CN218826983U - 基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及基板处理装置。提高基板处理装置的生产率并抑制专用地面面积。装置构成为具备：载体模块，其具备包含基板送入送出用的载体载置部的多个载体载置部；处理模块，其相对于载体模块设于左右的一侧；第1载体载置部和第2载体载置部，其均是载体载置部且俯视时在前后方向上排列地设置，至少一者是基板送入送出用的载体载置部；沿纵向排列的多个基板载置部，其相对于在俯视时的第1载体载置部与第2载体载置部之间形成的基板的输送区域设于左右的一侧；第1基板输送机构，其设于输送区域；和第2基板输送机构，其在第1基板载置部与包含在多个基板载置部内并且用于相对于处理模块交接基板的第2基板载置部之间交接基板。

Description

基板处理装置
技术领域
本实用新型涉及基板处理装置。
背景技术
在半导体器件的制造工序中，对于半导体晶圆(以下，记载为晶圆),通过在基板处理装置内的各种处理组件之间输送，从而进行液处理、加热处理等处理。晶圆由载体输送至基板处理装置。在专利文献1中，示出了具备相对于该载体交接晶圆的载体模块的基板处理装置。在该载体模块中，以夹着由多个载置基板的载置部构成的层叠体的方式设有两个输送机构，各输送机构具备用于在载置部之间交接晶圆的保持部和用于相对于载体交接晶圆的保持部。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-69916号公报
实用新型内容
实用新型要解决的问题
本实用新型提供一种能够提高基板处理装置的生产率并且抑制专用地面面积的技术。
用于解决问题的方案
本实用新型为一种基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置具备：
载体模块，其具备多个载体载置部，该多个载体载置部包含为了相对于存储基板的载体进行所述基板的送入送出而载置该载体的基板送入送出用的载体载置部；
处理模块，其相对于所述载体模块设于左右的一侧，以对所述基板进行处理；
第1载体载置部和第2载体载置部，其均为所述载体载置部，并且在俯视时沿前后方向排列地设置，该第1载体载置部和第2载体载置部中的至少一者是所述基板送入送出用的载体载置部；
多个基板载置部，其相对于在俯视时的所述第1载体载置部与所述第2载体载置部之间形成的所述基板的输送区域设于左右的一侧，该多个基板载置部沿纵向排列，并且分别载置所述基板；
第1基板输送机构，其设于所述输送区域并绕纵轴转动，以在所述第1载体载置部的所述载体与第1基板载置部之间交接所述基板，该第1基板载置部包含在所述多个基板载置部内；以及
第2基板输送机构，其进行升降，以在所述第1基板载置部与第2基板载置部之间交接所述基板，该第2基板载置部包含在所述多个基板载置部内并且为了相对于所述处理模块交接所述基板而载置该基板。
也可以是，所述第1载体载置部和所述第2载体载置部均是所述基板送入送出用的载体载置部，所述第1基板输送机构以成为用于相对于所述第1载体载置部的所述载体交接所述基板的一朝向和用于相对于所述第2载体载置部的所述载体交接所述基板的与所述一朝向相反的另一朝向的方式转动。
也可以是，在所述多个载体载置部包含第3载体载置部，该第3载体载置部为了相对于所述载体模块进行所述载体的送入送出而以第1朝向载置该载体，所述基板送入送出用的载体载置部以使在所述载体设置的所述基板的送入送出用的开口部朝向前方和后方中的靠所述第1基板输送机构所处的位置的那侧的方式以与所述第1朝向不同的第2朝向载置所述载体，该基板处理装置设有朝向变更机构，该朝向变更机构将所述载体的朝向在所述第1朝向与所述第2朝向之间变更。
也可以是，该基板处理装置设有载体用的输送机构，该载体用的输送机构在所述载体载置部之间输送所述载体，所述朝向变更机构是该载体用的输送机构。
也可以是，在所述多个载体载置部包含待机用的载体载置部，该待机用的载体载置部与所述基板送入送出用的载体载置部以及所述第3载体载置部不同，用于使所述载体待机，在所述基板送入送出用的载体载置部、所述待机用的载体载置部，分别以所述开口部朝向前方或后方的状态前后排列地载置所述载体。
也可以是，所述基板送入送出用的载体载置部沿纵向设有多个，所述第1基板输送机构以共用于所述多个基板送入送出用的载体载置部的方式升降。
也可以是，所述处理模块具备互相层叠的下侧处理模块和上侧处理模块，该下侧处理模块和上侧处理模块均具备对所述基板进行处理的第1处理组件和相对于该第1处理组件交接该基板的主输送机构，在所述第2基板载置部包含用于相对于所述下侧处理模块的主输送机构交接所述基板的下侧基板载置部和用于相对于所述上侧处理模块的主输送机构交接所述基板的上侧基板载置部。
也可以是，在相对于所述第2基板输送机构将所述多个基板载置部所位于的那侧设为前方时，利用该第2基板输送机构交接所述基板并对该基板进行气体处理的第2处理组件设于所述第2基板输送机构的后方。
也可以是，所述上侧处理模块和所述下侧处理模块中的至少一者具备：一处理模块和另一处理模块，其均具备所述第1处理组件、所述主输送机构和用于不经由所述第1处理组件地向输送路径的下游侧输送所述基板的旁路输送机构，并且该一处理模块和另一处理模块左右排列，在将所述一处理模块和所述另一处理模块中的靠所述载体模块侧的模块设为一处理模块时，在该一处理模块的所述旁路输送机构与所述第2基板输送机构之间进行所述基板的交接，在所述另一处理模块的所述旁路输送机构与所述一处理模块的主输送机构之间进行所述基板的交接。
也可以是，在所述下侧处理模块和所述上侧处理模块中的至少一者的第1处理组件包含向所述基板供给处理液的液处理组件，在俯视时相对于所述多个基板载置部在前后方向上的与所述第2基板输送机构所设置的那侧相反的一侧设有贮存部，该贮存部贮存所述处理液以向所述液处理组件供给。
也可以是，以与所述第1载体载置部或所述第2载体载置部在俯视时重叠的方式设有用于检查所述基板的检查组件，所述第1基板输送机构以共用于所述基板送入送出用的载体载置部和所述检查组件的方式升降。
实用新型的效果
本实用新型能够提高基板处理装置的生产率，并且能够抑制专用地面面积。
附图说明
图1是本实用新型的基板处理装置的一实施方式的涂布显影装置的横剖俯视图。
图2是所述涂布显影装置的纵剖主视图。
图3是设于所述涂布显影装置的载体模块的概略立体图。
图4是所述载体模块的侧视图。
图5是表示所述载体模块中的载体的移载的说明图。
图6是表示所述载体模块中的载体的移载的说明图。
图7是表示所述载体模块中的载体的移载的说明图。
图8是所述载体模块的俯视图。
图9是表示设于所述载体模块的输送机构的动作的说明图。
图10是设于所述涂布显影装置的处理模块的纵剖侧视图。
图11是所述载体模块和所述处理模块的概略主视图。
图12是设于所述处理模块的梭动件的俯视图。
图13是表示所述涂布显影装置中的晶圆的输送路径的说明图。
图14是表示所述涂布显影装置中的晶圆的输送路径的说明图。
图15是表示所述载体模块的变形例的俯视图。
图16是所述变形例的侧视图。
图17是表示所述载体模块的进一步的变形例的俯视图。
图18是表示基板处理装置的其他结构例的概略主视图。
具体实施方式
分别参照图1的横剖俯视图、图2的纵剖主视图，对本实用新型的基板处理装置的一实施方式的涂布显影装置1进行说明。在涂布显影装置1中，载体模块D1、第1层叠处理模块D2、第2层叠处理模块D3以及接口模块D4按照该顺序沿横向呈直线状排列地配置。而且，关于这些模块(载体模块、第1层叠处理模块、第2层叠处理模块、接口模块)D1～D4，相邻的模块彼此互相连接。另外，这些模块D1～D4分别具备壳体而彼此划分，在各壳体的内部形成有作为圆形的基板的晶圆W的输送区域。
将模块D1～D4的排列方向设为左右方向，为了便于说明，将载体模块D1侧设为左侧，将接口模块D4设为右侧。另外，关于装置的前后方向，将以使载体模块D1位于左侧的方式进行观察时的近前设为前方，将里侧设为后方。在接口模块D4自右侧连接有曝光机20。此外，关于上述的模块D1～D4的排列方向(左右方向)，在各图中表示为X方向，关于前后方向，在各图中表示为Y方向。X方向、Y方向是互相正交的直线方向。
在对模块D1～D4分别进行详细说明之前，叙述涂布显影装置1的概略结构。晶圆W例如在收纳于被称作FOUP(Front Opening Unify Pod：前开式晶圆传送盒)的载体C的状态下向涂布显影装置1输送。第1层叠处理模块D2和第2层叠处理模块D3分别以在纵向上被分割为两部分的方式进行划分，划分出的各个部分构成具备处理组件(第1处理组件)和能够进行相对于该处理组件的交接的主输送机构的处理模块。将如上述那样被划分成两部分的第1层叠处理模块D2的下侧、上侧分别设为处理模块2A、处理模块2B，将被划分为两部分的第2层叠处理模块D3的下侧、上侧分别设为处理模块2C、处理模块2D。
处理模块2A、2C彼此相邻，有时将该处理模块2A、2C统一记载为下侧处理模块。另外，处理模块2B、2D彼此相邻，有时将该处理模块2B、2D统一记载为上侧处理模块，在图1中示出该上侧处理模块。在作为该上侧处理模块的处理模块2B、2D分别设有与主输送机构不同的输送机构(旁路输送机构)。以下，将该不同的输送机构记载为梭动件。该梭动件以不经由处理组件的方式将晶圆W朝向输送路径的下游侧的模块输送。
下侧处理模块形成自载体模块D1朝向接口模块D4输送晶圆W的去往路径，在该去往路径中，在晶圆W形成抗蚀剂膜等涂布膜。而且，上侧处理模块形成将由曝光机20曝光完毕的晶圆W自接口模块D4朝向载体模块D1输送的返回路径。在该返回路径中，晶圆W由处理模块2B和处理模块2D中的一处理模块的主输送机构向处理组件输送而接受处理，在另一处理模块中由梭动件进行输送。也就是说，作为返回路径，具有两个输送路径，晶圆W在这两个路径中的任一路径进行输送。此外，组件是指输送机构(包括梭动件)以外的载置晶圆W的场所。将对晶圆W进行处理的组件如上述那样记载为处理组件，作为该处理，也包括为了检查而获取图像。
以下，还参照图3的概略立体图和图4的侧视图，对载体模块D1进行说明。在设置涂布显影装置1的洁净室内，例如设有被称为Overhead Hoist Transport(OHT：架空起重机输送)的载体C用的输送机构，利用该输送机构(以下，记载为外部输送机构)相对于载体模块D1进行载体C的送入送出(送入和送出)。载体模块D1相对于由该外部输送机构输送来的载体C进行晶圆W的送入送出，在与上述的下侧处理模块以及上侧处理模块之间交接该晶圆W。
载体C具备方形的容器主体和盖C1。盖C1相对于容器主体装卸自如，并将形成于容器主体的侧面的用于进行晶圆W的送入送出的开口部封闭。在朝向该开口部的开口方向观察时，载体C的左右的宽度L1大于前后的宽度L2。此外，在该载体C的说明中叙述的前后、左右与装置的说明的前后、左右未必一致。此外，在载体C的容器主体的上部设有把手C2。为了避免复杂化，在一部分的图中省略了把手C2和盖C1的表示，在图4中，盖C1仅在一部分的载体C中表示。由于如上述那样设有盖C1，因此盖C1表示载体C的开口部的开口方向。
关于载体模块D1，对于构成该载体模块D1的各构件，除了配置为成为防止载体模块D1的大型化的布局以外，还构成为防止在载置多个具有上述宽度L1、L2的载体C时的大型化。在载体模块D1中，作为载体载置部而设有其作用互不相同的三种载物台11～13。
构成第3载体载置部的载物台11是供上述外部输送机构交接载体C的载物台，以下记载为外部交接用载物台11。载物台12是为了相对于载体模块D1进行晶圆W的装载(送入)和卸载(送出)而载置载体C的载物台，是基板送入送出用的载体载置部。该载物台12如后述那样为了装载、卸载而移动，因此以下记载为移动载物台12。载物台13是用于在无法向移载目的地的载物台11、12移载载体C时使该载体C暂时退避并载置的待机用的载体载置部，以下记载为退避用载物台13。载体模块D1具备方形的壳体14，在该壳体14的左侧，上述的载物台11～13相对于前后的中央对称地设置。
对载物台11～13的配置具体地进行说明，在壳体14的左侧的垂直(铅垂)的侧面的上部设有送入送出用搁板15，该送入送出用搁板15自该侧面的前端部形成到后端部。而且，在送入送出用搁板15之上沿前后方向排列地设有四个外部交接用载物台11。各外部交接用载物台11以与外部输送机构输送载体C的方向相应地使载体C的开口部成为朝向右侧(即，盖C1位于右侧)的第1朝向的方式载置该载体C。例如，后方侧的两个外部交接用载物台11被用作向载体模块D1送入载体C用的载物台，前方侧的两个外部交接用载物台11被用作自载体模块D1送出载体C用的载物台。
另外，在壳体14的左侧的壁部，在送入送出用搁板15的下方，前后的中央部形成为向左方拉出而突出，形成方形且纵长的突壁部16。被该突壁部16包围的区域构成为输送区域17。在突壁部16的前方侧面和后方侧面各设有两个晶圆W的送入送出用的开口部21，形成于相同侧面的两个开口部21在铅垂方向上互相分离。由此，在沿左右方向观察时，共计四个开口部21配置为2×2的矩阵状。各开口部21的左右的位置相同，各开口部21被门22自壳体14的内侧封闭。
突壁部16的后方侧面的各开口部21的下部侧的部位向后方突出，突壁部16的前方侧面的各开口部21的下部侧的部位向前方突出，从而构成支承部23。因而，该支承部23也在沿左右方向观察时配置为2×2的矩阵状，并分别与开口部21以及门22对应地设置。在支承部23之上设有移动载物台12，载体C以其开口部成为朝向突壁部16的开口部21的第2朝向的方式载置于各移动载物台12。相对于突壁部16在前后中的一侧设置的移动载物台12构成第1载体载置部，在前后中的另一侧设置的移动载物台12构成第2载体载置部。各移动载物台12的左右方向上的位置与上述的外部交接用载物台11的左右方向上的位置对齐。在上述的支承部23例如设有使与该支承部23对应的移动载物台12、门22移动的移动机构。
上述的各移动载物台12能够在距开口部21较近的装载位置与距开口部21较远的卸载位置之间沿前后方向移动。装载位置是相对于载体C进行晶圆W的送入送出的位置，卸载位置是与后述的载体移载机构26之间进行载体C的交接的位置。上述的门22能够相对于装载位置的载体C在保持盖C1和不保持盖C1之间切换，并且能够在保持着盖C1的状态下向开口部21的下方的支承部23的高度移动。因而，门22进行载体C的盖C1的装卸和门22的开闭。
在突壁部16的前方侧和后方侧各设有三层搁板24。前方侧的搁板24设于比前方侧的支承部23靠前方的位置，后方侧的搁板24设于比后方侧的支承部23靠后方的位置，在各搁板24之上配置有退避用载物台13。由此，在沿左右方向观察时，退避用载物台13配置为2×3的矩阵状。在搁板24之上的退避用载物台13，载体C以其开口部朝向前后方向的方式载置，更具体而言，以该开口部朝向突壁部16的方式载置。此外，搁板24之上的各退避用载物台13的左右方向上的位置彼此相同，与移动载物台12的左右的位置也相同。
而且，在最上层的退避用载物台13之上，载体C载置于与上层的移动载物台12之上的载体C相同的高度，这些载物台12、13之上的载体C前后排列。在最下层的退避用载物台13，载体C载置于与下层的移动载物台12之上的载体C相同的高度，这些载物台12、13之上的载体C前后排列。在中层的退避用载物台13之上，载体C载置于与上层的支承部23相同的高度。
另外，壳体14的左侧的侧面的底部向左方拉出而形成底座25。在该底座25之上也设有退避用载物台13，该底座25的退避用载物台13位于比搁板24的退避用载物台13靠左方的位置。底座25之上的退避用载物台13在前后方向上排列地设有四个，以使各个载体C的开口部朝向左方的方式载置该载体C。
接着，对作为载体用的输送机构的载体移载机构26进行说明。载体移载机构26具备能够保持载体C的把手C2的多关节臂27和能够使该多关节臂27升降移动和前后移动的移动机构28。多关节臂27的各臂部能够绕铅垂轴线转动。而且，多关节臂27的前端部构成为以能够把持载体C的把手C2的方式能够开闭的爪部29，该爪部29也绕铅垂轴线转动自如。
而且，利用载体移载机构26，按照外部交接用载物台11→用于交出晶圆W的移动载物台12→用于回收晶圆W的移动载物台12→外部交接用载物台11的顺序移载(输送)载体C。像这样，在各载物台之间移载载体C时，若移载目的地的载物台未空出(若被其他载体C占有)，则将该载体C载置于退避用载物台13，直至该移载目的地的载物台空出。
在各载物台11～13以上述的朝向载置载体C，在移载起始地的载物台与移载目的地的载物台之间载体C的朝向不同的情况下，在移载过程中进行载体C的朝向的变更。作为一个例子，在图5～图7中，示出了自外部交接用载物台11向后方侧的移动载物台12移载载体C的例子。
载体移载机构26的爪部29把持外部交接用载物台11之上的载体C的把手C2，使载体C自该外部交接用载物台11离开(图5)。然后，在该载体C向移动载物台12去的中途，载体移载机构26的爪部29转动90°，使载体C以其开口部从朝向右方的状态变为朝向前方的状态的方式改变朝向(图6)，并载置于移动载物台12(图7)。在其他的载物台之间移载载体C的情况下也是，在移载起始地的载物台和移载目的地的载物台之间载体C的载置方向不同的情况下，与图5～图7所示的例子同样地，在载体C的移载路径中，在移载过程中变更载体C的朝向。
返回载体模块D1的结构的说明。在送入送出用搁板15的下方、且是上层的退避用载物台13和移动载物台12之上的载置载体C的区域的上方，设有两个检查组件39，这两个检查组件39相对于突壁部16分别配置于后方、前方。因此，如图8所示，在俯视时，后方侧的检查组件39配置为与后方侧的移动载物台12和搁板24之上的退避用载物台13重叠，前方侧的检查组件39配置为与前方侧的移动载物台12和搁板24之上的退避用载物台13重叠。
检查组件39例如具备沿前后方向延伸的壳体。而且，在该壳体内例如设有能够沿前后方向移动的载物台和包括照相机的拍摄部，利用拍摄部间歇地拍摄载置于该载物台且处于移动过程中的晶圆W，获取晶圆W的表面整体的图像数据。后述的控制部10基于自拍摄部发送来的上述的图像数据进行晶圆W的异常的有无的判断。在本例子中，检查组件39拍摄由涂布显影装置1处理前的晶圆W。
接着，对壳体14的内部的结构进行说明。在壳体14内形成有俯视时沿前后呈直线状延伸的空间19。即，空间19形成为沿Y方向伸长，上述的突壁部16所形成的输送区域17是自该空间19的Y方向上的中央部沿XY方向突出而成的空间。在输送区域17设有作为第1基板输送机构的输送机构31。输送机构31具备升降自如且绕铅垂轴线、即绕纵轴转动的基座32和相对于该基座32进退自如的晶圆W的保持部33。利用该结构，输送机构31能够相对于在上述的各移动载物台12载置的载体C和检查组件39交接晶圆W。即，输送机构31共用于这些移动载物台12和检查组件39。
在图9中，关于Y方向，将一侧表示为－Y侧，将另一侧表示为+Y侧。输送机构31的动作被控制为：在相对于后方侧的移动载物台12的载体C交接晶圆W时，保持部33的前进方向为－Y方向(后方)，在相对于前方侧的移动载物台12的载体C交接晶圆W时，保持部33的前进方向为+Y方向(前方)。即，保持部33的朝向成为一朝向和与一朝向相反的另一朝向。此外，在相对于后方侧的检查组件39、前方侧的检查组件39分别交接晶圆W时也同样，基座32以使保持部33的朝向成为一朝向和另一朝向的方式转动。
接着，对空间19进行说明，从俯视时的伸长方向的中央部到后端部构成为晶圆W的输送区域，配置有输送机构和组件。更详细而言，在俯视时的空间19的前后的中央部，在输送机构31的右方(即，左右的一方)，设有组件层叠体T1。组件层叠体T1通过将供晶圆W临时放置(暂时载置)的交接组件TRS、对临时放置的晶圆W的温度进行调整的温度调整组件SCPL等在铅垂方向、即纵向上重叠而构成。此外，后述的其他组件层叠体也是同样的结构。
上述的输送机构31相对于构成组件层叠体T1的组件交接晶圆W。此时，以使保持部33的前进方向朝向该组件层叠体T1(即，朝向X方向)的方式控制基座32的朝向。而且，在组件层叠体T1的后方侧设有输送机构34。作为第2基板输送机构的输送机构34例如除了保持部33的形状不同以外，为与输送机构31同样的结构。
而且，在输送机构34的后方且是空间19的后端部，例如互相层叠地设有多个疏水化处理组件35。作为第2处理组件的疏水化处理组件35是在形成涂布膜前向晶圆W供给处理气体来进行疏水化处理的组件，由输送机构34交接晶圆W。疏水化处理组件35包括载置并加热晶圆W的热板和覆盖该热板的升降自如的罩，通过向热板之上的由该罩形成的密闭空间供给处理气体，从而对晶圆W进行疏水化处理。
另外，上述的温度调整组件SCPL能够进行所载置的晶圆W的温度调整，利用输送机构的升降动作来交接晶圆W。交接组件TRS例如具备沿横向排列的多个销，为利用输送机构的升降动作相对于该销交接晶圆W的结构。作为基板载置部的TRS、SCPL在除了载体模块D1以外的模块中也以构成组件层叠体的方式设置，在构成各组件层叠体的组件中包含具有在模块间交接晶圆W的作用的组件。
此外，在与梭动件之间交接晶圆W的梭动件用TRS与上述的结构不同，能够进行升降，详细内容与梭动件一起叙述。另外，以下，在SCPL、TRS之后附加数字来进行表示，以互相区分各位置处的SCPL、TRS。关于构成载体模块D1的组件层叠体T1的组件，自下侧朝向上侧表示为TRS1、TRS2、SCPL1、TRS3、SCPL2。此外，在本说明书中，组件的层叠体是指俯视时重叠地设置的组件，组件彼此既可以互相分离，也可以接触。
SCPL1位于下侧处理模块的高度，以形成去往路径，TRS3、SCPL2位于上侧处理模块的高度，以形成返回路径。TRS1、TRS2用于输送机构31、34之间的晶圆W的交接。为了能够按照随后在图13、图14中叙述的输送路径输送晶圆W，输送机构31能够接近TRS1、TRS2，输送机构34能够接近TRS1～TRS3、SCPL1、梭动件用TRS12B。
在空间19的相对于组件层叠体T1的前方侧，下侧处理模块的高度的区域构成为药液贮存区域36。在该药液贮存区域36例如以纵横排列的方式配置有多个瓶。因而，作为药液的贮存部的该瓶相对于组件层叠体T1设于前后方向上的与设置输送机构34那侧相反的一侧。而且，在各瓶贮存有后述的处理模块2A中使用的处理液。该处理液的详细内容在处理模块2A的说明中叙述。
接着，还参照作为纵剖侧视图的图10，对第1层叠处理模块D2(处理模块2A、2B)进行说明。第1层叠处理模块D2的前方侧通过在纵向上划分而形成有8个分层，将各分层自下侧朝向上侧设为E1～E8。下侧的E1～E4的分层包含在处理模块2A中，上侧的E5～E8的分层包含在处理模块2B中。各分层是能够设置液处理组件的区域。
首先，对上侧的处理模块2B进行说明。在本例子中，在分层E6～E8分别设有向晶圆W供给显影液的显影组件41作为液处理组件。而且，在分层E5～E8的后方设有晶圆W的输送区域42。该输送区域42自处理模块2B的左端到右端在俯视时形成为直线状，且自分层E5的高度设置到分层E8的高度。在输送区域42的后方，处理组件例如通过在纵向上层叠6层而设为处理组件层叠体43，该处理组件层叠体43左右隔开间隔地设有两个。在这两个处理组件层叠体43包括进行PEB(Post Exposure Bake：曝光后烘烤)的加热组件44和检查组件45。该检查组件45除了图像的获取对象是由装置处理后的晶圆W以外，与载体模块D1的检查组件39相同。
在输送区域42设有主输送机构3B。主输送机构3B除了以使基座32还能够沿左右方向移动的方式连接于移动机构46以外，为与输送机构31同样的结构。此外，包括该主输送机构3B在内的涂布显影装置1内的除了梭动件以外的各输送机构的保持部33例如各设有两个，能够在基座32之上互相独立地进退。另外，上述的移动机构46设于处理组件层叠体43的下方。
利用主输送机构3B，相对于处理模块2B内的各处理组件、以及在与处理模块2B相邻的模块设置的组件层叠体(T1和后述的T2)中位于与该处理模块2B相同的高度的组件交接晶圆W。此外，主输送机构3B还能够相对于在该处理模块2B设置的梭动件用TRS交接晶圆W。
另外，在处理组件层叠体43的下方侧设有划分而成的扁平的空间5B，该空间5B自处理模块2B的左端形成至右端。而且，梭动件4B和该梭动件用TRS12B、TRS12D设于该空间5B。这些梭动件和梭动件用TRS的结构随后详细叙述。
另外，关于以下叙述的处理模块2B以外的各处理模块，除了随后说明的不同点以外，为与该处理模块2B大致同样的结构。各处理模块各自具备相当于主输送机构3B的主输送机构，作为该主输送机构的附图标记，代替“B”而标注与该处理模块所标注的英文字母相同的英文字母来进行表示。具体而言，若是处理模块“2A”，则将其主输送机构表示为“3A”。而且，相当于主输送机构3B的其他主输送机构也构成为能够相对于设有该主输送机构的处理模块内的处理组件和梭动件用TRS、该处理模块内或与该处理模块在左右方向上相邻的模块的组件层叠体交接晶圆W。
另外，对于相当于上述的空间5B的、能够设置梭动件的空间的附图标记，也代替“B”而标注与处理模块所标注的英文字母相同的英文字母来进行表示。而且，在处理模块设有梭动件的情况下，作为该梭动件的附图标记，也标注与该处理模块所标注的英文字母相同的英文字母来进行表示。另外，对于梭动件用TRS，标注与设有梭动件的处理模块相同的英文字母，并且对成为输送起始地的TRS在英文字母前标注11，对成为输送目的地的TRS在英文字母前标注12，来进行表示。而且，关于利用梭动件输送晶圆W的输送路径，在数字40之后标注与梭动件所标注的英文字母相同的英文字母来进行表示。若列举具体例子来表示以上的附图标记的规则，则将后述的设于处理模块2D的梭动件表示为4D，将该梭动件4D的输送起始地、输送目的地的TRS分别表示为TRS11D、TRS12D，将利用梭动件4D输送晶圆W的输送路径表示为40D。
返回到处理模块的结构的说明。对处理模块2B的下侧的处理模块2A进行说明，作为与处理模块2B的不同点，可列举出在各分层E2～E4设有防反射膜形成组件47作为液处理组件。防反射膜形成组件47自喷嘴向晶圆W表面供给、涂布防反射膜形成用的药液，而形成作为涂布膜的防反射膜。在处理模块2A的处理组件层叠体43设有加热组件48。该加热组件48的作用与处理模块2B的加热组件44的作用不同，该加热组件48用于去除涂布膜中的溶剂。另外，在处理模块2A中，输送区域42遍及分层E1～E4的高度地设置。此外，在处理模块2A未设置梭动件和梭动件用TRS。
参照图11，对防反射膜形成组件47进一步进行说明。在上述的载体模块D1的药液贮存区域36设置的瓶贮存有防反射膜形成用的药液(处理液)，该瓶与各防反射膜形成组件47中的喷嘴借助配管52连接。在配管52设有用于对向喷嘴去的药液进行洁净化的过滤器53，该过滤器53设置于处理模块2A的分层E1。像这样，在与处理模块2A相邻的载体模块D1的前方侧设有成为药液的供给源的瓶，防反射膜形成组件47相对于输送区域42位于前方侧，并且药液贮存区域36位于载体模块D1的空间19的前方侧。因此，能够使上述的配管52的长度较短，因此能够更可靠地抑制由自配管52产生的微粒导致的防反射膜的污染的风险，因此是有利的。
接着，返回图1、图2，对构成装置的右侧的各处理模块的第2层叠处理模块D3(处理模块2C、2D)进行说明。第2层叠处理模块D3是与第1层叠处理模块D2大致同样的结构，以与第1层叠处理模块D2的不同点为中心进行说明。首先，对上侧的处理模块2D(另一处理模块)进行叙述，关于输送区域42、处理组件层叠体43、主输送机构以及与处理组件层叠着的梭动件设置用的空间的位置关系，与处理模块2B(一处理模块)相同。而且，搭载于处理模块2D的处理组件与处理模块2B的处理组件相同。另外，处理模块2D的梭动件用的空间5D位于与空间5B相同的高度，并且与空间5B连通。在该空间5D设有梭动件4D、梭动件用TRS11B、11D。
对下侧的处理模块2C进行说明，在分层E2～E4设有抗蚀剂膜形成组件49。该抗蚀剂膜形成组件49除了向晶圆W供给的处理液是抗蚀剂来代替显影液以外，为与显影组件41同样的结构。另外，在处理组件层叠体43，与处理模块2A同样地包括加热组件48。
另外，在第2层叠处理模块D3的输送区域42的左端部设有组件层叠体T2，组件层叠体T2以在俯视时其局部位于第1层叠处理模块D2的输送区域42的右端部的方式配置。在组件层叠体T2包括位于下侧处理模块的高度的SCPL4和位于上侧处理模块的高度的SCPL3。
接着，对接口模块D4进行说明。接口模块D4在前后的中央部具备组件层叠体T3。该组件层叠体T3由互相层叠着的TRS5～TRS7、温度调整组件ICPL构成。ICPL是在即将进行曝光之前输送晶圆W的组件，设于组件层叠体T3的下部侧，与SCPL同样地调整所载置的晶圆W的温度。为了按照后述的输送路径输送晶圆W，TRS5、TRS6设于下侧处理模块的高度，TRS7设于上侧处理模块的高度。在组件层叠体T3的前方、后方、右方分别设有输送机构61、62、63，这些输送机构61～63与载体模块D1的输送机构31同样地构成。
在输送机构61的前方层叠地设有多个背面清洗组件65，该背面清洗组件65向晶圆W的背面供给清洗液来进行清洗。在输送机构62的后方层叠地设有多个曝光后清洗组件66，该曝光后清洗组件66向曝光后的晶圆W的表面供给清洗液。输送机构61、62能够在构成组件层叠体T3的各组件之间输送晶圆W，输送机构61能够相对于背面清洗组件65交接晶圆W，输送机构62能够相对于曝光后清洗组件66交接晶圆W。输送机构63在ICPL、TRS6以及曝光机20之间输送晶圆W。
接着，对梭动件4B、4D以及各梭动件用的TRS进行说明。梭动件4B自处理模块2D朝向载体模块D1输送晶圆W。如图1所示，梭动件4B用的TRS11B、TRS12B中的作为输送目的地的TRS12B以能够在与载体模块D1的输送机构34之间进行晶圆W的交接的方式设于空间5B的左端部。而且，作为输送起始地的TRS11B以能够在与处理模块2D的主输送机构3D之间进行晶圆W的交接的方式设于空间5D的左端部且是比组件层叠体T2靠右侧的位置。
梭动件4D自接口模块D4向处理模块2B输送晶圆W。梭动件4D用的TRS11D、TRS12D中的作为输送起始地的TRS11D以能够在与接口模块D4的输送机构62之间进行晶圆W的交接的方式设于空间5D的右端部。而且，作为输送目的地的TRS12D以能够在与处理模块2B的主输送机构3B之间进行晶圆W的交接的方式设于空间5B的右端部且是比组件层叠体T2靠左侧的位置。
以下，还参照图12对梭动件4B、TRS11B、TRS12B进行说明。梭动件4B具备基座体71、中间移动体72和支承体73。基座体71构成为左右延伸的纵长的构件，并且设置为收容于处理模块2B的空间5B。中间移动体72也是左右延伸的纵长的构件，相对于基座体71连接于前方侧。支承体73相对于中间移动体72连接于前方侧，形成为左右细长的长方体状。在支承体73之上支承晶圆W，并将其沿水平且左右呈直线状地输送。
利用基座体71，中间移动体72相对于该基座体71左右移动自如，根据中间移动体72相对于该基座体71的移动，支承体73相对于中间移动体72左右移动。更详细而言，支承体73随着中间移动体72向左侧(载体模块D1侧)的移动而向左方移动，支承体73随着中间移动体72向右侧(接口模块D4侧)的移动而向右侧移动。
在支承体73相对于TRS11B交接晶圆W时的位置(右输送位置)处，例如，支承体73的右端位于比中间移动体72的右端靠右侧的位置，中间移动体72的右端位于比基座体71的右端靠右侧的位置(参照图12的上侧)。而且，在支承体73相对于TRS12B交接晶圆W时的位置(左输送位置)处，例如，支承体73的左端位于比中间移动体72的左端靠左侧的位置，中间移动体72的左端位于比基座体71的左端靠左侧的位置(参照图12的下侧)。
TRS11B具备：支承板75，其以构成在俯视时左侧开放的凹部的方式形成；三个销76，其自支承板75向上侧突出；和升降机构(未图示)，其使支承板75升降。该升降机构以与梭动件4B的中间移动体72和支承体73、支承板75不相干扰的方式连接于该支承板75的下侧。如图12的上侧所示，右输送位置处的支承体73的右端部成为在俯视时收容于支承板75构成的上述的凹部的状态，能够利用销76的升降来在支承体73与TRS11B之间交接晶圆W。而且，TRS12B除了支承板75以构成在俯视时右侧开放的凹部的方式形成以外，为与TRS11B同样的结构。如图12的下侧所示，左输送位置处的支承体73的左端部成为在俯视时收容于支承板75构成的上述凹部的状态，能够利用销76的升降来在支承体73与TRS12B之间交接晶圆W。
处理模块2D的主输送机构3D将在该处理模块2D处理后的晶圆W交接到TRS11B的上升位置处的销76之上。当销76向下降位置移动而使晶圆W支承于上述的右输送位置处的支承体73时，中间移动体72和支承体73分别向左侧移动，另一方面，TRS11B的销76返回上升位置。当支承体73移动到上述的左输送位置时，TRS12B的下降位置处的销76向上升位置移动而支承晶圆W。当支承体73朝向右输送位置移动时，销76返回下降位置。之后，载体模块D1的输送机构34接收晶圆W。
梭动件4D、TRS11D、TRS12D与梭动件4B、TRS11B、TRS12B分别同样地构成，因此简单说明，梭动件4D的基座体71以收容于处理模块2D的空间5D的方式设置。而且，梭动件4D、TRS11D、TRS12D的组设于与梭动件4B、TRS11B、TRS12B的组不同的高度、例如该组的下方侧。利用梭动件4B输送晶圆W的输送路径40B与利用梭动件4D输送晶圆W的输送路径40D的前后的位置彼此相同。而且，与上述的TRS11B、12B、11D、12D的各位置对应地，输送路径40B向处理模块2D突出，输送路径40D向处理模块2B突出。通过像这样突出，从而输送路径40B的右侧与输送路径40D的左侧在俯视时互相重叠。
另外，涂布显影装置1具备控制部10(参照图1)。控制部10由计算机构成，具备程序、存储器以及CPU。在程序中，以能够实施后述的涂布显影装置1的一系列动作的方式编入有步骤组。于是，利用该程序，控制部10向涂布显影装置1的各部分输出控制信号，控制该各部分的动作。具体而言，控制输送机构31、32、61～63、主输送机构3A～3D、梭动件4B、4D以及各处理组件的动作。由此，进行后述的晶圆W的输送、晶圆W的处理。此外，在处理组件的动作的控制中，还包括基于上述的图像数据进行的晶圆W的异常判断。上述的程序例如存储于光盘、硬盘、DVD等存储介质，并加载于控制部10。
接着，参照分别表示上述的去往路径、返回路径的图13、图14，说明涂布显影装置1中的晶圆W的处理和输送路径的一个例子。在图13、图14中，在表示组件之间的晶圆W的输送的一部分的箭头上或箭头的附近，显示该输送所使用的输送机构。此外，在本例子中，四个移动载物台12中的下层的两个移动载物台12是晶圆W的交出用的载物台(装载器)，上层的两个移动载物台12是晶圆W的回收用的台(卸载器)。
首先，利用输送机构31将晶圆W自下层的移动载物台12的载体C送出，该晶圆W被输送到检查组件39，获取图像数据，判断异常的有无。接着，在将晶圆W按照输送机构31→TRS1→输送机构34→疏水化处理组件35→输送机构34→SCPL1的顺序输送而进行了疏水化处理之后，利用主输送机构3A将该晶圆W收进处理模块2A，并按照防反射膜形成组件47→加热组件48的顺序输送，从而形成防反射膜。之后，将晶圆W输送到组件层叠体T2的SCPL4，并利用处理模块2C的主输送机构3C按照抗蚀剂膜形成组件49→加热组件48的顺序输送，从而形成抗蚀剂膜。之后，将晶圆W输送到接口模块D4的组件层叠体T3的TRS5。
然后，晶圆W利用模块的前方侧的输送机构61依次经由背面清洗组件65、ICPL，进而利用输送机构63输送到曝光机20，沿着规定的图案对该晶圆W的表面的抗蚀剂膜进行曝光。曝光后的晶圆W按照输送机构63→TRS6→模块的后方侧的输送机构62→曝光后清洗组件66→输送机构62的顺序输送。
之后的晶圆W的输送路径分为在处理模块2D进行处理的路径(设为第1输送路径)和在处理模块2B进行处理的路径(设为第2输送路径)。对第1输送路径进行说明，输送机构62将晶圆W向组件层叠体T3的TRS7输送，利用主输送机构3D将该晶圆W收进处理模块2D。然后，将晶圆W按照加热组件44→SCPL3→显影组件41→检查组件45的顺序输送，从而在形成了抗蚀剂图案之后获取图像数据来判断异常的有无。之后，如图12中说明的那样，将晶圆W按照主输送机构3D→TRS11B→梭动件4B→TRS12B的顺序输送，之后，载体模块D1的输送机构34接收该晶圆W，按照TRS2→输送机构31的顺序输送并存储于载体C。
接着，对第2输送路径进行说明，将晶圆W按照输送机构62→TRS11D→梭动件4D→TRS12D→主输送机构3B的顺序输送，而将晶圆W收进处理模块2B。然后，利用主输送机构3B将晶圆W按照加热组件44→SCPL2→显影组件41→检查组件45的顺序输送，在与第1输送路径的晶圆W同样地接受处理之后，输送到载体模块D1的TRS3。接着，按照输送机构34→TRS2的顺序输送晶圆W，之后与第1输送路径的晶圆W同样地利用输送机构31存储于载体C。
此外，由于如上述那样进行输送，因此组件层叠体T1的TRS1是利用输送机构31交接晶圆W的第1基板载置部。而且，以在载体模块D1与下侧处理模块以及上侧处理模块之间交接晶圆W的方式载置晶圆W的SCPL1、TRS2、TRS3是第2基板载置部。其中的SCPL1是与下侧处理模块对应的下侧基板载置部，TRS2、TRS3是与上侧处理模块对应的上侧基板载置部。
如上所述，涂布显影装置1的载体模块D1相对于组件层叠体T1(TRS、SCPL)在左方、后方分别配置有输送机构31、34，该组件层叠体T1用于在载体C与下侧处理模块以及上侧处理模块之间交接晶圆W。输送机构31配置于通过设置突壁部16而形成的输送区域17，从而与晶圆W的送入送出用的移动载物台12前后排列。而且，在输送机构31、34之间将作用区分为，输送机构31相对于移动载物台12之上的载体C进行交接，输送机构34在组件层叠体T1的组件之间进行交接。通过像这样对输送机构的作用进行区分，从而能够实现对输送机构31、34的动作工序数(在上述的输送路径输送机构31、34进行输送的区间的数量)、一个动作工序中的输送机构31、34的移动距离的抑制，能够提高装置的生产率。而且，利用上述的输送机构31、34、组件层叠体T1以及移动载物台12的布局，能够在组件层叠体T1的前方侧确保较大的空间，能够将该空间利用为药液贮存区域36。由此，抑制涂布显影装置1的专用地面面积(占地面积)而防止大型化，并且如上述那样使药液贮存区域36与液处理组件接近而抑制由配管52的长度引起的微粒向涂布膜的混入，抑制半导体产品的成品率的降低。
另外，在输送机构31的前方、后方这两侧配置有移动载物台12，输送机构31能够通过基座32的朝向的变更以及保持部33的进退来接近各移动载物台12上的载体C。由于是这样的结构，因此在进行相对于该各载体C的接近时，不需要使输送机构31与移动机构连接而在横向上移动。因而，能够更可靠地降低占地面积，另外，也能够实现生产率的提高。而且，由于不需要该横向上的移动机构，因此也能够实现装置的制造成本的降低。
另外，在输送区域17的前方和后方上下重叠地设有多个移动载物台12。通过像这样设置移动载物台12，从而不需要使输送机构31的基座32在横向上移动，并且将移动载物台12确保为足够的数量，因此输送机构31能够在期望的时刻接近载体C。即，利用该结构，能够更可靠地抑制装置的占地面积，并且抑制生产率的降低。
另外，输送机构31接近时的载体C的朝向与利用外部输送机构(OHT)载置于外部交接用载物台11的载体C的朝向不同。该朝向的变更例如也可以通过将移动载物台12与转动机构连接并利用该转动机构使移动载物台12转动来进行。在像这样设置转动机构的情况下，也可以设为外部输送机构向移动载物台12直接交接载体C的结构。即，外部交接用载物台11与移动载物台12也可以相同。
但是，与像这样将转动机构设为朝向变更机构相比，优选如上述那样将载体移载机构26设为朝向变更机构。如图5～图7所示，载体移载机构26在载物台之间移载载体C的过程中利用用于进行该移载的空间来进行朝向的变更，从而不需要在移动载物台12的周围确保载体C的旋转所需的空间。作为其结果，抑制装置的大型化，另外，通过并行地进行朝向的变更和向移载目的地的载物台的移动，从而还防止生产率的降低，因而优选。
而且，以相对于移动载物台12之上的载体C以及移动载物台12的下方的支承部23沿前后方向排列的方式载置有搁板24的退避用载物台13之上的载体C，与移动载物台12之上的载体C相同，该退避用载物台13之上的载体C的开口部也朝向前后方向。如上所述，载体C的左右的宽度L1＞前后的宽度L2，因此载体C以使前后的占有空间变小的方式变更朝向地排列。因而，即使载体模块D1的左方侧的空间减小了与用于设置上述的输送机构31的突壁部16所设置的空间相应的量，也能够抑制载体模块D1的前后宽度的扩大，并且配置较多的退避用载物台13。此外，在图4等所示的例子中，示出了，在后方侧的各搁板24的退避用载物台13以使载体C的开口部朝向前方的方式载置载体C，在前方侧的各搁板24的退避用载物台13以使载体C的开口部朝向后方的方式载置载体C，但前后的朝向也可以相反。
此外，通过像这样较多地设置退避用载物台13，从而能够使不需要的载体C在自由的时刻自移动载物台12退避，而将其他的载体C载置于移动载物台12来进行晶圆W的送入送出，因此能够高效地进行该送入送出。因而，如上述那样相对于外部交接用载物台11的载置时改变朝向而在上述的布局的退避用载物台13配置载体C，有助于防止载体模块D1的大型化进而防止装置的占地面积的增大，并且防止装置的生产率的降低。
另外，关于因内部的载物台移动而成为横长的结构的检查组件39，利用由于设置上述的突壁部16而在其前后形成的空间，以自该突壁部16沿前后方向延伸并且与各载物台11～13重叠的方式配置。利用该配置，防止由于设置检查组件39而导致装置的占地面积增加。
而且，利用在接近组件层叠体T1的各组件的输送机构34的后方形成的空间，配置疏水化处理组件35作为处理组件，利用该输送机构34交接晶圆W。也利用该疏水化处理组件35的配置，防止涂布显影装置1的左右的宽度的扩大。
此外，也可以代替疏水化处理组件35而设置检查组件45等其他组件，并利用输送机构34进行输送。但是，疏水化处理组件35在进行处理时，可以不使载置晶圆W的载置部(热板)沿横向移动。也就是说，在输送机构34的后方设置处理组件时，优选设置像这样不使晶圆W的载置部沿横向移动地进行处理的处理组件，以防止载体模块D1的大型化。
另外，对疏水化处理组件35的配置进行补充说明。在载体模块D1的壳体14的上部、第1层叠处理模块D2、第2层叠处理模块D3、接口模块D4的各壳体的上部设有气流形成单元。各气流形成单元抽取涂布显影装置1的外部的空气，并向设有气流形成单元的模块的晶圆W的输送路径供给该空气，从而形成下降气流。此外，在各模块还设有排气口，以像这样形成下降气流。
而且，在载体模块D1，在组件层叠体T1的前方侧设有纵长的过滤器，载体模块D1的气流形成单元也向该过滤器供给空气。自该过滤器朝向空间19的后方侧供给空气，该空气在构成组件层叠体T1的组件之间经过，向疏水化处理组件35去，并自位于比组件层叠体T1靠后方侧的位置并且在装置的底部开口的排气口排出。而且，通过调整各模块中的由上述气流形成单元产生的空气的供给量和排气量的平衡，从而使第1层叠处理模块D2的输送区域42成为压力高于载体模块D1的空间19的压力的状态。由此，供给至输送区域42的空气的一部分向空间19流动并向后方去，该空气也自上述的组件层叠体T1的后方侧的排气口排出。
利用来自以上所述的作为气体供给部的过滤器的空气的供给和来自输送区域42的空气的流入，更可靠地防止疏水化处理组件35所使用的处理气体向第1层叠处理模块D2的输送区域42流入。假设若该处理气体经由输送区域42流入到显影模块41而与显影液发生反应，则有可能产生显影缺陷，但利用上述的气流控制，防止这样的缺陷的产生。
而且，在处理模块2B、2D分别设有梭动件4B、4D。而且，利用该梭动件4B、4D，针对在处理模块2B、2D中的一处理模块进行处理的晶圆W，以绕过另一处理模块的处理组件的方式去向载体模块D1地进行输送。具体而言，梭动件4B借助TRS将晶圆W交接至载体模块D1的输送机构34，梭动件4D借助TRS将晶圆W交接至处理模块2B的主输送机构3B。利用像这样输送晶圆W的梭动件4B、4D，降低处理模块2B的主输送机构3B和处理模块2D的主输送机构3D的负荷(更详细而言，模块内所需的输送工序的数量)。作为结果，能够进一步提高涂布显影装置1的生产率。
另外，也可以在载体模块D1的检查组件39中对处理完毕的晶圆W进行拍摄、检查，来代替在处理模块2B、2D的检查组件45中对由装置处理完毕的晶圆W进行拍摄、检查。在该情况下，只要在使结束处理而输送到组件层叠体T1的晶圆W返回载体C之前，利用输送机构31将晶圆W输送到该检查组件39即可。另外，也可以在处理模块2A的处理组件层叠体43设置检查组件，输送在各处理模块中进行处理之前的晶圆W，进行拍摄和检查。此外，关于载体模块D1的检查组件39，也可以仅设置两个中的一个，也可以设为在载体模块D1不设置这些检查组件39的结构。
而且，关于载体模块D1的4个移动载物台12，在上述的输送例中，用作装载器的载物台与用作卸载器的载物台不同，但也可以是一个移动载物台12兼用作装载器和卸载器。另外，即使区分使用装载器和卸载器，也不限定于如上述的例子那样将下侧的移动载物台12设为装载器、将上侧的移动载物台12设为卸载器，可以将任意的移动载物台设定为装载器、卸载器。由于上述的输送机构31是共用于四个移动载物台12的结构，因此具有能够像这样容易地进行移动载物台12的用途的切换的优点。此外，由于移动载物台12的载体C的朝向与搁板24的退避用载物台13的载体C的朝向相同，因此也可以代替输送区域17的前方和后方中的一侧的移动载物台12而设置退避用载物台13。
另外，按照每个批次将晶圆W存储于载体C。另一方面，关于半导体装置的制造，存在对于多样的品种的产品各生产少量的倾向。根据该倾向，有时在载体C存储有比较少量的晶圆W，且将多个载体C送入装置来进行处理。在这样的情况下，若上述的退避用载物台13的设置数量更多，则是有利的。图15的俯视图、图16的侧视图示出了像这样设为载物台13的设置数量更多的结构的载体模块D11。
在载体模块D11中，在上述的载体模块D1中设有外部交接用载物台11的搁板15之上，代替该外部交接用载物台11而设置退避用载物台13。而且，在载体模块D11设有3层搁板81，该搁板81位于比底座25的退避用载物台13靠左方的位置。在上层的搁板81前后排列地设有四个外部交接用载物台11。而且，在中层的搁板81和下层的搁板81，例如分别前后排列地设有四个退避用载物台13。各搁板81的载物台11、13也能够利用载体移载机构26进行载体C的移载。
在载体模块D11中，在搁板15以及中层、下层的搁板81的各退避用载物台13，载体C以与外部交接用载物台11之上的载体C相同的朝向载置，但也可以与搁板24之上的载体C同样地以朝向前后方向的方式载置。此外，关于外部交接用载物台11，只要设于能够利用自装置的上方接近的外部输送机构进行载体C的送入送出的位置即可，因此也可以与载体模块D1中的外部交接用载物台11同样地设于搁板15。
另外，在图17的俯视图中示出了作为载体模块D1的变形例的载体模块D12。若概略地叙述该载体模块D12的结构，则在载体模块D1的输送区域17与空间19之间的交界使该载体模块D1左右分离，并在其间形成有具备组件和输送机构的区域82，也能够视为插入有其他的模块。在区域82中，在左方侧且是前后的中央部设有具备多个TRS的组件层叠体T4。以被组件层叠体T1、T4夹着的方式设有与输送机构34等同样地构成的输送机构83。而且，在俯视时，在组件层叠体T4和输送机构83的后方设有检查组件84。输送机构83在组件层叠体T1、T4、检查组件84之间进行晶圆W的交接。而且，输送机构31代替组件层叠体T1而相对于组件层叠体T4交接晶圆W。
因而，在将晶圆W自载体C向组件层叠体T1输送时，依次经过组件层叠体T4、输送机构83，在将晶圆W自组件层叠体T1向载体C输送时，依次经过输送机构83、组件层叠体T4。作为检查组件84，也可以用于在处理模块进行处理前、处理后的任一检查。在检查处理前的晶圆W的情况下，晶圆W在自组件层叠体T4向组件层叠体T1输送的期间被输送到检查组件84，在检查处理后的晶圆W的情况下，晶圆W在自组件层叠体T1向组件层叠体T4输送的期间被输送到检查组件84。如以上所述，关于作为第1基板输送机构的输送机构31与作为沿纵向排列的多个基板载置部的组件层叠体T1之间的晶圆W的输送，也可以是经由与输送机构31不同的输送机构83(第3基板输送机构)来进行的结构。
此外，在涂布显影装置1中，也可以将上侧处理模块设为晶圆W的去往路径，将下侧处理模块设为晶圆W的返回路径。具体而言，例如在装置内不进行防反射膜的形成，作为上侧的处理模块2B、2D的液处理组件，分别设置抗蚀剂膜形成组件49。而且，作为下侧的处理模块2A、2C的液处理组件，分别设置显影组件41。而且，也可以按照与上述的输送路径相反的输送路径在模块之间输送晶圆W，从而依次进行抗蚀剂膜的形成、曝光、显影，形成抗蚀剂图案。
因而，作为梭动件，并不限定于形成返回路径，对于载体模块D1，并不限定于与构成返回路径的梭动件用的TRS交接晶圆W的结构。另外，也可以将梭动件设于下侧的各处理模块2A、2C。例如，也可以是，这些处理模块2A、2C的液处理组件都是抗蚀剂膜形成组件49，使用梭动件以在任一处理模块的抗蚀剂膜形成组件49对晶圆W进行处理的方式进行输送。
另外，作为由装置进行的液处理，并不限定于上述的例子，也可以包括通过涂布药液来形成绝缘膜、通过涂布药液来形成抗蚀剂膜的表面保护用的保护膜、用于使晶圆W彼此贴合的粘接剂的涂布处理等。另外，也可以进行向晶圆W的表面或背面供给清洗液的清洗处理。因而，作为本技术的基板处理装置，并不限定于涂布显影装置。
而且，作为下侧处理模块、上侧处理模块，也可以不利用接口模块D4互相连接。具体而言，参照图18的基板处理装置8的概略图进行说明。在该图18中，将下侧处理模块、上侧处理模块分别表示为G1、G2。在组件层叠体T1包含TRS21～TRS23。TRS21用于相对于载体C进行交接，利用输送机构31在载体C-TRS21之间输送晶圆W。TRS22、TRS23用于相对于下侧处理模块G1、上侧处理模块G2进行交接，在TRS21-TRS22之间、TRS21-TRS23之间分别利用输送机构34输送晶圆W。分别自载体C经由TRS21从TRS22、TRS23送入到下侧处理模块G1、上侧处理模块G2的晶圆W在处理后自TRS22、TRS23经由TRS21返回到载体C。即，装置也可以构成为使晶圆W仅在下侧处理模块和上侧处理模块中的一者接受处理并返回到载体C。
另外，下侧处理模块、上侧处理模块各自并不限定于由左右排列的两个处理模块构成，也可以由一个处理模块构成。另外，也可以是，下侧处理模块、上侧处理模块分别由三个以上的左右排列的多个处理模块构成，并在左右排列的处理模块之间输送晶圆W。另外，处理模块也并不限定于上下层叠，也可以是载体模块D1仅与一个处理模块连接的结构。
此外，在各处理模块中，液处理组件位于前方，处理组件层叠体43位于后方，但该布局也可以前后相反。另外，在载体模块D1中，输送机构31、34、载体C用的各载物台等的布局也可以前后相反。另外，载体模块D1与其他模块的排列也可以左右相反。此外，关于构成组件层叠体T1的TRS、SCPL，也可以在装置内能够输送晶圆W的范围内适当地变更高度、或者变更重叠的顺序。
另外，疏水化处理组件35也可以配置为与构成组件层叠体T1的TRS、SCPL重叠。但是，通过在组件层叠体T1配置多个TRS、SCPL来载置晶圆W，从而能够在载体模块D1与第1处理模块D2之间以及载体C与载体模块D1之间迅速地进行晶圆W的交接。因而，疏水化处理组件35优选如上述那样配置在相对于组件层叠体T1靠后方的位置。
另外，在图11中，叙述了药液贮存区域36的瓶用于下侧的处理模块2A中的液处理，但根据在上侧的处理模块2B中进行的液处理，也可以将用于该处理模块2B的液处理的瓶也设于该药液贮存区域36。像这样，即使将处理模块2B的瓶设置于药液贮存区域36，也起到与将处理模块2A的瓶设置于药液贮存区域36的情况同样的效果。
而且，应该认为本次公开的实施方式在所有方面都是例示而不是限制性的。上述的实施方式也可以在不脱离所附的权利要求书及其主旨的情况下以各种各样的方式进行省略、置换、变更以及组合。

Claims (11)

1.一种基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置具备：
载体模块，其具备多个载体载置部，该多个载体载置部为了相对于存储基板的载体进行所述基板的送入送出而载置该载体；
处理模块，其相对于所述载体模块设于左右的一侧，以对所述基板进行处理；
第1载体载置部和第2载体载置部，其包含在所述多个载体载置部内，该第1载体载置部和第2载体载置部在俯视时沿前后方向排列地设置，该第1载体载置部和第2载体载置部中的至少一者是基板送入送出用的载体载置部；
多个基板载置部，其相对于在俯视时的所述第1载体载置部与所述第2载体载置部之间形成的所述基板的输送区域在左右的一侧沿纵向排列地设置，该多个基板载置部分别载置所述基板；
第1基板输送机构，其设于所述输送区域并绕纵轴转动，以在所述第1载体载置部和所述第2载体载置部中的所述基板送入送出用的载体载置部的所述载体与第1基板载置部之间交接所述基板，该第1基板载置部包含在所述多个基板载置部内；以及
第2基板输送机构，其以在所述第1基板载置部与第2基板载置部之间交接所述基板的方式升降，该第2基板载置部包含在所述多个基板载置部内并且为了相对于所述处理模块交接所述基板而载置该基板。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第1载体载置部和所述第2载体载置部均是所述基板送入送出用的载体载置部，
所述第1基板输送机构以成为用于相对于所述第1载体载置部的所述载体交接所述基板的一朝向和用于相对于所述第2载体载置部的所述载体交接所述基板的与所述一朝向相反的另一朝向的方式转动。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述多个载体载置部包含第3载体载置部，该第3载体载置部为了相对于所述载体模块进行所述载体的送入送出而以第1朝向载置该载体，
所述基板送入送出用的载体载置部以使在所述载体设置的所述基板的送入送出用的开口部朝向前方和后方中的靠所述第1基板输送机构所处的位置的那侧的方式以与所述第1朝向不同的第2朝向载置所述载体，
该基板处理装置设有朝向变更机构，该朝向变更机构将所述载体的朝向在所述第1朝向与所述第2朝向之间变更。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置设有载体用的输送机构，该载体用的输送机构在所述载体载置部之间输送所述载体，
所述朝向变更机构是该载体用的输送机构。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述多个载体载置部包含待机用的载体载置部，该待机用的载体载置部与所述基板送入送出用的载体载置部以及所述第3载体载置部不同，用于使所述载体待机，
在所述基板送入送出用的载体载置部、所述待机用的载体载置部，分别以所述开口部朝向前方或后方的状态前后排列地载置所述载体。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板送入送出用的载体载置部沿纵向设有多个，
所述第1基板输送机构以共用于所述多个基板送入送出用的载体载置部的方式升降。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理模块具备互相层叠的下侧处理模块和上侧处理模块，该下侧处理模块和上侧处理模块均具备对所述基板进行处理的第1处理组件和相对于该第1处理组件交接该基板的主输送机构，
在所述第2基板载置部包含用于相对于所述下侧处理模块的主输送机构交接所述基板的下侧基板载置部和用于相对于所述上侧处理模块的主输送机构交接所述基板的上侧基板载置部。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
在相对于所述第2基板输送机构将所述多个基板载置部所位于的那侧设为前方时，利用该第2基板输送机构交接所述基板并对该基板进行气体处理的第2处理组件设于所述第2基板输送机构的后方。
9.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
所述上侧处理模块和所述下侧处理模块中的至少一者具备：
一处理模块和另一处理模块，其均具备所述第1处理组件、所述主输送机构和用于不经由所述第1处理组件地向输送路径的下游侧输送所述基板的旁路输送机构，并且该一处理模块和另一处理模块左右排列，
在将所述一处理模块和所述另一处理模块中的靠所述载体模块侧的模块设为一处理模块时，
在该一处理模块的所述旁路输送机构与所述第2基板输送机构之间进行所述基板的交接，
在所述另一处理模块的所述旁路输送机构与所述一处理模块的主输送机构之间进行所述基板的交接。
10.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述下侧处理模块和所述上侧处理模块中的至少一者的第1处理组件包含向所述基板供给处理液的液处理组件，
在俯视时相对于所述多个基板载置部在前后方向上的与所述第2基板输送机构所设置的那侧相反的一侧设有贮存部，该贮存部贮存所述处理液以向所述液处理组件供给。
11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
以与所述第1载体载置部或所述第2载体载置部在俯视时重叠的方式设有用于检查所述基板的检查组件，
所述第1基板输送机构以共用于所述基板送入送出用的载体载置部和所述检查组件的方式升降。
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