KR20090023182A - 도포 및 현상 장치, 도포 및 현상 방법, 및 기억 매체 - Google Patents

도포 및 현상 장치, 도포 및 현상 방법, 및 기억 매체 Download PDF

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KR20090023182A
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요시따까 하라
신고 가쯔끼
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

기판에 처리를 행하는 각 모듈 사이에서 기판의 반송을 행하는 반송 기구의 반송 속도를 억제하고, 기판의 반송 정밀도의 저하를 억제하는 것이 가능한 도포 및 현상 장치를 제공한다. 도포 및 현상 장치에 있어서, 복수 설치된 각 레지스트막 형성 블록의 레지스트막 형성용 반송 수단이 서로 독립하여 당해 블록 내에서 각종 처리를 행하는 모듈 사이에서 기판을 반송하고, 처리 블록 반입용 반송 수단이 각 레지스트막 형성 블록의 반입용 전달 스테이지에 1매씩 차례로 기판을 주기적으로 반송하는 동시에, 노광 장치 반입용 반송 수단이 레지스트막 형성 블록의 반입용 전달 스테이지에 반송된 순서로 각 레지스트막 형성 블록의 버퍼 모듈에 반입된 기판을 노광 장치에 반입한다. 동등한 처리량을 달성하기 위해 1개의 레지스트막 형성 블록에 동종의 모듈을 복수 또는 다수 설치하는 경우에 비해 레지스트막 형성용 반송 수단의 부하를 억제할 수 있다.
Figure P1020080083732
도포 유닛, 인터페이스 아암, 전달 아암, 셔틀 아암, 노광 장치

Description

도포 및 현상 장치, 도포 및 현상 방법, 및 기억 매체{COATING AND DEVELOPING APPARATUS, COATING AND DEVELOPING METHOD, AND STORAGE MEDIUM}
본 특허 출원은 2007년 8월 28일에 제출된 일본 출원인 특허 출원 제2007-221609호의 이익을 향수한다. 이들의 선 출원에 있어서의 전체 개시 내용은 인용함으로써 본 명세서의 일부로 된다.
본 발명은 예를 들어 반도체 웨이퍼나 LCD 기판(액정 디스플레이용 글래스 기판) 등의 기판에 대해 레지스트액의 도포 처리 및 노광 후의 현상 처리를 행하는 도포 및 현상 장치, 도포 및 현상 방법, 및 기억 매체에 관한 것이다.
반도체 제조 공정의 하나인 포토레지스트 공정에 있어서는, 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고도 함)의 표면에 레지스트를 도포하고, 이 레지스트를 소정의 패턴으로 노광한 후에 현상하여 레지스트 패턴을 형성하고 있다. 이와 같은 처리는, 일반적으로 레지스트의 도포 및 현상을 행하는 도포 및 현상 장치에 노광 장치를 접속한 시스템을 이용하여 행해진다.
도포 및 현상 장치로서는 예를 들어 일본 특허 출원 공개 제2006-253501호 공보에 기재된 바와 같이 복수의 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라 함)를 포함한 캐리 어가 반입되는 캐리어 블록과, 노광 장치와의 사이에서 웨이퍼의 전달을 행하는 인터페이스 블록과, 캐리어 블록과 인터페이스 블록 사이에 설치된 처리 블록으로 구성되는 것이 알려져 있다.
상기 처리 블록은 웨이퍼에 레지스트의 도포를 행하는 도포 모듈(COT)을 포함한 도포 블록과, 레지스트 도포 후의 웨이퍼에 현상액을 공급하여 현상을 행하는 현상 모듈(DEV)을 포함한 현상 블록이 적층됨으로써 구성되어 있고, 또한 도포 블록 및 현상 블록은 각각 도포 처리 및 현상 처리의 전후에서 가열 및 냉각 처리를 행하는 가열 모듈 및 냉각 모듈과, 각 모듈 사이에 웨이퍼의 반송을 행하는 반송 아암을 포함하고 있다.
처리량의 향상을 도모하기 위해, 도포 블록 및 현상 블록에 있어서 도포 모듈, 현상 모듈, 가열 모듈 및 냉각 모듈 등의 웨이퍼에 처리를 행하는 모듈은 각각 복수 설치되어 있다. 순차 캐리어로부터 불출된 웨이퍼는, 웨이퍼가 반입되지 않고 비어 있는 처리 모듈에 반송되어, 각 처리 모듈에서 병행하여 처리가 행해진다. 그러한 후, 처리가 끝난 웨이퍼로부터 순서로 비어 있는 후단의 처리 모듈로 불출된다.
도13은 상술한 도포 및 현상 장치에 있어서의 각 모듈 및 각 모듈 사이에 있어서의 웨이퍼의 반송 경로를 나타낸 것이다. 캐리어(101)로부터 반출된 웨이퍼는 상기 캐리어 블록에 설치된 캐리어 아암(102)에 의해 TRS(전달 스테이지)(103)에 반송된다. 그 후, 웨이퍼는 처리 블록 내에서 상하로 이동하는 전달 아암(104), TRS(105)의 순으로 반송된다.
그러한 후, 웨이퍼는 도포 블록의 반송 아암(106)에 의해 당해 도포 블록 중에서 소수화 처리 모듈 ADH(107A 또는 107B), 냉각 모듈(108A 또는 108B), COT(109A, 109B 또는 109C), 가열 모듈(110A 내지 110D) 중 어느 하나, WEE(주연 노광 모듈)(111), 버퍼 모듈(112)의 순으로 반송된다.
그러한 후, 웨이퍼는 상기 전달 아암(104), 캐리어 블록측으로부터 인터페이스 블록측으로 이동하는 셔틀 아암(112), 및 인터페이스 블록에 설치된 인터페이스 아암(114)을 순차 거쳐서 노광 장치(113)로 반송되어 노광 처리된다.
노광 처리 후의 웨이퍼는 인터페이스 아암(114)을 통해 TRS(115A 또는 115B)에 반송된다. 계속해서 웨이퍼는, 현상 블록에 설치된 반송 아암(116)에 의해 가열 모듈(117A 내지 117F) 중 어느 하나, 냉각 모듈(118A 또는 118B), DEV(119A 내지 119F) 중 어느 하나, 가열 모듈(120A 내지 120F) 중 어느 하나, TRS(121A 또는 121B)라는 순서로 반송된 후, 캐리어(101)로 복귀된다.
이와 같은 도포 및 현상 장치에 있어서, 또한 처리량을 향상시키는 것이 검토되고 있고, 예를 들어 1시간(3600초)당 200매 내지 300매 정도의 처리량을 달성하는 것이 목표로 되어 있다. 1시간당 200매의 처리량을 달성하기 위해서는, 3600초/200매 = 18초/매라는 속도로 상술한 도포 및 현상 처리를 행할 필요가 있고, 1 시간당 300매의 처리량을 달성하기 위해서는 3600초/300매 = 12초/매라는 속도로 상술한 도포 및 현상 처리를 행할 필요가 있다.
1매의 웨이퍼에 대해, 전단의 모듈로부터 후단의 모듈로의 반송을 1회의 반송으로 하여 세는 경우, 도포 블록에 있어서, 반송 아암(106)은 그 웨이퍼를 TRS(105)로부터 버퍼 모듈(112)로 반송할 때까지 총 6회의 반송을 행하게 된다. 상기한 처리량을 달성하기 위해, 이들 모듈간의 1회당의 반송 시간은 처리량이 200매/시간인 경우에는 18초/6 = 3초 이하로 설정되고, 처리량이 300매/시간인 경우에는 12초/6 = 2초 이하로 설정된다.
그리고, 이와 같은 속도로 웨이퍼의 반송을 행하기 위해서는, 하나의 모듈에서의 처리가 끝나면, 바로 다음 모듈로의 반송을 행할 수 있도록 웨이퍼의 반송처를 확보하는 것이 필요하게 된다. 따라서 도포 블록 및 현상 블록에 있어서 각 모듈을 보다 많이 마련하고, 동종의 모듈에 있어서 병행하여 처리되는 웨이퍼의 수(병렬 처리수)를 늘리는 것이 검토되고 있다. 도14는 그와 같이 도포 블록에 있어서의 동종의 모듈의 수를 각각 늘린 일례이다.
그러나, 이와 같이 처리량을 향상시키기 위해, 상기한 바와 같이 모듈 사이를 2초 이하 내지는 3초 이하로 반송할 수 있도록 반송 아암(106)의 반송 속도를 높이면, 반송 아암(106)의 부하가 커져, 웨이퍼 반송 중에 반송 아암(106)으로부터 웨이퍼가 낙하하는 등의 반송 실수가 일어날 우려가 높아지는 문제가 있다. 또한, 상술한 일본 특허 출원 공개 제2006-253501호 공보에는 이와 같은 문제를 해결하는 방법에 대해서는 기재되어 있지 않다.
본 발명은 이와 같은 문제를 해결하기 위해 이루어진 것이며, 그 목적은 기판에 대해 처리를 행하는 각 모듈 사이에서 기판의 반송을 행하는 반송 기구의 반송 속도를 억제하여, 기판의 반송 정밀도의 저하를 억제할 수 있는 도포 및 현상 장치, 도포 및 현상 방법, 및 기억 매체를 제공하는 것이다.
본 발명의 도포 및 현상 장치는, 도포 및 현상 장치에 있어서, 캐리어에 의해 기판이 반입되는 캐리어 블록과, 상기 캐리어 블록에 반입된 상기 기판이 전달되는 동시에, 상기 기판에 대해 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성하는 처리 블록과, 상기 처리 블록에 의해 상기 도포막이 형성된 상기 기판을 노광 장치에 반송하는 인터페이스 블록을 구비하고, 상기 처리 블록은 각각 상기 캐리어 블록측으로부터 상기 인터페이스 블록측을 향해 형성된 복수의 레지스트막 형성 블록과, 상기 캐리어 블록측으로부터 상기 인터페이스 블록측에 향해 형성된 현상 처리 블록을 갖고, 상기 캐리어 블록에 상기 캐리어로부터의 상기 기판을 각 레지스트막 형성 블록으로 반송하는 처리 블록 반입용 반송 수단이 마련되고, 상기 인터페이스 블록에 상기 기판을 상기 노광 장치에 반입하고 또한 상기 노광 장치로부터 상기 기판을 반출하여 상기 현상 처리 블록으로 보내기 위한 노광 장치 반입용 반송 수단이 마련되고, 상기 처리 블록 반입용 반송 수단은 상기 캐리어로부터의 상기 기판을 각 레지스트막 형성 블록에 1매씩 차례로 주기적으로 반송하는 동시에, 상기 노광 장치 반입용 반송 수단은 상기 처리 블록 반입용 반송 수단에 의해 각 레지스트막 형성 블록에 반송된 순서로 각 레지스트막 형성 블록으로부터 상기 노광 장치에 상기 기판을 반입하는 것을 특징으로 한다.
각 레지스트막 형성 블록 및 상기 현상 처리 블록은 서로 적층되어 있어도 좋다. 또한 예를 들어, 상기 레지스트막 형성 블록은 2개 설치되고, 상기 처리 블록 반입용 반송 수단은 상기 캐리어로부터의 상기 기판을 각 레지스트막 형성 블록에 1매씩 교대로 반송하고, 상기 노광 장치 반송용 반송 수단은 각 상기 레지스트막 형성 블록으로부터의 상기 기판을 상기 캐리어로부터 각 레지스트막 형성 블록으로 반입된 순서로 교대로 상기 노광 장치에 반입한다. 예를 들어, 상기 현상 처리 블록은 복수 설치되고, 상기 노광 장치 반입용 반송 수단은 상기 노광 장치로부터 각 현상 처리 블록에 노광 완료된 상기 기판을 1매씩 주기적으로 반송해도 좋다. 또한 각 상기 레지스트막 형성 블록은 레지스트를 상기 기판에 도포하는 도포 모듈과, 상기 기판을 가열하는 가열 모듈과, 상기 기판을 냉각하는 냉각 모듈을 각각 복수 가져도 좋다.
본 발명의 도포 및 현상 방법은, 도포 및 현상 장치를 이용하여 기판에 대해 레지스트를 도포하는 동시에 노광된 후의 상기 기판에 대해 현상 처리를 행하는 도포 및 현상 방법에 있어서, 상기 도포 및 현상 장치는, 캐리어에 의해 기판이 반입되는 캐리어 블록과, 상기 캐리어 블록에 반입된 상기 기판이 전달되는 동시에, 상기 기판에 대해 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성하는 처리 블록과, 상기 처리 블록에 의해 상기 도포막이 형성된 상기 기판을 노광 장치에 반송하는 인터페이스 블록을 구비하고, 상기 처리 블록은 각각 상기 캐리어 블록측으로부터 상기 인터페이스 블록측을 향해 형성된 복수의 레지스트막 형성 블록과, 상기 캐리어 블록측으로부터 상기 인터페이스 블록측을 향해 형성된 현상 처리 블록을 갖고, 상기 캐리어 블록에 상기 캐리어로부터의 상기 기판을 각 레지스트막 형성 블록으로 반송하는 처리 블록 반입용 반송 수단이 마련되고, 상기 인터페이스 블록에 상기 기판을 상기 노광 장치에 반입하고 또한 상기 노광 장치로부터 상기 기판을 반출하여 상기 현상 처리 블록으로 보내기 위한 노광 장치 반입용 반송 수단이 마련되고, 상기 도포 및 현상 방법은, 상기 처리 블록 반입용 반송 수단에 의해 상기 캐리어로부터 각 레지스트막 형성 블록에 상기 기판을 1매씩 차례로 주기적으로 반송하는 공정과, 상기 노광 장치 반입용 반송 수단에 의해, 상기 처리 블록 반입용 반송 수단에 의해 각 레지스트막 형성 블록에 반송된 순서로, 각 레지스트막 형성 블록으로부터 상기 노광 장치에 상기 기판을 반입하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 레지스트막 형성 블록은 2개 설치되고, 상기 처리 블록 반입용 반송 수단은 상기 캐리어로부터의 상기 기판을 각 레지스트막 형성 블록에 1매씩 교대로 반송하고, 상기 노광 장치 반입용 반송 수단은 각 상기 레지스트막 형성 블록으로부터의 상기 기판을 상기 캐리어로부터 각 레지스트막 형성 블록에 반입된 순서로 교대로 상기 노광 장치에 반입해도 좋다. 또한, 상기 현상 처리 블록은 복수 설치되고, 상기 노광 장치 반입용 반송 수단에 의해 상기 노광 장치로부터 각 현상 처리 블록에 노광 완료된 상기 기판을 1매씩 주기적으로 반송하는 공정을 더 포함하고 있어도 좋다.
본 발명의 기억 매체는, 도포 및 현상 장치를 이용하여 기판에 대해 레지스트를 도포하는 동시에 노광된 후의 상기 기판에 대해 현상 처리를 행하는 도포 및 현상 방법에 사용되고, 컴퓨터상에서 동작하는 컴퓨터 프로그램을 저장한 기억 매체이며, 상기 도포 및 현상 장치는, 캐리어에 의해 기판이 반입되는 캐리어 블록과, 상기 캐리어 블록에 반입된 상기 기판이 전달되는 동시에, 상기 기판에 대해 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성하는 처리 블록과, 상기 처리 블록에 의해 상기 도포막이 형성된 상기 기판을 노광 장치에 반송하는 인터페이스 블록을 구비하고, 상기 처리 블록은 각각 상기 캐리어 블록측으로부터 상기 인터페이스 블록측을 향해 형성된 복수의 레지스트막 형성 블록과, 상기 캐리어 블록측으로부터 상기 인터페이스 블록측을 향해 형성된 현상 처리 블록을 갖고, 상기 캐리어 블록에 상기 캐리어로부터의 상기 기판을 각 레지스트막 형성 블록으로 반송하는 처리 블록 반입용 반송 수단이 마련되고, 상기 인터페이스 블록에 상기 기판을 상기 노광 장치에 반입하고 또한 상기 노광 장치로부터 상기 기판을 반출하여 상기 현상 처리 블록으로 보내기 위한 노광 장치 반입용 반송 수단이 마련되고, 상기 도포 및 현상 방법은, 상기 처리 블록 반입용 반송 수단에 의해 상기 캐리어로부터 각 레지스트막 형성 블록에 상기 기판을 1매씩 차례로 주기적으로 반송하는 공정과, 상기 노광 장치 반입용 반송 수단에 의해, 상기 처리 블록 반입용 반송 수단에 의해 각 레지스트막 형성 블록에 반송된 순서로, 각 레지스트막 형성 블록으로부터 상기 노광 장치에 상기 기판을 반입하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 상기 처리 블록 반입용 반송 수단은 상기 캐리어로부터의 상기 기판을 각 레지스트막 형성 블록에 1매씩 차례로 주기적으로 반송하는 동시에, 상기 노광 장치 반입용 반송 수단은 상기 처리 블록 반입용 반송 수단에 의해 각 레지스트막 형성 블록에 반송된 순서로 각 레지스트막 형성 블록으로부터 상기 노광 장치에 상기 기판을 반입한다. 이와 같이 복수의 레지스트막 형성 블록으로 병행하여 레지스트막의 형성을 행하고, 레지스트막이 형성된 기판을 순차 노광 장치에 반입함으로써, 동등한 처리량을 달성하기 위해 1개의 레지스트막 형성 블록에 동종의 모듈을 복수 또는 다수 설치하는 경우에 비해 레지스트막 형성용 반송 수단의 부하가 억제되고, 레지스트막 형성 블록에 포함되는 모듈 사이에서의 기판의 반송 정밀도가 저하되는 것을 억제할 수 있다.
(제1 실시 형태)
제1 실시 형태인 도포 및 현상 장치(1)에 대해 도1 내지 도3을 참조하면서 설명한다. 도1은 도포 및 현상 장치(1)에 노광 장치(S4)가 접속된 시스템의 평면도이며, 도2는 상기 시스템의 사시도이다. 또한 도3은 상기 시스템의 종단면도이다.
이 도포 및 현상 장치(1)는 캐리어 블록(S1)을 갖고 있고, 캐리어 블록(S1)은 적재대(11)와 전달 아암(12)을 갖고 있다. 캐리어 블록(S1)에 있어서, 전달 아암(12)은 적재대(11) 상에 적재된 밀폐형의 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하는 동시에, 캐리어 블록(S1)에 인접하는 처리 블록(S2)에 웨이퍼(W)를 전달하도록 구 성되어 있다(처리 블록 반입용 반송 수단). 또한 전달 아암(12)은 처리 블록(S2)으로부터 처리된 웨이퍼(W)를 수취하여, 이 처리된 웨이퍼(W)를 캐리어(C)에 복귀시키도록 구성되어 있다(복귀용 반송 수단). 캐리어(C)는 예를 들어 25매의 웨이퍼(W)를 포함하고 있고, 각 캐리어(C)마다 웨이퍼(W)의 로트가 다르다.
상기 처리 블록(S2)은 전체를 둘러싸는 하우징(13)을 갖고 있다. 이 처리 블록(S2)은 도2 및 도3에 도시한 바와 같이 하방으로부터 차례로 적층하여 구성된 3개의 블록, 즉 현상 처리를 행하기 위한 제1 블록(DEV층, 현상 처리 블록)(G1)과, 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성하기 위한 제2 블록(COT층, 레지스트막 형성 블록)(G2)과, 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성하기 위한 제3 블록(COT층, 레지스트막 형성 블록)(G3)을 갖고 있다. 이들 각 층은 구획판(14)에 의해 구획되어 있다(도3 참조).
도1에 도시한 바와 같이, 제2 블록(COT층)(G2)은 각각 레지스트를 스핀 코팅에 의해 도포하여 성막하는 3개의 도포 모듈(COT)(23A 내지 23C)을 포함하는 도포 유닛(2)과, 이 도포 유닛(2)에서 행해지는 처리의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 가열ㆍ냉각계의 처리 모듈군(27)과, 상기 도포 유닛(2)과 처리 모듈군(27) 사이에 설치되고, 이들 사이에서 웨이퍼의 전달을 행하는 반송 아암(E2)을 갖고 있다. 또한, 웨이퍼가 전달되는 장소를 모듈이라 부른다. 또한 반송 아암(E2, E3)은 레지스트막 형성용 반송 수단이다.
도4는 제2 블록(COT층)(G2)의 각 모듈을 나타내는 사시도이다. 도4에 있어서, 가열ㆍ냉각계의 처리 유닛군(27A)이 도시되어 있다. 이 상기 가열ㆍ냉각계의 처리 유닛군(27A)은, 예를 들어 레지스트 도포 전에 웨이퍼의 소수화 처리를 행하는 소수화 처리 모듈(ADH)(21A, 21B)과, 레지스트 도포 후에 웨이퍼를 가열 처리하는 가열 모듈(HP)(24A 내지 24D)과, 웨이퍼의 주연을 노광하는 주연 노광 모듈(WEE)(25)을 갖고 있다.
이들 모듈은 복수단으로 적층되어, 선반 유닛(U1 내지 U4)을 구성하고 있다. 이들 선반 유닛(U1 내지 U4)은 캐리어 블록(S1)측으로부터 인터페이스 블록(S3)측을 향해 형성된 반송 아암(E2)의 이동하는 반송 통로(R1)를 따라 배열되어 있다. 도4에 있어서, 선반 유닛(U1)에는 ADH(21A, 21B)가, 선반 유닛(U2, U3)에는 HP(24A 내지 24D)가, 선반 유닛(U4)에는 WEE(25)가 각각 포함되어 있다. 또한 선반 유닛(U1 내지 U4)의 하부에는 반송 통로(R1)의 배기를 행하는 배기 유닛(15)이 설치되어 있다.
제3 블록(COT층)(G3)은 COT층(G2)과 마찬가지로 구성되어 있고, ADH(21A, 21B), COT(23A 내지 23C), 가열 모듈(24A 내지 24D), WEE(25)에 각각 대응하는 소수화 처리 모듈(ADH)(31A, 31B), 도포 모듈(COT)(33A 내지 33C), 가열 모듈(34A 내지 34D), 주연 노광 모듈(WEE)(35)을 구비하고 있다.
제1 블록(DEV층)(G1)에 대해서는 제2, 제3 블록과 유사한 구성으로 되어 있다. 하나의 DEV층(G1) 내에, 상기 도포 유닛(2)에 대응하는 웨이퍼의 현상을 행하기 위한 현상 유닛이 2단으로 적층되어 있다.
이들 현상 유닛에는 웨이퍼에 현상액을 공급하여 현상을 행하기 위한 3개의 현상 모듈(DEV)이 각각 포함되어 있다. 즉 DEV층(G1)에는 총 6개의 현상 모 듈(DEV)이 포함되어 있고, 이들 현상 모듈(DEV)을 각각 43A, 43B, 43C, 43D, 43E, 43F라 한다. 그리고 당해 DEV층(G1) 내에는 이들 DEV(43A 내지 43F)에 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 현상 처리용 반송 수단인 반송 아암(E1)이 설치되어 있다. 즉 2단의 현상 유닛에 대해 반송 아암(E1)이 공통화되어 있는 구성으로 되어 있다.
또한 DEV층(G1)에는 노광 후, 현상액 도포 전의 웨이퍼를 가열하는 가열 모듈(HP)(41A 내지 41F) 및 현상 처리 후의 웨이퍼를 가열하는 가열 모듈(44A 내지 44F)이 설치되어 있다. 이들 가열 모듈은 COT층(G2)의 선반 유닛(U1 내지 U4)과 마찬가지로 복수단으로 적층되어 복수의 선반 유닛을 구성하고 있다. 이들 DEV층(G1)의 선반 유닛은 COT층(G2)의 선반 유닛(U1 내지 U4)과 같은 레이아웃으로 배열되어 있다. 그리고 반송 아암(E1)에 의해 이들 모듈 사이에서 웨이퍼(W)가 전달되도록 되어 있다.
또한 DEV층(G1) 내의 상부에는 캐리어 블록(S1)으로부터 인터페이스 블록(S3)측에 웨이퍼(W)를 직접 반송하기 위한 전용 반송 수단인 셔틀 아암(16)이 설치되어 있다. 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는 전달 아암(D1)을 거쳐서 이 셔틀 아암(16)에 전달되고, 계속해서 셔틀 아암(16)에 의해 인터페이스 블록(S3)에 받아들여져, 인터페이스 아암(I)에 전달된다. 또한, 본 실시 형태에 있어서, 인터페이스 아암(I)에 의해 노광 장치 반입용 반송 수단이 구성되어 있다.
또한 처리 블록(S2)에는 도1 및 도3에 도시한 바와 같이 선반 유닛(U5)이 설치되어 있다. 도3에 도시한 바와 같이, 이 선반 유닛(U5)에 있어서 DEV층(G1)에 대응하는 위치에 현상된 기판 전달 스테이지인 전달 스테이지(TRS6, TRS7)가 하방 으로부터 이 순서로 적층되어 설치되어 있다. 마찬가지로, COT층(G2)에 대응하는 위치에 전달 스테이지(TRS1), 냉각 모듈 CPL(22A), 전달 스테이지(TRS2), 냉각 모듈 CPL(22B), 버퍼 모듈 BM(26)이, 하방으로부터 이 순서로 적층되어 설치되어 있다. 또한, COT층(G3)에 대응하는 위치에 냉각 모듈 CPL(32A), 전달 스테이지(TRS3), 냉각 모듈 CPL(32B), 버퍼 모듈 BM(36)이 하방으로부터 이 순서로 적층되어 설치되어 있다. 이들 선반 유닛(U5)에 포함되는 모듈에는 대응하는 각 층(G1 내지 G3)에 각각 설치된 반송 아암(E1 내지 E3)이 액세스할 수 있다. 또한 TRS2, TRS3은 각각 COT층(G2, G3)에의 반입용 전달 스테이지를 구성한다.
각 냉각 모듈 CPL은 각 층(G1 내지 G3)의 가열 모듈(HP)에 있어서 가열된 웨이퍼(W)를 냉각하는 모듈이며, 버퍼 모듈 BM은 COT층(G2 또는 G3)에 있어서 도포 처리를 끝낸 복수매의 웨이퍼(W)를 노광 장치(S4)에 반입할 때까지 일시적으로 체류시키는 모듈이다. 또한 각 가열 모듈 HP(24A 내지 24D, 34A 내지 34D, 41A 내지 41F, 44A 내지 44F)는 온도 변경 가능한 열판을 구비하고, 이 열판 상에 적재된 웨이퍼(W)를 가열 처리한다.
선반 유닛(U5)의 근방에 설치된 승강 가능한 제1 전달 아암(D1)은 이들 선반 유닛(U5)의 각 모듈에 액세스하고, 이들 모듈 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행할 수 있도록 구성되어 있다.
도1 및 도4에 도시한 바와 같이, 처리 블록(S2)의 인터페이스 블록(S3)측에는 선반 유닛(U6)이 설치되어 있다. 이 선반 유닛(U6)에 있어서는, 도4에 도시한 바와 같이 DEV층(G1)에 대응하는 위치에 냉각 모듈 CPL(42A, 42B), 및 전달 스테이 지(TRS4, TRS5)가 하방으로부터 이 순서로 적층되어 설치되어 있다. 이들 모듈에 대해서는, DEV층(G1)의 반송 아암(E1)과 인터페이스 아암(I)이 액세스할 수 있다. 또한 TRS4 및 TRS5는 각각 노광 완료 기판 전달 스테이지를 구성한다.
한편, 처리 블록(S2)에 인터페이스 블록(S3)을 거쳐서 노광 장치(S4)가 접속되어 있다. 인터페이스 블록(S3)은 처리 블록(S2)의 선반 유닛(U6)의 각 모듈과 노광 장치(S4)에 대해 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 인터페이스 아암(I)을 구비하고 있다. 인터페이스 아암(I)은 셔틀 아암(16)을 거쳐서 인터페이스 블록(S3)에 반입된 웨이퍼(W)를 전달하여, 노광 장치(S4)에 반입할 수 있도록 되어 있다.
계속해서 제어부(10)에 대해 설명한다. 제어부(10)는 예를 들어 컴퓨터로 이루어지고, 도시 생략한 프로그램 저장부를 갖고 있다. 이 프로그램 저장부에는, 후술하는 작용으로 설명하는 현상 처리가 행해지도록 명령이 짜여진 예를 들어 소프트웨어로 이루어지는 프로그램이 저장되어 있다. 이 프로그램이 제어부(10)에 판독됨으로써, 제어부(10)는 각 반송 아암의 동작, 각 모듈에 있어서의 웨이퍼의 처리 온도, 웨이퍼에의 현상액 및 레지스트의 공급 등을 제어하고, 후술하는 바와 같이 웨이퍼(W)에 대해 도포 및 현상 처리를 행할 수 있다. 이 프로그램은, 예를 들어 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 마그넷 옵티컬 디스크 또는 메모리 카드 등의 기억 매체에 수납된 상태에서 프로그램 저장부에 저장된다.
웨이퍼(W)를 반송하는 데 있어서, 예를 들어 COT층(G2)의 COT(23A 내지 23C)와 같이 동종의 모듈이 복수 설치되어 있는 경우, 제어부(10)는 반입 가능한 상태에 있는 모듈에 대해 웨이퍼(W)의 반송을 행한다. 예를 들어 각 모듈은 전단의 모 듈로부터의 웨이퍼가 반입 가능해진 경우, 웨이퍼를 전달 가능한 것을 나타내는 인 레디 신호를 제어부(10)에 출력하도록 되어 있다. 한편, 각 모듈은 웨이퍼의 처리가 종료되어 웨이퍼를 반출 가능해진 경우, 아웃 레디 신호를 제어부(10)에 출력하도록 되어 있다. 제어부(10)는 이들 신호를 기초로 하여 현시점에서 어느 모듈로부터 어느 모듈 웨이퍼를 반송하는 것이 가능한지를 판단할 수 있다.
또한 제어부(10)는 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)가 도포 및 현상 장치(1)에 반입될 때까지, 예를 들어 캐리어(C)에 수용되는 웨이퍼(W)가 25매이면, 그 25매에 대해 캐리어 블록(S1)에 반입되는 순서로 기판 번호 1 내지 25를 배분한다. 또한 제어부(10)는 선두의 웨이퍼「1」내지 마지막 웨이퍼「25」에 대해 각각 어느 모듈로 반송하는지 반송 스케줄을 결정한다.
도5 및 도6은 소정의 캐리어(C)에 수용된 복수의 웨이퍼에 대한 반송 스케줄을 나타내는 표이다. 도5는 캐리어(C)로부터 불출된 복수의 웨이퍼(W)가 노광 장치(S4)에 반송될 때까지의 스케줄을, 도6은 노광 장치(S4)로부터 불출된 복수의 웨이퍼(W)가 캐리어(C)에 복귀될 때까지의 스케줄을 각각 나타내고 있다.
각 층(G1 내지 G3)의 반송 아암(E1 내지 E3)은 비동기로, 즉 서로 독립하여, 각 층(G1 내지 G3)에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송을 행할 수 있도록 되어 있다. 즉 도5에 나타내는 반송 스케줄표에 있어서, 쇄선으로 둘러싼 COT층(G2)의 각 모듈간의 반송, COT층(G3)의 각 모듈간의 반송은 각각 서로 독립하여, 병행하여 행해진다.
계속해서 도포 및 현상 장치(1)에 있어서의 소정의 캐리어의 웨이퍼의 반송 에 대해 도5 내지 도8을 참조하면서 설명한다. 편의상 이 캐리어를 C1, 캐리어(C1)에 포함되는 웨이퍼(W)를 웨이퍼 A라 하고, 웨이퍼 A는 도5 및 도6에 도시하는 반송 스케줄표에 따라서 각 모듈 사이에서 반송되는 것으로 한다. 도7은 도포 및 현상 장치(1)의 각 블록에 설치된 모듈 및 반송 아암 등을 편의상, 평면에 전개하여 도시한 것이고, 도8은 웨이퍼의 반송 경로를 나타낸 것이다.
[스텝 1]
캐리어(C1)가 캐리어 블록(S1) 내에 반입되면, 우선 웨이퍼(A1)가 캐리어(C1)로부터 캐리어 아암(12), 전달 스테이지(TRS1), 전달 아암(D1), 전달 스테이지(TRS2)의 순으로 반송된다. 그 후, 웨이퍼(A1)는 전달 스테이지(TRS2)로부터 COT층(G2)의 반송 아암(E2)에 의해 소수화 처리 모듈 ADH(21A)에 반송되어 소수화 처리된다. 계속해서 웨이퍼(A2)가 캐리어(C1)로부터 캐리어 아암(12), 전달 스테이지(TRS1), 전달 아암(D1), 전달 스테이지(TRS3)의 순으로 반송되고, TRS3으로부터 COT층(G3)의 반송 아암(E3)에 의해 소수화 처리 모듈 ADH(31A)에 반송되어 처리된다.
[스텝 2]
그러한 후, 웨이퍼(A3)가 웨이퍼(A1)와 같은 경로에서 캐리어(C1)로부터 전달 스테이지(TRS2)에 반송되어, 전달 스테이지(TRS2)로부터 반송 아암(E2)을 통해 소수화 처리 모듈 ADH(21B)에 반송된다. 계속해서 웨이퍼(A4)가 웨이퍼(A2)와 같은 경로에서 캐리어(C1)로부터 전달 스테이지(TRS3)에 반송되어, 전달 스테이지(TRS3)로부터 반송 아암(E3)을 통해 소수화 처리 모듈 ADH(31B)에 반송된다.
[스텝 3]
웨이퍼(A1)의 소수화 처리 모듈 ADH(21A)에서의 처리가 종료되고, 당해 웨이퍼(A1)가 ADH(21A), 반송 아암(E2), 냉각 모듈 CPL(22A)의 순으로 반송된다. 한편, 웨이퍼(A2)의 소수화 처리 모듈 ADH(31A)에서의 처리가 종료되고, 웨이퍼(A2)가 ADH(31A), 반송 아암(E3), 냉각 모듈 CPL(32A)의 순으로 반송된다. 또한 한편, 웨이퍼(A5)가 웨이퍼(A1)와 같은 경로에서 캐리어(C1)로부터 전달 스테이지(TRS2)로 반송되고, TRS2로부터 반송 아암(E2)을 통해 수소화 처리 모듈 ADH(21A)에 반송된다. 그에 이어서 웨이퍼(A6)가 웨이퍼(A2)와 같은 경로로 캐리어(C1)로부터 전달 스테이지(TRS3)에 반송되고, TRS3으로부터 반송 아암(E3)을 통해 소수화 처리 모듈 ADH(31A)에 반송된다.
[스텝 4]
웨이퍼 A3의 소수화 처리 모듈 ADH(21B)에서의 처리가 종료되어, 웨이퍼(A3)가 ADH(21B), 반송 아암(E2), 냉각 모듈 CPL(22B)의 순으로 반송된다. 한편, 웨이퍼(A4)의 소수화 처리 모듈 ADH(31B)에서의 처리가 종료되고, 웨이퍼(A4)가 ADH(31B), 반송 아암(E3), 냉각 모듈 CPL(32B)의 순으로 반송된다.
[스텝 5]
냉각 모듈 CPL(22A)에서 냉각 처리를 끝낸 웨이퍼(A1)가 반송 아암(E2)을 통해 도포 모듈 COT(23A)로 반송되어 레지스트 도포 처리된다. 한편, 냉각 모듈 CPL(32A)에서 냉각 처리를 끝낸 웨이퍼(A2)가 반송 아암(E3)을 통해 도포 모듈 COT(33A)에 반송되어 레지스트 도포 처리된다.
[스텝 6]
냉각 모듈 CPL(22B)에서 처리를 끝낸 웨이퍼(A3)가 반송 아암(E2)을 통해 도포 모듈 COT(23B)에 반송되어 레지스트 도포 처리된다. 한편, 냉각 모듈 CPL(32B)에서 처리를 끝낸 웨이퍼(A4)가 반송 아암(E3)을 통해 도포 모듈 COT(33B)에 반송되어 레지스트 도포 처리된다.
[스텝 7]
냉각 모듈 CPL(22A)에서 처리를 끝낸 웨이퍼(A5)가 반송 아암(E2)을 통해 도포 모듈 COT(23C)에 반송되어 레지스트 도포 처리된다. 한편, 냉각 모듈 CPL(32A)에서 처리를 끝낸 웨이퍼(A6)가 반송 아암(E3)을 통해 도포 모듈 COT(33C)에 반송되어 레지스트 도포 처리된다.
[스텝 8]
도포 모듈 COT(23A)에서의 도포 처리를 끝낸 웨이퍼(A1)가 반송 아암(E2)을 통해 가열 모듈 HP(24A)에 반송된다. 한편, 도포 모듈 COT(33A)에서의 도포 처리를 끝낸 웨이퍼(A2)가 반송 아암(E3)을 통해 가열 모듈 HP(34A)에 반송된다.
[스텝 9]
도포 모듈 COT(23B)에서의 도포 처리를 끝낸 웨이퍼(A3)가 반송 아암(E2)을 통해 가열 모듈 HP(24B)에 반송된다. 한편, 도포 모듈 COT(33B)에서의 도포 처리를 끝낸 웨이퍼(A4)가 반송 아암(E3)을 통해 가열 모듈 HP(34B)에 반송된다.
[스텝 10]
도포 모듈 COT(23C)에서의 도포 처리를 끝낸 웨이퍼(A5)가 반송 아암(E2)을 통해 가열 모듈 HP(24C)에 반송된다. 한편, 도포 모듈 COT(33C)에서의 도포 처리를 끝낸 웨이퍼(A6)가 반송 아암(E3)을 통해 가열 모듈 HP(34C)에 반송된다.
[스텝 11]
가열 모듈 HP(24A)에서의 가열 처리를 끝낸 웨이퍼(A1)가 반송 아암(E2)을 통해 주연 노광 모듈 WEE(25)에 반송된다. 한편, 가열 모듈 HP(34A)에서의 가열 처리를 끝낸 웨이퍼(A2)가 반송 아암(E3)을 통해 주연 노광 모듈 WEE(35)에 반송된다.
[스텝 12]
주연 노광 모듈 WEE(25)에서 처리를 끝낸 웨이퍼(A1)가 반송 아암(E2)을 통해 버퍼 모듈 BM(26)에 반송된다. 한편, 주연 노광 모듈 WEE(35)에서 처리를 끝낸 웨이퍼(A2)가 반송 아암(E3)을 통해 버퍼 모듈 BM(36)에 반송된다. 계속해서 가열 모듈 HP(24B)에서의 가열 처리를 끝낸 웨이퍼(A3)가 반송 아암(E2)을 통해 주연 노광 모듈 WEE(25)에 반송된다. 한편, 가열 모듈 HP(34B)에서의 가열 처리를 끝낸 웨이퍼(A4)가 반송 아암(E3)을 통해 주연 노광 모듈 WEE(35)에 반송된다.
[스텝 13]
웨이퍼(A1)가 버퍼 모듈 BM(26)로부터 전달 아암(D1), 셔틀 아암(16), 인터페이스 아암(I), 노광 장치(S4)의 순으로 반송된다. 계속해서 웨이퍼(A2)가 버퍼 모듈 BM(36)로부터 전달 아암(D1), 셔틀 아암(16), 인터페이스 아암(I), 노광 장치(S4)의 순으로 반송된다. 한편, 주연 노광 모듈 WEE(25)에서 주연 노광 처리를 끝낸 웨이퍼(A3)가 반송 아암(E2)을 통해 버퍼 모듈 BM(26)에 반송된다. 그러한 후, 그 WEE(25)에 웨이퍼(A5)가 반송된다. 또한 주연 노광 모듈 WEE(35)에서 주연 노광 처리를 끝낸 웨이퍼(A4)가 반송 아암(E3)을 통해 버퍼 모듈 BM(36)에 반송된다. 그러한 후, 당해 WEE(35)에 웨이퍼(A6)가 반송된다.
[스텝 14]
웨이퍼(A3)가 웨이퍼(A1)와 같은 경로에서 노광 장치(S4)에 반송되고, 계속해서 웨이퍼(A4)가 웨이퍼(A2)와 같은 경로에서 노광 장치(S4)에 반송된다. 한편 WEE(25)에서 주연 노광 처리를 끝낸 웨이퍼(A5)가 반송 아암(E2)을 통해 버퍼 모듈 BM(26)에 반송된다. 이와 함께, WEE(35)에서 주연 노광 처리를 끝낸 웨이퍼(A6)가 반송 아암(E3)을 통해 버퍼 모듈 BM(36)에 반송된다.
웨이퍼(A7) 이후의 번호의 웨이퍼 A에 대한 상세한 반송 경로의 설명은 생략하지만, 홀수 번호의 웨이퍼 A에 대해서는 캐리어(C1)로부터 COT층(G2)의 TRS2에 반입된 후, 반송 아암(E2)에 의해 도5의 반송 스케줄표에 따라서 미리 제어부(10)에 의해 결정된 각 모듈 사이에서 반송되어, 처리가 되면서 버퍼 모듈 BM(26)로 반송된다. 한편, 짝수 번호의 웨이퍼 A에 대해서는 캐리어(C1)로부터 COT층(G3)의 TRS3에 반입된 후, 반송 아암(E3)에 의해 상기 반송 스케줄표에 따라서 각 모듈 사이에서 반송되어, 처리가 되면서 버퍼 모듈 BM(36)로 반송된다. 이와 같이 하여 COT층(G2, G3)에서 각각 병행하여 웨이퍼 A의 처리가 진행된다.
그리고 버퍼 모듈 BM(26, 36)에 반송된 각 웨이퍼 A는 그 번호순으로, 전달 아암(D1) 및 셔틀 아암(16)을 통해 노광 장치(S4)로 반입된다. 즉 각 웨이퍼 A는 각 COT층(G2, G3)에 반입된 순서로 교대로 각 COT층(G2, G3)으로부터 노광 장 치(S4)로 반입된다.
계속해서 노광 장치(S4)에서 노광 처리된 각 웨이퍼의 반송 경로에 대해 설명한다. 웨이퍼(A1)는 노광 처리를 끝내면, 인터페이스 아암(I)을 통해 전달 스테이지 TRS4에 반송된다. 그러한 후, 웨이퍼(A1)는 반송 아암(E1)에 의해 TRS4, 가열 모듈 HP(41A), 냉각 모듈 CPL(42A), 현상 모듈 DEV(43A)의 순으로 반송되어 현상 처리된다. 또한 웨이퍼(A1)에 이어서 웨이퍼(A2)가 노광 장치(S4)로부터 불출되어 웨이퍼(A2)는 인터페이스 아암(I)에 의해 TRS5에 반송된다. 그러한 후, 반송 아암(E1)에 의해 가열 모듈 HP(41B), 냉각 모듈 CPL(42B), DEV(43B)의 순으로 반송되어 현상 처리된다.
또한 웨이퍼(A2)에 이어서 웨이퍼(A3)가 노광 장치(S4)로부터 불출되어, 인터페이스 아암(I), 전달 스테이지(TRS4), 반송 아암(E1), 가열 모듈 HP(41C), 반송 아암(E1), 냉각 모듈 CPL(42A), 반송 아암(E1), DEV(43C)의 순으로 반송되어 현상 처리된다. 이후 노광 장치(S4)로부터 불출되는 웨이퍼 A에 대해 상세한 반송 경로의 설명은 생략하지만, 도6의 반송 스케줄표에 따라서 지정된 모듈 사이에서 반송되어 지정된 DEV로 이동하여, 거기에서 현상 처리된다.
웨이퍼(A1)는 DEV(43A)에서 현상 처리를 끝내면, 가열 모듈 HP(44A), TRS6, 캐리어 아암(12)의 순으로 반송되어, 캐리어 아암(12)에 의해 캐리어(C1)에 반송된다. 계속해서 웨이퍼(A2)가 DEV(43B)에서 현상 처리를 끝내면, 가열 모듈 HP(44B), TRS7, 캐리어 아암(12)의 순으로 반송되어, 캐리어 아암(12)에 의해 캐리어(C1)에 반송된다. 또한 계속해서 웨이퍼 A3이 DEV(43C)에서 현상 처리를 끝내 면, 가열 모듈 HP(44C), TRS6, 캐리어 아암(12), 캐리어(C1)의 순으로 반송된다. 후속의 웨이퍼 A에 대해서도 각각 소정의 DEV에서 현상 처리된 후, 미리 설정된 모듈 사이에서 반송되어 캐리어(C1)에 복귀된다.
상기한 도포 및 현상 장치(1)에 따르면 캐리어(C1)로부터 순차 불출된 웨이퍼가 COT층(G2, G3)에 교대로 반입되어, COT층(G2)에 반입된 웨이퍼, COT층(G3)에 반입된 웨이퍼는 반송 아암(E2, E3)에 의해 각각 각 층에 복수 설치된 소수화 처리 모듈 ADH, 냉각 모듈 CPL, 도포 모듈 COT, 가열 모듈 HP 사이를 병행하여 반송되어 도포 처리가 행해진다. 그리고 각 층(G2, G3)으로부터 순차 도포 처리를 끝낸 웨이퍼가, COT층(G)에 반입된 것으로부터 차례로 노광 장치(S4)에 반입된 후, DEV층(G1)에 반입되어, 순차 현상 처리되어 캐리어(C1)에 복귀된다.
따라서 소정의 처리량을 달성하기 위해 하나의 COT층에 도포 모듈, 가열 모듈 등 동종의 모듈을 각각 다수 설치하고, 이들 다수의 동종의 모듈에서 병행하여 처리를 행하는 동시에 다른 모듈 사이에서 병행하여 웨이퍼의 반송을 행하는 것보다도, 각 COT층(G2, G3)에 있어서의 모듈 수를 적게 할 수 있어, 각 층에 설치된 반송 아암(E2, E3)의 이동 속도를 억제할 수 있다. 따라서 반송 아암(E2, E3)으로부터의 웨이퍼의 낙하 등의 반송 실수를 억제할 수 있고, COT층(G2, G3)에 있어서 웨이퍼의 반송 정밀도의 저하를 억제할 수 있다.
또한 상기한 도포 및 현상 장치(1)에 있어서 웨이퍼 A군의 후속 로트의 반송의 일례에 대해 설명한다. 우선, 예를 들어 상기한 바와 같이 캐리어(C1)로부터 캐리어 블록(S1) 내로 웨이퍼 A가 불출되고 있을 때에, 다른 웨이퍼 A와는 상이한 로트의 웨이퍼군(웨이퍼 B군이라 함)을 포함한 캐리어(C)[캐리어(C2)라 함]가 캐리어 블록(S1)의 적재대(11)에 반송된다. 웨이퍼 B군에 대해서도 도시는 하고 있지 않지만 캐리어 블록(S1) 내에 반입되기 전에 미리 반송 스케줄표가 제어부(10)에 의해 설정된다. 그리고 웨이퍼 A군의 마지막 웨이퍼인 웨이퍼(A25)가 캐리어 블록(S1) 내에 반입된 후, 웨이퍼 B군의 로트의 선두의 웨이퍼(B1)가 캐리어 블록(S1) 내에 반입된다.
그리고 웨이퍼(A25)가 도5의 반송 스케줄표에 따라서 COT층(G2)에 반송된 후, 웨이퍼(B1)는 COT층(G3)에 반송되어 레지스트 도포 처리된다. 또한 후속의 웨이퍼(B2 내지 B25)는 웨이퍼 A군과 마찬가지로 번호순으로 캐리어(C2)로부터 불출된다. 웨이퍼(B2 내지 B25) 중, 짝수 번호의 것은 COT층(G2)에, 홀수 번호의 것은 COT층(G3)에 각각 반송되어 레지스트 도포 처리된다. 그러한 후 웨이퍼 B군은 웨이퍼(A25)에 이어서, 웨이퍼 A군과 마찬가지로 번호순으로 노광 장치(S4)에 반송되어 노광 처리된다.
웨이퍼 A군의 DEV층(B1)에 있어서의 반송이 진행되어, DEV층(B1)의 가열 모듈 HP(41A 내지 41F)이 그 모듈에서 처리되는 웨이퍼 A군의 마지막 웨이퍼의 가열 처리를 끝냈을 때, 가열 모듈 HP(41A 내지 41F)는 그 열판의 온도를 웨이퍼 B군이 도착할 때까지 웨이퍼 B군을 처리하기 위한 소정 온도로 변경한다. 즉 반송 스케줄표를 기초로 하여 HP(41A)는 웨이퍼(A25), HP(41B)는 웨이퍼(A20), HP(41C)는 웨이퍼(A21), HP(41D)는 웨이퍼(A22), HP(41E)는 웨이퍼(A23), HP(41F)는 웨이퍼(A24)에 대해 각각 가열 처리를 끝냈을 때, 열판의 온도 변경이 행해져, 웨이퍼 B군은 그 변경된 온도에서 가열 처리된다. 가열 처리된 웨이퍼 B군은 계속해서 웨이퍼 A군과 마찬가지로 현상 처리되어, 캐리어(C2)에 복귀된다.
이와 같이 도포 및 현상 장치(1)에 있어서는, 캐리어 블록(S1)에 반입된 순서로 웨이퍼가 각 버퍼 모듈 BM으로부터 셔틀 아암(16)을 통해 노광 장치(S4)에 반입되어, 이 순서로 노광 장치(S4)로부터 DEV층(G1)으로 불출된다. 따라서 DEV층(G1)에 있어서 후속 로트가 선행 로트를 추월하지 않는다. 이에 의해, 상기한 바와 같이 로트마다 웨이퍼에 대한 가열 모듈 HP(41A 내지 41F)의 처리 조건을 절환하는 경우, 가령 선행 로트의 웨이퍼가 장치(1) 내에서 반송되고 있어도, 선행 로트의 웨이퍼에 이어서 후속 로트의 웨이퍼를 반송할 수 있다. 이 결과, 처리량의 저하가 억제되므로 유리하다.
또한, DEV층(G1)에 있어서의 가열 모듈 이외의 모듈의 처리 조건을 로트마다 절환해도 좋다. 또한, COT층(G2, G3)의 각 모듈에 있어서도 웨이퍼 A군의 처리가 끝나면 웨이퍼 B군이 도착할 때까지 각 모듈의 처리 조건을 변경하고, 그 변경된 처리 조건으로 웨이퍼 B군을 처리해도 좋다.
(제2 실시 형태)
계속해서 제2 실시 형태에 대해 도9 및 도10을 참조하여 설명한다. 도9 및 도10에 도시하는 제2 실시 형태에 의한 도포 및 현상 장치(6)와, 상술한 제1 실시 형태에 의한 도포 및 현상 장치(1)의 차이점은, COT층(G3) 상에 COT층(G2, G3)과 마찬가지로 구성된 COT층(G4)이 적층되어 있는 점이다.
도9, 도10에 도시한 바와 같이, COT층(G4)은 COT층(G2)의 ADH(21A, 21B, COT(23A 내지 23C), 가열 모듈(24A 내지 24D), WEE(25), 및 반송 아암(E2)에 각각 대응하는 ADH(51A, 51B), COT(53A 내지 53C), 가열 모듈(54A 내지 54D), WEE(55), 및 반송 아암(E4)을 갖고 있다.
또한 선반 유닛(U5)에 있어서 COT층(G4)에 대응하는 위치에는 냉각 모듈 CPL(52A), TRS8, CPL(52B), 및 BM(56)이 하방으로부터 이 순서로 적층되어 설치되어 있다. 이들 모듈은 COT층(G3)의 CPL(32A), TRS3, CPL(32B), 및 BM(36)에 각각 대응하고 있고, 전달 아암(D1)은 이들 각 모듈에 웨이퍼를 반송 가능하게 되어 있다.
이 도포 및 현상 장치(6)에 있어서는, 캐리어(C1)로부터 번호순으로 반송된 웨이퍼 A는 COT층(G2, G3, G4)의 순서로 이 사이클로 반복해서 반송된다. 즉, 예를 들어 웨이퍼(A1, A2, A3)가 각각 COT층(G2, G3, G4)에 반송되면 다음의 웨이퍼(A4, A5, A6)는 각각 COT층(G2, G3, G4)으로 반송된다.
그리고 각 COT층(G2 내지 G4)에서 웨이퍼 A가 ADH, CPL, COT, HP, WEE의 순으로 반송되어 처리되어 버퍼 모듈 BM으로 반송되면, 계속해서 전달 아암(D1) 및 셔틀 아암(16)은 캐리어(C1)로부터 불출된 순서, 즉 번호순으로 웨이퍼 A를 순차 노광 장치(S4)에 반입한다. 그리고 노광 장치(S4)에 반입된 웨이퍼 A는 노광 처리되면, 도포 및 현상 장치(1)와 마찬가지로 DEV층(G1)을 통해 캐리어(C1)에 복귀된다. 이와 같이 도포 및 현상 장치를 구성하고 있었던 경우에 있어서도, 하나의 COT층에 포함되는 모듈의 수를 억제할 수 있으므로, 도포 및 현상 장치(1)와 같은 효과를 얻을 수 있다.
(제3 실시 형태)
계속해서 제3 실시 형태인 도포 및 현상 장치(7)에 대해 도11 및 도12를 참조하면서 설명한다. 도11 및 도12에 도시하는 제3 실시 형태에 의한 도포 및 현상 장치(7)에 있어서, COT층(G2)과 DEV층(G1) 사이에 DEV층(G5)이 마련되어 있다.
DEV층(G5)은 DEV층(G1)과 마찬가지로 구성되어 있고, 상술한 HP(41A 내지 41F), HP(44A) 내지 HP(44F), 및 반송 아암(E1)에 각각 대응하는 HP(61A 내지 61F), HP(64A 내지 64F), 및 반송 아암(E5)을 갖고 있다.
또한 선반 유닛(U6)에 있어서는, DEV층(G5)에 대응하는 위치에 DEV층(G1)의 CPL(42A), CPL(42B), TRS4 및 TRS5에 각각 대응하는 CPL(62A), CPL(62B), TRS9 및 TRS10이 하방으로부터 이 순서로 적층되어 설치되어 있다. 또한 인터페이스 아암(I)이 이들 모듈에 웨이퍼(W)를 반송 가능하게 되어 있다. 또한, 이 예에서는 셔틀 아암(16)은 DEV층(G5)에 설치되어 있다.
제1 실시 형태와 마찬가지로 캐리어(C1)로부터 불출되어 각 COT층에서 레지스트 도포 처리된 웨이퍼 A는, 노광 처리 후, 교대로 DEV층(G1 또는 G5)으로 반송된다. 예를 들어 웨이퍼(A1, A3, A5…)로 이루어지는 홀수 번호의 웨이퍼 A는 DEV층(G1)의 TRS4 또는 TRS5에 반송된다. 또한 웨이퍼(A2, A4, A6…)로 이루어지는 짝수 번호의 웨이퍼 A는 DEV층(G5)의 TRS9 또는 TRS10에 반송된다.
그리고 DEV층(G1)의 TRS4 또는 TRS5에 반송된 웨이퍼 A는, 제1 실시 형태와 마찬가지로 하여 반송되는 한편, DEV층(G5)의 TRS9 또는 TRS10에 반송된 웨이퍼 A는 HP(61A 내지 61F) 중 어느 하나, CPL(62A 또는 62B), DEV(63A 내지 63F) 중 어 느 하나, HP(64A 내지 64F) 중 어느 하나, TRS11 또는 TRS12의 경로에서 각 모듈 사이에서 반송된다. 각 DEV층(G1, G5)의 반송 아암(E1, E5)은 서로 독립하여 웨이퍼 A의 반송을 행하고, TRS6, TRS7, TRS11 또는 TRS12에 반송된 웨이퍼 A는 캐리어 아암(12)을 통해 캐리어(C1)에 복귀된다.
이와 같이 본 실시 형태에 있어서, DEV층을 복수 마련하고, 각 DEV층의 모듈 사이에 있어서 병행하여 웨이퍼를 반송하고 있다. 이에 의해, 하나의 DEV층에 동종의 모듈을 다수 설치하는 경우에 비해, 처리량의 저하를 억제하면서 모듈 사이에서 반송하는 반송 아암의 부하를 억제할 수 있고, 이들 DEV층에 있어서의 웨이퍼의 반송 정밀도를 향상시킬 수 있다. DEV층을 이와 같이 복수 마련한 경우에 있어서도, COT층을 2개보다 많이 마련해도 좋다. 또한 후속 로트의 웨이퍼를 반송하는 데 있어서, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 후속 로트의 웨이퍼가 도착할 때까지 각 모듈의 처리 조건을 변경하도록 해도 좋다.
상기한 각 실시 형태에서는 웨이퍼에 레지스트를 도포하기 전에 소수화 처리를 행하고 있지만, 소수화 처리를 행하는 대신에 반사 방지막을 형성하는 처리를 행해도 좋다.
도1은 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 도포 및 현상 장치를 도시하는 횡단 평면도.
도2는 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 도포 및 현상 장치를 도시하는 사시도.
도3은 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 도포 및 현상 장치를 도시하는 종단 평면도.
도4는 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 도포 및 현상 장치에 포함되는 COT층을 도시하는 사시도.
도5는 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 도포 및 현상 장치에서 반송되는 웨이퍼의 반송 스케줄표.
도6은 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 도포 및 현상 장치에서 반송되는 웨이퍼의 반송 스케줄표.
도7은 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 도포 및 현상 장치에 포함되는 각 모듈을 나타내는 모식도.
도8은 상기 각 모듈 사이에 있어서의 웨이퍼의 반송도.
도9는 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 도포 및 현상 장치에 포함되는 각 모듈을 나타내는 모식도.
도10은 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 도포 및 현상 장치의 각 모듈 사이에 있어서의 웨이퍼의 반송도.
도11은 본 발명의 제3 실시 형태에 의한 도포 및 현상 장치에 포함되는 각 모듈을 나타내는 모식도.
도12는 본 발명의 제3 실시 형태에 의한 도포 및 현상 장치의 각 모듈 사이에 있어서의 웨이퍼의 반송도.
도13은 종래의 도포 및 현상 장치에 있어서의 웨이퍼의 반송도.
도14는 종래의 도포 및 현상 장치에 있어서 도포 블록의 모듈의 수를 늘린 경우의 일례를 나타내는 웨이퍼의 반송도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 도포 및 현상 장치
2 : 도포 유닛
10 : 제어부
11 : 적재대
12 : 전달 아암
13 : 하우징
14 : 구획판
15 : 배기 유닛
16 : 셔틀 아암

Claims (15)

  1. 도포 및 현상 장치에 있어서,
    캐리어에 의해 기판이 반입되는 캐리어 블록과,
    상기 캐리어 블록에 반입된 상기 기판이 전달되는 동시에, 상기 기판에 대해 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성하는 처리 블록과,
    상기 처리 블록에 의해 상기 도포막이 형성된 상기 기판을 노광 장치에 반송하는 인터페이스 블록을 구비하고,
    상기 처리 블록은 각각 상기 캐리어 블록측으로부터 상기 인터페이스 블록측을 향해 형성된 복수의 레지스트막 형성 블록과, 상기 캐리어 블록측으로부터 상기 인터페이스 블록측을 향해 형성된 현상 처리 블록을 갖고,
    상기 캐리어 블록에 상기 캐리어로부터의 상기 기판을 각 레지스트막 형성 블록으로 반송하는 처리 블록 반입용 반송 수단이 마련되고,
    상기 인터페이스 블록에 상기 기판을 상기 노광 장치에 반입하고 또한 상기 노광 장치로부터 상기 기판을 반출하여 상기 현상 처리 블록으로 보내기 위한 노광 장치 반입용 반송 수단이 마련되고,
    상기 처리 블록 반입용 반송 수단은 상기 캐리어로부터의 상기 기판을 각 레지스트막 형성 블록에 1매씩 차례로 주기적으로 반송하는 동시에, 상기 노광 장치 반입용 반송 수단은 상기 처리 블록 반입용 반송 수단에 의해 각 레지스트막 형성 블록에 반송된 순서로 각 레지스트막 형성 블록으로부터 상기 노광 장치에 상기 기 판을 반입하는 것을 특징으로 하는 도포 및 현상 장치.
  2. 제1항에 있어서, 각 레지스트막 형성 블록 및 상기 현상 처리 블록은 서로 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 도포 및 현상 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 레지스트막 형성 블록은 2개 설치되고, 상기 처리 블록 반입용 반송 수단은 상기 캐리어로부터의 상기 기판을 각 레지스트막 형성 블록에 1매씩 교대로 반송하고, 상기 노광 장치 반입용 반송 수단은 각 상기 레지스트막 형성 블록으로부터의 상기 기판을 상기 캐리어로부터 각 레지스트막 형성 블록으로 반입된 순서로 교대로 상기 노광 장치에 반입하는 것을 특징으로 하는 도포 및 현상 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 현상 처리 블록은 복수 설치되고, 상기 노광 장치 반입용 반송 수단은 상기 노광 장치로부터 각 현상 처리 블록에 노광 완료된 상기 기판을 1매씩 주기적으로 반송하는 것을 특징으로 하는 도포 및 현상 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 각 상기 레지스트막 형성 블록은 레지스트를 상기 기판에 도포하는 도포 모듈과, 상기 기판을 가열하는 가열 모듈과, 상기 기판을 냉각하는 냉각 모듈을 각각 복수 갖는 것을 특징으로 하는 도포 및 현상 장치.
  6. 제3항에 있어서, 상기 현상 처리 블록은 복수 설치되고, 상기 노광 장치 반입용 반송 수단은 상기 노광 장치로부터 각 현상 처리 블록에 노광 완료된 상기 기판을 1매씩 주기적으로 반송하는 것을 특징으로 하는 도포 및 현상 장치.
  7. 제3항에 있어서, 각 상기 레지스트막 형성 블록은 레지스트를 상기 기판에 도포하는 도포 모듈과, 상기 기판을 가열하는 가열 모듈과, 상기 기판을 냉각하는 냉각 모듈을 각각 복수 갖는 것을 특징으로 하는 도포 및 현상 장치.
  8. 제4항에 있어서, 각 상기 레지스트막 형성 블록은 레지스트를 상기 기판에 도포하는 도포 모듈과, 상기 기판을 가열하는 가열 모듈과, 상기 기판을 냉각하는 냉각 모듈을 각각 복수 갖는 것을 특징으로 하는 도포 및 현상 장치.
  9. 제6항에 있어서, 각 상기 레지스트막 형성 블록은 레지스트를 상기 기판에 도포하는 도포 모듈과, 상기 기판을 가열하는 가열 모듈과, 상기 기판을 냉각하는 냉각 모듈을 각각 복수 갖는 것을 특징으로 하는 도포 및 현상 장치.
  10. 도포 및 현상 장치를 이용하여 기판에 대해 레지스트를 도포하는 동시에 노광된 후의 상기 기판에 대해 현상 처리를 행하는 도포 및 현상 방법에 있어서,
    상기 도포 및 현상 장치는,
    캐리어에 의해 기판이 반입되는 캐리어 블록과,
    상기 캐리어 블록에 반입된 상기 기판이 전달되는 동시에, 상기 기판에 대해 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성하는 처리 블록과,
    상기 처리 블록에 의해 상기 도포막이 형성된 상기 기판을 노광 장치에 반송하는 인터페이스 블록을 구비하고,
    상기 처리 블록은 각각 상기 캐리어 블록측으로부터 상기 인터페이스 블록측을 향해 형성된 복수의 레지스트막 형성 블록과, 상기 캐리어 블록측으로부터 상기 인터페이스 블록측을 향해 형성된 현상 처리 블록을 갖고,
    상기 캐리어 블록에 상기 캐리어로부터의 상기 기판을 각 레지스트막 형성 블록으로 반송하는 처리 블록 반입용 반송 수단이 마련되고,
    상기 인터페이스 블록에 상기 기판을 상기 노광 장치에 반입하고 또한 상기 노광 장치로부터 상기 기판을 반출하여 상기 현상 처리 블록으로 보내기 위한 노광 장치 반입용 반송 수단이 마련되고,
    상기 도포 및 현상 방법은,
    상기 처리 블록 반입용 반송 수단에 의해, 상기 캐리어로부터 각 레지스트막 형성 블록에 상기 기판을 1매씩 차례로 주기적으로 반송하는 공정과,
    상기 노광 장치 반입용 반송 수단에 의해, 상기 처리 블록 반입용 반송 수단에 의해 각 레지스트막 형성 블록에 반송된 순서로, 각 레지스트막 형성 블록으로부터 상기 노광 장치에 상기 기판을 반입하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 도포 및 현상 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 레지스트막 형성 블록은 2개 설치되고, 상기 처리 블록 반입용 반송 수단은 상기 캐리어로부터의 상기 기판을 각 레지스트막 형성 블록에 1매씩 교대로 반송하고, 상기 노광 장치 반입용 반송 수단은 각 상기 레지스트막 형성 블록으로부터의 상기 기판을 상기 캐리어로부터 각 레지스트막 형성 블록에 반입된 순서로 교대로 상기 노광 장치에 반입하는 것을 특징으로 하는 도포 및 현상 방법.
  12. 제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 현상 처리 블록은 복수 설치되고, 상기 노광 장치 반입용 반송 수단에 의해 상기 노광 장치로부터 각 현상 처리 블록에 노광 완료된 상기 기판을 1매씩 주기적으로 반송하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도포 및 현상 방법.
  13. 도포 및 현상 장치를 이용하여 기판에 대해 레지스트를 도포하는 동시에 노광된 후의 상기 기판에 대해 현상 처리를 행하는 도포 및 현상 방법에 사용되고, 컴퓨터상에서 동작하는 컴퓨터 프로그램을 저장한 기억 매체이며,
    상기 도포 및 현상 장치는,
    캐리어에 의해 기판이 반입되는 캐리어 블록과,
    상기 캐리어 블록에 반입된 상기 기판이 전달되는 동시에, 상기 기판에 대해 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성하는 처리 블록과,
    상기 처리 블록에 의해 상기 도포막이 형성된 상기 기판을 노광 장치에 반송하는 인터페이스 블록을 구비하고,
    상기 처리 블록은 각각 상기 캐리어 블록측으로부터 상기 인터페이스 블록측을 향해 형성된 복수의 레지스트막 형성 블록과, 상기 캐리어 블록측으로부터 상기 인터페이스 블록측을 향해 형성된 현상 처리 블록을 갖고,
    상기 캐리어 블록에 상기 캐리어로부터의 상기 기판을 각 레지스트막 형성 블록으로 반송하는 처리 블록 반입용 반송 수단이 마련되고,
    상기 인터페이스 블록에 상기 기판을 상기 노광 장치에 반입하고 또한 상기 노광 장치로부터 상기 기판을 반출하여 상기 현상 처리 블록으로 보내기 위한 노광 장치 반입용 반송 수단이 마련되고,
    상기 도포 및 현상 방법은,
    상기 처리 블록 반입용 반송 수단에 의해, 상기 캐리어로부터 각 레지스트막 형성 블록에 상기 기판을 1매씩 차례로 주기적으로 반송하는 공정과,
    상기 노광 장치 반입용 반송 수단에 의해, 상기 처리 블록 반입용 반송 수단에 의해 각 레지스트막 형성 블록에 반송된 순서로, 각 레지스트막 형성 블록으로부터 상기 노광 장치에 상기 기판을 반입하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기억 매체.
  14. 제13항에 있어서, 상기 레지스트막 형성 블록은 2개 설치되고, 상기 처리 블록 반입용 반송 수단은 상기 캐리어로부터의 상기 기판을 각 레지스트막 형성 블록 에 1매씩 교대로 반송하고, 상기 노광 장치 반입용 반송 수단은 각 상기 레지스트막 형성 블록으로부터의 상기 기판을 상기 캐리어로부터 각 레지스트막 형성 블록으로 반입된 순서로 교대로 상기 노광 장치에 반입하는 것을 특징으로 하는 기억 매체.
  15. 제13항 또는 제14항에 있어서, 상기 현상 처리 블록은 복수 설치되고, 상기 도포 및 현상 방법은 상기 노광 장치 반입용 반송 수단에 의해 상기 노광 장치로부터 각 현상 처리 블록에 노광 완료된 상기 기판을 1매씩 주기적으로 반송하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기억 매체.
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