WO2021112130A1 - ウェハ処理装置 - Google Patents

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WO2021112130A1
WO2021112130A1 PCT/JP2020/044878 JP2020044878W WO2021112130A1 WO 2021112130 A1 WO2021112130 A1 WO 2021112130A1 JP 2020044878 W JP2020044878 W JP 2020044878W WO 2021112130 A1 WO2021112130 A1 WO 2021112130A1
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WO
WIPO (PCT)
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wafer
unit
outer peripheral
heater
chamber
Prior art date
Application number
PCT/JP2020/044878
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English (en)
French (fr)
Inventor
正晃 一二三
秀則 国重
博文 関口
朗 芦原
弘祐 兵頭
Original Assignee
株式会社レクザム
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Filing date
Publication date
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Priority claimed from JP2020018522A external-priority patent/JP6959668B2/ja
Priority claimed from JP2020020361A external-priority patent/JP7427232B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Definitions

  • the present invention relates to a wafer processing apparatus that performs a predetermined process using a supercritical fluid on a wafer.
  • a supercritical fluid may be used for a drying treatment or the like for removing a treatment liquid from the surface of a substrate (see, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2013-254904, US Patent Application Publication No. 2018/0114707). ).
  • a defect may occur in the wafer due to particles or the like generated in the chamber.
  • a processing device using a blocking film surrounding the edge of the wafer is known (see, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2018-207103).
  • the present invention has been made to solve the above problems, and one object of the present invention is to provide a wafer processing apparatus capable of shortening the tact time when performing a predetermined processing on a wafer. .. Another object is to provide a wafer processing apparatus capable of further reducing the possibility of particles or the like adhering to the wafer.
  • the wafer processing apparatus has an upper unit and a lower unit facing the upper unit to form a storage space for accommodating the wafer, and uses a supercritical fluid for the wafer.
  • a rotating means for rotating the supporting means for supporting around an axis in the vertical direction is provided, and the rotating means supports the wafer so that the direction in which the wafer is carried into the chamber and the direction in which the wafer is carried out from the chamber are at a predetermined angle. It is the one that rotates the means.
  • the wafer loading direction into the chamber and the wafer loading direction can be set to different directions. Therefore, for example, the wafer can be carried in by the carry-in transfer robot, and the wafer can be carried out by another carry-out transfer robot. In that case, it is possible to prepare for carrying out the wafer while carrying out the wafer, or to prepare for carrying in the wafer while carrying out the wafer. As a result, the tact time related to the loading and unloading of the wafer can be further shortened as compared with the case where the loading direction and the unloading direction of the wafer are the same.
  • the upper unit is provided so as to be rotatable around an axis in the vertical direction, and the support means is further provided with an upper heater provided on the lower surface side.
  • the upper heater may be rotated about a vertical axis.
  • the support means can be rotated by rotating the upper heater. Therefore, the support means can be rotated more easily.
  • the rotating means may rotate the upper heater even when a predetermined processing is performed on the wafer housed in the chamber.
  • the supercritical fluid when performing a predetermined process using the supercritical fluid on the wafer, the supercritical fluid can be agitated by rotating the upper heater in the accommodation space, for example, the process is efficiently performed. You will be able to do it.
  • the supporting means is provided on the lower surface side of the upper unit, and the rotating means rotates the upper unit around the axis in the vertical direction in a state where the upper and lower units are separated from each other. May be rotated to.
  • the wafer loading direction into the chamber and the wafer loading / unloading direction can be set to different directions.
  • the chamber further has a sealing portion for sealing between the upper and lower units when the chamber is closed, and the upper and lower units are separated from each other.
  • the state may be a state in which the seal portion provided on one of the upper and lower units is separated from the other side of the upper and lower units.
  • the wafer processing apparatus has an upper unit and a lower unit facing the upper unit to form a storage space for accommodating the wafer, and performs a predetermined process using a supercritical fluid on the wafer.
  • An upper heater having a cylindrical support portion inserted into the cylindrical hole portion provided in the above, an upper seal portion for sealing between the support portion and the hole portion, and fluid flowing around the support portion.
  • the above inlet and one or more outlets for discharging fluid from the accommodation space are provided on at least one of the upper and lower units, respectively, and between the upper surface of the heating plate and the lower surface of the upper unit.
  • An outer peripheral groove extending from the circumferential groove toward the outer peripheral side of the upper plate member is provided, and the upper plate member is provided at least a part of the opening on the lower side of the outer peripheral groove and the lower side of the circumferential groove. It is provided so as to close all of the openings, and the outer peripheral end of the outer peripheral groove is connected to the discharge port.
  • the upper flow path from the outer peripheral end of the outer peripheral groove to the discharge port is a flat surface arranged between the upper surface of the heating plate and the lower surface of the upper unit.
  • the U-shaped member may be formed by a U-shaped member, and the U-shaped member may be arranged so that the opening side is the discharge port side and the other end side is the position of the outer peripheral side end portion of the outer peripheral side groove portion.
  • the fluid containing particles and the like passes through the inside of the U-shaped member, and it is possible to prevent the fluid from diffusing toward the wafer.
  • the wafer processing apparatus has an upper unit and a lower unit facing the upper unit to form an accommodation space for accommodating the wafer, and performs a predetermined process using a supercritical fluid on the wafer.
  • a lower heater having a cylindrical support portion inserted into a cylindrical hole portion provided in the above, a lower seal portion for sealing between the support portion and the hole portion, and fluid flowing around the support portion.
  • an outer peripheral groove portion extending from the circumferential groove portion of the lower unit toward the outer peripheral side of the lower plate member is provided, and the lower plate member includes at least a part of the opening on the upper side of the outer peripheral side groove portion and It is provided so as to close all the openings on the upper side of the circumferential groove portion, and the end portion on the outer peripheral side of the outer peripheral side groove portion is connected to the discharge port.
  • the chamber has a sealing portion for sealing between the upper and lower units when the chamber is closed, and the lower unit has a sealing portion of the sealing portion.
  • a groove may be provided on the lower side along the outer periphery of the accommodation space, and a discharge port may be provided at the bottom of the groove.
  • the wafer loading and unloading directions can be set to different directions, and the tact time related to wafer loading and unloading can be shortened.
  • the transfer robot for inserting and removing the wafer can be separated for loading and unloading, and the time required for inserting and removing can be shortened.
  • the wafer processing apparatus according to one embodiment of the present invention, it is possible to prevent particles and the like generated in the chamber from diffusing toward the wafer, further reducing the possibility of particles and the like adhering to the wafer. be able to.
  • Partially cutaway perspective view showing the configuration of the wafer processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
  • Sectional drawing which shows the vertical section of the chamber of the wafer processing apparatus by the same embodiment.
  • Perspective view of the upper unit in the same embodiment Top view showing the rotating means for rotating the upper heater in the same embodiment.
  • Top view for explaining the loading and unloading of wafers in the same embodiment.
  • a partially cutaway perspective view showing another configuration of the wafer processing apparatus according to the same embodiment.
  • Sectional drawing which shows the vertical sectional view of the chamber of another structure of the wafer processing apparatus by the same embodiment.
  • Sectional drawing which shows the vertical section of the chamber of the wafer processing apparatus by the same embodiment.
  • Sectional drawing which shows the vertical section of the chamber of the wafer processing apparatus by the same embodiment.
  • Top view of the lower unit in the same embodiment Bottom view of the upper plate member in the same embodiment
  • Bottom view of the upper unit in the same embodiment Bottom view of the upper unit to which the upper plate member in the same embodiment is mounted.
  • Bottom view of the upper unit to which the upper plate member and the U-shaped member are mounted in the same embodiment.
  • Enlarged sectional view of the chamber in the same embodiment Enlarged sectional view of a portion of the upper plate member of the chamber in the same embodiment. Enlarged sectional view of a portion of the lower plate member of the chamber in the same embodiment. Enlarged sectional view of the chamber in the same embodiment
  • the support means for supporting the wafer is rotated by a predetermined angle in order to make the wafer loading direction and the wafer unloading direction different from each other.
  • the case where the upper heater having the supporting means for supporting the wafer is rotated will be mainly described.
  • FIG. 1 is a partially cutaway perspective view showing the configuration of the wafer processing apparatus 1 according to the present embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a vertical cross section of the chamber 11 of the wafer processing apparatus 1. Note that FIG. 2 shows a state in which the chamber 11 is closed.
  • FIG. 3 is a perspective view of the upper unit 21 as viewed from the lower surface side.
  • FIG. 4 is a diagram showing a rotating means 30 for rotating the upper heater 24. In FIG. 4, the upper unit 21 is omitted.
  • FIG. 5 is a diagram for explaining the loading and unloading of the wafer 2 and the rotation of the upper heater 24.
  • FIG. 6 is a diagram showing a processing chamber 3 including a wafer processing apparatus 1 inside, and hands 4 and 5 of a transfer robot that carries in and out the wafer 2 into and out of the processing chamber 3.
  • the wafer processing apparatus 1 includes a chamber 11 having an upper unit 21 and a lower unit 22, an opening / closing means 12 for opening / closing the upper unit 21 and the lower unit 22 of the chamber 11, and a vertical axis.
  • An upper heater 24 provided in the upper unit 21 so as to be rotatable, a lower heater 25 provided in the lower unit 22, and a rotating means 30 for rotating the upper heater 24 are provided.
  • a predetermined process using a supercritical fluid is performed on the wafer 2.
  • the predetermined treatment is the drying treatment of the wafer 2 using the supercritical fluid
  • other treatments for example, the washing treatment using the supercritical fluid and the washing and drying treatment May be performed on the wafer 2.
  • the drying treatment of the wafer 2 is performed, for example, by removing the treatment liquid such as an organic solvent remaining on the surface of the wafer 2 by replacing it with a supercritical fluid, and drying the supercritical fluid.
  • the fluid used for the treatment is carbon dioxide
  • the wafer 2 may have a disk shape, for example.
  • the upper unit 21 and the lower unit 22 face each other, and both form a storage space 22c for accommodating the wafer 2.
  • the accommodation space 22c is usually a space having a substantially cylindrical shape. When the volume of the accommodating space 22c is large, the time for pressurizing the fluid into the supercritical state becomes long, so that the volume of the accommodating space 22c is preferably small. In this embodiment, the case where the accommodation space 22c is formed on the lower unit 22 side will be mainly described.
  • the upper unit 21 and the lower unit 22 are provided with cylindrical holes 21e and 22e extending in the vertical direction, respectively. The holes 21e and 22e are used for mounting the upper heater 24 and the lower heater 25, respectively.
  • the lower unit 22 may be provided with a fluid injection path 221 and a fluid discharge path 222.
  • the fluid injection port is provided on the peripheral edge side of the accommodation space 22c
  • the fluid discharge port is on the peripheral edge side facing the injection port of the accommodation space 22c and around the hole 22e.
  • the injection path 221 may be provided so as to inject the fluid from the upper surface side of the wafer 2.
  • an injection path 221 or a discharge path 222 may be provided on the lateral side (side surface) of the accommodation space 22c within a range that does not interfere with the clamp 41 described later. It is preferable that the fluid injection path 221 and the discharge path 222 are provided not in the movable side unit but in the fixed side unit.
  • the upper unit 21 and the lower unit 22 are preferably made of a pressure-resistant material.
  • the material may be, for example, stainless steel.
  • the surface thereof may be subjected to, for example, a treatment for forming a passivation film for preventing the generation of particles or a DLC treatment for hardening.
  • the chamber 11 may have a sealing portion 23 for sealing between the upper unit 21 and the lower unit 22 when the chamber 11 is closed.
  • the seal portion 23 is an annular member, and may be arranged at the annular edge portion of the opening of the accommodation space 22c in the lower unit 22 or the portion of the upper unit 21 facing the edge portion.
  • the seal portion 23 may be mounted on the lower end side of the upper unit 21, for example, as shown in FIG.
  • the seal portion 23 may have a substantially U-shaped cross section. In that case, when the fluid in the accommodation space 22c tries to flow out through the seal portion 23 while the chamber 11 is closed, the pressure in the substantially U-shaped inner portion increases and the sealability is improved. It can be further improved and the outflow of the fluid in the accommodation space 22c can be effectively prevented.
  • the sealing portion 23 may be made of, for example, a fluororesin such as polytetrafluoroethylene or a material such as silicon.
  • the opening / closing means 12 opens / closes the chamber 11 by moving at least one of the upper unit 21 and the lower unit 22 in the vertical direction.
  • the upper unit 21 and the lower unit 22 are closed by the opening / closing means 12, and both are fitted and integrated to form a storage space 22c for processing the wafer 2. Further, the airtightness of the accommodation space 22c is enhanced by the seal portion 23, and the upper seal portion 21d and the lower seal portion 22d described later.
  • the opening / closing means 12 is an air cylinder fixed to the base 15, and the four corners of the rectangular upper plate 16 are moved in the vertical direction at the same timing with respect to the base 15, so that the upper part thereof is moved. A case where the unit 21 is moved in the vertical direction will be mainly described. In FIG. 1, some opening / closing means 12 are omitted.
  • the opening / closing means 12 may be configured by a solenoid other than the air cylinder, a rotary drive means for driving the rack and pinion and the pinion, a rotary drive means for rotating the ball screw and the screw shaft, and the like. Further, opening / closing means 12 are provided at one to three corners of the four corners of the upper surface plate 16, and guide members for guiding the apex portion of the upper surface plate 16 in the vertical direction are provided at other portions. It may be provided. In the present embodiment, the case where the opening / closing means 12 moves the upper unit 21 in the vertical direction will be described, but this may not be the case. The opening / closing means 12 may move the lower unit 22 in the vertical direction, or may move both the upper unit 21 and the lower unit 22 in the opposite directions in the vertical direction.
  • the upper heater 24 has a heating plate 24a extending in the horizontal direction in the accommodation space 22c, and a cylindrical support portion 24b connected to the upper surface of the heating plate 24a.
  • the heating plate 24a may have a disk shape, for example. Further, one end of the support portion 24b may be fixed near the center of the disk-shaped heating plate 24a so that the plane surface of the heating plate 24a and the cylindrical central axis of the support portion 24b are orthogonal to each other.
  • the heating plate 24a and the support portion 24b may be integrally formed or may be independent members, for example.
  • the upper heater 24 is attached to the upper unit 21 by inserting the support portion 24b of the upper heater 24 into the cylindrical hole portion 21e provided in the upper unit 21.
  • the support portion 24b may have a cylindrical shape as a whole, or at least a part of the support portion 24b may have a cylindrical shape.
  • the support portion 24b is composed of a plurality of cylindrical shaped portions having different radii. The same applies to the support portion 25b described later.
  • the support portion 24b of the upper heater 24 is provided by a rotary bearing 21a so as to be rotatable in the hole portion 22e of the upper unit 21.
  • the upper heater 24 is provided on the upper unit 21 so as to be rotatable about an axis in the vertical direction.
  • an upper seal portion 21d which will be described later, is provided on the accommodation space 22c side of the rotary bearing 21a.
  • the upper heater 24 may be attached to the upper unit 21 so that a predetermined vertical distance is provided between the upper surface of the heating plate 24a and the lower surface of the upper unit 21. This is because it is preferable that the upper surface of the heating plate 24a and the lower surface of the upper unit 21 do not come into contact with each other when the upper heater 24 rotates.
  • the lower heater 25 has a heating plate 25a extending in the horizontal direction in the accommodation space 22c, and a cylindrical support portion 25b connected to the lower surface of the heating plate 25a.
  • the lower heater 25 is the same as the upper heater 24 except that the lower heater 25 is turned upside down, and detailed description thereof will be omitted.
  • the lower heater 25 is attached to the lower unit 22 by inserting the support portion 25b of the lower heater 25 into the cylindrical hole portion 22e provided in the lower unit 22.
  • the lower heater 25 may also be rotated.
  • the gap exists.
  • the upper heater 24 and the lower heater 25 are used to heat the fluid in the accommodation space 22c. This is to bring the fluid into a supercritical state in the accommodation space 22c.
  • the fluid is carbon dioxide
  • the upper heater 24 and the lower heater 25 may heat the carbon dioxide to 31.1 ° C. or higher.
  • the upper seal portion 21d seals between the support portion 24b of the upper heater 24 and the hole portion 21e of the upper unit 21. Further, the lower seal portion 22d seals between the support portion 25b of the lower heater 25 and the hole portion 22e of the lower unit 22.
  • the upper seal portion 21d prevents fluid from leaking between the support portion 24b and the hole portion 21e
  • the lower seal portion 22d prevents fluid from leaking between the support portion 25b and the hole portion 22e.
  • the accommodation space 22c is kept airtight.
  • the upper seal portion 21d and the lower seal portion 22d may be the same as the seal portion 23. In order to properly position the seal portion 21d, even if a seal retainer that prevents the seal portion 21d from moving upward or a cylindrical spacer that keeps the distance between the seal portion 21d and the rotary bearing 21a constant is used. Good.
  • the upper heater 24 and the lower heater 25 may be removed for maintenance, for example. Further, the upper heater 24 is rotated by the rotating means 30. As such, when both are attached and detached, and when the upper heater 24 is rotated, the contact portions between the upper heater 24 and the lower heater 25 and the chamber 11, more specifically, the upper seal portion 21d and the lower seal Particles and the like are likely to be generated at the portion 22d. It is preferable that such particles and the like are discharged so as not to diffuse toward the wafer 2. As a method for discharging the generated particles or the like, for example, the methods described in JP-A-2002-324777 and JP-A-2007-034109 may be used.
  • a support means 20 for supporting the wafer 2 carried in the horizontal direction is provided on the lower surface side of the upper heater 24. Therefore, when the wafer 2 is carried in, the wafer 2 is located below the upper heater 24 as shown in FIG.
  • the supporting means 20 has a substantially L-shaped cross section, and supports the peripheral edge portion of the carried-in wafer 2 at the tip portion extending in the horizontal direction. May be good.
  • the case where the upper heater 24 is provided with the three supporting means 20 will be mainly described, but it may not be the case.
  • the number of support means 20 may be, for example, one or two, or four or more. Further, the shape of the supporting means 20 does not matter as long as the wafer 2 can be appropriately supported.
  • the rotating means 30 rotates the upper heater 24 around an axis in the vertical direction, and includes an air cylinder 31 and a crank 32.
  • the base end side of the air cylinder 31 is rotatably provided in the horizontal direction with respect to the upper surface plate 16 by the rotating shaft 31b.
  • the tip of the piston rod 31a of the air cylinder 31 is connected to the crank 32.
  • the crank 32 and the upper heater 24 connected to the crank 32 rotate about the vertical rotation shaft 24c in response to the movement of the piston rod 31a in the longitudinal direction. become.
  • the position of the tip portion of the piston rod 31a changes according to the rotation of the crank 32, and the base end side of the air cylinder 31 rotates about the rotation shaft 31b according to the change in the position.
  • a solenoid or the like may be used instead of the air cylinder 31.
  • the rotating means 30 may be, for example, a rotating driving means such as a motor that rotates the upper heater 24 around an axis in the vertical direction.
  • the accommodation space 22c is usually a substantially cylindrical space, and the holes 21e and 22e and the support portions 24b and 25b are cylindrical.
  • the holes 21e and 22e and the support portions 24b and 25b are present on the same straight line.
  • the rotating shaft 24c is also coaxial with the cylindrical central axis of the hole portion 21e and the supporting portion 24b.
  • the wafer processing device 1 covers the peripheral edge of the chamber 11 in a state where the chamber 11 is closed, that is, the upper unit 21 and the lower unit 22 are fitted in the vertical direction and the internal accommodation space 22c is kept airtight. It may have a clamp 41 for tightening.
  • the clamp 41 is fixed to the upper surface of the stage 42.
  • a slide rail 43 is fixed to the base 15, and a slide guide 44 is slidably provided on the slide rail 43. Since the slide guide 44 is fixed to the stage 42, the clamp 41 can move in the longitudinal direction of the slide rail 43.
  • the movement of the clamp 41, that is, the movement of the stage 42 may be realized by using a driving means (not shown).
  • the drive means may be, for example, an air cylinder, a solenoid, a rotary drive means for driving a rack and pinion and a pinion, a rotary drive means for rotating a ball screw and a screw shaft, and the like.
  • the clamp 41 moves between the lock position and the release position of the chamber 11 by the driving means.
  • the number of clamps 41 is, for example, It may be two, or four or more. The movement of the plurality of clamps 41 between the lock position and the release position may be performed independently or in conjunction with each other.
  • the upper heater 24 is rotated by the rotating means 30, and the direction in which the wafer 2 is carried into the upper heater 24 and the direction in which the wafer 2 is carried out from the upper heater 24 become a predetermined angle. The process of doing so will be described.
  • FIG. 5 is a bottom view of the upper unit 21 as viewed from below.
  • the wafer 2 is carried in in the direction of the arrow.
  • the chamber 11 is closed, and as shown in FIG. 5B, the upper heater 24 is rotated by the rotating means 30 by 90 degrees in the direction of the arrow while the wafer 2 is supported by the supporting means 20. Then, it becomes as shown in FIG. 5 (c).
  • a predetermined process is performed on the wafer 2.
  • the chamber 11 is opened, and the wafer 2 is carried out in the direction of the arrow as shown in FIG. 5 (d).
  • the upper heater 24 is rotated again by the rotating means 30 by 90 degrees so as to be in the state shown in FIG. 5A.
  • the angle formed by the carry-in direction and the carry-out direction of the wafer 2 is 90 degrees.
  • the angle between the carry-in direction and the carry-out direction of the wafer 2 may be a range in which the door provided at the carry-in inlet 3a and the door provided at the carry-out outlet 3b of the wafer 2 described later do not interfere with each other, and is preferably 90. It may be in the range of 180 degrees to 180 degrees.
  • the upper heater 24 may be rotated as long as it is between the time when the wafer 2 is carried in and the time before the wafer 2 is carried out, regardless of the timing.
  • the upper heater 24 may be rotated before the chamber 11 is closed, and the chamber 11 may be closed after the rotation to perform a predetermined treatment on the wafer 2, and the predetermined treatment using the supercritical fluid is completed. Later, the upper heater 24 may be rotated.
  • the wafer processing apparatus 1 is installed in the processing chamber 3, and the processing chamber 3 is provided with the carry-in inlet 3a and the carry-out outlet 3b of the wafer 2, respectively, at the time of carrying-in or at the time of carrying-in. It is closed by a door except when it is carried out.
  • the wafer 2 is inserted into the wafer processing device 1 via the carry-in inlet 3a and the wafer 2 is taken out from the wafer processing device 1 via the carry-out port 3b will be described.
  • the door of the carry-in inlet 3a of the processing chamber 3 is opened in a state where the upper unit 21 and the lower unit 22 of the wafer processing apparatus 1 are separated in the vertical direction. Then, in the cleaning device in the previous process, the wafer 2 cleaned with a cleaning agent such as IPA (isopropyl alcohol) is conveyed by the hand 4 of the transfer robot, and is carried from the carry-in inlet 3a to the lower surface side of the upper heater 24. Ru. The carried-in wafer 2 is supported by the supporting means 20.
  • IPA isopropyl alcohol
  • the door is closed when the hand 4 goes out of the carry-in entrance 3a.
  • the chamber 11 is closed by lowering the upper surface plate 16 by the opening / closing means 12.
  • the stage 42 is moved toward the axial center of the chamber 11, the upper unit 21 and the lower unit 22 are locked by the clamp 41 (FIG. 2).
  • the rotating means 30 rotates the upper heater 24 by 90 degrees.
  • the injection valve connected to the carbon dioxide injection path 221 is opened, and carbon dioxide is injected into the accommodation space 22c of the chamber 11.
  • Carbon dioxide is boosted by using a boosting mechanism such as a pressurizing pump and injected into the accommodation space 22c. Further, the injected carbon dioxide is heated by the upper heater 24 and the lower heater 25.
  • the injected carbon dioxide becomes a supercritical state when the pressure in the accommodation space 22c reaches a critical pressure of 7.38 MPa or more and the temperature reaches a critical temperature of 31.1 ° C. or more, and the IPA or the like on the wafer 2 is in a supercritical state of carbon dioxide. It is dissolved in carbon.
  • the discharge valve pressure adjustment valve connected to the discharge path 222 keeps the pressure in the accommodation space 22c and super-supercharges.
  • the critical fluid is gradually discharged. In this way, the supercritical fluid in which the IPA and the like adhering to the wafer 2 are dissolved is discharged, and the IPA and the like are removed from the wafer 2 in the accommodation space 22c.
  • the accommodation space 22c is maintained at a pressure and temperature at which carbon dioxide is in a supercritical state at least until the discharge of IPA or the like is completed.
  • the pressure is preferably maintained at 7.4 to 15 MPa
  • the temperature is preferably maintained at 31 to 50 ° C. by the upper heater 24 and the lower heater 25.
  • the injection of carbon dioxide into the accommodation space 22c is continued, the injection of the supercritical carbon dioxide fluid and the discharge of the supercritical carbon dioxide fluid in which IPA or the like is dissolved will be performed in parallel.
  • the injection valve is closed, the pressure is lowered by the discharge valve in the accommodation space 22c, the supercritical fluid is phase-converted into a gas, and then discharged. After that, the discharge valve is closed.
  • the accommodation space 22c may be stopped from heating or may be maintained at 31-50 ° C.
  • Whether or not the discharge of IPA or the like by the supercritical fluid is completed may be confirmed, for example, by detecting the IPA or the like in the accommodation space 22c by a sensor that detects the IPA or the like.
  • the sensor that detects IPA or the like may be, for example, an alcohol detection sensor or the like.
  • each clamp 41 is moved to the release position. Further, the chamber 11 is opened by raising the upper surface plate 16 by the opening / closing means 12, and the upper unit 21 and the lower unit 22 are separated from each other. In addition, the door of the carry-out port 3b of the processing chamber 3 is opened. Then, the wafer 2 dried using the supercritical fluid is carried out by the hand 5 of the transfer robot through the door of the carry-out port 3b, and the door of the carry-out port 3b is closed. After that, the upper heater 24 is rotated by the rotating means 30 in the opposite direction by 90 degrees to reach an angle at which the wafer 2 can be carried in, and a series of drying processes is completed. After that, the above process may be repeated. Normally, the hands 4 and 5 are operated by different transfer robots. Further, control of the timing and the like related to the series of processes described above may be performed by a control means (not shown).
  • the loading direction and the unloading direction of the wafer 2 into the chamber 11 can be made different.
  • the wafer cannot be loaded immediately after the wafer is carried out, and the takt time becomes long.
  • a transport robot for transporting the wafer before processing and a transport robot for transporting the wafer after processing are provided (for example, the above-mentioned special feature).
  • the wafer processing apparatus 1 by making the carry-in direction and the carry-out direction of the wafer 2 different, the carry-in and carry-out of the wafer 2 are separated without increasing the installation area. It can be done by a transfer robot. As a result, the takt time can be shortened by carrying in another wafer 2 immediately after the wafer 2 is carried out, and efficient processing can be realized.
  • the transfer robot that conveys the wafer 2 before processing in the chamber 11 and the transfer robot that conveys the wafer 2 after processing in the chamber 11 can be different, for example, the hand of the carry-in robot. It is possible to prevent the IPA or the like adhering to No. 4 from adhering to the processed wafer 2. Further, the area where the wafer 2 before processing is handled and the area where the wafer 2 after processing is handled can be separated, and IPA and the like are scattered and adhered from the wafer 2 before processing to the wafer 2 after processing. It can also be prevented.
  • the case where the upper heater 24 is rotated so that the loading direction and the unloading direction of the wafer 2 into the chamber 11 are different has been described, but a predetermined process using a supercritical fluid is performed.
  • the upper heater 24 may be rotated to promote it.
  • the rotating means 30 may rotate the upper heater 24 during at least a part of the period during which the wafer 2 housed in the chamber 11 is subjected to a predetermined process using the supercritical fluid. ..
  • the rotation in this case may be, for example, a rotation in one direction, or may be a repetition of a rotation in one direction and a rotation in the opposite direction. In the latter case, for example, rocking may be performed.
  • the rotating means 30 is a rotation driving means such as a motor.
  • the power supply to the upper heater 24 may be performed by using, for example, a slip ring or the like. In this way, by rotating the upper heater 24 even when the predetermined treatment on the wafer 2 is being performed, for example, the fluid in the accommodation space 22c can be agitated, and the treatment can be promoted. it can. Even if the upper heater 24 is rotated while the predetermined process is being performed, the upper heater 24 has a predetermined angle as described above when the wafer 2 is carried in and out. Is preferable.
  • the rotary means 30 is a rotary drive means such as a motor
  • a rotary drive means capable of realizing accurate positioning control such as a stepping motor
  • the upper heater 24 acquired by the encoder or the like may be used.
  • the angle may be used to control the angle of the upper heater 24 rotated by the rotation drive means.
  • the case where the wafer 2 is supported by the support means 20 provided on the lower surface side of the upper heater 24 in the accommodation space 22c has been mainly described, but it is not necessary.
  • another support means (hereinafter, referred to as “lower support means”) is provided on the lower surface of the accommodation space 22c (that is, the upper surface of the lower unit 22), and when the chamber 11 is closed, the wafer is provided. 2 may not be supported by the support means 20 and may be supported by the lower support means.
  • the lower support means may be arranged, for example, on the peripheral edge of the accommodation space 22c which is circular in a plan view. Further, when the chamber 11 is closed, the mounting surface of the wafer 2 in the lower supporting means may be located above the mounting surface of the wafer 2 in the supporting means 20.
  • the wafer processing device 1 has the lower heater 25 has been described, but it is not necessary.
  • the wafer processing device 1 does not have to have the lower heater 25.
  • the rotating means 30 rotates the upper heater 24
  • the rotating means 30 rotates at least the supporting means 20 so that the direction in which the wafer 2 is carried into the chamber 11 and the direction in which the wafer 2 is carried out from the chamber 11 are at a predetermined angle
  • the target to be made may be other than the upper heater 24.
  • the rotating means 30 rotates the upper unit 21
  • FIG. 7 and 8 are a partially cutaway perspective view showing the wafer processing device 1 in which the upper unit 21 is rotated by the rotating means 30, and a cross-sectional view showing a vertical cross section, respectively. Note that FIG. 8 shows a state in which the chamber 11 is open.
  • a support means 20 for supporting the wafer 2 carried in the horizontal direction is provided on the lower surface side of the upper unit 21. Therefore, when the wafer 2 is carried in, the wafer 2 is located on the lower side of the upper unit 21 as shown in FIG.
  • the positions of the fluid injection path 221 and the discharge path 222 are examples, and may be provided in the same manner as in FIG. 2, for example.
  • the upper unit 21 has a rotary bearing 21b, and is provided so as to be rotatable with respect to the upper surface plate 16 by the rotary bearing 21b. Normally, since the upper unit 21 is heavy, it is not easy to rotate it, but since it is made rotatable by the rotary bearing 21b in this way, it can be easily rotated by the rotating means 30.
  • the rotating means 30 rotates the upper unit 21 around an axis in the vertical direction in a state where the upper unit 21 and the lower unit 22 are separated from each other, and includes an air cylinder 31 and a crank 32. Then, in response to the movement of the piston rod 31a in the longitudinal direction, the crank 32 and the upper unit 21 to which the crank 32 is fixed rotate about the rotation shaft 21c in the vertical direction.
  • the state in which the upper unit 21 and the lower unit 22 are separated is preferably a state in which the upper unit 21 does not slide with the lower unit 22 even if the upper unit 21 is rotated. This is to prevent defects in the wafer 2 due to the generation of particles. Therefore, when the upper unit 21 and the lower unit 22 are separated from each other, the seal portion 23 provided on one of the upper unit 21 and the lower unit 22 is separated from the other side of the upper unit 21 and the lower unit 22. May be good. For example, as shown in FIG. 8, when the seal portion 23 is provided on the upper unit 21, the upper unit 21 and the lower unit 22 are separated from each other when the seal portion 23 is separated from the lower unit 22. It may be in a state. The accommodation space 22c becomes normal pressure when the seal portion 23 is separated from the opposing unit. Therefore, the state in which the upper unit 21 and the lower unit 22 are separated may be detected by the pressure in the accommodation space 22c becoming normal pressure.
  • the chamber 11 is closed and a predetermined process is performed on the wafer 2.
  • the chamber 11 is opened, and the upper unit 21 is rotated by the rotating means 30 by a predetermined angle while the wafer 2 is supported by the supporting means 20, and the wafer 2 is carried out.
  • the upper unit 21 is rotated again by the rotating means 30 so as to have the original angle.
  • the timing at which the upper unit 21 is rotated does not matter.
  • the upper unit 21 may be rotated before the chamber 11 is closed, and the chamber 11 may be closed after the rotation to perform a predetermined process on the wafer 2.
  • a flow path is formed to guide particles and the like generated at the contact portion between the support portion of the heater and the hole into which the support portion is inserted to the discharge port. Is.
  • FIG. 9 is a partially cutaway perspective view showing the configuration of the wafer processing apparatus 1 according to the present embodiment.
  • 10 and 11 are cross-sectional views showing a vertical cross section of the chamber 11 of the wafer processing apparatus 1.
  • FIG. 10 shows the state in which the chamber 11 is open
  • FIG. 11 shows the state in which the chamber 11 is closed.
  • FIG. 12 is a plan view of the lower unit 22.
  • FIG. 13A is a bottom view of the upper plate member 26 mounted on the upper unit 21.
  • FIG. 13B is a plan view of the lower plate member 27 mounted on the lower unit 22.
  • 14A to 14C are bottom views of the upper unit 21.
  • FIG. 14A shows only the upper unit 21,
  • FIG. 14B shows a state in which the upper plate member 26 is attached, and
  • FIG. 14C shows a state in which the upper plate member 26 and the U-shaped member 28 are attached.
  • FIG. 15 is a vertical cross-sectional view of the chamber 11 in line AA of FIG.
  • FIG. 16 is an enlarged cross-sectional view of the vicinity of the center (the region surrounded by the broken line in FIG. 15) in the vertical cross-sectional view of the chamber 11 at the position of the line AA in FIG.
  • FIG. 17 is an enlarged cross-sectional view of the vicinity of the upper plate member 26 (the region surrounded by the broken line on the upper left side of FIG. 16) in the vertical cross-sectional view shown in FIG. FIG.
  • FIG. 18 is an enlarged cross-sectional view of the vicinity of the lower plate member 27 (the region surrounded by the broken line on the lower right side of FIG. 16) in the vertical cross-sectional view shown in FIG.
  • FIG. 19 is an enlarged cross-sectional view of the vicinity of the discharge port 1224d of the accommodation space 22c in the vertical cross-sectional view of the chamber 11 at the position of the line BB in FIG.
  • the wafer processing apparatus 1 is attached to the chamber 11 having the upper unit 21 and the lower unit 22, the opening / closing means 12 for opening / closing the upper unit 21 and the lower unit 22 of the chamber 11, and the upper unit 21.
  • the lower heater 25 attached to the lower unit 22, the upper plate member 26 provided on the upper unit 21, the lower plate member 27 provided on the lower unit 22, and the upper heater 24 and the upper unit 21.
  • the upper seal portion 131 for sealing and the lower seal portion 132 for sealing between the lower heater 25 and the lower unit 22 are provided.
  • the components described in the first embodiment may be omitted from the description in the present embodiment.
  • the upper heater 24 according to the present embodiment may or may not rotate in the same manner as in the first embodiment. In the present embodiment, the case where the upper heater 24 does not rotate will be mainly described.
  • a support means 122a for supporting the wafer 2 is provided on the upper surface side (that is, the bottom surface side of the accommodation space 22c) of the lower unit 22 according to the present embodiment.
  • the wafer 2 is supported by the support means 20 of the upper unit 21.
  • the case where the lower unit 22 is not supported and is supported by the support means 122a of the lower unit 22 will be mainly described. That is, when the chamber 11 is closed, it is assumed that the mounting surface of the wafer 2 on the supporting means 122a is located above the mounting surface of the wafer on the supporting means 20.
  • the wafer 2 accommodated in the accommodating space 22c may be supported by the supporting means 20 provided in the upper unit 21.
  • the wafer 2 is supported only by one of the support means 122a on the lower unit 22 side and the support means 20 on the upper unit 21 side.
  • the supporting means 122a has at least a tapered surface that is inclined downward from the outer peripheral side of the substantially cylindrical accommodation space 22c toward the axial center, and a mounting surface that is a horizontal surface connected to the lower end side of the tapered surface.
  • the wafer 2 is positioned by each tapered surface of the plurality of supporting means 122a, and the wafer 2 at a predetermined position in the accommodation space 22c (for example, the center position of the accommodation space 22c in a plan view) is supported by the mounting surface.
  • a predetermined position in the accommodation space 22c for example, the center position of the accommodation space 22c in a plan view
  • the number of support means 122a may be, for example, one or two, or four or more. Further, the shape of the supporting means 122a does not matter as long as the wafer 2 can be appropriately supported.
  • One or more inlets for injecting fluid into the accommodation space 22c and one or more outlets for discharging fluid from the accommodation space 22c are provided in at least one of the upper unit 21 and the lower unit 22, respectively. .. That is, it is assumed that one or more injection ports are provided in at least one of the upper unit 21 and the lower unit 22, and one or more discharge ports are provided in at least one of the upper unit 21 and the lower unit 22.
  • fluid injection ports 1223a and 1223b are provided on one end side (right side in the drawing) of the accommodation space 22c which is circular in a plan view, and the other end side.
  • injection ports 1223a and 1223b are not particularly distinguished, they may be simply referred to as injection ports 1223.
  • the discharge ports 1224a to 1224h As shown in FIG. 12, the injection ports 1223a and 1223b are provided on one end side of the accommodation space 22c in the plan view, and the discharge ports 1224d, 1224e and 1224f are provided on the other end side.
  • the arrangement of the injection port 1223 and the discharge port 1224 may be other than the arrangement shown in FIG.
  • the case where both the injection port 1223 and the discharge port 1224 are provided in the lower unit 22 will be mainly described, but the injection port 1223 may be provided in the upper unit 21.
  • the discharge port 1224 is usually preferably provided in the lower unit 22, but may be provided in the upper unit 21.
  • a cylindrical hole 121e extending in the vertical direction is provided on the lower surface of the upper unit 21 (that is, the upper surface of the accommodation space 22c).
  • the hole 121e is used to mount the upper heater 24.
  • the hole 121e may be connected to the space 121f above.
  • the space 121f may also have a cylindrical shape whose axial direction is the vertical direction.
  • a cylindrical hole 122e extending in the vertical direction is provided on the upper surface of the lower unit 22 (that is, the lower surface of the accommodation space 22c).
  • the hole 122e is used to mount the lower heater 25.
  • the hole 122e may be connected to the space 122f below. Further, the space 122f may also have a cylindrical shape whose axial direction is the vertical direction.
  • the upper heater 24 is attached to the upper unit 21 by inserting the support portion 24b of the upper heater 24 into the cylindrical hole portion 121e provided in the upper unit 21. Further, the lower heater 25 is attached to the lower unit 22 by inserting the support portion 25b of the lower heater 25 into the cylindrical hole portion 122e provided in the lower unit 22.
  • the upper heater 24 and the lower heater 25 are used to heat the fluid in the accommodation space 22c. This is to bring the fluid into a supercritical state in the accommodation space 22c.
  • the fluid is carbon dioxide
  • the upper heater 24 and the lower heater 25 may heat the carbon dioxide to 31.1 ° C. or higher.
  • the spaces 121f and 122f provided in the upper unit 21 and the lower unit 22 are spaces through which wiring for supplying electric power to the upper heater 24 and the lower heater 25 passes, respectively.
  • the upper seal portion 131 seals between the support portion 24b of the upper heater 24 and the hole portion 121e of the upper unit 21.
  • the upper seal portion 131 is used to prevent fluid from leaking from between the support portion 24b and the hole portion 121e, and to keep the accommodation space 22c airtight.
  • the upper seal portion 131 may be the same as the seal portion 23.
  • the lower seal portion 132 seals between the support portion 25b of the lower heater 25 and the hole portion 122e of the lower unit 22.
  • the lower seal portion 132 is used to prevent fluid from leaking from between the support portion 25b and the hole portion 122e, and to keep the accommodation space 22c airtight.
  • the lower seal portion 132 may be the same as the seal portion 23.
  • the upper heater 24 and the lower heater 25 may be removed for maintenance, for example. As such, when the upper heater 24 and the lower heater 25 are removed from or attached to the chamber 11, the contact portion between the upper heater 24 and the lower heater 25 and the chamber 11, more specifically, the upper seal portion 131. Particles and the like are likely to be generated at the lower seal portion 132. Further, at least one of the upper heater 24 and the lower heater 25 is rotated in order to realize efficient heating in the accommodation space 22c and to make the carry-in direction and the carry-out direction of the wafer 2 different as in the first embodiment. It is also possible to make it.
  • the wafer processing apparatus 1 can efficiently discharge the particles and the like generated in this manner without diffusing them toward the wafer 2.
  • the accommodation space 22c is usually a substantially cylindrical space, and the holes 121e and 122e and the support portions 24b and 25b are cylindrical.
  • the central axes extending in the vertical direction of the substantially cylindrical shape of the accommodation space 22c, the holes 121e and 122e, and the cylindrical shapes of the support portions 24b and 25b are present on the same straight line.
  • the direction of a straight line passing through the central axis may be referred to as a radial direction.
  • the side close to the central axis in the radial direction may be referred to as an inner peripheral side, and the side away from the central axis may be referred to as an outer peripheral side.
  • the upper plate member 26 is a ring-shaped plate-shaped member, and is on the accommodation space 22c side of the upper seal portion 131 so that the fluid can move from the lower side to the upper side around the support portion 24b of the upper heater 24. It is provided in. As shown in FIGS. 13A and 17, the corner portion 26b on one side of the inner peripheral surface of the circular hole 26c through which the support portion 24b passes, which is provided at the center of the upper plate member 26, is chamfered by C. ing. In addition, instead of C chamfering, another chamfering such as R chamfering may be performed.
  • the inner peripheral surface of the hole 26c has a surface parallel to a straight line passing through the center of the hole 26c and extending in a direction orthogonal to the surface direction of the upper plate member 26. ..
  • the upper plate member 26 is fixed to the lower surface of the upper unit 21 so that the side of the C-chamfered corner portion 26b is the lower side.
  • the inner diameter of the hole 26c is substantially the same as the outer diameter of the cylindrical support portion 24b, and it is preferable that there is no gap between the hole 26c and the support portion 24b. That is, it is preferable that the inner peripheral surface of the upper plate member 26 is in contact with the outer peripheral surface of the support portion 24b. With this configuration, as shown in FIG.
  • the inner peripheral side (around the hole 26c) of the upper plate member 26 easily bends upward, but it becomes difficult to bend downward, and a check valve is stopped. By acting like a valve, the fluid flows from the bottom to the top around the support portion 24b, making it difficult for the fluid to flow in the opposite direction.
  • the corner portion 26b is chamfered, the inner peripheral surface (right end in FIG. 17) of the upper plate member 26 is easily moved upward, but the upper side of the inner peripheral surface of the upper plate member 26 is upper. This is because the corners are not chamfered, so that the inner peripheral surface (right end in FIG. 17) of the upper plate member 26 is difficult to move downward.
  • the inner peripheral surface of the upper plate member 26 is in contact with the outer peripheral surface of the support portion 24b so that the upper heater 24 can rotate.
  • the bottom surface of the upper unit 21 is provided with a recess 121d having a shape corresponding to the upper plate member 26.
  • the upper plate member 26 is mounted in the recess 121d so that the C-chamfered corner portion 26b is on the lower side. In FIG. 14B, the upper heater 24 and the upper seal portion 131 are omitted.
  • a circumferential groove 121h is formed around the support portion 24b of the upper heater 24 along the circumferential direction in the opening on the lower end side of the hole portion 121e of the upper unit 21.
  • the circumferential groove portion 121h may be formed by the support portion 24b of the upper heater 24, the inner peripheral surface of the hole portion 121e of the upper unit 21, and the upper seal portion 131.
  • all the openings on the lower side of the circumferential groove portion 121h are closed by the inner peripheral side of the upper plate member 26. In this way, the opening on the lower side of the circumferential groove portion 121h is closed by the upper plate member 26, so that a circumferential flow path is formed around the support portion 24b in the opening on the lower end side of the hole portion 121e. become.
  • an outer peripheral groove portion 121k extending in the radial direction of the upper plate member 26 is provided from the circumferential groove portion 121h toward the outer peripheral side of the upper plate member 26.
  • the outer peripheral end of the outer peripheral groove 121k may extend outward from the outer edge of the upper plate member 26 in plan view, or may exist inside the outer edge of the upper plate member 26. May be good. In this embodiment, the former case will be mainly described.
  • the outer peripheral side groove portion 121k may be formed on the lower surface of the upper unit 21 so that the cross section on the surface orthogonal to the radial direction has an arc shape that is convex upward.
  • the case where two outer peripheral side groove portions 121k are formed in the upper unit 21 will be mainly described, but the number of outer peripheral side groove portions 121k does not matter.
  • the number of outer peripheral side groove portions 121k formed in the upper unit 21 may be, for example, one or three or more.
  • the outer peripheral end of the outer peripheral groove 121k is not closed by the upper plate member 26. Good. That is, at least a part (inner peripheral side) of the opening on the lower side of the outer peripheral side groove portion 121k is closed by the upper plate member 26.
  • the outer peripheral end of the outer peripheral groove 121k is inside the outer edge of the upper plate member 26 in a plan view, all the openings on the lower side of the outer peripheral groove 121k are the upper plate member 26. Will be blocked by. In this way, at least a part of the opening on the lower side of the outer peripheral side groove portion 121k is closed by the upper plate member 26, so that a flow path in the radial direction is formed.
  • the outer peripheral end of the outer peripheral groove 121k is connected to the discharge port 1224.
  • the U-shaped member 28 is a member having a U-shape in a plan view, and is arranged between the upper surface of the heating plate 24a and the lower surface of the upper unit 21. Then, as shown in FIG. 14C, the U-shaped member 28 is arranged so that the opening side is the discharge port 1224 side and the other end side is the position of the outer peripheral side end portion of the outer peripheral side groove portion 121k.
  • the outer peripheral end of the outer peripheral groove 121k is located inside the U-shaped member 28 in a plan view.
  • the upper surface of the U-shaped member 28 is in contact with the lower surface of the upper unit 21, and the lower surface is in contact with the upper surface of the heating plate.
  • the upper flow path 121m from the outer peripheral end of the outer peripheral groove 121k to the vicinity of the discharge port 1224 is formed. Therefore, as will be described later, when the fluid containing the particles or the like flows through the upper flow path 121 m, the particles or the like can be prevented from diffusing toward the wafer 2, and the particles or the like may adhere to the wafer 2. Can be reduced.
  • the upper flow path 121m may be any shape as long as it connects the outer peripheral end of the outer peripheral groove 121k and the discharge port 1224. Therefore, it goes without saying that the upper flow path 121 m may be formed by a member other than the U-shaped member 28.
  • the upper flow path 121m may be a pair of rod-shaped members arranged in the radial direction. Then, an upper flow path 121m from the outer peripheral end of the outer peripheral groove 121k to the discharge port 1224 may be formed between the pair of rod-shaped members.
  • the lower plate member 27 is a ring-shaped plate-shaped member, and is on the accommodation space 22c side of the lower seal portion 132 so that the fluid can move from the upper side to the lower side around the support portion 25b of the lower heater 25. It is provided in. As shown in FIGS. 13B and 18, the corner portion 27b on one side of the inner peripheral surface of the circular hole 27c through which the support portion 25b passes, which is provided at the center of the lower plate member 27, is chamfered by C. ing. In addition, instead of C chamfering, another chamfering such as R chamfering may be performed.
  • the inner peripheral surface of the hole 27c has a surface parallel to a straight line passing through the center of the hole 27c and extending in a direction orthogonal to the surface direction of the lower plate member 27. ..
  • the lower plate member 27 is fixed to the upper surface of the lower unit 22 so that the side of the C-chamfered corner portion 27b is on the upper side.
  • the inner diameter of the hole 27c is substantially the same as the outer diameter of the cylindrical support portion 25b, and it is preferable that there is no gap between the hole 27c and the support portion 25b. That is, it is preferable that the inner peripheral surface of the lower plate member 27 is in contact with the outer peripheral surface of the support portion 25b. With this configuration, as shown in FIG.
  • the inner peripheral side (around the hole 27c) of the lower plate member 27 easily bends downward, but it becomes difficult to bend upward, and a check valve is stopped. By acting like a valve, the fluid flows from above to below around the support portion 25b, making it difficult for the fluid to flow in the opposite direction.
  • the inner peripheral surface of the lower plate member 27 is in contact with the outer peripheral surface of the support portion 25b so that the lower heater 25 can rotate.
  • the lower plate member 27 is the same as the upper plate member 26 except that it has two through holes 27a.
  • a recess 122d having a shape corresponding to the lower plate member 27 is provided on the upper surface of the lower unit 22.
  • the lower plate member 27 is mounted in the recess 122d so that the C-chamfered corner portion 27b is on the upper side.
  • a circumferential groove 122h is formed along the circumferential direction around the support 25b of the lower heater 25 in the opening on the upper end side of the hole 122e of the lower unit 22.
  • the circumferential groove portion 122h may be formed by the support portion 25b of the lower heater 25, the inner peripheral surface of the hole portion 122e of the lower unit 22, and the lower seal portion 132.
  • all the openings on the upper side of the circumferential groove portion 122h are closed by the inner peripheral side of the lower plate member 27. In this way, the opening on the upper side of the circumferential groove portion 122h is closed by the lower plate member 27, so that a circumferential flow path is formed around the support portion 25b in the opening on the upper end side of the hole portion 122e. become.
  • an outer peripheral groove portion 122k extending in the radial direction of the lower plate member 27 is provided from the circumferential groove portion 122h toward the outer peripheral side of the lower plate member 27.
  • the outer peripheral end of the outer peripheral groove 122k may extend outward from the outer edge of the lower plate member 27 in plan view, or may exist inside the outer edge of the lower plate member 27. May be good. In this embodiment, the latter case will be mainly described.
  • the outer peripheral side groove portion 122k may be formed on the upper surface of the lower unit 22 so that the cross section of the surface orthogonal to the radial direction is a downwardly convex arc shape.
  • the case where two outer peripheral side groove portions 122k are formed in the lower unit 22 will be mainly described, but the number of outer peripheral side groove portions 122k does not matter.
  • the number of outer peripheral groove portions 122k formed in the lower unit 22 may be, for example, one or three or more.
  • At least a part (inner peripheral side) of the opening on the upper side of the outer peripheral side groove portion 122k is closed by the lower plate member 27.
  • the outer peripheral end of the outer peripheral groove 122k is inside the outer edge of the lower plate member 27 in a plan view, all the openings on the upper side of the outer peripheral groove 122k are the lower plate member 27. Will be blocked by.
  • the outer peripheral end of the outer peripheral groove 122k is on the outer peripheral side of the outer edge of the lower plate member 27 in a plan view, the outer peripheral end of the outer peripheral groove 122k is the lower plate member. It will not be blocked by 27. In this way, at least a part of the opening on the upper side of the outer peripheral side groove portion 122k is closed by the lower plate member 27, so that a flow path in the radial direction is formed.
  • the outer peripheral end of the outer peripheral groove 122k provided on the upper surface of the lower unit 22 is connected to the discharge port 1224.
  • the position of the outer peripheral end of the outer peripheral groove 122k may be the position of the discharge port 1224, or a lower flow path from the outer peripheral end of the outer peripheral groove 122k to the discharge port 1224 is formed. You may be.
  • the outer peripheral end of the outer peripheral groove 122k and the discharge port 1224 are directly connected, and in the latter case, the outer peripheral end of the outer peripheral groove 122k and the discharge port 1224. Is indirectly connected to.
  • the lower flow path may be formed by using a U-shaped member or the like in the gap 122n, as in the case of the upper flow path 121m, for example.
  • the former case that is, the case where the position of the end portion on the outer peripheral side of the outer peripheral side groove portion 122k is the position of the discharge port 1224 will be mainly described.
  • the vertical through hole 27a provided in the lower plate member 27 preferably overlaps the discharge ports 1224b and 1224c in a plan view when the lower plate member 27 is mounted in the recess 122d of the lower unit 22. Is. In this way, for example, as shown in FIG. 19, the fluid flowing from the wafer 2 to the gap 122n between the upper surface of the lower unit 22 and the lower surface of the lower heater 25 is discharged from the discharge ports 1224b and 1224c. Can be done.
  • the number of through holes 27a does not matter.
  • the number of through holes 27a may be, for example, one or three or more. It is preferable that the number of discharge ports 1224 corresponding to the number of through holes 27a is provided on the upper surface of the lower unit 22.
  • the upper plate member 26 and the lower plate member 27 may be made of, for example, a fluororesin such as polytetrafluoroethylene or a resin material such as silicon. Since the upper plate member 26 and the lower plate member 27 preferably act as check valves, it is preferable that the upper plate member 26 and the lower plate member 27 have elasticity enough to allow the inner peripheral surface side to bend.
  • the upper plate member 26 and the lower plate member 27 may be fixed, for example, on the outer peripheral side to the recess 121d and the recess 122d of the upper unit 21 and the lower unit 22, respectively, by screwing or the like.
  • the U-shaped member 28 may be made of a material such as resin or metal. The U-shaped member 28 may also be fixed to the upper unit 21 or the upper heater 24 by screwing or the like.
  • the upper plate member 26 and the lower plate member 27 are arranged around the cylindrical support portions 24b and 25b, respectively. Therefore, the straight lines passing through the centers of the holes 26c and 27c of the upper plate member 26 and the lower plate member 27 and perpendicular to the plane direction of the upper plate member 26 and the lower plate member 27 are usually cylindrical support portions 24b and 25b. It becomes coaxial with the central axis of.
  • FIGS. 17 and 18 are enlarged views of the area surrounded by the broken line in FIG. 16, respectively. It is assumed that FIGS. 17 and 18 show a situation in which fluid injection and discharge are performed in parallel in the accommodation space 22c.
  • the upper flow path 121m is connected to the discharge port 1224e as shown in FIG. 14C.
  • the upper plate member 26 is Chamfered at the corner portion 26b so that the fluid flows from the lower side to the upper side around the support portion 24b. Therefore, as indicated by the arrows in the drawing, the inner peripheral surface of the upper plate member 26, the circumferential groove portion 121h, and the outer peripheral side groove portion 121k are formed from the gap 121n between the lower surface of the upper unit 21 and the upper surface of the upper heater 24.
  • the fluid will flow toward the upper flow path 121 m through the flow path. Therefore, for example, the particles 17 and the like generated at the upper seal portion 131 and the like are discharged from the discharge port 1224e, and can be prevented from diffusing around the wafer 2 and adhering to the wafer 2.
  • the position of the end portion on the outer peripheral side of the outer peripheral side groove portion 122k is the discharge port 1224h.
  • the lower plate member 27 is C-chamfered at a corner portion 27b so that a fluid flows from above to below around the support portion 25b. Therefore, as indicated by the arrows in the drawing, the inner peripheral surface of the lower plate member 27, the circumferential groove portion 122h, and the outer peripheral side groove portion 122k are formed from the gap 122n between the upper surface of the lower unit 22 and the lower surface of the lower heater 25.
  • the fluid will flow toward the discharge port 1224h and the discharge path 222 through the discharge port 1224h. Therefore, for example, the particles 17 and the like generated at the lower seal portion 132 and the like are discharged from the discharge port 1224h, and can be prevented from diffusing around the wafer 2 and adhering to the wafer 2.
  • FIG. 19 is an enlarged cross-sectional view of the vicinity of the discharge port 1224d in the vertical cross-sectional view of the chamber 11 at the position of the line BB in FIG.
  • the lower unit 22 is provided with a groove portion 122g along the outer circumference of the accommodation space 22c.
  • the groove portion 122g is provided so as to open upward at a position on the lower side of the seal portion 23 when the chamber 11 is closed. Therefore, the seal portion 23 and the particles 17 generated at the joint portion between the upper unit 21 and the lower unit 22 can be efficiently received.
  • the fluid that has passed through the upper surface side of the upper heater 24 is also received by the groove portion 122g. Therefore, it is preferable that the gap between the upper heater 24 and the main body side of the lower unit 22 is narrower than the flow path from the upper surface side of the upper heater 24 to the groove portion 122g. Further, discharge ports 1224a, 1224d, 1224e, and 1224f are provided at the bottom of the groove portion 122g. Therefore, the particles 17 and the like received in the groove portion 122g can be discharged without being diffused to the side of the wafer 2, and the possibility that the particles 17 and the like received in the groove portion 122g adhere to the wafer 2 can be reduced. it can.
  • the fluid that has passed through the upper surface of the wafer 2 is discharged from the discharge ports 1224b and 1224c near the center of the accommodation space 22c via the lower surface side of the lower heater 25.
  • the position of the seal portion 23 may be held by being pressed by, for example, the seal retainer 23a.
  • the operation of the wafer processing apparatus 1 according to the present embodiment will be specifically described.
  • the clamp 41 is moved to the release position, the chamber 11 is opened by the opening / closing means 12, and the upper unit 21 and the lower unit 22 are separated in the vertical direction.
  • the wafer 2 cleaned with a cleaning agent such as IPA (isopropyl alcohol) in the cleaning device in the previous process is conveyed by the transfer robot and carried into the lower surface side of the upper unit 21.
  • the carried-in wafer 2 is supported by the supporting means 20 (FIG. 10).
  • the chamber 11 is closed by lowering the top plate 16 by the opening / closing means 12.
  • the wafer 2 is supported by the support means 122a of the lower unit 22.
  • the clamp 41 is moved to a lock position for locking the upper unit 21 and the lower unit 22 (FIG. 11).
  • the injection valve connected to the carbon dioxide injection path is opened, and carbon dioxide is injected into the accommodation space 22c of the chamber 11.
  • Carbon dioxide is boosted by using a boosting mechanism such as a pressurizing pump and injected into the accommodation space 22c. Further, the injected carbon dioxide is heated by the upper heater 24 and the lower heater 25.
  • the injected carbon dioxide becomes a supercritical state when the pressure in the accommodation space 22c reaches a critical pressure of 7.38 MPa or more and the temperature reaches a critical temperature of 31.1 ° C. or more, and the IPA or the like on the wafer 2 is in a supercritical state of carbon dioxide. It is dissolved in carbon.
  • the discharge valve pressure adjustment valve connected to the discharge path 222 keeps the pressure in the accommodation space 22c and super-supercharges.
  • the critical fluid is gradually discharged. In this way, the supercritical fluid in which the IPA and the like adhering to the wafer 2 are dissolved is discharged, and the IPA and the like are removed from the wafer 2 in the accommodation space 22c.
  • the accommodation space 22c is maintained at a pressure and temperature at which carbon dioxide is in a supercritical state at least until the discharge of IPA or the like is completed.
  • the pressure is preferably maintained at 7.4 to 15 MPa
  • the temperature is preferably maintained at 31 to 50 ° C. by the upper heater 24 and the lower heater 25.
  • the injection valve When the discharge of the supercritical fluid in which IPA or the like is dissolved is completed, the injection valve is closed, the pressure is lowered by the discharge valve in the accommodation space 22c, the supercritical fluid is phase-converted into a gas, and then discharged. After that, the discharge valve is closed.
  • the accommodation space 22c may be stopped from heating or may be maintained at 31-50 ° C. Whether or not the discharge of IPA or the like by the supercritical fluid is completed may be confirmed, for example, by detecting the IPA or the like in the accommodation space 22c by a sensor that detects the IPA or the like.
  • the sensor that detects IPA or the like may be, for example, an alcohol detection sensor or the like.
  • the clamp 41 is moved to the release position. Further, the chamber 11 is opened by raising the upper surface plate 16 by the opening / closing means 12, and the upper unit 21 and the lower unit 22 are separated from each other.
  • the wafer 2 is changed from the state of being supported by the supporting means 122a of the lower unit 22 to the state of being supported by the supporting means 20 of the upper unit 21. Move upwards together. Then, the wafer 2 dried using the supercritical fluid is carried out by the transfer robot, and a series of drying processes is completed.
  • the particles or the like can be moved to the periphery of the wafer 2. Diffusion can be prevented. Specifically, particles or the like generated in the hole 121e of the upper unit 21 can be guided to the discharge port 1224 via the circumferential groove 121h and the outer peripheral groove 121k. Further, particles or the like generated in the hole portion 122e of the lower unit 22 can be guided to the discharge port 1224 via the circumferential groove portion 122h and the outer peripheral side groove portion 122k.
  • the groove portion 122g is provided on the lower side of the seal portion 23, and the discharge port 1224 is provided at the bottom of the groove portion 122g, so that the seal portion 23 and the upper unit are provided. Particles and the like generated at the contact portion between the 21 and the lower unit 22 can be discharged from the groove portion 122 g, and the particles and the like can be prevented from diffusing and adhering to the wafer 2.
  • an injection port 1223 is provided on one end side (for example, the right side of FIG. 12) of the accommodation space 22c in a plan view, and an discharge port 1224 is provided on the other end side (for example, the left side of FIG. 12).
  • the supercritical fluid flows in one direction on the wafer 2, the supercritical fluid containing the treatment liquid such as IPA stays on the wafer 2, and the supercritical fluid containing the treatment liquid stays on the wafer 2. It is possible to avoid returning to. As a result, the treatment liquid can be removed efficiently.
  • the outer peripheral end of the outer peripheral groove 121k is connected to the discharge port 1224 via the upper flow path 121m. It doesn't have to be.
  • the position of the outer peripheral side end portion of the outer peripheral side groove portion 121k may be the position of the discharge port 1224.
  • the outer peripheral end of the outer peripheral groove 121k may be located inside the outer edge of the upper plate member 26 in a plan view. As described above, the configuration in which the outer peripheral end of the outer peripheral groove 121k is connected to the discharge port 1224 does not matter.
  • a lower flow path may be formed from the outer peripheral end of the outer peripheral groove 122k to the discharge port 1224.
  • the lower flow path may be formed by using a U-shaped member, other members, or the like in the gap 122n between the upper surface of the lower unit 22 and the lower surface of the lower heater 25, for example.
  • the outer peripheral end of the outer peripheral groove 122k may be located outside the outer edge of the lower plate member 27 in a plan view. As described above, the configuration in which the outer peripheral end of the outer peripheral groove 122k is connected to the discharge port 1224 does not matter.
  • the discharge port 1224 is usually connected to the discharge path extending upward. become. Therefore, when the fluid is not discharged, particles and the like contained in the fluid existing in the discharge path may flow back to the lower side, that is, to the side of the outer peripheral side groove portion 122k due to the influence of gravity. Further, when the outer peripheral end of the outer peripheral groove 122k is connected to the discharge port 1224 via the lower flow path and the lower flow path is formed in the gap 122n, the lower flow path is usually better. , It will be located above the outer peripheral side groove portion 122k.
  • the outer peripheral end of the outer peripheral groove 121k is connected to the discharge port 1224 via the upper flow path 121m, and the outer peripheral end of the outer peripheral groove 122k. Is preferably the position of the discharge port 1224 provided in the lower unit 22.
  • the case where the upper plate member 26 and the lower plate member 27 are each ring-shaped members has been described, but it is not necessary.
  • the upper plate member 26 and the lower plate member 27 have circular holes 26c and 27c through which the support portions 24b and 25b pass, respectively, the shape on the outer peripheral side does not matter.
  • the shape of at least one of the upper plate member 26 and the lower plate member 27 on the outer peripheral side may be, for example, an elliptical shape, a rectangular shape, a polygonal shape, or the like.
  • outer peripheral side groove portions 121k and 122k may extend from at least the circumferential groove portions 121h and 122h to the outer peripheral side of the upper plate member 26 and the lower plate member 27, respectively, and the extending directions of the outer peripheral side groove portions 121k and 122k do not matter.
  • the outer peripheral side groove portions 121k and 122k may be, for example, linear or curved.
  • the outer peripheral side end portions of the outer peripheral side groove portions 121k and 122k may be present outside the outer edges of the upper plate member 26 and the lower plate member 27, respectively, or inside the outer edge. May be present in.
  • the wafer processing apparatus 1 includes both the upper heater 24 and the lower heater 25 has been mainly described, but it is not necessary.
  • the wafer processing device 1 may not have the upper heater 24 or may not have the lower heater 25.
  • the upper seal portion 131 and the upper plate member 26 may not be mounted on the upper unit 21.
  • the lower seal portion 132 and the lower plate member 27 may not be mounted on the lower unit 22.
  • the lower unit 22 of the wafer processing apparatus 1 may be provided with the groove portion 122g described in the present embodiment.
  • the case where the annular groove portion 122g is provided on the outer peripheral side of the accommodation space 22c so as to surround the accommodated wafer 2 has been described, but it may not be the case.
  • the accommodation space 22c may not be provided with the groove portion 122g.
  • the case where the fluid is not discharged until the accommodation space 22c reaches a predetermined pressure has been described, but it is not necessary.
  • a fluid such as carbon dioxide
  • the air is exhausted through the discharge port 1224 for a predetermined period (for example, about several seconds), and then the exhaust is finished and the storage space 22c is terminated.
  • the pressure may be increased. By doing so, particles, dust, and the like remaining in the accommodation space 22c at the start of boosting can be discharged from the accommodation space 22c.
  • the loading direction and the unloading direction of the wafer into the chamber can be different, and the wafer can be processed in a shorter tact time. It is useful as a capable wafer processing device. Further, according to the wafer processing apparatus according to one embodiment of the present invention, for example, an effect that particles and the like can be discharged without being diffused toward the wafer can be obtained, and a predetermined treatment using a supercritical fluid is performed on the wafer. It is useful as a wafer processing device or the like.

Abstract

より短いタクトタイムでウェハの処理を行うことができるウェハ処理装置を提供する。 ウェハ処理装置1は、上部ユニット21及び上部ユニット21と対向してウェハ2を収容する収容空間22cを構成する下部ユニット22を有し、ウェハに超臨界流体を用いた所定の処理を行うためのチャンバ11と、垂直方向の軸周りに回転可能となるように上部ユニット21に設けられ、水平方向に搬入されるウェハを支持する支持手段が下面側に設けられた上部ヒータと、上部及び下部ユニット21,22の少なくとも一方を上下方向に移動させることによってチャンバ11を開閉する開閉手段12と、上部ヒータを垂直方向の軸周りに回転させる回転手段30とを備える。回転手段30は、上部ヒータへのウェハの搬入方向と、上部ヒータからのウェハの搬出方向とが所定の角度となるように上部ヒータを回転させる。

Description

ウェハ処理装置
 本発明は、ウェハに超臨界流体を用いた所定の処理を行うウェハ処理装置に関する。
 近年、ウェハの表面に形成されるパターンの微細化が進んでおり、アスペクト比が高くなってきている。そのため、パターンの洗浄等に用いる有機溶剤などの処理液が表面に残ったまま乾燥させると、処理液の表面張力によってパターンが倒壊するという問題が生じる。その問題を解決するため、基板の表面から処理液を除去する乾燥処理等に超臨界流体が用いられることがある(例えば、特開2013-254904号公報、米国特許出願公開第2018/0114707号参照)。
 また、超臨界流体を用いた乾燥処理等が行われる際に、チャンバ内で発生したパーティクル等によってウェハに欠陥が生じることがある。そのようにパーティクル等がウェハのほうに流れないようにするため、ウェハのエッジを取り囲む遮断膜を用いた処理装置が知られている(例えば、特開2018-207103号公報参照)。
 しかしながら、乾燥処理等を行う従来のウェハ処理装置においては、チャンバへのウェハの出し入れが一方向から行われていた。そのため、チャンバへのウェハの搬入を行っている場合には、ウェハの搬出に関する準備等の作業を行うことができず、また、ウェハの搬出を行っている場合には、ウェハの搬入に関する準備等の作業を行うことができず、ウェハに所定の処理を行うためのタクトタイムが長くなるという問題があった。
 また、従来の処理装置のように、遮断膜によってウェハのエッジが取り囲まれていても、パーティクル等が遮断膜によって仕切られた領域から排出口まで移動する際に、パーティクル等の一部がウェハのほうに拡散してウェハに付着する可能性があった。
 本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その一つの目的は、ウェハに所定の処理を行う際のタクトタイムをより短くすることができるウェハ処理装置を提供することである。また、他の目的は、パーティクル等がウェハに付着する可能性をより低減することができるウェハ処理装置を提供することである。
 上記目的を達成するため、本発明の一態様によるウェハ処理装置は、上部ユニット、及び上部ユニットと対向してウェハを収容する収容空間を構成する下部ユニットを有し、ウェハに超臨界流体を用いた所定の処理を行うためのチャンバと、上部及び下部ユニットの少なくとも一方を上下方向に移動させることによってチャンバを開閉する開閉手段と、上部チャンバ側に設けられた、水平方向に搬入されるウェハを支持する支持手段を垂直方向の軸周りに回転させる回転手段と、を備え、回転手段は、チャンバへのウェハの搬入方向と、チャンバからのウェハの搬出方向とが所定の角度となるように支持手段を回転させる、ものである。
 このような構成により、チャンバへのウェハの搬入方向と搬出方向とを異なる方向にすることができる。したがって、例えば、搬入用の搬送ロボットによってウェハを搬入すると共に、搬出用の別の搬送ロボットによってウェハを搬出するようにすることができる。その場合には、ウェハの搬入を行っている際にウェハの搬出の準備を行ったり、ウェハの搬出を行っている際にウェハの搬入の準備を行ったりすることができる。その結果、ウェハの搬入方向と搬出方向とが同じ場合と比較して、ウェハの搬入、搬出に関するタクトタイムをより短くすることができる。
 また、本発明の一態様によるウェハ処理装置では、垂直方向の軸周りに回転可能となるように上部ユニットに設けられ、支持手段が下面側に設けられた上部ヒータをさらに備え、回転手段は、上部ヒータを垂直方向の軸周りに回転させてもよい。
 このような構成により、上部ヒータを回転させることによって、支持手段を回転させることができる。したがって、支持手段をより簡単に回転させることができるようになる。
 また、本発明の一態様によるウェハ処理装置では、回転手段は、チャンバに収容されたウェハに所定の処理が行われている際にも、上部ヒータを回転させてもよい。
 このような構成により、ウェハに超臨界流体を用いた所定の処理を行う際に、収容空間において上部ヒータを回転させることによって超臨界流体を撹拌することができ、例えば、処理を効率的に行うことができるようになる。
 また、本発明の一態様によるウェハ処理装置では、支持手段は、上部ユニットの下面側に設けられており、回転手段は、上部及び下部ユニットが離間した状態において、上部ユニットを垂直方向の軸周りに回転させてもよい。
 このような構成により、上部ユニットそのものを回転させることによって、チャンバへのウェハの搬入方向と搬出方向とを異なる方向にすることができる。
 また、本発明の一態様によるウェハ処理装置では、チャンバは、チャンバが閉じられた際に上部及び下部ユニットの間をシールするためのシール部をさらに有しており、上部及び下部ユニットが離間した状態は、上部及び下部ユニットの一方に設けられたシール部が、上部及び下部ユニットの他方側から離れた状態であってもよい。
 このような構成により、上部ユニットを回転させる際に、上部及び下部ユニットの一方に設けられたシール部が、上部及び下部ユニットの他方側に接触することを防止することができ、その接触によるパーティクルの発生を回避することができる。
 また、本発明の一態様によるウェハ処理装置は、上部ユニット、及び上部ユニットと対向してウェハを収容する収容空間を構成する下部ユニットを有し、ウェハに超臨界流体を用いた所定の処理を行うためのチャンバと、上部及び下部ユニットの少なくとも一方を上下方向に移動させることによってチャンバを開閉する開閉手段と、収容空間において水平方向に延びる加熱プレートと、加熱プレートの上面に接続され、上部ユニットに設けられた円筒形状の孔部に挿入される円筒形状の支持部とを有する上部ヒータと、支持部と孔部との間をシールするための上部シール部と、支持部の周囲において流体が下方から上方に移動可能となるように上部シール部の収容空間側に設けられた、支持部の通る円形状の孔を有する上部プレート部材と、を備え、収容空間に流体を注入するための1以上の注入口、及び収容空間から流体を排出するための1以上の排出口がそれぞれ、上部及び下部ユニットの少なくとも一方に設けられており、加熱プレートの上面と上部ユニットの下面との間には、流体が流通可能な水平方向に延びる隙間が存在し、孔部の下端側の開口には、支持部の周囲に周方向に沿って周方向溝部が設けられており、上部ユニットの下面には、周方向溝部から上部プレート部材の外周側に向かって延びる外周側溝部が設けられており、上部プレート部材は、外周側溝部の下方側の開口の少なくとも一部、及び周方向溝部の下方側の開口のすべてを塞ぐように設けられ、外周側溝部の外周側の端部は排出口につながっている、ものである。
 このような構成により、上部ヒータの支持部と上部ユニットの孔部との接触部分で発生したパーティクル等を、周方向溝部及び外周側溝部を介して排出口に導くことができる。そのため、それらのパーティクル等がウェハのほうに拡散することを防止することができ、ウェハにパーティクル等が付着する可能性をより低減することができるようになる。
 また、本発明の一態様によるウェハ処理装置では、外周側溝部の外周側の端部から排出口につながる上部流路が、加熱プレートの上面と上部ユニットの下面との間に配設された平面視がU字形状のU字部材によって形成され、U字部材は、開口側が排出口側となり、他端側が外周側溝部の外周側の端部の位置となるように配置されてもよい。
 このような構成により、パーティクル等を含む流体がU字部材の内部を通過することになり、ウェハのほうに拡散することを防止することができる。
 また、本発明の一態様によるウェハ処理装置は、上部ユニット、及び上部ユニットと対向してウェハを収容する収容空間を構成する下部ユニットを有し、ウェハに超臨界流体を用いた所定の処理を行うためのチャンバと、上部及び下部ユニットの少なくとも一方を上下方向に移動させることによってチャンバを開閉する開閉手段と、収容空間において水平方向に延びる加熱プレートと、加熱プレートの下面に接続され、下部ユニットに設けられた円筒形状の孔部に挿入される円筒形状の支持部とを有する下部ヒータと、支持部と孔部との間をシールするための下部シール部と、支持部の周囲において流体が上方から下方に移動可能となるように下部シール部の収容空間側に設けられた、支持部の通る円形状の孔を有する下部プレート部材と、を備え、加熱プレートの下面と下部ユニットの上面との間には、流体が流通可能な水平方向に延びる隙間が存在し、孔部の上端側の開口には、支持部の周囲に周方向に沿って周方向溝部が設けられており、下部ユニットの上面には、下部ユニットの周方向溝部から下部プレート部材の外周側に向かって延びる外周側溝部が設けられており、下部プレート部材は、外周側溝部の上方側の開口の少なくとも一部、及び周方向溝部の上方側の開口のすべてを塞ぐように設けられ、外周側溝部の外周側の端部は排出口につながっている、ものである。
 このような構成により、下部ヒータの支持部と下部ユニットの孔部との接触部分で発生したパーティクル等を、周方向溝部及び外周側溝部を介して排出口に導くことができる。そのため、それらのパーティクル等がウェハのほうに拡散することを防止することができ、ウェハにパーティクル等が付着する可能性をより低減することができるようになる。
 また、本発明の一態様によるウェハ処理装置では、チャンバは、チャンバが閉じられた際に上部及び下部ユニットの間をシールするためのシール部を有しており、下部ユニットには、シール部の下方側に、収容空間の外周に沿って溝部が設けられており、溝部の底部に排出口が設けられていてもよい。
 このような構成により、上部及び下部ユニットの接触部分で発生したパーティクル等を、溝部を介して排出することができるため、そのパーティクル等がウェハに付着する可能性をより低減することができる。
 本発明の一形態によるウェハ処理装置によれば、チャンバへのウェハの搬入方向と搬出方向とを異なる方向にすることができ、ウェハの搬入及び搬出に関するタクトタイムをより短くすることができる。例えば、チャンバに対するウェハの搬入方向と搬出方向を異なる方向にすることにより、ウェハの挿脱を行う搬送ロボットを搬入用と搬出用に分離し、挿脱に掛かる時間を短縮できる。さらに、例えば、前工程である洗浄工程後のウェハと、乾燥工程後のウェハを異なるロボットで搬送することにより、乾燥後のウェハに洗浄剤等が再付着することを防止することができる。また、本発明の一形態によるウェハ処理装置によれば、チャンバ内で発生するパーティクル等がウェハのほうに拡散することを防止することができ、パーティクル等がウェハに付着する可能性をより低減することができる。
本発明の実施の形態1によるウェハ処理装置の構成を示す一部切り欠き斜視図 同実施の形態によるウェハ処理装置のチャンバの縦断面を示す断面図 同実施の形態における上部ユニットの斜視図 同実施の形態における上部ヒータを回転させる回転手段を示す上面図 同実施の形態における上部ヒータの回転とウェハの搬入搬出とを示す図 同実施の形態におけるウェハの搬入搬出について説明するための上面図 同実施の形態によるウェハ処理装置の他の構成を示す一部切り欠き斜視図 同実施の形態によるウェハ処理装置の他の構成のチャンバの縦断面を示す断面図 本発明の実施の形態2によるウェハ処理装置の構成を示す一部切り欠き斜視図 同実施の形態によるウェハ処理装置のチャンバの縦断面を示す断面図 同実施の形態によるウェハ処理装置のチャンバの縦断面を示す断面図 同実施の形態における下部ユニットの平面図 同実施の形態における上部プレート部材の底面図 同実施の形態における下部プレート部材の平面図 同実施の形態における上部ユニットの底面図 同実施の形態における上部プレート部材が装着された上部ユニットの底面図 同実施の形態における上部プレート部材及びU字部材が装着された上部ユニットの底面図 同実施の形態によるウェハ処理装置のチャンバの縦断面を示す断面図 同実施の形態におけるチャンバの拡大断面図 同実施の形態におけるチャンバの上部プレート部材の箇所の拡大断面図 同実施の形態におけるチャンバの下部プレート部材の箇所の拡大断面図 同実施の形態におけるチャンバの拡大断面図
 以下、本発明によるウェハ処理装置について、実施の形態を用いて説明する。なお、以下の実施の形態において、同じ符号を付した構成要素は同一または相当するものであり、再度の説明を省略することがある。
(実施の形態1)
 本発明の実施の形態1によるウェハ処理装置は、チャンバへのウェハの搬入方向と搬出方向とが異なるようにするため、ウェハを支持する支持手段を所定の角度だけ回転させるものである。なお、本実施の形態では、ウェハを支持する支持手段を有する上部ヒータが回転される場合について主に説明する。
 図1は、本実施の形態によるウェハ処理装置1の構成を示す一部切り欠き斜視図である。図2は、ウェハ処理装置1のチャンバ11の縦断面を示す断面図である。なお、図2では、チャンバ11が閉じた状態を示している。図3は、上部ユニット21を下面側から見た斜視図である。図4は、上部ヒータ24を回転させる回転手段30を示す図である。なお、図4において、上部ユニット21は省略している。図5は、ウェハ2の搬入、搬出と上部ヒータ24の回転とについて説明するための図である。図6は、ウェハ処理装置1を内部に含む処理室3と、ウェハ2を処理室3に搬入、搬出する搬送ロボットのハンド4,5とを示す図である。
 本実施の形態によるウェハ処理装置1は、上部ユニット21及び下部ユニット22を有するチャンバ11と、チャンバ11の上部ユニット21及び下部ユニット22を開閉するための開閉手段12と、垂直方向の軸周りに回転可能となるように上部ユニット21に設けられた上部ヒータ24と、下部ユニット22に設けられた下部ヒータ25と、上部ヒータ24を回転させる回転手段30と、を備える。
 チャンバ11では、ウェハ2に超臨界流体を用いた所定の処理が行われる。本実施の形態では、その所定の処理が超臨界流体を用いたウェハ2の乾燥処理である場合について主に説明するが、その他の処理、例えば、超臨界流体を用いた洗浄処理や洗浄乾燥処理がウェハ2に行われてもよい。ウェハ2の乾燥処理は、例えば、ウェハ2の表面に残留した有機溶剤などの処理液を、超臨界流体に置換することによって除去し、その超臨界流体を乾燥させることによって行われる。本実施の形態では、処理に用いられる流体が二酸化炭素である場合、すなわち二酸化炭素の超臨界流体が用いられる場合について主に説明するが、他の超臨界流体が用いられてもよい。ウェハ2は、例えば、円盤形状であってもよい。
 上部ユニット21と下部ユニット22とは対向するものであり、両者によってウェハ2を収容する収容空間22cが構成される。収容空間22cは、通常、略円柱形状の空間である。収容空間22cの容積が大きい場合には、流体を超臨界状態にする昇圧の時間が長くなるため、収容空間22cの容積は、小さいことが好適である。なお、本実施の形態では、収容空間22cが下部ユニット22側に形成されている場合について主に説明する。図2で示されるように、上部ユニット21及び下部ユニット22には、上下方向に延びる円筒形状の孔部21e、22eがそれぞれ設けられている。孔部21e、22eはそれぞれ、上部ヒータ24、下部ヒータ25を装着するために用いられる。
 下部ユニット22には、図2で示されるように、流体の注入路221と排出路222とが設けられていてもよい。本実施の形態では、平面視において、流体の注入口が収容空間22cの周縁側に設けられており、流体の排出口が収容空間22cの注入口と対向する周縁側と、孔部22eの周囲に設けられている場合について示しているが、それらは一例であり、注入口及び排出口、並びに注入路221及び排出路222の配置は、それらと異なっていてもよい。例えば、注入路221は、ウェハ2の上面側から流体を注入するように設けられてもよい。また、例えば、後述するクランプ41と干渉しない範囲で、収容空間22cの横側(側面)に注入路221や排出路222が設けられてもよい。なお、流体の注入路221や排出路222は、可動側のユニットではなく、固定側のユニットに設けられることが好適である。
 上部ユニット21及び下部ユニット22は、耐圧性のある材料によって構成されていることが好適である。その材料は、例えば、ステンレス鋼等であってもよい。また、その表面には、例えば、パーティクルの発生を防止するための不動態皮膜を形成する処理や、硬質化のためのDLC処理がなされてもよい。
 チャンバ11は、チャンバ11が閉じられた際に上部ユニット21及び下部ユニット22の間をシールするためのシール部23を有していてもよい。シール部23は、円環状の部材であり、下部ユニット22における収容空間22cの開口の環状の縁部分、または、その縁部分に対向する上部ユニット21の部分に配置されてもよい。シール部23は、例えば、図2で示されるように、上部ユニット21の下端側に装着されてもよい。シール部23は、断面が略U字形状のものであってもよい。その場合には、チャンバ11が閉じている状態において、収容空間22cの流体がシール部23を介して外部に流出しようとする際に、略U字形状の内側部分の圧力が高まってシール性がより向上し、収容空間22cの流体の流出を効果的に防止することができる。シール部23は、例えば、ポリテトラフルオロエチレンなどのフッ素樹脂、またはシリコンなどの材料によって構成されてもよい。
 開閉手段12は、上部ユニット21及び下部ユニット22の少なくとも一方を上下方向に移動させることによってチャンバ11を開閉する。上部ユニット21及び下部ユニット22が開閉手段12によって閉じられ、両者が嵌め合わされて一体化されることによって、ウェハ2に対して処理を行うための収容空間22cが形成される。また、シール部23、並びに、後述する上部シール部21d及び下部シール部22dによって、収容空間22cの気密性が高められる。本実施の形態では、開閉手段12が、ベース15に固定されたエアシリンダであり、ベース15に対して、矩形状の上面板16の四隅をそれぞれ同じタイミングで上下方向に移動させることによって、上部ユニット21を上下方向に移動させる場合について主に説明する。なお、図1では、一部の開閉手段12を省略している。
 開閉手段12は、エアシリンダ以外のソレノイド、ラックアンドピニオンとピニオンを駆動させる回転駆動手段、または、ボールねじとねじ軸を回転させる回転駆動手段等によって構成されてもよい。また、上面板16の四隅のうち、1個から3個の隅に開閉手段12が設けられており、それ以外の箇所には上面板16の頂点部分を上下方向にガイドするためのガイド部材が設けられていてもよい。なお、本実施の形態では、開閉手段12が、上部ユニット21を上下方向に移動させる場合について説明するが、そうでなくてもよい。開閉手段12は、下部ユニット22を上下方向に移動させてもよく、上部ユニット21及び下部ユニット22の両方をそれぞれ上下方向の逆向きに移動させてもよい。
 上部ヒータ24は、収容空間22cにおいて水平方向に延びる加熱プレート24aと、加熱プレート24aの上面に接続される円筒形状の支持部24bとを有する。加熱プレート24aは、例えば、円盤形状であってもよい。また、支持部24bの一端は、加熱プレート24aの平面と、支持部24bの円筒形状の中心軸とが直交するように、円盤形状である加熱プレート24aの中心付近に固定されていてもよい。加熱プレート24aと支持部24bとは、例えば、一体的に構成されていてもよく、独立した部材であってもよい。上部ヒータ24の支持部24bが、上部ユニット21に設けられた円筒形状の孔部21eに挿入されることによって、上部ヒータ24が上部ユニット21に装着される。なお、支持部24bは、全体が円筒形状であってもよく、または、少なくとも一部が円筒形状であってもよい。本実施の形態では、図2で示されるように、支持部24bが、半径の異なる複数の円筒形状部によって構成される場合について主に説明する。後述する支持部25bについても同様であるとする。
 図2で示されるように、上部ヒータ24の支持部24bは、回転軸受21aによって、上部ユニット21の孔部22eにおいて、回転自在となるように設けられている。このようにして、上部ヒータ24は、垂直方向の軸周りに回転可能となるように上部ユニット21に設けられる。通常、回転軸受21aの収容空間22c側に、後述する上部シール部21dが設けられている。
 図2で示されるように、上部ヒータ24の加熱プレート24aの上面と、上部ユニット21の下面との間には、流体が流通可能な水平方向に延びる隙間が存在していてもよい。すなわち、加熱プレート24aの上面と、上部ユニット21の下面との間に上下方向の所定の間隔が空くように、上部ユニット21に上部ヒータ24が取り付けられてもよい。上部ヒータ24が回転する際に、加熱プレート24aの上面と、上部ユニット21の下面とが接触しないことが好適だからである。
 下部ヒータ25は、収容空間22cにおいて水平方向に延びる加熱プレート25aと、加熱プレート25aの下面に接続される円筒形状の支持部25bとを有する。下部ヒータ25は、上下が逆となる以外は、上部ヒータ24と同様のものであり、その詳細な説明を省略する。下部ヒータ25の支持部25bが、下部ユニット22に設けられた円筒形状の孔部22eに挿入されることによって、下部ヒータ25が下部ユニット22に装着される。なお、本実施の形態では、上部ヒータ24と異なり、下部ヒータ25が回転されない場合について主に説明するが、下部ヒータ25も回転されてもよい。
 図2で示されるように、下部ヒータ25の加熱プレート25aの下面と、下部ユニット22の上面との間には、流体が流通可能な水平方向に延びる隙間が存在していてもよく、または、そうでなくてもよい。例えば、下部ヒータ25の加熱プレート25aの下方側に排出口が設けられている場合には、その隙間が存在していることが好適である。
 上部ヒータ24及び下部ヒータ25は、収容空間22c内の流体を加熱するために用いられる。収容空間22cにおいて、流体を超臨界状態にするためである。流体が二酸化炭素である場合には、例えば、上部ヒータ24及び下部ヒータ25によって二酸化炭素が31.1℃以上となるように加熱されてもよい。
 上部シール部21dは、上部ヒータ24の支持部24bと、上部ユニット21の孔部21eとの間をシールする。また、下部シール部22dは、下部ヒータ25の支持部25bと、下部ユニット22の孔部22eとの間をシールする。上部シール部21dによって、支持部24bと孔部21eとの間から流体が漏れることが防止され、下部シール部22dによって、支持部25bと孔部22eとの間から流体が漏れることが防止され、収容空間22cが気密に保たれる。上部シール部21d及び下部シール部22dは、シール部23と同様のものであってもよい。なお、シール部21dを適切に位置決めするため、シール部21dの上方への移動を阻止するシール押えや、シール部21dと回転軸受21aとの距離を一定に保つ円筒形状スペーサなどが用いられてもよい。
 上部ヒータ24及び下部ヒータ25は、例えば、メンテナンスなどのために取り外されることもある。また、上部ヒータ24は、回転手段30によって回転される。そのように、両者が着脱される際、また、上部ヒータ24が回転される際に、上部ヒータ24及び下部ヒータ25とチャンバ11との接触部分、より具体的には上部シール部21d及び下部シール部22dの箇所においてパーティクル等が発生しやすくなる。そのようなパーティクル等は、ウェハ2のほうに拡散しないように排出されることが好適である。発生したパーティクル等を排出する手法としては、例えば、特開2002-324777号公報や、特開2007-036109号公報に記載されている手法を用いてもよい。
 上部ヒータ24の下面側には、水平方向に搬入されるウェハ2を支持する支持手段20が設けられている。したがって、ウェハ2が搬入されると、図2で示されるように、上部ヒータ24の下方側にウェハ2が位置することになる。支持手段20は、例えば、図2,図3で示されるように、断面が略L字形状であり、水平方向に延びる先端部分において、搬入されたウェハ2の周縁部を支持するものであってもよい。本実施の形態では、図3,図5で示されるように、上部ヒータ24に3個の支持手段20が設けられている場合について主に説明するが、そうでなくてもよい。支持手段20の個数は、例えば、1個や2個であってもよく、4個以上であってもよい。また、ウェハ2を適切に支持できるのであれば、支持手段20の形状も問わない。
 回転手段30は、上部ヒータ24を垂直方向の軸周りに回転させるものであり、エアシリンダ31と、クランク32とを備えている。エアシリンダ31の基端側は、回転軸31bによって、上面板16に対して水平方向に回転自在に設けられている。また、エアシリンダ31のピストンロッド31aの先端は、クランク32に接続されている。そして、図4で示されるように、ピストンロッド31aの長手方向の移動に応じて、クランク32、及びクランク32に接続されている上部ヒータ24が、垂直方向の回転軸24cを中心として回転することになる。そのクランク32の回転に応じて、ピストンロッド31aの先端部分の位置が変化するが、その位置の変化に応じて、エアシリンダ31の基端側が回転軸31bを中心に回転する。なお、エアシリンダ31に代えて、ソレノイドなどを用いてもよい。また、回転手段30は、例えば、上部ヒータ24を垂直方向の軸周りに回転させるモータ等の回転駆動手段であってもよい。
 上述したように、収容空間22cは、通常、略円柱形状の空間であり、孔部21e、22e、及び支持部24b、25bは円筒形状である。本実施の形態では、収容空間22cの略円柱形状、孔部21e、22e、及び支持部24b、25bの円筒形状のそれぞれの上下方向に延びる中心軸が、同一直線上に存在する場合について主に説明する。また、回転軸24cも、孔部21e及び支持部24bの円筒形状の中心軸と同軸であるとする。
 ウェハ処理装置1は、チャンバ11が閉じた状態、すなわち上部ユニット21及び下部ユニット22が上下方向に嵌め合わされて、内部の収容空間22cが気密に保たれている状態において、チャンバ11の周縁部を締め付けるクランプ41を有していてもよい。クランプ41は、ステージ42の上面に固定されている。ベース15には、スライドレール43が固定されており、そのスライドレール43にはスライドガイド44が摺動可能に設けられている。そして、ステージ42にスライドガイド44が固定されていることによって、スライドレール43の長手方向にクランプ41が移動可能となっている。クランプ41の移動、すなわちステージ42の移動は、図示しない駆動手段を用いて実現されてもよい。その駆動手段は、例えば、エアシリンダやソレノイド、ラックアンドピニオンとピニオンを駆動させる回転駆動手段、ボールねじとねじ軸を回転させる回転駆動手段等であってもよい。クランプ41は、駆動手段によって、チャンバ11のロック位置と、リリース位置との間を移動することになる。本実施の形態では、図1で示されるように、3個のクランプ41によってチャンバ11の上部ユニット21と下部ユニット22とがロックされる場合について主に説明するが、クランプ41の個数は、例えば、2個であってもよく、4個以上であってもよい。複数のクランプ41のロック位置とリリース位置との間の移動は、独立して行われてもよく、連動して行われてもよい。
 次に、図5を参照して、回転手段30によって上部ヒータ24を回転させ、上部ヒータ24へのウェハ2の搬入方向と、上部ヒータ24からのウェハ2の搬出方向とが所定の角度となるようにする処理について説明する。
 図5は、上部ユニット21を下方側から見た底面図である。図5(a)で示されるように、ウェハ2は矢印の方向に搬入される。その後、チャンバ11が閉じられ、図5(b)で示されるように、上部ヒータ24は、ウェハ2を支持手段20によって支持している状態で、回転手段30によって矢印の向きに90度だけ回転され、図5(c)で示されるようになる。その後、ウェハ2に対して所定の処理が行われることになる。所定の処理が終了するとチャンバ11が開けられ、図5(d)で示されるように、矢印の方向にウェハ2が搬出されることになる。なお、その搬出後に、上部ヒータ24は、再度、図5(a)の状態になるように90度だけ回転手段30によって回転される。図5では、ウェハ2の搬入方向と搬出方向とのなす角度が90度となっている。なお、ウェハ2の搬入方向と搬出方向とのなす角度は、後述するウェハ2の搬入口3aに設けられた扉と搬出口3bに設けられた扉が干渉しない範囲であればよく、好ましくは90度から180度の範囲であればよい。また、上部ヒータ24が回転されるのは、ウェハ2の搬入後から搬出前までの間であればよく、そのタイミングを問わない。例えば、チャンバ11が閉じられる前に上部ヒータ24が回転され、その回転後にチャンバ11が閉じられてウェハ2に所定の処理が行われてもよく、超臨界流体を用いた所定の処理が終了した後に、上部ヒータ24が回転されてもよい。
 次に、本実施の形態によるウェハ処理装置1の動作について具体的に説明する。ここでは、図6で示されるように、処理室3内にウェハ処理装置1が設置されており、処理室3には、ウェハ2の搬入口3aと搬出口3bが設けられ、それぞれ搬入時や搬出時以外は扉によって閉鎖されている。次に、搬入口3aを介してウェハ2がウェハ処理装置1に挿入され、搬出口3bを介してウェハ2がウェハ処理装置1から取り出される場合について説明する。
 まず、ウェハ処理装置1の上部ユニット21及び下部ユニット22が上下方向に離間した状態において、処理室3の搬入口3aの扉が開けられる。そして、前工程の洗浄装置において、例えばIPA(イソプロピルアルコール)等の洗浄剤によって洗浄されたウェハ2が、搬送ロボットのハンド4によって搬送され、搬入口3aから、上部ヒータ24の下面側に搬入される。その搬入されたウェハ2は、支持手段20によって支持される。
 次に、ハンド4が搬入口3aの外に出たタイミングで扉が閉じられる。そして、開閉手段12によって上面板16が下降されることによってチャンバ11が閉じられる。また、ステージ42がチャンバ11の軸心に向かって移動されることによって、クランプ41によって上部ユニット21及び下部ユニット22がロックされる(図2)。その後、回転手段30によって、上部ヒータ24が90度だけ回転される。
 そして、二酸化炭素の注入路221に接続された注入バルブが開けられ、チャンバ11の収容空間22cに二酸化炭素が注入される。二酸化炭素は、例えば、加圧ポンプなどの昇圧機構を用いて昇圧されて収容空間22cに注入される。また、上部ヒータ24及び下部ヒータ25によって、注入された二酸化炭素が加熱される。
 注入された二酸化炭素は、収容空間22c内の圧力が臨界圧力7.38MPa以上、温度が臨界温度31.1℃以上になると超臨界状態となり、ウェハ2上のIPA等は、超臨界状態の二酸化炭素に溶解される。収容空間22cにおける超臨界状態の二酸化炭素(超臨界流体)の圧力が一定値を超えると、排出路222に接続された排出バルブ(圧力調整バルブ)によって、収容空間22c内の圧力を保ちながら超臨界流体が徐々に排出される。このようにして、ウェハ2に付着していたIPA等が溶解した超臨界流体が排出され、収容空間22cにおいて、ウェハ2からのIPA等の除去が行われることになる。
 なお、収容空間22cは、少なくともIPA等の排出が完了するまで二酸化炭素が超臨界状態となる圧力及び温度に保たれることが好適である。収容空間22cは、例えば、圧力は7.4~15MPaに、また、温度は上部ヒータ24及び下部ヒータ25によって31~50℃に保たれることが好ましい。
 収容空間22cへの二酸化炭素の注入は継続されるため、超臨界二酸化炭素流体の注入と、IPA等が溶解している超臨界二酸化炭素流体の排出が並行して行われることになる。IPA等が溶解している超臨界流体の排出が終了すると、注入バルブが閉じられ、収容空間22c内を排出バルブによって降圧し、超臨界流体を気体に相転換させてから排出する。その後、排出バルブが閉じられる。収容空間22cは、加温が停止されてもよく、31~50℃に維持されてもよい。なお、超臨界流体によるIPA等の排出が終了したかどうかは、例えば、IPA等を検知するセンサによって収容空間22c内においてIPA等を検知することによって確認されてもよい。IPA等を検知するセンサは、例えば、アルコール検知センサ等であってもよい。
 その後、各クランプ41は、リリース位置に移動される。また、開閉手段12によって上面板16が上昇されることによってチャンバ11が開けられ、上部ユニット21と下部ユニット22とが離間する。また、処理室3の搬出口3bの扉が開けられる。そして、超臨界流体を用いて乾燥されたウェハ2が、搬送ロボットのハンド5によって搬出口3bの扉を介して搬出され、搬出口3bの扉が閉じられる。その後、回転手段30によって上部ヒータ24が逆方向に90度だけ回転されることによって、ウェハ2の搬入を行うことができる角度となり、一連の乾燥処理が終了になる。その後、上記の処理が繰り返されてもよい。なお、通常、ハンド4,5はそれぞれ異なる搬送ロボットによって操作されるものである。また、上記した一連の処理に関するタイミング等の制御は、図示しない制御手段によって行われてもよい。
 以上のように、本実施の形態によるウェハ処理装置1によれば、チャンバ11へのウェハ2の搬入方向と搬出方向とを異なるようにすることができる。例えば、両方向が同じであり、また、1つの搬送ロボットによって搬入と搬出とを行った場合には、ウェハの搬出後にすぐにウェハの搬入を行うことができず、タクトタイムが長くなる。また、例えば、ウェハの搬入方向と搬出方向とが同じであり、また、処理前のウェハを搬送する搬送ロボットと、処理後のウェハを搬送する搬送ロボットとをそれぞれ備えた場合(例えば、上記特開2013-254904号公報参照)には、両ロボットの操作だけでウェハの搬入及び搬出を行うことができず、ウェハの受け渡しに時間がかかることになると共に、装置の設置面積が大きくなるというデメリットがある。一方、本実施の形態によるウェハ処理装置1のように、ウェハ2の搬入方向と搬出方向とが異なるようにすることによって、設置面積を増やすことなく、ウェハ2の搬入と搬出とをそれぞれ別の搬送ロボットによって行うことができる。その結果、ウェハ2を搬出した直後に、別のウェハ2を搬入することによってタクトタイムを短くすることができ、効率的な処理を実現することができるようになる。
 また、チャンバ11での処理前のウェハ2を搬送する搬送ロボットと、チャンバ11での処理後のウェハ2を搬送する搬送ロボットとを異なるものにすることができるため、例えば、搬入用ロボットのハンド4に付着しているIPA等が、処理後のウェハ2に付着することを防止することができる。また、処理前のウェハ2が取り扱われる領域と、処理後のウェハ2が取り扱われる領域とを分けることもでき、処理前のウェハ2から、処理後のウェハ2にIPA等が飛散して付着することを防止することもできる。
 また、ウェハ2の搬入方向と搬出方向とを異なるようにするためには、後述するように、上部ユニット21そのものを回転させることも考えられる。しかしながら、上部ユニット21は、かなりの重量があるため、上部ユニット21を回転させるよりは、本実施の形態のように、上部ユニット21に対して上部ヒータ24を回転させるほうが、より簡単な構成とすることができるというメリットがある。
 なお、本実施の形態では、チャンバ11へのウェハ2の搬入方向と搬出方向とが異なるようにするために上部ヒータ24を回転させる場合について説明したが、超臨界流体を用いた所定の処理を促進するためにも、上部ヒータ24を回転させてもよい。その場合には、チャンバ11に収容されたウェハ2に超臨界流体を用いた所定の処理が行われている期間における少なくとも一部の期間において、回転手段30は上部ヒータ24を回転させてもよい。この場合の回転は、例えば、一方向への回転であってもよく、一方向への回転と逆方向への回転との繰り返しであってもよい。後者の場合には、例えば、揺動が行われてもよい。また、一方向への回転が行われる場合には、回転手段30は、モータ等の回転駆動手段であることが好適である。回転手段30が回転駆動手段である場合には、上部ヒータ24への電源の供給は、例えば、スリップリング等を用いて行われてもよい。このように、ウェハ2への所定の処理が行われている際にも上部ヒータ24を回転させることによって、例えば、収容空間22c内の流体を撹拌することができ、その処理を促進することができる。なお、所定の処理が行われている際に上部ヒータ24が回転される場合であっても、ウェハ2の搬入時と搬出時には、上記のように、上部ヒータ24があらかじめ決められた角度となることが好適である。そのため、回転手段30がモータ等の回転駆動手段である場合には、例えば、ステッピングモータなどの正確な位置決め制御を実現できる回転駆動手段を用いてもよく、エンコーダ等によって取得された上部ヒータ24の角度を用いて、回転駆動手段によって回転される上部ヒータ24の角度を制御してもよい。
 また、本実施の形態では、収容空間22cにおいて、ウェハ2が上部ヒータ24の下面側に設けられた支持手段20によって支持されている場合について主に説明したが、そうでなくてもよい。例えば、収容空間22cの下面(すなわち、下部ユニット22の上面)に別の支持手段(以下、「下部支持手段」と呼ぶ。)が設けられており、チャンバ11が閉じられた際には、ウェハ2は、支持手段20で支持されなくなり、下部支持手段で支持されるようになってもよい。下部支持手段は、例えば、平面視で円形状である収容空間22cの周縁部に配置されていてもよい。また、チャンバ11が閉じられた際には、下部支持手段におけるウェハ2の載置面が、支持手段20におけるウェハ2の載置面よりも上方側に位置していてもよい。
 また、本実施の形態では、ウェハ処理装置1が下部ヒータ25を有する場合について説明したが、そうでなくてもよい。ウェハ処理装置1は、下部ヒータ25を有していなくてもよい。
 また、本実施の形態では、回転手段30が上部ヒータ24を回転させる場合について説明したが、そうでなくてもよい。回転手段30が、チャンバ11へのウェハ2の搬入方向と、チャンバ11からのウェハ2の搬出方向とが所定の角度となるように少なくとも支持手段20を回転させるのであれば、回転手段30が回転させる対象は、上部ヒータ24以外であってもよい。以下、回転手段30が、上部ユニット21を回転させる場合について簡単に説明する。
 図7、及び図8はそれぞれ、回転手段30によって上部ユニット21が回転されるウェハ処理装置1を示す一部切り欠き斜視図、及び縦断面を示す断面図である。なお、図8は、チャンバ11が開いた状態を示している。
 図7、図8で示されるウェハ処理装置1では、上部ユニット21の下面側に、水平方向に搬入されるウェハ2を支持する支持手段20が設けられている。したがって、ウェハ2が搬入されると、図8で示されるように、上部ユニット21の下方側にウェハ2が位置することになる。なお、図8において、流体の注入路221及び排出路222の位置は一例であり、例えば、図2と同様に設けられてもよい。
 上部ユニット21は、回転軸受21bを有しており、その回転軸受21bによって、上面板16に対して回転自在となるように設けられている。通常、上部ユニット21は重いため、回転させることは容易ではないが、このように回転軸受21bによって回転自在とされていることによって、回転手段30によって簡単に回転させることができるようになる。
 回転手段30は、上部ユニット21及び下部ユニット22が離間した状態において、上部ユニット21を垂直方向の軸周りに回転させるものであり、エアシリンダ31と、クランク32とを備えている。そして、ピストンロッド31aの長手方向の移動に応じて、クランク32、及びクランク32が固定されている上部ユニット21が、垂直方向の回転軸21cを中心として回転することになる。
 上部ユニット21及び下部ユニット22が離間した状態とは、上部ユニット21を回転させたとしても、上部ユニット21が下部ユニット22と摺れることのない状態であることが好適である。パーティクルの発生に起因するウェハ2の欠陥を防止するためである。したがって、上部ユニット21及び下部ユニット22が離間した状態は、上部ユニット21及び下部ユニット22の一方に設けられたシール部23が、上部ユニット21及び下部ユニット22の他方側から離れた状態であってもよい。例えば、図8で示されるように、シール部23が上部ユニット21に設けられている場合には、シール部23が、下部ユニット22から離れた状態が、上部ユニット21及び下部ユニット22が離間した状態であってもよい。なお、シール部23が対向するユニットから離れた状態となることによって、収容空間22cは常圧となる。したがって、上部ユニット21及び下部ユニット22が離間した状態を、収容空間22cの圧力が常圧となったことによって検知してもよい。
 図7、図8で示されるウェハ処理装置1では、ウェハ2が上部ユニット21の下方側に搬入された後に、チャンバ11が閉じられ、ウェハ2に対して所定の処理が行われることになる。所定の処理が終了するとチャンバ11が開けられ、上部ユニット21は、ウェハ2を支持手段20によって支持している状態で、回転手段30によって所定の角度だけ回転され、ウェハ2が搬出されることになる。その搬出後に、上部ユニット21は、再度、元の角度になるように回転手段30によって回転される。なお、上部ユニット21が回転されるタイミングは問わない。例えば、チャンバ11が閉じられる前に上部ユニット21が回転され、その回転後にチャンバ11が閉じられてウェハ2に所定の処理が行われてもよい。
(実施の形態2)
 本発明の実施の形態2によるウェハ処理装置は、ヒータの支持部と、その支持部が挿入される孔部との接触部分で発生するパーティクル等を、排出口に導く流路が形成されたものである。
 図9は、本実施の形態によるウェハ処理装置1の構成を示す一部切り欠き斜視図である。図10、図11は、ウェハ処理装置1のチャンバ11の縦断面を示す断面図である。図10は、チャンバ11が開いた状態を示しており、図11は、チャンバ11が閉じた状態を示している。図12は、下部ユニット22の平面図である。図13Aは、上部ユニット21に装着された状態の上部プレート部材26の底面図である。図13Bは、下部ユニット22に装着された状態の下部プレート部材27の平面図である。図14A~図14Cは、上部ユニット21の底面図である。図14Aは、上部ユニット21のみを示しており、図14Bは、上部プレート部材26が装着された状態を示しており、図14Cは、上部プレート部材26及びU字部材28が装着された状態を示している。図15は、図12のA-A線におけるチャンバ11の縦断面図である。図16は、図12のA-A線の位置でのチャンバ11の縦断面図における中心付近(図15の破線で囲われた領域)の拡大断面図である。図17は、図16で示される縦断面図における上部プレート部材26付近(図16の左上側の破線で囲われた領域)の拡大断面図である。図18は、図16で示される縦断面図における下部プレート部材27付近(図16の右下側の破線で囲われた領域)の拡大断面図である。図19は、図12のB-B線の位置でのチャンバ11の縦断面図における収容空間22cの排出口1224d付近の拡大断面図である。
 本実施の形態によるウェハ処理装置1は、上部ユニット21及び下部ユニット22を有するチャンバ11と、チャンバ11の上部ユニット21及び下部ユニット22を開閉するための開閉手段12と、上部ユニット21に取り付けられる上部ヒータ24と、下部ユニット22に取り付けられる下部ヒータ25と、上部ユニット21に設けられる上部プレート部材26と、下部ユニット22に設けられる下部プレート部材27と、上部ヒータ24と上部ユニット21との間をシールするための上部シール部131と、下部ヒータ25と下部ユニット22との間をシールするための下部シール部132と、を備える。なお、実施の形態1において説明した構成要素については、本実施の形態における説明を省略することがある。また、本実施の形態による上部ヒータ24は、実施の形態1と同様に回転するものであってもよく、または、そうでなくてもよい。本実施の形態では、上部ヒータ24が回転しない場合について主に説明する。
 本実施の形態による下部ユニット22の上面側(すなわち、収容空間22cの底面側)には、ウェハ2を支持する支持手段122aが設けられている。本実施の形態では、上部ユニット21の支持手段20によってウェハ2が支持された状態で上部ユニット21及び下部ユニット22が閉じられた際には、ウェハ2は、上部ユニット21の支持手段20で支持されなくなり、下部ユニット22の支持手段122aで支持されるようになる場合について主に説明する。すなわち、チャンバ11が閉じられた際には、支持手段122aにおけるウェハ2の載置面が、支持手段20におけるウェハの載置面よりも上方側に位置しているものとする。一方、収容空間22cに収容されたウェハ2は、上部ユニット21に設けられた支持手段20によって支持されてもよい。いずれの場合であっても、収容空間22cにおいては、下部ユニット22側の支持手段122a、及び上部ユニット21側の支持手段20の一方によってのみウェハ2が支持されていることが好適である。
 支持手段122aは、略円柱形状の収容空間22cの外周側から軸心に向かって下方に傾斜するテーパ面と、テーパ面の下端側に繋がる水平方向の面である載置面とを少なくとも有する。複数の支持手段122aの各テーパ面によってウェハ2の位置決めがなされ、収容空間22cにおけるあらかじめ決められた位置(例えば、平面視における収容空間22cの中心位置)のウェハ2が、載置面で支持されるようになる。本実施の形態では、図12で示されるように、下部ユニット22に3個の支持手段122aが設けられている場合について主に説明するが、そうでなくてもよい。支持手段122aの個数は、例えば、1個や2個であってもよく、4個以上であってもよい。また、ウェハ2を適切に支持できるのであれば、支持手段122aの形状も問わない。
 収容空間22cに流体を注入するための1以上の注入口と、収容空間22cから流体を排出するための1以上の排出口がそれぞれ、上部ユニット21及び下部ユニット22の少なくとも一方に設けられている。すなわち、1以上の注入口が上部ユニット21及び下部ユニット22の少なくとも一方に設けられており、1以上の排出口が上部ユニット21及び下部ユニット22の少なくとも一方に設けられているものとする。本実施の形態では、図12で示されるように、平面視において円形状である収容空間22cの一端側(図中右側)に、流体の注入口1223a、1223bが設けられており、他端側(図中左側)に、流体の排出口1224d、1224e、1224fが設けられており、注入口1223a、1223bの間、及び収容空間22cの中心付近に、流体の排出口1224a、1224b、1224c、1224g、1224hが設けられている場合について主に説明する。なお、注入口1223a、1223bを特に区別しない場合には、単に注入口1223と呼ぶこともある。排出口1224a~1224hについても同様である。図12で示されるように、平面視における収容空間22cの一端側に注入口1223a、1223bが設けられており、他端側に排出口1224d、1224e、1224fが設けられていることによって、全体として、一端側から他端側に流体が流れることになり、ウェハ2上に流体が滞留したり、ウェハ2上から流れ出た流体が再度、ウェハ2上に戻ったりすることを回避することができる。なお、図12で示されるように、全体として収容空間22cの一端側から他端側に流体が流れるのであれば、それら以外の排出口1224a、1224b、1224c、1224g、1224hが設けられてもよい。また、その他の注入口1223が設けられてもよい。
 また、注入口1223及び排出口1224の配置は、図12で示される配置以外であってもよい。本実施の形態では、注入口1223及び排出口1224の両方が、下部ユニット22に設けられる場合について主に説明するが、注入口1223は、上部ユニット21に設けられてもよい。なお、排出口1224は、通常、下部ユニット22に設けられることが好適であるが、上部ユニット21に設けられてもよい。
 また、上部ユニット21の下面(すなわち、収容空間22cの上面)には、上下方向に延びる円筒形状の孔部121eが設けられている。孔部121eは、上部ヒータ24を装着するために用いられる。孔部121eは、上方の空間121fにつながっていてもよい。また、空間121fも軸方向が上下方向である円筒形状であってもよい。
 また、下部ユニット22の上面(すなわち、収容空間22cの下面)には、上下方向に延びる円筒形状の孔部122eが設けられている。孔部122eは、下部ヒータ25を装着するために用いられる。孔部122eは、下方の空間122fにつながっていてもよい。また、空間122fも軸方向が上下方向である円筒形状であってもよい。
 上部ヒータ24の支持部24bが、上部ユニット21に設けられた円筒形状の孔部121eに挿入されることによって、上部ヒータ24が上部ユニット21に装着される。また、下部ヒータ25の支持部25bが、下部ユニット22に設けられた円筒形状の孔部122eに挿入されることによって、下部ヒータ25が下部ユニット22に装着される。
 図16で示されるように、上部ヒータ24の加熱プレート24aの上面と、上部ユニット21の下面との間には、流体が流通可能な水平方向に延びる隙間121nが存在している。すなわち、加熱プレート24aの上面と、上部ユニット21の下面との間に上下方向の所定の間隔が空くように、上部ユニット21に上部ヒータ24が取り付けられている。
 また、図16で示されるように、下部ヒータ25の加熱プレート25aの下面と、下部ユニット22の上面との間には、流体が流通可能な水平方向に延びる隙間122nが存在している。すなわち、加熱プレート25aの下面と、下部ユニット22の上面との間に上下方向の所定の間隔が空くように、下部ユニット22に下部ヒータ25が取り付けられている。
 上部ヒータ24及び下部ヒータ25は、収容空間22c内の流体を加熱するために用いられる。収容空間22cにおいて、流体を超臨界状態にするためである。流体が二酸化炭素である場合には、例えば、上部ヒータ24及び下部ヒータ25によって二酸化炭素が31.1℃以上となるように加熱されてもよい。なお、上部ユニット21及び下部ユニット22に設けられた空間121f、122fは、それぞれ上部ヒータ24及び下部ヒータ25への電力供給用の配線の通る空間である。
 上部シール部131は、上部ヒータ24の支持部24bと、上部ユニット21の孔部121eとの間をシールする。上部シール部131は、支持部24bと孔部121eとの間から流体が漏れることを防止し、収容空間22cを気密に保つために用いられる。上部シール部131は、シール部23と同様のものであってもよい。
 下部シール部132は、下部ヒータ25の支持部25bと、下部ユニット22の孔部122eとの間をシールする。下部シール部132は、支持部25bと孔部122eとの間から流体が漏れることを防止し、収容空間22cを気密に保つために用いられる。下部シール部132は、シール部23と同様のものであってもよい。
 上部ヒータ24及び下部ヒータ25は、例えば、メンテナンスなどのために取り外されることもある。そのように、上部ヒータ24及び下部ヒータ25がチャンバ11から取り外されたり、取り付けられたりする際に、上部ヒータ24及び下部ヒータ25とチャンバ11との接触部分、より具体的には上部シール部131及び下部シール部132の箇所においてパーティクル等が発生しやすくなる。また、収容空間22cにおける効率的な加熱を実現するためや、実施の形態1のようにウェハ2の搬入方向と搬出方向とを異ならせるために、上部ヒータ24及び下部ヒータ25の少なくとも一方を回転させることも考えられる。そのように、上部ヒータ24及び下部ヒータ25の少なくとも一方を回転させた際にも、上部シール部131や下部シール部132の箇所においてパーティクル等が発生しやすくなる。本実施の形態によるウェハ処理装置1は、後述するように、そのようにして発生したパーティクル等を、ウェハ2のほうに拡散させることなく、効率よく排出することができるものである。
 ここで、上述したように、収容空間22cは、通常、略円柱形状の空間であり、孔部121e、122e、及び支持部24b、25bは円筒形状である。本実施の形態では、収容空間22cの略円柱形状、孔部121e、122e、及び支持部24b、25bの円筒形状のそれぞれの上下方向に延びる中心軸が、同一直線上に存在する場合について主に説明する。したがって、その中心軸に直行する平面において、中心軸を通る直線の方向を半径方向と呼ぶことがある。また、その半径方向において中心軸に近い側を内周側、中心軸から離れる側を外周側と呼ぶこともある。
 上部プレート部材26は、円環形状の板状の部材であり、上部ヒータ24の支持部24bの周囲において、流体が下方から上方に移動可能となるように、上部シール部131の収容空間22c側に設けられている。図13A、図17で示されるように、上部プレート部材26の中心に設けられた、支持部24bの通る円形状の孔26cの内周面における一方の面側の角部26bは、C面取りされている。なお、C面取りに代えて、R面取りなどの別の面取りがされていてもよい。いずれの場合であっても、孔26cの内周面には、孔26cの中心を通り、上部プレート部材26の面方向に直交する方向に延びる直線と平行な面が存在することが好適である。上部プレート部材26は、C面取りされた角部26bの側が下方側となるように、上部ユニット21の下面に固定されている。孔26cの内径は、円筒形状の支持部24bの外径と略同じであり、孔26cと支持部24bとの間に隙間がないことが好適である。すなわち、上部プレート部材26の内周面は、支持部24bの外周面に接していることが好適である。このように構成されていることによって、図17で示されるように、上部プレート部材26の内周側(孔26cの周囲)は上方には容易にたわむが、下方にはたわみ難くなり、逆止弁のように作用することによって、支持部24bの周囲では流体が下方から上方に流れ、逆方向に流れ難くなる。図17において、角部26bは面取りされているため、上部プレート部材26の内周面(図17の右端)は上方に移動しやすくなっているが、上部プレート部材26の内周面の上側の角部は面取りされていないため、上部プレート部材26の内周面(図17の右端)は下方に移動し難くなっているからである。上部ヒータ24が回転される場合には、上部プレート部材26の内周面は、上部ヒータ24が回転できるように支持部24bの外周面に接していることが好適である。上部ユニット21の底面には、図14Aで示されるように、上部プレート部材26に対応した形状の凹部121dが設けられている。上部プレート部材26は、図14Bで示されるように、C面取りされた角部26bが下方側となるように凹部121dに装着される。なお、図14Bでは、上部ヒータ24、及び上部シール部131については省略している。
 上部ユニット21の孔部121eの下端側の開口には、上部ヒータ24の支持部24bの周囲に周方向に沿って周方向溝部121hが形成されている。図16で示されるように、周方向溝部121hは、上部ヒータ24の支持部24bと、上部ユニット21の孔部121eの内周面と、上部シール部131とによって形成されていてもよい。そして、周方向溝部121hの下方側の開口はすべて、図16で示されるように、上部プレート部材26の内周側によって塞がれる。このように、周方向溝部121hの下方側の開口が上部プレート部材26によって閉じられることにより、孔部121eの下端側の開口における支持部24bの周囲に、周方向の流路が形成されることになる。
 上部ユニット21の下面には、周方向溝部121hから上部プレート部材26の外周側に向かって、上部プレート部材26の半径方向に延びる外周側溝部121kが設けられている。外周側溝部121kの外周側の端部は、平面視において、上部プレート部材26の外縁よりも外方側にまで延びていてもよく、または、上部プレート部材26の外縁よりも内側に存在してもよい。本実施の形態では、前者の場合について主に説明する。外周側溝部121kは、半径方向に直行する面での断面が、上方に凸の円弧状となるように、上部ユニット21の下面に形成されてもよい。本実施の形態では、上部ユニット21に2個の外周側溝部121kが形成されている場合について主に説明するが、外周側溝部121kの個数は問わない。上部ユニット21に形成される外周側溝部121kの個数は、例えば、1個であってもよく、3個以上であってもよい。2個以上の外周側溝部121kが形成される場合には、平面視において、2個以上の外周側溝部121kの長手方向が、支持部24bの中心軸を中心として均等な角度となることが好適である。
 図14Bで示されるように、上部ユニット21の下面に上部プレート部材26が装着された状態においても、外周側溝部121kの外周側の端部は、上部プレート部材26で塞がれていなくてもよい。すなわち、外周側溝部121kの下方側の開口は、少なくとも一部(内周側)が、上部プレート部材26によって塞がれることになる。なお、外周側溝部121kの外周側の端部が、平面視において、上部プレート部材26の外縁よりも内側に存在する場合には、外周側溝部121kの下方側の開口のすべてが上部プレート部材26によって塞がれることになる。このように、外周側溝部121kの下方側の開口の少なくとも一部が上部プレート部材26によって閉じられることにより、半径方向の流路が形成されることになる。
 外周側溝部121kの外周側の端部は排出口1224につながっている。本実施の形態では、外周側溝部121kの外周側の端部から排出口1224につながる上部流路121mがU字部材28によって形成される場合について主に説明する。U字部材28は、平面視がU字形状の部材であり、加熱プレート24aの上面と、上部ユニット21の下面との間に配設される。そして、図14Cで示されるように、U字部材28は、開口側が排出口1224側となり、他端側が外周側溝部121kの外周側の端部の位置となるように配置される。なお、外周側溝部121kの外周側の端部は、平面視でU字部材28の内側の位置となっているものとする。U字部材28は、上面は上部ユニット21の下面に接しており、下面は加熱プレートの上面に接している。このようにして、外周側溝部121kの外周側の端部から、排出口1224の近傍までの上部流路121mが形成される。したがって、後述するように、パーティクル等を含む流体が上部流路121mを流れることによって、パーティクル等がウェハ2のほうに拡散しないようにすることができ、ウェハ2にパーティクル等が付着する可能性を低減することができる。なお、上部流路121mは、外周側溝部121kの外周側の端部と排出口1224とをつなぐものであれば、どのようなものであってもよい。したがって、U字部材28以外によって、上部流路121mが形成されてもよいことは言うまでもない。例えば、上部流路121mは、半径方向に配置される一対の棒状部材であってもよい。そして、その一対の棒状部材の間に、外周側溝部121kの外周側の端部から排出口1224までの上部流路121mが形成されてもよい。
 下部プレート部材27は、円環形状の板状の部材であり、下部ヒータ25の支持部25bの周囲において、流体が上方から下方に移動可能となるように、下部シール部132の収容空間22c側に設けられている。図13B、図18で示されるように、下部プレート部材27の中心に設けられた、支持部25bの通る円形状の孔27cの内周面における一方の面側の角部27bは、C面取りされている。なお、C面取りに代えて、R面取りなどの別の面取りがされていてもよい。いずれの場合であっても、孔27cの内周面には、孔27cの中心を通り、下部プレート部材27の面方向に直交する方向に延びる直線と平行な面が存在することが好適である。下部プレート部材27は、C面取りされた角部27bの側が上方側となるように、下部ユニット22の上面に固定されている。孔27cの内径は、円筒形状の支持部25bの外径と略同じであり、孔27cと支持部25bとの間に隙間がないことが好適である。すなわち、下部プレート部材27の内周面は、支持部25bの外周面に接していることが好適である。このように構成されていることによって、図18で示されるように、下部プレート部材27の内周側(孔27cの周囲)は下方には容易にたわむが、上方にはたわみ難くなり、逆止弁のように作用することによって、支持部25bの周囲では流体が上方から下方に流れ、逆方向に流れ難くなる。下部ヒータ25が回転される場合には、下部プレート部材27の内周面は、下部ヒータ25が回転できるように支持部25bの外周面に接していることが好適である。なお、下部プレート部材27は、2個の貫通孔27aを有する以外は、上部プレート部材26と同様のものである。下部ユニット22の上面には、図12で示されるように、下部プレート部材27に対応した形状の凹部122dが設けられている。下部プレート部材27は、C面取りされた角部27bが上方側となるように凹部122dに装着される。
 下部ユニット22の孔部122eの上端側の開口には、下部ヒータ25の支持部25bの周囲に周方向に沿って周方向溝部122hが形成されている。図16で示されるように、周方向溝部122hは、下部ヒータ25の支持部25bと、下部ユニット22の孔部122eの内周面と、下部シール部132とによって形成されていてもよい。そして、周方向溝部122hの上方側の開口はすべて、図16で示されるように、下部プレート部材27の内周側によって塞がれる。このように、周方向溝部122hの上方側の開口が下部プレート部材27によって閉じられることにより、孔部122eの上端側の開口における支持部25bの周囲に、周方向の流路が形成されることになる。
 下部ユニット22の上面には、周方向溝部122hから下部プレート部材27の外周側に向かって、下部プレート部材27の半径方向に延びる外周側溝部122kが設けられている。外周側溝部122kの外周側の端部は、平面視において、下部プレート部材27の外縁よりも外方側にまで延びていてもよく、または、下部プレート部材27の外縁よりも内側に存在してもよい。本実施の形態では、後者の場合について主に説明する。外周側溝部122kは、半径方向に直行する面での断面が、下方に凸の円弧状となるように、下部ユニット22の上面に形成されてもよい。本実施の形態では、下部ユニット22に2個の外周側溝部122kが形成されている場合について主に説明するが、外周側溝部122kの個数は問わない。下部ユニット22に形成される外周側溝部122kの個数は、例えば、1個であってもよく、3個以上であってもよい。2個以上の外周側溝部122kが形成される場合には、平面視において、2個以上の外周側溝部122kの長手方向が、支持部25bの中心軸を中心として均等な角度となることが好適である。
 外周側溝部122kの上方側の開口は、少なくとも一部(内周側)が、下部プレート部材27によって塞がれている。なお、外周側溝部122kの外周側の端部が、平面視において、下部プレート部材27の外縁よりも内側に存在する場合には、外周側溝部122kの上方側の開口のすべてが下部プレート部材27によって塞がれることになる。一方、外周側溝部122kの外周側の端部が、平面視において、下部プレート部材27の外縁よりも外周側に存在する場合には、外周側溝部122kの外周側の端部は、下部プレート部材27で塞がれないことになる。このように、外周側溝部122kの上方側の開口の少なくとも一部が下部プレート部材27によって閉じられることにより、半径方向の流路が形成されることになる。
 下部ユニット22の上面に設けられた外周側溝部122kの外周側の端部は排出口1224につながっている。外周側溝部122kの外周側の端部の位置が、排出口1224の位置であってもよく、または、外周側溝部122kの外周側の端部から、排出口1224までの下部流路が形成されていてもよい。前者の場合には、外周側溝部122kの外周側の端部と排出口1224とは直接つながっていることになり、後者の場合には、外周側溝部122kの外周側の端部と排出口1224とは間接的につながっていることになる。下部流路は、例えば、上部流路121mと同様に、隙間122nにU字部材などを用いて形成されてもよい。本実施の形態では、前者の場合、すなわち外周側溝部122kの外周側の端部の位置が、排出口1224の位置である場合について主に説明する。
 下部プレート部材27に設けられた上下方向の貫通孔27aは、下部プレート部材27が下部ユニット22の凹部122dに装着された際に、平面視で排出口1224b、1224cとそれぞれ重なっていることが好適である。このようにして、例えば、図19で示されるように、ウェハ2から下部ユニット22の上面と下部ヒータ25の下面との間の隙間122nに流れた流体を、排出口1224b、1224cから排出することができる。なお、貫通孔27aの個数は問わない。貫通孔27aの個数は、例えば、1個であってもよく、3個以上であってもよい。なお、貫通孔27aの個数に応じた個数の排出口1224が、下部ユニット22の上面に設けられていることが好適である。
 上部プレート部材26及び下部プレート部材27は、例えば、ポリテトラフルオロエチレンなどのフッ素樹脂、またはシリコンなどの樹脂材料によって構成されてもよい。なお、上部プレート部材26及び下部プレート部材27は、逆止弁として作用することが好適であるため、内周面側がたわむことができる程度の弾性を有していることが好適である。上部プレート部材26及び下部プレート部材27は、例えば、外周側が上部ユニット21及び下部ユニット22の凹部121d及び凹部122dにそれぞれねじ止め等によって固定されてもよい。また、U字部材28は、例えば、樹脂、金属等の材料によって構成されてもよい。U字部材28もねじ止め等によって、上部ユニット21または上部ヒータ24に固定されてもよい。
 上部プレート部材26及び下部プレート部材27は、それぞれ円筒形状の支持部24b、25bの周囲に配置される。したがって、上部プレート部材26及び下部プレート部材27の孔26c、27cの中心を通り、上部プレート部材26及び下部プレート部材27の面方向に垂直な直線は、通常、円筒形状である支持部24b、25bの中心軸と同軸になる。
 次に、上部プレート部材26及び下部プレート部材27の箇所における流体の流れについて、図16の破線で囲われた領域をそれぞれ拡大した図面である図17、図18を用いて説明する。なお、図17、図18では、収容空間22cに対して流体の注入と排出とが並行して行われている状況を示しているとする。
 図17において、上部流路121mは、図14Cで示されるように、排出口1224eにつながっている。また、上部プレート部材26は、支持部24bの周囲において、下方から上方に流体が流れるように、角部26bのC面取りがなされている。したがって、図中の矢印で示されるように、上部ユニット21の下面と上部ヒータ24の上面との間の隙間121nから、上部プレート部材26の内周面、周方向溝部121h、外周側溝部121kを介して上部流路121mに向かって流体が流れることになる。そのため、例えば、上部シール部131などの箇所で生じたパーティクル17等は排出口1224eから排出されることになり、ウェハ2の周囲に拡散してウェハ2に付着することを防止することができる。
 図18において、外周側溝部122kの外周側の端部の位置が排出口1224hとなっている。また、下部プレート部材27は、支持部25bの周囲において、上方から下方に流体が流れるように、角部27bのC面取りがなされている。したがって、図中の矢印で示されるように、下部ユニット22の上面と下部ヒータ25の下面との間の隙間122nから、下部プレート部材27の内周面、周方向溝部122h、外周側溝部122kを介して排出口1224h、排出路222に向かって流体が流れることになる。そのため、例えば、下部シール部132などの箇所で生じたパーティクル17等は排出口1224hから排出されることになり、ウェハ2の周囲に拡散してウェハ2に付着することを防止することができる。
 次に、上部ユニット21と下部ユニット22との接触部分で生じたパーティクル17等の排出について、図19を参照して説明する。図19は、図12のB-B線の位置でのチャンバ11の縦断面図における排出口1224d付近を拡大した拡大断面図である。図19で示されるように、下部ユニット22には、収容空間22cの外周に沿って溝部122gが設けられている。溝部122gは、図19で示されるように、チャンバ11が閉じられた状態において、シール部23の下方側となる位置に、上方に開口するように設けられている。そのため、シール部23や、上部ユニット21及び下部ユニット22の接合部において生じたパーティクル17などを効率よく受けることができる。また、上部ヒータ24の上面側を通過した流体も、溝部122gで受けられることが好適である。そのため、上部ヒータ24と下部ユニット22の本体側との間の隙間は、上部ヒータ24の上面側から溝部122gに至る流路よりも狭くなっていることが好適である。さらに、溝部122gの底部に、排出口1224a、1224d、1224e、1224fが設けられている。そのため、溝部122gで受けられたパーティクル17等を、ウェハ2の側に拡散させることなく排出することができ、溝部122gで受けられたパーティクル17等がウェハ2に付着する可能性を低減することができる。また、ウェハ2の上面を通過した流体は、下部ヒータ25の下面側を介して、収容空間22cの中央付近の排出口1224b、1224cから排出される。なお、図19で示されるように、シール部23は、例えば、シール押え23aによって押えられることによって、その位置が保持されてもよい。
 次に、本実施の形態によるウェハ処理装置1の動作について具体的に説明する。まず、図9で示されるように、クランプ41がリリース位置に移動され、開閉手段12によってチャンバ11が開けられ、上部ユニット21及び下部ユニット22が上下方向に離間した状態になっているとする。その状態において、前工程の洗浄装置において、例えばIPA(イソプロピルアルコール)等の洗浄剤によって洗浄されたウェハ2が、搬送ロボットによって搬送され、上部ユニット21の下面側に搬入される。その搬入されたウェハ2は、支持手段20によって支持される(図10)。
 その後、開閉手段12によって上面板16が下降されることによってチャンバ11が閉じられる。なお、収容空間22cにおいては、ウェハ2は、下部ユニット22の支持手段122aによって支持されることになる。また、ステージ42がチャンバ11の軸心に向かって移動されることによって、クランプ41が、上部ユニット21及び下部ユニット22をロックするロック位置に移動される(図11)。
 そして、二酸化炭素の注入路に接続された注入バルブが開けられ、チャンバ11の収容空間22cに二酸化炭素が注入される。二酸化炭素は、例えば、加圧ポンプなどの昇圧機構を用いて昇圧されて収容空間22cに注入される。また、上部ヒータ24及び下部ヒータ25によって、注入された二酸化炭素が加熱される。
 注入された二酸化炭素は、収容空間22c内の圧力が臨界圧力7.38MPa以上、温度が臨界温度31.1℃以上になると超臨界状態となり、ウェハ2上のIPA等は、超臨界状態の二酸化炭素に溶解される。収容空間22cにおける超臨界状態の二酸化炭素(超臨界流体)の圧力が一定値を超えると、排出路222に接続された排出バルブ(圧力調整バルブ)によって、収容空間22c内の圧力を保ちながら超臨界流体が徐々に排出される。このようにして、ウェハ2に付着していたIPA等が溶解した超臨界流体が排出され、収容空間22cにおいて、ウェハ2からのIPA等の除去が行われることになる。
 なお、収容空間22cは、少なくともIPA等の排出が完了するまで二酸化炭素が超臨界状態となる圧力及び温度に保たれることが好適である。収容空間22cは、例えば、圧力は7.4~15MPaに、また、温度は上部ヒータ24及び下部ヒータ25によって31~50℃に保たれることが好ましい。
 収容空間22cへの二酸化炭素の注入は継続されるため、超臨界二酸化炭素流体の注入と、IPA等が溶解している超臨界二酸化炭素流体の排出が並行して行われることになる。その場合に、図17、図18で示されるように、上部ユニット21と上部ヒータ24との接触部分で発生したパーティクル、粉塵等は、周方向溝部121h、外周側溝部121k、及び上部流路121mを介して、排出口1224に流れ、下部ユニット22と下部ヒータ25との接触部分で発生したパーティクル、粉塵等は、周方向溝部122h、外周側溝部122kを介して、排出口1224に流れることになる。また、上部ユニット21と下部ユニット22との接触部分で発生したパーティクル、粉塵等は、収容空間22cの周囲に設けられた溝部122gを介して排出口1224に流れることになる。したがって、パーティクル等がウェハ2の周囲に拡散することを防止することができる。
 IPA等が溶解している超臨界流体の排出が終了すると、注入バルブが閉じられ、収容空間22c内を排出バルブによって降圧し、超臨界流体を気体に相転換させてから排出する。その後、排出バルブが閉じられる。収容空間22cは、加温が停止されてもよく、31~50℃に維持されてもよい。なお、超臨界流体によるIPA等の排出が終了したかどうかは、例えば、IPA等を検知するセンサによって収容空間22c内においてIPA等を検知することによって確認されてもよい。IPA等を検知するセンサは、例えば、アルコール検知センサ等であってもよい。
 その後、クランプ41は、リリース位置に移動される。また、開閉手段12によって上面板16が上昇されることによってチャンバ11が開けられ、上部ユニット21と下部ユニット22とが離間する。上部ユニット21と下部ユニット22とが離間することによって、ウェハ2は、下部ユニット22の支持手段122aによって支持された状態から、上部ユニット21の支持手段20によって支持された状態となり、上部ユニット21と一緒に上方に移動する。そして、超臨界流体を用いて乾燥されたウェハ2は、搬送ロボットによって搬出され、一連の乾燥処理が終了になる。
 以上のように、本実施の形態によるウェハ処理装置1によれば、パーティクル等の発生しやすい箇所から排出口1224までの流路を形成することができるため、パーティクル等のウェハ2の周囲への拡散を防止することができる。具体的には、上部ユニット21の孔部121eにおいて発生するパーティクル等を、周方向溝部121h及び外周側溝部121kを介して、排出口1224に導くことができる。また、下部ユニット22の孔部122eにおいて発生するパーティクル等を、周方向溝部122h及び外周側溝部122kを介して、排出口1224に導くことができる。したがって、パーティクル等がウェハ2のほうに拡散することを防止することができ、ウェハ2にパーティクル等が付着する可能性をより低減することができるようになる。また、上部流路121mや下部流路がU字部材28等によって形成されている場合には、上部流路121mや下部流路から、パーティクル等がウェハ2のほうに拡散することを防止することができる。
 また、収容空間22cの外周側であって、シール部23の下方側に溝部122gが設けられており、溝部122gの底部に排出口1224が設けられていることにより、シール部23や、上部ユニット21と下部ユニット22との接触部分において生じたパーティクル等を溝部122gから排出することができ、パーティクル等が拡散してウェハ2に付着することを防止することができる。
 また、平面視における収容空間22cの一端側(例えば、図12の右側)に注入口1223が設けられており、他端側(例えば、図12の左側)に排出口1224が設けられていている場合には、ウェハ2上を一方向に超臨界流体が流れることになり、IPA等の処理液を含む超臨界流体がウェハ2上に滞留することや、処理液を含む超臨界流体がウェハ2に戻ることを回避することができる。その結果、効率よく処理液を除去することができるようになる。
 なお、本実施の形態では、図17で示されるように、外周側溝部121kの外周側の端部が、上部流路121mを介して排出口1224につながっている場合について主に説明したが、そうでなくてもよい。例えば、上部ユニット21に排出口1224が設けられている場合には、外周側溝部121kの外周側の端部の位置が、排出口1224の位置となっていてもよい。この場合には、外周側溝部121kの外周側の端部は、平面視において、上部プレート部材26の外縁よりも内側に位置していてもよい。このように、外周側溝部121kの外周側の端部が排出口1224につながる構成は問わない。
 また、本実施の形態では、図18で示されるように、外周側溝部122kの外周側の端部の位置が、排出口1224の位置である場合について主に説明したが、そうでなくてもよい。例えば、外周側溝部122kの外周側の端部から排出口1224につながる下部流路が形成されていてもよい。その下部流路は、例えば、下部ユニット22の上面と、下部ヒータ25の下面との間の隙間122nに、U字部材や、その他の部材などを用いて形成されてもよい。この場合には、外周側溝部122kの外周側の端部は、平面視において、下部プレート部材27の外縁よりも外方に位置していてもよい。このように、外周側溝部122kの外周側の端部が排出口1224につながる構成は問わない。
 ここで、例えば、外周側溝部121kの外周側の端部の位置が排出口1224の位置となっている場合には、通常、その排出口1224は、上方に延びる排出路に接続されていることになる。したがって、流体の排出が行われていない場合には、排出路に存在する流体に含まれるパーティクル等が、重力の影響によって下方側に、すなわち外周側溝部122kの側に逆流する可能性がある。また、外周側溝部122kの外周側の端部が、下部流路を介して排出口1224につながっており、下部流路が隙間122nに形成されている場合には、通常、下部流路のほうが、外周側溝部122kよりも上方側に位置することになる。したがって、流体の排出が行われていない場合には、下部流路に存在する流体に含まれるパーティクル等が、重力の影響によって下方側に、すなわち外周側溝部122kの側に逆流する可能性がある。一方、図16で示されるように構成されている場合には、流体の排出が行われていなくても、上部流路121mのパーティクル等が外周側溝部121kの側に逆流する可能性は低く、また、排出路222のパーティクル等が外周側溝部122kの側に逆流する可能性も低い。したがって、図16で示されるように、外周側溝部121kの外周側の端部は、上部流路121mを介して排出口1224につながることが好適であり、外周側溝部122kの外周側の端部の位置が、下部ユニット22に設けられた排出口1224の位置となっていることが好適である。
 また、本実施の形態では、上部プレート部材26及び下部プレート部材27がそれぞれ円環形状の部材である場合について説明したが、そうでなくてもよい。上部プレート部材26及び下部プレート部材27はそれぞれ、支持部24b、25bの通る円形状の孔26c、27cを有しているのであれば、外周側の形状は問わない。上部プレート部材26及び下部プレート部材27の少なくとも一方の外周側の形状は、例えば、楕円形状、矩形状、多角形状等であってもよい。
 また、本実施の形態では、外周側溝部121k、122kが、円環形状の上部プレート部材26及び下部プレート部材27の半径方向に延びる場合について主に説明したが、そうでなくてもよい。外周側溝部121k、122kはそれぞれ、少なくとも周方向溝部121h、122hから上部プレート部材26及び下部プレート部材27の外周側に延びるものであればよく、外周側溝部121k、122kの延びる方向は問わない。また、外周側溝部121k、122kは、例えば、直線状のものであってもよく、曲線状のものであってもよい。また、上述したように、外周側溝部121k、122kの外周側の端部はそれぞれ、上部プレート部材26、下部プレート部材27の外縁よりも外方に存在してもよく、または、外縁よりも内側に存在してもよい。
 また、本実施の形態では、ウェハ処理装置1が上部ヒータ24及び下部ヒータ25の両方を備えている場合について主に説明したが、そうでなくてもよい。ウェハ処理装置1は、上部ヒータ24を有していなくてもよく、または、下部ヒータ25を有していなくてもよい。ウェハ処理装置1が上部ヒータ24を有していない場合には、上部ユニット21に上部シール部131や上部プレート部材26が装着されていなくてもよい。また、ウェハ処理装置1が下部ヒータ25を有していない場合には、下部ユニット22に下部シール部132や下部プレート部材27が装着されていなくてもよい。
 また、実施の形態1によるウェハ処理装置1の下部ユニット22に、本実施の形態で説明した溝部122gが設けられてもよい。また、本実施の形態では、収容空間22cの外周側に、収容されたウェハ2を取り囲むように環状の溝部122gが設けられている場合について説明したが、そうでなくてもよい。収容空間22cには、溝部122gが設けられていなくてもよい。
 また、本実施の形態では、収容空間22cが所定の圧力になるまでは流体の排出が行われない場合について説明したが、そうでなくてもよい。二酸化炭素などの流体をボンベから収容空間22cに供給し始めた際に、所定の期間(例えば、数秒程度)だけ排出口1224を介した排気を行い、その後に、排気を終了して収容空間22cの圧力が上昇するようにしてもよい。そのようにすることで、昇圧開始時に収容空間22cに残留しているパーティクルや粉塵等を、収容空間22cから排出することができる。
 また、本発明は、以上の実施の形態に限定されることなく、種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることは言うまでもない。
 以上より、本発明の一形態によるウェハ処理装置によれば、例えば、チャンバへのウェハの搬入方向と搬出方向とを異なる方向とすることができ、より短いタクトタイムでウェハの処理を行うことができるウェハ処理装置として有用である。また、本発明の一形態によるウェハ処理装置によれば、例えば、パーティクル等をウェハのほうに拡散させることなく排出できるという効果が得られ、ウェハに対して超臨界流体を用いた所定の処理を行うウェハ処理装置等として有用である。

Claims (14)

  1. 上部ユニット、及び前記上部ユニットと対向してウェハを収容する収容空間を構成する下部ユニットを有し、前記ウェハに超臨界流体を用いた所定の処理を行うためのチャンバと、
    前記上部及び下部ユニットの少なくとも一方を上下方向に移動させることによって前記チャンバを開閉する開閉手段と、
    前記上部チャンバ側に設けられた、水平方向に搬入されるウェハを支持する支持手段を垂直方向の軸周りに回転させる回転手段と、を備え、
    前記回転手段は、前記チャンバへのウェハの搬入方向と、前記チャンバからの当該ウェハの搬出方向とが所定の角度となるように前記支持手段を回転させる、ウェハ処理装置。
  2. 垂直方向の軸周りに回転可能となるように前記上部ユニットに設けられ、前記支持手段が下面側に設けられた上部ヒータをさらに備え、
    前記回転手段は、前記上部ヒータを垂直方向の軸周りに回転させる、請求項1記載のウェハ処理装置。
  3. 前記回転手段は、前記チャンバに収容されたウェハに前記所定の処理が行われている際にも、前記上部ヒータを回転させる、請求項2記載のウェハ処理装置。
  4. 前記支持手段は、前記上部ユニットの下面側に設けられており、
    前記回転手段は、前記上部及び下部ユニットが離間した状態において、前記上部ユニットを垂直方向の軸周りに回転させる、請求項1記載のウェハ処理装置。
  5. 前記チャンバは、前記チャンバが閉じられた際に前記上部及び下部ユニットの間をシールするためのシール部をさらに有しており、
    前記上部及び下部ユニットが離間した状態は、前記上部及び下部ユニットの一方に設けられた前記シール部が、前記上部及び下部ユニットの他方側から離れた状態である、請求項4記載のウェハ処理装置。
  6. 前記上部ヒータは、前記収容空間において水平方向に延びる加熱プレートと、当該加熱プレートの上面に接続され、前記上部ユニットに設けられた円筒形状の孔部に挿入される円筒形状の支持部とを有しており、
    前記支持部と前記孔部との間をシールするための上部シール部と、
    前記支持部の周囲において流体が下方から上方に移動可能となるように前記上部シール部の前記収容空間側に設けられた、前記支持部の通る円形状の孔を有する上部プレート部材と、をさらに備え、
    前記収容空間に流体を注入するための1以上の注入口、及び前記収容空間から流体を排出するための1以上の排出口がそれぞれ、前記上部及び下部ユニットの少なくとも一方に設けられており、
    前記加熱プレートの上面と前記上部ユニットの下面との間には、流体が流通可能な水平方向に延びる隙間が存在し、
    前記孔部の下端側の開口には、前記支持部の周囲に周方向に沿って周方向溝部が設けられており、
    前記上部ユニットの下面には、前記周方向溝部から前記上部プレート部材の外周側に向かって延びる外周側溝部が設けられており、
    前記上部プレート部材は、前記外周側溝部の下方側の開口の少なくとも一部、及び前記周方向溝部の下方側の開口のすべてを塞ぐように設けられ、
    前記外周側溝部の外周側の端部は排出口につながっている、請求項2また請求項3記載のウェハ処理装置。
  7. 前記収容空間において水平方向に延びる加熱プレートと、当該加熱プレートの下面に接続され、前記下部ユニットに設けられた円筒形状の孔部に挿入される円筒形状の支持部とを有する下部ヒータと、
    前記下部ヒータの前記支持部と前記下部ユニットの前記孔部との間をシールするための下部シール部と、
    前記下部ヒータの前記支持部の周囲において流体が上方から下方に移動可能となるように前記下部シール部の前記収容空間側に設けられた、前記下部ヒータの前記支持部の通る円形状の孔を有する下部プレート部材と、をさらに備え、
    前記下部ヒータの前記加熱プレートの下面と前記下部ユニットの上面との間には、流体が流通可能な水平方向に延びる隙間が存在し、
    前記下部ユニットの前記孔部の上端側の開口には、前記下部ヒータの前記支持部の周囲に周方向に沿って周方向溝部が設けられており、
    前記下部ユニットの上面には、前記下部ユニットの周方向溝部から前記下部プレート部材の外周側に向かって延びる外周側溝部が設けられており、
    前記下部プレート部材は、前記下部ユニットの前記外周側溝部の上方側の開口の少なくとも一部、及び前記下部ユニットの前記周方向溝部の上方側の開口のすべてを塞ぐように設けられ、
    前記下部ユニットの前記外周側溝部の外周側の端部は排出口につながっている、請求項1から請求項6のいずれか記載のウェハ処理装置。
  8. 上部ユニット、及び前記上部ユニットと対向してウェハを収容する収容空間を構成する下部ユニットを有し、前記ウェハに超臨界流体を用いた所定の処理を行うためのチャンバと、
    前記上部及び下部ユニットの少なくとも一方を上下方向に移動させることによって前記チャンバを開閉する開閉手段と、
    前記収容空間において水平方向に延びる加熱プレートと、当該加熱プレートの上面に接続され、前記上部ユニットに設けられた円筒形状の孔部に挿入される円筒形状の支持部とを有する上部ヒータと、
    前記支持部と前記孔部との間をシールするための上部シール部と、
    前記支持部の周囲において流体が下方から上方に移動可能となるように前記上部シール部の前記収容空間側に設けられた、前記支持部の通る円形状の孔を有する上部プレート部材と、を備え、
    前記収容空間に流体を注入するための1以上の注入口、及び前記収容空間から流体を排出するための1以上の排出口がそれぞれ、前記上部及び下部ユニットの少なくとも一方に設けられており、
    前記加熱プレートの上面と前記上部ユニットの下面との間には、流体が流通可能な水平方向に延びる隙間が存在し、
    前記孔部の下端側の開口には、前記支持部の周囲に周方向に沿って周方向溝部が設けられており、
    前記上部ユニットの下面には、前記周方向溝部から前記上部プレート部材の外周側に向かって延びる外周側溝部が設けられており、
    前記上部プレート部材は、前記外周側溝部の下方側の開口の少なくとも一部、及び前記周方向溝部の下方側の開口のすべてを塞ぐように設けられ、
    前記外周側溝部の外周側の端部は排出口につながっている、ウェハ処理装置。
  9. 前記外周側溝部の外周側の端部から排出口につながる上部流路が、前記加熱プレートの上面と前記上部ユニットの下面との間に配設された平面視がU字形状のU字部材によって形成され、
    前記U字部材は、開口側が排出口側となり、他端側が前記外周側溝部の外周側の端部の位置となるように配置される、請求項8記載のウェハ処理装置。
  10. 前記収容空間において水平方向に延びる加熱プレートと、当該加熱プレートの下面に接続され、前記下部ユニットに設けられた円筒形状の孔部に挿入される円筒形状の支持部とを有する下部ヒータと、
    前記下部ヒータの前記支持部と前記下部ユニットの前記孔部との間をシールするための下部シール部と、
    前記下部ヒータの前記支持部の周囲において流体が上方から下方に移動可能となるように前記下部シール部の前記収容空間側に設けられた、前記下部ヒータの前記支持部の通る円形状の孔を有する下部プレート部材と、をさらに備え、
    前記下部ヒータの前記加熱プレートの下面と前記下部ユニットの上面との間には、流体が流通可能な水平方向に延びる隙間が存在し、
    前記下部ユニットの前記孔部の上端側の開口には、前記下部ヒータの前記支持部の周囲に周方向に沿って周方向溝部が設けられており、
    前記下部ユニットの上面には、前記下部ユニットの周方向溝部から前記下部プレート部材の外周側に向かって延びる外周側溝部が設けられており、
    前記下部プレート部材は、前記下部ユニットの前記外周側溝部の上方側の開口の少なくとも一部、及び前記下部ユニットの前記周方向溝部の上方側の開口のすべてを塞ぐように設けられ、
    前記下部ユニットの前記外周側溝部の外周側の端部は排出口につながっている、請求項8または請求項9記載のウェハ処理装置。
  11. 上部ユニット、及び前記上部ユニットと対向してウェハを収容する収容空間を構成する下部ユニットを有し、前記ウェハに超臨界流体を用いた所定の処理を行うためのチャンバと、
    前記上部及び下部ユニットの少なくとも一方を上下方向に移動させることによって前記チャンバを開閉する開閉手段と、
    前記収容空間において水平方向に延びる加熱プレートと、当該加熱プレートの下面に接続され、前記下部ユニットに設けられた円筒形状の孔部に挿入される円筒形状の支持部とを有する下部ヒータと、
    前記支持部と前記孔部との間をシールするための下部シール部と、
    前記支持部の周囲において流体が上方から下方に移動可能となるように前記下部シール部の前記収容空間側に設けられた、前記支持部の通る円形状の孔を有する下部プレート部材と、を備え、
    前記加熱プレートの下面と前記下部ユニットの上面との間には、流体が流通可能な水平方向に延びる隙間が存在し、
    前記孔部の上端側の開口には、前記支持部の周囲に周方向に沿って周方向溝部が設けられており、
    前記下部ユニットの上面には、前記下部ユニットの周方向溝部から前記下部プレート部材の外周側に向かって延びる外周側溝部が設けられており、
    前記下部プレート部材は、前記外周側溝部の上方側の開口の少なくとも一部、及び前記周方向溝部の上方側の開口のすべてを塞ぐように設けられ、
    前記外周側溝部の外周側の端部は排出口につながっている、ウェハ処理装置。
  12. 前記チャンバは、当該チャンバが閉じられた際に前記上部及び下部ユニットの間をシールするためのシール部を有しており、
    前記下部ユニットには、前記シール部の下方側に、前記収容空間の外周に沿って溝部が設けられており、
    当該溝部の底部に排出口が設けられている、請求項1から請求項4、及び請求項6から請求項11のいずれか記載のウェハ処理装置。
  13. 前記所定の処理は、超臨界流体を用いたウェハの乾燥処理である、請求項1から請求項12のいずれか記載のウェハ処理装置。
  14. 前記所定の処理は、超臨界流体を用いたウェハの洗浄乾燥処理である、請求項1から請求項12のいずれか記載のウェハ処理装置。
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