CN112596339B - 涂敷、显影装置和涂敷、显影方法 - Google Patents

涂敷、显影装置和涂敷、显影方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种能够以高生产率进行处理且占地面积较小的涂敷、显影装置和涂敷、显影方法，其具备：处理模块，其设置有包括曝光前处理组件的处理组件；和中继模块，其设置有曝光后处理组件和第1送入送出组件，在各层设置有所述处理组件，在设置有所述曝光前处理组件的层的所述中继模块侧端，设置有在将基板在两模块之间交接之际载置该基板的交接部，所述中继模块在沿着所述宽度方向与所述处理模块的所述交接部相邻的区域设置有第2送入送出组件，在中继侧输送区域设置有所述第1送入送出组件，在所述深度方向上，在将所述第2送入送出组件夹在中间地与所述曝光后处理组件相对的区域，设置有使基板中继的中继机构。

Description

涂敷、显影装置和涂敷、显影方法
技术领域
本公开涉及一种涂敷、显影装置和涂敷、显影方法。
背景技术
在专利文献1中公开有一种基板处理装置，该基板处理装置具有：处理部，其设置有在基板上形成抗蚀剂膜的涂敷处理单元、进行显影处理的显影处理单元；和转接模块，其配置于该处理部与利用液浸法进行曝光处理的曝光装置之间。在该基板处理装置中，转接模块由送入送出模块和清洗干燥处理模块构成。送入送出模块设置有进行基板相对于曝光装置的送入和送出的输送机构。另外，清洗干燥处理模块设置有进行曝光处理前的基板的清洗和干燥处理的两个清洗干燥处理部、以及基板的两个输送机构。在专利文献1的基板处理装置中，处理部、清洗干燥处理模块、送入送出模块、曝光装置沿着第1方向排列设置，两个清洗干燥处理部和基板的两个输送机构在水平面内沿着与上述第1方向正交的第2方向配置，在两个清洗干燥处理部之间配置有两个输送机构。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2010-219434号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开的技术提供能够以高生产率进行处理且占地面积较小的涂敷、显影装置。
用于解决问题的方案
本公开的一技术方案是一种涂敷、显影装置，其用于在基板形成抗蚀剂膜，向曝光装置输送该基板，之后，对由该曝光装置进行液浸曝光后的基板进行显影处理，其中，该涂敷、显影装置具备：处理模块，其设置有包括曝光前处理组件的处理组件，该曝光前处理组件在包括抗蚀剂膜的涂敷膜形成后且液浸曝光前对基板进行液处理；和中继模块，其设置有：曝光后处理组件，其在液浸曝光后且显影处理前对基板进行液处理；和第1送入送出组件，其相对于所述曝光装置送入送出基板，并且，该中继模块在宽度方向上连结所述处理模块和所述曝光装置，对于所述处理模块，在上下方向上多层化，在各层设置有所述处理组件，在沿着所述宽度方向延伸的输送区域设置有输送基板的输送机构，在设置有所述曝光前处理组件的层的所述中继模块侧端，设置有在将基板在两模块之间交接之际载置该基板的交接部，对于所述中继模块，在沿着所述宽度方向与所述处理模块的所述交接部相邻的区域，设置有相对于所述交接部和所述曝光后处理组件送入送出基板的第2送入送出组件，在从在俯视时与所述第2送入送出组件重叠的区域起沿着与所述宽度方向正交的深度方向延伸的中继侧输送区域，设置有所述第1送入送出组件，在沿着上下方向与所述中继侧输送区域相邻且沿着所述深度方向与所述第2送入送出组件相邻的区域，设置有所述曝光后处理组件，在所述深度方向上，在将所述第2送入送出组件夹在中间地与所述曝光后处理组件相对的区域，设置有使基板在所述第1送入送出组件与所述第2送入送出组件之间中继的中继机构。
发明的效果
根据本公开，能够提供能够以高生产率进行处理且占地面积较小的涂敷、显影装置。
附图说明
图1是示意性地表示本实施方式的涂敷、显影装置的结构的概略的俯视图。
图2是示意性地表示本实施方式的涂敷、显影装置的结构的概略的主视图。
图3是示意性地表示本实施方式的涂敷、显影装置的结构的概略的后视图。
图4是示意性地表示本实施方式的涂敷、显影装置的内部结构的概略的局部纵剖主视图。
图5是示意性地表示本实施方式的涂敷、显影装置的左侧子模块所具有的第3层模块的内部结构的概略的俯视图。
图6是示意性地表示本实施方式的涂敷、显影装置的右侧子模块所具有的第3层模块的内部结构的概略的俯视图。
图7是示意性地表示本实施方式的涂敷、显影装置的右侧子模块的结构的概略的右侧视图。
图8是示意性地表示本实施方式的涂敷、显影装置的右侧子模块所具有的第6层模块的内部结构的概略的俯视图。
图9是示意性地表示本实施方式的涂敷、显影装置的转接模块的内部结构的概略的右侧视图。
图10是用于说明本实施方式的效果的图。
具体实施方式
在半导体器件等的制造工艺中的光刻工序中，为了在半导体晶圆(以下，称为“晶圆”。)上形成所期望的抗蚀剂图案而进行一系列的处理。在上述一系列的处理中例如包括：向晶圆上供给抗蚀剂液而形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷处理；对抗蚀剂膜进行曝光的曝光处理；向曝光后的抗蚀剂膜供给显影液而进行显影的显影处理等。这些处理中的抗蚀剂涂敷处理和显影处理等由涂敷、显影装置进行。
作为上述的曝光处理的种类，存在液浸曝光处理。液浸曝光是在曝光透镜与晶圆之间隔着水等液浸液而进行曝光的方法。在进行液浸曝光的情况下，形成液浸曝光用的保护膜的组件、在液浸曝光处理前清洗晶圆的背面的组件、在液浸曝光后清洗晶圆的表面的组件等多种处理组件搭载于涂敷、显影装置。
不过，进一步要求抗蚀剂图案形成的高生产率化。为了达成高生产率化，需要增多涂敷、显影装置的各处理组件的搭载数。不过，在液浸曝光的情况下，如上述那样搭载多种处理组件，因此，若增多各处理组件的搭载数，则装置大型化。具体而言，装置的占地面积变大。
在专利文献1的基板处理装置中，如前述那样，处理部、清洗干燥处理模块、送入送出模块、曝光装置沿着第1方向排列设置，两个清洗干燥处理部和基板的两个输送机构沿着上述第2方向配置，在两个清洗干燥处理部之间配置有两个输送机构。由此，谋求了装置的大型化的抑制。不过，专利文献1的基板处理装置的上述第1方向的长度较大，要求进一步的小型化。
因此，本公开的技术提供能够以高生产率进行处理且占地面积较小的涂敷、显影装置。
以下，一边参照附图一边对本实施方式的涂敷、显影装置和涂敷、显影方法进行说明。此外，对在本说明书和附图中具有实质上相同的功能构成的要素标注相同的附图标记，从而省略重复说明。
图1是示意性地表示涂敷、显影装置1的结构的概略的俯视图。图2和图3分别是示意性地表示涂敷、显影装置1的结构的概略的主视图和后视图。图4是示意性地表示涂敷、显影装置1的内部结构的概略的局部纵剖主视图。图5是示意性地表示涂敷、显影装置1的随后论述的左侧子模块所具有的第3层模块的内部结构的概略的俯视图。图6是示意性地表示涂敷、显影装置1的随后论述的右侧子模块所具有的第3层模块的内部结构的概略的俯视图。图7是示意性地表示上述右侧子模块的结构的概略的右侧视图。图8是示意性地表示上述右侧子模块的第6层模块的内部结构的概略的俯视图。图9是示意性地表示涂敷、显影装置1的随后论述的转接模块B3的内部结构的概略的右侧视图。
如图1所示，涂敷、显影装置1设为承载模块B1、处理模块B2、作为中继模块的转接模块B3以承载模块B1、处理模块B2、作为中继模块的转接模块B3的顺序沿着宽度方向(图的X方向)排列。在以下的说明中，存在将上述的宽度方向说明为左右方向的情况。在转接模块B3的右侧(图的X方向正侧)连接有曝光装置E。
承载模块B1是送入送出收纳有多张作为基板的晶圆W的承载件C的模块，具有载置模块B11和检查模块B12。
在载置模块B11设置有在相对于涂敷、显影装置1的外部送入送出承载件C之际载置承载件C的载置板11。载置板11沿着在水平面内与上述宽度方向(图的X方向)正交的深度方向(图的Y方向)设置有多个(在图的例子是4个)。另外，在载置模块B11设置有沿着在深度方向上延伸的输送路径12移动自如的晶圆输送机构13。晶圆输送机构13具有进退自如、升降自如、且绕铅垂轴线旋转自如地构成的输送臂13a，能够在各载置板11上的承载件C与检查模块B12的随后论述的交接箱14之间输送晶圆W。
检查模块B12是在涂敷、显影处理前和处理后进行晶圆W的检查的模块。
检查模块B12在其载置模块B11侧(图的X方向负侧)设置有交接箱14，另外，在该处理模块B2侧(图的X方向正侧)设置有交接塔15，在交接箱14与交接塔15之间设置有晶圆输送机构16。交接箱14、晶圆输送机构16以及交接塔15在检查模块B12中的深度方向(图的Y方向)中央部设为沿着宽度方向(图的X方向)以该交接箱14、晶圆输送机构16以及交接塔15的顺序排列，在俯视时，位于随后论述的输送区域M1～M6、输送区域Q1～Q6的延长线上。
如图2和图3所示，交接箱14设置于载置模块B11的晶圆输送机构13能够访问的高度位置。另外，交接箱14如图4所示那样层叠设置有交接组件TRS1。
交接塔15的多个交接组件在上下方向上层叠。交接塔15在与处理模块B2的随后论述的左侧子模块B21所具有的第1层模块L1～第6层模块L6的各层模块相对应的高度位置设置有交接组件。具体而言，交接塔15在与处理模块B2的第1层模块L1相对应的位置设置有交接组件TRS11、CPL11。同样地，在与第2层模块L2～第6层模块L6相对应的位置设置有交接组件TRS12～TRS16、交接组件CPL12～CPL16。另外，交接塔15在晶圆输送机构16能够访问的高度位置设置有晶圆W相对于处理模块B2的送入送出时所使用的交接组件TRS10。此外，标注有TRS的交接组件和标注有“CPL”的交接组件大致相同地构成，后者仅在以下方面不同：在载置晶圆W的载置台形成有用于调节该晶圆W的温度的介质的流路。
晶圆输送机构16具有进退自如、升降自如、且绕铅垂轴线旋转自如地构成的输送臂16a。由此，能够在交接箱14与随后论述的检查组件IN-WIS之间、在交接箱14与随后论述的调整用检查装置M之间、在该交接箱14与交接塔15之间输送晶圆W。
另外，检查模块B12在交接箱14的上方设置有检查组件IN-WIS。检查组件IN-WIS是检查涂敷、显影处理前的晶圆W的组件，具有拍摄该晶圆W的表面的拍摄单元等。
而且，如图1所示，检查模块B12在交接箱14和晶圆输送机构16的进深侧(图的Y方向正侧)设置有调整用检查装置M。调整用检查装置M是检查液浸曝光且显影处理后的晶圆W的装置。基于该调整用检查装置M的检查结果调整例如液浸曝光的处理条件。
此外，检查模块B12的跟前侧(图的Y方向负侧)用作化学品室，收纳用于储藏液处理所使用的处理液的化学溶液瓶、加压输送处理液的泵等。
再者，检查模块B12在交接塔15的进深侧(图的Y方向正侧)设置有晶圆输送机构17。晶圆输送机构17具有进退自如且升降自如地构成的输送臂17a，能够在交接塔15的各交接组件之间输送晶圆W。
处理模块B2由在左右方向(图的X方向)上连接起来的多个(在图的例子是两个)的子模块B21、B22构成。以下，将靠承载模块B1侧的子模块B21称为左侧子模块B21，将靠转接模块B3侧的子模块B22称为右侧子模块B22。
如图2和图3所示，左侧子模块B21和右侧子模块B22在上下方向上多层化，分别具有第1层模块L1～第6层模块L6、第1层模块P1～第6层模块P6。在各层模块设置有各种处理组件。此外，在图1中，对于处理模块B2，示出有第1层模块L1、P1的结构，以下，首先，具体地说明第1层模块L1。
如图1所示，在左侧子模块B21的第1层模块L1的深度方向(图的Y方向)中央形成有在宽度方向(图的X方向)上延伸的输送区域M1。
在第1层模块L1的将输送区域M1夹在中间的深度方向一侧(跟前侧、图的Y方向负侧)的区域和另一侧(进深侧、图的Y方向正侧)的区域，分别沿着宽度方向设置有多个处理模块。
具体而言，在第1层模块L1的跟前侧的区域沿着宽度方向(图的X方向)设置有3个防反射膜形成组件BCT1，在进深侧的区域设置有具有处理组件的立式单元T11～T16。
防反射膜形成组件BCT1用于在晶圆W上形成防反射膜。各防反射膜形成组件BCT1具有：旋转卡盘21，其保持晶圆W而使该晶圆W旋转；和杯22，其包围旋转卡盘21上的晶圆W，回收从晶圆W飞散后的处理液。另外，设置有向保持到旋转卡盘21的晶圆W喷出防反射膜形成用的处理液的喷嘴23。该喷嘴23在防反射膜形成组件BCT1之间移动自如地构成，在防反射膜形成组件BCT1之间共有。
立式单元T11～T16沿着宽度方向从左侧(图的X方向负侧)依次设置。最左侧、即承载模块B1侧的立式单元T11具有检查防反射膜形成后的晶圆W的检查组件(检查组件WIS-B)，该组件具有拍摄该晶圆W的表面的拍摄单元等。立式单元T12、T13分别具有对晶圆W进行疏水化处理的疏水化处理组件，疏水化处理组件在各单元内层叠成例如上下方向两层。立式单元T14～T16分别具有对晶圆W进行加热处理的加热组件，加热组件在各单元内层叠成例如上下方向两层。
另外，在第1层模块L1中，在上述的输送区域M1设置有晶圆输送机构M11。晶圆输送机构M11具有进退自如、升降自如、绕铅垂轴线旋转自如、且在宽度方向(图的X方向)上移动自如地构成的输送臂M11a，能够在第1层模块L1内在组件之间交接晶圆W。输送臂M11a也能够访问右侧子模块B22的随后论述的交接塔31。
第2层模块L2与第1层模块L1同样地构成。此外，在图等中，将设置于第2层模块L2的输送区域设为M2，将防反射膜形成组件设为BCT2，将立式单元设为T21～T26。另外，将设置到输送区域M2的晶圆输送机构设为M21，将晶圆输送机构M21所具有的输送臂设为M21a。
如图5所示，左侧子模块B21的第3层模块L3在深度方向(图的Y方向)中央形成有在宽度方向(图的X方向)上延伸的输送区域M3。
在第3层模块L3的比输送区域M3靠跟前侧(图的Y方向负侧)的区域沿着宽度方向设置有5个显影组件DEV1，在比输送区域M3靠进深侧(图的Y方向正侧)的区域设置有具有处理组件的立式单元T31～T36。
显影组件DEV1对液浸曝光后的晶圆W进行显影处理。各显影组件DEV1也与防反射膜形成组件BCT1同样地具有旋转卡盘21、杯22。另外，设置有在显影组件DEV1之间共有的喷嘴23。此外，从针对显影组件DEV1的喷嘴23喷出显影液。
立式单元T31～T36沿着宽度方向从左侧(图的X方向负侧)依次设置。最左侧、即承载模块B1侧的立式单元T31具有检查显影后的晶圆W的组件(检查组件OUT-WIS)，该组件具有拍摄该晶圆W的表面的拍摄单元等。立式单元T32～T36分别具有对晶圆W进行加热处理的加热组件，加热组件在各单元内层叠成例如上下方向两层。
另外，在第3层模块L3中，在上述的输送区域M3设置有晶圆输送机构M31。晶圆输送机构M31具有进退自如、升降自如、绕铅垂轴线旋转自如、且在宽度方向(图的X方向)上移动自如地构成的输送臂M31a，能够在第3层模块L3内在组件之间交接晶圆W。输送臂M31a也能够访问右侧子模块B22的随后论述的交接塔31。
第4层模块L4～第6层模块L6与第3层模块L3同样地构成。此外，在图等中，将设置于第4层模块L4～第6层模块L6的输送区域设为M4～M6，将防反射膜形成组件设为DEV2～DEV4，将立式单元设为T41～T46、T51～T56、T61～T66。另外，将设置到输送区域M4～M6的晶圆输送机构设为M41、M51、M61，将晶圆输送机构M41、M51、M61所具有的输送臂分别设为M41a、M51a、M61a。
如图4所示，右侧子模块B22在沿着宽度方向(图的X方向)与左侧子模块B21的输送区域M1～M6相邻的位置具有交接塔31。交接塔31以跨着右侧子模块B22的第1层模块P1～第6层模块P6的方式设置。
该交接塔31的多个交接组件在上下方向上层叠。交接塔31在与第1层模块L1～第6层模块L6和第1层模块P1～第6层模块P6的各层模块相对应的高度位置设置有交接组件。具体而言，交接塔15在与第1层模块L1和第1层模块P1相对应的位置设置有交接组件TRS21、交接组件CPL21。同样地，在与第2层模块L2～第6层模块L6和第2层模块P2～第6层模块P6相对应的位置设置有交接组件TRS22～交接组件TRS26、交接组件CPL22～交接组件CPL26。
另外，交接塔31在随后论述的晶圆输送机构Q51能够访问的高度位置设置有交接组件TRS20。该交接组件TRS20在例如晶圆W从右侧子模块B22向左侧子模块B21送入时使用。另外，交接组件TRS20的高度位置与随后论述的交接箱33的高度位置大致相同。
另外，如图1所示，右侧子模块B22在交接塔31的进深侧(图的Y方向正侧)设置有晶圆输送机构32。晶圆输送机构32具有进退自如且升降自如地构成的输送臂32a，能够在交接塔31的各交接组件之间输送晶圆W。
右侧子模块B22的第1层模块P1在深度方向(图的Y方向)中央形成有从交接塔31起在宽度方向(图的X方向)上延伸的输送区域Q1。
在第1层模块P1的比输送区域Q1靠跟前侧(图的Y方向负侧)的区域沿着宽度方向设置有3个抗蚀剂膜形成组件COT1，在比输送区域Q1靠进深侧(图的Y方向正侧)的区域设置有具有处理组件的立式单元U11～U14。
抗蚀剂膜形成组件COT1用于在形成有防反射膜的晶圆W上形成抗蚀剂膜。各抗蚀剂膜形成组件COT1也与防反射膜形成组件BCT1同样地具有旋转卡盘21、杯22。另外，设置有在抗蚀剂膜形成组件COT1之间共有的喷嘴23。此外，从针对抗蚀剂膜形成组件COT1的喷嘴23喷出抗蚀剂膜形成用的抗蚀剂液。
立式单元U11～U14沿着宽度方向从左侧(图的X方向负侧)依次设置。立式单元U11～U14分别具有对晶圆W进行加热处理的加热组件，加热组件在各单元内层叠成例如上下方向两层。
另外，在第1层模块P1中，在上述的输送区域Q1设置有晶圆输送机构Q11。晶圆输送机构Q11具有进退自如、升降自如、绕铅垂轴线旋转自如、且在宽度方向(图的X方向)上移动自如地构成的输送臂Q11a，能够在第1层模块P1内在组件之间交接晶圆W。输送臂Q11a也能够访问交接塔31。
第2层模块P2与第1层模块P1同样地构成。此外，在图等中，将设置于第2层模块P2的输送区域设为Q2，将抗蚀剂膜形成组件设为COT2，将立式单元设为U21～U24。另外，将设置到输送区域Q2的晶圆输送机构设为Q21，将晶圆输送机构Q21所具有的输送臂设为Q21a。
如图4所示，第3层模块P3形成有从交接塔31起在宽度方向(图的X方向)上延伸的输送区域Q3。该输送区域Q3形成于深度方向(图的Y方向)中央。
在第3层模块P3的比输送区域Q3靠跟前侧(图的Y方向负侧)的区域沿着宽度方向设置有3个保护膜形成组件ITC1，在比输送区域Q3靠进深侧(图的Y方向正侧)的区域设置有具有处理组件的立式单元U31～U34。
保护膜形成组件ITC1用于在形成有抗蚀剂膜的晶圆W上形成憎水性的保护膜。各保护膜形成组件ITC1也与防反射膜形成组件BCT1同样地具有旋转卡盘21、杯22。另外，设置有在保护膜形成组件ITC1之间共有的喷嘴23。此外，从针对保护膜形成组件ITC1的喷嘴23喷出保护膜形成用的处理液。
立式单元U31～U34沿着宽度方向从左侧(图的X方向负侧)依次设置。立式单元U31～U33分别具有对晶圆W进行加热处理的加热组件，加热组件在各单元内层叠成例如上下方向两层。立式单元U34具有检查保护膜形成后的晶圆W且对该晶圆W进行周缘曝光的组件(检查组件WES)，该组件具有拍摄该晶圆W的表面的拍摄单元、周缘曝光用的光源等。
另外，在第3层模块P3中，在上述的输送区域Q3设置有晶圆输送机构Q31。晶圆输送机构Q31具有进退自如、升降自如、绕铅垂轴线旋转自如、且在宽度方向(图的X方向)上移动自如地构成的输送臂Q31a，能够在第3层模块P3内在组件之间交接晶圆W。输送臂Q13a也能够访问交接塔31。
第4层模块P4与第3层模块P3同样地构成。此外，在图等中，将设置于第4层模块P4的输送区域设为Q4，将保护膜形成组件设为ITC2，将立式单元设为U41～U44。另外，将设置到输送区域Q4的晶圆输送机构设为Q41，将晶圆输送机构Q41所具有的输送臂设为Q41a。
如图4所示，第5层模块P5形成有从交接塔31起在宽度方向(图的X方向)上延伸的输送区域Q5。如图7所示，该输送区域Q5形成于深度方向(图的Y方向)中央。
在第5层模块P5的比输送区域Q5靠跟前侧(图的Y方向负侧)的区域设置有作为曝光前处理组件的曝光前清洗组件BST1，但在比输送区域Q5靠进深侧(图的Y方向正侧)的区域未设置处理组件。在该进深侧的区域设置有例如用于驱动随后论述的输送机构Q51的驱动机构。此外，在比输送区域Q5靠跟前侧的区域，如图2所示，沿着宽度方向(图的X方向)设置有3个曝光前清洗组件BST1。
曝光前清洗组件BST1用于清洗形成有保护膜的晶圆W，具体而言，清洗该晶圆W的背面。各曝光前清洗组件BST1也与防反射膜形成组件BCT1同样地具有旋转卡盘21、杯22。不过，在曝光前清洗组件BST1不具有向保持到旋转卡盘21的晶圆W的表面供给处理液的喷嘴23，未在杯22的外侧设置该喷嘴23。此外，虽然省略图示，但在曝光前清洗组件BST1，在杯22的内侧或下部设置有向表面朝上的晶圆W的背面和斜面部供给清洗液而进行清洗的喷嘴。
另外，曝光前清洗组件BST1与设置到相同的子模块的其他液处理组件(即抗蚀剂膜形成组件COT1、COT2、保护膜形成组件ITC1、ITC2)相比，宽度方向(图的X方向)的组件间间距较窄。具体而言，曝光前清洗组件BST1的旋转卡盘21或杯22的宽度方向的间距比抗蚀剂膜形成组件COT1、COT2、保护膜形成组件ITC1、ITC2的旋转卡盘21或杯22的宽度方向的间距窄。曝光前清洗组件BST1如前述那样未设置喷嘴23，因此，无需设置在除了液处理以外时供喷嘴23待机的待机部等，因此，能够缩窄宽度方向的组件间间距。
与曝光前清洗组件BST1的宽度方向的组件间间距较窄相应地，如图4所示，第5层模块P5的上述的输送区域Q5与输送区域Q1～Q4相比，宽度方向长度、即宽度较短。并且，在输送区域Q5设置有与第6层模块P6的随后论述的输送区域Q6共有的晶圆输送机构Q51。晶圆输送机构Q51具有进退自如、升降自如、绕铅垂轴线旋转自如、且在宽度方向(图的X方向)上移动自如地构成的输送臂Q51a。
如图8所示，第6层模块P6在深度方向(图的Y方向)中央形成有从交接塔31起在宽度方向(图的X方向)上延伸的输送区域Q6。
在第6层模块P6的比输送区域Q6靠跟前侧(图的Y方向负侧)的区域沿着宽度方向设置有3个曝光前清洗组件BST2，而且，在比输送区域Q6靠进深侧(图的Y方向正侧)的区域也沿着宽度方向设置有3个曝光前清洗组件BST3。
曝光前清洗组件BST2、BST3与曝光前清洗组件BST1同样地，宽度方向的组件间间距较窄。
另外，第6层模块P6的输送区域Q6与第5层模块P5的输送区域Q5同样地，与输送区域Q1～Q4相比，宽度较短。并且，如前所述，在输送区域Q6设置有与第5层模块P5共有的晶圆输送机构Q51。晶圆输送机构Q51能够利用前述的输送臂Q51a在交接塔31与曝光前清洗组件BST1～BST3之间、在曝光前清洗组件BST1～BST3与随后论述的交接箱33之间、在该箱33与交接塔31之间输送晶圆W。
而且，第6层模块P6在其转接模块B3侧(图的X方向正侧)端设置有作为交接部的交接箱33。具体而言，交接箱33在第6层模块P6内设置于输送区域Q6的与转接模块B3侧(图的X方向正侧)相邻的区域。该交接箱33如图4所示那样层叠设置有交接组件TRS31。
如图9所示，转接模块B3在中继侧输送区域R1设置有相对于曝光装置E送入送出晶圆W的作为第1送入送出组件的晶圆输送机构41。随后论述中继侧输送区域R1。晶圆输送机构41具有进退自如、升降自如、绕铅垂轴线旋转自如、且在深度方向(图的Y方向)上移动自如地构成的输送臂41a。晶圆输送机构41能够利用输送臂41a在随后论述的交接塔51与曝光装置E之间输送晶圆W。
另外，在转接模块B3中层叠设置有作为曝光后处理组件的曝光后清洗组件PIR。曝光后清洗组件PIR清洗液浸曝光后的晶圆W，具体而言，去除在该晶圆W的表面形成的保护膜或清洗该表面。曝光后清洗组件PIR也与防反射膜形成组件BCT1同样地具有旋转卡盘21、杯22。另外，虽然省略图示，但在曝光后清洗组件PIR，也与防反射膜形成组件BCT1同样地，设置有向晶圆W的表面供给处理液的喷嘴。不过，从该喷嘴喷出保护膜去除用或清洗用的处理液。
该曝光后清洗组件PIR具有长方体形状的壳体，以其长度方向与涂敷、显影装置1的深度方向(图的Y方向)一致的方式配设。
而且，在转接模块B3设置有相对于右侧子模块B22的交接箱33和曝光后清洗组件PIR送入送出晶圆W的作为第2送入送出组件的晶圆输送机构42。如图4所示，晶圆输送机构42设置于沿着宽度方向(图的X方向)与交接箱33相邻的区域。具体而言，如图8所示，晶圆输送机构42以右侧子模块B22的输送区域Q5或输送区域Q6、交接箱33以及该晶圆输送机构42在俯视时沿着宽度方向排列的方式设置。晶圆输送机构42具有进退自如、升降自如且绕铅垂轴线旋转自如地构成的输送臂42a。晶圆输送机构42能够利用输送臂42a在交接箱33与随后论述的交接塔51之间、在交接塔51与曝光后清洗组件PIR之间、在曝光后清洗组件PIR与交接箱33之间输送晶圆W。
在此，对设置晶圆输送机构41的中继侧输送区域R1进行说明。
如图1和图9所示，中继侧输送区域R1是从仅在俯视时与晶圆输送机构42重叠而在上下方向上不重叠的区域起沿着曝光装置E的侧面向深度方向跟前侧(图的Y方向负侧)延伸的区域。在本实施方式中，中继侧输送区域R1从转接模块B3的深度方向中央下部的区域沿着深度方向延伸到跟前侧端。此外，曝光装置E的种类多样，为了能够适用于多种曝光装置E，需要使中继侧输送区域R1的深度方向的长度大到一定程度。
在沿着上下方向与该中继侧输送区域R1相邻且沿着深度方向(图的Y方向)与晶圆输送机构42相邻的区域设置有曝光后清洗组件PIR。具体而言，于在中继侧输送区域R1的上侧与中继侧输送区域R1相邻且在晶圆输送机构42的跟前侧与晶圆输送机构42相邻的区域，层叠有多个曝光后清洗组件PIR。
再者，如图9所示，转接模块B3具有使晶圆W在晶圆输送机构41与晶圆输送机构42之间中继的中继机构50。该中继机构50在深度方向(图的Y方向)上设置于将晶圆输送机构42夹在中间地与曝光后清洗组件PIR相对的进深侧(图的Y方向正侧)的区域。
中继机构50具有作为层叠交接部的交接塔51和作为上下方向输送机构的晶圆输送机构52，交接塔51和晶圆输送机构52沿着深度方向依次从跟前侧(图的Y方向负侧)起排列。
交接塔51在上下方向上层叠有利用晶圆输送机构41送入送出晶圆W的交接组件和利用晶圆输送机构42送入送出晶圆W的交接组件。具体而言，交接塔51在晶圆输送机构41能够访问的上方的位置层叠有交接组件TRS41和交接组件SBU，在晶圆输送机构42能够访问的下方的位置层叠有交接组件TRS42和交接组件CPL41。此外，交接组件SBU构成为，能够收纳多张晶圆W而使多张晶圆W滞留。
晶圆输送机构52具有进退自如且升降自如地构成的输送臂52a，能够在交接塔51的交接组件之间交接晶圆W。
如以上这样构成的涂敷、显影装置1具有控制部100。控制部100是具备例如CPU、存储器等的计算机，具有程序储存部(未图示)。在该程序储存部储存有用于控制上述的各种处理组件、晶圆输送机构等驱动系统的动作而对晶圆W进行各种处理的程序。此外，也可以是，上述程序记录于计算机可读取的存储介质，从该存储介质加载到控制部100。程序的一部分或全部也可以由专用硬件(电路基板)实现。
接着，说明使用如以上这样构成的涂敷、显影装置1而进行的涂敷、显影处理。
首先，收纳有多个晶圆W的承载件C被送入涂敷、显影装置1的承载模块B1，承载件C内的各晶圆W被晶圆输送机构13向交接箱14的交接组件TRS1依次输送。
接下来，晶圆W被晶圆输送机构16向检查组件IN-WIS输送，进行使用了该检查组件IN-WIS的涂敷、显影处理前的晶圆W的检查。
接下来，晶圆W被晶圆输送机构16向交接塔15的交接组件TRS10输送，之后，被晶圆输送机构17向例如交接组件TRS11输送。
接着，晶圆W被晶圆输送机构M11送入处理模块B2的左侧子模块B21的第1层模块L1，被向例如立式单元T12(疏水化处理组件)输送，进行疏水化处理。之后，晶圆W被晶圆输送机构M11按照交接组件CPL11→防反射膜形成组件BCT1→立式单元T13(热处理组件)→立式单元T11(检查组件WIS-B)的顺序输送。由此，在晶圆W形成防反射膜，并且，进行使用了检查组件WIS-B的该晶圆W的检查。
接下来，晶圆W被晶圆输送机构M11向交接塔31的交接组件TRS21输送，被送入处理模块B2的右侧子模块B22的第1层模块P1。并且，晶圆W被晶圆输送机构Q11按照交接组件CPL21→抗蚀剂膜形成组件COT1→立式单元U11(热处理组件)→交接组件TRS21的顺序输送。由此，在晶圆W的防反射膜上形成抗蚀剂膜。如此，在涂敷、显影装置1中，在左侧子模块B21用于形成防反射膜的层模块的高度位置与在右侧子模块B22用于形成抗蚀剂膜的层模块的高度位置相同。
接下来，晶圆W被晶圆输送机构32向例如交接组件CPL23输送，被送入第3层模块P3。并且，晶圆W被晶圆输送机构Q31按照保护膜形成组件ITC1→立式单元U31(热处理组件)→立式单元U34(检查组件WES)→交接组件TRS23的顺序输送。由此，在晶圆W的抗蚀剂膜上形成保护膜，并且，进行使用了检查组件WES的该晶圆W的检查和针对该晶圆W的周缘曝光。
此外，例如，也可以是，第1层模块P1、P2的立式单元U13、U14、U23、U24以具有检查组件WES的方式构成，不是在保护膜形成后，而是在保护膜形成前且抗蚀剂膜形成后进行晶圆W的检查和针对该晶圆W的周缘曝光。
接下来，晶圆W被晶圆输送机构32向例如交接组件TRS26输送，被送入第6层模块P6。并且，晶圆W被晶圆输送机构Q51向例如曝光前清洗组件BST2输送，晶圆W的背面被清洗。之后，晶圆W被晶圆输送机构Q51向交接箱33的交接组件TRS31输送。
接着，晶圆W被晶圆输送机构42向交接塔51的交接组件SBU输送，被送入转接模块B3。接下来，晶圆W被晶圆输送机构52向交接组件CPL41输送。并且，晶圆W被晶圆输送机构41向曝光装置E输送，进行液浸曝光。
在液浸曝光后，晶圆W被晶圆输送机构42向交接塔51的交接组件TRS42输送。接下来，晶圆W被晶圆输送机构52向交接组件TRS41输送。并且，晶圆W被晶圆输送机构42按照曝光后清洗组件PIR→交接箱33的顺序输送。由此，对液浸曝光后的晶圆W进行保护膜的去除和清洗，该晶圆W被再次送入处理模块B2。
接下来，晶圆W被晶圆输送机构Q51向与左侧子模块B21相邻的交接塔31的交接组件TRS20输送。也就是说，在向左侧子模块B21输送晶圆W之际，使用设置有曝光前清洗组件的第5层模块P5和第6层模块P6的晶圆输送机构Q51。
接下来，晶圆W被晶圆输送机构32向例如交接塔31的交接组件TRS23输送。接下来，晶圆W被晶圆输送机构M31送入左侧子模块B21的第3层模块L3，被向例如立式单元T32(热处理组件)输送，进行PEB处理。之后，晶圆W被晶圆输送机构M31按照交接组件CPL23→显影组件DEV1→立式单元T33(热处理组件)→立式单元T31(检查组件OUT-WIS)的顺序输送。由此，对晶圆W进行显影处理，在该晶圆W上形成抗蚀剂图案，并且，进行使用了检查组件OUT-WIS的显影后的晶圆W的检查。此外，在检查后，晶圆W被晶圆输送机构M31向交接组件CPL13输送，从处理模块B2送出。
接着，晶圆W被晶圆输送机构17向交接组件TRS10输送。接下来，晶圆W被晶圆输送机构16向调整用检查装置M输送，由该调整用检查装置M检查。在检查后，晶圆W被晶圆输送机构16向交接箱14的交接组件TRS输送，之后，被晶圆输送机构13返回承载件C。
如以上这样，在本实施方式中，涂敷、显影装置1具备：处理模块B2，其设置有包括曝光前清洗组件BST1～3的处理组件；和转接模块B3，其设置有曝光后清洗组件PIR和晶圆输送机构41，且在宽度方向上连结处理模块B2和曝光装置E。另外，处理模块B2在上下方向上多层化，在各层模块设置有处理组件，在沿着宽度方向延伸的输送区域M1～输送区域M6、输送区域Q1～输送区域Q6设置有晶圆输送机构M11～M61、晶圆输送机构Q11～Q61。并且，对于处理模块B2，
(A)在设置有曝光前清洗组件BST1～3的层模块的转接模块B3侧端设置有在将晶圆W在两模块间交接之际载置该晶圆W的交接箱33，
而且，对于转接模块B3，
(B)在沿着宽度方向与处理模块B2的交接箱33相邻的区域设置有相对于交接箱33和曝光后清洗组件PIR送入送出晶圆的晶圆输送机构42，
(C)在从在俯视时与晶圆输送机构41重叠的区域沿着深度方向延伸的中继侧输送区域R1设置有晶圆输送机构41，
(C)在沿着上下方向与中继侧输送区域R1相邻且沿着深度方向与晶圆输送机构42相邻的会成为无效空间的区域设置有曝光后清洗组件PIR，
(D)在深度方向上，在将晶圆输送机构42夹在中间地与曝光后清洗组件PIR相对的区域设置有使晶圆W在晶圆输送机构41与晶圆输送机构42之间中继的中继机构。
换言之，在本实施方式的涂敷、显影装置1中，设置有曝光后清洗组件PIR的区域与设置有相对于曝光装置E送入送出晶圆W的晶圆输送机构41的区域在俯视时重叠。相对于此，在专利文献1的基板处理装置中，处理部、设置有进行曝光处理前的基板的清洗等的清洗干燥处理部的清洗干燥处理模块、设置有针对曝光装置的基板的输送机构的送入送出模块、以及曝光装置沿着第1方向排列设置，两模块在俯视时不重叠。与这样的专利文献1的结构相比，在本实施方式中，如前述那样，设置有曝光后清洗组件PIR的区域与设置有相对于曝光装置E送入送出晶圆W的晶圆输送机构41的区域在俯视时重叠，因此，能够缩小装置的占地面积。
另外，在本实施方式中，如上述(A)那样，在设置有曝光前清洗组件BST1～3的层模块的转接模块B3侧端设置有交接箱33。因此，不增大装置的宽度，就能够使输送区域Q1～Q6、交接箱33以及晶圆输送机构42在俯视时沿着宽度方向排列。想到以下情况：交接箱33与本实施方式不同，如图10所示，存在于转接模块B3侧。在该情况下，例如，若用于在交接箱33与曝光后清洗组件PIR之间交接晶圆W的输送机构200以曝光后清洗组件PIR、该输送机构200以及交接箱33沿着深度方向(图的Y方向)排列的方式配设，则能够防止装置的深度方向上的大型化。不过，若如上述那样配设，则输送机构200位于深度方向跟前侧(图的Y方向负侧)。这样一来，例如，在曝光后清洗组件PIR具有长方体形状的壳体的情况下，若在晶圆输送机构41的上方设置该曝光后清洗组件PIR，则有时装置在宽度方向(图的X方向)上变大。相对于此，在本实施方式中，相当于上述输送机构200的晶圆输送机构42能够设为与输送区域Q1～Q6和交接箱33在俯视时沿着宽度方向排列。也就是说，能够将晶圆输送机构42设置于深度方向中央。因而，即使在曝光后清洗组件PIR具有长方体形状的壳体的情况下，在晶圆输送机构41的上方设置有该曝光后清洗组件PIR时，装置在宽度方向上也不会变大。
而且，在本实施方式中，如前述那样，处理模块B2在上下方向上多层化，在各层模块设置有处理组件，处理组件数较多。因此，涂敷、显影装置1能够以高生产率进行处理。
如以上这样，根据本实施方式，能够提供能够以高生产率进行处理且占地面积较小的涂敷、显影装置。
另外，在本实施方式中，设置有曝光前清洗组件BST1～3的层模块是第5层模块P5和第6层模块P6并层叠，在这些层模块P5、层模块P6之间共有晶圆输送机构Q51。曝光前清洗组件与进行抗蚀剂膜等涂敷膜的形成处理等的情况不同，无需处理后的热处理，因此，晶圆输送机构Q51相对于曝光前清洗组件的使用频度较少。因而，通过在曝光前清洗组件的层模块P5、层模块P6之间共有晶圆输送机构Q51，能够有效灵活运用该晶圆输送机构Q51。另外，通过如第6层模块P6这样将输送区域Q6夹在中间而将曝光前清洗组件BST2、BST3设置于深度方向跟前侧和进深侧这两侧，能够有效利用晶圆输送机构Q51。
此外，也可以在设置有曝光前清洗组件的层模块P5、层模块P6这两者都设置晶圆输送机构。另外，在本实施方式中，交接箱33也在层模块P5、层模块P6之间共有，但也可以在层模块P5、层模块P6这两者都设置。
而且，在本实施方式中，在从右侧子模块B22的交接箱33向左侧子模块B21输送液浸曝光后的晶圆W之际，使用设置有曝光前清洗组件的层模块P5、层模块P6内的晶圆输送机构Q51。因而，进一步能够有效灵活运用晶圆输送机构Q51。另外，无需其他晶圆输送机构，因此，能够削减装置的制造成本。
再者，在本实施方式中，在左侧子模块B21用于形成防反射膜的层模块的高度位置与在右侧子模块B22用于形成抗蚀剂膜的层模块的高度位置相同。因而，能够省略防反射膜形成与抗蚀剂膜形成之间的不需要的工序、例如使用晶圆输送机构32使晶圆W在高度方向上移动的工序。因而，根据本实施方式，能够进一步以高生产率进行处理。
另外，在本实施方式中，左侧子模块B21在设置有显影组件的层模块L3～L6的与右侧子模块B22相反的一侧、即承载模块B1侧设置有具有检查组件OUT-WIS的立式单元T31、T41、T51、T61。因而，在显影处理后，在为了后段的工序而向承载模块B1等输送晶圆W的路径上设置有检查组件OUT-WIS，因此，能够缩短从显影结束经由检查组件OUT-WIS处的检查到向承载模块B1送出晶圆W为止的时间。因而，能够进一步以较高的生产率进行涂敷、显影处理。
而且，在本实施方式中，于在侧视时与配置沿着上下方向与晶圆输送机构41相邻的曝光后清洗组件PIR的区域重叠的高度位置，设置有具有作为曝光前处理组件的曝光前清洗组件BST1和交接箱33的层模块P6。因而，转接模块B3内的晶圆输送机构41与晶圆输送机构42的需要驱动范围上下明确地分开，因此，能够使转接模块B3内的驱动机构等的配置简单且紧凑。
另外，在本实施方式中，在转接模块B3与处理模块B2之间的晶圆W的交接时，晶圆W仅通过晶圆输送机构Q51能够访问的层模块P5和层模块P6。具体而言，在晶圆W从处理模块B2的右侧子模块B22向转接模块B3的交接时和晶圆W从转接模块B3经由右侧子模块B22向左侧子模块B21的交接时，在交接箱33晶圆W仅通过晶圆输送机构Q51能够访问的层模块P5和层模块P6。因而，能够不使用设置到层模块P1等的使用频度或时间较多的晶圆输送机构Q11等，而使用设置到层模块P5、层模块P6的使用频度较少的晶圆输送机构Q51，在转接模块B3与处理模块B2之间交接晶圆W。如此，在本实施方式中，层模块P1的晶圆输送机构Q11等针对同一层内的晶圆输送的使用频度较高的晶圆输送机构不用于与转接模块B3之间的晶圆W的交接，不产生该晶圆输送机构的使用频度、使用时间的进一步的增加，因此，在生产率方面优选。
此外，在本实施方式中，具有用于检查防反射膜形成后的晶圆W的检查组件WIS-B的立式单元T11、T21设置于承载模块B1侧，但也可以设置于右侧子模块B22侧。由此，能够缩短从防反射膜形成结束后经由检查组件WIS-B处的检查到向右侧子模块B22送出晶圆W为止的时间。
另外，在本实施方式中，具有检查组件WES的立式单元U34、U44设置到转接模块B3侧，但也可以设置于左侧子模块B21侧。
在以上的例子中，处理模块B2由两个子模块构成，但也可以由3个以上的子模块构成。另外，处理模块B2也可以由1个模块构成。
另外，在以上的例子中，曝光前清洗组件、曝光后清洗组件设置到处理模块B2、转接模块B3的最上层，但也可以将其他处理组件设置于曝光前清洗组件、曝光后清洗组件之上。
在以上的例子中，曝光装置E侧的晶圆送入送出口位于下方，因此，晶圆输送机构41设置于下方，晶圆输送机构42、曝光后清洗组件PIR、曝光前清洗组件设置到上方。因而，在曝光装置E侧的晶圆送入送出口位于上方的情况下，也可以是，晶圆输送机构41设置于上方，晶圆输送机构42、曝光后清洗组件PIR、曝光前清洗组件设置于下方。
应该认为此次所公开的实施方式在全部的方面都是例示，并非限制性的。上述的实施方式也可以在不脱离所附的权利要求书及其主旨的情况下以各种形态进行省略、置换、变更。
此外，以下这样的构成也属于本公开的保护范围。
(1)一种涂敷、显影装置，其用于在基板形成抗蚀剂膜，向曝光装置输送该基板，之后，对由该曝光装置进行了液浸曝光后的基板进行显影处理，其中，
该涂敷、显影装置具备：
处理模块，其设置有包括曝光前处理组件的处理组件，该曝光前处理组件在包括抗蚀剂膜的涂敷膜形成后且液浸曝光前对基板进行液处理；和
中继模块，其设置有：曝光后处理组件，其在液浸曝光后且显影处理前对基板进行液处理；和第1送入送出组件，其相对于所述曝光装置送入送出基板，且该中继模块在宽度方向上连结所述处理模块和所述曝光装置，
对于所述处理模块，
在上下方向上多层化，在各层设置有所述处理组件，
在沿着所述宽度方向延伸的输送区域设置有输送基板的输送机构，
在设置有所述曝光前处理组件的层的所述中继模块侧端，设置有在将基板在两模块之间交接之际载置该基板的交接部，
对于所述中继模块，
在沿着所述宽度方向与所述处理模块的所述交接部相邻的区域，设置有相对于所述交接部和所述曝光后处理组件送入送出基板的第2送入送出组件，
在从在俯视时与所述第2送入送出组件重叠的区域起沿着与所述宽度方向正交的深度方向延伸的中继侧输送区域，设置有所述第1送入送出组件，
在沿着上下方向与所述中继侧输送区域相邻且沿着所述深度方向与所述第2送入送出组件相邻的区域，设置有所述曝光后处理组件，
在所述深度方向上，在将所述第2送入送出组件夹在中间地与所述曝光后处理组件相对的区域，设置有使基板在所述第1送入送出组件与所述第2送入送出组件之间中继的中继机构。
根据所述(1)，能够提供能够以高生产率进行处理且占地面积较小的涂敷、显影装置。
(2)根据所述(1)所述的涂敷、显影装置，其中，
所述处理模块在设置有所述曝光前处理组件的层内的所述输送区域的所述中继模块侧，设置有所述交接部，
所述输送区域、所述交接部以及所述第2送入送出组件沿着所述宽度方向排列。
(3)根据所述(1)或(2)所述的涂敷、显影装置，其中，
设置有所述曝光前处理组件的层层叠起来，
针对所述曝光前处理组件的所述输送机构在层间通用。
(4)根据所述(3)所述的涂敷、显影装置，其中，
所述交接部仅针对1个层设置。
(5)根据所述(1)～(4)中任一项所述的涂敷、显影装置，其中，
所述曝光前处理组件的所述宽度方向的组件间间距比所述处理模块内的其他液处理组件的所述宽度方向的组件间间距窄。
(6)根据所述(1)～(5)中任一项所述的涂敷、显影装置，其中，
所述处理模块由在所述宽度方向上连接起来的多个子模块构成。
(7)根据所述(6)所述的涂敷、显影装置，其中，
在一个所述子模块利用所述处理组件进行了处理之后，接下来，在沿着所述宽度方向与该子模块相邻的其他子模块利用所述处理组件进行处理，在此情况下在所述一个子模块和所述其他子模块使用在相同的高度位置的层设置的所述处理组件。
(8)根据所述(6)或(7)所述的涂敷、显影装置，其中，
在从设置有所述曝光前处理组件的子模块的所述交接部向其他子模块输送液浸曝光后的基板之际，使用设置有所述曝光前处理组件的层内的所述输送机构。
(9)根据所述(6)～(8)中任一项所述的涂敷、显影装置，其中，
在与设置有所述曝光前处理组件的第1子模块不同的第2子模块，设置有进行所述显影处理的显影组件，
所述第2子模块在设置有该显影组件的层的与所述第1子模块相反的一侧，设置有检查所述显影处理后的基板的检查组件。
(10)根据所述(9)所述的涂敷、显影装置，其中，
在所述第2子模块的与所述第1子模块相反的一侧，设置有载置用于收纳基板的承载件的承载模块。
(11)根据所述(1)～(10)中任一项所述的涂敷、显影装置，其中，
在所述处理模块的至少一部分的层的将所述输送区域夹在中间的所述深度方向一侧的区域和另一侧的区域，分别沿着所述宽度方向设置有多个所述处理组件。
(12)根据所述(11)所述的涂敷、显影装置，其中，
所述曝光前处理组件设置于所述深度方向一侧的区域和另一侧的区域这两者。
(13)根据所述(1)～(12)中任一项所述的涂敷、显影装置，其中，
所述曝光前处理组件设置于上方的层。
(14)根据所述(1)～(13)中任一项所述的涂敷、显影装置，其中，
所述中继机构具有：层叠交接部，其在上下方向上层叠有利用所述第1送入送出组件送入送出基板的组件和利用所述第2送入送出组件送入送出基板的组件；和
上下方向输送机构，其在该层叠交接部内的组件之间输送基板。
(15)一种涂敷、显影方法，其是使用了所述(1)～(14)中任一项所述的涂敷、显影装置的涂敷、显影方法，其中，该涂敷、显影方法包括：
所述输送机构在所述处理模块内向所述交接部输送由所述曝光前处理组件处理后的基板的工序；
之后，所述第2送入送出组件从所述交接部送出该基板的工序；
之后，所述中继机构从所述第2送入送出组件向所述第1送入送出组件交接该基板的工序；
之后，所述第1送入送出组件向所述曝光装置送入该基板的工序；
在由该曝光装置进行的液浸曝光后，所述第1送入送出组件从所述曝光装置送出该基板的工序；
之后，所述中继机构从所述第1送入送出组件向所述第2送入送出组件交接该基板的工序；
之后，所述第2送入送出组件向所述曝光后处理组件送入该基板的工序；
之后，所述第2送入送出组件将该基板从所述曝光后处理组件送出并向所述交接部送入的工序；以及
之后，所述输送机构从所述交接部送出该基板的工序。

Claims (15)

1.一种涂敷、显影装置，其用于在基板形成抗蚀剂膜，向曝光装置输送该基板，之后，对由该曝光装置进行液浸曝光后的基板进行显影处理，其中，
该涂敷、显影装置具备：
处理模块，其设置有包括曝光前处理组件的处理组件，该曝光前处理组件在包括抗蚀剂膜的涂敷膜形成后且液浸曝光前对基板进行液处理；和
中继模块，其设置有：曝光后处理组件，其在液浸曝光后且显影处理前对基板进行液处理；和第1送入送出组件，其相对于所述曝光装置送入送出基板，并且，该中继模块在宽度方向上连结所述处理模块和所述曝光装置，
对于所述处理模块，
在上下方向上多层化，在各层设置有所述处理组件，
在沿着所述宽度方向延伸的输送区域设置有输送基板的输送机构，
在设置有所述曝光前处理组件的层的所述中继模块侧端，设置有在将基板在两模块之间交接之际载置该基板的交接部，
对于所述中继模块，
在沿着所述宽度方向与所述处理模块的所述交接部相邻的区域，设置有相对于所述交接部和所述曝光后处理组件送入送出基板的第2送入送出组件，
在从在俯视时与所述第2送入送出组件重叠的区域起沿着与所述宽度方向正交的深度方向延伸的中继侧输送区域，设置有所述第1送入送出组件，
在沿着上下方向与所述中继侧输送区域相邻且沿着所述深度方向与所述第2送入送出组件相邻的区域，设置有所述曝光后处理组件，
在所述深度方向上，在将所述第2送入送出组件夹在中间地与所述曝光后处理组件相对的区域，设置有使基板在所述第1送入送出组件与所述第2送入送出组件之间中继的中继机构。
2.根据权利要求1所述的涂敷、显影装置，其中，
所述处理模块的所述输送区域、所述交接部以及所述中继模块的所述第2送入送出组件沿着所述宽度方向排列。
3.根据权利要求1所述的涂敷、显影装置，其中，
设置有所述曝光前处理组件的层层叠起来，
针对所述曝光前处理组件的所述输送机构在层间通用。
4.根据权利要求3所述的涂敷、显影装置，其中，
所述交接部仅针对1个层设置。
5.根据权利要求1所述的涂敷、显影装置，其中，
在所述处理模块中，
用于形成所述涂敷膜的涂敷膜形成组件在从侧方包围要形成涂敷膜的所述基板的杯的外侧，设置有从上方朝向所述基板喷出所述涂敷膜形成用的液体的喷嘴和所述喷嘴的待机部，
所述曝光前处理组件仅在从侧方包围要进行所述曝光前的液处理的所述基板的杯的内侧或下部，设置有向所述基板供给用于进行该液处理的液体的喷嘴，
所述曝光前处理组件的所述宽度方向的组件间间距比所述处理模块内的所述涂敷膜形成组件的所述宽度方向的组件间间距窄。
6.根据权利要求1所述的涂敷、显影装置，其中，
所述处理模块由在所述宽度方向上连接起来的多个子模块构成。
7.根据权利要求6所述的涂敷、显影装置，其中，
在一个所述子模块利用所述处理组件进行了处理之后，接下来，在沿着所述宽度方向与该子模块相邻的其他子模块利用所述处理组件进行处理，在此情况下在所述一个子模块和所述其他子模块使用在相同的高度位置的层设置的所述处理组件。
8.根据权利要求6所述的敷、显影装置，其中，
在从设置有所述曝光前处理组件的子模块的所述交接部向其他子模块输送液浸曝光后的基板之际，使用设置有所述曝光前处理组件的层内的所述输送机构。
9.根据权利要求6所述的涂敷、显影装置，其中，
在与设置有所述曝光前处理组件的第1子模块不同的第2子模块，设置有进行所述显影处理的显影组件，
所述第2子模块在设置有该显影组件的层的与所述第1子模块相反的一侧，设置有检查所述显影处理后的基板的检查组件。
10.根据权利要求9所述的涂敷、显影装置，其中，
在所述第2子模块的与所述第1子模块相反的一侧，设置有载置用于收纳基板的承载件的承载模块。
11.根据权利要求1所述的涂敷、显影装置，其中，
在所述处理模块的至少一部分的层的将所述输送区域夹在中间的所述深度方向一侧的区域和另一侧的区域，分别沿着所述宽度方向设置有多个所述处理组件。
12.根据权利要求11所述的涂敷、显影装置，其中，
所述曝光前处理组件设置于所述深度方向一侧的区域和另一侧的区域这两者，
形成所述涂敷膜的涂敷膜形成组件和进行所述显影处理的显影组件设于以下的层：该层使用与针对所述曝光前处理组件的所述输送机构不同的所述输送机构。
13.根据权利要求1所述的涂敷、显影装置，其中，
所述曝光前处理组件设置于上方的层。
14.根据权利要求1所述的涂敷、显影装置，其中，
所述中继机构具有：
层叠交接部，其在上下方向上层叠有利用所述第1送入送出组件送入送出基板的组件和利用所述第2送入送出组件送入送出基板的组件；和
上下方向输送机构，其在该层叠交接部内的组件之间输送基板。
15.一种涂敷、显影方法，其是使用了涂敷、显影装置的涂敷、显影方法，该涂敷、显影装置用于在基板形成抗蚀剂膜，向曝光装置输送该基板，之后，对由该曝光装置进行液浸曝光后的基板进行显影处理，其中，
所述涂敷、显影装置具备：
处理模块，其设置有包括曝光前处理组件的处理组件，该曝光前处理组件在包括抗蚀剂膜的涂敷膜形成后且液浸曝光前对基板进行液处理；和
中继模块，其设置有：曝光后处理组件，其在液浸曝光后且显影处理前对基板进行液处理；和第1送入送出组件，其相对于所述曝光装置送入送出基板，并且，该中继模块在宽度方向上连结所述处理模块和所述曝光装置，
对于所述处理模块，
在上下方向上多层化，在各层设置有所述处理组件，
在沿着所述宽度方向延伸的输送区域设置有输送基板的输送机构，
在设置有所述曝光前处理组件的层的所述中继模块侧端，设置有在将基板在两模块之间交接之际载置该基板的交接部，
对于所述中继模块，
在沿着所述宽度方向与所述处理模块的所述交接部相邻的区域，设置有相对于所述交接部和所述曝光后处理组件送入送出基板的第2送入送出组件，
在从在俯视时与所述第2送入送出组件重叠的区域起沿着与所述宽度方向正交的深度方向延伸的中继侧输送区域，设置有所述第1送入送出组件，
在沿着上下方向与所述中继侧输送区域相邻且沿着所述深度方向与所述第2送入送出组件相邻的区域，设置有所述曝光后处理组件，
在所述深度方向上，在将所述第2送入送出组件夹在中间地与所述曝光后处理组件相对的区域，设置有使基板在所述第1送入送出组件与所述第2送入送出组件之间中继的中继机构，
所述涂敷、显影方法包括：
所述输送机构在所述处理模块内向所述交接部输送由所述曝光前处理组件处理后的基板的工序；
之后，所述第2送入送出组件从所述交接部送出该基板的工序；
之后，所述中继机构从所述第2送入送出组件向所述第1送入送出组件交接该基板的工序；
之后，所述第1送入送出组件向所述曝光装置送入该基板的工序；
在由该曝光装置进行的液浸曝光后，所述第1送入送出组件从所述曝光装置送出该基板的工序；
之后，所述中继机构从所述第1送入送出组件向所述第2送入送出组件交接该基板的工序；
之后，所述第2送入送出组件向所述曝光后处理组件送入该基板的工序；
之后，所述第2送入送出组件将该基板从所述曝光后处理组件送出并向所述交接部送入的工序；以及
之后，所述输送机构从所述交接部送出该基板的工序。
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