KR101718519B1 - 건식 및 습식 처리를 위한 단일 플랫폼의 기판처리설비 - Google Patents

건식 및 습식 처리를 위한 단일 플랫폼의 기판처리설비 Download PDF

Info

Publication number
KR101718519B1
KR101718519B1 KR1020140093688A KR20140093688A KR101718519B1 KR 101718519 B1 KR101718519 B1 KR 101718519B1 KR 1020140093688 A KR1020140093688 A KR 1020140093688A KR 20140093688 A KR20140093688 A KR 20140093688A KR 101718519 B1 KR101718519 B1 KR 101718519B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
module
dry
processing
processed
Prior art date
Application number
KR1020140093688A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160012370A (ko
Inventor
최도현
Original Assignee
최도현
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 최도현 filed Critical 최도현
Priority to KR1020140093688A priority Critical patent/KR101718519B1/ko
Publication of KR20160012370A publication Critical patent/KR20160012370A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101718519B1 publication Critical patent/KR101718519B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02054—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process combining dry and wet cleaning steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices

Abstract

본 발명의 건식 및 습식 처리를 위한 단일 플랫폼의 기판 처리 설비는 건식 및 습식 처리를 하나의 단일 플랫폼에서 수행하여 피처리 기판의 오염을 방지할 수 있으며 설비의 바닥 면적을 최소화 할 수 있다. 또한 각각의 건식 처리 설비와 습식 처리 설비를 독립적으로 구성하여 운영하는 방식과 비교하여 설비구축 비용이나 운영 및 유지보수 비용 측면에 있어서도 절감 효과를 얻을 수 있다.

Description

건식 및 습식 처리를 위한 단일 플랫폼의 기판처리설비{SINGLE PLATFORM WORK PIECE PROCESSING APPARATUS FOR DRY AND WET PROCESSING}
본 발명은 웨이퍼나 글라스와 같은 피처리 기판의 반도체 가공을 위한 기판처리설비에 관한 것으로, 구체적으로는 건식 기판 처리와 습식 기판 처리를 하나의 플랫폼에서 수행할 수 있는 건식 및 습식 처리를 위한 단일 플랫폼의 기판처리설비에 관한 것이다.
웨이퍼나 글라스와 같은 피처리 기판을 반도체 가공하기 위한 공정들은 매우 다양한 여러 단계의 반도체 가공 공정을 통하여 진행된다. 예를 들어, 증착, 식각, 노광 공정, 현상 공정, 애싱 공정, 세정 공정 등 매우 다양하다. 이러한 다양한 공정들은 각각의 처리 설비를 통하여 진행된다.
한편, 이와 같은 반도체 제조 공정은 바닥 면적을 최소화 하는 것이나 피처리 기판의 오염을 줄이기 위해서는 가급적 단일 플랫폼에서 진행하는 것이 여러모로 유리할 수 있다. 예를 들어, 애싱 설비에서 PR이 도포된 웨이퍼를 애싱 공정을 진행한 후에는 통상적으로 화학적 습식 크리닝 공정을 별도의 습식 세정 설비를 통하여 진행된다. 플라즈마를 이용한 건식 공정으로 애싱 공정을 진행하는 경우 지금까지는 이후 진행되는 화학적 습식 크리닝 공정을 별도의 습식 세정 설비에서 진행되어 왔다.
본 발명의 목적은 건식 및 습식 처리를 하나의 단일 플랫폼에서 수행하여 피처리리 기판의 오염을 방지할 수 있으며 설비의 바닥 면적을 최소화 할 수 있는 기판처리 설비를 제공하는데 있다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명은 건식 및 습식 처리를 위한 단일 플랫폼의 기판처리설비에 관한 것이다. 본 발명의 건식 및 습식 처리를 위한 단일 플랫폼의 기판처리설비는 피처리 기판이 대기하는 전방단부모듈; 상기 피처리 기판을 건식 처리하기 위한 건식처리모듈; 상기 피처리 기판을 습식 처리하기 위한 습식처리모듈; 처리전의 피처리 기판을 상기 건식처리모듈로 로딩하기 위한 제1 기판이송모듈; 상기 건식처리모듈에서 건식 처리된 피처리 기판을 언로딩하기 위힌 제2 기판이송모듈; 상기 건식 처리된 피처리 기판과 상기 습식처리모듈에서 습식 처리된 피처리 기판이 대기하는 버퍼모듈; 상기 전방단부모듈에서 상기 피처리 기판을 언로딩하여 상기 제1 기판이송모듈로 로딩하고, 상기 건식 처리된 피처리 기판을 상기 제2 기판이송모듈로부터 언로딩하여 상기 버퍼모듈로 로딩하며, 상기 습식 처리된 피처리 기판을 상기 버퍼모듈로부터 언로딩하여 상기 전방단부모듈로 로딩하는 제3 기판이송모듈; 및 상기 건식 처리된 피처리 기판을 상기 버퍼모듈로부터 언로딩하여 상기 습식처리모듈로 로딩하고, 상기 습식처리모듈에서 상기 습식 처리된 피처리 기판을 언로딩하여 상기 버퍼모듈로 로딩하는 제4 기판이송모듈을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 건식처리모듈은 플라즈마 소스를 구비하고 상기 피처리 기판에 대하여 플라즈마 에싱 공정을 수행한다.
일 실시예에 있어서, 상기 습식처리모듈은 상기 피처리 기판을 초음파 세정하기 위한 세정 플레이트와 세정액을 공급하는 세정액 공급 노즐을 구비하고 상기 피처리 기판에 대하여 화학적 습식 세정 공정을 수행한다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판처리설비의 동작을 제어하기 위한 제어부를 포함하고, 상기 제어부는 상기 건식처리모듈과 상기 습식처리모듈의 동작 가능 여부에 따라 상기 피처리 기판을 상기 건식처리모듈과 상기 습식처리모듈에서 건식 및 습식 처리를 순차적으로 진행하거나 또는 선택적으로 어느 하나만을 처리하도록 제어한다.
본 발명의 건식 및 습식 처리를 위한 단일 플랫폼의 기판 처리 설비는 건식 및 습식 처리를 하나의 단일 플랫폼에서 수행하여 피처리 기판의 오염을 방지할 수 있으며 설비의 바닥 면적을 최소화 할 수 있다. 또한 각각의 건식 처리 설비와 습식 처리 설비를 독립적으로 구성하여 운영하는 방식과 비교하여 설비구축 비용이나 운영 및 유지보수 비용 측면에 있어서도 절감 효과를 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판처리설비의 전반적인 구성을 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 습식처리모듈에 구비되는 초음파세정장치의 구성을 보여주는 도면이다.
도 3은 도 1의 제2 기판이송모듈의 기판 이송 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 습식처리모듈을 2단 또는 3단으로 구성한 예를 보여주는 도면이다.
도 5는 기판처리설비의 전반적인 동작 수순을 보여주는 순서도이다.
도 6은 도 5의 단계 S200에서의 기판처리설비의 동작 수순을 보여주는 도면이다.
도 7은 도 6의 동작 수순에 따른 기판 이송 경로를 보여주는 도면이다.
도 8는 도 5의 단계 S210에서의 기판처리설비의 동작 수순을 보여주는 도면이다.
도 9는 도 8의 동작 수순에 따른 기판 이송 경로를 보여주는 도면이다.
도 10은 도 5의 단계 S220에서의 기판처리설비의 동작 수순을 보여주는 도면이다.
도 11은 도 10의 동작 수순에 따른 기판 이송 경로를 보여주는 도면이다.
도 12는 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판처리설비의 전반적인 구성을 보여주는 도면이다.
본 발명을 충분히 이해하기 위해서 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상세히 설명하는 실시예로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공 되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어 표현될 수 있다. 각 도면에서 동일한 구성은 동일한 참조부호로 도시한 경우가 있음을 유의하여야 한다. 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판처리설비의 전반적인 구성을 보여주는 도면이고, 도 2는 도 1의 습식처리모듈에 구비되는 초음파세정장치의 구성을 보여주는 도면이다. 그리고 도 3은 도 1의 제2 기판이송모듈의 기판 이송 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 1 내지 도 3을 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판처리설비(100)는 웨이퍼가 적재된 카세트(210)가 위치하는 전방단부모듈(EFEM)(200), 제1 기판이송모듈(400), 제2 기판이송모듈(420), 건식처리모듈(500), 습식처리모듈(600), 버퍼모듈(900), 제3 기판이송모듈(300) 및 제4 기판이송모듈(910)을 포함한다. 그리고 제1, 제2 기판이송모듈(400, 420)과 건식처리모듈(500)을 위한 진공펌프(미도시)가 구비된다. 건식처리모듈(500)은 플라즈마 소스(미도시)가 구비하여 플라즈마 에싱 공정을 진행한다.
제1 기판이송모듈(400)은 건식처리모듈(500)로 피처리 기판을 로딩하기 위한 구성으로 제1 기판이송로봇(410)이 구비된다. 제2 기판이송모듈(420)은 건식처리모듈(500)부터 건식처리된 피처리 기판을 언로딩하기 위한 구성으로 제2 기판이송로봇(430)이 구비된다. 건식처리모듈(500)과 제1 기판이송모듈(400) 사이에 구비된 게이트 밸브(700)를 개방한 후 피처리 기판을 건식처리모듈(500)로 로딩하고, 건식처리모듈(500)과 제2 기판이송모듈(420) 사이에 구비된 게이트 밸브(710)를 개방한 후 건식처리된 피처리 기판을 언로딩한다.
제1, 2 기판이송로봇(410, 430)은 피처리 기판을 이송하기 위한 복수 개의 이송암 및 복수 개의 이송암을 회동 및 승하강 동작시키는 구동축으로 구성된다. 복수 개의 이송암은 구동축을 중심으로 회동하며 건식처리모듈(500)과 습식처리모듈(600) 사이에서 기판을 이송한다.
건식처리모듈(500)은 플라즈마 소스(550)가 구비하여 플라즈마 에싱 공정을 진행한다. 습식처리모듈(600)은 피처리 기판을 초음파 세정하기 위한 세정 플레이트(630)와 세정액을 공급하는 세정액 공급 노즐(634)을 구비하고 피처리 기판에 대하여 화학적 습식 세정 공정을 수행한다. 건식처리모듈(500)은 복수개의 기판을 동시에 처리할 수 있도록 복수개의 처리 스테이지(510)가 구비될 수 있으나 또는 하나의 피처리 기판을 단일로 처리하기 위한 단일 처리 스테이지(510)가 구비될 수도 있다. 복수개의 처리 스테이지(510)는 원형으로 배치된다. 건식처리모듈(500)은 원반형의 회전플레이트(512)를 이용하여 내부에서 피처리 기판을 순환 이동 시켜 처리 스테이지(510)에 로딩하거나 언로딩한다.
제어부(800)는 기판처리설비(100)의 전반적인 동작을 제어한다. 제어부(800)는 건식처리모듈(500), 제1 기판이송모듈(400) 및 제2 기판이송모듈(420)에 연결된 진공펌프(미도시)를 제어한다. 각각의 모듈들은 기판 처리나 이송을 위하여 대기압 또는 진공 상태를 갖는다. 제1, 2 기판이송모듈(400, 420)은 제3 기판이송모듈(300)과 피처리 기판을 교환하는 과정에서는 대기압 상태를 유지하고, 건식처리모듈(500)과 피처리 기판을 로딩/언로딩하는 과정에서는 진공펌프를 제어하여 진공상태를 유지한다. 건식처리모듈(500)은 원반형의 회전플레이트(510)를 이용하여 내부에서 피처리 기판을 순환 이동시켜 처리 스테이지(510)에 로딩하거나 언로딩한다.
제어부(800)는 건식처리모듈(500)과 습식처리모듈(600)의 동작 가능 여부에 따라 건식처리모듈(500)과 습식처리모듈(600)에서 건식 및 습식처리를 순차적으로 진행하거나 또는 선택적으로 어느 하나만을 처리하도록 제어한다.
습식처리모듈(600)은 피처리 기판을 초음파 세정하기 위한 세정 플레이트(630)와 세정액을 공급하는 세정액 공급 노즐(634)을 구비하고 피처리 기판에 대하여 화학적 습식 세정 공정을 수행한다. 건식처리모듈(500)과 습식처리모듈(600)은 복수개의 기판을 동시에 처리할 수 있도록 복수개의 처리 스테이지(510, 610)가 구비될 수 있으나 또는 하나의 피처리 기판을 단일로 처리하기 위한 단일 처리 스테이지(510, 610)가 구비될 수도 있다. 제어부(800)는 기판처리설비(100)의 전반적인 동작을 제어한다. 각각의 모듈들은 기판 처리나 이송을 위하여 대기압 또는 진공 상태를 갖는다.
습식처리모듈(600)은 습식처리스테이지(610) 위에 피처리 기판(예를 들어, 웨이퍼 기판)(636)이 놓이고 그 위에 세정 플레이트(630)가 수막을 사이에 두고 밀착하여 초음파 세정을 실시한다. 이때, 세정 플레이트(630)와 습식처리스테이지(610)가 회전한다. 세정액 공급모듈(620)을 통하여 공급되는 화학적 세정액과 DI 워터등의 세정액은 세정액 공급 노즐(634)을 통하여 피처리 기판(636)으로 분사되어 수막(635)을 형성한다. 세정 후에 화학적 세정액과 DI 워터 등의 세정액은 세정액 회수 가이드(637)와 세정액 회수부(624)를 통하여 회수되어 재사용될 수 있다. 세정 플레이트(630)는 메가소닉장치(631), 압전변환기(632), 공명기(633)가 적층된 구조를 가질 수 있다. 세정 플레이트(630)에 사용되는 초음파는 메가 소닉이나 울트라 소닉이 사용될 수 있다. 피처리 기판은 웨이퍼 또는 글라스일 수 있다.
제3 기판이송모듈(300)은 제3 기판이송로봇(310)이 구비되어, 전방단부모듈(200)에서 피처리 기판을 언로딩하여 제1 기판이송모듈(400)로 로딩하고, 건식 처리된 피처리 기판을 제2 기판이송모듈(420)로부터 언로딩하여 버퍼모듈(900)로 로딩한다. 또한 습식 처리된 피처리 기판을 버퍼모듈(900)로부터 언로딩하여 전방단부모듈(200)로 로딩한다.
버퍼모듈(900)은 건식처리된 피처리 기판과 습식처리된 피처리 기판이 대기하는 부분이다. 버퍼모듈(900)은 제3 기판이송모듈(300)과 제4 기판이송모듈(910) 사이에 구비된다.
제4 기판이송모듈(910)은 제4 기판이송로봇(920)이 구비되어, 건식 처리된 피처리 기판을 버퍼모듈(900)로부터 언로딩하여 습식처리모듈(600)로 로딩하고, 습식처리모듈(600)에서 습식 처리된 피처리 기판을 언로딩하여 버퍼모듈(900)로 로딩한다.
도 4는 습식처리모듈을 2단 또는 3단으로 구성한 예를 보여주는 도면이다.
도 4를 참조하여, 습식처리모듈(600)은 2단이나 3단으로 적층된 구성을 가질 수 있으며 1단으로 구성될 수 도 있다. 각각의 단수에 따라 제2 기판이송로봇(410)의 승강 높이가 변경될 수 있다.
도 5는 기판처리설비의 전반적인 동작 수순을 보여주는 순서도이다.
도 5를 참조하여, 건식 공정 가능 상태와 습식 공정 가능 상태를 판단한다(S100). 건식, 습식 처리 가능한 경우에는 건식 공정과 습식 공정을 위한 설비 제어가 이루어진다(S200). 건식 공정만 가능한 경우에는 건식 공정을 위한 설비 제어가 이루어진다(S210). 습식공정만 가능한 경우에는 습식 공정을 위한 설비 제어가 이루어진다(S220). 그리고 습식 또는 건식 중 어느 하나의 공정만 가능한 경우에는 습식 또는 건식 공정 모듈의 유지 보수가 필요함을 알람을 구동한다(S300, S320). 공정이 완료되었는가를 판단(S400)하여 미완료시에는 공정 제어가 순환하여 반복된다.
도 6은 도 5의 단계 S200에서의 기판처리설비의 동작 수순을 보여주는 도면이이고, 도 7은 도 6의 동작 수순에 따른 기판 이송 경로를 보여주는 도면이다. 도 8는 도 5의 단계 S210에서의 기판처리설비의 동작 수순을 보여주는 도면이고, 도 9는 도 8의 동작 수순에 따른 기판 이송 경로를 보여주는 도면이다. 그리고 도 10은 도 5의 단계 S220에서의 기판처리설비의 동작 수순을 보여주는 도면이고, 도 11은 도 10의 동작 수순에 따른 기판 이송 경로를 보여주는 도면이다.
도 6 내지 도 12에 도시된 바와 같이, 제어부(800)는 상기 건식처리모듈과 상기 습식처리모듈의 동작 가능 여부에 따라 상기 피처리 기판을 상기 건식처리모듈과 상기 습식처리모듈에서 건식 및 습식 처리를 순차적으로 진행하거나 또는 선택적으로 어느 하나만을 처리하도록 제어한다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 전방단부모듈(200)로부터 제3 기판이송모듈(300)을 통해 제1 기판이송모듈(400)로 피처리 기판을 이송한다(S201). 제1 기판이송모듈(400)로부터 건식처리모듈(500)로 피처리 기판을 이송한다(S202). 건식처리모듈(500)에서 피처리 기판을 건식처리한다(S203). 건식처리모듈(500)에서 제2 기판이송모듈(420)을 통해 피처리 기판을 이송한다(S204). 제2 기판이송모듈(420)에서 제3 기판이송모듈(300)을 통해 버퍼모듈(900)로 피처리 기판을 이송한다(S205). 버퍼모듈로부터 제4 기판이송모듈(920)을 통해 습식처리모듈(600)로 피처리 기판을 이송한다(S206). 습식처리모듈에서 피처리 기판을 습식처리한다(S207). 제4 기판이송모듈(920)을 통해 습식처리모듈(600)에서 습식처리된 피처리 기판을 버퍼모듈(900)로 이송한다(S208). 버퍼모듈(900)에서 제3 기판이송모듈(300)을 통해 전방단부모듈(200)로 피처리 기판을 이송한다(S209).
도 8 및 도 9를 참조하면, 피처리 기판의 건식처리만 수행한다. 전방단부모듈(200)로부터 제3 기판이송모듈(300)을 통해 제1 기판이송모듈(400)로 피처리 기판을 이송한다(S212). 제1 기판이송모듈(400)로부터 건식처리모듈(500)로 피처리 기판을 이송한다(S212). 건식처리모듈(500)에서 피처리 기판을 건식처리한다(S213). 건식처리모듈(500)에서 건식처리된 기판을 제2 기판이송모듈(420)로 이송한다(S214). 제2 기판이송모듈(420)에서 제3 기판이송모듈(300)을 통해 전방단부모듈(200)로 피처리 기판을 이송한다(S215).
도 10 및 도 11을 참조하면, 피처리 기판의 습식처리만 수행한다. 전방단부모듈(200)에서 제3 기판이송모듈(300)을 통해 버퍼모듈(900)로 피처리 기판을 이송한다(S221). 버퍼모듈(900)로부터 제4 기판이송모듈(910)을 통해 습식처리모듈(600)로 피처리 기판을 이송한다(S222). 습식처리모듈(600)에서 피처리 기판을 습식처리한다(S223). 습식처리모듈(600)에서 제4 기판이송모듈(910)을 통해 습식처리된 기판을 버퍼모듈(900)로 이송한다(S224). 버퍼모듈(900)에서 제3 기판이송모듈(300)을 통해 전방단부모듈(200)로 피처리 기판을 이송한다(S225).
도 12는 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판처리설비의 전반적인 구성을 보여주는 도면이다. 도 12에 도시된 제2 실시예에 따른 기판처리설비는 제2 버퍼모듈을 구비하고, 습식처리모듈이 건식처리모듈의 외곽을 따라서 원형으로 배치된 구조를 갖는다.
제1 버퍼모듈(900)은 게이트 밸브(720)를 개방하여 제3 기판이송모듈(300)과 피처리 기판을 교환하고, 게이트 밸브(730)를 개방하여 제4 기판이송모듈(910)과 피처리 기판을 교환한다. 제2 버퍼모듈(930)은 게이트 밸브(750)를 개방하여 제3 기판이송모듈(300)과 피처리 기판을 교환하고, 게이트 밸브(760)를 개방하여 제4 기판이송모듈(910)과 피처리 기판을 교환한다.
이상에서 설명된 본 발명의 건식 및 습식 처리를 위한 단일 플랫폼의 기판처리설비의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그럼으로 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 형태로만 한정되는 것은 아님을 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 그 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
100: 기판처리설비 200: 전방단부모듈
210: 카셋트 300: 제3 기판이송모듈
310: 제3 기판이송로봇 400: 제1 기판이송모듈
410: 제1 기판이송로봇 420: 제2 기판이송모듈
430: 제2 기판이송로봇 500: 건식처리모듈
510: 처리 스테이지 512: 회전플레이트
600: 습식처리모듈 610: 처리 스테이지
620: 세정액 공급모듈 622: 세정액 공급부
624: 세정액 회수부 630: 세정 플레이트
631: 메가소닉장치 632: 압전변환기
633: 공명기 634: 세정액 공급 노즐
635: 수막 636: 피처리 기판
637: 세정액 회수 가이드 700, 710, 720, 730: 게이트 밸브
800: 제어부 900: 버퍼모듈
910: 제4 기판이송모듈 920: 제4 기판이송로봇

Claims (4)

  1. 피처리 기판이 대기하는 전방단부모듈;
    하나 이상의 처리 스테이지가 구비된 회전 플레이트를 포함하며, 상기 회전 플레이트를 회전시켜 상기 피처리 기판을 순환 이동함으로써 상기 처리 스테이지로 상기 피처리 기판을 로딩, 언로딩하고, 상기 피처리 기판을 건식 처리하기 위한 건식처리모듈;
    상기 피처리 기판을 습식 처리하기 위한 습식처리모듈;
    처리전의 피처리 기판을 상기 건식처리모듈로 로딩하기 위한 제1 기판이송모듈;
    상기 제1 기판이송모듈과 별도로 구성하여 상기 건식처리모듈에서 건식 처리된 피처리 기판을 언로딩하기 위한 제2 기판이송모듈;
    상기 건식 처리된 피처리 기판과 상기 습식처리모듈에서 습식 처리된 피처리 기판이 대기하는 버퍼모듈;
    상기 전방단부모듈에서 상기 피처리 기판을 언로딩하여 상기 제1 기판이송모듈로 로딩하고, 상기 건식 처리된 피처리 기판을 상기 제2 기판이송모듈로부터 언로딩하여 상기 버퍼모듈로 로딩하며, 상기 습식 처리된 피처리 기판을 상기 버퍼모듈로부터 언로딩하여 상기 전방단부모듈로 로딩하는 제3 기판이송모듈; 및
    상기 건식 처리된 피처리 기판을 상기 버퍼모듈로부터 언로딩하여 상기 습식처리모듈로 로딩하고, 상기 습식처리모듈에서 상기 습식 처리된 피처리 기판을 언로딩하여 상기 버퍼모듈로 로딩하는 제4 기판이송모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 단일 플랫폼의 기판처리설비.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 건식처리모듈은 플라즈마 소스를 구비하고 상기 피처리 기판에 대하여 플라즈마 에싱 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 단일 플랫폼의 기판처리설비.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 습식처리모듈은 상기 피처리 기판을 초음파 세정하기 위한 세정 플레이트와 세정액을 공급하는 세정액 공급 노즐을 구비하고 상기 피처리 기판에 대하여 화학적 습식 세정 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 단일 플랫폼의 기판처리설비.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 기판처리설비의 동작을 제어하기 위한 제어부를 포함하고,
    상기 제어부는 상기 건식처리모듈과 상기 습식처리모듈의 동작 가능 여부에 따라 상기 피처리 기판을 상기 건식처리모듈과 상기 습식처리모듈에서 건식 및 습식 처리를 순차적으로 진행하거나 또는 선택적으로 어느 하나만을 처리하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 단일 플랫폼의 기판처리설비.
KR1020140093688A 2014-07-24 2014-07-24 건식 및 습식 처리를 위한 단일 플랫폼의 기판처리설비 KR101718519B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140093688A KR101718519B1 (ko) 2014-07-24 2014-07-24 건식 및 습식 처리를 위한 단일 플랫폼의 기판처리설비

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140093688A KR101718519B1 (ko) 2014-07-24 2014-07-24 건식 및 습식 처리를 위한 단일 플랫폼의 기판처리설비

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160012370A KR20160012370A (ko) 2016-02-03
KR101718519B1 true KR101718519B1 (ko) 2017-03-22

Family

ID=55355418

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140093688A KR101718519B1 (ko) 2014-07-24 2014-07-24 건식 및 습식 처리를 위한 단일 플랫폼의 기판처리설비

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101718519B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102090685B1 (ko) * 2019-05-22 2020-03-18 주식회사 지티아이코리아 반도체 하이브리드 식각 장치 및 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006332055A (ja) 2005-05-23 2006-12-07 New Power Plasma Co Ltd プラズマ処理チャンバ、プラズマ反応器、大気圧プラズマ処理システム及びプラズマ処理システム

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100980276B1 (ko) * 2008-01-10 2010-09-06 주식회사 뉴파워 프라즈마 버퍼 챔버를 구비한 고속 기판 처리 시스템
KR101290527B1 (ko) * 2011-05-31 2013-07-30 주식회사 테스 기판처리시스템 및 이를 이용한 기판처리방법
KR101534832B1 (ko) * 2012-09-13 2015-07-07 주식회사 에스디앤티 습,건식 복합 마스크 세정장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006332055A (ja) 2005-05-23 2006-12-07 New Power Plasma Co Ltd プラズマ処理チャンバ、プラズマ反応器、大気圧プラズマ処理システム及びプラズマ処理システム

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160012370A (ko) 2016-02-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4467367B2 (ja) 基板反転装置、基板搬送装置、基板処理装置、基板反転方法、基板搬送方法および基板処理方法
JP5841389B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP6559087B2 (ja) 基板処理装置
JP5154006B2 (ja) 基板処理装置
JP2006310731A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2006310732A (ja) 基板処理装置
US6451118B1 (en) Cluster tool architecture for sulfur trioxide processing
TWI682432B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
WO2018180181A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR102315667B1 (ko) 기판 처리 방법 및 장치
WO2017169155A1 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
WO2013058129A1 (ja) 剥離装置、剥離システム及び剥離方法
KR101718519B1 (ko) 건식 및 습식 처리를 위한 단일 플랫폼의 기판처리설비
KR102129773B1 (ko) 건식 및 습식 처리를 위한 단일 플랫폼의 기판처리설비
KR101612516B1 (ko) 건식 및 습식 처리를 위한 단일 플랫폼의 기판처리설비
KR100598917B1 (ko) 매엽식 기판 세정 장치 및 방법
KR101718518B1 (ko) 건식 및 습식 처리를 위한 단일 플랫폼의 기판처리설비
KR102129774B1 (ko) 건식 및 습식 처리를 위한 단일 플랫폼의 기판처리설비
JP2009164523A (ja) 基板処理装置
KR20160012372A (ko) 건식 및 습식 처리를 위한 단일 플랫폼의 기판처리설비
KR102121058B1 (ko) 버퍼챔버를 이용한 건식 및 습식처리 시스템 및 이를 이용한 기판처리 방법
JP2008109158A (ja) 基板処理装置、基板処理方法、基板の製造方法及び電子機器
JP2008159656A (ja) 凍結処理装置、基板処理装置および凍結処理方法
KR102327272B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2023121571A (ja) 基板処理システム、基板処理方法及び記録媒体

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200311

Year of fee payment: 4