JP2013254904A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】超臨界乾燥処理を行った基板の表面が洗浄液で汚染されてしまうのを防止して基板処理装置の歩留まりを向上させること。
【解決手段】本発明では、基板（７）を処理液で液処理する液処理部（29〜36）と、前記液処理部（29〜36）に設けた、液処理前の乾燥状態の基板（７）を搬入するための搬入口（75）と、前記液処理部（29〜36）に設けた、液処理後の湿潤状態の基板（７）を搬出するための搬出口（76）と、超臨界流体を用いて基板（７）を乾燥処理する超臨界乾燥処理部（37〜44）と、前記液処理部（29〜36）の搬入口(75)へ液処理前の乾燥状態の基板（７）を搬送する第１の基板搬送部（13，14）と、前記液処理部（29〜36）の搬出口（76）から前記超臨界乾燥処理部（37〜44）へ液処理後の湿潤状態の基板（７）を搬送する第２の基板搬送部（49〜52）とを有する。
【選択図】図２

Description

本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関するものであり、特に、液処理部を用いて基板を処理液で液処理した後に超臨界乾燥処理部を用いて基板を超臨界流体で乾燥処理する基板処理装置及び基板処理方法に関するものである。
従来より、半導体部品やフラットパネルディスプレイなどを製造する場合には、半導体ウエハや液晶基板などの基板に対して基板処理装置を用い、各種の処理液で洗浄やエッチング等の液処理を施した後に、基板に残留した処理液を除去する乾燥処理を施す。
この基板処理装置では、基板の表面に形成される回路パターンやエッチングマスクパターンなどの基板表面パターンの微細化による高アスペクト比化に伴って、乾燥処理時に基板に残留した処理液の表面張力の作用で基板表面パターンが倒壊する現象が生じていた。
そのため、従来の基板処理装置では、液処理部を用いて基板を処理液で液処理し、その後、超臨界乾燥処理部を用いて基板に残留する処理液を超臨界状態の流体（超臨界流体）に置換した後に気化させることで基板を乾燥処理している。
この超臨界乾燥処理を行う基板処理装置では、液処理部や超臨界乾燥処理部に基板を搬送する基板搬送部を設けている。
そして、基板処理装置は、基板搬送部を用いて、液処理前の乾燥状態の基板を液処理部の開口部から搬入する。液処理部では、基板の表面を液処理した後に、基板の表面を乾燥防止用の液体（イソプロピルアルコール等の有機溶剤）で被覆することで基板を湿潤状態にする。その後、基板を液処理部に搬入する際に使用した基板搬送部を用いて、液処理後の湿潤状態の基板を液処理部の同一の開口部から搬出し、超臨界乾燥処理部に搬送する。超臨界乾燥処理部では、基板の表面を被覆する乾燥防止用の液体を超臨界状態の二酸化酸素で置換した後に、二酸化酸素を排出する。これにより、基板の表面を乾燥処理する。その後、同一の基板搬送部を用いて、乾燥処理後の乾燥状態の基板を超臨界乾燥処理部から搬出する。
このように、従来の基板処理装置では、同一の基板搬送部を用いて液処理前の乾燥状態の基板や液処理後（乾燥処理前）の湿潤状態の基板を液処理部の同一の開口部から搬入及び搬出している。
特開２００２−３２９６５０号公報
ところが、上記従来の基板処理装置では、基板搬送部を用いて液処理部の同一の開口部から液処理前の乾燥状態の基板と液処理後の湿潤状態の基板を搬送しているために、液処理部の開口部において乾燥状態の基板が搬送される搬送経路と湿潤状態の基板が搬送される搬送経路とが重複していた。
そのため、従来の基板処理装置では、液処理部の開口部で飛散や揮発した処理液が基板搬送部を介して乾燥処理後の基板に転着してしまい、乾燥処理後の基板の表面が汚染されて基板処理装置の歩留まりが低減するおそれがあった。
特に、液処理後（乾燥処理前）の湿潤状態の基板が揮発性の高いイソプロピルアルコール等の有機溶剤で被覆されているために、有機溶剤の揮発によって、基板の搬送経路や基板搬送部や液処理前の基板や乾燥処理後の基板などが広く汚染されてしまうおそれがあった。
そこで、本発明では、基板処理装置において、基板を処理液で液処理する液処理部と、前記液処理部に設けた、液処理前の乾燥状態の基板を搬入するための搬入口と、前記液処理部に設けた、液処理後の湿潤状態の基板を搬出するための搬出口と、超臨界流体を用いて基板を乾燥処理する超臨界乾燥処理部と、前記液処理部の搬入口へ液処理前の乾燥状態の基板を搬送する第１の基板搬送部と、前記液処理部の搬出口から前記超臨界乾燥処理部へ液処理後の湿潤状態の基板を搬送する第２の基板搬送部とを有することにした。
また、前記第２の基板搬送部は、前記基板を有機溶剤で湿潤させた状態で搬送することにした。
また、前記第１の基板搬送部を収容する第１の基板搬送室と、前記第２の基板搬送部を収容する第２の基板搬送室とを有することにした。
また、前記搬入口と前記第１の基板搬送室とが連通するとともに、前記搬出口と前記第２の基板搬送室とが連通することにした。
また、前記搬入口又は／及び前記搬出口に開閉可能な扉を設けることにした。
また、前記第１の基板搬送室に供給される気体の露点温度よりも前記第２の基板搬送室に供給される気体の露点温度を低くすることにした。
また、前記超臨界乾燥処理部で乾燥処理した乾燥状態の基板を前記第１の基板搬送部で前記超臨界乾燥処理部から搬出することにした。
また、前記第１の基板搬送部と第２の基板搬送部とを前記液処理部を挟んで反対側に配置することにした。
また、前記液処理部と超臨界乾燥処理部との間に前記第２の基板搬送部を配置することにした。
また、前記液処理部と超臨界乾燥処理部とを前記液処理部の排出口を介して隣接し、前記超臨界乾燥装置の内部に前記第２の基板搬送部を収容することにした。
また、本発明では、液処理部を用いて基板を処理液で液処理した後に、超臨界乾燥処理部を用いて基板を超臨界流体で乾燥処理する基板処理方法において、第１の基板搬送部を用いて液処理前の乾燥状態の基板を前記液処理部に設けた搬入口に搬送する工程と、第２の基板搬送部を用いて液処理後の湿潤状態の基板を前記液処理部に前記搬入口とは別に設けた搬出口から前記超臨界乾燥処理部に搬送する工程とを有することにした。
また、前記第２の基板搬送部は、前記基板を有機溶剤で湿潤させた状態で搬送することにした。
また、前記第２の基板搬送部に、前記第１の基板搬送部に供給する気体よりも露点温度が低い気体を供給することにした。
また、前記超臨界乾燥処理部で乾燥処理した乾燥状態の基板を前記第１の基板搬送部で前記超臨界乾燥処理部から搬出することにした。
本発明では、乾燥処理後の基板に処理液が転着するのを防止することができ、乾燥処理後の基板の表面の汚染を防止して基板処理装置の歩留まりを向上させることができる。
基板処理装置を示す斜視図。 同平面透視図。 同右側面透視図。 同右側面透視図。 同平面拡大図。 液処理部を示す断面模式図。 乾燥処理部を示す断面模式図。 他の基板処理装置を示す平面拡大図。 他の基板処理装置を示す平面拡大図。
以下に、本発明に係る基板処理装置及びこの基板処理装置で用いる基板処理方法の具体的な構成について図面を参照しながら説明する。
図１〜図４に示すように、基板処理装置１は、前端部に搬入出部２を形成し、搬入出部２の後方に搬送部３を形成し、搬送部３の後方に処理部４を形成している。
搬入出部２は、基板搬入出台５の上部に複数個（ここでは、４個）のキャリア６を左右に並べて載置可能としている。キャリア６は、複数枚（たとえば、25枚）の基板７（ここでは、半導体ウエハ）を収容している。
搬送部３は、前側に基板搬送装置８を収容し、後側に基板受渡台9,10を上下に並べて収容している。
処理部４は、中央部に前後に伸延する第１の基板搬送室11,12を上下に並べて配置している。この第１の基板搬送室11,12は、前端部で搬送部３の基板受渡台9,10に連通している。各第１の基板搬送室11(12)の内部には、第１の基板搬送部13(14)を構成する第１の基板搬送装置が収容されている。この第１の基板搬送部13(14)は、前後に伸延するレール15(16)に沿って移動可能な搬送台17(18)に１枚の基板７を水平に保持する基板保持体19(20)を可動体21(22)を介して回転・昇降・進退可能に取付けている。また、第１の基板搬送室11(12)の後端部には、加熱された基板７を冷却するための基板冷却部23(24)を配置している。
また、処理部４は、第１の基板搬送室11(12)の左右両側に前後に伸延する基板処理室25,26(27,28)をそれぞれ配置している。各基板処理室25(26〜28)の内部には、中間部に基板７を処理液で液処理するための液処理部29,30(31〜36)を前後に並べて配置するとともに、前後端部に基板７を超臨界流体で乾燥処理するための超臨界乾燥処理部37,38(39〜44)をそれぞれ配置している。
また、処理部４は、左右端部（基板処理室25,26(27,28)の外側）に前後に伸延する第２の基板搬送室45,46(47,48)をそれぞれ配置している。各第２の基板搬送室45(46〜48)の内部には、第２の基板搬送部49(50〜52)を構成する第２の基板搬送装置が収容されている。この第２の基板搬送部49(50〜52)は、前後に伸延するレール53(54〜56)に沿って移動可能な搬送台57(58〜60)に１枚の基板７を水平に保持する基板保持体61(62〜64)を可動体65(66〜68)を介して進退可能に取付けている。なお、第２の基板搬送部49(50〜52)は、基板７の上面を乾燥防止用の液体で被覆した状態で搬送するように構成している。
さらに、処理部４は、第１の基板搬送室11の上部に送風機構69を配置し、この送風機構69を用いて第１の基板搬送室11,12の内部に空気を上方から下方へ向けて送風している。また、処理部４は、基板処理室25(26〜28)及び第２の基板搬送室45(46〜48)の前後端部に送風機構70〜73を配置し、この送風機構70〜73を用いて基板処理室25(26〜28)及び第２の基板搬送室45(46〜48)の内部に露点温度が-20℃以下、好ましくは、-40℃以下のドライエアーを後側上方から前側下方へ向けて送風している。このように、処理部４は、第１の基板搬送室11,12に供給される気体（ここでは、空気）の露点温度よりも第２の基板搬送室45〜49に供給される気体（ここでは、ドライエアー）の露点温度を低くしている。
ここで、図５及び図６に示すように、各液処理部29(30〜36）は、内部に基板７を液処理する液処理装置74を収容するとともに、第１の基板搬送室11(12)に連通する搬入口75と第２の基板搬送室45(46〜48)に連通する搬出口76とを液処理装置74を挟んで対向する位置に形成している。この搬入口75から液処理装置74に液処理前の乾燥状態の基板７が第１の基板搬送部13(14)によって搬入され、液処理装置74から搬出口76に液処理後の湿潤状態の基板７が第２の基板搬送部49(50〜52)によって搬出される。搬入口75及び搬出口76には、扉81,82を開閉可能に設けている。これらの扉81,82は、制御部83で開閉制御される。なお、制御部83は、基板処理装置１の全体の制御を行っている。
液処理装置74は、回転機構84にターンテーブル85を取付けるとともに、ターンテーブル85の周縁に保持体86を円周方向に向けて間隔をあけて取付けている。これにより、液処理装置74は、保持体86で水平に保持した基板７を回転機構84によって回転させる。また、液処理装置74は、ターンテーブル85（基板７）の外周外方にカップ87を配置するとともに、カップ87に昇降機構88を接続している。これにより、液処理装置74は、基板７の搬入出時にカップ87を降下させるとともに、基板７の液処理時にカップ87を上昇させて処理液を回収する。さらに、液処理装置74は、ターンテーブル85（基板７）の上方に洗浄処理用ノズル89とリンス処理用ノズル90と乾燥防止処理用ノズル91とをそれぞれ独立して移動可能に配置している。洗浄処理用ノズル89には、フッ化水素水溶液等の洗浄液を供給する洗浄液供給機構92が接続されている。リンス処理用ノズル90には、純水等のリンス液を供給するリンス液供給機構93が接続されている。乾燥防止処理用ノズル91には、乾燥防止用の液体（イソプロピルアルコール、ハイドロフルオロエーテル、アセトン等の有機溶剤）を供給する乾燥防止用液体供給機構94が接続されている。
また、図５及び図７に示すように、超臨界乾燥処理部37(38〜44)は、内部に基板７を超臨界乾燥処理する乾燥処理装置77を収容し、乾燥処理装置77に基板７を搬入及び搬出するための搬入出機構78を進退可能に設けるとともに、第２の基板搬送室45(46〜48)に連通する搬入口79と第１の基板搬送室11(12)に連通する搬出口80とを搬入出機構78を挟んで対向する位置に形成している。この搬入口79から搬入出機構78に液処理後の湿潤状態の基板７が第２の基板搬送部49(50〜52)によって搬入され、搬入出機構78から搬出口80に乾燥処理後の乾燥状態の基板７が第１の基板搬送部13(14)によって搬出される。搬入口79及び搬出口80には、開閉可能な扉を設けている。
乾燥処理装置77は、前端を開口させた矩形箱型状の容器本体95の中空部に吸入口96と排出口97とを形成し、吸入口96に二酸化炭素等の超臨界状態の流体（基板処理流体）を供給する処理流体供給機構98を接続するとともに、排出口97に開閉バルブ等からなる排出機構99を接続している。また、乾燥処理装置77は、容器本体95の前端部に搬入出機構78を兼用する蓋体100と基板載置台101とを開閉可能に取付けている。さらに、乾燥処理装置77は、容器本体95の上面及び下面に内部を加熱する加熱器102を取付けている。
基板処理装置１は、以上に説明したように構成している。この基板処理装置１では、処理前の基板７がキャリア６に収容された状態で搬入出部２に搬入され、搬送部３の基板搬送装置８を用いていずれかのキャリア６から上下いずれかの基板受渡台9(10)へと搬送し、処理部４で処理する。
処理部４では、第１の基板搬送部13(14)を用いて基板７を１枚ずつ基板受渡台9(10)からいずれかの液処理部29(30〜36)に搬入する。
各液処理部29(30〜36)では、搬入口75を開放するとともに搬出口76を閉塞した状態で、第1の基板搬送部13(14)によって搬入口75から液処理前の乾燥状態の基板７を液処理装置74に搬入させる。その後、液処理部29(30〜36)は、搬入口75を閉塞し、液処理装置74によって基板７を回転させた状態で基板７の表面に向けて洗浄処理用ノズル89から洗浄液を供給して基板７の洗浄処理を行った後に、リンス処理用ノズル90からリンス液を供給して基板７のリンス処理を行う。その後、液処理部29(30〜36)は、液処理装置74によって基板７の表面に向けて乾燥防止処理用ノズル91から乾燥防止用の液体を供給し、基板７の表面を乾燥防止用の液体で被覆することで基板７を湿潤状態にする。これにより、基板７の乾燥防止処理を行う。その後、液処理部29(30〜36)は、搬入口75を閉塞したまま搬出口76を開放し、第２の基板搬送部49(50〜52)によって搬出口76から液処理後の湿潤状態の基板７を搬出させる。その後、液処理部29(30〜36)は、搬出口76を閉塞する。
その後、第２の基板搬送部49(50〜52)を用いて基板７をいずれかの超臨界乾燥処理部37(38〜44)に搬入する。その際に、基板７は、上面が乾燥防止用の液体で被覆された状態となっている。
各超臨界乾燥処理部37(38〜44)では、搬入口79を開放するとともに搬出口80を閉塞した状態で、第２の基板搬送部49(50〜52)によって搬入口79から液処理後の湿潤状態の基板７を搬入出機構78の基板載置台101に搬入させる。その後、超臨界乾燥処理部37(38〜44)は、搬入口79を閉塞し、搬入出機構78によって基板７を乾燥処理装置77の容器本体95の内部に収容するとともに、容器本体95を蓋体100で密閉する。その後、超臨界乾燥処理部37(38〜44)は、容器本体95の内部に処理流体供給機構98から超臨界状態の基板処理流体を供給し、基板７の表面の乾燥防止用の流体を超臨界状態の基板処理流体で置換する。その後、超臨界乾燥処理部37(38〜44)は、排出機構99によって容器本体95の内部から超臨界状態の基板処理流体を排出して容器本体95の内部の減圧を行う。これにより、基板７の超臨界乾燥処理を行う。その後、超臨界乾燥処理部37(38〜44)は、搬入出機構78によって基板７を容器本体95の外部に搬送する。その後、超臨界乾燥処理部37(38〜44)は、搬入口79を閉塞したまま搬出口80を開放し、第１の基板搬送部13(14)によって排出口80から乾燥処理後の乾燥状態７の基板を搬出させる。その後、超臨界乾燥処理部37(38〜44)は、搬出口80を閉塞する。
ここで、各超臨界乾燥処理部37(38〜44)では、超臨界状態の基板処理流体で基板７の表面の乾燥防止用の液体を置換した後に減圧することで基板７の乾燥処理を行うようにしているが、これに限られず、高圧の基板処理流体を容器本体95の内部に供給することで基板７の表面を覆う乾燥防止用の液体自体を超臨界状態の流体とし、その後、減圧することで基板７の乾燥処理を行うようにしてもよい。すなわち、超臨界乾燥処理部37(38〜44)は、搬入出機構78によって基板７を乾燥処理装置77の容器本体95の内部に収容するとともに、容器本体95を蓋体100で密閉した後に、容器本体95の内部に処理流体供給機構98から高圧状態の基板処理流体を供給し、この高圧状態の基板処理流体の作用で基板７の表面の乾燥防止用の流体を超臨界状態の流体にする。その後、超臨界乾燥処理部37(38〜44)は、排出機構99によって容器本体95の内部から乾燥防止用の流体を基板処理流体とともに排出して容器本体95の内部の減圧を行う。これによっても、基板７の超臨界乾燥処理を行うことができる。なお、基板処理流体や乾燥防止用の流体は、超臨界状態とした場合に限られず、超臨界状態と近似した亜臨界状態としてもよい。
その後、第１の基板搬送部13(14)を用いて基板７を超臨界乾燥処理部37(38〜44)から基板冷却部23,24に搬送して基板７を冷却した後に、基板受渡台9(10)に搬送する。
処理部４で処理した基板７は、搬送部３の基板搬送装置８を用いて基板受渡台9(10)からいずれかのキャリア６に搬送される。
このようにして、上記基板処理装置１は、液処理部29〜36を用いて基板７を処理液で液処理した後に、超臨界乾燥処理部37〜44を用いて基板７を超臨界流体で乾燥処理する。その際に、上記基板処理装置１では、第１の基板搬送部13,14を用いて液処理前の乾燥状態の基板７を液処理部29〜36に設けた搬入口75に搬送し、その後、第２の基板搬送部49〜52を用いて液処理後の湿潤状態の基板７を液処理部29〜36に搬入口75とは別に設けた搬出口76から超臨界乾燥処理部37〜44に搬送する。
そのため、上記基板処理装置１では、液処理部29〜36において処理前の乾燥状態の基板７が通過する搬入口75と処理後の湿潤状態の基板７が通過する搬出口76とが明確に区別されることになり、基板７から飛散したり揮発した処理液が搬入口75に直接的に付着したり搬入口75を介して第１の基板搬送部13,14に間接的に付着するのを防止できる。これにより、上記基板処理装置１では、第１の基板搬送部13,14を介して乾燥処理後の基板７に処理液が転着するのを防止することができ、乾燥処理後の基板７の表面の汚染が防止されて基板処理装置１の歩留まりを向上させることができる。
特に、上記基板処理装置１では、液処理後（乾燥処理前）の基板７を揮発性の高い有機溶剤で被覆することで湿潤状態にしているために、液処理部29〜36から第２の基板搬送部49〜52への搬出経路において有機溶剤が揮発するおそれがあるが、第１の基板搬送部13,14から液処理部29〜36への搬入経路と液処理部29〜36から第２の基板搬送部49〜52への搬出経路とが明確に区別されることで、汚染の拡大を抑制することができる。
また、上記基板処理装置１では、第１の基板搬送部13,14を第１の基板搬送室11,12に収容するとともに、第２の基板搬送部49〜52を第２の基板搬送室45〜48に収容している。そのため、上記基板処理装置１では、第１の基板搬送部13,14によって乾燥状態の基板７を搬送する搬送空間（搬送経路）と第２の基板搬送部49〜52によって湿潤状態の基板７を搬送する搬送空間（搬送経路）とが別個独立して形成されることになり、処理液の転着をより一層良好に防止することができる。
また、上記基板処理装置１では、第１の基板搬送室11,12に供給される気体の露点温度よりも第２の基板搬送室45〜49に供給される気体の露点温度を低くしている。そのため、上記基板処理装置１では、湿潤状態の基板７を搬送する第２の基板搬送室45〜49の内部で結露が生じるのを防止することができる。
特に、上記基板処理装置１では、液処理後（乾燥処理前）の基板７を吸水性の高い有機溶剤で被覆することで湿潤状態にしているために、第２の基板搬送部49〜52によって基板７を超臨界乾燥処理部37〜44へ搬送する途中で乾燥防止用の液体が水分を吸着し、超臨界乾燥処理部37〜44で高圧状態になった際に基板７や乾燥処理装置77にダメージを与えるおそれがあるが、第２の基板搬送室45〜49の内部の露点温度を低くすることで、乾燥防止用の液体が水分を吸着するのを抑制することができる。また、第２の基板搬送室45〜49だけに露点温度の低い気体を供給すればよく、高価な気体の消費量を低減して、ランニングコストの増大を抑制することができる。
また、上記基板処理装置１では、第１の基板搬送部13,14と第２の基板搬送部49〜52とを液処理部29〜36を挟んで反対側に配置している。これにより、第１の基板搬送部13,14（搬入口75)と第２の基板搬送部49〜52（搬出口76)との間隔を大きくすることができ、これによっても処理液の転着をより一層良好に防止することができる。
第１の基板搬送部13,14と第２の基板搬送部49〜52の配置は、上記配置に限られず、第２の基板搬送部49〜52を液処理部29〜36と超臨界乾燥処理部37〜44との間に配置してもよい。この場合には、図８に示すように、液処理部29(30〜36)と超臨界乾燥処理部37(38〜44)との間に液処理部29(30〜36)の搬出口76を超臨界乾燥処理部37(38〜44)の搬入口と兼用させて形成するとともに、超臨界乾燥処理部37(38〜44)の搬入出機構78を回転・進退可能に形成して、搬入出機構78を第２の基板搬送部として用いて基板７を液処理部29(30〜36)から超臨界乾燥処理部37(38〜44)に搬送するように構成することができる。これにより、基板処理装置１のコンパクト化を図ることができる。
また、液処理部29〜36と超臨界乾燥処理部37〜44の配置も、上記配置に限られず、たとえば図９に示すように、２台の超臨界乾燥処理部37,38の間に１台の液処理部29を配置し、液処理部29で液処理した基板７をいずれかの超臨界乾燥処理部37(38)で乾燥処理するように構成してもよい。
本発明では、搬入口75と搬出口76とを別個に設けた液処理部29〜36と、超臨界乾燥処理部37〜44と、液処理部29〜36の搬入口75へ液処理前の乾燥状態の基板７を搬送する第１の基板搬送部13,14と、液処理部29〜36の搬出口76から超臨界乾燥処理部37〜44へ液処理後の湿潤状態の基板７を搬送する第２の基板搬送部49〜52とを有していればよい。したがって、液処理部29〜36や超臨界乾燥処理部37〜44や第１の基板搬送部13,14や第２の基板搬送部49〜52の配置や個数や形状等は適宜設定することができる。
１ 基板処理装置
７ 基板
13,14 第１の基板搬送部
29〜36 液処理部
37〜44 超臨界乾燥処理部
49〜52 第２の基板搬送部
75 搬入口
76 搬出口

Claims (14)

  1. 基板を処理液で液処理する液処理部と、
    前記液処理部に設けた、液処理前の乾燥状態の基板を搬入するための搬入口と、
    前記液処理部に設けた、液処理後の湿潤状態の基板を搬出するための搬出口と、
    超臨界流体を用いて基板を乾燥処理する超臨界乾燥処理部と、
    前記液処理部の搬入口へ液処理前の乾燥状態の基板を搬送する第１の基板搬送部と、
    前記液処理部の搬出口から前記超臨界乾燥処理部へ液処理後の湿潤状態の基板を搬送する第２の基板搬送部と、
    を有することを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記第２の基板搬送部は、前記基板を有機溶剤で湿潤させた状態で搬送することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記第１の基板搬送部を収容する第１の基板搬送室と、前記第２の基板搬送部を収容する第２の基板搬送室とを有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記搬入口と前記第１の基板搬送室とが連通するとともに、前記搬出口と前記第２の基板搬送室とが連通することを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 前記搬入口又は／及び前記搬出口に開閉可能な扉を設けたことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 前記第１の基板搬送室に供給される気体の露点温度よりも前記第２の基板搬送室に供給される気体の露点温度を低くしたことを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
  7. 前記超臨界乾燥処理部で乾燥処理した乾燥状態の基板を前記第１の基板搬送部で前記超臨界乾燥処理部から搬出することを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれかに記載の基板処理装置。
  8. 前記第１の基板搬送部と第２の基板搬送部とを前記液処理部を挟んで反対側に配置したことを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれかに記載の基板処理装置。
  9. 前記液処理部と超臨界乾燥処理部との間に前記第２の基板搬送部を配置したことを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれかに記載の基板処理装置。
  10. 前記液処理部と超臨界乾燥処理部とを前記液処理部の排出口を介して隣接し、前記超臨界乾燥装置の内部に前記第２の基板搬送部を収容したことを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
  11. 液処理部を用いて基板を処理液で液処理した後に、超臨界乾燥処理部を用いて基板を超臨界流体で乾燥処理する基板処理方法において、
    第１の基板搬送部を用いて液処理前の乾燥状態の基板を前記液処理部に設けた搬入口に搬送する工程と、
    第２の基板搬送部を用いて液処理後の湿潤状態の基板を前記液処理部に前記搬入口とは別に設けた搬出口から前記超臨界乾燥処理部に搬送する工程と、
    を有することを特徴とする基板処理方法。
  12. 前記第２の基板搬送部は、前記基板を有機溶剤で湿潤させた状態で搬送することを特徴とする請求項１１に記載の基板処理方法。
  13. 前記第２の基板搬送部に、前記第１の基板搬送部に供給する気体よりも露点温度が低い気体を供給することを特徴とする請求項１２に記載の基板処理方法。
  14. 前記超臨界乾燥処理部で乾燥処理した乾燥状態の基板を前記第１の基板搬送部で前記超臨界乾燥処理部から搬出することを特徴とする請求項１１〜請求項１３のいずれかに記載の基板処理方法。
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