JP4705387B2

JP4705387B2 - 半導体基板の受け渡し方法およびそれに用いる搬送機器

Info

Publication number: JP4705387B2
Application number: JP2005070370A
Authority: JP
Inventors: 弘孝小此木; 克巳辻
Original assignee: 株式会社岡本工作機械製作所
Priority date: 2005-03-14
Filing date: 2005-03-14
Publication date: 2011-06-22
Anticipated expiration: 2025-03-14
Also published as: JP2006253524A

Description

本発明は、半導体基板の裏面研削加工ステ−ジから半導体基板の洗浄ステ−ジへ半導体基板をウエットの状態で受け渡す方法、およびその半導体基板の受け渡しに用いる搬送機器に関する。本発明の湿式（ウエット）受け渡し方法によれば、研削加工された半導体基板の裏面に付着する極微小異物（パ−チクル）の量を低減した半導体基板を得ることが可能である。

半導体基板の裏面研削装置において、プリント配線が施された基板表面を保護テ−プで被覆し、この保護テ−プ面をポ−ラスセラミック製チャックに対向させて載置された半導体基板の裏面を砥石で研削し、この裏面研削された基板表面に洗浄液を吹き付けながらブラシ洗浄し、搬送機器の吸着パッドに当該ブラシ洗浄された研削基板裏面を吸着させ、搬送機器の吸着パッドを回転移動させて洗浄スピナ−上に前記ブラシ洗浄された研削基板裏面を上に向けて移し変え、洗浄スピナ−で基板表面および裏面を洗浄することが実施されている（例えば、特許文献１、特許文献２参照。）。

かかる基板の研削装置の一具体例として、図８に基板の裏面研削装置を示す。この裏面研削装置は、インデックステ−ブル１３に設けられたポ−ラスセラミック製チャック１２上に離間して設けたレ−ル１４にブラシ洗浄機構１５ａとセラミック製竿を備えたチャッククリ−ナ（チャック洗浄機構）１５ｂを対として横方向に走行可能とした洗浄機器１５を備えるインデックス型の裏面研削装置であり、チャック１２上に載置されている研削砥石１６ｄで裏面研削加工された基板上にブラシ洗浄機構１５ａを走行させ、基板に洗浄液を供給しながら回転しているブラシを下降させて基板を洗浄し、ついで、ブラシを上昇させ、搬送機器１７の搬送パッド１７ａで洗浄された裏面研削加工基板を洗浄スピナ−１０上へと搬送した後、前記チャッククリ−ナ１５ｂをチャック１２上に走行させ、チャック１２面に洗浄液を供給しながら回転しているセラミック製竿を下降させてチャックを洗浄している（例えば、特許文献１参照。）。

また、インゴットをスライスして得られた基板を砥石で研削して得られた研削基板を、ｐＨが１２以上のアルカリ洗浄液に浸漬し、次いで超音波を照射してアルカリ洗浄・超音波洗浄することにより研削基板の溝や研削条痕に挟まれている加工屑や残滓を除去した後、該基板表面に、該基板のモ−ス硬度と同等または柔らかいモ−ス硬度を有する固型砥粒を結合材で結合してなる研磨加工具を押し付け、研削基板および研磨加工具を相対運動させて基板表面を平坦化することを特徴とする乾式化学機械研磨方法も提案されている（例えば、特許文献３参照。）。

さらに、最近では洗浄スピナ−として、洗浄された半導体基板に付着する極微小異物（パ−チクル）の量を低減させるために、薬液槽に蓄えられた２種類の薬液と純水との調合液に超音波振動を付与しながら薬液吹付ノズルよりスピナ−上の基板面上に調合液を供給させ、スピン液相洗浄することも提案されている（例えば、特許文献４および特許文献５参照。）。
特開平１１−３０７４８９号公報（第３−５頁および図１、図３参照）特開２００３−２８２６７３号公報（第３−５頁および図１、図２参照）特開２００４−２３５２０１号公報（第４−８頁および図３図参照）特開２００３−１７９１１８号公報（第２−８頁および図１０参照）特開２００４−２５９７４２号公報（第２−８頁および図２、図１参照）

特許文献１および２に記載される搬送パッド１７を用いて裏面研削加工ステ−ジ（図８ではロ−ディング／アンロ−ディングステ−ジｓ_１にあるチャック１２が相当する）に在る半導体基板裏面を吸着して半導体基板の洗浄ステ−ジへと半導体基板を受け渡す方法は、半導体基板が乾燥して洗浄スピナ−１０（洗浄ステ−ジ）へと移送されている。それゆえ、一度乾燥して基板裏面の研削条痕の溝に付着した極微小異物は、洗浄ステ−ジでの洗浄において超音波を印加した洗浄液を用いてスピン洗浄しても容易には除去できない欠点がある。

本発明の目的は、搬送機器の吸着パッド構造を上下部開放型の環状体とし、裏面研削加工ステ−ジから半導体基板の洗浄ステ−ジへ半導体基板を受け渡す際、基板上面と環状吸着パッド下面とで形成される凹部空所に洗浄液膜が存在するウエットな状態で半導体基板を搬送することにより極微小異物の乾燥・固着を防ぎ、洗浄液膜中に極微小異物を浮遊した状態に保つことにより次工程の洗浄ステ−ジでの極微小異物の除去を９５％以上可能とした基板の受け渡し方法の提供、および、それに用いる搬送機器の提供にある。

請求項１の発明は、上下に通じる刳貫き部（３０ａ）を有し、上面に吸着連絡孔（３０ｂ）が穿たれ、この吸着連絡孔（３０ｂ）は環状底面に設けた円弧状溝（３０ｄ）内に穿たれた複数個の真空孔（３０ｅ）に通ずるように設けられた環状吸着パッド（１７’ａ）、
当該環状吸着パッド（１７’ａ）の環状上面に設けられ、環状吸着パッドの前記真空孔（３０ｅ）に通じる減圧手段（３１）、
当該環状吸着パッド（１７’ａ）の上面で環状吸着パッド（１７’ａ）を固定するパッド押さえ固定具（３７）、
当該パッド押さえ固定具（３７）を回転自在に支持する旋回ア−ム（３８）、
当該旋回ア−ム（３８）を昇降させる昇降機構（48）および旋回させる旋回機構（２８ａ，２８ｂ，４０）および直線進退可能に移動させる移動機構（２２）、
および、
前記環状吸着パッド（１７’ａ）の上方より当該環状吸着パッドの前記刳貫き部（３０ａ）へ洗浄液を供給する洗浄液供給手段（６０）
を設けたことを特徴とする基板搬送機器（３０）を用い、
プリント配線が施された基板（Ａ）表面を保護テ−プで被覆し、この保護テ−プ面をポ−ラスセラミック製チャックに対向させて載置された半導体基板の裏面を砥石で研削し、研削終了後、この裏面研削された基板面に洗浄液を供給しながら前記基板搬送機器（３０）の上下部開放型の環状吸着パッド（１７’ａ）を当該研削基板裏面に当接させ前記減圧手段（３１）で前記真空孔（３０ｅ）を吸引して基板を吸着させ、基板（Ａ）上面と前記環状吸着パッド（１７’ａ）下面とで形成される凹部空所に刳貫き部（３０ａ）から洗浄液供給手段（６０）を用いて洗浄液を供給し洗浄液膜が存在する状態で基板を洗浄ステ−ジであるスピナ−へと受け渡すことを特徴とする、半導体基板の受け渡し方法を提供するものである。

請求項２の発明は、上下に通じる刳貫き部（３０ａ）を有し、上面に吸着連絡孔（３０ｂ）が穿たれ、この吸着連絡孔（３０ｂ）は環状底面に設けた円弧状溝（３０ｄ）内に穿たれた複数個の真空孔（３０ｅ）に通ずるように設けられた環状吸着パッド（１７’ａ）、
当該環状吸着パッド（１７’ａ）の環状上面に設けられ、環状吸着パッドの前記真空孔（３０ｅ）に通じる減圧手段（３１）、
当該環状吸着パッド（１７’ａ）の上面で環状吸着パッド（１７’ａ）を固定するパッド押さえ固定具（３７）、
当該パッド押さえ固定具（３７）を回転自在に支持する旋回ア−ム（３８）、
当該旋回ア−ム（３８）を昇降させる昇降機構（48）および旋回させる旋回機構（２８ａ，２８ｂ，４０）および直線進退可能に移動させる移動機構（２２）、
および、
前記環状吸着パッド（１７’ａ）の上方より当該環状吸着パッドの前記刳貫き部（３０ａ）へ洗浄液を供給する洗浄液供給手段（６０）
を設けたことを特徴とする基板搬送機器（３０）を提供するものである。

裏面研削された基板は、当該基板上面（研削面）と環状吸着パッドの上下に通じる刳貫き部とで形成される凹部空所に滞り洗浄液膜を張ることにより半導体基板裏面をウエットの状態を保って研削ステ−ジから洗浄ステ−ジへと受け渡されるので、洗浄ステ−ジでの極微小異物の除去が容易であり、９５％以上の極微小異物が裏面研削された基板面より除去される。

以下、図を用いて本発明をさらに詳細に説明する。
図１は本発明の基板搬送機器の斜視図、図２は本発明の基板用搬送機器の正面図、図３は基板用搬送機器の環状吸着パッドの底面図、図４は環状吸着パッドの上面図、図５は環状吸着パッドの断面図で、図４におけるＡ−Ａ切断面を示す。図６は基板搬送機器の側面図、および図７は裏面研削装置の平面図である。

図１乃至図６に示す基板搬送機器３０において、１７’ａはヘッド部分の環状吸着パッドで、上下に通じる直径３６ｍｍの刳貫き部３０ａを有し、上面に直径が２〜６ｍｍの４個の吸着連絡孔３０ｂが穿たれ、底面部に幅１ｍｍ、深さ１ｍｍの円弧状溝３０ｄが設けられ、この円弧状溝に直径０．５〜１．５ｍｍの複数の真空孔３０ｅが設けられた外直径が約１６５ｍｍ、高さが１５ｍｍの環状吸着パッドである。前記吸着連絡孔３０ｂは、当該環状吸着パッド１７’ａの環状上面に設けられ、環状吸着パッドの底面に設けた真空孔３０ｅに通じる。この吸着連絡孔３０ｂの他端は、減圧手段３１のホ−ス３２に連結されている。この環状吸着パッド１７’ａの底部中央部３０ｆは外周部３０ｃより０．５〜１ｍｍ低くしてある。この環状吸着パッド１７’ａ素材は、ポリ（四弗化エチレン）、ポリ（ジフロロ−ジクロロエチレン）、ナイロン６、ナイロン６，１０、ポリアセタ−ル、ガラス繊維補強エポキシ樹脂、ガラス繊維補強ポリブチレンテレフタレ−ト、セラミック、アルミニウム、ステンレス等のロックウエル硬度がＤ５０以上のものが好ましい。

図１および図２に示されるように環状吸着パッドの円弧状溝３０ｄに設けられた真空孔３０ｅを減圧する減圧手段３１は、ポリウレタンコイル３２、結合材（ユニオン）３３、流体通路連結管３４、ホ−ス固定具３５、真空ポンプ（図示されていない）、およびこの真空ポンプに連結する継手３６よりなる。真空ポンプを減圧駆動すると、その減圧は継手３６、ポリウレタンコイル３２、結合材３３、流体通路連結管３４、吸着連絡孔３０ｂを経由して環状吸着パッド１７’ａ底面の真空孔３０ｅを減圧し、半導体基板裏面が環状吸着パッドに吸着される。

３７はパッド押さえ固定具で、環状吸着パッド１７’ａの上面で環状吸着パッドをボルト３９で固定する。３８は旋回ア−ムで前記環状吸着パッド１７’ａを固定するパッド押さえ固定具３７を回転自在に支持する。環状吸着パッド１７’ａを支持するア−ム３８はスクエアＦシリンダ２２により図２で示される左右方向に進退可能となっている。このスクエアＦシリンダ２２の上部をステッピングモ−タ４０の下部に設けたア−ムホルダ２５に固定する。

前記ア−ムホルダ２５中央にはア−ム軸が設けられている。ア−ム軸は小ア−ム軸２８ａ、大ア−ム軸２８ｂ部分よりなる。小ア−ム軸２８ａの上部はステッピングモ−タ４０のベアリングケ−ス４２下部で軸受け４３される。小ア−ム軸２８ａの上部には大ア−ム軸２８ｂが連結され、前記下部軸受４３と上部軸受４５により回転可能に軸受けされている。大ア−ム軸２８ｂの上部はステッピングモ−タ４０の回転軸４６に連結されている。ステッピングモ−タ４０の駆動によりア−ム軸２８ａ，２８ｂが回動され、ア−ムホルダ２５は小ア−ム軸２８ａ回りに回動する。ア−ムホルダ２５の回動によりホルダに固定されているスクエアＦシリンダ２２も小ア−ム軸２８ａ回りに回動する。よって、スクエアＦシリンダ２２に支持されているア−ム３８も小ア−ム軸２８ａ回りに回動することとなり、このア−ム３８の延長上にある固定具３７に固定されている環状吸着パッド１７’ａは小ア−ム軸２８ａ回りに回動する。

環状吸着パッド１７’ａのア−ム３８の昇降は、ステッピングモ−タ４０を固定するスライダ４７をシリンダ４８でア−ムを上下に移動することにより行なわれる。

６０は洗浄液供給手段で、前記環状吸着パッド１７’ａの上方より当該環状吸着パッドの刳貫き部３０ａへ洗浄液を供給する。洗浄液は、基板と当該環状吸着パッドの刳貫き部３０ａとで形成された凹部空所に滞り、膜を張る。

図７に示される裏面研削装置１は、２は基台、３は上下動および回転可能な軸、４はロボットアームで前記軸３に水平方向伸縮自在にかつ回転可能に取り付けられ、前記軸３の前側に設けられかつ該軸３の軸芯と同一の円の中心点を有する環状の位置に設けられた複数の基板（ウエハ）の縦型収納カセット５，５’より基板を搬送または搬入する。ロボットアーム４のアーム裏面は、０．５〜１ｍｍ径の孔を多数有し、チャンバーを減圧することにより基板Ａを吸着する。ロボットアーム４は軸３に備えつけられており回動自在な２個の腕と、エア−シリンダにより前後に伸縮でき、かつ回動できるように設計されたアームとから構成される。

収納カセット５，５’は、ロボットアーム４の軸芯３から６０度離れて同一円周上に設置されている。収納カセット５は、研削加工される前の基板を２５枚収納、収納カセット５’は研削加工された基板Ａを２５枚収納可能となっている。

６は載置される基板の裏面を水で洗浄可能な基板の仮置台、７は上下動可能な軸、８は軸７に軸承された吸着チャック機構、９はチャック機構８の周囲に設けられた水を供給できる吸着テ−ブル、１０は洗浄スピナー、１１は回動可能な回転軸、１２，１２，１２は中空スピンドル（図示されていない）に軸承された水平方向に回転可能な吸着チャック（円盤状ポ−ラスセラミック製チャック）、１３は回転軸１１に軸承されたインデックステーブルで、ロ−ディング／アンロ−ディングゾ−ンｓ_１、粗研削ゾ−ンｓ_２、および仕上研削ゾ−ンｓ_３に区分けする。１４はレール、１５は前記インデックステーブル１３の上面に離間して設けられたチャック洗浄洗浄機器で、円盤状ポ−ラスセラミック製チャック１２を洗浄する。

この洗浄機器１５は、ブラシ洗浄器１５ａとセラミック製竿を備えたチャック洗浄器具１５ｂを対として構成されており、レール１４上を横方向に移動可能に取り付けられている。６０は純水供給ノズルである。純水供給ノズル６０より環状吸着パッド１７‘ａの上下に通じる刳貫き部３０ａに純水が供給される。

１６は上下動、回動可能な軸に軸承された研削機器で、回転軸１６ａに軸承された荒研削機器１６ｂと、回転軸１６ｃに軸承された仕上研削機器１６ｄとから構成される。これら研削機器１６ｂ，１６ｄはフレーム２１に据え付けられる。

吸着パッドを備える基板移送機器１７は、吸着パッド１７ａを備える軸１７ｂを中心に回動可能な基板移送機構である。左側の基板移送機構１７は仮置台６上の基板をロ−ディング／アンロ−ディングゾ−ンｓ_１位置に在る円盤状ポ−ラスセラミック製チャック１２上に移送するのに用いられる。この左側の基板移送機構１７の機能を前記ロボットアーム４で行わせてもよい。右側の基板搬送機器１７‘は、ロ−ディング／アンロ−ディングゾ−ンｓ_１位置に在る円盤状ポ−ラスセラミック製チャック１２上の半導体基板を洗浄スピナー１０の吸着テ−ブル９上に移送するのに用いられる。洗浄スピナー１０の上方には超音波振動が印加された洗浄液を供給するノズル６１が設けられている。超音波振動発信器は、０．５〜２ＭＨｚの第一超音波発信素子と２０〜２００ｋＨｚの第二超音波発信素子とからなり、周波数幅を変えることができる。超音波の周波数は、除去されるパ−ティクルに依存するので、５０ｋＨｚを３０秒、１００ｋＨｚを３０秒、１ＭＨｚを３０秒の周期で繰り返し洗浄液に照射するのがよい。

１８は観音開きの安全扉であり、前面に把手１８ａ，１８ａが設けられ、基台２の前面部の半円台上面のレール２ａ上を軸１８ｂを中心に左右に円弧状に開閉できるものである。１９は制御モニター、２０はハウジングである。

このインデックステ−ブル型基板裏面研削装置１は、ロボットアーム４の軸芯と、仮置台６の軸芯と洗浄スピナ−１０のチャック機構８の軸芯を同一直線上に設け、この直線と、チャック洗浄用のブラシ洗浄器１５ａとセラミック製竿洗浄器具１５ｂの横方向の移動軌跡直線と、荒研削機器１６ｂの回転軸１６ａの軸芯と仕上研削機器１６ｄの回転軸１６ｃの軸芯を結ぶ直線とは、互いに平行な位置にあるように設けたことによりコンパクト設計されている。７０は基板洗浄用のブラシである。

次に図７示されるインデックステ−ブル型基板裏面研削装置１を用いて基板を研削する方法および基板を洗浄する方法を述べる。基板Ａを研削するには、ロボットアーム４の回転軸３を上下移動して収納カセット５内の基板の高さに調整し、ついでエアーシリンダーを作動してロボットアーム４を伸ばし、吸引孔の存在する方を上面として吸引するカセットの下にロボットアームを差し込み、吸引して基板をロボットアームに吸着させる。ついで、エアーシリンダーを作動してロボットアーム４を縮ませながら後退させ、ロボットアームを回動させて、ロボットアームの下側に吸引した基板を位置させる。一方、インデックステーブル１３上のロ−ディング／アンロ−ディングゾ−ンｓ_１に在る円盤状ポーラスセラミック製チャック１２は水平方向に回転され、この円盤状ポーラスセラミック製チャック１２上面に純水が純水供給ノズル６０より供給され、洗浄機器１５ｂのセラミック製竿３２でチャック洗浄される。

ロボットアーム４の回転軸３を回動し、ロボットアーム４を伸ばし、吸着した基板を仮置台６上に移送してきたら減圧を止め、基板を仮置台６上のポーラスセラミックス板上に載置する。チャンバー内に洗浄水を導き、ポーラスセラミックス板から洗浄水を滲ませて基板の裏面を洗浄する。洗浄した基板の上側より、ロボットアーム４を伸ばし、軸３を下降させて基板をロボットアームに吸着させる。

ロボットアーム４を縮め、後退させ、軸３を回動し、再びロボットアームを前進、伸ばし、インデックステーブル１３上の前記セラミック製竿で洗浄されたポーラスセラミック製チャック１２上に基板をロボットアームの減圧を止めることにより載せ、ポーラスセラミック製チャック１２下面の中空スピンドルを減圧して基板をチャック１２上に固定する。一方、ロボットアーム４を後退させながらアームを折り畳む。

インデックステーブル１３の回転軸１１を回動させてインデックテーブル１３を右方向に１２０度回動させ、基板を載せ、吸着したポーラスセラミック製チャック１２を粗研削ゾ−ンｓ_２に位置する荒研削機器１６ｂの下に位置させる。この荒研削機器１６ｂの回転軸１６ａを下降させ、備えつけられた砥石を基板に押し当て、ポーラスセラミック製チャック（研削テーブル）１２の回転と荒研削機器１６ｂ砥石の回転を回転させ、砥石を基板面で摺擦させて粗研削する。

この粗研削時の砥石軸１６ａの回転数は、１０〜２００ｒｐｍ、両軸の回転方向は正逆いずれの方向でもよいが逆方向の回転の方が好ましい。ポーラスセラミック製チャック１２、荒研削機器１６ｂの回転軸１６ａの回転が止められてこの粗研削（一次研削）が終了すると、荒研削機器１６ｂが上昇され、ついでインデックステーブル１３を１２０度右方向に回動させ、粗研削された基板を載せたポーラスセラミック製チャック１２を精研削ゾ−ンｓ_３に位置する仕上研削機器１６ｄの下に移動させる。

仕上研削機器１６ｄを下降させ、仕上研削砥石を基板に押し当て、ポーラスセラミック製チャック１２を軸承する中空スピンドルおよび仕上研削機器１６ｄ砥石を軸承する回転軸１６ｃを回転させることにより基板の仕上研削（二次研削）を行なう。回転数は１０〜２００ｒｐｍ、両軸の回転方向は正逆いずれの方向でもよいが、逆方向が好ましい。

ポーラスセラミック製チャック１２を軸承する中空スピンドルおよび仕上研削機器１６ｄ砥石を軸承する回転軸１６ｃの回転を止めることにより仕上研削を終了させ、仕上研削機器１６ｄを上昇させ、インデックステーブル１３を右方向に１２０度、または逆方向に２４０度回動させて、研削加工された基板を最初のインデックステーブル１３上のロ−ディング／アンロ−ディングゾ−ンｓ_１位置に戻す。

インデックステーブル１３上のロ−ディング／アンロ−ディングゾ−ンｓ_１位置に在るチャック１２を回転させつつこのチャック上にある裏面研削基板上面に純水供給ノズル６０より純水を供給し、基板上（裏）面を洗浄する。

チャック１２の回転を止め、チャック１２の減圧を止めた後、搬送機器３０の環状搬送パッド１７‘ａをチャック１２上へ移動させ、ついで環状搬送パッド１７‘ａを下降させて裏面研削基板上面に当接させたら減圧して環状搬送パッド１７‘ａ下面への裏面研削基板の固定を確固たるものとし、ついで、チャック１２下面より圧空の入った加圧水を瞬時吹き上げて基板のチャックからの離れるのを容易とするとともに、環状搬送パッド１７‘ａをア−ム軸回りに回動させ、裏面研削基板を洗浄スピナ−１０の吸着チャック機構８上に受け渡たし（アンロ−ディング）、環状搬送パッド１７’ａの減圧を止めることにより研削加工・洗浄された半導体基板を吸着チャック機構８のポーラスセラミックス板９上に載せ、チャック機構８を減圧して基板をしっかりと吸着した後、軸７を下降させてチャック機構８のポーラスセラミックス板の位置と、このポーラスセラミックス板の周囲に配された吸着テ−ブル（ポーラスセラミックス製）９の高さの位置を略同等の高さとする。

ついで、環状搬送パッド１７‘ａを回動させて待機位置に戻すとともに、洗浄スピナー１０を回転させながら吸着テ−ブル９下面より純水を滲ませて研削加工基板を水に浸漬して裏面研削基板保護フィルム側を洗浄し、裏面研削基板上方側より超音波振動が印加された純水をノズル６１より供給し、基板裏面のパ−ティクルの除去洗浄を行う。この水洗後、軸７を上昇させてチャック機構８上の研削加工基板を水面より高い位置にもっていき、ロボットアーム４を回動、前進、伸ばして洗浄された研削加工基板上面をアームで吸着し、チャック機構８の減圧を止め、ついで中空軸７より乾燥空気を吹きつけて基板の裏面を乾燥する。

乾燥した研削加工基板を吸着しているロボットアーム４は、後退、ア−ムを反転させてブラシ７０に研削加工基板の保護テ−プ面をワイプして湿気を拭き取り、ついで、アームを折り畳み、回動し、再びアームを前進、伸ばして研削加工基板を収納カセット５’内に収納し、後退、アームを折り畳み、回動し、更にアームを反転して次の新しい基板のロ−ディング／アンロ−ディングゾ−ンｓ_１位置に在るチャック１２上への移送を準備する。

この洗浄スピナ−１０上で研削加工基板が洗浄、乾燥処理されている間に、洗浄機器１５をレール１４上に左側に走行させて水平方向に回転する円盤状ポ−ラスセラミック製チャック１２上に移動させ、ついで、このインデックステーブル１３上のロ−ディング／アンロ−ディングゾ−ンｓ_１位置に在るチャック１２上にブラシ洗浄器１５ａのブラシを回転させつつブラシ洗浄器１５ａを下降させてブラシをロ−ディング／アンロ−ディングゾ−ンｓ_１位置に在るポーラスセラミック製チャック１２上に当接させ、チャックを洗浄する。この際、純水供給ノズル６０からも純水がチャック表面に供給される。チャックの洗浄が終了すると、洗浄機器１５をレール１４上にさらに左側に走行させて待機位置へと戻す。

他の作業ゾ−ン、すなわち、粗研削ゾ−ンｓ_２で基板の粗研削加工がおよび精研削ゾ−ンｓ_３で基板の仕上げ研削加工がなされている間、ロ−ディング／アンロ−ディングゾ−ンｓ_１位置に在り、ブラシ洗浄が終了した円盤状ポ−ラスセラミック製チャック１２上には、収納カセット５より新たな基板が搬出され、仮置台を経由して吸着パッドにより載置（ロ−ディング）される。

ロ−ディング／アンロ−ディングゾ−ンｓ_１で新しい基板のロ−ディング、粗研削ゾ−ンｓ_２で基板の粗研削加工、および精研削ゾ−ンｓ_３で基板の仕上研削が終了するとインデックステ−ブル１３は再び、１２０度時計回り方向、１２０度時計回り方向、および１２０度時計回り方向または２４０度逆回り方向の移動を繰り返し、新しい基板の粗研削加工、仕上研削加工、研削加工基板の洗浄、基板のアンロ−ディング、チャック洗浄、および基板のロ−ディングを各作業ゾ−ン（ｓ₁、ｓ₂およびｓ₃）の円盤状ポ−ラスセラミック製チャック１２で行う。なお、チャック１２の磨耗を防ぐためにチャックの洗浄は、記述したようにブラシ洗浄とセラミック製竿洗浄を交互に行うのがよい。

本発明の研削ステ−ジのチャック上から洗浄ステ−ジのチャックへの裏面研削加工基板の受け渡し方法は、基板の研削面がウエット状態で行われるので、環状パッドで搬送時、パ−ティクルの基板研削面への乾燥固着が防止され、乾式状態での従来の受け渡し方法と比較してスピン洗浄ステ−ジで９５％以上のパ−ティクル除去率向上がある。

本発明の基板搬送機器の斜視図である。本発明の基板用搬送機器の正面図である。基板用搬送機器の環状吸着パッドの底面図である。環状吸着パッドの上面図である。環状吸着パッドの断面図で、図４におけるＡ−Ａ切断面を示す。基板搬送機器の側面図である。裏面研削装置の平面図である。裏面研削装置の平面図である。（公知）

符号の説明

１インデックステ−ブル型基板裏面研削装置
Ａ半導体基板
１０洗浄スピナ−
１２ポ−ラスセラミック製チャック
１３インデックステ−ブル
１７‘ａ環状吸着パッド
２２スクエアＦシリンダ
２５ア−ムホルダ−
３０基板搬送機器
３０ａ刳貫き部
３０ｂ吸着孔
３０ｃ底部外周部
３０ｄ円弧状溝
３０ｅ真空孔
３０ｆ底部中央部
３１減圧手段
３２ポリウレタンコイル
３３結合材
３４流体通路連結管
３８旋回ア−ム
４０ステッピングモ−タ
６０純水供給ノズル
６１洗浄液供給ノズル

Claims

上下に通じる刳貫き部（３０ａ）を有し、上面に吸着連絡孔（３０ｂ）が穿たれ、この吸着連絡孔（３０ｂ）は環状底面に設けた円弧状溝（３０ｄ）内に穿たれた複数個の真空孔（３０ｅ）に通ずるように設けられた環状吸着パッド（１７’ａ）、
当該環状吸着パッド（１７’ａ）の環状上面に設けられ、環状吸着パッドの前記真空孔（３０ｅ）に通じる減圧手段（３１）、
当該環状吸着パッド（１７’ａ）の上面で環状吸着パッド（１７’ａ）を固定するパッド押さえ固定具（３７）、
当該パッド押さえ固定具（３７）を回転自在に支持する旋回ア−ム（３８）、
当該旋回ア−ム（３８）を昇降させる昇降機構（48）および旋回させる旋回機構（２８ａ，２８ｂ，４０）および直線進退可能に移動させる移動機構（２２）、
および、
前記環状吸着パッド（１７’ａ）の上方より当該環状吸着パッドの前記刳貫き部（３０ａ）へ洗浄液を供給する洗浄液供給手段（６０）
を設けたことを特徴とする基板搬送機器（３０）を用い、
プリント配線が施された基板（Ａ）表面を保護テ−プで被覆し、この保護テ−プ面をポ−ラスセラミック製チャックに対向させて載置された半導体基板の裏面を砥石で研削し、研削終了後、この裏面研削された基板面に洗浄液を供給しながら前記基板搬送機器（３０）の上下部開放型の環状吸着パッド（１７’ａ）を当該研削基板裏面に当接させ前記減圧手段（３１）で前記真空孔（３０ｅ）を吸引して基板を吸着させ、基板（Ａ）上面と前記環状吸着パッド（１７’ａ）下面とで形成される凹部空所に刳貫き部（３０ａ）から洗浄液供給手段（６０）を用いて洗浄液を供給し洗浄液膜が存在する状態で基板を洗浄ステ−ジであるスピナ−へと受け渡すことを特徴とする、半導体基板の受け渡し方法。
上下に通じる刳貫き部（３０ａ）を有し、上面に吸着連絡孔（３０ｂ）が穿たれ、この吸着連絡孔（３０ｂ）は環状底面に設けた円弧状溝（３０ｄ）内に穿たれた複数個の真空孔（３０ｅ）に通ずるように設けられた環状吸着パッド（１７’ａ）、
当該環状吸着パッド（１７’ａ）の環状上面に設けられ、環状吸着パッドの前記真空孔（３０ｅ）に通じる減圧手段（３１）、
当該環状吸着パッド（１７’ａ）の上面で環状吸着パッド（１７’ａ）を固定するパッド押さえ固定具（３７）、
当該パッド押さえ固定具（３７）を回転自在に支持する旋回ア−ム（３８）、
当該旋回ア−ム（３８）を昇降させる昇降機構（48）および旋回させる旋回機構（２８ａ，２８ｂ，４０）および直線進退可能に移動させる移動機構（２２）、
および、
前記環状吸着パッド（１７’ａ）の上方より当該環状吸着パッドの前記刳貫き部（３０ａ）へ洗浄液を供給する洗浄液供給手段（６０）
を設けたことを特徴とする基板搬送機器（３０）。