JP6559087B2 - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6559087B2
JP6559087B2 JP2016070517A JP2016070517A JP6559087B2 JP 6559087 B2 JP6559087 B2 JP 6559087B2 JP 2016070517 A JP2016070517 A JP 2016070517A JP 2016070517 A JP2016070517 A JP 2016070517A JP 6559087 B2 JP6559087 B2 JP 6559087B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
unit
processing
liquid
drying
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016070517A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017183579A (ja
Inventor
弘朗 稲富
弘朗 稲富
中村　徹
徹 中村
晃司 木本
晃司 木本
康雄 清原
康雄 清原
聡 岡村
聡 岡村
聡 枇杷
聡 枇杷
伸矢 山元
伸矢 山元
勝宏 大川
勝宏 大川
慶一 矢羽田
慶一 矢羽田
哲郎 中原
哲郎 中原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2016070517A priority Critical patent/JP6559087B2/ja
Priority to US15/467,001 priority patent/US10593571B2/en
Priority to KR1020170039954A priority patent/KR102334274B1/ko
Priority to CN201710201871.3A priority patent/CN107275259B/zh
Publication of JP2017183579A publication Critical patent/JP2017183579A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6559087B2 publication Critical patent/JP6559087B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/024—Cleaning by means of spray elements moving over the surface to be cleaned
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67715—Changing the direction of the conveying path

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

本発明は、基板処理装置に関するものであり、特に、液処理部を用いて基板を処理液で液処理した後に超臨界乾燥処理部を用いて基板を超臨界流体で乾燥処理する基板処理装置に関するものである。
従来より、半導体部品やフラットパネルディスプレイなどを製造する場合には、半導体ウエハや液晶基板などの基板に対して基板処理装置を用い、各種の処理液で洗浄やエッチング等の液処理を施した後に、基板に残留した処理液を除去する乾燥処理を施す。
この基板処理装置では、液処理部を用いて基板を処理液で液処理し、その後、超臨界乾燥処理部を用いて基板に残留する処理液を超臨界状態の流体（超臨界流体）に置換した後に気化させることで基板を乾燥処理している。
この超臨界乾燥処理を行う基板処理装置では、基板を液処理部に搬入するとともに超臨界乾燥処理部から基板を搬出する基板搬送部を設けている。
従来の基板処理装置では、液処理部への基板の搬入と超臨界乾燥処理部からの基板の搬出とを同一の基板搬送部を用いて行う。
特開２００２−３２９６５０号公報
ところが、上記従来の基板処理装置では、基板搬送部で基板を液処理部に搬入する際に、液処理部において飛散や揮発した処理液が基板搬送部に転着するおそれがある。
液処理部で処理液が基板搬送部に転着してしまうと、その後に同一の基板搬送部で超臨界乾燥処理部から基板を搬出する際に、基板搬送部から処理後（液処理及び乾燥処理後）の基板に処理液が転着してしまい、処理後の基板の表面が汚染されるおそれがあった。
そこで、本発明では、基板処理装置において、基板を処理液を用いて液処理する液処理部と、前記液処理部で液処理した後の湿潤状態の前記基板を乾燥処理する乾燥処理部と、前記液処理部で液処理する前の乾燥状態の前記基板を載置する基板載置部と、前記基板載置部から前記液処理部へ処理前の前記基板を搬送する第１搬送部と、前記液処理部から前記乾燥処理部へ湿潤状態の前記基板を搬送する第２搬送部と、前記液処理部で液処理する前の前記基板を前記基板載置部へ搬送するとともに、前記乾燥処理部から乾燥処理後の前記基板を搬送する第３搬送部とを有し、前記第３搬送部と面する側に前記第１搬送部と前記第２搬送部と前記乾燥処理部と前記基板載置部が並べて配置されるとともに、前記乾燥処理部と前記基板載置部との間に前記第１搬送部と前記第２搬送部とが配置され、前記第１搬送部と前記第２搬送部に面し前記第３搬送部と反対側に前記液処理部が配置され、前記第３搬送部と前記液処理部との間に前記第１搬送部と前記第２搬送部とが配置されることにした。
また、前記乾燥処理部は、湿潤状態の前記基板を超臨界流体を用いて乾燥処理することにした。
本発明では、乾燥処理後の基板に処理液が転着するのを防止することができる。
基板処理装置を示す平面説明図。 同側面断面説明図。 基板処理ユニットを示す拡大説明図。 液処理部を示す断面説明図。 超臨界乾燥処理部を示す断面説明図。 基板処理ユニットでの基板処理方法を示す説明図。 実施例２に係る基板処理装置を示す平面説明図。 実施例３に係る基板処理装置を示す平面説明図。 実施例４に係る基板処理装置を示す平面説明図。 実施例５に係る基板処理装置を示す平面説明図。 実施例６に係る基板処理装置を示す平面説明図。 実施例７に係る基板処理装置を示す側面断面説明図。
以下に、本発明に係る基板処理装置の具体的な構成について図面を参照しながら説明する。
［実施例１］
図１及び図２に示すように、基板処理装置１は、前端部に搬入出部２を形成し、搬入出部２の後方に搬送部３を形成し、搬送部３の後方に処理部４を形成する。また、基板処理装置１は、基板処理装置１の全体の制御を行なう制御部８０を備えている。
制御部８０は、例えばコンピュータであり、動作制御部と記憶部とを備える。動作制御部は、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）で構成されており、記憶部に記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、基板処理装置１の動作を制御する。記憶部は、例えばＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ハードディスク等の記憶デバイスで構成されており、基板処理装置１において実行される各種処理を制御するプログラムを記憶する。なお、プログラムは、コンピュータにより読み取り可能な記憶媒体に記録されたものであってもよいし、その記憶媒体から記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータにより読み取り可能な記憶媒体としては、例えば、ハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカード等が挙げられる。記録媒体には、例えば、基板処理装置１の動作を制御するためのコンピュータにより実行されたときに、コンピュータが基板処理装置１を制御して基板の処理方法を実行させるプログラムが記録される。
搬入出部２は、基板搬入出台５の上部に複数個（ここでは、４個）のキャリア６を左右に並べて載置可能としている。キャリア６には、処理前又は処理後の複数枚（たとえば、25枚）の基板７（ここでは、半導体ウエハ）が収容される。
搬送部３は、前側に基板搬送装置８を配置するとともに、後側に基板受渡台９を配置する。基板搬送装置８は、前後左右及び回転方向に移動可能となっており、キャリア６と基板受渡台９との間で複数枚の基板７を搬送する。
処理部４は、中央部に前後に伸延する基板搬入出部１０（第３搬送部）を配置するとともに、基板搬入出部１０の左右に基板処理ユニット１１を前後に並べて配置する。ここで、基板処理ユニット１１は、基板載置部１２、基板搬送部１３、液処理部１４、超臨界乾燥処理部１５（乾燥処理部）とで構成する。
基板搬入出部１０は、前後に伸延するレール１６に沿って移動可能な搬送台１７に１枚の基板７を水平に保持する基板保持体１８，１９を可動体２０を介して回転・昇降・進退可能に取付けている。ここで、一方の基板保持体１８は、処理前の基板７を基板受渡台９から基板処理ユニット１１（基板載置部１２）に搬入するときに使用され、他方の基板保持体１９は、処理後の基板７を基板処理ユニット１１（超臨界乾燥処理部１５）から基板受渡台９に搬出するときに使用される。これにより、基板７の搬入・搬出時に塵等が基板７に転着するのを防止する。ここでは、同一の移動機構（レール１６、搬送台１７、可動体２０）に基板搬入用の基板保持体１８と基板搬出用の基板保持体１９を設けた構成としているが、基板搬入用の基板保持体１８と基板搬出用の基板保持体１９とをそれぞれ別個の移動機構に設けて、基板搬入部と基板搬出部とに明確に分離した構成とすることもできる。
基板処理ユニット１１は、図３に示すように、基板搬入出部１０と面する側に基板載置部１２と超臨界乾燥処理部１５とを配置する。これにより、基板搬入出部１０から基板載置部１２に基板７を搬入することができ、超臨界乾燥処理部１５から基板搬入出部１０に基板７を搬出することができる。また、基板処理ユニット１１は、基板載置部１２と超臨界乾燥処理部１５との間に基板搬送部１３を配置するとともに、基板搬送部１３とは反対側（基板処理装置１の外部側）に液処理部１４を配置することで、基板搬送部１３の周囲に基板載置部１２と液処理部１４と超臨界乾燥処理部１５とを配置する。これにより、基板搬送部１３で基板７を基板載置部１２から液処理部１４、液処理部１４から超臨界乾燥処理部１５へと搬送する際の搬送時間や搬送距離を短くし、基板処理装置１での処理時間の短縮（スループットの向上）や基板処理装置１の小型化（フットプリント（占有面積）の低減）を図ることができる。
基板載置部１２は、基板７を載置するための載置台２１を有し、載置台２１と基板搬入出部１０との間に搬入口２２を形成する。基板７は、基板搬入出部１０の基板搬入用の基板保持体１８によって搬入口２２から載置台２１の上部に載置される。なお、ここでは、基板載置部１２に１個の載置台２１を設ける構成としているが、基板載置部１２に複数個の載置台２１を上下に並べて設けて複数枚の基板７をストックしておけるようにすることもできる。また、隣り合う基板処理ユニット１１に設けられる基板載置部１２を上下に並べて配置する（平面視の配置としては図７と同様とすることができる。）ことで、基板処理装置１の小型化を図ることもできる。
基板搬送部１３は、密閉可能な基板搬送室２３の内部に基台２４を設け、基台２４の上部に乾燥基板用搬送部２５（第１搬送部）と湿潤基板用搬送部２６（第２搬送部）とを形成する。乾燥基板用搬送部２５は、基台２４の上部に取付けた多軸アーム２７に基板保持体２８が取付けられる。これにより、乾燥基板用搬送部２５は、基板保持体２８を用いて基板載置部１２から乾燥状態の基板７を受取り、その基板７を液処理部１４に受け渡す。また、湿潤基板用搬送部２６は、基台２４の上部に取付けた多軸アーム２９に基板保持体３０が取付けられる。これにより、湿潤基板用搬送部２６は、基板保持体３０を用いて液処理部１４から湿潤状態の基板７を受取り、その基板７を超臨界乾燥処理部１５に受け渡す。なお、ここでは、２台の多軸アーム２７，２９にそれぞれ基板保持体２８，３０を取付けて乾燥基板用搬送部２５と湿潤基板用搬送部２６とに明確に分離した構成としているが、１台の移動機構（多軸アーム等）に２個の基板保持体２８，３０を取付けることで１台の移動機構が乾燥基板用搬送部２５と湿潤基板用搬送部２６とを兼用する構成とすることもできる。
この基板搬送部１３は、基板搬送室２３によって基板搬入出部１０や基板載置部１２や液処理部１４や超臨界乾燥処理部１５とは区画されており、基板載置部１２と液処理部１４と超臨界乾燥処理部１５との間に開閉可能な開口３１，３２，３３が形成されている。
液処理部１４は、基板７を処理液で液処理するための液処理装置３４を有する。この液処理装置３４は、図４に示すように、回転機構３５にターンテーブル３６を取付けるとともに、ターンテーブル３６の周縁に保持体３７を円周方向に向けて間隔をあけて取付けている。これにより、液処理装置３４は、保持体３７で水平に保持した基板７を回転機構３５によって回転させる。また、液処理装置３４は、ターンテーブル３６（基板７）の外周外方にカップ３８を配置するとともに、カップ３８に昇降機構３９を接続している。これにより、液処理装置３４は、基板７の搬入出時にカップ３８を降下させるとともに、基板７の液処理時にカップ３８を上昇させて処理液を回収する。さらに、液処理装置３４は、ターンテーブル３６（基板７）の上方に洗浄処理用ノズル４０とリンス処理用ノズル４１と乾燥防止処理用ノズル４２とをそれぞれ独立して移動可能に配置している。洗浄処理用ノズル４０には、フッ化水素水溶液等の洗浄液を供給する洗浄液供給機構４３が接続されている。リンス処理用ノズル４１には、純水等のリンス液を供給するリンス液供給機構４４が接続されている。乾燥防止処理用ノズル４２には、液処理後の基板７の表面を被覆して乾燥を防止するための液体（イソプロピルアルコール、ハイドロフルオロエーテル、アセトン等の有機溶剤）を供給する乾燥防止用液体供給機構４５が接続されている。
超臨界乾燥処理部１５は、基板７を超臨界流体で乾燥処理するための超臨界乾燥処理装置４６を有し、超臨界乾燥処理装置４６と基板搬入出部１０との間に搬出口２２’を形成する。基板７は、基板搬入出部１０の基板搬出用の基板保持体１９によって搬出口２２’から搬出される。この超臨界乾燥処理装置４６は、図５に示すように、前端を開口させた矩形箱型状の容器本体４７の後端部に吸入口４８と排出口４９とを形成し、吸入口４８に二酸化炭素等の超臨界状態の流体を供給する処理流体供給機構５０を接続するとともに、排出口４９に開閉バルブ等からなる排出機構５１を接続している。また、超臨界乾燥処理装置４６は、容器本体４７の前端部に蓋体５２と基板載置台５３とを開閉可能に取付けている。これらの蓋体５２及び基板載置台５３は、容器本体４７に対して内部に収容した処理位置と外部に退避した待機位置とに進退移動可能となっており、基板７を搬入及び搬出するための搬入出機構として動作する。なお、蓋体５２及び基板載置台５３が容器本体４７の外部に位置する待機位置には、基板載置台５３を貫通し上下に昇降可能な例えば３本からなる基板支持ピン７０が設けられ、この基板支持ピン７０は基板載置台５３と基板搬送部１３と基板搬入出部１０との基板７の受け渡しを行う。より詳しくは基板搬送部１３により基板支持ピン７０に基板７を搬入し基板支持ピン７０が下降し基板載置台５３に受け渡す。また、乾燥処理が行われたのち基板支持ピン７０が上昇し基板載置台５３の基板７を受取り、基板支持ピン７０上の基板７を基板搬入出部１０により搬出する。さらに、超臨界乾燥処理装置４６は、容器本体４７の上面及び下面に内部を加熱する加熱器５４を取付けている。この超臨界乾燥処理装置４６は、容器本体４７と蓋体５２との間の高耐圧パッキンの交換などのメンテナンス作業性を向上させるために、基板処理装置１の外側（基板搬入出部１０とは反対側）に配置されるのが望ましい。
上記処理部４には、例えばエリア別に送風機構５５が設けられており、送風機構５５によって基板搬入出部１０や基板処理ユニット１１の内部に清浄な空気を上方から下方へ向けて送風している。また、基板処理ユニット１１の基板搬送室２３や超臨界乾燥処理部１５には、湿潤状態の基板７を搬送するときは清浄な空気から窒素ガスに切り替えて供給することで、基板搬送室２３の内部を外部よりも低酸素で低湿度な状態としている。これにより、液処理部１４での液処理前の基板７の表面の酸化や液処理後の基板７の表面を被覆する乾燥防止用液体の揮発を抑制している。なお、基板処理ユニット１１の基板搬送室２３や超臨界乾燥処理部１５には、湿潤状態の基板７を搬送するときに清浄な空気から窒素ガスに切り替えて供給するようにしてもよい。また、基板搬送室２３や超臨界乾燥処理部１５に常時窒素ガスを供給するようにしてもよい。
基板処理装置１は、以上に説明したように構成されており、処理部４において基板搬入出部１０（第３搬送部）と面する側に乾燥基板用搬送部２５（第１搬送部）と湿潤基板用搬送部２６（第２搬送部）と超臨界乾燥処理部１５（乾燥処理部）が配置され、乾燥基板用搬送部２５（第１搬送部）と湿潤基板用搬送部２６（第２搬送部）に面するとともに基板搬入出部１０（第３搬送部）とは反対側に液処理部１４が配置される。また、基板処理装置１は、処理部４において基板搬入出部１０（第１搬送部）と乾燥基板用搬送部２５（第２搬送部）と湿潤基板用搬送部２６（第３搬送部）に面する側に液処理部１４で液処理する前の乾燥状態の基板７を載置する基板載置部１２が配置される。
そして、基板処理装置１は、制御部８０によって動作が制御される。この基板処理装置１では、処理前の基板７がキャリア６に収容された状態で搬入出部２に搬入され、搬送部３の基板搬送装置８を用いていずれかのキャリア６から複数枚の基板７が基板受渡台９へと搬送され、基板７が１枚ずつ処理部４で処理される。処理部４で処理された基板７は、搬送部３の基板搬送装置８を用いて基板受渡台９からいずれかのキャリア６に搬送される。
処理部４では、図６（ａ）に示すように、基板搬入出部１０の基板搬入用の基板保持体１８を用いて液処理前の乾燥状態の基板７が１枚ずつ基板受渡台９からいずれかの基板処理ユニット１１の基板載置部１２に搬入される。
その後、図６（ｂ）に示すように、乾燥基板用搬送部２５の基板保持体２８を用いて乾燥状態の基板７が基板載置部１２から液処理部１４に搬送される。基板７は、液処理部１４の液処理装置３４によって処理液で液処理される。液処理部１４では、液処理装置３４によって基板７を回転させた状態で基板７の表面に向けて洗浄処理用ノズル４０から洗浄液を供給して基板７の洗浄処理を行う。次に、リンス処理用ノズル４１からリンス液を供給して基板７のリンス処理を行う。次に、基板７の表面に向けて乾燥防止処理用ノズル４２から乾燥防止用の液体を供給し、基板７の表面を乾燥防止用の液体で被覆することで基板７を湿潤状態にする。
その後、図６（ｃ）に示すように、湿潤基板用搬送部２６の基板保持体３０を用いて湿潤状態の基板７（表面が乾燥防止用液体で被覆された状態の基板７）が液処理部１４から超臨界乾燥処理部１５に搬送される。基板７は、超臨界乾燥処理部１５の超臨界乾燥処理装置４６によって超臨界流体で超臨界乾燥処理される。超臨界乾燥処理部１５では、超臨界乾燥処理装置４６の基板載置台５３によって基板７を容器本体４７の内部に収容するとともに、容器本体４７を蓋体５２で密閉する。次に、容器本体４７の内部に処理流体供給機構５０から超臨界状態の流体を供給し、基板７の表面の乾燥防止用の液体を超臨界状態の流体で置換する。次に、排出機構５１によって容器本体４７の内部から超臨界状態の流体を排出して容器本体４７の内部の減圧を行う。これにより、基板７は、超臨界乾燥処理が施されて乾燥状態となる。次に、基板載置台５３によって基板７を容器本体４７の外部に搬送する。
その後、図６（ｄ）に示すように、基板搬入出部１０の基板搬出用の基板保持体１９を用いて液処理及び超臨界乾燥処理後の乾燥状態の基板７が基板処理ユニット１１の超臨界乾燥処理部１５から基板受渡台９に搬出される。
基板処理装置１では、基板搬入出部１０から液処理部１４に基板７を搬送する経路の途中に基板載置部１２と乾燥基板用搬送部２５とを設け、基板７を基板搬入出部１０から基板載置部１２に搬入した後に、基板載置部１２から液処理部１４に乾燥基板用搬送部２５を用いて基板７を搬送する。そのため、基板処理装置１では、基板搬入出部１０（特に、基板保持体１８）が液処理部１４（特に、液処理装置３４）の内部に侵入することが無く、液処理部１４において処理液（特に、揮発性の高いイソプロピルアルコール等の有機溶剤）が基板搬入出部１０（基板保持体１８）に付着して汚染されてしまうのを防止することができる。これにより、基板搬入出部１０を介して処理液が超臨界乾燥処理部１５で乾燥処理した基板７に転着して基板７が汚染されてしまうのを防止することができ、基板処理装置１の歩留まりを向上させることができる。
上記基板処理装置１は、以上に説明したように構成しているが、本発明に係る基板処理装置は、上記構成に限られず、以下に説明するような構成とすることもできる。なお、以下の説明においては、上記実施例１と同様の構成のものには同一の符号を付して説明を省略する。
［実施例２］
上記実施例１に係る基板処理装置１では、１個ずつの基板載置部１２、基板搬送部１３、液処理部１４、超臨界乾燥処理部１５で基板処理ユニット１１を構成しているが、これに限られず、図７に示す基板処理装置５６のように、１個の基板載置部１２に対して複数個（ここでは、２個）の基板搬送部１３、液処理部１４、超臨界乾燥処理部１５で基板処理ユニット５７を構成することもできる。なお、１個の基板載置部１２に複数個の載置台２１を設けて複数枚の基板７をストックできるようにしてもよい。
これにより、１個の基板載置部１２を複数個の液処理部１４等で共用することができるので、より一層基板処理装置５６の小型化（フットプリント（占有面積）の低減）を図ることができ、それに伴って、基板７の搬送距離が短くなって基板処理装置５６での処理時間を短縮（スループットを向上）することができる。
［実施例３］
上記実施例１に係る基板処理装置１では、基板載置部１２を基板搬送部１３、液処理部１４、超臨界乾燥処理部１５と同様の高さに配置して基板処理ユニット１１を構成しているが、これに限られず、図８に示す基板処理装置５８（基板処理ユニット５９）のように、超臨界乾燥処理部１５の上方に基板載置部１２を配置してもよい。なお、基板載置部１２は、超臨界乾燥処理部１５の下方に配置してもよく、また、液処理部１４の上方又は下方に配置してもよい。
このように、基板載置部１２を液処理部１４又は超臨界乾燥処理部１５の上方又は下方に重ねて（完全に重なっている場合に限られず、部分的に重なっている場合も含まれる。）配置することによっても、より一層基板処理装置５８の小型化（フットプリント（占有面積）の低減）を図ることができる。
［実施例４］
上記実施例１に係る基板処理装置１では、１個ずつの基板載置部１２、基板搬送部１３、液処理部１４、超臨界乾燥処理部１５で基板処理ユニット１１を構成しているが、これに限られず、図９に示す基板処理装置６０のように、１個の基板搬送部１３及び液処理部１４に対して複数個（ここでは、２個）の基板載置部１２及び超臨界乾燥処理部１５で基板処理ユニット６１を構成することもできる。なお、ここでは、１個の基板搬送部１３に対して１個の液処理部１４と複数個の超臨界乾燥処理部１５を設けた構成としているが、１個の基板搬送部１３に対して１個の超臨界乾燥処理部１５と複数個の液処理部１４を設けた構成や、１個の基板搬送部１３に対して複数個の液処理部１４及び超臨界乾燥処理部１５を設けた構成とすることもできる。
このように、１個の基板搬送部１３に対して複数個の液処理部１４又は超臨界乾燥処理部１５を設けることによっても、１個の基板搬送部１３を複数個の液処理部１４又は超臨界乾燥処理部１５で共用することができるので、より一層基板処理装置６０の小型化（フットプリント（占有面積）の低減）を図ることができ、それに伴って、基板７の搬送距離が短くなって基板処理装置６０での処理時間を短縮（スループットを向上）することができる。なお、液処理部１４と超臨界乾燥処理部１５との間で処理時間に差がある場合には、処理時間の長い方（ここでは、超臨界乾燥処理部１５）を処理時間の短い方（ここでは、液処理部１４）よりも多く設けることで基板処理装置６０全体での処理時間を短くすることができるのでより望ましい。
［他の変形例］
上記実施例１〜４に係る基板処理装置１，５６，５８，６０では、搬入出部２と処理部４との間に搬送部３を設けた構成としているが、これに限られず、図１０に示す基板処理装置６２（実施例５）又は図１１に示す基板処理装置６３（実施例６）のように、搬送部３を無くし、処理部４の基板搬入出部１０で基板７を搬入出部２から基板処理ユニット６４，６５に１枚ずつ直接搬送するように構成してもよい。
これにより、基板搬入出部１０でキャリア６から基板７を基板載置部１２へ直接搬入することができるとともに、超臨界乾燥処理部１５から基板７をキャリア６へ直接搬出することができるので、より一層基板処理装置６２，６３の小型化（フットプリント（占有面積）の低減）を図ることができ、それに伴って、基板７の搬送距離が短くなって基板処理装置６２，６３での処理時間を短縮（スループットを向上）することができる。
なお、上記実施例１〜６に係る基板処理装置１，５６，５８，６０，６２，６３では、たとえば、図１２に示す基板処理装置６６（実施例７）のように、基板搬入出部１０及び基板処理ユニット１１（５７，５９，６１，６４，６５）を上下に複数並べて配置して、基板７の処理能力（時間当たりの処理枚数）を向上させることもできる。
上記実施例１〜６に係る基板処理装置１，５６，５８，６０，６２，６３、６６では、基板７を超臨界流体を用いて乾燥処理するようにしたが、これに限られず、亜臨界流体や他の流体、またはその他の乾燥手段を用いて基板７を乾燥するようにしてもよい。
上記実施例１〜６に係る基板処理装置１，５６，５８，６０，６２，６３、６６では、基板搬入出部１０で基板７を基板載置部１２に搬入するようにしたが、これに限られず、基板載置部１２を設けず基板７を基板搬送部１３の乾燥基板用搬送部２５に直接搬入するようにしてもよい。これにより、より一層基板処理装置１の小型化を図ることができる。
１ 基板処理装置
７ 基板
１０ 基板搬入出部
１２ 基板載置部
１３ 基板搬送部
１４ 液処理部
１５ 超臨界乾燥処理部
２５ 乾燥基板用搬送部
２６ 湿潤基板用搬送部

Claims (5)

  1. 基板を処理液を用いて液処理する液処理部と、
    前記液処理部で液処理した後の湿潤状態の前記基板を乾燥処理する乾燥処理部と、
    前記液処理部で液処理する前の乾燥状態の前記基板を載置する基板載置部と、
    前記基板載置部から前記液処理部へ処理前の前記基板を搬送する第１搬送部と、
    前記液処理部から前記乾燥処理部へ湿潤状態の前記基板を搬送する第２搬送部と、
    前記液処理部で液処理する前の前記基板を前記基板載置部へ搬送するとともに、前記乾燥処理部から乾燥処理後の前記基板を搬送する第３搬送部とを有し、
    前記第３搬送部と面する側に前記第１搬送部と前記第２搬送部と前記乾燥処理部と前記基板載置部が並べて配置されるとともに、前記乾燥処理部と前記基板載置部との間に前記第１搬送部と前記第２搬送部とが配置され、前記第１搬送部と前記第２搬送部に面し前記第３搬送部と反対側に前記液処理部が配置され、前記第３搬送部と前記液処理部との間に前記第１搬送部と前記第２搬送部とが配置されることを特徴とする基板処理装置。
  2. １個の前記第１搬送部及び前記第２搬送部に対して複数個の前記液処理部又は前記乾燥処理部を設けて、前記第１搬送部及び前記第２搬送部を複数個の前記液処理部又は前記乾燥処理部で共用することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記第３搬送部は、複数枚の前記基板を収容したキャリアとの間で前記基板の搬送を行うことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記乾燥処理部は、容器本体に対して蓋体及び基板載置台を内部に収容した処理位置と外部に退避した待機位置とに移動可能とし、前記乾燥処理部の蓋体及び基板載置台の待機位置に前記第２搬送部により前記基板を搬入し、前記乾燥処理部の蓋体及び基板載置台の待機位置から前記第３搬送部により前記基板を搬出することを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の基板処理装置。
  5. 前記乾燥処理部は、湿潤状態の前記基板を超臨界流体を用いて乾燥処理することを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の基板処理装置。
JP2016070517A 2016-03-31 2016-03-31 基板処理装置 Active JP6559087B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016070517A JP6559087B2 (ja) 2016-03-31 2016-03-31 基板処理装置
US15/467,001 US10593571B2 (en) 2016-03-31 2017-03-23 Substrate processing apparatus
KR1020170039954A KR102334274B1 (ko) 2016-03-31 2017-03-29 기판 처리 장치
CN201710201871.3A CN107275259B (zh) 2016-03-31 2017-03-30 基板处理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016070517A JP6559087B2 (ja) 2016-03-31 2016-03-31 基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017183579A JP2017183579A (ja) 2017-10-05
JP6559087B2 true JP6559087B2 (ja) 2019-08-14

Family

ID=59959714

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016070517A Active JP6559087B2 (ja) 2016-03-31 2016-03-31 基板処理装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10593571B2 (ja)
JP (1) JP6559087B2 (ja)
KR (1) KR102334274B1 (ja)
CN (1) CN107275259B (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI831656B (zh) * 2018-01-04 2024-02-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
JP7278059B2 (ja) * 2018-11-16 2023-05-19 株式会社ディスコ 加工システム
JP6899813B2 (ja) * 2018-11-27 2021-07-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7410547B2 (ja) * 2019-12-06 2024-01-10 株式会社レクザム ウェハ処理装置
JP7427232B2 (ja) * 2020-02-10 2024-02-05 株式会社レクザム ウェハ処理装置
JP6959668B2 (ja) * 2020-02-06 2021-11-02 株式会社レクザム ウェハ処理装置
WO2021112130A1 (ja) * 2019-12-06 2021-06-10 株式会社レクザム ウェハ処理装置
KR102584514B1 (ko) * 2020-07-09 2023-10-06 세메스 주식회사 기판 반송 장치, 기판 처리 장치 및 방법
KR20230033256A (ko) * 2021-08-31 2023-03-08 삼성전자주식회사 기판 이송 유닛, 기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법
CN114068365A (zh) * 2021-11-04 2022-02-18 上海至临半导体技术有限公司 一种用于超临界清洗的湿法设备及其工作方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19910478C2 (de) * 1998-03-12 2002-02-28 Tokyo Electron Ltd Substrattransportverfahren und Substratbearbeitungssystem
JP4044300B2 (ja) 2001-04-27 2008-02-06 株式会社神戸製鋼所 ウェハ等の処理設備および処理方法
KR100488376B1 (ko) * 2001-04-27 2005-05-11 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 기판 처리 방법 및 기판 처리 설비
JP3891809B2 (ja) * 2001-09-26 2007-03-14 株式会社荏原製作所 湿式処理方法及び装置
US20060033678A1 (en) * 2004-01-26 2006-02-16 Applied Materials, Inc. Integrated electroless deposition system
JP4555143B2 (ja) * 2004-05-11 2010-09-29 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法
JP2008091364A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP5490639B2 (ja) * 2010-07-14 2014-05-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板搬送方法
JP2013254904A (ja) * 2012-06-08 2013-12-19 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
TWI826650B (zh) * 2012-11-26 2023-12-21 美商應用材料股份有限公司 用於高深寬比半導體元件結構具有污染物去除之無黏附乾燥處理
CN104681426A (zh) * 2013-11-29 2015-06-03 细美事有限公司 基板处理装置及基板处理方法
JP6295107B2 (ja) * 2014-03-07 2018-03-14 株式会社荏原製作所 基板処理システムおよび基板処理方法
KR20170009539A (ko) * 2015-07-17 2017-01-25 세메스 주식회사 처리액 공급 유닛 및 기판 처리 장치
KR102314667B1 (ko) * 2015-10-04 2021-10-20 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 작은 열 질량의 가압 챔버

Also Published As

Publication number Publication date
US10593571B2 (en) 2020-03-17
JP2017183579A (ja) 2017-10-05
KR102334274B1 (ko) 2021-12-01
US20170287742A1 (en) 2017-10-05
CN107275259B (zh) 2021-11-30
CN107275259A (zh) 2017-10-20
KR20170113354A (ko) 2017-10-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6559087B2 (ja) 基板処理装置
KR101965455B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP5358366B2 (ja) 基板処理装置及び方法
JP4989398B2 (ja) 基板処理装置
JP2008034490A (ja) 液処理装置
JP2006013107A (ja) 基板処理装置
JP2006179757A (ja) 基板処理装置
JP5724713B2 (ja) 熱処理装置
KR102444876B1 (ko) 기판 처리 장치
JP5485056B2 (ja) イオン供給装置及びこれを備えた被処理体の処理システム
JP2015035584A (ja) 熱処理装置及び成膜システム
JP2015035583A (ja) 熱処理装置及び成膜システム
JP2008270266A (ja) 基板処理装置
JP2013157368A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JPH07211679A (ja) 洗浄装置
JP5920981B2 (ja) 基板処理システム
JP2011077134A (ja) 基板処理装置及びこれを備えた基板処理システム
JP6312615B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2016066689A (ja) 容器清掃装置及び容器清掃方法
KR101718519B1 (ko) 건식 및 습식 처리를 위한 단일 플랫폼의 기판처리설비
TWI762668B (zh) 基板搬送裝置及基板搬送方法
JP2008109158A (ja) 基板処理装置、基板処理方法、基板の製造方法及び電子機器
WO2023127050A1 (ja) 基板乾燥装置、基板処理装置および基板の製造方法
JP2008166820A (ja) 基板処理装置、基板処理方法、基板の製造方法及び電子機器
JP2007251026A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラム

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180213

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20181211

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181218

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190214

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190618

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190716

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6559087

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250