KR101449117B1 - 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 - Google Patents

Abstract

본 발명의 과제는, 기판의 로트에 대응하는 처리액의 종별마다 준비된 복수의 노즐을 포함하는 액처리부를 구비한 액처리 장치에 있어서, 액처리부에 발생한 트러블에 대하여 처리 효율의 저하를 억제할 수 있는 기술을 제공하는 것이다.
하나의 로트의 웨이퍼(W)의 액처리에 사용하는 약액 노즐(25a)에 있어서 트러블이 발생한 경우에, 그 하나의 로트에 대응하는 약액 노즐(25a)의 사용을 정지하고, 당해 약액 노즐(25a)과는 다른 약액 노즐(25b)을 사용하여 처리를 행하는 다음 로트에 대해서는 처리를 행하는 것으로 한다. 약액 노즐에 있어서의 트러블 발생의 판단에 대해서는, 처리한 각 웨이퍼(W)의 액처리 상태를 순차적으로 검사하여 그 양부를 판정하고, 동일한 약액 노즐을 사용하여 다른 액처리부(COT1 내지 COT3)에서 처리된 웨이퍼(W)에 있어서, 예를 들어 3회 연속으로 불량 판정으로 된 경우에, 약액 노즐에 있어서의 트러블 발생이라고 판단한다.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND STORAGE MEDIUM}

본 발명은, 기판의 표면에 노즐로부터 약액을 공급하여 액처리를 행하는 기술 분야에 관한 것이다.

반도체 제조에 있어서의 포토리소그래피 공정에서는, 레지스트의 도포, 현상을 위한 일련의 처리를 행하는 도포, 현상 장치가 사용된다. 이 장치 내에 배치되는 레지스트 도포 유닛은 약액인 레지스트액의 종류마다 할당된 약액 노즐이 복수 설치되어 있고, 기판의 종별에 따른 약액을 토출하는 노즐이 선택되어 사용된다. 또한 컵 안에 스핀 척을 설치한 액처리 모듈을 복수개 가로로 배열하여 배치하고, 복수의 약액 노즐을 집합시켜 복수의 액처리 모듈에 대하여 공용화하는 구성도 알려져 있다.

그리고 기판의 검사를 행하는 검사 유닛을 구비한 도포, 현상 장치도 알려져 있고, 이 경우에는 레지스트막을 형성한 후, 노광 전의 기판의 검사를 행하고, 불량이라고 판단된 경우에는, 그 기판의 처리를 행한 레지스트 도포 유닛의 운전을 정지하여 메인터넌스를 행하도록 하고 있다. 복수의 레지스트 도포 유닛이 배치되어 있는 경우에는, 다른 레지스트 도포 유닛을 사용하지만, 처리 효율로서는 1대의 레지스트 도포 유닛분만큼 저하된다. 또한 당해 레지스트 도포 유닛의 상류측에 위치하는 기판은, 그 위치에 따라서는 그 후의 처리를 행하지 않고 회수하고, 리워크 처리, 예를 들어 반사 방지막이 이미 형성되어 있으면 약액에 의한 제거 처리를 행하는 경우도 있다.

특허 문헌 1에는, 복수의 액처리용 모듈이 설치되고, 그들에 약액을 토출하는 노즐부를 공통화하고 있는 액처리 장치에 대해, 높은 처리량을 얻는 기술이 기재되어 있지만, 본 발명과는 다르다.

일본 특허 출원 공개 제2008-72016호 공보

본 발명은 이러한 배경하에 이루어진 것이며, 그 목적은 기판의 로트에 대응하는 처리액의 종별마다 준비된 복수의 노즐을 포함하는 액처리부를 구비한 액처리 장치에 있어서, 액처리부에 발생한 트러블에 대하여 처리 효율의 저하를 억제할 수 있는 기술을 제공하는 것에 있다.

본 발명의 기판 처리 장치는,

캐리어 블록에 반입된 기판 반송 용기인 캐리어로부터 불출된 기판에 대하여, 처리 블록에서 액처리를 행하고, 이 액처리 후에 계속해서 모듈에서 후처리가 행해지고, 상기 액처리 및 후처리를 포함하는 일련의 처리를 종료한 기판을 캐리어에 전달하는 기판 처리 장치에 있어서,

상기 처리 블록에 설치되고, 기판을 수평으로 보유 지지하는 기판 보유 지지부의 주위를 컵체에 의해 둘러싸 구성되는 액처리 모듈과, 기판의 로트에 대응하는 처리액의 종별마다 준비된 복수의 노즐을 포함하는 액처리부와,

상기 처리 블록 내에서 기판의 반송을 행하기 위한 반송 기구와,

상기 노즐에 있어서의 처리액의 토출에 문제가 있는지 여부를 감시하는 감시부와,

이 감시부에 의해 문제가 있다고 판단된 노즐을 사용하는 기판에 대해서는, 당해 액처리부에 있어서의 액처리를 금지하고, 당해 노즐 이외의 노즐을 사용하는 기판에 대해서는 당해 액처리부에서 액처리를 행하도록 제어 신호를 출력하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 한다.

본 발명의 기판 처리 방법은,

캐리어 블록에 반입된 기판 반송 용기인 캐리어로부터 불출된 기판에 대하여, 처리 블록에서 액처리를 행하고, 이 액처리 후에 계속해서 모듈에서 후처리가 행해지고, 상기 액처리 및 후처리를 포함하는 일련의 처리를 종료한 기판을 캐리어에 전달하는 기판 처리 방법에 있어서,

상기 처리 블록에 설치되고, 기판을 수평으로 보유 지지하는 기판 보유 지지부의 주위를 컵체에 의해 둘러싸 구성되는 액처리 모듈과, 기판의 로트에 대응하는 처리액의 종별마다 준비된 복수의 노즐을 포함하는 액처리부를 사용하고,

반송 기구에 의해 상기 액처리 모듈에 기판을 반입하는 공정과,

상기 기판에 대응하는 종별의 처리액을 토출하는 노즐로부터, 처리액을 기판에 토출하여 액처리를 행하는 공정과,

상기 노즐에 있어서의 처리액의 토출에 문제가 있는지 여부를 감시하는 공정과,

이 감시 공정에 의해 문제가 있다고 판단된 노즐을 사용하는 기판에 대해서는, 당해 액처리부에 있어서의 액처리를 금지하고, 당해 노즐 이외의 노즐을 사용하는 기판에 대해서는 당해 액처리부에서 액처리를 행하도록 상기 반송 기구를 제어하는 공정을 구비한 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명에 있어서의 기억 매체는,

캐리어 블록에 반입된 기판 반송 용기인 캐리어로부터 불출된 기판에 대하여, 처리 블록에서 액처리를 행하고, 이 액처리 후에 계속해서 모듈에서 후처리가 행해지고, 상기 액처리 및 후처리를 포함하는 일련의 처리를 종료한 기판을 캐리어에 전달하는 기판 처리 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 기억 매체이며,

상기 컴퓨터 프로그램은, 상술한 기판 처리 방법을 실시하기 위한 것인 것을 특징으로 한다.

본 발명은, 기판의 로트에 대응하는 처리액의 종별마다 준비된 복수의 노즐을 포함하는 액처리부를 구비한 액처리 장치에 있어서, 노즐에 있어서의 처리액의 토출에 문제가 있는지 여부를 감시하고, 문제가 있다고 판단된 노즐을 사용하는 기판에 대해서만 당해 액처리부에 있어서의 액처리를 금지하고 있다. 따라서 다른 노즐을 사용하는 기판에 대해서는 당해 액처리부에서 액처리를 행할 수 있으므로, 후속의 기판에 대한 처리 효율의 저하를 억제할 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시 형태에 관한 도포, 현상 장치를 도시하는 평면도.
도 2는 상기 도포, 현상 장치를 도시하는 사시도.
도 3은 상기 도포, 현상 장치를 도시하는 종단 측면도.
도 4는 상기 도포, 현상 장치 내에 설치된 도포 유닛을 도시하는 사시도.
도 5는 상기 도포 유닛에 설치된 레지스트 공급부의 일부를 도시하는 사시도.
도 6은 상기 도포, 현상 장치에 설치된 제어부를 모식적으로 나타내는 블록도.
도 7은 상기 실시 형태에 있어서의 기판 처리 흐름을 나타내는 모식도.
도 8은 상기 실시 형태에 있어서의 통상 운전에서의 기판 처리 결과 및 기판 반송 스케줄의 일례를 나타내는 표.
도 9는 상기 실시 형태에 있어서의 운전 스케줄의 변경 방법을 설명하는 흐름도.
도 10은 상기 실시 형태에 있어서의, 상기 레지스트 공급부에 설치된 약액 노즐 중 일부가 사용 정지로 된 경우의 기판 처리 결과 및 기판 반송 스케줄의 일례를 나타내는 표.
도 11은 상기 실시 형태에 있어서의, 상기 도포 유닛에 설치된 도포 모듈 중 일부가 사용 정지로 된 경우의 기판 처리 결과 및 기판 반송 스케줄의 일례를 나타내는 표.
도 12는 상기 실시 형태에 있어서의, 상기 도포, 현상 장치 내에 설치된 가열 모듈 중 일부가 사용 정지로 된 경우의 기판 처리 결과 및 기판 반송 스케줄 51의 일례를 나타내는 표.
도 13은 상기 도 10의 경우에 있어서의 기판의 반송 동작을 설명하는 모식도.
도 14는 상기 도 11의 경우에 있어서의 기판의 반송 동작을 설명하는 모식도.
도 15는 상기 도 12의 경우에 있어서의 기판의 반송 동작을 설명하는 모식도.
도 16은 상기 실시 형태에 있어서의 다른 예를 설명하기 위한 평면도.

이하, 본 발명의 기판 처리 장치를 도포, 현상 장치에 적용한 실시 형태에 대해 설명한다. 우선 도포, 현상 장치의 전체 구성에 대해, 도면을 참조하면서 간단하게 설명한다. 도 1은 상기 도포, 현상 장치의 일 실시 형태의 평면도를 나타내고, 도 2는 그 개략 사시도이다. 이 장치는, 캐리어 블록(C1)과 처리 블록(C2)과 인터페이스 블록(C3)과 검사 블록(C5)을 구비하고 있다. 캐리어 블록(C1)에서는, 적재대(1) 상에 적재된 밀폐형의 캐리어(L)로부터 전달 아암(11)에 의해 웨이퍼(W)가 취출되어, 당해 블록(C1)에 인접된 검사 블록(C5)을 통해 처리 블록(C2)에 전달된다. 처리 블록(C2)에서 도포 처리된 웨이퍼(W)는 일단 검사 블록(C5)에서 검사되고, 그 후 처리 블록(C2)을 통과하고, 인터페이스 블록(C3)을 통해 노광 장치(C4)에 보내지고, 노광 후의 웨이퍼(W)는 처리 블록(C2)에서 현상 처리된 후, 상기 캐리어(L)로 복귀된다.

상기 처리 블록(C2)에는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 이 예에서는 현상 처리를 행하기 위한 제1 블록(DEV층)(B1), 레지스트막의 하층측에 형성되는 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 제2 블록(BCT층)(B2), 레지스트액의 도포 처리를 행하기 위한 제3 블록(COT층)(B3)을 하방으로부터 순서대로 적층하여 구성되어 있다.

이들 제1 내지 제3 블록(B1 내지 B3)은 거의 동일하게 구성되어 있고, 액처리 유닛(2)과, 상기 액처리 유닛(2)에서 행해지는 처리의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 가열·냉각계의 모듈을 복수단으로 배치한 선반 유닛(U2)과, 이들 선반 유닛(U2)의 각 부와 액처리 유닛(2) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 반송 수단을 이루는 반송 아암(A1 내지 A3)을 구비하고 있다.

상기 반송 아암(A1 내지 A3)은, 반송로(R)에 있어서, 진퇴 가능, 승강 가능, 연직축 주위로 회전 가능, 도면 중 Y축 방향으로 이동 가능하게 구성되는 동시에, 웨이퍼(W)의 이면측 주연 영역을 지지하기 위한 2개의 포크를 구비하고 있고, 이들 포크가 서로 독립하여 진퇴할 수 있도록 구성되어 있다.

액처리 유닛(2)과 선반 유닛(U2)은, 상기 반송로(R)를 따라 서로 대향하도록 배치되어 있다. 또한 액처리 유닛(2)은, 컵체 안에 스핀 척을 설치하여 구성된 액처리 모듈(20)이 반송로(R)를 따라 나열되도록 배열되어 있다. 액처리 모듈(20)은, 제2 블록(B2)에서는 레지스트의 하층측의 반사 방지막 형성용 약액을 도포하는 유닛 내에 설치되고, 제3 블록(B3)에서는 레지스트액을 도포하는 유닛 내에 각각 설치된다. 또한 제1 블록(B1)에 있어서는, 현상 처리를 행하는 액처리 유닛(2)이 2단에 걸쳐 설치되어 있다.

도 1 및 도 3 중의 U1, U3은 선반 유닛이며, 선반 유닛(U1)의 각 단의 스테이지 사이의 웨이퍼(W)의 반송은 전달 아암(D)에 의해 행해진다. 선반 유닛(U3)의 각 단의 스테이지 사이의 웨이퍼(W)의 반송은 전달 아암(13)에 의해 행해진다. 도 3 중, CPL은 온도 조절용 스테이지인 냉각 스테이지, TRS는 전달 스테이지, BF는 버퍼 스테이지군이다. BCT층(B2)에서 반사 방지막이 형성된 웨이퍼(W)는, 버퍼 스테이지군(BF2)의 하나 및 냉각 스테이지(CPL3)를 통해 COT층(B3)에 보내지고, 레지스트막 형성 후에 선반 유닛(U1)을 통해 검사 모듈(3)에 보내진다. 그 후, 셔틀 아암(12)(도 3 참조) 및 선반 유닛(U3)의 냉각 스테이지(CPL5)를 통해, 인터페이스 블록(C3)에 보내진다. 노광 후의 웨이퍼(W)는, 전달 스테이지(TRS2), DEV층(B1) 및 전달 스테이지(TRS1)를 통해 검사 모듈(3)에 보내지고, 그 후 캐리어(L)로 복귀된다.

검사 블록(C5)은, 캐리어 블록(C1)측으로부터 전달 스테이지(TRS3)에 전달된 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U1)에 반송하는 반송 아암(14)과, 선반 유닛(U1)과, 검사 모듈(3)과, 버퍼 스테이지(BF4)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 반송 아암(15)이 설치되어 있다. 검사 모듈(3)에는, 레지스트막의 막 두께의 측정, 레지스트막의 도포 불균일의 검출 등을 행하는 검사 모듈이나, 현상 후의 패턴의 선 폭의 검사를 행하는 검사 모듈 등이 포함된다.

캐리어 블록(C1)의 상방측에는, 캐리어(L)를 천장을 따라 반송하고, 도포, 현상 장치의 반입출 포트와의 사이에서 캐리어(L)를 반송하는 천장 반송 기구(OHT)(4)가 설치되어 있다.

여기서, 액처리 유닛(2)을 대표하여, 제3 블록(B3)에 있어서의 액처리 유닛인 도포 유닛(2)에 대해 도 4 및 도 5를 이용하여 상세하게 설명한다. 도포 유닛(2)에는, 액처리 모듈인 도포 모듈(20)이 예를 들어 3개 설치되어 있다. 이 도포 모듈(20)은, 주로 웨이퍼(W)를 보유 지지하고 회전시키는 기판 보유 지지부인 스핀 척(21), 공급된 레지스트액의 잉여분을 받아내기 위한 컵체(22), 스핀 척(21)과 반송 아암(A3) 사이에 있어서의 웨이퍼(W)의 전달을 담당하는 승강 핀(23) 등으로 이루어진다.

또한 도포 유닛(2)에는, 레지스트 공급부(28)가 설치되어 있다. 이 레지스트 공급부(28)에는, 도 5에 도시하는 바와 같이, 외팔보로 지지되어 수평으로 연장되는 1개의 공유 아암(24)의 선단측에 복수의 약액 노즐(25)이 도포 모듈(20)의 배열을 따라 설치되어 있다. 이들 약액 노즐(25)은 각각, 처리액(약액)의 종류마다 할당되어 있고, 액처리 시에는 처리 대상의 웨이퍼(W)의 로트에 대응하는 약액 노즐(25)이 선택된다. 즉, 하나의 로트에는 하나의 약액이 사용된다. 또한 이들 약액 노즐(25)은 각각 독립된 약액 공급 계통과 접속되어 있다. 약액 공급 계통은, 약액 공급원, 유량 조정부, 밸브, 미소 유량계, 약액 노즐(25) 및 그들을 접속하는 배관 등으로 이루어지고, 미소 유량계에 의한 검출 데이터를 후술하는 제어부(5)에서 해석함으로써, 약액 공급 계통 내에 있어서의 기포 혼입이나 토출량의 이상을 검출할 수 있도록 되어 있다. 또한 공유 아암(24)의 선단측의 하부에는, 촬상 기구, 예를 들어 CCD 카메라(29)가 설치되어 있고, CCD 카메라(29)에 의해 약액 노즐(25) 부근을 촬상하고 제어부(5)에 의해 해석함으로써, 예를 들어 액 가늘어짐이나 액 끊김 등의 약액 토출 상태의 이상이나 약액 노즐 자체에 오염물이 부착되어 있는지 여부를 감시할 수 있다. 또한 레지스트 공급부(28)는 구동 기구(26)에 의해 도포 모듈(20)의 배열 방향을 따라 이동함으로써, 각 도포 모듈(20)에 약액을 공급할 수 있도록 되어 있다. 또한 27은, 각 도포 모듈(20)에 대응하는 도포막 주연부 제거 기구이다.

도포, 현상 장치는, 컴퓨터로 이루어지는 제어부를 구비하고 있다. 도 6은 제어부(5)의 구성을 나타내는 것이며, 실제로는 CPU, 프로그램 및 메모리 등에 의해 구성되지만, 이 실시 형태의 주요부로 되는 부분을 중심으로 구성 요소의 일부만을 도시하여 설명하는 것으로 한다.

도 6 중 50은 버스이며, 이 버스(50)에는, 반송 스케줄(51), 반송 제어부(52), 반송 경로 정보 저장부(53), 해석 프로그램(54), 반송 스케줄 변경 프로그램(55), CPU(56), 알람 발생부(57), 검사 모듈(3) 등이 접속되어 있다. 반송 스케줄(51)에는, 로트 내의 모든 웨이퍼(W)에 대해 어느 타이밍에 어느 모듈에 반송하는지 등의 내용이 기억되어 있다. 반송 제어부(52)는, 반송 스케줄(51)을 참조하여, 각 웨이퍼(W)를 그 웨이퍼(W)에 대응하는 모듈에 반송하도록, 전달 아암(11, D, 14, 15), 반송 아암(A1 내지 A3), 셔틀 아암(12), 인터페이스 아암(13)을 제어하고, 이에 의해 반송 사이클을 실행한다.

반송 경로 정보 저장부(53)에는, 웨이퍼(W)가 지나온 반송 경로 및 검사 결과의 정보가 수시 기억된다. 해석 프로그램(54)은, 검사 모듈(3)에 의해 검출되는 개개의 웨이퍼(W)의 도포 처리에 관한 검사 결과의 정보와, 반송 경로 정보 저장부(53)에 기억된 반송 경로 정보로부터, 문제의 원인으로 되어 있는 개소를 특정하기 위한 프로그램이다. 반송 스케줄 변경 프로그램(55)은, 해석 프로그램(54)에 의해 특정된 문제가 발생하여 사용 불가로 된 개소의 정보를 참조하여, 그 사용 불가의 개소를 사용하지 않도록 반송 스케줄(51)을 변경하기 위한 프로그램이다.

CPU(56)는, 해석 프로그램(54) 및 반송 스케줄 변경 프로그램(55)에 기초하여 연산을 실행한다. 알람 발생부(57)는, 검사 모듈(3)에 있어서 불량이 검출된 경우나 사용 불가의 개소가 발생한 경우에, 그 취지의 알람을 예를 들어 램프의 점등이나 알람음의 발생, 표시 화면으로의 알람 표시 등과 같은 형태로 출력한다.

상술한 미소 유량계 및 CCD 카메라(29)는, 그들에 의한 검출 데이터를 해석하는 제어부(5)의 일부와 함께 감시부의 일부를 구성한다. 또한, 검사 모듈(3), 반송 경로 정보 저장부(53), 해석 프로그램(54)도 또한 감시부의 일부이다. 이 경우, 반송 경로 정보 저장부(53)는 기억부에 상당하고, CPU(56) 및 해석 프로그램(54)은 판단부에 상당한다.

다음으로 본 실시 형태에 있어서의 작용에 대해 설명한다. 도포, 현상 장치 전체의 웨이퍼(W)의 흐름도를 기재하면 설명이 번잡해지므로, 이 실시 형태의 이해를 쉽게 하기 위해, 레지스트를 도포하는 도포 유닛(2)에서 레지스트막이 형성되는 부위의 흐름을 강조한 웨이퍼(W)의 흐름도를 도 7에 나타내어 둔다. 또한 컵체(22) 및 스핀 척(21)을 포함하는 3대의 도포 모듈의 부호에 대해서는, 편의상 COT1, COT2, COT3을 할당하는 것으로 한다.

도 8은 통상 운전의 경우에 있어서의 하나의 로트의 웨이퍼(W)가 처리된 처리 모듈 및 검사 결과를 나타내는 표이며, 이 표에 상당하는 데이터가 반송 경로 정보이다. 웨이퍼(W)는, 도 8에 나타내는 바와 같이, 3개의 도포 모듈(COT1 내지 COT3)의 순서로 캐리어(L)로부터의 불출순(반송순)으로 반입되어 도포 처리되고, 가열 처리에 대해서는 2개의 가열 모듈(HP1, HP2)에 반송순으로 교대로 반입되어 처리된다. 웨이퍼(W)의 뒤에 붙인 부호는, 로트 내의 웨이퍼(W)에 할당된 순서이다. 그리고 검출 모듈(3)에 있어서 모든 웨이퍼(W)에 대해 검사가 행해지고, 반송 경로 정보 저장부(53)에 검사 결과가 기억된다.

도 8에 일례를 나타낸 반송 경로 정보는, 웨이퍼(W)의 검사 결과(이 예에서는 레지스트막의 검사 결과)가 불량일 때에는, 레지스트 도포 유닛(2) 혹은 가열 모듈(HP)에 트러블이 있는 것으로 상정하고, 레지스트 도포 유닛(2) 및 가열 모듈(HP)에 대응하는 판정 개소에 불량을 나타내는 「FAIL」의 표시를 기입하도록 하고 있다. 한편 냉각 플레이트(CPL)에 있어서의 문제는 이들 기기보다도 트러블의 빈도가 각별히 적으므로, 트러블의 해석을 용이하게 행하기 위해, 냉각 플레이트에 대응하는 판정 개소는 정상을 나타내는 「PASS」의 표시를 기입하도록 하고 있다.

도 8에 나타내는 예에서는, 웨이퍼(W5 및 W7)에 있어서, 검사에서 불량이라고 판정되어 있다. 이들 웨이퍼(W5 및 W7)는 불량품이므로 처분되지만, 동일한 로트의 다른 웨이퍼(W)의 처리에 대해서는 예정대로 속행된다. 이 처리의 속행의 판단에 대해서는, 당해 웨이퍼(W5 및 W7)에 있어서의 불량은 우연에 의한 가능성도 있으므로, 이 단계에서는 그대로 운전을 속행한다. 이로 인해 후속의 웨이퍼(W)는 각 모듈에 있어서 순차적으로 처리되고, 각 웨이퍼(W)의 반송 경로의 정보는 반송 경로 정보 저장부(53)에 기억된다. 여기까지의 처리를 도 9의 흐름에 대응시키면, 레지스트막의 도포 처리가 행해진 웨이퍼(W)가 검사 모듈(3)에서 검사되고, 그 결과가 반송 경로 정보 저장부(53)에 기입된다(스텝 S1). 그리고 불량의 발생의 유무가 확인되고(스텝 S1a), 불량이 확인되면 해석 프로그램(54)에 의해 트러블의 상황의 해석이 행해지고(스텝 S2), 해석의 취급으로서, 우연한 트러블이라고 판단되었을 때(스텝 S6)에는, 그대로 운전을 속행한다(스텝 S10).

도 10은 약액 노즐(25)의 트러블의 경우에 있어서의 웨이퍼(W)가 처리된 처리 모듈 및 거기에서의 문제의 유무와 검사 결과를 나타낸 표이다. 이 예에서는, 웨이퍼(W4 내지 W6)에 있어서 연속해서 불량 판정으로 되어 있다. 3개의 도포 모듈(COT1 내지 COT3) 혹은 2개의 가열 모듈(HP1, HP2)에 있어서 동시에 문제가 발생한다고는 생각하기 어렵다. 이로 인해, 이 예와 같이 동일한 약액 노즐(25)을 사용하여 다른 도포 모듈(COT)에서 처리된 웨이퍼(W)에 있어서 예를 들어 3회 연속으로 불량 판정으로 된 경우에 대해서는, 약액 노즐(25)의 트러블에 기인한다고 판정된다(도 9 중 스텝 S3).

도 11은 도포 모듈(COT)의 트러블의 경우에 있어서의 웨이퍼(W)가 처리된 처리 모듈 및 거기에서의 문제의 유무와 검사 결과를 나타낸 표이다. 이 예에서는, 웨이퍼(W1, W4, W7)에 있어서 불량 판정으로 되어 있다. 이들 3개의 불량 판정의 웨이퍼(W1, W4, W7)는 모두 도포 모듈(COT1)에 있어서 처리되어 있고, 다른 도포 모듈(COT2, COT3)에서 처리된 웨이퍼(W)에 대해서는 우량품 판정으로 되어 있다. 또한 2개의 가열 모듈(HP1, HP2)에 있어서 동시에 문제가 발생한다고는 생각하기 어렵다. 이들 내용으로부터, 이 예와 같이 동일한 도포 모듈(COT)에서 처리된 웨이퍼(W)에 있어서 예를 들어 3회 연속으로 불량 판정으로 된 경우에 대해서는, 도포 모듈(COT)의 트러블에 기인한다고 판정된다(도 9 중 스텝 S4).

도 12는 가열 모듈(HP)의 트러블의 경우에 있어서의 웨이퍼(W)가 처리된 처리 모듈 및 거기에서의 문제의 유무와 검사 결과를 나타낸 표이다. 이 예에서는, 웨이퍼(W3, W5, W7)에 있어서 불량 판정으로 되어 있다. 이들 3개의 불량 판정의 웨이퍼(W3, W5, W7)는 모두 가열 모듈(HP1)에 있어서 처리되어 있고, 다른 한쪽의 가열 모듈(HP2)에서 처리된 웨이퍼(W)에 대해서는 우량품 판정으로 되어 있다. 또한 불량 판정의 웨이퍼(W3, W5, W7)는 각각 다른 도포 모듈(COT1 내지 COT3)에서 처리되어 있다. 이들 내용으로부터, 이 예와 같이 동일한 가열 모듈(HP)에서 처리된 웨이퍼(W)에 있어서 예를 들어 3회 연속으로 불량 판정으로 된 경우에 대해서는 가열 모듈(HP)의 트러블에 기인한다고 판정된다(도 9 중 스텝 S5).

또한 상술한 3개의 트러블 이외의 경우, 즉 동일한 모듈 혹은 동일한 약액 노즐(25)에 의해 처리된 웨이퍼(W)에 대해 예를 들어 3회 연속으로 불량 판정이 나오지 않은 경우, 도 8에 나타내는 바와 같이, 그 트러블은 우연히 발생한 것이라고 판정된다(도 9 중 스텝 S6).

계속해서 해석 프로그램(54)에 의해 트러블 개소가 판정된 후의 대처에 대해, 판정된 트러블마다 설명한다. 또한 도 13 내지 도 15 중의 L1 내지 L5는 캐리어이며, 여기서 설명하는 노즐은, 레지스트 도포 유닛에서 사용하는 노즐을 가리키고 있다. 캐리어(L1)에는 약액 노즐(25a)(이 예에서는 트러블이 발생하는 약액 노즐)을 사용하여 처리되는 하나의 로트의 웨이퍼(Wa)가 수납되어 있고, 그 일부의 웨이퍼(Wa)는 현재 도포, 현상 장치에 있어서 처리가 행해지고 있다. 캐리어(L2)에는 트러블이 발생하고 있지 않은 약액 노즐(25b)을 사용하여 처리되는 다음 로트의 웨이퍼(Wb)가 수납되어 있고, 하나의 로트에 계속해서 처리되기 위해 캐리어 블록(C1)에서 대기하고 있다. 캐리어(L3)에는 약액 노즐(25a)을 사용하여 처리되는 하나의 로트의 웨이퍼(W1)가 수납되어 있고, 캐리어(L1)의 웨이퍼(Wa)에 계속해서 처리되기 위해 캐리어 블록(C1)에서 대기하고 있다. 캐리어(L4)는, 천장 반송 기구(4)에 의해 도포, 현상 장치를 향해 반송 중이며, 다음 로트의 웨이퍼(Wb)가 수납되어 있다. 캐리어(L5)는, 천장 반송 기구(4)에 의해 도포, 현상 장치를 향해 반송 중이며, 하나의 로트의 웨이퍼(Wa)가 수납되어 있다.

약액 노즐 및 그 약액 공급 계통의 트러블의 경우, 도포 유닛에 있어서, 도 9(도면 중 스텝 S7) 및 도 10에 나타내는 바와 같이, 트러블을 일으킨 약액 노즐(약액 공급 계통)의 사용 및 그에 대응하는 하나의 로트의 웨이퍼(Wa)의 처리를 정지하고, 다음 로트의 웨이퍼(Wb)의 처리를 개시한다. 도 13은 이 경우의 웨이퍼(Wa, Wb) 및 그들이 수납된 캐리어(L1 내지 L5)의 반송 상황을 모식적으로 나타내고 있다. 캐리어(L1)의 웨이퍼(Wa)는, 그 일부는 도포, 현상 장치 내에 있어서 처리 중이며, 그 이외는 미처리 및 처리 완료된 웨이퍼(Wa)가 캐리어(L1) 내에 수납되어 있다. 이 경우, 미처리 웨이퍼(Wa)의 도포, 현상 장치로의 불출은 정지되고, 처리 중의 웨이퍼(Wa)에 대해서는 처리를 중단하고, 예정대로의 반송 경로를 지나 캐리어(L1)로 복귀된다. 이때 노광 처리 공정보다 이전에 처리가 중단된 웨이퍼(Wa)에 대해서는, 노광 블록(C4)으로의 반송은 스킵된다. 또한 반송 경로 중에 있어서의 처리 모듈에 대해서는 반입, 반출만 행해지고, 처리는 되지 않는다. 이 캐리어(L1)는, 천장 반송 기구(4)에 의해 도시하지 않은 재처리 장치에 반송되어, 캐리어(L1) 내의 웨이퍼(Wa)는 거기서 재처리[웨이퍼(Wa) 상의 막의 제거 처리 등]된다.

트러블을 일으킨 약액 노즐(약액 공급 계통)을 사용하는 웨이퍼(Wa)가 수납되고, 트러블 발생 시점에서 처리를 행하기 위해 캐리어 블록(C1)에서 대기하고 있었던 캐리어(L3)는, 도포, 현상 장치에서 처리는 행하지 않고, 천장 반송 기구(4)에 의해 도포, 현상 장치의 외부로 반송된다. 트러블 발생 시점에서 처리를 행하기 위해 천장 반송 기구(4)에 의해 도포, 현상 장치에 반송 중의 캐리어(L5)는, 도포, 현상 장치에 반송하지 않고, 도포, 현상 장치의 외부로 반송된다.

트러블이 발생하고 있지 않은 약액 노즐(25b)을 사용하여 처리되는 다음 로트의 웨이퍼(Wb)가 수납된 캐리어(L2, L4)에 대해서는, 하나의 로트의 웨이퍼(Wa) 대신에, 예정대로 도포, 현상 장치에서 웨이퍼(Wb)의 처리가 행해진다.

도포 모듈(COT)의 트러블의 경우에 있어서의, 웨이퍼(W) 및 그들을 수납하는 캐리어(L)의 형태에 대해, 도 9, 도 11, 도 14를 참조하여 설명한다. 우선 예를 들어 캐리어(L1)로부터 불출되어 도포 모듈(COT1)에 있어서 처리된 웨이퍼(Wa)가 3매 연속으로 불량 판정으로 되어, 도포 모듈(COT1)이 운전 정지로 된다. 그 후에도 캐리어(L1)의 웨이퍼(Wa)는, 레지스트 도포 처리에 대해서는 도포 모듈(COT1) 이외의 모듈(COT2, COT3)을 사용하여, 예정대로의 처리가 행해진다. 계속해서 동일하게 하나의 로트의 웨이퍼(Wa)가 수납된 캐리어(L3, L5)에 대해서도 마찬가지로 예정대로의 처리가 행해진다. 그 후, 다음 로트의 웨이퍼(Wb)가 수납된 캐리어(L2, L4)에 대해서도, 도포 모듈(COT1) 이외의 모듈(COT2, COT3)에서 레지스트 도포 처리가 행해지는 것 이외에는, 순차적으로 예정대로의 처리가 행해진다(도 9 중 스텝 S8).

가열 모듈(HP)의 트러블의 경우에 있어서의, 웨이퍼(W) 및 그들을 수납하는 캐리어(L)의 형태에 대해, 도 9, 도 12, 도 15를 참조하여 설명한다. 우선 예를 들어 캐리어(L1)로부터 불출되어 가열 모듈(HP1)에 있어서 처리된 웨이퍼(Wa)가 3매 연속으로 불량 판정으로 되어, 가열 모듈(HP1)이 운전 정지로 된다. 그 후에도 캐리어(L1)의 웨이퍼(Wa)는, 가열 처리에 대해서는 가열 모듈(HP2)을 사용하여, 예정대로의 처리가 행해진다. 계속해서 동일하게 하나의 로트의 웨이퍼(Wa)가 수납된 캐리어(L3, L5)에 대해서도 마찬가지로 예정대로의 처리가 행해진다. 그 후, 다음 로트의 웨이퍼(Wb)가 수납된 캐리어(L2, L4)에 대해서도, 가열 모듈(HP2)에서 가열 처리가 행해지는 것 이외에는, 순차적으로 예정대로의 처리가 행해진다(도 9 중 스텝 S9).

우연한 트러블의 경우에는, 불량 판정이 나온 웨이퍼(W)만은 판정 후에도 예정대로의 반송 경로를 지나 원래의 캐리어(L)로 복귀되어 그 후 처분되고, 장치 자체는 통상 운전을 속행한다(도 9 중 스텝 S10).

이 예에서는, 검사 모듈(3)에 의한 검사에서 문제가 검출된 경우에 있어서의 그 후의 대처에 대해 설명하였지만, 상술한 미소 유량계나 CCD 카메라(29)에 의해 약액 노즐(25)에 문제가 있다고 판단한 경우에도, 상술한 약액 노즐(25)에 문제가 발생한 경우와 마찬가지로 대처한다(도 9 중 스텝 S7 참조).

본 실시 형태에 따르면, 액처리인 레지스트 도포에 사용하는 복수의 약액 각각에 대응한 복수의 약액 노즐(25)을 사용하여 웨이퍼(W)에 액처리를 행하는 기술에 있어서, 하나의 로트의 웨이퍼(W)의 액처리에 사용하는 약액 노즐(25)에 있어서 트러블이 발생한 경우에, 그 하나의 로트에 대응하는 약액 노즐(25)(예를 들어 25a)의 사용을 정지하고, 당해 약액 노즐(25a)과는 다른 약액 노즐(25)(예를 들어 25b)을 사용하여 처리를 행하는 다음 로트에 대해 처리를 개시하도록 하고 있다. 따라서, 약액 노즐(25)에 의한 도포 불량이 발생해도, 도포 유닛(2) 전체의 운전을 정지하지 않고, 도포 유닛(2)의 정상 동작 부분에 대해서는 풀로 활용하고 있으므로, 도포, 현상 장치의 가동율의 저하를 억제할 수 있다.

상술한 실시 형태에서는, 도포 유닛(2)에 복수의 도포 모듈(COT1 내지 COT3)이 설치되어 있지만, 본 발명은 도포 유닛(2)에 설치되는 도포 모듈(20)은 1개여도 된다. 이 경우에는, 약액 노즐(25)에 있어서의 레지스트액의 토출 상태의 트러블은 상술한 바와 같이 예를 들어 도 5에 도시하는 CCD 카메라(29)를 사용한 감시나 레지스트액 공급 계통에 설치된 미소 유량계의 검출값 이상에 의해 특정할 수 있다. 이러한 예에 있어서는, 노즐(25)에 있어서의 처리액의 토출에 문제가 있는지 여부를 감시하는 감시부는, CCD 카메라(29) 및 촬상한 화상 데이터의 해석용 프로그램이나, 상기 미소 유량계 등이 상당한다. 또한 웨이퍼(W)의 표면에 레이저광을 조사하는 레이저 조사부와 웨이퍼(W)의 표면을 촬상하는 카메라를 설치하고, 레지스트액 토출 시에 웨이퍼(W)의 표면에 발생하는 레지스트액의 파문을, 카메라의 촬상 화상 데이터에 의해 해석함으로써, 레지스트액의 토출 이상을 감시해도 된다. 그리고 노즐(25)로부터 레지스트액의 토출 이상을 검출한 후에 있어서의 도포, 현상 장치의 운전 수법에 대해서는, 상기한 실시 형태와 마찬가지이다. 즉, 이상이라고 판단된 노즐(25)을 사용하는 웨이퍼(W)에 대해서는 당해 도포 유닛(2)의 사용을 금지하고, 예를 들어 도포 모듈로의 웨이퍼(W)의 반입을 금지하여 당해 도포 유닛(2)을 스킵시키고, 다른 노즐(25)을 사용하는 웨이퍼(W)에 대해서는 당해 도포 유닛(2)에 의해 레지스트액의 도포 처리를 행한다. 이 예에 있어서도 상기한 실시 형태와 마찬가지의 효과가 얻어진다.

상술한 실시 형태에서는, 제3 블록(COT층)(B3) 내에는 도포 유닛(2)이 1개 설치되어 있지만, 복수의 도포 처리 유닛이 설치되어 있어도 된다. 도 16은 이러한 예를 나타내는 COT층(B3)을 도시하고 있고, 웨이퍼(W)의 반송로(R)의 양측에 도 1에 도시한 것과 동일한 도포 유닛인 제1 도포 유닛(2a) 및 제2 도포 유닛(2b)이 각각 설치되어 있다. 이러한 구성예에서는, 열계(熱系)의 선반 유닛은 예를 들어 당해 COT층에 있어서의 인터페이스 블록측에 배치할 수 있다. 그리고 통상 시에는, 웨이퍼(W)에 대한 레지스트액의 도포 처리는, 2개의 도포 유닛(2a, 2b)에 의해 분담하여 행해지지만, 예를 들어 제1 도포 유닛(2a)에 있어서 1개의 노즐(25)이 이상[상세하게는, 노즐(25) 또는 노즐(25)로의 레지스트액의 공급계에 트러블이 발생하고 있음]이라고 판단된 경우, 당해 노즐(25)을 사용하는 로트의 웨이퍼(W)의 도포 유닛(2a)으로의 반입이 금지된다. 그 이후에는, 이 노즐(25)을 사용하는 로트의 웨이퍼(W)에 대해서는, 반송 스케줄(51)을 변경하여 다른 도포 유닛(2b)만을 사용하여 처리가 행해진다. 또한 사용하지 않는 것으로 되는 노즐(25) 이외의 노즐(25)을 사용하는 로트의 웨이퍼(W)에 대해서는, 2대의 도포 유닛(2a, 2b)을 사용하여 병행 처리가 행해진다.

또한 도포 유닛(2)에 있어서의 노즐(25)에 이상이 있다[노즐(25) 혹은 레지스트액의 공급 계통]고 판단되어 알람이 발생하였을 때에, 컴퓨터가 자동으로 반송 스케줄(51)을 변경하고 있지만, 컴퓨터가 반송 스케줄(51)의 변경을 행하는 트리거로서는, 수동 입력이어도 된다. 즉 오퍼레이터가 알람의 발생의 인식에 기초하여 트러블의 대상으로 되어 있는 노즐(25)에 대해서는 사용하지 않는다고 하는(제외하는) 취지의 지시를 도포, 현상 장치의 조작 패널로부터 입력하고, 이에 의해 컴퓨터가 상기한 실시 형태에서 설명한 것과 마찬가지로, 당해 노즐(25)을 사용하는 웨이퍼(W)에 대해, 말하자면 제외 반송을 행하도록 반송 스케줄(51)을 변경하도록 해도 된다.

이상의 설명에서는, 레지스트 도포 처리의 불량 발생 시에 대해 기재하고 있지만, 액처리 유닛으로서는 예를 들어 제2 블록(BCT층)(B2)에 있어서의 반사 방지막 형성 처리에 있어서 복수 종별의 약액을 기판에 따라 구분지어 사용하는 경우에는, 반사 방지막 형성용 액처리 유닛이어도 된다. 또한 SOD(Spin On Dielectric)막, SOG(Spin On Glass)막, 폴리이미드막 등의 절연막을 형성하기 위한 도포액이나, 세정액 등의 레지스트액 이외의 다른 약액을 사용하는 경우에도 본 발명을 적용할 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서, 약액 노즐로부터 처리액이 공급되는 대상은, 웨이퍼(W)에 한정되는 것은 아니고, 웨이퍼(W) 이외의 예를 들어 FPD(플랫 패널 디스플레이), 포토마스크용 마스크 레티클 등 다른 기판에도 본 발명을 적용할 수 있다.

W : 웨이퍼
L, L1 내지 L5 : 캐리어
U1, U3 : 선반 유닛
2 : 액처리 유닛
20 : 액처리 모듈
3 : 검사 모듈
4 : 천장 반송 기구
5 : 제어부

Claims (13)

1. 캐리어 블록에 반입된 기판 반송 용기인 캐리어로부터 불출된 기판에 대하여, 처리 블록에서 액처리를 행하고, 이 액처리 후에 계속해서 모듈에서 후처리가 행해지고, 상기 액처리 및 후처리를 포함하는 일련의 처리를 종료한 기판을 캐리어에 전달하는 기판 처리 장치에 있어서,
   상기 처리 블록에 설치되고, 기판을 수평으로 보유 지지하는 기판 보유 지지부의 주위를 컵체에 의해 둘러싸 구성되는 액처리 모듈과, 기판의 로트에 대응하는 처리액의 종별마다 준비된 복수의 노즐을 포함하는 액처리부와,
   상기 처리 블록 내에서 기판의 반송을 행하기 위한 반송 기구와,
   상기 노즐에 있어서의 처리액의 토출에 문제가 있는지 여부를 감시하는 감시부와,
   이 감시부에 의해 문제가 있다고 판단된 노즐을 사용하는 기판에 대해서는, 당해 액처리부에 있어서의 액처리를 금지하고, 당해 노즐 이외의 노즐을 사용하는 기판에 대해서는 당해 액처리부에서 액처리를 행하도록 제어 신호를 출력하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 액처리부는, 상기 액처리 모듈을 복수 배열하고, 외부로부터 기판이 순서대로 반입되고,
   상기 노즐은, 복수의 액처리 모듈에 대하여 공통화되고, 복수의 액처리 모듈의 상방 영역의 사이를 이동하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
3. 제2항에 있어서, 상기 감시부는, 상기 액처리부에서 액처리가 행해진 후의 기판에 대하여 검사를 행하는 검사부와, 상기 복수의 액처리 모듈의 각각을 포함하는 기판의 반송 경로의 정보를 기억하는 기억부와, 상기 검사부에 있어서의 기판의 검사 결과와 기판의 반송 경로의 정보를 사용하고, 상기 액처리 모듈에서 처리된 기판이 불량일 때에는, 당해 기판의 처리에 사용한 노즐의 토출에 문제가 있다고 판단하는 판단부를 구비한 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어부는, 캐리어로부터 이미 불출되어, 문제가 있다고 판단된 노즐을 사용하는 기판에 대해서는, 상기 액처리 후에 후처리가 행해지는 모듈을 당해 후처리를 행하지 않고 통과시키도록 제어 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어부는, 캐리어로부터 불출되기 전의 기판이며, 문제가 있다고 판단된 노즐을 사용하는 기판에 대해서는, 캐리어로부터의 불출을 금지하도록 제어 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 액처리부는, 복수 설치되고,
   상기 제어부는, 하나의 액처리부에서 노즐에 문제가 있다고 판단되었을 때에는 당해 노즐을 사용하는 기판에 대해서는, 다른 액처리부에서 액처리를 행하도록 반송 기구를 제어하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
7. 캐리어 블록에 반입된 기판 반송 용기인 캐리어로부터 불출된 기판에 대하여, 처리 블록에서 액처리를 행하고, 이 액처리 후에 계속해서 모듈에서 후처리가 행해지고, 상기 액처리 및 후처리를 포함하는 일련의 처리를 종료한 기판을 캐리어에 전달하는 기판 처리 방법에 있어서,
   상기 처리 블록에 설치되고, 기판을 수평으로 보유 지지하는 기판 보유 지지부의 주위를 컵체에 의해 둘러싸 구성되는 액처리 모듈과, 기판의 로트에 대응하는 처리액의 종별마다 준비된 복수의 노즐을 포함하는 액처리부를 사용하고,
   반송 기구에 의해 상기 액처리 모듈에 기판을 반입하는 공정과,
   상기 기판에 대응하는 종별의 처리액을 토출하는 노즐로부터, 처리액을 기판에 토출하여 액처리를 행하는 공정과,
   상기 노즐에 있어서의 처리액의 토출에 문제가 있는지 여부를 감시하는 공정과,
   이 감시 공정에 의해 문제가 있다고 판단된 노즐을 사용하는 기판에 대해서는, 당해 액처리부에 있어서의 액처리를 금지하고, 당해 노즐 이외의 노즐을 사용하는 기판에 대해서는 당해 액처리부에서 액처리를 행하도록 상기 반송 기구를 제어하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는, 기판 처리 방법.
8. 제7항에 있어서, 상기 액처리부는, 상기 액처리 모듈을 복수 배열하고, 외부로부터 기판이 순서대로 반입되고,
   상기 노즐은, 복수의 액처리 모듈에 대하여 공통화되고, 복수의 액처리 모듈의 상방 영역의 사이를 이동하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 방법.
9. 제8항에 있어서, 상기 감시하는 공정은, 상기 액처리부에서 액처리가 행해진 후의 기판에 대하여 검사를 행하는 공정과, 상기 복수의 액처리 모듈의 각각을 포함하는 기판의 반송 경로의 정보를 기억하는 공정과, 상기 검사를 행하는 공정에 있어서의 기판의 검사 결과와 기판의 반송 경로의 정보를 사용하고, 상기 액처리 모듈에서 처리된 기판이 불합격일 때에는, 당해 기판의 처리에 사용한 노즐의 토출에 문제가 있다고 판단하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는, 기판 처리 방법.
10. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 캐리어로부터 이미 불출되어, 문제가 있다고 판단된 노즐을 사용하는 기판에 대해서는, 상기 액처리 후에 후처리가 행해지는 모듈을 당해 후처리를 행하지 않고 통과시키는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 방법.
11. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 캐리어로부터 불출되기 전의 기판이며, 문제가 있다고 판단된 노즐을 사용하는 기판에 대해서는, 캐리어로부터의 불출을 금지하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 방법.
12. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 액처리부는, 복수 설치되고,
    하나의 액처리부에서 노즐에 문제가 있다고 판단되었을 때에는 당해 노즐을 사용하는 기판에 대해서는, 다른 액처리부에서 액처리를 행하도록 반송 기구가 제어되는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 방법.
13. 캐리어 블록에 반입된 기판 반송 용기인 캐리어로부터 불출된 기판에 대하여, 처리 블록에서 액처리를 행하고, 이 액처리 후에 계속해서 모듈에서 후처리가 행해지고, 상기 액처리 및 후처리를 포함하는 일련의 처리를 종료한 기판을 캐리어에 전달하는 기판 처리 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 기억 매체이며,
    상기 컴퓨터 프로그램은, 제7항 내지 제9항 중 어느 하나에 기재된 기판 처리 방법을 실시하기 위한 것인 것을 특징으로 하는, 기억 매체.

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