TWI466730B - A substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a memory medium - Google Patents

A substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a memory medium Download PDF

Info

Publication number
TWI466730B
TWI466730B TW101131311A TW101131311A TWI466730B TW I466730 B TWI466730 B TW I466730B TW 101131311 A TW101131311 A TW 101131311A TW 101131311 A TW101131311 A TW 101131311A TW I466730 B TWI466730 B TW I466730B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
processing
liquid
liquid processing
nozzle
Prior art date
Application number
TW101131311A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201323095A (zh
Inventor
Tomohiro Nakashima
Shin Inoue
Yoshitaka Hara
Izumi Hasegawa
Kunie Ogata
Takuya Mori
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW201323095A publication Critical patent/TW201323095A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI466730B publication Critical patent/TWI466730B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Description

基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體
本發明係關於對基板表面從噴嘴供給藥液而進行液處理的技術領域。
半導體製作中之光微影工程係使用光阻塗佈、顯像用之一連串處理的塗佈、顯像裝置。被配置在該裝置內之光阻塗佈單元設置有複數按屬於藥液之光阻液之種類而被分配之藥液噴嘴，選擇使用吐出因應基板類別之藥液的噴嘴。再者，所知的有複數個橫向排列配置在杯體中設置有旋轉吸盤之液處理模組，使複數藥液噴嘴集合而對複數液處理模組成為共用化的構成。
然後，所知的也有具備有進行基板檢查之檢查單元的塗佈、顯像裝置，此時於形成光阻膜之後，進行曝光前之基板之檢查，於判斷成不良之時，停止進行其基板之處理的光阻塗佈單元之運轉而進行維修。於配置有複數之光阻塗佈單元之時，雖然使用其他光阻塗佈單元，就以處理效率而言，僅一台之光阻塗佈單元量下降。再者，也有位於該光阻塗佈單元之上游側之基板，藉由其位置，不進行之後的處理而回收，進行再加工，例如當已形成有反射防止膜之時進行藉由藥液的除去處理之情形。
專利文獻1雖然記載有針對設置複數液處理用模組，對使該些吐出藥液之噴嘴部共同化之液處理裝置，取得高 處理量的技術，但與本發明不同。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2008-72016號公報
本發眀係在如此之背景下創作出，其目的係針對具有液處理部之液處理裝置，且該液處理部包含有按與基板之批量對應之處理液的類別而準備之複數噴嘴，提供對於在液處理部產生之故障，抑制處理效率之下降的技術。
本發明之基板處理裝置係係對從被搬入至載體區塊之基板搬運容器的載體被排出的基板，在處理區塊進行液處理，接著於該液處理之後在模組進行後處理，將結束包含上述液處理及後處理之一連串處理的基板收授至載體，該基板處理裝置之特徵為具備：液處理部，其包含被設置在上述處理區塊，藉由杯體包圍水平保持基板之基板保持部之周圍而構成之液處理模組，和按對應於基板批量之處理液的類別而所準備之複數噴嘴； 搬運機構，其係用以在上述處理區塊內進行基板之搬運；監視部，其係用以監視上述噴嘴吐出處理液時是否有故障；及控制部，其係以針對使用藉由該監視部被判斷成故障之噴嘴的基板，禁止在該液處理部進行液處理，且針對使用該噴嘴以外之噴嘴的基板，在該液處理部進行液處理之方式，輸出控制訊號。
本發明之基板處理方法係對從被搬入至載體區塊之基板搬運容器的載體被排出的基板，在處理區塊進行液處理，接著於該液處理之後在模組進行後處理，將結束包含上述液處理及後處理之一連串處理的基板收授至載體，該基板處理方法之特徵為：使用液處理部，該液處理部包含被設置在上述處理區塊，藉由杯體包圍水平保持基板之基板保持部之周圍而構成之液處理模組，和按對應於基板批量之處理液的類別而所準備之複數噴嘴，包含：藉由搬運機構將基板搬入至上述液處理模組之工程；從吐出對應於上述基板之類別的處理液的噴嘴，對基板吐出處理液而進行液處理之工程；監視上述噴嘴吐出處理液時是否有故障之工程；及以針對使用藉由該監視工程被判斷成故障之噴嘴的基板，禁止在該液處理部進行液處理，且針對使用該噴嘴以外之噴嘴的基板，在該液處理部進行液處理之方式，控制 上述搬運機構之工程。
並且，本發眀中之記憶媒體記憶有被使用於基板處理裝置的電腦程式，該基板處理裝置係對從被搬入至載體區塊之基板搬運容器的載體被排出的基板，在處理區塊進行液處理，接著於該液處理之後在模組進行後處理，將結束包含上述液處理及後處理之一連串處理的基板收授至載體，該記憶媒體之特徵為：上述電腦程式為用以實施上述基板處理方法。
本發眀係屬於具備有液處理部之液處理裝置，且該液處理部包含按對應於基板批量之處理液類別而準備之複數噴嘴，監視噴嘴吐出處理液是否有故障，僅針對使用被判斷有故障之噴嘴的基板，禁止在該液處理部進行液處理。因此，因針對使用其他噴嘴之基板，可以在該液處理部進行液處理，故可以對後續之基板抑制處理效率下降。
以下，針對適用於塗佈、顯像裝置之實施型態說明本發明之基板處理裝置。首先，針對塗佈、顯像裝置之全體構成，一面參照圖面，一面予以簡單說明。第1圖表示上述塗佈、顯像裝置之一實施型態之俯視圖，第2圖為同概略斜視圖。該裝置具備有載體區塊C1和處理區塊C2和介面區塊C3和檢查區塊C5。在載體區塊C1中，從被載 置在載置台1上之密閉型載體L藉由收授臂11取出晶圓W，經與該區塊C1鄰接之檢查區塊C5而被收授於處理區塊C2。在處理區塊C2被塗佈處理之晶圓W在檢查區塊C5被檢查一次，之後通過處理區塊C2，經介面區塊C3而被送至曝光裝置C4，曝光後之晶圓W在處理區塊C2被進行顯像處理之後，返回至上述載體L。
上述處理區塊C2係如第2圖所示般，在該例中，從下依照用以進行顯像處理之第1區塊(DEV層)B1、用以進行被形成在光阻膜之下層側之反射防止膜之形成處理的第2區塊(BCT層)B2、用以進行光阻液之塗佈處理的第3區塊(COT層)B3而構成。
該些第1~第3區塊B1~B3幾乎構成相同，具備有液處理單元2、將用以進行在上述液處理單元2進行處理之前處理及後處理的加熱、冷卻系統之模組配置成複數段的棚架單元U2、和構成在棚架單元U2之各部和液處理單元2之間進行晶圓W之收授的搬運手段的搬運臂A1~A3。
上述搬運臂A1~A3係在搬運路徑R中，構成進退自如、升降自如、繞垂直軸旋轉自如、在圖中Y軸方向移動自如，並且具備有用以支撐晶圓W之背面側周緣區域的兩根叉架，構成該些叉架可以互相獨立進退。
液處理單元2和和棚架單元U2係被配置成沿著上述搬運路徑R而互相相向。再者，液處理單元2係被配列成在杯體中設置旋轉吸盤而被構成之液處理模組20沿著搬 運路徑R而排列。液處理模組20係在第2區塊B2中，被設置在塗佈光阻之下層側之反射防止膜形成用之藥液的單元內，在第3區塊B3中，被設置在塗佈光阻液之單元內。再者，在第1區塊B1中，涵蓋兩層設置進行顯像處理之液處理單元2。
第1圖及第3圖中之U1、U3為棚架單元，棚架單元U1之各段之平台間之晶圓W之搬運係以收授臂D來執行。棚架單元U3之各段之平台間之晶圓W之搬運係以收授臂13來執行。第3圖中，CPL係屬於調溫用之平台的冷卻平台，TRS為收授平台，BF為緩衝平台群。以BCT層B2形成反射防止膜之晶圓W係經緩衝平台群BF2之一個及冷卻平台CPL3而被送至COT層B3，於光阻膜形成後經棚架單元U1被送至檢查模組3。然後，經穿梭臂12(參照第3圖)及棚架單元U3之冷卻平台CPL5，被送至介面區塊C3。曝光後之晶圓W經收授平台TRS2、DEV層B1及收授平台TRS1而被送至檢查模組3，之後返回載體L。
檢查區塊C5設置有將從載體區塊C1側被收授至收授平台TRS3之晶圓W搬運至棚架單元U1之搬運臂14，在棚架單元U1、檢查模組3、緩衝平台BF4之間進行晶圓W之收授的搬運臂15。檢查模組3包含進行光阻膜之膜厚測量、光阻膜之塗佈不均的檢查等的檢查模組，或進行顯像後之圖案之線寬檢查的檢查模組等。
在載體區塊C1之上方側，設置有沿著天花板搬運載 體L，在塗佈、顯像裝置之搬入搬出埠之間搬運載體L之架空搬運機構(OHT)4。
在此，以液處理單元2為代表，針對第3區塊B3中之液處理單元之塗佈單元2，使用第4圖及第5圖予以詳細說明。在塗佈單元2設置有例如三個屬於液處理模組之塗佈模組20。該塗佈模組20主要係由保持晶圓W並使旋轉之基板保持部即旋轉吸盤21、用以接取所供給之光阻液之剩餘部分的杯體22，和擔任在旋轉吸盤21和搬運臂A3之間進行晶圓W收授的升降銷23等所構成。
再者，在塗佈單元2設置有光阻供給部28。在該光阻供給部28係如第5圖所示般，在懸臂支撐且延伸於水平之一個共有臂24之前端側沿著塗佈模組20之排列設置有複數藥液噴嘴25。該些藥液噴嘴25係按處理液(藥液)之每個種類被分配，於液處理時，選擇對應於處理對象之晶圓W之批量的藥液噴嘴25。即是，一個批量使用一個藥液。再者，該些藥液噴嘴25係與各自獨立的藥液供給系統連接。藥液供給系統係由藥液供給源、流量調整部、閥、微小流量計、藥液噴嘴25及連接該些之配管等所構成，藉由在後述之控制部5解析微小流量計之檢測資料，則可以檢測出藥液供給系統內之起泡或吐出量之異常。再者，在共有臂24之前端側之下部，設置有攝影機構例如CCD攝影機29，藉由CCD攝影機29攝影藥液噴嘴25附近，並藉由控制部5進行解析，可以監視是否有例如液變細或液不足等之藥液吐出狀態之異常或藥液噴嘴本身附 著異物。再者，光阻供給部28係藉由沿著驅動機構26沿著塗佈模組20之排列方向移動，可以對各塗佈模組20供給藥液。再者，27為對應於各塗佈模組20之塗佈膜周緣部除去機構。
塗佈、顯像裝置具備由電腦所構成之控制部。第6圖表示控制部5之構成，實際上，藉由CPU、程式及記憶體等構成，但是以該實施型態之重要部分為中心僅圖示構成要素之一部分而予以說明。
第6圖50為匯流排，在該匯流排50，連接有搬運模組51、搬運控制部52、搬運路徑資訊儲存部53、解析程式54、搬運行程變更程式55、CPU56、警報產生部57、檢查模組3等。在搬運模組51，記憶有針對批量內之所有晶圓W要在怎樣的時機搬運至怎樣的模組的內容。搬運控制部52係參照搬運行程51，以將各晶圓W搬運至對應於其晶圓W之模組之方式，控制收授臂11、D、14、15、搬運臂A1~A3、穿梭臂12、介面臂13。依此實行搬運循環。
在搬運路徑儲存部53，隨時記憶有晶圓W通過之搬運路徑及檢查結果之資訊。解析程式54係用以從與藉由檢查模組3所檢測出之各個的晶圓W之塗佈處理有關之檢查結果之資訊，和被記憶於搬運路徑資訊儲存部53之搬運路徑資訊，特定成為故障原因之處的程式。搬運行程變更程式55係用以參照藉由解析程式54所特定之產生故障而成為不可使用之處的資訊，變更搬運行程51使成為 不使用其不可使用之處的程式。
CPU56係根據解析程式54及搬運行程變更程式55而實行運算。警報產生部57係在檢查模組3中檢測出不良之時或產生不可使用之部位之時，以例如警燈之亮燈或產生警鈴聲、在顯示畫面顯示警報等之方式輸出其主旨的警報。
上述微小流量計及CCD攝影機29與解析依據該些產生之檢測資料的控制部5之一部分同時構成監視部之一部分。並且，檢查模組3、搬運路徑資訊儲存部53、解析程式54也是監視部之一部分。此時，搬運路徑資訊儲存部53相當於記憶部，CPU56及解析程式54相當於判斷部。
接著，針對本實施型態之作用予以說明。當記載塗佈、顯像裝置全體之晶圓W之流程圖時，由於說明繁雜，故為了容易理解該實施型態，在第7圖表示以塗佈光阻之塗佈單元2強調形成光阻膜之部位的流程的晶圓W之流程圖。再者，針對包含杯體22及旋轉吸盤21之三台塗佈模組之符號，為了方便分配COT1、COT2、COT3。
第8圖為表示通常運轉之時的一批量之晶圓W被處理之處理模組及檢查結果之表，相當於該表之資料為搬運路徑資訊。晶圓W係如第8圖所示般，以三個塗佈模組COT1~COT3之順序且按從載體L至排出的順序(搬運順序)搬入而被進行塗佈處理，針對加熱處理，以搬運順序交互被搬入至兩個加熱模組HP1、HP2而被處理。賦予在晶圓W之後的符號係被分配在批量內之晶圓W的序列。 然後，在檢測模組3中，針對所有之晶圓W進行檢查，在搬運路徑資訊儲存部53記憶檢查結果。
在第8圖中表示一例的搬運路徑資訊，於晶圓W之檢查結果(在該例中，光阻膜之檢查結果)為不良之時，假設光阻塗佈單元2或加熱模組HP具有故障時，則在對應於光阻塗佈單元2及加熱模組HP之判定處，寫入表示不良之「FAIL」之顯示。另外，冷卻板CPL中之故障比起該些機器故障之頻繁度特別少，故為了容易執行故障之解析，對應於冷卻板之判定處寫入表示正常之「PASS」之顯示。
在第8圖所示之例中，在晶圓W5及W7中，在檢查判定為不良。該些晶圓W5及W7為不良品被處分，但是針對相同批量之其他晶圓W之處理則如同預定般持續進行。針對該處理之持續進行的判斷，該晶圓W5及W7之不良因也有偶然產生之可能性，故在該階段原樣地持續進行運轉。因此，後續之晶圓W係在各模組中依序被處理，各晶圓W之搬運路徑之資訊被記憶在搬運路徑資訊儲存部53。當使至此之處理對應於第9圖之流程時，進行光阻膜之塗佈處理之晶圓W，在檢查模組3被檢查，其結果被寫入至搬運路徑資訊儲存部53(步驟S1)。然後，確認不良產生之有無(步驟S1a)，當確認出不良時，藉由解析程式54進行故障之狀況的解析(步驟S2)，就以解析之處理而言，當判斷偶然之故障(步驟S6)，則原樣地持續進行運轉(步驟S10)。
第10圖為表示藥液噴嘴25之故障之時晶圓W被處理之處理模組及此時有無故障和檢查結果之表。在該例中，在晶圓W4~W6中連續判定不良。難以想像在三個塗佈模組COT1~COT3或兩個加熱模組HP1、HP2中同時產生故障。因此，如該例般，針對使用相同之藥液噴嘴25在另外的塗佈模組COT被處理之晶圓W中例如連續三次判定不良之時，則判定係因藥液噴嘴25之故障所引起(第9圖中之步驟S3)。
第11圖為表示塗佈模組COT之故障之時晶圓W被處理之處理模組及此時有無故障和檢查結果之表。在該例中，對晶圓W1、W4、W7判定不良。該些三個判定不良的晶圓W1、W4、W7中之任一者皆在塗佈模組COT1中被處理，針對在其他塗佈模組COT2、COT3被處理之晶圓W，成判定良品。再者，難以想像在兩個加熱模組HP1、HP2中同時產生故障。如此一來，如該例般針對在相同的塗佈模組COT被處理之晶圓W中例如連續三次判定不良之時，則判定係因塗佈模組COT之故障所引起(第9圖中之步驟S4)。
第12圖為表示加熱模組HP之故障之時晶圓W被處理之處理模組及此時有無故障和檢查結果之表。在該例中，對晶圓W3、W5、W7判定不良。該些三個判定不良的晶圓W3、W5、W7中之任一者皆在加熱模組HP1中被處理，針對在另一方之加熱模組其他塗佈模組HP2被處理之晶圓W，成判定良品。再者，不良判定之晶圓W3、W5 、W7分別在不同的塗佈模組COT1~COT3被處理。如此一來，如該例般針對在相同的加熱模組HP被處理之晶圓W中例如連續三次判定不良之時，則判定係因加熱模組HP之故障所引起(第9圖中之步驟S5)。
再者，針對上述三個故障以外之時，即是藉由相同模組或相同藥液噴嘴25被處理之晶圓W，無出現例如連續三次判定不良時，則如第8圖所示般，判定成其故障為偶然產生。
接著，針對藉由解析程式54判定故障處之後的處置，按被判定之每個故障予以說明。並且，第13圖~第15圖中之L1~L5為載體，在此所說明之噴嘴係指在光阻塗佈單元使用之噴嘴。載體L1被收納有使用藥液噴嘴25a(在該例中，產生故障之藥液噴嘴)被處理之一個批量的晶圓Wa，其一部分之晶圓Wa正在塗佈、顯像裝置進行著處理。載體L2收納有使用不產生故障之藥液噴嘴25b而被處理之下一個批量之晶圓Wb，為了接續一個批量而被處理，在載體區塊C1待機。在載體L3收納有使用藥液噴嘴25a而被處理之一個批量的晶圓W1，為了接續於載體L1之晶圓Wa而被處理，在載體區塊C1待機。載體L4係藉由架空搬運機構4朝向塗佈、顯像裝置搬運中，收納有下一個批量的晶圓Wb。載體L5係藉由架空搬運機構4朝向塗佈、顯像裝置搬運中，收納有下一個批量的晶圓Wa。
於藥液噴嘴及其藥液供給系統之故障時，在塗佈單元 中，如第9圖(圖中步驟S7)及第10圖所示般，停止使用引起故障之藥液噴嘴(藥液供給系統)及進行對應於此之一個批量的晶圓Wa之處理，開始進行下一個批量之晶圓Wb之處理。第13圖係模式性地表示此時之晶圓Wa、Wb及收納該些之載體L1~L5之搬運狀況。載體L1之晶圓Wa係其一部分在塗佈、顯像裝置內為處理中，除此之外，未處理及處理完之晶圓Wa被收納在載體L1內。此時，停止未處理晶圓Wa朝塗佈、顯像裝置排出，針對處理中之晶圓Wa中止處理，通過如同預定般之搬運路徑而返回至載體L1。此時針對在曝光處理工程之前被中斷處理的晶圓Wa，跳過朝曝光區塊C4搬運。再者，針對在搬運路徑中的處理模組僅進行搬入、搬出，不進行處理。該載體L1係藉由架空搬運機構4被搬運至無圖示之再處理裝置，載體L1內之晶圓Wa在此被進行再處理(晶圓Wa上之膜的除去處理等)。
收納使用引起故障之藥液噴嘴(藥液供給系統)的晶圓Wa，為了在故障產生時點進行處理，在載體區塊C1待機之載體L3，在塗佈、顯像裝置不進行處理，藉由架空搬運機構4被搬運至塗佈、顯像裝置之外。為了在故障產生時點進行處理，藉由架空搬運機構4朝塗佈、顯像裝置搬運中之載體L5，不搬運至塗佈、顯像裝置，被搬運至塗佈、顯像裝置之外。
針對收納有使用不產生故障之藥液噴嘴25b而被處理的下一個批量之晶圓Wb的載體L2、L4，如同預定般在 塗佈、顯像裝置進行晶圓Wb之處理，以取代一個批量之晶圓Wa。
針對塗佈模組COT之故障之時的晶圓W及收納該些之載體L之態樣，參照第9圖、第11圖、第14圖而予以說明。首先，從例如載體L1被排出在塗佈模組COT1中被處理之晶圓Wa連續三片判定不良，塗佈模組COT1停止運轉。之後，載體L1之晶圓Wa針對光阻塗佈處理使用塗佈模組COT1以外之模組COT2、COT3而進行如同預定般之處理。接著，針對收納相同一個批量之晶圓Wa的載體L3、L5，也同樣進行如同預定般之處理。之後，即使針對收納有下一個批量之晶圓Wb的載體L2、L4，在塗佈模組COT1以外之模組COT2、COT3進行光阻塗佈處理以外，依序如同預定般進行處理(第9圖中步驟S8)。
針對加熱模組HP之故障之時的晶圓W及收納該些之載體L之態樣，參照第9圖、第12圖、第15圖而予以說明。首先，從例如載體L1被排出在加熱模組HP1中被處理之晶圓Wa連續三片判定不良，加熱模組HP1停止運轉。之後，載體L1之晶圓Wa針對加熱處理使用加熱模組HP2，進行如同預定般之處理。接著，針對收納相同一個批量之晶圓Wa的載體L3、L5，也同樣進行如同預定般之處理。之後，即使針對收納有下一個批量之晶圓Wb的載體L2、L4，在加熱模組HP2進行加熱處理之外，依序如同預定般進行處理(第9圖中步驟S9)。
於偶然的故障之時，僅出現判定不良的晶圓W也於 判定後通過如同預定般之搬運路徑而返回至原來的載體L，之後被處分，裝置本身通常持續進行運轉(第9圖中之步驟S10)。
在該例中，雖然針對在藉由檢查模組3之檢查而檢測出故障之時的後處置予以說明，但是即使藉由上述微小流量計或CCD攝影機29判斷藥液噴嘴25有故障情形之時，也和在上述藥液噴嘴25產生故障之時做同樣的處置(參照第9圖中之步驟S7)。
若藉由本實施型態時，在使用與液處理之光阻塗佈所使用之複數藥液之各個對應的複數藥液噴嘴25而對晶圓W進行液處理之技術中，在一個批量之晶圓W之液處理所使用之藥液噴嘴25中產生故障之時，停止使用與其一個批量對應之藥液噴嘴25(例如，25a)，針對使用與該藥液噴嘴(25a)不同的藥液噴嘴25(例如，25b)而進行處理的下一個批量而開始處理。因此，即使產藥液噴嘴25產生塗佈不良，可以也不停止塗佈單元2之全部運轉，因針對塗佈單元2之正常動作部分全部活用，故可以抑制塗佈、顯像裝置之運轉率下降。
在上述實施型態中，雖然在塗佈單元2設置有複數塗佈模組COT1~COT3，但是本發眀被設置在塗佈單元2之塗佈模組20即使為一個亦可。此時，藥液噴嘴25中之光阻液之吐出狀態之故障，係可以藉由如上述般使用例如第5圖所示之CCD攝影機29的監視或被設置在光阻液供給系統之微小流量計之檢測異常來特定。在如此之例中，監 視噴嘴25中吐出處理液是否故障之監視部，相當CCD攝影機29及所攝影到之畫像之解析用的程式，或上述微小流量計等。再者，在設置對晶圓W之表面照射雷射光之雷射照射部和攝影晶圓W之表面的攝影機，藉由攝影機之攝影畫像資料解析於光阻液吐出時在晶圓W之表面產生的光阻液之波紋，依此即使監視光阻液之吐出異常亦可。然後，針對於從噴嘴25檢測出光阻液之吐出異常之後的塗佈、顯像裝置之運轉手法，與先前之實施型態相同。即是，針對使用判斷成異常之噴嘴25的晶圓W，禁止該塗佈單元2之使用，例如禁止朝塗佈模組搬入晶圓W而跳過該塗佈單元2，針對使用其他噴嘴25的晶圓W，藉由該塗佈單元2進行光阻液之塗佈處理。即使在該例中，也取得與先前之實施型態相同之效果。
在上述之實施型態中，雖然在第3區塊(COT層)B3內設置有一個塗佈單元2，但即使設置有複數塗佈處理單元亦可。第16圖係表示呈現如此之例的COT層B3，在晶圓W之搬運路徑R之兩側各設置有與第1圖所示者相同之塗佈單元的第1塗佈單元2a及第2塗佈單元2b。在如此之構成例中，熱系之棚架單元係可以配置在例如該COT層中之介面區塊側。然後，於通常時，對晶圓W進行的光阻液之塗佈處理，係藉由兩個塗佈單元2a、2b被分擔進行，例如判斷在第1塗佈單元2a中一根噴嘴25異常(詳細而言，在噴嘴25或朝噴嘴25供給光阻液之供給系統產生故障)之時，則禁止使用該噴嘴25之批量的晶 圓W朝塗佈單元2a搬入。之後，針對使用該噴嘴25之批量的晶圓W，變更搬運行程51而僅使用其他塗佈單元2b而進行處理。並且，針對使用不使用之噴嘴25以外之噴嘴25的批量之晶圓W，使用兩台之塗佈單元2a、2b而進行並行處理。
並且，當判斷在塗佈單元2中之噴嘴具有異常(噴嘴25或光阻液之供給系統)而產生警報之時，雖然電腦自動變更搬運行程51，但是即使電腦進行搬運行程51之變更的觸發為手動輸入亦可。即是，即使操作員根據警報產生之辨識，從塗佈、顯像裝置之操作面板輸入針對成為故障對象的噴嘴25不能使用(除外)之主旨的指示，依此電腦與先前之實施型態說明相同，變更搬運行程51，以對使用該噴嘴25之晶圓W進行所謂的除外搬運亦可。
在以上之說明中，雖然針對光阻塗佈處理之不良產生時有記載，但是就以液處理單元而言，在例如第2區塊(BCT層)B2中之反射防止膜形成處理中因應基板分別使用複數種類之藥液之時，即使為反射防止膜形成用之液處理單元亦可。又即使於使用用以形成SOD(Spin On Dielectric)膜、SOG(Spin On Glass)膜、聚醯亞胺膜等之絕緣膜的塗佈液，或洗淨液等之光阻液以外之其他藥液之時，亦可以適用本發明。再者，在本發明中，從藥液噴嘴供給處理液之對象，並不限定於晶圓W，即使晶圓以外之例如FPD(平面顯示器)、光罩用之光罩標線板(Mask reticle)等之其他基板亦可適用本發明。
W‧‧‧晶圓
L、L1~L5‧‧‧載體
U1、U2、U3‧‧‧棚架單元
2‧‧‧液處理單元
20‧‧‧液處理模組
3‧‧‧檢查模組
4‧‧‧架空搬運機構
5‧‧‧控制部
1‧‧‧載置台
11‧‧‧收授臂
12‧‧‧穿梭臂
13‧‧‧介面臂
14‧‧‧收授臂
15‧‧‧收授臂
21‧‧‧旋轉吸盤
22‧‧‧杯體
23‧‧‧升降銷
24‧‧‧共有臂
25‧‧‧噴嘴
26‧‧‧驅動機構
27‧‧‧塗佈膜周緣部除去機構
28‧‧‧光阻供給部
29‧‧‧CCD攝影機
50‧‧‧匯流排
51‧‧‧搬運模組
52‧‧‧搬運控制部
53‧‧‧搬運路徑資訊儲存部
54‧‧‧解析程式
55‧‧‧搬運行程變更程式
56‧‧‧CPU
57‧‧‧警報產生部
2a、2b‧‧‧塗佈單元
C1‧‧‧載體區塊
C2‧‧‧處理區塊
C3‧‧‧介面區塊
C4‧‧‧曝光區塊
C5‧‧‧檢查區塊
B1‧‧‧第1區塊(DEV層)
B2‧‧‧第2區塊(BCT層)
B3‧‧‧第3區塊(COT層)
A1~A3‧‧‧搬運臂
D‧‧‧收授臂
CPL3、CPL5‧‧‧冷卻平台
TRS1、TRS2、TRS3‧‧‧收授平台
BF2、BF4‧‧‧緩衝平台
COT1~COT3‧‧‧塗佈模組
HP1、HP2‧‧‧加熱模組
R‧‧‧搬運路徑
第1圖為表示與本發眀之實施型態有關之塗佈、顯像裝置之俯視圖。
第2圖為表示上述塗佈、顯像裝置之斜視圖。
第3圖為表示上述塗佈、顯像裝置之縱斷側面圖。
第4圖為表示被設置在上述塗佈、顯像裝置內之塗佈單元的斜視圖。
第5圖為表示被設置在上述塗佈單元之光阻供給部之一部分的斜視圖。
第6圖為模式性表示被設置在上述塗佈、顯像裝置的控制部的方塊圖。
第7圖為表示上述實施型態中之基板處理流程的模式圖。
第8圖為表示上述實施型態中之一般運轉中的基板處理結果及基板搬運行程之一例的表。
第9圖為說明上述實施型態中之運轉行程之變更方法的流程圖。
第10圖為表示上述實施型態中被設置在上述光阻供給部的藥液噴嘴中之一部分停止使用之時之基板處理結果及基板搬運行程之一例的表。
第11圖為表示上述實施型態中被設置在上述塗佈單元之塗佈模組中之一部分停止使用之時之基板處理結果及基板搬運行程之一例的表。
第12圖為表示上述實施型態中被設置在上述塗佈、顯像裝置內之加熱模組中之一部分停止使用之時之基板處理結果及基板搬運行程51之一例的表。
第13圖為說明上述第10圖之時的基板之搬運動作之模式圖。
第14圖為說明上述第11圖之時的基板之搬運動作之模式圖。
第15圖為說明上述第12圖之時的基板之搬運動作之模式圖。
第16圖為用以說明同實施型態中之其他例的俯視圖。

Claims (13)

  1. 一種基板處理裝置，係對從被搬入至載體區塊之基板搬運容器的載體被排出的基板，在處理區塊進行液處理，接著於該液處理之後在模組進行後處理，將結束包含上述液處理及後處理之一連串處理的基板收授至載體，該基板處理裝置之特徵為具備：液處理部，其包含被設置在上述處理區塊，藉由杯體包圍水平保持基板之基板保持部之周圍而構成之液處理模組，和按對應於基板批量之處理液的類別而所準備之複數噴嘴；搬運機構，其係用以在上述處理區塊內進行基板之搬運；監視部，其係用以監視上述噴嘴吐出處理液時是否有故障；及控制部，其係以針對使用藉由該監視部被判斷成故障之噴嘴的基板，禁止在該液處理部進行液處理，且針對使用該噴嘴以外之噴嘴的基板，在該液處理部進行液處理之方式，輸出控制訊號。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置，其中上述液處理部係配列複數上述液處理模組，基板從外部順序被搬入，上述噴嘴元件相對於複數液處理模組係被共用化，在複數液處理模組之上方區域之間移動。
  3. 如申請專利範圍第2項所記載之基板處理裝置，其中上述監視部具備：檢查部，其係用以對在上述液處理單元進行液處理之後的基板進行檢查；記憶部，其係用以記憶包含上述複數液處理模組之各個的基板之搬運路徑之資訊；判斷部，其係使用上述檢查部中之基板的檢查結果和基板之搬運路徑之資訊，針對上述複數液處理模組之全部，於在液處理模組中被處理基板為不良時，則判斷該基板之處理所使用的噴嘴吐出故障。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中之任一項所記載之基板處理裝置，其中上述控制部係以針對從載體已被排出，且使用被判斷成故障之噴嘴的基板，不進行後處理地通過上述液處理之後將進行該後處理的模組之方式，輸出控制訊號。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中之任一項所記載之基板處理裝置，其中上述控制部係以針對為從載體排出之前的基板，即使用被判斷成故障之噴嘴的基板，禁止從載體排出之方式，輸出控制訊號。
  6. 如申請專利範圍第1至3項中之任一項所記載之基板處理裝置，其中上述液處理部被設置複數，上述控制部係以針對在一個液體處理部噴嘴被判斷成故障之時而使用該噴嘴之基板，在其他的液處理部進行液 處理之方式，控制搬運機構。
  7. 一種基板處理方法，係對從被搬入至載體區塊之基板搬運容器的載體被排出的基板，在處理區塊進行液處理，接著於該液處理之後在模組進行後處理，將結束包含上述液處理及後處理之一連串處理的基板收授至載體，該基板處理方法之特徵為：使用液處理部，該液處理部包含被設置在上述處理區塊，藉由杯體包圍水平保持基板之基板保持部之周圍而構成之液處理模組，和按對應於基板批量之處理液的類別而所準備之複數噴嘴，包含：藉由搬運機構將基板搬入至上述液處理模組之工程；從吐出對應於上述基板之類別的處理液的噴嘴，對基板吐出處理液而進行液處理之工程；監視上述噴嘴吐出處理液時是否有故障之工程；及以針對使用藉由該監視工程被判斷成故障之噴嘴的基板，禁止在該液處理部進行液處理，且針對使用該噴嘴以外之噴嘴的基板，在該液處理部進行液處理之方式，控制上述搬運機構之工程。
  8. 如申請專利範圍第7項所記載之基板處理方法，其中上述液處理部係配列複數上述液處理模組，基板從外部順序被搬入，上述噴嘴元件相對於複數液處理模組係被共用化，在複數液處理模組之上方區域之間移動。
  9. 如申請專利範圍第8項所記載之基板處理方法，其中上述進行監視的工程具備：對在上述液處理單元進行液處理之後的基板進行檢查之工程；記憶包含上述複數液處理模組之各個的基板之搬運路徑之資訊的工程；使用上述檢查部中之基板的檢查結果和基板之搬運路徑之資訊，針對上述複數液處理模組之全部，於在液處理模組中被處理基板為不合格時，則判斷該基板之處理所使用的噴嘴吐出故障的工程。
  10. 如申請專利範圍第7至9項中之任一項所記載之基板處理方法，其中針對從載體已被排出，且使用被判斷成故障之噴嘴的基板，不進行後處理地通過上述液處理之後將進行該後處理的模組。
  11. 如申請專利範圍第7至9項中之任一項所記載之基板處理方法，其中針對為從載體排出之前的基板，即使用被判斷成故障之噴嘴的基板，禁止從載體排出。
  12. 如申請專利範圍第7至9項中之任一項所記載之基板處理方法，其中上述液處理部被設置複數，以針對在一個液體處理部噴嘴被判斷成故障之時而使用該噴嘴之基板，在其他的液處理部進行液處理之方式，控制搬運機構。
  13. 一種記憶媒體，記憶有被使用於基板處理裝置的電腦程式，該基板處理裝置係對從被搬入至載體區塊之基板搬運容器的載體被排出的基板，在處理區塊進行液處理，接著於該液處理之後在模組進行後處理，將結束包含上述液處理及後處理之一連串處理的基板收授至載體，該記憶媒體之特徵為：上述電腦程式係用以實施如申請專利範圍第7至9項中之任一項所記載之基板處理方法。
TW101131311A 2011-09-02 2012-08-29 A substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a memory medium TWI466730B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011191684A JP5459279B2 (ja) 2011-09-02 2011-09-02 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201323095A TW201323095A (zh) 2013-06-16
TWI466730B true TWI466730B (zh) 2015-01-01

Family

ID=47752934

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101131311A TWI466730B (zh) 2011-09-02 2012-08-29 A substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a memory medium

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8885140B2 (zh)
JP (1) JP5459279B2 (zh)
KR (1) KR101449117B1 (zh)
CN (1) CN102974500B (zh)
TW (1) TWI466730B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101582565B1 (ko) * 2014-01-29 2016-01-07 세메스 주식회사 액 공급 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법
US10403517B2 (en) 2015-02-18 2019-09-03 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
CN105914167B (zh) 2015-02-25 2018-09-04 株式会社思可林集团 基板处理装置
CN111527586B (zh) * 2017-12-28 2024-04-09 东京毅力科创株式会社 基板处理装置、基板处理方法以及计算机可读取记录介质
TW202120198A (zh) * 2019-08-13 2021-06-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置、噴嘴檢查方法及記憶媒體
JP2022191764A (ja) * 2021-06-16 2022-12-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法、基板処理装置およびプログラム
WO2023008124A1 (ja) * 2021-07-26 2023-02-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、情報処理方法及び記憶媒体

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200621512A (en) * 2004-09-08 2006-07-01 Seiko Epson Corp Liquid drop ejector, method for manufacturing electrooptical device, electrooptical device and electronic apparatus
TW201005366A (en) * 2008-07-28 2010-02-01 Top Eng Co Ltd Method for confirming non-dropping of an LC droplet and LC dispenser implementing the method
TW201005268A (en) * 2008-07-18 2010-02-01 Inotera Memories Inc Photoresist solution dispensing volume monitoring system and method

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1050794A (ja) * 1996-08-01 1998-02-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および方法
JP2000301082A (ja) * 1999-04-20 2000-10-31 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP3916468B2 (ja) * 2002-01-11 2007-05-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2003318079A (ja) * 2002-04-19 2003-11-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理システム
JP4202220B2 (ja) * 2003-09-22 2008-12-24 大日本スクリーン製造株式会社 検査装置、基板処理装置および基板処理方法
JP4716362B2 (ja) * 2005-06-07 2011-07-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板処理方法
KR20070027014A (ko) * 2005-08-29 2007-03-09 삼성전자주식회사 습식 식각 장치
JP2008072016A (ja) 2006-09-15 2008-03-27 Tokyo Electron Ltd 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP5045218B2 (ja) * 2006-10-25 2012-10-10 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
TW200919117A (en) * 2007-08-28 2009-05-01 Tokyo Electron Ltd Coating-developing apparatus, coating-developing method and storage medium
JP5065167B2 (ja) * 2007-09-20 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法及び基板の処理システム
JP5511190B2 (ja) * 2008-01-23 2014-06-04 株式会社荏原製作所 基板処理装置の運転方法
JP4887310B2 (ja) * 2008-01-29 2012-02-29 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP4900397B2 (ja) * 2009-01-29 2012-03-21 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP5304474B2 (ja) * 2009-06-22 2013-10-02 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP5195673B2 (ja) * 2009-07-06 2013-05-08 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP5379621B2 (ja) * 2009-09-17 2013-12-25 大日本スクリーン製造株式会社 検査レシピ自動生成装置、ならびに検査レシピ自動生成プログラムおよびそれを記録した記録媒体
JP5399191B2 (ja) * 2009-09-30 2014-01-29 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置、基板処理装置のための検査装置、ならびに検査用コンピュータプログラムおよびそれを記録した記録媒体
JP5381592B2 (ja) * 2009-10-06 2014-01-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP4935927B2 (ja) * 2010-12-27 2012-05-23 東京エレクトロン株式会社 塗布装置、現像装置、塗布方法、現像方法及び記憶媒体

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200621512A (en) * 2004-09-08 2006-07-01 Seiko Epson Corp Liquid drop ejector, method for manufacturing electrooptical device, electrooptical device and electronic apparatus
TW201005268A (en) * 2008-07-18 2010-02-01 Inotera Memories Inc Photoresist solution dispensing volume monitoring system and method
TW201005366A (en) * 2008-07-28 2010-02-01 Top Eng Co Ltd Method for confirming non-dropping of an LC droplet and LC dispenser implementing the method

Also Published As

Publication number Publication date
KR101449117B1 (ko) 2014-10-08
JP2013055191A (ja) 2013-03-21
CN102974500A (zh) 2013-03-20
KR20130025826A (ko) 2013-03-12
JP5459279B2 (ja) 2014-04-02
TW201323095A (zh) 2013-06-16
US20130057836A1 (en) 2013-03-07
CN102974500B (zh) 2015-11-11
US8885140B2 (en) 2014-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI466730B (zh) A substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a memory medium
JP4566035B2 (ja) 塗布、現像装置及びその方法
US10539514B2 (en) Substrate inspection method, computer storage medium and substrate inspection apparatus
US8985880B2 (en) Coating and developing apparatus and method
US8740481B2 (en) Coating and developing apparatus
JP4985728B2 (ja) 塗布、現像装置及びその方法
JP5566265B2 (ja) 基板処理装置、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板の搬送方法
US20120009528A1 (en) Coating and developing apparatus and method
KR101522695B1 (ko) 액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체
TWI386976B (zh) 塗布顯影裝置及塗布顯影裝置之操作方法與記憶媒體
TWI828772B (zh) 塗布顯像裝置及塗布顯像方法
US20200290080A1 (en) Solution supply apparatus and solution supply method
US7641406B2 (en) Bevel inspection apparatus for substrate processing
JP5837649B2 (ja) 基板処理装置、異常処理部判定方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2004087795A (ja) 基板処理装置および基板処理システム
JP2016207838A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP6828329B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP2014067910A (ja) 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP7028285B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
US20230152716A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2022073574A (ja) 基板処理システムおよび基板処理方法