷却すれば、ローカル搬送ロボットLRによる搬送中に基板Wが加温されることを回避できる。それにより、基板W表面の有機溶剤の蒸発を抑制できるので、基板W表面の不用意な乾燥を一層抑制できる。
 また、この実施形態では、乾燥ユニットDには、基板Wの表面に有機溶剤蒸気を供給する有機溶剤蒸気ノズル71が設けられている。それにより、減圧乾燥室51内において、減圧乾燥処理が始まる前に基板W表面の不用意な乾燥が開始することを回避できる。
 また、この実施形態では、ローカル搬送ロボットLRが、ローカル搬送室Cを通る搬送経路に従って基板Wを搬送するように構成されている。それにより、ローカル搬送ロボットLRによって搬送中の基板W表面の有機溶剤の影響がローカル搬送室C内に留められる。したがって、主搬送ロボットCRその他の基板処理装置1の構成部分に対する有機溶剤の影響を抑制できる。とくに、この実施形態では、主搬送ロボットCRが主搬送室5に配置されており、ローカル搬送ロボットLRが、主搬送室5から離隔されたローカル搬送室Cに配置されている。これにより、有機溶剤の蒸気が主搬送室5に入り込むことを抑制または防止できるので、主搬送ロボットCRによって搬送される基板Wに対する有機溶剤蒸気の影響を抑制できる。
 図5Aは、この発明の第2の実施形態に係る基板処理装置1Aの構成を説明するための図解的な平面図であり、図5Bはその立面図である。図5Aおよび図5Bにおいて、前述の図1Aおよび図1Bの各部の対応部分には同一参照符号を付す。
 この実施形態では、平面視において、主搬送室5の一方側に配置された2つの積層ユニット群G1,G2の間にローカル搬送室Cが配置され、そのローカル搬送室Cにローカル搬送ロボットLRが配置されている。同様に、主搬送室5の他方側に配置された2つの積層ユニット群G3,G4の間にローカル搬送室Cが配置され、そのローカル搬送室Cにローカル搬送ロボットLRが配置されている。積層ユニット群G1~G4を構成する複数のユニットおよびそれらの積層状態は、第1の実施形態の場合と同様である。
 主搬送ロボットCRは、第1の実施形態の場合と同様に、合計8個の液処理ユニットMにアクセスして基板Wを渡すことができ、かつ合計8個の乾燥ユニットDにアクセスして基板Wを取り出すことができ、さらにインデクサロボットIRとの間で基板Wを受け渡しすることができる。
 ローカル搬送ロボットLRは、この実施形態では、第1層S1に2個備えられ、第2層S2に2個備えられている。より具体的には、平面視において、第1層S1には、主搬送室5の両側に1個ずつのローカル搬送ロボットLR11,LR12が配置されている。さらに具体的には、主搬送室5の一方側において、第1層S1には、液処理ユニットM11,M12の間に一つのローカル搬送ロボットLR11が配置されている。主搬送室5の他方側にも同様に、液処理ユニットM13,M14の間に一つのローカル搬送ロボットLR12が配置されている。第2層S2における2個のローカル搬送ロボットLR21,LR22も同様に配置されている。ローカル搬送ロボットLR11,LR12,LR21,LR22は、ローカル搬送室C11,C12,C21,C22内にそれぞれ配置されている。ローカル搬送室Cは、主搬送室5から分離(離隔)するように区画された搬送空間を形成している。
 第1層S1において、主搬送室5の一方側に配置されたローカル搬送ロボットLR11は、2つの液処理ユニットM11,M12によって共有される。すなわち、ローカル搬送ロボットLR11は、キャリヤ保持部2に近い側の液処理ユニットM11での処理を終えた基板Wを取り出し、垂直方向(より具体的には上方)に搬送し、その液処理ユニットM11の上の乾燥ユニットD11へと搬入する。また、ローカル搬送ロボットLR11は、キャリヤ保持部2から遠い側の液処理ユニットM12での処理を終えた基板Wを取り出し、垂直方向(より具体的には上方)に搬送し、その液処理ユニットM12の上の乾燥ユニットD12へと搬入する。
 ローカル搬送ロボットLR11は、キャリヤ保持部2に近い側の液処理ユニットM11での処理を終えた基板Wを、キャリヤ保持部2から遠い側の液処理ユニットM12の上の乾燥ユニットD12に搬送してもよい。同様に、ローカル搬送ロボットLR11は、キャリヤ保持部2から遠い側の液処理ユニットM12での処理を終えた基板Wをキャリヤ保持部2に近い側の液処理ユニットM11の上の乾燥ユニットD11に搬送してもよい。より一般化すれば、ローカル搬送ロボットLR11は、第1層S1において主搬送室5の一方側に配置された2つの液処理ユニットM11,M12と、それらの上にそれぞれ配置された2つの乾燥ユニットD11,D12にアクセス可能である。そして、一つの液処理ユニットM11,M12で処理を終えた基板Wは、ローカル搬送ロボットLR11によって、2つの乾燥ユニットD11,D12のいずれかに搬入されて乾燥処理を受ける。
 第1層S1において主搬送室5の他方側に配置されたローカル搬送ロボットLR12の動作も同様である。すなわち、ローカル搬送ロボットLR12は、2つの液処理ユニットM13,M14および2つの乾燥ユニットD13,D14にアクセス可能に構成されており、それらに対して、主搬送室5の反対側のローカル搬送ロボットLR11と同様な動作を行う。
 第2層S2に配置されたローカル搬送ロボットLR21,LR22の動作も同様である。すなわち、ローカル搬送ロボットLR21は、2つの液処理ユニットM21,M22および2つの乾燥ユニットD21,D22にアクセス可能に構成されており、それらに対して、ローカル搬送ロボットLR11と同様な動作を行う。また、ローカル搬送ロボットLR22は、2つの液処理ユニットM23,M24および2つの乾燥ユニットD23,D24にアクセス可能に構成されており、それらに対して、ローカル搬送ロボットLR11と同様な動作を行う。
 主搬送室5の一方側に配置された2つのローカル搬送ロボットLR11,LR21は、この実施形態では、平面視において重なり合う2つのローカル搬送室C11,C21にそれぞれ配置されている。同様に、主搬送室5の他方側に配置された2つのローカル搬送ロボットLR12,LR22は、この実施形態では、平面視において重なり合う2つのローカル搬送室C12,C22にそれぞれ配置されている。
 上下に重なり合った2つのローカル搬送室C11,C21;C12,C22を、上下に連通した一つのローカル搬送室としてもよい。そして、この一つのローカル搬送室C内に一つのローカル搬送ロボットLRを配置してもよい。
 この場合、主搬送室5の一方側では、ローカル搬送室Cに対してキャリヤ保持部2側には、液処理ユニットM11、乾燥ユニットD11、液処理ユニットM21および乾燥ユニットD21がこの順で積層された積層ユニット群G1が位置し、キャリヤ保持部2から遠い側にも、液処理ユニットM12、乾燥ユニットD12、液処理ユニットM22および乾燥ユニットD22がこの順で積層された積層ユニット群G2が位置する。ローカル搬送室Cに配置された一つのローカル搬送ロボットLRは、これらの一対の積層ユニット群G1,G2を構成する合計8個のユニットに対してアクセスすることができる。この場合、ローカル搬送ロボットLRは、或る液処理ユニットM11,M12,M21,M22で処理が終了した一つの基板Wをその直上に積層された乾燥ユニットD11,D12,D21,D22に搬入するように動作してもよい。また、ローカル搬送ロボットLRは、或る液処理ユニットM11,M12,M21,M22で処理が終了した一つの基板Wを、アクセス可能な4つの乾燥ユニットD11,D12,D21,D22のうちの任意の一つに搬入してもよい。一般的には、処理のために使われていない乾燥ユニットDに基板Wを搬入することにより、生産性を高めることができる。
 主搬送室5の他方側についても、同様の構成であり、2つの積層ユニット群G3,G4によって共有される一つのローカル搬送ロボットLRを同様に動作させることができる。
 図1Aおよび図5Aの比較から理解されるとおり、この実施形態の構成により、基板処理装置1Aの占有面積(フットプリント)を小さくすることができる。
 図6Aは、この発明の第3の実施形態に係る基板処理装置1Bの構成を説明するための図解的な平面図であり、図6Bは、その立面図である。この実施形態の基板処理装置1Bでは、ユニットの配置が、第1層S1、第2層S2および第3層S3を含む三層構造を形成している。
 この実施形態では、平面視において、主搬送室5の一方側に3つの積層ユニット群G11,G12,G13が主搬送室5に沿って配置され、主搬送室5の他方側に3つの積層ユニット群G14,G15,G16が主搬送室5に沿って配置されている。
 積層ユニット群G11は、3つの液処理ユニットM11,M21,M31を下から順に積層して構成されている。積層ユニット群G13は、3つの液処理ユニットM12,M22,M32を下から順に積層して構成されている。積層ユニット群G11,G13の間に配置された積層ユニット群G12は、6つの乾燥ユニットD11,D12,D21,D22,D31,D32を下から順に積層して構成されている。積層ユニット群G11,G13の間には、さらに、ローカル搬送室C11,C21,C31が下から順に積層して配置されており、それらの中に、ローカル搬送ロボットLR11,LR21,LR31がそれぞれ配置されている。ローカル搬送室C11,C21,C31は、この実施形態では、積層ユニット群G12に対して、主搬送室5とは反対側に配置されている。
 積層ユニット群G14は、3つの液処理ユニットM13,M23,M33を下から順に積層して構成されている。積層ユニット群G16は、3つの液処理ユニットM14,M24,M34を下から順に積層して構成されている。積層ユニット群G14,G16の間に配置された積層ユニット群G15は、6つの乾燥ユニットD13,D14,D23,D24,D33,D34を下から順に積層して構成されている。積層ユニット群G14,G16の間には、さらに、ローカル搬送室C12,C22,C32が下から順に積層して配置されており、それらの中に、ローカル搬送ロボットLR12,LR22,LR32がそれぞれ配置されている。ローカル搬送室C12,C22,C32は、この実施形態では、積層ユニット群G15に対して、主搬送室5とは反対側に配置されている。
 各層の構成に着目すると、第1層S1において、主搬送室5の一方側には、主搬送室5の平面視における長手方向に沿って、一対の液処理ユニットM11,M12が配置されており、この一対の液処理ユニットM11,M12の間に、一対の乾燥ユニットD11,D12と、一つのローカル搬送ロボットLR11とが配置されている。一対の乾燥ユニットD11,D12は、この実施形態では、上下に積層されている。乾燥ユニットD11,D12は、主搬送室5に近い位置に配置されており、乾燥ユニットD11,D12に対して主搬送室5とは反対側にローカル搬送ロボットLR11が配置されている。
 ローカル搬送ロボットLR11は、ローカル搬送室C11内に配置されている。ローカル搬送ロボットLR11は、一対の液処理ユニットM11,M12および一対の乾燥ユニットD11,D12にアクセス可能である。ローカル搬送ロボットLR11は、一つの液処理ユニットM11,M12で処理を終えた基板Wを搬出して、一対の乾燥ユニットD11,D12のいずれかにその基板Wを搬入するように動作する。
 第1層S1において、主搬送室5の他方側のユニット配置も同様である。すなわち、主搬送室5の他方側には、主搬送室5の平面視における長手方向に沿って、一対の液処理ユニットM13,M14が配置されており、この一対の液処理ユニットM13,M14の間に一対の乾燥ユニットD13,D14と一つのローカル搬送ロボットLR12とが配置されている。一対の乾燥ユニットD13,D14は上下に積層されている。それらの乾燥ユニットD13,D14は、主搬送室5に近い位置に配置され、乾燥ユニットD13,D14に対して主搬送室5とは反対側にローカル搬送室C12が区画され、そこにローカル搬送ロボットLR12が収容されている。
 ローカル搬送ロボットLR12は、一対の液処理ユニットM13,M14および一対の乾燥ユニットD13,D14にアクセス可能である。ローカル搬送ロボットLR12は、一つの液処理ユニットM13,M14で処理を終えた基板Wを搬出して、一対の乾燥ユニットD13,D14のいずれかにその基板Wを搬入するように動作する。
 第2層S2および第3層S3のユニット配置および各層のローカル搬送ロボットLRの動作も同様である。第2層S2は、主搬送室5の一方側に配置された一対の液処理ユニットM21,M22、一対の乾燥ユニットD21,D22および一つのローカル搬送ロボットLR21を含み、さらに、主搬送室5の他方側に配置された一対の液処理ユニットM23,M24、一対の乾燥ユニットD23,D24および一つのローカル搬送ロボットLR22を含む。第3層S3は、主搬送室5の一方側に配置された一対の液処理ユニットM31,M32、一対の乾燥ユニットD31,D32および一つのローカル搬送ロボットLR31を含み、さらに、主搬送室5の他方側に配置された一対の液処理ユニットM33,M34、一対の乾燥ユニットD33,D34および一つのローカル搬送ロボットLR32を含む。
 このように、この実施形態では、液処理ユニットMと乾燥ユニットDとが平面的に配置(水平配置)されており、それにより、基板処理装置1Bの全高を抑制しながら、多数の液処理ユニットMおよび乾燥ユニットDを備えることができる。
 主搬送室5の一方側に配置された3つのローカル搬送ロボットLR11,LR21,LR31は、この実施形態では、平面視において、重なり合う3つのローカル搬送室C11,C21,C31にそれぞれ配置されている。この3つのローカル搬送室C11,C21,C31を上下に連通した一つのローカル搬送室Cとしてもよい。また、この一つのローカル搬送室C内に一つのローカル搬送ロボットLRを配置してもよい。この場合、ローカル搬送室Cに対してキャリヤ保持部2側には、3つの液処理ユニットM11,M21,M31が積層された積層ユニット群G11が位置し、キャリヤ保持部2から遠い側には、3つの液処理ユニットM12,M22,M32が積層された積層ユニット群G13が位置し、主搬送室5側には6つの乾燥ユニットD11,D12,D21,D22,D31,D32が積層された積層ユニット群G12が位置する。ローカル搬送室Cに配置された一つのローカル搬送ロボットLRは、これらの3つの積層ユニット群G11~G13を構成する合計12個のユニットに対してアクセスすることができる。
 この場合、ローカル搬送ロボットLRは、或る液処理ユニットMで処理が終了した一つの基板Wを同一層内に位置する乾燥ユニットDに搬入するように動作してもよい。また、ローカル搬送ロボットLRは、或る液処理ユニットMで処理が終了した一つの基板Wを、アクセス可能な6つの乾燥ユニットDのうちの任意の一つに搬入してもよい。一般的には、処理のために使われていない乾燥ユニットDに基板Wを搬入することにより、生産性を高めることができる。むろん、主搬送室5の反対側に関しても、同様の構成とすることができる。
 図1Aおよび図6Aの比較から理解されるとおり、この実施形態の構成により、基板処理装置1Bの占有面積(フットプリント)を小さくすることができる。さらに、図5Bおよび図6B等の比較から理解されるとおり、この実施形態の構成により、同じ高さのスペースに、より多くのユニットを配置することができる。換言すれば、同じユニット数の基板処理装置を、より低い高さで構成することができる。
 図7は、この発明の第4の実施形態に係る基板処理装置1Cの構成を説明するための図解的な立面図であり、主搬送室の一方側の構成が示されている。主搬送室5(図5A等参照)の一方側に、一対の積層ユニット群G21,G22が配置されており、それらの間にローカル搬送ロボットLR1,LR2が配置されている。この例では、一つの積層ユニット群G21は3つの液処理ユニットM1,M2,M3を三層に積層して構成されている。もう一つの積層ユニット群G22は、一つの液処理ユニットM4と、その上に順に積層された4つの乾燥ユニットD1~D4とを含む。主搬送室5の反対側にも同様の構成が設けられている。主搬送ロボットCRは、主搬送室5の一方側に配置された4つの液処理ユニットM1~M4および4つの乾燥ユニットD1~D4にアクセス可能であり、かつ主搬送室5の反対側に同様に配置された4つの液処理ユニットおよび4つの乾燥ユニットにアクセス可能である。
 この例では、主搬送室5の一方側に、2つのローカル搬送ロボットLR1,LR2が設けられており、それらは、一つのローカル搬送室C内に配置されている。たとえば、下側のローカル搬送ロボットLR1は、3つの液処理ユニットM1,M2,M4および2つの乾燥ユニットD1,D2にアクセス可能であってもよい。そして、上側のローカル搬送ロボットLR2は、2つの液処理ユニットM2,M3および4つの乾燥ユニットD1~D4にアクセス可能であってもよい。これらのローカル搬送ロボットLR1,LR2は、液処理ユニットM1~M4で処理された後の基板Wをいずれかの乾燥ユニットD1~D4に搬入するように動作する。主搬送室5の反対側にも同様の構成が設けられており、2つのローカル搬送ロボットの動作も同様である。
 図8は、この発明の第5の実施形態に係る基板処理装置1Dの構成を説明するための図解的な平面図である。この実施形態では、3つの積層ユニット群G31,G32,G33が設けられている。第1の積層ユニット群G31は、液処理ユニットM11,M21,M31を複数層(この実施形態では三層)に積層して構成されている。第2の積層ユニット群G32は、キャリヤ保持部2におけるキャリヤ3の整列方向に沿って、第1の積層ユニット群G31に対向している。この第2の積層ユニット群G32は、液処理ユニットM12,M22,M32を複数層に積層して構成されている。第3の積層ユニット群G33は、第1および第2の積層ユニット群G31,G32の間に配置されている。第3の積層ユニット群G33は、乾燥ユニットD1~D6を複数層(この実施形態では6層)に積層して構成されており、図6Aおよび図6Bに示した積層ユニット群G12,G15と類似の構成を有している。乾燥ユニットD1~D6に対して主搬送ロボットCRとは反対側にローカル搬送室Cが配置されている。ローカル搬送室Cには、ローカル搬送ロボットLRが配置されている。ローカル搬送ロボットLRは、液処理ユニットM11,M12;M21,M22;M31,M32に対応した各層に一つずつ設けられていてもよい。また、複数層(たとえば全ての層)に配置された液処理ユニットMに対して共通に用いられる一つのローカル搬送ロボットLRが設けられていてもよい。
 主搬送ロボットCRは、主搬送室5Aに配置されている。主搬送室5は、第1~第3の積層ユニット群G31~G33とインデクサロボットIRとの間に区画されている。インデクサロボットIRと主搬送ロボットCRとの間の基板Wの受け渡しは、一時的に基板Wを保持する基板受渡しユニット7を介して行われてもよい。主搬送ロボットCRは、インデクサロボットIRから基板受渡しユニット7を介して受け取った未処理の基板Wを、第1または第2の積層ユニット群G31,G32に含まれる一つの液処理ユニットMに搬入する。その液処理ユニットMで処理された後の基板Wは、ローカル搬送ロボットLRによって搬出され、当該ローカル搬送ロボットLRがアクセス可能な乾燥ユニットD1~D6のいずれかに搬入される。その乾燥ユニットDで処理された後の基板Wは、主搬送ロボットCRによって取り出され、基板受渡しユニット7を介して、インデクサロボットIRへと渡される。
 図9は、この発明の第6の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図であり、乾燥ユニットDの構成例を示す。この乾燥ユニットDは、真空チャンバを構成する減圧乾燥室111を有している。減圧乾燥室111には、排気管112が接続されている。排気管112は、真空ポンプ等の排気ユニット113に接続されている。排気管112には、排気バルブ110が介装されている。
 減圧乾燥室111には、基板Wを搬入するための基板搬入開口114が側壁115に形成されている。さらに、減圧乾燥室111には、基板Wを搬出するための基板搬出開口116が側壁117に形成されている。基板搬出開口116を開閉するためのシャッタ118が設けられており、シャッタ118はシャッタ駆動ユニット119によって駆動される。シャッタ118の減圧乾燥室111に対向する表面には、シール部材としてのOリング120が設けられている。シャッタ118は、減圧乾燥室111の側壁117に押し付けられ、それによって、Oリング120を介して基板搬出開口116を気密に密閉する。主搬送ロボットCRが乾燥ユニットDによる処理済みの基板Wを搬出するときには、シャッタ駆動ユニット119はシャッタ118を駆動して基板搬出開口116を開放する。その開放された基板搬出開口116に主搬送ロボットCRのハンドHCが進入する。
 一方、基板搬入開口114は、ローカル搬送ロボットLRのハンドLHに備えられた蓋部材125によって開閉される。蓋部材125の減圧乾燥室111に対向する表面には、シール部材としてのOリング126が設けられている。ローカル搬送ロボットLRは、液処理ユニットMで処理された後の基板Wを減圧乾燥室111に搬入し、さらに、蓋部材125をOリング126を介して減圧乾燥室111の側壁115に押し付けるように動作する。それにより、基板搬入開口114が気密に閉塞される。
 減圧乾燥室111の天井面には、減圧乾燥室111内の空間に乾燥防止流体としての有機溶剤蒸気(有機溶剤ガス)を導入するための有機溶剤蒸気ノズル71Aが設けられている。この有機溶剤蒸気ノズル71Aに関して、図3に示した乾燥ユニットの場合と同様の構成が備えられており、有機溶剤蒸気ノズル71Aに有機溶剤の蒸気が供給されている。図9において、図3の各部に対応する部分に同一参照符号を付して説明を省略する。
 乾燥ユニットDの動作の概要は次のとおりである。
 基板搬出開口116がシャッタ118によって閉塞された状態で、ローカル搬送ロボットLRが基板Wを減圧乾燥室111に搬入する。この基板Wは、その上面に有機溶剤液膜10が形成された状態の基板である。ローカル搬送ロボットLRは、ハンドLHを減圧乾燥室111内に進入させ、かつ、蓋部材125を減圧乾燥室111の側壁115の外面に押し付けて基板搬入開口114を閉塞する。こうして、減圧乾燥室111内は気密な密閉空間となる。この状態で、排気バルブ110が開かれ、排気ユニット113が作動させられることにより、減圧乾燥室111内の空間が大気圧よりも低圧に減圧される。それによって、基板W上の有機溶剤液膜10が瞬時に乾燥する。
 減圧乾燥室111内の空間の減圧が開始されるまでの期間には、有機溶剤バルブ73およびキャリヤガスバルブ83が開かれ、有機溶剤蒸気ノズル71から減圧乾燥室111内に有機溶剤の蒸気が供給される。それにより、基板Wの表面の有機溶剤液膜10からの有機溶剤の蒸発が抑制され、減圧開始前の乾燥が抑制される。減圧乾燥室111内の減圧が開始されると、減圧を阻害しないように、有機溶剤バルブ73およびキャリヤガスバルブ83が閉じられる。
 こうして基板Wの乾燥が終了すると、排気ユニット113が動作停止され、必要に応じてキャリヤガスバルブ83が開かれる。それによって、減圧乾燥室111内の空間が大気圧に戻る。次いで、シャッタ駆動ユニット119がシャッタ118を基板搬出開口116から退避させ、それによって、基板搬出開口116が開かれる。その後、主搬送ロボットCRがハンドHCを減圧乾燥室111内に進入させ、ローカル搬送ロボットLRのハンドLHから、乾燥処理済みの基板Wを受け取り、基板搬出開口116からその基板Wを搬出する。
 このように、ローカル搬送ロボットLRのハンドLHに蓋部材125を設けることによって、基板搬入開口114を開閉するためのシャッタ駆動機構を省くことができる。また、減圧乾燥室111内での基板Wの保持をローカル搬送ロボットLRのハンドLHで行えるので、減圧乾燥室111内に基板保持機構を設ける必要がない。減圧による有機溶剤の乾燥は、瞬時に行えるので、ローカル搬送ロボットLRのハンドLHによる乾燥処理中の基板Wの保持が原因で生産性に大きな影響が生じるおそれはない。
 また、減圧乾燥室111にハンドで基板Wを搬送する動作により、蓋部材125によって基板搬入開口114を密閉でき、そのまま、減圧乾燥室111内で基板Wを保持して減圧乾燥処理を行える。したがって、基板搬入開口114の開閉専用の動作および基板Wの受け渡し動作を省略できるから、工程全体の所要時間を短縮でき、生産性を向上できる。
 なお、この形態の乾燥ユニットDにおいても、図3に示したようなヒータ53を設けて、基板Wを加熱する構成としてもよい。
 以上、この発明の実施形態について説明してきたが、この発明は、さらに他の形態で実施することができる。
 図2に二点鎖線で示すように、液処理ユニットMは、スピンチャック12に保持された基板Wの上面に対向する対向面19aを有する遮断板19を有していてもよい。この場合、スピンチャック12の上方で遮断板19を上下動させ、遮断板19を基板Wの上面に接近させたり、基板Wの上面から離れさせたりする遮断板昇降ユニットが備えられることが好ましい。たとえば、遮断板19を基板Wの上面に接近させた状態で、リンス工程を行ったり、有機溶剤液盛り工程を行ったりすることにより、周囲から跳ね返った液滴やミストが基板Wの上面に付着することを抑制または防止できる。この場合、リンス液ノズル15および有機溶剤ノズル16は、遮断板19に組み込まれ、たとえば、遮断板19の対向面19aの中央付近から基板Wの中心に向けて液を吐出するように配置されていることが好ましい。
 また、液処理ユニットMは、基板Wを冷却する基板冷却ユニットをさらに備えていてもよい。基板冷却ユニットは、たとえば、スピンチャック12に保持された基板Wの下面に対向するように設けられた冷温プレート20(図2参照)を含んでいてもよい。冷温プレートを基板Wの下面に対して接近/離隔させるプレート駆動ユニットがさらに備えられていてもよい。冷温プレートは、冷媒が流通する冷媒路が内部に形成されたプレートであってもよい。また、冷温プレートは、電子冷熱素子を備えていてもよい。基板冷却ユニットは、基板を有機溶剤の露点以下の温度に冷却し、基板W表面の有機溶剤の蒸発を抑制または防止する。すなわち、基板冷却ユニットは、有機溶剤液盛り工程から、液盛りされた基板Wが液処理ユニットMから搬出されるまでの期間に、基板Wを有機溶剤の露点以下の温度に保持することが好ましい。このような基板冷却ユニットを設ける代わりに、液処理ユニットMの処理室11の全体を冷却し、処理室11内の雰囲気を有機溶剤の露点以下に冷却してもよい。
 さらに、液処理ユニットMは、基板W表面の有機溶剤の蒸発を抑制または防止するために、乾燥防止流体(たとえば有機溶剤の蒸気またはミスト(液滴))を基板Wの表面に供給する乾燥防止流体供給ユニットを備えていてもよい。乾燥防止流体供給ユニットは、スピンチャック12に保持された基板Wの表面に向けて乾燥防止流体を吐出するノズル130(図2参照)と、ノズル130に乾燥防止流体を供給する配管131と、配管131に介装されたバルブ132とを含むことが好ましい。配管131は、乾燥防止流体供給源133に接続される。ノズル130は、前述の遮断板19に組み込まれてもよいし、基板Wの上方の処理位置と基板Wの上方から退避した退避位置との間で移動可能な移動ノズルであってもよい。
 また、前述の実施形態では、液処理ユニットMにおいて、基板Wの表面に有機溶剤液膜10が形成されているが、有機溶剤液膜10の形成を乾燥ユニットDで行ってもよい。より具体的には、液処理ユニットMにおいて、リンス液で基板Wの上面が濡れた状態で処理を終了する。そのリンス液で濡れた状態の基板Wがローカル搬送ロボットLRによって乾燥ユニットDに搬送される。乾燥ユニットDでは、基板Wの上面のリンス液に有機溶剤が供給され、リンス液の蒸発が促進される。この場合、図3に示すように、基板ホルダ52には、基板冷却ユニットとしての冷却ユニット53Cを内蔵し、基板ホルダ52を温度調節プレートとして構成しておくことが好ましい。冷却ユニット53Cは、基板ホルダ52内を通る冷媒通路を有していてもよいし、電子冷熱素子を有していてもよい。たとえば、冷却ユニット53Cによって基板Wを冷却(好ましくは、有機溶剤の露点以下の温度に冷却)しておく一方で、基板Wの表面に有機溶剤の蒸気またはミスト(液滴)が供給される。それにより、基板Wの表面のリンス液に有機溶剤が混入し、基板Wの表面のリンス液が蒸発しやすくなる。その後、有機溶剤の供給を停止して、基板Wの周囲を減圧雰囲気とすることにより、基板Wの表面の液成分を瞬時に乾燥することができる。この乾燥時には、冷却ユニット53Cを作動停止し、ヒータ53を駆動して、基板Wの加熱を併用することが好ましい。ローカル搬送ロボットLRによる搬送中に基板W表面のリンス液が蒸発することを抑制または防止するために、その搬送中の基板Wの表面には、乾燥防止流体としてリンス液の蒸気(たとえば水蒸気)またはミスト(液滴)が供給される。
 前述の第1~第4の実施形態において、インデクサロボットIRと主搬送ロボットCRとの間に、基板Wを一時的に保持する基板受渡しユニットを配置し、第5の実施形態(図8参照)と同様にして、それらの間の基板受け渡しを行ってもよい。
 この出願は、2017年3月23日に日本国特許庁に提出された特願2017-058059号に対応しており、この出願の全開示はここに引用により組み込まれるものとする。
 本発明の実施形態について詳細に説明してきたが、これらは本発明の技術的内容を明らかにするために用いられた具体例に過ぎず、本発明はこれらの具体例に限定して解釈されるべきではなく、本発明の範囲は添付の請求の範囲によってのみ限定される。
 W 基板
 IR インデクサロボット
 S1 第1層
 S2 第2層
 S3 第3層
 M,M1-M4,M11-M14,M21-M24,M31-M34 液処理ユニット
 D,D1-D6,D11-D14,D21-D24,D31-D34 乾燥ユニット
 LR,LR1,LR2,LR11-LR14,LR21-LR24,LR31,LR32 ローカル搬送ロボット
 LH ローカル搬送ロボットのハンド
 C,C11-C14,C21-C24 ローカル搬送室
 G1-G4,G11-G16,G21,G22,G31-G33 積層ユニット群
 CR 主搬送ロボット
 HC 主搬送ロボットのハンド
 1,1A,1B,1C,1D 基板処理装置
 2 キャリヤ保持部
 3 キャリヤ
 5,5A 主搬送室
 7 基板受渡しユニット
 10 有機溶剤液膜
 11 処理室
 12 スピンチャック
 14 薬液ノズル
 15 リンス液ノズル
 16 有機溶剤ノズル
 17 モータ
 19 遮断板
 37 基板搬入開口
 38 基板搬出開口
 39,40 シャッタ
 50 乾燥処理空間
 51 減圧乾燥室
 52 基板ホルダ
 53 ヒータ
 54 リフトピン
 56 蓋部駆動ユニット
 63 排気ユニット
 71,71A 有機溶剤蒸気ノズル
 90 ハンド駆動ユニット
 91,91A 有機溶剤ガスノズル
 97 ハンド冷却ユニット
 98 冷媒通路
 99 冷却プレート
 111 減圧乾燥室
 113 排気ユニット
 114 基板搬入開口
 116 基板搬出開口
 118 シャッタ
 125 蓋部材

Claims (25)

  1.  処理室内で基板の表面に処理液を供給する液処理ユニットと、
     乾燥室内で基板表面の処理液を乾燥させる乾燥ユニットと、
     前記処理室へ基板を搬入する主搬送ユニットと、
     前記処理室から前記乾燥室へ基板を搬送するローカル搬送ユニットと、
     前記ローカル搬送ユニットによって基板が搬送されている間、前記基板表面の処理液の乾燥を防ぐ乾燥防止流体を前記基板表面に供給する乾燥防止流体供給ユニットと、を含む、基板処理装置。
  2.  前記乾燥防止流体供給ユニットが、
     前記ローカル搬送ユニットの搬送アームに備えられ、当該搬送アームに保持された基板に向けて乾燥防止流体を吐出するノズルを含む、請求項1に記載の基板処理装置。
  3.  前記ローカル搬送ユニットの搬送アームを、搬送時の基板の温度以下に冷却するアーム冷却ユニットをさらに含む、請求項1または2に記載の基板処理装置。
  4.  前記乾燥ユニットが、
     前記乾燥室内を大気圧よりも低圧に減圧する減圧ユニットを含む、請求項1~3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  5.  前記乾燥ユニットが、前記乾燥室内において基板の表面に乾燥防止流体を供給するノズルをさらに含む、請求項1~4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  6.  前記乾燥ユニットが、前記乾燥室内において基板を加熱する基板加熱ユニットを含む、請求項1~5のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  7.  前記乾燥室の容積が、前記処理室の容積よりも小さい、請求項1~6のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  8.  前記ローカル搬送ユニットが、ローカル搬送室を通る搬送経路に従って基板を搬送するように構成されており、
     前記乾燥室と前記ローカル搬送室とが連通している、請求項1~7のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  9.  前記乾燥室が、前記ローカル搬送ユニットによって基板が搬入される搬入開口を有しており、
     前記ローカル搬送ユニットが、前記搬入開口を密閉する蓋ユニットを有している、請求項1~8のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  10.  前記ローカル搬送ユニットが、基板を搬送する搬送アームを備えており、
     前記蓋ユニットが前記搬送アームに設けられている、請求項9に記載の基板処理装置。
  11.  前記処理液が、水よりも表面張力が小さい低表面張力液体である、請求項1~10のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  12.  前記乾燥防止流体が、前記処理液の蒸気または液滴を含む、請求項1~11のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  13.  前記処理液が有機溶剤を含み、
     前記乾燥防止流体が有機溶剤の蒸気または液滴を含む、請求項1~12のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  14.  前記主搬送ユニットが主搬送室に配置されており、
     前記ローカル搬送ユニットが、前記主搬送室から離隔されたローカル搬送室に配置されている、請求項1~13のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  15.  処理室内で基板の表面に処理液を供給する液処理工程と、
     乾燥室内で基板表面の処理液を乾燥させる乾燥工程と、
     主搬送ユニットによって前記処理室へ基板を搬入する主搬送工程と、
     ローカル搬送ユニットによって前記処理室から前記乾燥室へ基板を搬送するローカル搬送工程と、
     前記ローカル搬送工程で基板が搬送されている間、前記基板表面の処理液の乾燥を防ぐ乾燥防止流体を前記基板表面に供給する乾燥防止流体供給工程と、を含む、基板処理方法。
  16.  前記乾燥防止流体供給工程において、
     前記ローカル搬送ユニットの搬送アームに備えられたノズルから、当該搬送アームに保持された基板に向けて乾燥防止流体が吐出される、請求項15に記載の基板処理方法。
  17.  前記ローカル搬送ユニットの搬送アームを、搬送時の基板の温度以下に冷却するアーム冷却工程をさらに含む、請求項15または16に記載の基板処理方法。
  18.  前記乾燥工程が、
     前記乾燥室内を大気圧よりも低圧に減圧する減圧工程を含む、請求項15~17のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  19.  前記乾燥工程に先立って、前記乾燥室内において基板の表面に乾燥防止流体を供給する工程をさらに含む、請求項15~18のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  20.  前記乾燥工程が、前記乾燥室内において基板を加熱する基板加熱工程を含む、請求項15~19のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  21.  前記乾燥室の容積が、前記処理室の容積よりも小さい、請求項15~20のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  22.  前記乾燥室が、前記ローカル搬送ユニットによって基板が搬入される搬入開口を有しており、
     前記乾燥工程に先立って、前記ローカル搬送ユニットに備えられた蓋ユニットによって前記搬入開口を密閉する工程をさらに含む、請求項15~21のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  23.  前記処理液が、水よりも表面張力が小さい低表面張力液体である、請求項15~22のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  24.  前記乾燥防止流体が、前記処理液の蒸気または液滴を含む、請求項15~23のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  25.  前記処理液が有機溶剤を含み、
     前記乾燥防止流体が有機溶剤の蒸気または液滴を含む、請求項15~24のいずれか一項に記載の基板処理方法。
PCT/JP2018/005310 2017-03-23 2018-02-15 基板処理装置および基板処理方法 WO2018173566A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201880014780.1A CN110352473B (zh) 2017-03-23 2018-02-15 基板处理装置及基板处理方法
KR1020197024817A KR102327272B1 (ko) 2017-03-23 2018-02-15 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017058059A JP6878075B2 (ja) 2017-03-23 2017-03-23 基板処理装置および基板処理方法
JP2017-058059 2017-03-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018173566A1 true WO2018173566A1 (ja) 2018-09-27

Family

ID=63585172

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2018/005310 WO2018173566A1 (ja) 2017-03-23 2018-02-15 基板処理装置および基板処理方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6878075B2 (ja)
KR (1) KR102327272B1 (ja)
CN (1) CN110352473B (ja)
TW (1) TWI686856B (ja)
WO (1) WO2018173566A1 (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003282666A (ja) * 2002-03-25 2003-10-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板搬送装置および基板処理装置
JP2003297901A (ja) * 2002-04-05 2003-10-17 Supurauto:Kk 基板処理システムおよびその処理方法
JP2015092539A (ja) * 2013-09-30 2015-05-14 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2609751B2 (ja) * 1990-10-02 1997-05-14 山形日本電気株式会社 ウェーハキャリア洗浄装置
KR0135394B1 (ko) * 1993-03-18 1998-04-25 이시다 아키라 기판처리장치
JPH0774133A (ja) * 1993-03-18 1995-03-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR100472732B1 (ko) * 1997-06-26 2005-05-18 주식회사 하이닉스반도체 반도체장치제조방법
JP2008034428A (ja) * 2006-07-26 2008-02-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP4763563B2 (ja) * 2006-09-20 2011-08-31 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法
JP2008198958A (ja) * 2007-02-16 2008-08-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP5122371B2 (ja) * 2008-05-26 2013-01-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、プログラムならびに記憶媒体
JP5422497B2 (ja) * 2010-06-23 2014-02-19 株式会社東芝 基板乾燥方法
KR20120028672A (ko) * 2010-09-15 2012-03-23 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
JP6131162B2 (ja) 2012-11-08 2017-05-17 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003282666A (ja) * 2002-03-25 2003-10-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板搬送装置および基板処理装置
JP2003297901A (ja) * 2002-04-05 2003-10-17 Supurauto:Kk 基板処理システムおよびその処理方法
JP2015092539A (ja) * 2013-09-30 2015-05-14 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201836000A (zh) 2018-10-01
JP6878075B2 (ja) 2021-05-26
CN110352473B (zh) 2023-06-09
CN110352473A (zh) 2019-10-18
KR20190108611A (ko) 2019-09-24
TWI686856B (zh) 2020-03-01
JP2018160614A (ja) 2018-10-11
KR102327272B1 (ko) 2021-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI686244B (zh) 基板處理裝置
WO2018180181A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP5352546B2 (ja) 接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2005340846A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法
KR101980729B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2006086411A (ja) 基板処理装置
WO2018173566A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2009188411A (ja) シリル化処理方法、シリル化処理装置およびエッチング処理システム
JP2001267236A (ja) 処理装置および処理方法
KR102113931B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP2020017618A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR101718519B1 (ko) 건식 및 습식 처리를 위한 단일 플랫폼의 기판처리설비
WO2011142193A1 (ja) 金属膜形成システム、金属膜形成方法及びコンピュータ記憶媒体
TWI830205B (zh) 基板處理方法以及基板處理裝置
JP6417916B2 (ja) 基板搬送方法、基板処理装置、及び記憶媒体
JP2008109158A (ja) 基板処理装置、基板処理方法、基板の製造方法及び電子機器
JP2008166820A (ja) 基板処理装置、基板処理方法、基板の製造方法及び電子機器
JP4080272B2 (ja) 基板処理方法
JP3611568B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法及び基板の製造方法
JP3665716B2 (ja) 処理システム
WO2011142192A1 (ja) 金属膜形成システム、金属膜形成方法及びコンピュータ記憶媒体
JP2008053738A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18771575

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20197024817

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 18771575

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1