JP2003282666A - 基板搬送装置および基板処理装置 - Google Patents
基板搬送装置および基板処理装置Info
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Abstract
たりするのを防止しながら、基板をウェット搬送するこ
とができる基板搬送装置、ならびに該基板搬送装置を備
えた基板処理装置を提供する。 【解決手段】 上蓋部材38が基板Wと同程度の平面サ
イズを有する円板部と、その周縁から下方に突起したフ
ランジ部とを備えており、基板表面上方から基板表面を
覆って基板Wとの間で微小空間S1を形成する。そし
て、リンス液供給部からリンス液が微小空間S1に供給
されて、その微小空間S1がリンス液で満たされる。こ
のように上蓋部材38が基板表面を覆うように近接配置
されており、しかも、こうしてリンス液で充満された乾
燥防止用空間は微小空間S1に規制されているため、リ
ンス液の表面張力により微小空間S1からリンス液が零
れるのが効果的に防止される。
Description
フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プ
ラズマ表示用ガラス基板、光ディスク用基板などの各種
基板(以下、単に「基板」という)を搬送する基板搬送
装置、特に現像液、エッチング液、リンス液などの処理
液によりウェット処理された基板をウェット搬送する基
板搬送装置、ならびに該基板搬送装置を備えた基板処理
装置に関するものである。
8に示す基板処理装置が提案されている。この基板処理
装置では、インデクサ1と、インデクサ1の一方側に隣
接して配置された処理モジュール2とが設けられてい
る。インデクサ1は、複数枚の基板Wをそれぞれ収容で
きる複数のカセット11が載置されるカセット載置部1
2、およびY方向に沿って長いインデクサ搬送路13上
を移動でき、カセット11との間で基板Wの搬入/搬出
を行うためのインデクサロボット14を備えている。処
理モジュール2は、Y方向に垂直なX方向に沿って長い
主搬送路21上を移動して基板Wを搬送する主搬送ロボ
ット(基板搬送ユニット)22と、主搬送路21の両側
に配置されたユニット列23,24とを備えている。こ
れらのユニット列23,24には、それぞれ、処理ユニ
ット231〜233,241〜243がX方向に配列さ
れている。
は、カセット11に収容されている基板Wは、インデク
サロボット14により搬出された後、さらに主搬送ロボ
ット22に受け渡される。そして、未処理の基板Wを受
け取った主搬送ロボット22は処理ユニット231〜2
33,241〜243のうちいずれかの処理ユニットの
前まで移動し、当該処理ユニットに基板Wを搬入する。
また、処理後の基板Wについては、主搬送ロボット22
により該処理ユニットから搬出され、次の処理ユニット
まで搬送される。
基板Wに施された後、主搬送ロボット22は、基板Wを
保持したまま主搬送路21上を移動し、当該基板Wをイ
ンデクサロボット14に受け渡す。そして、インデクサ
ロボット14は、受け渡された基板Wを元々収容されて
いたカセット11に収容する。このような構成によれ
ば、主搬送ロボット22は、処理ユニット231〜23
3,241〜243に任意の順序でアクセスできるの
で、基板Wに施すべき処理の順序を任意に設定できる。
などの電子部品の微細化が近年急速に進められている
が、この微細化に伴って基板処理において新たな問題が
生じることとなった。例えば、基板上に塗布されたレジ
ストをパターニングして微細パターンを形成する場合、
現像処理、リンス処理および乾燥処理をこの順序で行
う。ここで、基板に塗布されたレジストを現像するアル
カリ現像処理では、不要なレジストを除去するためにア
ルカリ性水溶液が使用され、リンス処理ではそのアルカ
リ性水溶液を除去するために(現像を停止するために)
純水などのリンス液が使用され、乾燥処理では基板を回
転させることにより基板上に残っているリンス液に遠心
力を作用させて基板からリンス液を除去し、乾燥させる
(スピン乾燥)。このうち乾燥において、乾燥の進展と
ともにリンス液と気体との界面が基板上に現れ、半導体
デバイス等の微細パターンの間隙にこの界面が現れる
と、微細パターン同士がリンス液の表面張力により互い
に引き寄せられて倒壊する問題があった。
ンス液を振り切る際の流体抵抗や、リンス液が微細パタ
ーンから排出される時に生じる印圧や、3000rpm
超の高速回転による空気抵抗や遠心力も関与していると
考えられている。
圧力容器内で保持し、低粘性、高拡散性でかつ表面張力
がない性質を持つ超臨界流体(以下、「SCF」とい
う)を該圧力容器に導入して基板を超臨界乾燥する超臨
界乾燥処理を上記乾燥処理として利用することが従来よ
り提案されている。その従来技術として、例えば特開2
000−223467号公報に記載された超臨界乾燥装
置がある。この超臨界乾燥装置は、現像処理およびリン
ス処理が施された基板を反応室内で保持可能となってお
り、基板を保持した状態でポンプユニットを作動させて
一定量の液化二酸化炭素をボンベから反応室に圧送する
とともに、反応室内の二酸化炭素の圧力を圧力制御バブ
ルで自動制御することにより、反応室内の二酸化炭素の
圧力を7.38〜8MPaにし、反応室内の二酸化炭素
を超臨界流体としている。その後、超臨界二酸化炭素を
反応室から放出することにより反応室内を減圧して、基
板を乾燥している。
装置は乾燥処理のみを行う装置であり、上記処理ユニッ
ト231〜233,241〜243の一部をこの超臨界
乾燥装置で構成した場合には、残りのユニットの一部ま
たは全部を現像処理およびリンス処理を実行する現像装
置で構成する必要がある。すなわち、現像処理から乾燥
処理まで同一ユニットで行うのではなく、現像液やリン
ス液を使用して基板に対してウェット処理ユニットと、
超臨界乾燥処理を行う乾燥ユニットとをそれぞれ異なる
ユニットで構成する必要がある。さらに、ウェット処理
ユニットにおいて現像処理およびリンス処理を行った
後、リンス液で濡らした状態の基板を超臨界乾燥ユニッ
トまで搬送する必要がある。というのも、ウェット処理
ユニットから超臨界乾燥ユニットに搬送している間に該
基板が自然乾燥してしまうと、微細パターン同士がリン
ス液の表面張力により互いに引き寄せられて倒壊してし
まい、超臨界乾燥を行う意味がなくなってしまうからで
ある。
状態で基板をウェット処理ユニットから超臨界乾燥ユニ
ットに搬送する場合、その基板搬送中に基板に液盛りさ
れているリンス液が零れたり、垂れたり、飛散したりし
て基板の搬送経路に沿って設けられている装置を汚染し
てしまうという問題がある。特に、基板表面が疎水面と
なっている場合にはリンス液の零れなどが顕著なものと
なる。
現像処理およびリンス処理を実行する基板処理装置にお
ける問題を述べたが、かかる問題は上記基板処理装置に
限った問題ではなく、処理液により所定のウェット処理
された基板を、ウェット状態のまま別の処理ユニットに
ウェット搬送する必要がある基板処理装置全般に共通す
る問題であり、また基板表面のみならず基板裏面につい
てもウェット状態のまま搬送する基板処理装置において
も共通する問題となっている。
あり、基板を濡らしている処理液が零れたり、垂れたり
するのを防止しながら、基板をウェット搬送することが
できる基板搬送装置、ならびに該基板搬送装置を備えた
基板処理装置を提供することを目的とする。
達成するため、所定の処理液で濡らされた基板を保持す
る基板保持手段と、基板保持手段に保持された基板から
離間して対面配置されて基板との間で乾燥防止用空間を
形成する空間形成手段と、乾燥防止用空間に乾燥防止成
分を供給する供給手段と、乾燥防止用空間が乾燥防止成
分で満たされた状態で基板保持手段および空間形成部材
を一体的に移動させて基板を搬送する駆動手段とを備え
ている。
間形成手段との間に形成される乾燥防止用空間が乾燥防
止成分で満たされた状態で基板搬送が行われるため、基
板搬送中の基板乾燥が確実に防止される。また、乾燥防
止成分の充満範囲が乾燥防止用空間に規制されることか
ら、基板のウェット搬送中に基板を濡らしている処理液
が零れたり、垂れたりするのを防止することができる。
また、乾燥防止成分の使用量を抑制することができる。
で基板搬送する場合には、例えば基板表面の乾燥を防止
するためには、表面側空間形成板を基板の表面から離間
して対面配置されて基板表面側で乾燥防止用空間を形成
する表面側空間形成板を空間形成手段として設ければよ
い。また、基板表面に加えて基板裏面についても乾燥を
防止するために基板の裏面から離間して対面配置されて
基板裏面側で乾燥防止用空間を形成する裏面側空間形成
板を空間形成手段として設ければよい。こうすることで
基板両面の乾燥を防止しながら、基板をウェット搬送す
ることが可能となる。
たすために、乾燥防止用空間に液状または霧状の乾燥防
止成分を供給するようにしてもよく、その乾燥防止成分
としては、処理液と同一成分のものを用いるのが好適で
ある。
を配置するとともに、供給手段により基板搬送中に乾燥
防止用空間に乾燥防止成分をさらに供給するようにして
もよく、こうすることで、基板搬送中において乾燥防止
用空間を常に乾燥防止成分で完全に満たすことができ、
乾燥防止をさらに確実に行うことができる。なお、乾燥
防止用空間への乾燥防止成分の追加供給により基板から
零れた乾燥防止成分や処理液などの液体成分が零れる場
合があるが、これらの液体成分については、捕集手段に
より捕集回収することができ、その液体成分が装置外部
に及ぶのを防止することができる。このとき、駆動手段
によって基板保持手段および空間形成部材を一体的に移
動させるのみならず、同時に捕集手段も一体的に移動さ
せて基板を搬送するのが望ましい。
方主面を覆うように離間配置される蓋部材で構成しても
よく、特に乾燥防止用空間に面する蓋部材の周縁部をそ
の中央部よりも疎水性の大きな材料で構成すると、蓋部
材の周縁部から乾燥防止用空間の外側に処理液や乾燥防
止成分などの液体成分が零れるのをより確実に防止する
ことができ、乾燥防止用空間に乾燥防止成分を安定して
満たすことができ、好適である。
ため、基板に対して所定の処理液を供給してウェット処
理する第1処理ユニットと、第1処理ユニットにより処
理された基板に対して所定の処理を施す第2処理ユニッ
トと、請求項1ないし8のいずれかに記載の基板搬送装
置と同一構成を有し、第1処理ユニットでウェット処理
された基板を第2処理ユニットにウェット搬送する基板
搬送ユニットとを備えている。
ユニットによりウェット処理されて処理液で濡れた状態
の基板は乾燥防止成分に接触したまま第2処理ユニット
に搬送されることとなり、その搬送中に基板が乾燥され
るのを確実に防止することができる。もちろん、基板搬
送ユニットは上記した基板搬送装置と同一構成を有して
いるため、そのウェット搬送中に液体成分が零れたり、
垂れるなどの不都合を確実に防止することができる。
置の一実施形態を示す図であり、また図2は図1の基板
搬送装置の部分拡大図である。この基板搬送装置は、例
えば図8で示した主搬送ロボット22として用いること
ができる装置であり、乾燥状態の基板Wを処理ユニット
間で搬送、いわゆるドライ搬送することができるととも
に、必要に応じて乾燥防止用空間を形成し、その乾燥防
止用空間に乾燥防止成分としてリンス液を満たした状態
でウェット搬送することができるように構成されてい
る。以下、その基板搬送装置の構成および動作について
図面を参照しつつ詳述する。
上を往復移動可能に構成された円筒状の装置本体30を
備えている。この装置本体30に対して、円筒状の外形
を有するコラム32が昇降および回動自在に取り付けら
れている。すなわち、コラム32は、装置本体30に備
えられた昇降機構(図示せず)によって上下方向に昇降
駆動させられる。また、コラム32は装置本体30内に
備えられた回動機構によってコラム32の中心を貫く鉛
直軸A0まわりに回動駆動される。
ム34は取り付けられている。この基板搬送アーム34
は、多関節アームであって、コラム32の上面に鉛直軸
A0まわりの回動が自在であるように取り付けられたベ
ースアーム341と、このベースアーム341の先端に
鉛直軸A1まわりに回動自在であるように取り付けられ
た中間アーム342と、中間アーム342の先端に鉛直
軸A2まわりに回動自在であるように取り付けられたハ
ンド保持部343とを有している。そして、ハンド保持
部343には基板保持用のハンド(基板保持手段)36
の基端部が固定されている。
なり、その先端部が基端部よりも一段低くなっている。
そして、その先端部の上面に基板Wの裏面を真空吸着す
るための吸着孔361(図2)を有しており、図示を省
略する負圧機構を作動させることで基板Wを略水平状態
で吸着保持可能となっている。そして、ハンド36によ
り吸着保持された基板Wを上下方向から挟み込むように
上蓋部材38および受皿40がそれぞれ基板表面および
裏面から離間して対向配置されている。
Wと同程度の平面サイズを有する円板部381と、その
周縁から下方に突起したフランジ部382とを備えてお
り、基板表面上方から基板表面を覆って基板Wとの間で
微小空間S1を形成する(この時点での上蓋部材38の
位置を「空間形成位置」という)。また、フランジ部3
82の略中央部には供給口(図示省略)が形成されると
ともに、その供給口にチューブ42を介してリンス液供
給部が接続されている。このため、図1や図2に示すよ
うに上蓋部材38を基板表面から離間して対向配置させ
て微小空間S1を形成した状態で、リンス液供給部を作
動させると、その微小空間S1に向けてリンス液が供給
されて該空間S1を満たし、基板Wの表面の乾燥を防止
可能となる。このように、この実施形態では上蓋部材3
8が本発明の「乾燥防止用空間」に相当する微小空間S
1を形成しており、本発明の「空間形成手段」および
「表面側空間形成板」として機能している。
りに約180゜回動自在に設けられた長尺アーム44に
よってハンド保持部343に連結されており、この長尺
アーム44を蓋回動機構(図示省略)により矢印方向P
1に回動駆動することで、上記したように空間形成位置
に位置決めしたり、上蓋部材38を基板Wから退避させ
ることができるように構成されている。また、装置本体
30、コラム32および基板搬送アーム34によりなる
駆動機構(本発明の「駆動手段」に相当)によってハン
ド36が移動するのと同時に、上蓋部材38もハンド3
6と一体的に移動する。
は、図2に示すように、基板Wおよび上蓋部材38に向
けて開口しており、基板Wから零れたり、垂れたりする
リンス液を捕集可能となっている(この時点での受皿4
0の位置を「捕集位置」という)。そして、捕集したリ
ンス液については、受皿40の底面に設けられた排液口
46に接続されたチューブ48を介してドレイン部に回
収される。
直軸A2まわりに回動自在に設けられた長尺アーム50
によってハンド保持部343に連結されており、この長
尺アーム50を皿回動機構(図示省略)により矢印P2
の方向に回動駆動することで、上記したように捕集位置
に位置決めしたり、受皿40を基板Wから退避させるこ
とができるように構成されている。
置の動作について、図3を参照しつつ説明する。ここで
は、本発明の特徴を明確に説明するために、ウェット処
理ユニットにおいて現像処理およびリンス処理を行った
後、リンス液で濡らした状態の基板Wを超臨界乾燥ユニ
ットまで搬送する動作について詳述する。
2)は、現像処理およびリンス処理を完了したウェット
処理ユニットの基板受渡位置まで移動した後、装置本体
30、コラム32および基板搬送アーム34よりなる駆
動機構を作動させてハンド36をウェット処理ユニット
内部に進入して現像処理などの一連の処理を受けてリン
ス液で濡れた状態のままにあるウェット基板Wをハンド
36に受け渡す(図3(a))。このとき、上蓋部材3
8および受皿40については、それぞれ空間形成位置お
よび捕集位置から退避させておく。
ーム44を退避位置から水平軸A3まわりに約180゜
回動させて上蓋部材38を空間形成位置に位置決めす
る。これによって、上蓋部材38が基板Wの表面を覆っ
て基板Wとの間で微小空間S1を形成する。そして、リ
ンス液供給部からリンス液を供給して微小空間S1をリ
ンス液で満たす(同図(b))。上蓋部材38が基板表
面を覆うように近接配置されており、しかも、こうして
リンス液で充満された乾燥防止用空間は微小空間S1に
規制されているため、リンス液の表面張力により微小空
間S1からリンス液が零れるのが効果的に防止される。
なお、この時リンス液の粘度が高ければ微小空間S1に
リンス液を満たした後はリンス液の供給を止める事によ
りリンス液がこぼれるのを防止する事が可能となる。
燥ユニットまでウェット搬送してもよいのであるが、こ
の実施形態では次のようにリンス液を微小空間S1にさ
らに追加供給しながらウェット搬送を行う。具体的に
は、駆動機構を作動させてハンド36をウェット処理ユ
ニットから後退させて基板Wおよび上蓋部材38を該ユ
ニット外に取り出した後、皿回動機構により長尺アーム
50を回動駆動することで受皿40を捕集位置に位置決
めさせる(同図(c))。
供給部からリンス液をさらに供給する(同図(d))。
ここで、追加供給によって基板Wからリンス液が零れる
が、そのうち受皿40に落ちたリンス液については受皿
40により捕集された後、チューブ48を介してドレイ
ン部に回収される。また、零れたリンス液の一部はハン
ド36に落ちるが、このハンド36は既に説明したよう
にクランク部を有しており、先端部は受皿40の上方位
置で基端部よりも一段低くなるように構成されているた
め、基端部にリンス液が伝わって流れるのを防止するこ
とができる。
移動してくると、リンス液の供給を停止した後、皿回動
機構により長尺アーム50を回動駆動することで受皿4
0を捕集位置から退避させる。そして、駆動機構を作動
させてハンド36および上蓋部材38を超臨界乾燥ユニ
ット内部に進入して超臨界乾燥ユニットの基板保持部に
セットするとともに、リンス液を再度供給しながら、蓋
回動機構により上蓋部材38を基板Wから退避させる。
それに続いて、駆動機構によってハンド36を後退駆動
して超臨界乾燥ユニットから後退退避する。これによっ
て、ウェット基板Wの搬送が完了する。
蓋部材38が基板Wとの間で微小空間S1を形成すると
ともに、その微小空間S1にリンス液を満たしながら基
板Wをウェット搬送しているので、基板搬送中に基板W
が乾燥するのを防止することができる。また、微小空間
S1では、リンス液がその表面張力により満たされるよ
うに構成しているので、リンス液が基板Wから零れた
り、垂れるのを効果的に防止することができ、しかも乾
燥防止成分として使用するリンス液の使用量も少なく、
ランニングコスト面でも有利なものとなっている。
トから取り出した後、超臨界乾燥ユニットに搬送するま
での間、微小空間S1にリンス液を追加供給して微小空
間S1を常にリンス液で完全に満たすことができ、乾燥
防止をさらに確実に行うことができる。そして、このよ
うに追加供給することで基板Wから零れた液体成分(リ
ンス液)については、微小空間S1の下方側に配置され
た受皿40で捕集するようにしているので、ウェット搬
送中にリンス液が装置外部に及ぶのを防止することがで
きる。
実施形態を示す図であり、また図5は図4の基板搬送装
置の部分拡大図である。この基板搬送装置も、先の実施
形態と同様に、例えば図8で示した主搬送ロボット22
として用いることができる装置であり、乾燥状態の基板
Wを処理ユニット間で搬送、いわゆるドライ搬送するこ
とができるとともに、必要に応じて乾燥防止用空間を形
成し、その乾燥防止用空間に乾燥防止成分としてリンス
液を満たした状態でウェット搬送することができるよう
に構成されている。以下、その基板搬送装置の構成およ
び動作について先の実施形態との相違点を中心に詳述す
る。
実施形態(図1)と大きく相違している点は、大きく2
つある。まず第1点目は、先の実施形態ではハンド36
によって基板裏面を吸着保持することで基板を保持して
いたが、この実施形態では図4に示すように基板Wの側
面を一対のハンド部材54,56により径方向から挟み
こんで機械的に保持している点である。すなわち、この
実施形態では、ハンド保持部343に対してハンド部材
54が固着される一方、ハンド部材56がハンド部材5
4の上面側でハンド部材54に対して回動軸A4まわり
に回動自在に取り付けられている。
材54には互いに離間して2つの電磁発生部58,60
が内蔵される一方、可動ハンド部材56の基端部にマグ
ネット52が内蔵されている。各電磁発生部58,60
は鉄心部材62にコイル64を巻き付けたものであり、
図示を省略する励磁制御部により電磁発生部58,60
の一方を励磁することで可動ハンド部材56のマグネッ
トとの相互作用により可動ハンド部材56を回動軸A4
まわりに回動させてハンド部材54,56を開閉させ
る。なお、この実施形態では可動ハンド部材56の回動
動作を滑らかにするために可動ハンド部材56の回転軸
A4側の基端部のうち固定ハンド部材54の上面を摺動
する面にトリフルオロエチレンなどの樹脂材料59によ
りコーティングしている。また、コイル64に流す電流
量や極性バランスなどを制御することで可動ハンド部材
56の回動速度、加速度、基板Wを固定する力などを適
宜調整することができる。以上の構成によりシンプルで
パーティクル発生の少ないハンドを構成できる。
は基板裏面に空間形成手段として機能する下蓋部材66
を配置して微小空間S2を形成するとともに、その微小
空間S2にリンス液を供給して微小空間S2をリンス液で
満たして基板裏面の乾燥を防止するように構成している
点である。ここでは、受皿40の内底面から上方に突設
された複数の固定ボール68によって下蓋部材66を支
持固定している。
に、基板Wと同程度の平面サイズを有する円板部661
と、その周縁から下方に突起したフランジ部662とを
備えており、皿回動機構によってアーム50を回動軸A
2まわりに回動させて受皿40を捕集位置に位置決めす
ることで下蓋部材66の開口を基板Wの裏面に向けた状
態で下蓋部材66が基板裏面に近接配置される。このた
め、下蓋部材66が基板裏面下方から基板裏面を覆って
基板Wとの間で微小空間S2を形成する。また、フラン
ジ部662の略中央部には供給口(図示省略)が形成さ
れるとともに、その供給口にチューブを介してリンス液
供給部が接続されている。このため、図4に示すように
上蓋部材38および下蓋部材66を基板Wを上下方向か
ら挟み込むように、各面から離間して対向配置させて微
小空間S1,S2をそれぞれ形成した状態で、リンス液供
給部を作動させると、各微小空間S1,S2に向けてリン
ス液が供給されて両空間S1,S2を満たし、基板Wの両
面の乾燥を防止可能となる。このように、この実施形態
では上蓋部材38のみならず、下蓋部材66も本発明の
「空間形成手段」および「裏面側空間形成板」として機
能し、「乾燥防止用空間」たる微小空間S2を形成す
る。
図1の実施形態と同一であるため、ここでは同一または
相当する構成に同一符号を付して説明を省略する。
置の動作について図6を参照しつつ説明する。ここで
も、本発明の特徴を明確に説明するために、ウェット処
理ユニットにおいて基板Wの両面にウェット処理を行っ
た後、両面を処理液としてリンス液で濡らした状態の基
板を超臨界乾燥ユニットまで搬送する動作について詳述
する。
2)は、ウェット処理を完了したウェット処理ユニット
の基板受渡位置まで移動した後、装置本体30、コラム
32および基板搬送アーム34よりなる駆動機構を作動
させてハンド部材56を開いた状態(図4の破線状態)
で一対のハンド部材54,56をウェット処理ユニット
内部に進入する。それに続いて、電磁発生部58,60
の励磁を切替えてハンド部材56を閉じて基板Wを保持
する(図6(a))。このとき、上蓋部材38および受
皿40については、それぞれ空間形成位置および捕集位
置から退避させておく。
より現像処理などの一連の処理を受けてリンス液で濡れ
た状態のままにあるウェット基板Wを受け渡すと、同図
(b)に示すように、蓋回動機構によって長尺アーム4
4を退避位置から水平軸A3まわりに約180゜回動さ
せて上蓋部材38を空間形成位置に位置決めする。これ
によって、上蓋部材38が基板Wの表面を覆って基板W
との間で微小空間S1を形成する。また同時に、皿回動
機構によってアーム50を回動軸A2まわりに回動させ
て受皿40を捕集位置に位置決めすることで下蓋部材6
6によって基板裏面を覆って基板Wとの間で微小空間S
2を形成する。なお、同図(b)、(c)においては、
説明の便宜から可動ハンド部材56の図示を省略する
が、いずれの場合も基板Wは一対のハンド部材54,5
6により保持されている。
液を供給して微小空間S1,S2をリンス液で満たす(同
図(c))。そして、この状態のまま基板Wを超臨界乾
燥ユニットまでウェット搬送する。なお、このウェット
搬送中においては、リンス液供給部からリンス液を追加
供給してもよいし、またリンス液供給を停止しておいて
もよい。
動してくると、駆動機構を作動させて一対のハンド部材
54,56、上蓋部材38および下蓋部材66を超臨界
乾燥ユニット内部に進入して基板保持部にセットすると
ともに、リンス液を再度供給しながら、蓋回動機構によ
り上蓋部材38を、また皿回動機構により下蓋部材66
をそれぞれ基板Wから退避させる。それに続いて、電磁
発生部58,60の励磁を切替えてハンド部材56を開
いて基板Wの保持を解除した後、駆動機構によって一対
のハンド部材54,56を後退駆動して超臨界乾燥ユニ
ットから後退退避する。これによって、ウェット基板W
の搬送が完了する。
板表面側のみならず、基板裏面側についても乾燥防止を
図ることができる。すなわち、基板表面については先の
実施形態と同様にして基板乾燥が防止されるとともに、
下蓋部材66が本発明の「空間形成手段」として機能し
て基板Wとの間で微小空間S2を形成するとともに、そ
の微小空間S2にリンス液を満たしながら基板Wをウェ
ット搬送しているので、基板搬送中に基板裏面が乾燥す
るのを防止することができる。また、微小空間S2で
は、リンス液がその表面張力により満たされるように構
成しているので、リンス液が基板Wから零れたり、垂れ
るのを効果的に防止することができ、しかも乾燥防止成
分として使用するリンス液の使用量も少なく、ランニン
グコスト面でも有利なものとなっている。
空間S1,S2にリンス液を追加供給することで微小空間
S1,S2を常にリンス液で満たすことができ、乾燥防止
をさらに確実に行うことができる。そして、このように
追加供給することで基板Wから零れた液体成分(リンス
液)については、微小空間S1,S2の下方側に配置され
た受皿40で捕集するようにしているので、ウェット搬
送中にリンス液が装置外部に及ぶのを防止することがで
きる。
れるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて
上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能であ
る。例えば、上記実施形態では、乾燥防止成分としてリ
ンス液を乾燥防止用空間たる微小空間S1やS2に供給し
て充満させているが、リンス液の代わりにリンス液の蒸
気を供給して該蒸気を乾燥防止用空間に充満させるよう
にしても同様の作用効果が得られる。またはベーパーを
供給するようにしても良い。このように、乾燥防止成分
としては液状や霧状のものを使用することができる。
ついては、例えば図7に示すように、乾燥防止用空間た
る微小空間S1,S2に面する蓋部材の周縁部383,6
63と中央部384,664を構成する材料を適当に選
択採用することで特有の作用効果が得られる。すなわ
ち、周縁部383,663を構成する材料として比較的
高い疎水性を有する材料、例えばトリフルオロエチレン
樹脂を用いる一方、中央部384,664を構成する材
料として比較的高い親水性を有する材料、例えばポリエ
ーテル−エーテルケトン樹脂(PEEK)を用いること
ができ、このような材料構成、つまり乾燥防止用空間に
面する蓋部材の周縁部をその中央部よりも疎水性の大き
な材料で構成することで蓋部材の周縁部から乾燥防止用
空間(微小空間S1,S2)の外側にリンス液が零れるの
をより確実に防止することができ、乾燥防止用空間にリ
ンス液を安定して満たすことができ、好適である。
液)で濡れた基板Wをウェット搬送するために乾燥防止
成分として基板を濡らしている処理液と同一のものを使
用しているが、乾燥防止成分の種類についてはこれに限
定されるものではなく、必要に応じて基板を濡らしてい
る処理液と異なる成分のものを使用してもよいことはい
うまでもない。
する場合にはリンス液として純水DIWが用いられるこ
とが多いので処理液として純水DIWが用いられる。
超臨界二酸化炭素との親和性を考慮して、例えば、有機
溶剤をはじめとする不活性及び低蒸気圧の溶剤でフロロ
カーボン系の薬液を純水DIWと置換して処理液として
も良い。
アルコール(IPA)をリンス液として用いる場合は、
IPAを処理液として用いても良い。
1処理ユニット」として現像処理ユニットを有する基板
処理装置に本発明を適用しているが、本発明の適用対象
はこれに限定されるものではなく、エッチング液や洗浄
液などの処理液を用いてエッチング処理や洗浄処理など
のウェット処理を行う第1処理ユニットと、その処理ユ
ニットによって処理された基板に対して所定の処理を施
す第2処理ユニットとを設けた基板処理装置全般に対し
て本発明を適用することができ、上記実施形態と同様の
作用効果を得ることができる。
と空間形成手段との間に乾燥防止用空間を形成するとと
もに、その乾燥防止用空間を乾燥防止成分で満たした状
態にまま基板搬送を行うように構成しているので、基板
搬送中の基板乾燥を確実に防止することができるのはも
ちろんのこと、乾燥防止成分の充満範囲を乾燥防止用空
間により規制していることから、基板のウェット搬送中
に基板を濡らしている処理液が零れたり、垂れたりする
のを確実に防止することができる。
す図である。
示す図である。
示す部分断面図である。
図である。
ト) 30…装置本体(駆動手段) 32…コラム(駆動手段) 34…基板搬送アーム(駆動手段) 36…ハンド(基板保持手段) 38…上蓋部材(表面側空間形成板) 40…受皿(捕集手段) 54,56…ハンド部材(基板保持手段) 66…下蓋部材(裏面側空間形成板) 383…(上蓋部材の)周縁部 384…(上蓋部材の)中央部 663…(下蓋部材の)周縁部 664…(下蓋部材の)中央部 S1,S2…微小空間(乾燥防止用空間) W…基板
Claims (9)
- 【請求項1】 所定の処理液で濡らされた基板を保持す
る基板保持手段と、 前記基板保持手段に保持された基板から離間して対面配
置されて前記基板との間で乾燥防止用空間を形成する空
間形成手段と、 前記乾燥防止用空間に乾燥防止成分を供給する供給手段
と、 前記乾燥防止用空間が前記乾燥防止成分で満たされた状
態で前記基板保持手段および前記空間形成部材を一体的
に移動させて前記基板を搬送する駆動手段とを備えたこ
とを特徴とする基板搬送装置。 - 【請求項2】 前記基板保持手段は前記基板表面を上方
に向けた状態で略水平状態で保持しており、しかも、 前記空間形成部材は、前記基板の表面から離間して対面
配置されて前記基板表面側で前記乾燥防止用空間を形成
する表面側空間形成板を備える請求項1記載の基板搬送
装置。 - 【請求項3】 前記空間形成手段は、前記基板の裏面か
ら離間して対面配置されて前記基板裏面側で前記乾燥防
止用空間を形成する裏面側空間形成板をさらに備える請
求項2記載の基板搬送装置。 - 【請求項4】 前記供給手段は、前記乾燥防止用空間に
液状または霧状の乾燥防止成分を供給する請求項1ない
し3のいずれかに記載の基板搬送装置。 - 【請求項5】 前記乾燥防止成分は前記処理液と同一成
分である1ないし4のいずれかに記載の基板搬送装置。 - 【請求項6】 前記空間形成手段の下方位置に配置され
て前記基板から零れる液体成分を捕集する捕集手段をさ
らに備え、 前記供給手段は基板搬送中に前記乾燥防止用空間に乾燥
防止成分をさらに供給する請求項1ないし5のいずれか
に記載の基板搬送装置。 - 【請求項7】 前記駆動手段は、前記乾燥防止用空間が
前記乾燥防止成分で満たされた状態で、かつ前記空間形
成手段の下方位置に前記捕集手段が配置された状態で、
前記基板保持手段、前記空間形成部材および前記捕集手
段を一体的に移動させて前記基板を搬送する請求項6記
載の基板搬送装置。 - 【請求項8】 前記空間形成手段は、前記基板の一方主
面を覆うように離間配置される蓋部材を備え、 前記乾燥防止用空間に面する前記蓋部材の周縁部と中央
部とが互いに異なる材料で構成されており、前記周縁部
を構成する材料の疎水性が前記中央部を構成する材料よ
り大きい請求項1記載の基板搬送装置。 - 【請求項9】 基板に対して所定の処理液を供給してウ
ェット処理する第1処理ユニットと、 前記第1処理ユニットにより処理された基板に対して所
定の処理を施す第2処理ユニットと、 請求項1ないし8のいずれかに記載の基板搬送装置と同
一構成を有し、前記第1処理ユニットでウェット処理さ
れた前記基板を前記第2処理ユニットにウェット搬送す
る基板搬送ユニットとを備えたことを特徴とする基板処
理装置。
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