CN101378010A - 涂敷及显影装置、涂敷及显影方法、和存储介质 - Google Patents

涂敷及显影装置、涂敷及显影方法、和存储介质 Download PDF

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Abstract

本发明涉及涂敷以及显影装置、涂敷以及显影方法和存储介质，提供一种能够抑制在对基板进行处理的各模块间进行基板输送的输送机构的输送速度，抑制基板的输送精度下降的涂敷及显影装置。其中，设置了多个的各抗蚀剂膜形成块的抗蚀剂膜形成用输送单元相互独立，在该块内进行各种处理的模块之间输送基板，处理块运入用输送单元将基板一枚一枚地顺序地周期地向各抗蚀剂膜形成块的运入用交接台输送，并且曝光装置运入用输送单元以向抗蚀剂膜形成块的运入用交接台输送的顺序，将运入各抗蚀剂膜形成块的缓冲模块的基板运入曝光装置。与为了实现同等的生产能力在一个抗蚀剂膜形成块中设置多个或许多同种的模块的情况相比，能够抑制抗蚀剂膜形成用单元的负荷。

Description

涂敷及显影装置、涂敷及显影方法、和存储介质
本专利申请享受2007年8月28日提出的作为日本专利申请的特愿2007-221609的优先权。通过引用该在先申请的全部公开内容作为本说明书的一部分。
技术领域
本发明涉及对例如半导体晶片或LCD基板(液晶显示器用玻璃基板)等的基板进行抗蚀液的涂敷处理以及曝光后的显影处理的涂敷及显影装置、涂敷及显影方法和存储介质。
背景技术
在作为半导体制造工序的一个的光刻胶工序中，在半导体晶片(以下也称为晶片)的表面上涂敷抗蚀剂，将该抗蚀剂以规定的图案曝光后进行显影来形成抗蚀图案。这样的处理一般使用在进行抗蚀剂的涂敷以及显影的涂敷及显影装置上连接有曝光装置的系统来进行。
作为涂敷及显影装置例如已知有在日本专利申请公开2006-253501号公报中记述的装置，其包括：载具块(carrier block)，运入包含多个半导体晶片(以下称为晶片)的载具；界面块(interface block)，在与曝光装置之间进行晶片的交接；以及处理块，设置在载具块和界面块之间。
上述处理块是通过层叠涂敷块和显影块而构成的，其中，该涂敷块包含对晶片进行抗蚀剂涂敷的涂敷模块(COT)，该显影块包含对抗蚀剂涂敷后的晶片供给显影液来进行显影的显影模块(DEV)，此外涂敷块及显影块分别包含：加热模块及冷却模块，在涂敷处理以及显影处理前后进行加热以及冷却处理；以及输送臂(transfer arm)，在各模块间进行晶片的输送。
为了谋求生产能力的提高，在涂敷块以及显影块中，分别设置多个涂敷模块、显影模块、加热模块以及冷却模块等的对晶片进行处理的模块。依次从载具送出的晶片，被输送到没有晶片运入的空闲的处理模块上，在各处理模块并行地进行处理。之后，从处理结束的晶片起顺序地向空闲的后级处理模块送出。
图13是表示在上述涂敷及显影装置中的各模块以及各模块间的晶片输送通路的图。从载具101运出的晶片通过设置在上述载具块上的载具臂(carrier arm)102输送到TRS(交接台)103上。之后，晶片以在处理块中上下移动的交接臂104、TRS105的顺序输送。
之后，晶片通过涂敷块的输送臂106在该涂敷块中以疏水化处理模块(ADH)107A或107B，冷却模块108A或108B，COT109A、109B或109C，加热模块110A～110D的任一个，WEE(边缘曝光模块)111，以及缓冲模块112的顺序输送。
之后，晶片依次经由上述交接臂104，从载具块侧向界面块侧移动的穿梭臂(shuttle arm)112，以及设置在界面块的界面臂114被输送到曝光装置113，接受曝光处理。
曝光处理后的晶片，经由界面臂114被输送到TRS115A或115B。接着，晶片通过设置在显影块的输送臂116以加热模块117A～117F的任一个，冷却模块118A或118B，DEV119A～119F的任一个，加热模块120A～120F的任一个，TRS121A或121B的顺序被输送之后，返回到载具101。
在这样的涂敷以及显影装置中，正在研究使生产能力进一步提高，例如目标是实现每一小时(3600秒)200枚～300枚左右的生产能力。为了实现每一小时200枚的生产能力，需要以3600秒/200枚＝18秒/枚的速度进行上述的涂敷以及显影处理，为了实现每一小时300枚的生产能力，需要以3600秒/300枚＝12秒/枚的速度进行上述的涂敷以及显影处理。
在将一枚晶片从前级的模块向后级模块的输送作为一回输送来计算的情况下，在涂敷块中，输送臂106将该晶片从TRS105输送到缓冲模块112为止共计进行6回输送。为了实现上述生产能力，这些模块之间的每一回的输送时间在生产能力在200枚/小时的情况下设定为18秒/6＝3秒以下，在生产能力是300枚/小时的情况下设定为12秒/6＝2秒以下。
而且，为了以这样的速度进行晶片的输送，需要确保晶片的输送地以使一个模块的处理结束后，能够立刻进行向下面的模块的输送。因此正在研究在涂敷块及显影块中较多地设置各模块，增加在同种模块中并行处理的晶片数(并行处理数)。图14是像这样在涂敷块中分别增加同种模块数的一个例子。
但是，为了像这样使生产能力提高，当为了能够如上述那样以2秒以下或3秒以下在模块间输送而提高输送臂106的输送速度时，输送臂106的负荷变大，存在在晶片输送中晶片从输送臂106落下等的输送错误发生的风险变大的问题。再有，在上述日本专利申请公开2006-253501号公报中没有记述解决这样问题的方法。
发明内容
本发明正是为了解决这样的问题而做成的，其目的是提供一种涂敷及显影装置、涂敷及显影方法和存储介质，能够抑制在对基板进行处理的各模块间进行基板输送的输送机构的输送速度，抑制基板的输送精度的下降。
本发明的涂敷及显影装置，其特征在于，具备：载具块，通过载具运入基板；处理块，交接被运入到上述载具块的上述基板，并且对上述基板形成包含抗蚀剂膜的涂敷膜；以及界面块，将通过上述处理块形成了上述涂敷膜的上述基板输送到曝光装置，上述处理块具有：从上述载具块侧朝向上述界面块侧分别形成的多个抗蚀剂膜形成块；以及从上述载具块侧朝向上述界面块侧形成的显影处理块，在上述载具块上设置有将来自上述载具的上述基板向各抗蚀剂膜形成块输送的处理块运入用输送单元，在上述界面块上设置有用于将上述基板运入上述曝光装置并且从上述曝光装置运出上述基板而向上述显影处理块传送的曝光装置运入用输送单元，上述处理块运入用输送单元将来自上述载具的上述基板一枚一枚顺序地周期地向各抗蚀剂膜形成块输送，并且上述曝光装置运入用输送单元以通过上述处理块运入用输送单元向各抗蚀剂膜形成块输送的顺序，将上述基板从各抗蚀剂膜形成块运入上述曝光装置。
各抗蚀剂膜形成块以及上述显影处理块相互层叠也可。此外，例如设置两个上述抗蚀剂膜形成块，上述处理块运入用输送单元将来自上述载具的上述基板一枚一枚地交替地输送到各抗蚀剂膜形成块，上述曝光装置运入用输送单元将来自各上述抗蚀剂膜形成块的上述基板，以从上述载具向各抗蚀剂膜形成块运入的顺序交替地运入上述曝光装置。例如，设置多个上述显影处理块，上述曝光装置运入用输送单元从上述曝光装置将曝光完成的上述基板一枚一枚地周期地输送到各显影处理块也可。此外各上述抗蚀剂膜形成块分别具有：多个在上述基板上涂敷抗蚀剂的涂敷模块；多个加热上述基板的加热模块；以及多个冷却上述基板的冷却模块也可。
本发明的涂敷及显影方法，使用涂敷及显影装置对基板涂敷抗蚀剂，并且对曝光后的上述基板进行显影处理，其特征在于，上述涂敷及显影装置具备：载具块，通过载具运入基板；处理块，交接被运入上述载具块的上述基板，并且对上述基板形成包含抗蚀剂膜的涂敷膜；以及界面块，将通过上述处理块形成了上述涂敷膜的上述基板输送到曝光装置，上述处理块具有：从上述载具块侧朝向上述界面块侧分别形成的多个抗蚀剂膜形成块；以及从上述载具块侧朝向上述界面块侧形成的显影处理块，在上述载具块上设置有将来自上述载具的上述基板向各抗蚀剂膜形成块输送的处理块运入用输送单元，在上述界面块上设置有用于将上述基板运入上述曝光装置并且从上述曝光装置运出上述基板而向上述显影处理块传送的曝光装置运入用输送单元，上述涂敷及显影方法，包括：通过上述处理块运入用输送单元将来自上述载具的上述基板一枚一枚顺序地周期地向各抗蚀剂膜形成块输送的工序，以及通过上述曝光装置运入用输送单元以通过上述处理块运入用输送单元向各抗蚀剂膜形成块输送的顺序，将上述基板从各抗蚀剂膜形成块运入上述曝光装置的工序。
设置两个上述抗蚀剂膜形成块，上述处理块运入用输送单元将来自上述载具的上述基板一枚一枚交替地输送到各抗蚀剂膜形成块，上述曝光装置运入用输送单元将来自各上述抗蚀剂膜形成块的上述基板，以从上述载具向各抗蚀剂膜形成块运入的顺序交替地运入上述曝光装置也可。此外，进一步含有：设置多个上述显影处理块，通过上述曝光装置运入用输送单元从上述曝光装置将曝光完成的上述基板一枚一枚周期地输送到各显影处理块的工序也可。
本发明的存储介质，在使用涂敷及显影装置对基板涂敷抗蚀剂并且对曝光后的上述基板进行显影处理的涂敷及显影方法中使用，容纳在计算机上工作的计算机程序，其特征在于，上述涂敷及显影装置具备：载具块，通过载具运入基板；处理块，交接被运入上述载具块的上述基板，并且对上述基板形成包含抗蚀剂膜的涂敷膜；以及界面块，将通过上述处理块形成了上述涂敷膜的上述基板输送到曝光装置，上述处理块具有：从上述载具块侧朝向上述界面块侧分别形成的多个抗蚀剂膜形成块；以及从上述载具块侧朝向上述界面块侧形成的显影处理块，在上述载具块上设置有将来自上述载具的上述基板向各抗蚀剂膜形成块输送的处理块运入用输送单元，在上述界面块上设置有用于将上述基板运入上述曝光装置并且从上述曝光装置运出上述基板而向上述显影处理块传送的曝光装置运入用输送单元，上述涂敷及显影方法，通过上述处理块运入用输送单元将来自上述载具的上述基板一枚一枚顺序地周期地向各抗蚀剂膜形成块输送的工序，以及通过上述曝光装置运入用输送单元，以通过上述处理块运入用输送单元向各抗蚀剂膜形成块输送的顺序，将上述基板从各抗蚀剂膜形成块运入上述曝光装置的工序。
根据本发明，上述处理块运入用输送单元将来自上述载具的上述基板一枚一枚地顺序地周期地输送到各抗蚀剂膜形成块，并且上述曝光装置运入用输送单元以通过上述处理块运入用输送单元输送到各抗蚀剂膜形成块的顺序，从各抗蚀剂膜形成块将上述基板输送到上述曝光装置。这样通过在多个抗蚀剂膜形成块并行地形成抗蚀剂膜，依次将形成了抗蚀剂膜的基板运入曝光装置，与为了实现同等的生产能力而在一个抗蚀剂膜形成块上设置多个或许多同种模块的情况相比，抗蚀剂膜形成用输送单元的负荷被抑制，能够抑制在抗蚀剂膜形成块中包含的模块间的基板输送精度下降。
附图说明
图1是表示根据本发明的第一实施方式的涂敷及显影装置的横剖平面图。
图2是表示根据本发明的第一实施方式的涂敷及显影装置的立体图。
图3是表示根据本发明的第一实施方式的涂敷及显影装置的纵剖平面图。
图4是表示根据本发明的第一实施方式的涂敷及显影装置中包含的COT层的立体图。
图5是在根据本发明的第一实施方式的涂敷及显影装置中输送的晶片的输送程序表。
图6是在根据本发明的第一实施方式的涂敷及显影装置中输送的晶片的输送程序表。
图7是表示根据本发明的第一实施方式的涂敷及显影装置中包含的各模块的模式图。
图8是在上述各模块间的晶片的输送图。
图9是表示根据本发明的第二实施方式的涂敷及显影装置中包含的各模块的模式图。
图10是在根据本发明的第二实施方式的涂敷及显影装置的各模块间的晶片输送图。
图11是表示根据本发明的第三实施方式的涂敷及显影装置中包含的各模块的模式图。
图12是在根据本发明的第三实施方式的涂敷及显影装置的各模块间的晶片输送图。
图13是现有的涂敷及显影装置中的晶片输送图。
图14是表示在现有的涂敷及显影装置中增加涂敷块的模块数量的情况的一个例子的晶片输送图。
具体实施方式
第一实施方式
参照图1～图3对作为第一实施方式的涂敷及显影装置1进行说明。图1是在涂敷及显影装置1上连接有曝光装置S4的系统的平面图，图2是同系统的立体图。此外图3是同系统的纵剖面图。
在涂敷及显影装置1具有载具块S1，载具块S1具有载置台11和交接臂12。在载具块S1中，交接臂12以从载置台11上载置的密封型载具C取出晶片W，并且将晶片W交接到与载具块S1邻接的处理块S2的方式构成(处理块运入用输送单元)。此外交接臂12以从处理块S2接受处理完成的晶片W，将该处理完成的晶片W返还到载具C的方式构成(归还用输送单元)。载具C例如包含25枚晶片W，每个载具C的晶片W的批量不同。
上述处理块S2具有包围全体的箱体13。该处理块12如图2及图3所示，具有从下方顺序地层叠而构成的三个块，即用于进行显影处理的第一块(DEV层，显影处理块)G1，和用于形成包含抗蚀剂膜的涂敷膜的第二块(COT层，抗蚀剂膜形成块)G2，和用于形成包含抗蚀剂膜的涂敷膜的第三块(COT层，抗蚀剂膜形成块)G3。该各层通过隔板14分隔开(参照图3)。
如图1所示，第二块(COT层)G2具有：涂敷部件(unit)2，其包含通过旋镀分别涂敷抗蚀剂并成膜的三个涂敷模块(COT)23A～23C；加热/冷却类的处理模块组27，用于进行在该涂敷部件2上进行的处理的前处理及后处理；以及输送臂E2，设置在上述涂敷部件2和处理模块组27之间，在其间进行晶片的交接。再有，交接晶片的场所称为模块。此外输送臂E2、E3是抗蚀剂膜形成用输送单元。
图4是表示第二块(COT层)G2的各模块的立体图。在图4中，表示有加热/冷却类的处理部件组27A。该上述加热/冷却类的处理部件组27A例如具有：疏水化处理模块(ADH)21A、21B，在抗蚀剂涂敷前进行晶片的疏水化处理；加热模块(HP)24A～24D，在抗蚀剂涂敷后加热处理晶片；以及边缘曝光模块(WEE)25，对晶片的边缘进行曝光。
这些模块积累成多级，构成棚架部件U1～U4。该棚架部件U1～U4沿着从载具块S1侧朝向界面块S3侧形成的输送臂E2的移动的输送路径R1排列。在图4中，棚架部件U1包含ADH21A、21B，棚架部件U2、U3包含HP24A～24D，棚架部件U4包含WEE25。此外在棚架部件U1～U4的下部设置有进行输送路径R1排气的排气部件15。
第三块(COT层)G3与COT层G2同样地构成，具备分别与ADH21A、21B，COT23A～23C，加热模块24A～24D，WEE25对应的疏水化处理模块(ADH)31A、31B，涂敷模块(COT)33A～33C，加热模块34A～34D，边缘曝光模块(WEE)35。
关于第一块(DEV层)G1是与第二、第三块类似的结构。在一个DEV层G1内，两级层叠有用于进行与上述涂敷部件2对应的晶片的显影的显影部件。
在这些显影部件中分别包含有用于对晶片供给显影液并进行显影的三个显影模块(DEV)。即在DEV层G1上，共计包含六个显影模块(DEV)，这些显影模块(DEV)分别为43A，43B，43C，43D，43E，43F。而且在该DEV层G1内设置有用于输送晶片W到这些DEV43A～43F的作为显影处理用输送单元的输送臂E1。也就是说对于两级的显影部件，输送臂E1成为共同化的结构。
此外在DEV层G1上设置有加热曝光后、显影液涂敷前的晶片的加热模块(HP)41A～41F，以及加热显影处理后的晶片的加热模块44A～44F。这些加热模块与COT层G2的棚架部件U1～U4同样地层叠为多级而构成多个棚架部件。这些DEV层G1的棚架部件以与COT层G2的棚架部件U1～U4同样的布局来排列。然后通过输送臂E1在这些模块间晶片W进行交接。
此外在DEV层G1内的上部设置有用于从载具块S1直接输送晶片W到界面块S3侧的作为专用的输送单元的穿梭臂16。形成了抗蚀剂膜的晶圆W经由交接臂D1交接到该穿梭臂16，接着通过穿梭臂16放入界面块S3，交接到界面臂I。再有，在本实施方式中，曝光装置运入用输送单元通过界面臂I而构成。
进而在处理块S2中如图1及图3所示设置有棚架部件U5。如图3所示，在该棚架部件U5中，作为显影完成的基板的交接台的交接台TRS6、TRS7从下方以该顺序层叠并设置在DEV层G1的对应的位置上。同样地，交接台TRS1，冷却模块CPL22A，交接台TRS2，冷却模块CPL22B，缓冲模块BM26从下方以该顺序层叠并设置在COT层G2的对应的位置上。进而，冷却模块CPL32A，交接台TRS3，冷却模块CPL32B，缓冲模块BM36从下方以该顺序层叠并设置在COT层G3的对应的位置上。分别在对应的各层G1～G3上设置的输送臂E1～E3能够访问棚架部件U5包含的这些模块。再有TRS2、TRS3分别构成向COT层G2、G3的运入用交接台。
各冷却模块CPL是将在各层G1～G3的加热模块HP中加热了的晶圆W冷却的模块，缓冲模块BM是使在COT层G2或G3中完成涂敷处理的多枚晶片W在向曝光装置S4运入前暂时滞留的模块。此外各加热模块HP24A～24D、34A～34D、41A～41F、44A～44F具备温度变更自由的热板，加热处理在该热板上载置的晶片W。
在棚架部件U5的附近设置的升降自由的第一交接臂D1以能够访问棚架部件U5的各模块，在这些模块间进行晶片W的输送的方式而构成。
如图1及图4所示，在处理块S2的界面块S3侧设置有棚架部件U6。在该棚架部件U6中，如图4所示，冷却模块CPL42A、42B以及交接台TRS4、TRS5从下方以该顺序层叠并设置在DEV层G1的对应的位置上。DEV层G1的输送臂E1和界面臂I能够访问这些模块。再有TRS4以及TRS5分别构成曝光完成基板交接台。
另一方面，在处理块S2上经由界面块S3连接有曝光装置S4。界面块S3具备用于对处理块S2的棚架部件U6的各模块和曝光装置S4进行晶片W的交接的界面臂I。界面臂I能够交接经由穿梭臂16被运入界面块S3的晶片W，将其运入曝光装置S4。
接着对控制部10进行说明。控制部10例如包括计算机，具有未图示的程序容纳部。在该程序容纳部中容纳有以进行在后述的作用中说明的显影处理的方式装入命令的例如由软件构成的程序。该程序通过控制部10读出，控制部10能够控制输送臂的工作，在各模块的晶片的处理温度，向晶片的显影液及抗蚀剂的供给等，如后述那样进行对晶片W的涂敷及显影处理。该程序例如以收容在硬盘、压缩盘、磁光盘或存储器卡等的存储介质中的状态容纳在程序容纳部中。
当输送晶片W时，例如在如COT层G2的COT23A～23C那样设置多个同种模块的情况下，控制部10对处于能够运入状态下的模块进行晶片W的输送。例如各模块在来自前级模块的晶片能够运入的情况下，向控制部10输出表示能接受晶片的就绪(in ready)信号。另一方面，各模块在晶片的处理结束能够运出晶片的情况下，向控制部10输出没就绪(out ready)信号。控制部10能够根据这些信号判断在当前时刻能够从哪个模块向哪个模块输送晶片。
此外控制部10在晶片W从载具C运入显影装置1之前，例如收容在载具C的晶片W是25枚的话，对该25枚以运入载具块S1的顺序分配基板号码1～25。此外控制部10决定关于最先的晶片“1”～最后的晶片“25”分别输送到哪一个模块的程序表。
图5及图6是表示收容在规定的载具C中的多个晶片的输送程序表。图5表示从载具C送出的多个晶片W被输送到曝光装置S4的程序表，图6表示从曝光装置S4送出的多个晶片W被返还到载具C的程序表。
各层G1～G3的输送臂E1～E3能非同步即相互独立地进行各层G1～G3中的晶片W的输送。即在如图5所示的输送程序表中，以点划线包围的COT层G2的各模块间的输送，COT层G3的各模块间的输送分别相互独立，并行进行。
接着参照图5～图8对在涂敷及显影装置1中的规定的载具的晶片输送进行说明。为了方便将该载具作为C1，将在载具C1中包含的晶片W作为晶片A，晶片A按照图5及图6所示的输送程序表在各模块之间输送。图7是为了方便而将设置在涂敷及显影装置1的各块中的模块及输送臂等平面地展开而表示的图，图8是表示晶片的输送路径的图。
步骤1
当载具C1运入载具块S1内时，首先晶片A1从载具C1以载具臂12、交接台TRS1、交接臂D1、交接台TRS2的顺序输送。之后，晶片A1从交接台TRS2通过COT层G2的输送臂E2被输送到疏水化处理模块ADH21A并接受疏水化处理。接着晶片A2从载具C1以载具臂12、交接台TRS1、交接臂D1、交接台TRS3的顺序输送，从交接台TRS3通过COT层G3的输送臂E3被输送到疏水化处理模块ADH31A并接受处理。
步骤2
然后，晶片A3以与晶片A1同样的路径从载具C1输送到交接台TRS2，从交接台TRS2经由输送臂E2输送到疏水化处理模块ADH21B。接着晶片A4以与晶片A2同样的路径从载具C1输送到交接台TRS3，从交接台TRS3经由输送臂E3输送到疏水化处理模块ADH31B。
步骤3
晶片A1的在疏水化处理模块ADH21A的处理结束，该晶片A1以ADH21A、输送臂E2、冷却模块CPL22A的顺序被输送。另一方面，晶片A2的在疏水化处理模块ADH31A的处理结束，晶片A2以ADH31A、输送臂E3、冷却模块CPL32A的顺序被输送。进而另一方面，晶片A5以与晶片A1同样的路径从载具C1输送到交接台TRS2，从TRS2经由输送臂E2输送到疏水化处理模块ADH21A。接着晶片A6以与晶片A2同样的路径从载具C1输送到交接台TRS3，从TRS3经由输送臂E3输送到疏水化处理模块ADH31A。
步骤4
晶片A3的在疏水化处理模块ADH21B的处理结束，晶片A3以ADH21B、输送臂E2、冷却模块CPL22B的顺序被输送。另一方面，晶片A4的在疏水化处理模块ADH31B的处理结束，晶片A4以ADH31B、输送臂E3、冷却模块CPL32B的顺序被输送。
步骤5
在冷却模块CPL22A完成了冷却处理的晶片A1经由输送臂E2输送到涂敷模块COT23A，接受抗蚀剂涂敷处理。另一方面，在冷却模块CPL32A完成了冷却处理的晶片A2经由输送臂E3输送到涂敷模块COT33A，接受抗蚀剂涂敷处理。
步骤6
在冷却模块CPL22B完成了处理的晶片A3经由输送臂E2输送到涂敷模块COT23B，接受抗蚀剂涂敷处理。另一方面，在冷却模块CPL32B完成了处理的晶片A4经由输送臂E3输送到涂敷模块COT33B，接受抗蚀剂涂敷处理。
步骤7
在冷却模块CPL22A完成了处理的晶片A5经由输送臂E2输送到涂敷模块COT23C，接受抗蚀剂涂敷处理。另一方面，在冷却模块CPL32A完成了处理的晶片A6经由输送臂E3输送到涂敷模块COT33C，接受抗蚀剂涂敷处理。
步骤8
在涂敷模块COT23A完成了涂敷处理的晶片A1经由输送臂E2输送到加热模块HP24A。另一方面，在涂敷模块COT33A完成了涂敷处理的晶片A2经由输送臂E3输送到加热模块HP34A。
步骤9
在涂敷模块COT23B完成了涂敷处理的晶片A3经由输送臂E2输送到加热模块HP24B。另一方面，在涂敷模块COT33B完成了涂敷处理的晶片A4经由输送臂E3输送到加热模块HP34B。
步骤10
在涂敷模块COT23C完成了涂敷处理的晶片A5经由输送臂E2输送到加热模块HP24C。另一方面，在涂敷模块COT33C完成了涂敷处理的晶片A6经由输送臂E3输送到加热模块HP34C。
步骤11
在加热模块HP24A完成了加热处理的晶片A1经由输送臂E2输送到边缘曝光模块WEE25。另一方面，在加热模块HP34A完成了加热处理的晶片A2经由输送臂E3输送到边缘曝光模块WEE35。
步骤12
在边缘曝光模块WEE25完成了处理的晶片A1经由输送臂E2输送到缓冲模块BM26。另一方面，在边缘曝光模块WEE35完成了处理的晶片A2经由输送臂E3输送到缓冲模块BM36。接着，在加热模块HP24B完成了加热处理的晶片A3经由输送臂E2输送到边缘曝光模块WEE25。另一方面，在加热模块HP34B完成了加热处理的晶片A4经由输送臂E3输送到边缘曝光模块WEE35。
步骤13
晶片A1从缓冲模块BM26以交接臂D1、穿梭臂16、界面臂I、曝光装置S4的顺序输送。接着晶片A2从缓冲模块BM36以交接臂D1、穿梭臂16、界面臂I、曝光装置S4的顺序输送。另一方面，在边缘曝光模块WEE25完成了边缘曝光处理的晶片A3经由输送臂E2输送到缓冲模块BM26。然后，晶片A5输送到该WEE25。此外在边缘曝光模块WEE35完成了边缘曝光处理的晶片A4经由输送臂E3输送到缓冲模块BM36。然后，晶片A6输送到该WEE25。
步骤14
晶片A3以与晶片A1同样的路径输送到曝光装置S4，接着晶片A4以与晶片A2同样的路径输送到曝光装置S4。另一方面在边缘曝光模块WEE25完成了边缘曝光处理的晶片A5经由输送臂E2输送到缓冲模块BM26。并且，在边缘曝光模块WEE35完成了边缘曝光处理的晶片A6经由输送臂E3输送到缓冲模块BM36。
虽然省略关于晶片A7以后的号码的晶片A的详细的输送路径的说明，但奇数号码的晶片A从载具C1运入COT层G2的TRS2后，通过输送臂E2按照图5的输送程序表在预先由控制部10决定了的各模块间输送，一边接受处理一边输送到缓冲模块BM26。另一方面，偶数号码的晶片A从载具C1运入COT层G3的TRS3后，通过输送臂E3按照上述输送程序表在各模块间输送，一边接受处理一边输送到缓冲模块BM36。这样在COT层G2、G3分别并行地进行晶片A的处理。
然后输送到缓冲模块BM26、36的各晶片A以其号码顺序经由交接臂D1及穿梭臂16向曝光装置A4运入。即各晶片A以运入各COT层G2、G3的顺序交替地从各COT层G2、G3向曝光装置S4运入。
接着对在曝光装置S4接受曝光处理的各晶片的输送路径进行说明。晶片A1当曝光处理完成时，经由界面臂I输送到交接台TRS4。然后，晶片A1通过输送臂E1以TRS4、加热模块HP41A、冷却模块CPL42A、显影模块DEV43A的顺序输送，接受显影处理。此外接着晶片A1，晶片A2从曝光装置S4送出，晶片A2经由界面臂I输送到TRS5。然后，通过输送臂E1以加热模块HP41B、冷却模块CPL42B、DEV43B的顺序输送并接受显影处理。
进而接着晶片A2，晶片A3从曝光装置S4送出，以界面臂I、交接台TRS4、输送臂E1、加热模块HP41C、输送臂E1、冷却模块CPL42A、输送臂E1、DEV43C的顺序输送并接受显影处理。关于以后从曝光装置S4送出的晶片A虽然省略详细输送路径的说明，但按照图6的输送程序表在指定的模块间输送并向指定的DEV移动，在那里接受显影处理。
当晶片A1在DEV43A完成显影处理时，以加热模块HP44A、TRS6、载具臂12的顺序输送，通过载具臂12输送到载具C1。接着当晶片A2在DEV43B完成显影处理时，以加热模块HP44B、TRS7、载具臂12的顺序输送，通过载具臂12输送到载具C1。进而接着当晶片A3在DEV43C完成显影处理时，以加热模块HP44C、TRS6、载具臂12、载具C1的顺序输送。关于后续的晶片A也是分别在规定的DEV接受显影处理后，在预先设定的模块间输送并返还到载具C1。
根据上述的涂敷及显影装置1，从载具C1依次送出的晶片交替地运入COT层G2、G3，运入COT层G2的晶片、运入COT层G3的晶片通过输送臂E2、E3在分别设置在各层的多个疏水化处理模块ADH、冷却模块CPL、涂敷模块COT、加热模块HP之间并行地输送，进行涂敷处理。然后从各层G2、G3依次完成涂敷处理的晶片从运入COT层G的晶片起顺序地运入曝光装置S4后，运入DEV层G1，依次接受显影处理并返还到载具C1。
因此为了实现规定的生产能力，通过在一个COT层上分别设置多个涂敷模块、加热模块等的同种模块，在该多个同种模块并行地进行处理，并且在不同模块间并行地进行晶片的输送，能够使在各COT层G2、G3的模块数减少，能够抑制在各层设置的输送臂E2、E3的移动速度。因此能够抑制从输送臂E2、E3的晶片落下等输送错误，能够抑制在COT层G2、G3中的晶片输送精度的下降。
此外对在上述涂敷及显影装置1中晶片A组的后续批量的输送的一个例子进行说明。首先，例如上述那样在从载具C1向载具块S1内送出晶片A时，包含与其他的晶片A不同批量的晶片组(称为晶片B组)的载具C(称为载具C2)被输送到载具块S1的载置台11。虽然关于晶片B组也没有图示但在运入载具块S1内之前预先通过控制部10设定输送程序表。然后在作为晶片A组的最后的晶片的晶片A25运入到载具块S1内之后，晶片B组的批量的最先的晶片B1运入载具块S1内。
然后晶片A25在按照图5的输送程序表输送到COT层G2后，晶片B1输送到COT层G3接受抗蚀剂涂敷处理。此外后续的晶片B2～B25与晶片A组同样地以号码顺序从载具C2送出。晶片B2～B25中，偶数号码的晶片输送到COT层G2，奇数号码的晶片输送到COT层G3，接受抗蚀剂涂敷处理。然后晶片B组接着晶片A25，与晶片A组同样地以号码顺序输送到曝光装置S4，接受曝光处理。
在晶片A组的DEV层G1中的输送进展，DEV层G1的加热模块HP41A～41F完成在该模块处理的晶片A组的最后的晶片的加热处理时，加热模块HP41A～41F将该热板的温度在晶片B组到达之前变更为用于处理晶片B组的规定温度。即根据输送程序表，在HP41A对晶片A25、HP41B对晶片A20、HP41C对晶片A21、HP41D对晶片A22、HP41E对晶片A23、HP41F对晶片A24分别完成加热处理时，进行热板的温度变更，晶片B组在该变更了的温度接受加热处理。接受了加热处理的晶片B组，接着与晶片A组同样地接受显影处理，返还到载具C2。
这样在涂敷及显影装置1中，晶片以运入载具块S1的顺序从各缓冲模块BM经由穿梭臂16向曝光装置S4运入，以该顺序从曝光装置S4向DEV层G1送出。因此在DEV层G1中后续批量不会超过先行批量。由此，如上述那样在切换对每一批量的晶片的加热模块HP41A～41F的处理条件的情况下，假设即使先行批量的晶片在装置1内输送，也能够接着先行批量的晶片输送后续批量的晶片。结果，生产能力的下降被抑制，是有利的。
再有，在每一批量切换DEV层G1中加热模块以外的模块的处理条件也可。此外，在COT层G2、G3的各模块中在晶片A组的处理完成而晶片B组到达之前变更各模块的处理条件，以该变更了的处理条件处理晶片B组也可。
第二实施方式
接着参照图9及图10对第二实施方式进行说明。根据图9及图10所示的第二实施方式的涂敷及显影装置6和根据上述第一实施方式的涂敷及显影装置1的差异点，是在COT层G3上层叠有与COT层G2、G3同样地构成的COT层G4的点。
如图9、图10所示，COT层G4具有：分别与COT层G2的ADH21A、21B，COT23A～23C，加热模块24A～24D，WEE25，以及输送臂E2对应的ADH51A、51B，COT53A～53C，加热模块54A～54D，WEE55，以及输送臂E4。
此外在棚架部件U5中冷却模块CPL52A、TRS8、CPL52B、以及BM56从下方以该顺序层叠并设置在COT层G4的对应的位置上。这些模块分别对应于COT层G3的CPL32A、TRS3、CPL32B、以及BM36，交接臂D1能够输送晶片到这些模块。
在该涂敷及显影装置6中，从载具C1以号码顺序输送的晶片A以COT层G2、G3、G4的顺序以该循环反复输送。即，如果例如晶片A1、A2、A3分别被输送到COT层G2、G3、G4，那么下面的A4、A5、A6分别被输送到COT层G2、G3、G4。
然后晶片A在各COT层G2～G4以ADH、CPL、COT、HP、WEE的顺序输送并接受处理，当输送到缓冲模块BM时，接着交接臂D1及穿梭臂16以从载具C1送出的顺序，也就是号码顺序依次将晶片A运入曝光装置S4。然后当运入曝光装置S4的晶片A接受曝光处理时，与涂敷及显影装置1同样地经由DEV层G1返还到载具C1。即使在像这样构成涂敷及显影装置的情况下，因为能够抑制在一个COT层中包含的模块的数量，所以能够得到与涂敷及显影装置1同样的效果。
第三实施方式
接着参照图11及图12对作为第三实施方式的涂敷及显影装置7进行说明。在根据图11及图12所示的第三实施方式的涂敷及显影装置7中，在COT层G2和DEV层G1之间设置有DEV层G5。
DEV层G5与DEV层G1同样地构成，具有与上述的HP41A～41F，HP44A～HP44F、以及输送臂E1分别对应的HP61A～61F，HP64A～64F，以及输送臂E5。
此外在棚架部件U6中，与DEV层G1的CPL42A、CPL42B，TRS4以及TRS5分别对应的CPL62A，CPL62B，TRS9以及TRS10从下方以该顺序层叠并设置在DEV层G5中对应的位置上。此外界面臂I能够输送晶片W到这些模块。此外，在该例子中穿梭臂16设置在DEV层G5上。
与第一实施方式同样地从载具C1送出的在各COT层接受了抗蚀剂涂敷处理的晶片A，在曝光处理后交替地输送到DEV层G1或G5。例如包括晶片A1、A3、A5...的奇数号码的晶片A输送到DEV层G1的TRS4或TRS5。此外包括晶片A2、A4、A6...的偶数号码的晶片A输送到DEV层G5的TRS9或TRS10。
然后输送到DEV层G1的TRS4或TRS5的晶片A与第一实施方式同样地输送，另一方面输送到DEV层G5的TRS9或TRS10的晶片A以HP61A～61F的任一个、CPL62A或62B、DEV63A～63F的任一个、HP64A～64F任一个、TRS11或TRS12的路径在各模块间输送。各DEV层G1、G5的输送臂E1、E5相互独立进行晶片A的输送，输送到TRS6、TRS7、TRS11或TRS12的晶片A经由载具臂12返还到载具C1。
这样在本实施方式中，设置多个DEV层，在各DEV层的模块间并行地输送晶片。由此，与在一个DEV层上设置多个同种的模块的情况相比，能够一边抑制生产能力的下降一边抑制在模块间输送的输送臂的负荷，能够使在这些DEV层中的晶片的输送精度提高。即使在将DEV层像这样设置多个的情况下，设置多于两个的COT层也可。此外在输送后续批量的晶片时，与第一实施方式同样，在后续批量的晶片到达之前变更各模块的处理条件也可。
在上述各实施方式中在对晶片涂敷抗蚀剂前进行疏水化处理，但代替进行疏水化处理，进行形成反射防止膜的处理也可。

Claims (15)

1.一种涂敷及显影装置，其特征在于，具备：
载具块，通过载具运入基板；
处理块，交接被运入上述载具块的上述基板，并且对上述基板形成包含抗蚀剂膜的涂敷膜；以及
界面块，将通过上述处理块形成了上述涂敷膜的上述基板输送到曝光装置，
上述处理块具有：从上述载具块侧朝向上述界面块侧分别形成的多个抗蚀剂膜形成块；以及从上述载具块侧朝向上述界面块侧形成的显影处理块，
在上述载具块上设置有将来自上述载具的上述基板向各抗蚀剂膜形成块输送的处理块运入用输送单元，
在上述界面块上设置有用于将上述基板运入上述曝光装置并且从上述曝光装置运出上述基板而向上述显影处理块传送的曝光装置运入用输送单元，
上述处理块运入用输送单元将来自上述载具的上述基板一枚一枚顺序地周期地向各抗蚀剂膜形成块输送，并且上述曝光装置运入用输送单元以通过上述处理块运入用输送单元向各抗蚀剂膜形成块输送的顺序，将上述基板从各抗蚀剂膜形成块运入上述曝光装置。
2.根据权利要求1所述的涂敷及显影装置，其特征在于，各抗蚀剂膜形成块以及上述显影处理块相互层叠。
3.根据权利要求1或2所述的涂敷及显影装置，其特征在于，设置两个上述抗蚀剂膜形成块，上述处理块运入用输送单元将来自上述载具的上述基板一枚一枚地交替地输送到各抗蚀剂膜形成块，上述曝光装置运入用输送单元将来自各上述抗蚀剂膜形成块的上述基板，以从上述载具向各抗蚀剂膜形成块运入的顺序交替地运入上述曝光装置。
4.根据权利要求1或2所述的涂敷及显影装置，其特征在于，设置多个上述显影处理块，上述曝光装置运入用输送单元从上述曝光装置将曝光完成的上述基板一枚一枚地周期地输送到各显影处理块。
5.根据权利要求1或2所述的涂敷及显影装置，其特征在于，各上述抗蚀剂膜形成块分别具有：多个在上述基板上涂敷抗蚀剂的涂敷模块；多个加热上述基板的加热模块；以及多个冷却上述基板的冷却模块。
6.根据权利要求3所述的涂敷及显影装置，其特征在于，设置多个上述显影处理块，上述曝光装置运入用输送单元从上述曝光装置将曝光完成的上述基板一枚一枚地周期地输送到各显影处理块。
7.根据权利要求3所述的涂敷及显影装置，其特征在于，各上述抗蚀剂膜形成块分别具有:多个在上述基板上涂敷抗蚀剂的涂敷模块；多个加热上述基板的加热模块；以及多个冷却上述基板的冷却模块。
8.根据权利要求4所述的涂敷及显影装置，其特征在于，各上述抗蚀剂膜形成块分别具有：多个在上述基板上涂敷抗蚀剂的涂敷模块；多个加热上述基板的加热模块；以及多个冷却上述基板的冷却模块。
9.根据权利要求6所述的涂敷及显影装置，其特征在于，各上述抗蚀剂膜形成块分别具有：多个在上述基板上涂敷抗蚀剂的涂敷模块；多个加热上述基板的加热模块；以及多个冷却上述基板的冷却模块。
10.一种涂敷及显影方法，使用涂敷及显影装置对基板涂敷抗蚀剂，并且对曝光后的上述基板进行显影处理，其特征在于，
上述涂敷及显影装置具备：
载具块，通过载具运入基板；
处理块，交接被运入上述载具块的上述基板，并且对上述基板形成包含抗蚀剂膜的涂敷膜；以及
界面块，将通过上述处理块形成了上述涂敷膜的上述基板输送到曝光装置，
上述处理块具有：从上述载具块侧朝向上述界面块侧分别形成的多个抗蚀剂膜形成块；以及从上述载具块侧朝向上述界面块侧形成的显影处理块，
在上述载具块上设置有将来自上述载具的上述基板向各抗蚀剂膜形成块输送的处理块运入用输送单元，
在上述界面块上设置有用于将上述基板运入上述曝光装置并且从上述曝光装置运出上述基板而向上述显影处理块传送的曝光装置运入用输送单元，
上述涂敷及显影方法，包含：通过上述处理块运入用输送单元，从上述载具将上述基板一枚一枚地顺序地周期地向各抗蚀剂膜形成块输送的工序；以及通过上述曝光装置运入用输送单元，以通过上述处理块运入用输送单元向各抗蚀剂膜形成块输送的顺序，将上述基板从各抗蚀剂膜形成块运入上述曝光装置的工序。
11.根据权利要求10所述的涂敷及显影方法，其特征在于，设置两个上述抗蚀剂膜形成块，上述处理块运入用输送单元将来自上述载具的上述基板一枚一枚地交替地输送到各抗蚀剂膜形成块，上述曝光装置运入用输送单元将来自各上述抗蚀剂膜形成块的上述基板，以从上述载具向各抗蚀剂膜形成块运入的顺序交替地运入上述曝光装置。
12.根据权利要求10或11所述的涂敷及显影方法，其特征在于，设置多个上述显影处理块，上述涂敷及显影方法还包括：通过上述曝光装置运入用输送单元从上述曝光装置将曝光完成的上述基板一枚一枚地周期地输送到各显影处理块的工序。
13.一种存储介质，在使用涂敷及显影装置对基板涂敷抗蚀剂并且对曝光后的上述基板进行显影处理的涂敷及显影方法中使用，容纳在计算机上工作的计算机程序，其特征在于，
上述涂敷及显影装置具备：
载具块，通过载具运入基板；
处理块，交接被运入上述载具块的上述基板，并且对上述基板形成包含抗蚀剂膜的涂敷膜；以及
界面块，将通过上述处理块形成了上述涂敷膜的上述基板输送到曝光装置，
上述处理块具有：从上述载具块侧朝向上述界面块侧分别形成的多个抗蚀剂膜形成块；以及从上述载具块侧朝向上述界面块侧形成的显影处理块，
在上述载具块上设置有将来自上述载具的上述基板向各抗蚀剂膜形成块输送的处理块运入用输送单元，
在上述界面块上设置有用于将上述基板运入上述曝光装置并且从上述曝光装置运出上述基板而向上述显影处理块传送的曝光装置运入用输送单元，
上述涂敷及显影方法，包含：通过上述处理块运入用输送单元，从上述载具将上述基板一枚一枚地顺序地周期地向各抗蚀剂膜形成块输送的工序；以及通过上述曝光装置运入用输送单元，以通过上述处理块运入用输送单元向各抗蚀剂膜形成块输送的顺序，将上述基板从各抗蚀剂膜形成块运入上述曝光装置的工序。
14.根据权利要求13所述的存储介质，其特征在于，设置两个上述抗蚀剂膜形成块，上述处理块运入用输送单元将来自上述载具的上述基板一枚一枚地交替地输送到各抗蚀剂膜形成块，上述曝光装置运入用输送单元将来自各上述抗蚀剂膜形成块的上述基板，以从上述载具向各抗蚀剂膜形成块运入的顺序交替地运入上述曝光装置。
15.根据权利要求13或14所述的存储介质，其特征在于，设置多个上述显影处理块，上述涂敷及显影方法还包括：通过上述曝光装置运入用输送单元从上述曝光装置将曝光完成的上述基板一枚一枚地周期地输送到各显影处理块的工序。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102540770A (zh) * 2010-12-08 2012-07-04 东京毅力科创株式会社 显影方法、显影装置及具备该显影装置的涂敷显影处理系统
CN112596339A (zh) * 2019-10-02 2021-04-02 东京毅力科创株式会社 涂敷、显影装置和涂敷、显影方法

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5006122B2 (ja) 2007-06-29 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
TW200919117A (en) * 2007-08-28 2009-05-01 Tokyo Electron Ltd Coating-developing apparatus, coating-developing method and storage medium
JP5318403B2 (ja) * 2007-11-30 2013-10-16 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5160204B2 (ja) * 2007-11-30 2013-03-13 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5128918B2 (ja) 2007-11-30 2013-01-23 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5179170B2 (ja) * 2007-12-28 2013-04-10 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5001828B2 (ja) * 2007-12-28 2012-08-15 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5212165B2 (ja) 2009-02-20 2013-06-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5736687B2 (ja) * 2009-10-06 2015-06-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR101120597B1 (ko) 2009-12-03 2012-03-09 세메스 주식회사 반도체 소자의 제조 장치
JP5408059B2 (ja) 2010-07-09 2014-02-05 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP5397399B2 (ja) 2010-07-09 2014-01-22 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置
JP2012080077A (ja) 2010-09-06 2012-04-19 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP5287913B2 (ja) * 2011-03-18 2013-09-11 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP5459279B2 (ja) * 2011-09-02 2014-04-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
KR102108498B1 (ko) * 2012-05-23 2020-05-08 가부시키가이샤 니콘 기판 처리 시스템
JP6105982B2 (ja) * 2012-09-21 2017-03-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス スケジュール作成装置、基板処理装置、スケジュール作成プログラム、スケジュール作成方法、および基板処理方法
JP2014067910A (ja) * 2012-09-26 2014-04-17 Tokyo Electron Ltd 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP6003859B2 (ja) * 2013-09-18 2016-10-05 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP6548513B2 (ja) * 2015-08-21 2019-07-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
CN107851594B (zh) * 2015-08-28 2021-06-22 株式会社国际电气 基板处理装置以及半导体装置的制造方法
JP7302358B2 (ja) * 2019-01-28 2023-07-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW309503B (zh) * 1995-06-27 1997-07-01 Tokyo Electron Co Ltd
JP2000235949A (ja) * 1998-12-17 2000-08-29 Tokyo Electron Ltd 塗布現像処理装置及び塗布現像処理方法
JP3462426B2 (ja) * 1999-05-24 2003-11-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP3914690B2 (ja) * 1999-06-30 2007-05-16 東京エレクトロン株式会社 基板受け渡し装置及び塗布現像処理システム
JP4087328B2 (ja) * 2002-11-28 2008-05-21 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布、現像装置の運転方法
JP4393976B2 (ja) * 2004-12-06 2010-01-06 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5154006B2 (ja) * 2004-12-06 2013-02-27 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP4577886B2 (ja) * 2005-01-21 2010-11-10 東京エレクトロン株式会社 基板搬送処理装置及び基板搬送処理装置における障害対策方法並びに基板搬送処理装置における障害対策用プログラム
JP4459831B2 (ja) * 2005-02-01 2010-04-28 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置
JP4566035B2 (ja) 2005-03-11 2010-10-20 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法
JP4541966B2 (ja) * 2005-05-06 2010-09-08 東京エレクトロン株式会社 塗布処理方法及び塗布処理装置並びにコンピュータプログラム
JP4716362B2 (ja) * 2005-06-07 2011-07-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板処理方法
JP4542984B2 (ja) * 2005-11-24 2010-09-15 東京エレクトロン株式会社 基板搬送処理装置及び基板搬送処理装置における障害対策方法並びに基板搬送処理装置における障害対策用プログラム
TW200919117A (en) * 2007-08-28 2009-05-01 Tokyo Electron Ltd Coating-developing apparatus, coating-developing method and storage medium

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102540770A (zh) * 2010-12-08 2012-07-04 东京毅力科创株式会社 显影方法、显影装置及具备该显影装置的涂敷显影处理系统
CN102540770B (zh) * 2010-12-08 2015-07-22 东京毅力科创株式会社 显影方法、显影装置及具备该显影装置的涂敷显影处理系统
CN112596339A (zh) * 2019-10-02 2021-04-02 东京毅力科创株式会社 涂敷、显影装置和涂敷、显影方法
CN112596339B (zh) * 2019-10-02 2022-06-14 东京毅力科创株式会社 涂敷、显影装置和涂敷、显影方法

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