KR20210040262A - 도포, 현상 장치 및 도포, 현상 방법 - Google Patents

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츠요시 와타나베
마사시 츠치야마
히로키 사토
입뻬이 하마다
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

고스루풋으로 처리 가능하며 또한 점유 바닥 면적이 작은 도포, 현상 장치를 제공한다. 기판에 레지스트막을 형성하고, 당해 기판을 노광 장치로 반송하고, 이 후, 당해 노광 장치에서 액침 노광된 기판에 대하여 현상 처리를 행하는 도포, 현상 장치로서, 레지스트막을 포함하는 도포막 형성 후, 액침 노광 전에 기판을 액 처리하는 노광 전 처리 모듈을 포함하는 처리 모듈이 마련된 처리 블록과, 액침 노광 후, 현상 처리 전에 기판을 액 처리하는 노광 후 처리 모듈과, 상기 노광 장치에 기판을 반입반출하는 제 1 반입반출 모듈이 마련되고, 또한 상기 처리 블록과 상기 노광 장치를 폭방향으로 연결하는 중계 블록을 구비하고, 상기 처리 블록은 상하 방향으로 다층화되어, 각층에 상기 처리 모듈이 마련되고, 상기 폭방향으로 연장되는 반송 영역에, 기판을 반송하는 반송 기구가 마련되고, 상기 노광 전 처리 모듈이 마련된 층에 있어서의, 상기 중계 블록측 가장자리에, 양 블록 간에서 기판을 전달할 시에 당해 기판이 배치되는 전달부가 마련되고, 상기 중계 블록은, 상기 전달부 및 상기 노광 후 처리 모듈에 기판을 반입반출하는 제 2 반입반출 모듈이, 상기 처리 블록의 상기 전달부와 상기 폭방향으로 인접하는 영역에 마련되고, 상기 제 2 반입반출 모듈과 평면에서 봤을 때 중첩되는 영역으로부터, 상기 폭방향과 직교하는 깊이 방향으로 연장되는 중계측 반송 영역에, 상기 제 1 반입반출 모듈이 마련되고, 상기 중계측 반송 영역과 상하 방향으로 인접하고 또한 상기 제 2 반입반출 모듈과 상기 깊이 방향으로 인접하는 영역에, 상기 노광 후 처리 모듈이 마련되고, 상기 깊이 방향에 있어서, 상기 제 2 반입반출 모듈을 사이에 두고, 상기 노광 후 처리 모듈과 대향하는 영역에, 상기 제 1 반입반출 모듈과 상기 제 2 반입반출 모듈과의 사이에서 기판을 중계하는 중계 기구가 마련되어 있다.

Description

도포, 현상 장치 및 도포, 현상 방법 {COATING AND DEVELOPING APPARATUS, AND COATING AND DEVELOPING METHOD}
본 개시는 도포, 현상 장치 및 도포, 현상 방법에 관한 것이다.
특허 문헌 1에는, 기판 상에 레지스트막을 형성하는 도포 처리 유닛 및 현상 처리를 행하는 현상 처리 유닛이 마련된 처리부와, 당해 처리부와 액침법에 의해 노광 처리를 행하는 노광 장치와의 사이에 배치되는 인터페이스 블록을 가지는 기판 처리 장치가 개시되어 있다. 이 기판 처리 장치에서는, 인터페이스 블록이, 반입반출 블록과 세정 건조 처리 블록에 의해 구성된다. 반입반출 블록은, 노광 장치에 대한 기판의 반입 및 반출을 행하는 반송 기구가 마련되어 있다. 또한 세정 건조 처리 블록은, 노광 처리 전의 기판의 세정 및 건조 처리를 행하는 2 개의 세정 건조 처리부와, 2 개의 기판의 반송 기구가 마련되어 있다. 특허 문헌 1의 기판 처리 장치에서는, 처리부, 세정 건조 처리 블록, 반입반출 블록, 노광 장치가 제 1 방향을 따라 병설되고, 2 개의 세정 건조 처리부와 2 개의 기판의 반송 기구는, 상기 제 1 방향과 수평면 내에서 직교하는 제 2 방향을 따라 배치되고, 2 개의 세정 건조 처리부의 사이에 2 개의 반송 기구가 배치되어 있다.
일본특허공개공보 2010-219434호
본 개시에 따른 기술은, 고스루풋으로 처리 가능하며 또한 점유 바닥 면적이 작은 도포, 현상 장치를 제공한다.
본 개시의 일태양은, 기판에 레지스트막을 형성하고, 상기 기판을 노광 장치로 반송하고, 이 후, 당해 노광 장치에서 액침 노광된 기판에 대하여 현상 처리를 행하는 도포, 현상 장치로서, 레지스트막을 포함하는 도포막 형성 후, 액침 노광 전에 기판을 액 처리하는 노광 전 처리 모듈을 포함하는 처리 모듈이 마련된 처리 블록과, 액침 노광 후, 현상 처리 전에 기판을 액 처리하는 노광 후 처리 모듈과, 상기 노광 장치에 기판을 반입반출하는 제 1 반입반출 모듈이 마련되고, 또한 상기 처리 블록과 상기 노광 장치를 폭방향으로 연결하는 중계 블록을 구비하고, 상기 처리 블록은 상하 방향으로 다층화되어, 각층에 상기 처리 모듈이 마련되고, 상기 폭방향으로 연장되는 반송 영역에, 기판을 반송하는 반송 기구가 마련되고, 상기 노광 전 처리 모듈이 마련된 층에 있어서의, 상기 중계 블록측 가장자리에, 양 블록 간에서 기판을 전달할 시에 상기 기판이 배치되는 전달부가 마련되고, 상기 중계 블록은, 상기 전달부 및 상기 노광 후 처리 모듈에 기판을 반입반출하는 제 2 반입반출 모듈이, 상기 처리 블록의 상기 전달부와 상기 폭방향으로 인접하는 영역에 마련되고, 상기 제 2 반입반출 모듈과 평면에서 봤을 때 중첩되는 영역으로부터, 상기 폭방향과 직교하는 깊이 방향으로 연장되는 중계측 반송 영역에, 상기 제 1 반입반출 모듈이 마련되고, 상기 중계측 반송 영역과 상하 방향으로 인접하고 또한 상기 제 2 반입반출 모듈과 상기 깊이 방향으로 인접하는 영역에, 상기 노광 후 처리 모듈이 마련되고, 상기 깊이 방향에 있어서, 상기 제 2 반입반출 모듈을 사이에 두고, 상기 노광 후 처리 모듈과 대향하는 영역에, 상기 제 1 반입반출 모듈과 상기 제 2 반입반출 모듈과의 사이에서 기판을 중계하는 중계 기구가 마련되어 있다.
본 개시에 따르면, 고스루풋으로 처리 가능하며 또한 점유 바닥 면적이 작은 도포, 현상 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 실시 형태에 따른 도포, 현상 장치의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 실시 형태에 따른 도포, 현상 장치의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 정면도이다.
도 3은 본 실시 형태에 따른 도포, 현상 장치의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 배면도이다.
도 4는 본 실시 형태에 따른 도포, 현상 장치의 내부 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 부분 종단 정면도이다.
도 5는 본 실시 형태에 따른 도포, 현상 장치의 좌측 서브 블록이 가지는 제 3 층 블록의 내부 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 6은 본 실시 형태에 따른 도포, 현상 장치의 우측 서브 블록이 가지는 제 3 층 블록의 내부 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 7은 본 실시 형태에 따른 도포, 현상 장치의 우측 서브 블록의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 우측면도이다.
도 8은 본 실시 형태에 따른 도포, 현상 장치의 우측 서브 블록이 가지는 제 6 층 블록의 내부 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 9는 본 실시 형태에 따른 도포, 현상 장치의 인터페이스 블록의 내부 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 우측면도이다.
도 10은 본 실시 형태의 효과를 설명하기 위한 도이다.
반도체 디바이스 등의 제조 프로세스에 있어서의 포토리소그래피 공정에서는, 반도체 웨이퍼(이하, '웨이퍼'라고 함) 상에 원하는 레지스트 패턴을 형성하기 위하여 일련의 처리가 행해진다. 상기 일련의 처리에는, 예를 들면 웨이퍼 상에 레지스트액을 공급하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 처리, 레지스트막을 노광하는 노광 처리, 노광된 레지스트막에 현상액을 공급하여 현상하는 현상 처리 등이 포함된다. 이들 처리 중, 레지스트 도포 처리 및 현상 처리 등은 도포, 현상 장치에서 행해진다.
상술한 노광 처리의 종류로서는, 액침 노광 처리가 있다. 액침 노광이란, 노광 렌즈와 웨이퍼와의 사이에 물 등의 액침액을 개재하여 노광하는 방법이다. 액침 노광을 행하는 경우에는, 액침 노광용의 보호막을 형성하는 모듈, 및 액침 노광 처리 전에 웨이퍼의 이면을 세정하는 모듈, 액침 노광 후에 웨이퍼의 표면을 세정하는 모듈 등 많은 종류의 처리 모듈이 도포, 현상 장치에 탑재된다.
그런데, 레지스트 패턴 형성의 고스루풋화가 더 요구되고 있다. 고스루풋화를 달성하기 위해서는, 도포, 현상 장치의 각 처리 모듈의 탑재수를 많게 할 필요가 있다. 그러나 액침 노광의 경우, 상술한 바와 같이 많은 종류의 처리 모듈이 탑재되기 때문에, 각 처리 모듈의 탑재수를 많게 하면, 장치가 대형화된다. 구체적으로, 장치의 점유 바닥 면적이 커진다.
특허 문헌 1의 기판 처리 장치에서는, 전술한 바와 같이 처리부, 세정 건조 처리 블록, 반입반출 블록, 노광 장치가 제 1 방향을 따라 병설되고, 2 개의 세정 건조 처리부와 2 개의 기판의 반송 기구는, 상기 제 2 방향을 따라 배치되고, 2 개의 세정 건조 처리부의 사이에 2 개의 반송 기구가 배치되어 있다. 이에 의해, 장치의 대형화의 억제를 도모하고 있다. 그러나, 특허 문헌 1의 기판 처리 장치는 상기 제 1 방향의 길이가 커, 가일층의 소형화가 요구된다.
따라서 본 개시에 따른 기술은, 고스루풋으로 처리 가능하며 또한 점유 바닥 면적이 작은 도포, 현상 장치를 제공한다.
이하, 본 실시 형태에 따른 도포, 현상 장치 및 도포, 현상 방법에 대하여, 도 면을 참조하여 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에서 실질적으로 동일한 기능 구성을 가지는 요소에 대해서는, 동일한 부호를 부여함으로써 중복 설명을 생략한다.
도 1은 도포, 현상 장치(1)의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 평면도이다. 도 2 및 도 3은 각각, 도포, 현상 장치(1)의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 정면도 및 배면도이다. 도 4는 도포, 현상 장치(1)의 내부 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 부분 종단 정면도이다. 도 5는 도포, 현상 장치(1)의 후술하는 좌측 서브 블록이 가지는 제 3 층 블록의 내부 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 평면도이다. 도 6은 도포, 현상 장치(1)의 후술하는 우측 서브 블록이 가지는 제 3 층 블록의 내부 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 평면도이다. 도 7은 상기 우측 서브 블록의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 우측면도이다. 도 8은 상기 우측 서브 블록의 제 6 층 블록의 내부 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 평면도이다. 도 9는 도포, 현상 장치(1)의 후술하는 인터페이스 블록(B3)의 내부 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 우측면도이다.
도포, 현상 장치(1)는, 도 1에 나타내는 바와 같이 캐리어 블록(B1)과, 처리 블록(B2)과, 중계 블록으로서의 인터페이스 블록(B3)이 이 순으로 폭방향(도면의 X방향)을 따라 배열되도록 마련되어 있다. 이하의 설명에서는, 상술한 폭방향을 좌우 방향으로서 설명하는 경우가 있다. 인터페이스 블록(B3)의 우측(도면의 X방향 정측)에는 노광 장치(E)가 접속되어 있다.
캐리어 블록(B1)은, 기판으로서의 웨이퍼(W)를 복수 매 수용한 캐리어(C)가 반입반출되는 블록이며, 배치 블록(B11)과 검사 블록(B12)을 가진다.
배치 블록(B11)에는, 도포, 현상 장치(1)의 외부로부터 캐리어(C)를 반입반출할 시에, 캐리어(C)가 배치되는 배치판(11)이 마련되어 있다. 배치판(11)은, 상기 폭방향(도면의 X방향)과 수평면 내에서 직교하는 깊이 방향(도면의 Y방향)을 따라, 복수(도면의 예에서는 4 개) 마련되어 있다. 또한 배치 블록(B11)에는, 깊이 방향으로 연장되는 반송로(12)를 따라 이동 가능한 웨이퍼 반송 기구(13)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 기구(13)는 진퇴 가능, 승강 가능 또한 연직축 둘레로 회전 가능하게 구성된 반송 암(13a)을 가지며, 각 배치판(11) 상의 캐리어(C)와, 검사 블록(B12)의 후술하는 전달 박스(14)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
검사 블록(B12)은 도포, 현상 처리 전과 처리 후에 웨이퍼(W)의 검사를 행하는 블록이다.
검사 블록(B12)은 그 배치 블록(B11)측(도면의 X방향 부측)에 전달 박스(14)가 마련되고, 또한 그 처리 블록(B2)측(도면의 X방향 정측)에 전달 타워(15)가 마련되고, 전달 박스(14)와 전달 타워(15)와의 사이에 웨이퍼 반송 기구(16)가 마련되어 있다. 전달 박스(14), 웨이퍼 반송 기구(16) 및 전달 타워(15)는 검사 블록(B12)에 있어서의 깊이 방향(도면의 Y방향) 중앙부에 있어서, 폭방향(도면의 X방향)을 따라 이 순으로 배열되도록 마련되어 있고, 평면에서 봤을 때 후술하는 반송 영역(M1 ~ M6, Q1 ~ Q6)의 연장선 상에 위치한다.
전달 박스(14)는, 도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이, 배치 블록(B11)의 웨이퍼 반송 기구(13)가 액세스 가능한 높이 위치에 마련되어 있다. 또한 전달 박스(14)는, 도 4에 나타내는 바와 같이 전달 모듈(TRS1)이 적층되어 마련되어 있다.
전달 타워(15)는 복수의 전달 모듈이 상하 방향으로 적층되어 있다. 전달 타워(15)는, 처리 블록(B2)의 후술하는 좌측 서브 블록(B21)이 가지는 제 1 ~ 제 6 층 블록(L1 ~ L6)의 각층 블록에 대응하는 높이 위치에, 전달 모듈이 마련되어 있다. 구체적으로, 전달 타워(15)는, 처리 블록(B2)의 제 1 층 블록(L1)에 대응하는 위치에 전달 모듈(TRS11, CPL11)이 마련되어 있다. 마찬가지로, 제 2 ~ 제 6 층 블록(L2 ~ L6)에 대응하는 위치에 전달 모듈(TRS12 ~ TRS16, CPL12 ~ CPL16)이 마련되어 있다. 또한, 전달 타워(15)는 웨이퍼 반송 기구(16)가 액세스 가능한 높이 위치에, 처리 블록(B2)에 대한 웨이퍼(W)의 반입반출 시에 이용되는 전달 모듈(TRS10)이 마련되어 있다. 또한, TRS가 부여되어 있는 전달 모듈과 'CPL'가 부여되어 있는 전달 모듈은 대략 동일하게 구성되어 있고, 후자만이, 웨이퍼(W)가 배치되는 스테이지에 당해 웨이퍼(W)의 온도를 조절하기 위하여 매체의 유로가 형성되어 있는 점에서 상이하다.
웨이퍼 반송 기구(16)는 진퇴 가능, 승강 가능 또한 연직축 둘레로 회전 가능하게 구성된 반송 암(16a)을 가진다. 이에 의해, 전달 박스(14)와 후술하는 검사 모듈(IN-WIS)과의 사이, 전달 박스(14)와 후술하는 조정용 검사 장치(M)와의 사이, 이 전달 박스(14)와 전달 타워(15)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
또한, 검사 블록(B12)은 전달 박스(14)의 상방에 검사 모듈(IN-WIS)이 마련되어 있다. 검사 모듈(IN-WIS)은 도포, 현상 처리 전의 웨이퍼(W)를 검사하는 모듈이며, 당해 웨이퍼(W)의 표면을 촬상하는 촬상 유닛 등을 가진다.
또한 검사 블록(B12)은, 도 1에 나타내는 바와 같이 전달 박스(14) 및 웨이퍼 반송 기구(16)의 내측(도면의 Y방향 정측)에 조정용 검사 장치(M)가 마련되어 있다. 조정용 검사 장치(M)는 액침 노광되고 현상 처리된 웨이퍼(W)를 검사하는 장치이다. 이 조정용 검사 장치(M)에서의 검사 결과에 기초하여, 예를 들면 액침 노광의 처리 조건이 조정된다.
또한, 검사 블록(B12)의 앞측(도면의 Y방향 부측)은 케미컬실로서 이용되고, 액 처리에 사용되는 처리액을 저류하는 약액 보틀 및 처리액을 압송하는 펌프 등이 수납된다.
또한, 검사 블록(B12)은 전달 타워(15)의 내측(도면의 Y방향 정측)에 웨이퍼 반송 기구(17)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 기구(17)는 진퇴 가능 또한 승강 가능하게 구성된 반송 암(17a)을 가지며, 전달 타워(15)의 각 전달 모듈 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
처리 블록(B2)은 좌우 방향(도면의 X방향)에 연접된 복수(도면의 예에서는 2 개)의 서브 블록(B21, B22)으로 이루어진다. 이하에서는, 캐리어 블록(B1)측의 서브 블록(B21)을 좌측 서브 블록(B21), 인터페이스 블록(B3)측의 서브 블록(B22)을 우측 서브 블록(B22)이라 한다.
좌측 서브 블록(B21) 및 우측 서브 블록(B22)은, 도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이 상하 방향으로 다층화되어 있고, 각각 제 1 ~ 제 6 층 블록(L1 ~ L6), 제 1 ~ 제 6 층 블록(P1 ~ P6)을 가진다. 각층 블록에는 각종 처리 모듈이 마련되어 있다. 또한 도 1에서는, 처리 블록(B2)에 대해서는, 제 1 층 블록(L1, P1)의 구성이 나타나 있고, 이하에서는, 먼저 제 1 층 블록(L1)에 대하여 구체적으로 설명한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 좌측 서브 블록(B21)의 제 1 층 블록(L1)의 깊이 방향(도면의 Y방향) 중앙에는, 폭방향(도면의 X방향)으로 연장되는 반송 영역(M1)이 형성되어 있다.
제 1 층 블록(L1)에 있어서의, 반송 영역(M1)을 사이에 두고 깊이 방향 일방측(앞측, 도면의 Y방향 부측)의 영역과 타방측(내측, 도면의 Y방향 정측)의 영역 각각에, 처리 모듈이 폭방향을 따라 복수 마련되어 있다.
구체적으로, 제 1 층 블록(L1)의 앞측의 영역에는, 반사 방지막 형성 모듈(BCT1)이 폭방향(도면의 X방향)을 따라 3 개 마련되고, 내측의 영역에는, 처리 모듈을 가지는 종형 유닛(T11 ~ T16)이 마련되어 있다.
반사 방지막 형성 모듈(BCT1)은 웨이퍼(W) 상에 반사 방지막을 형성한다. 각 반사 방지막 형성 모듈(BCT1)은 웨이퍼(W)를 유지하여 회전시키는 스핀 척(21)과, 스핀 척(21) 상의 웨이퍼(W)를 둘러싸 웨이퍼(W)로부터 비산한 처리액을 회수하는 컵(22)을 가진다. 또한, 스핀 척(21)에 유지된 웨이퍼(W)에 반사 방지막 형성용의 처리액을 토출하는 노즐(23)이 마련되어 있다. 이 노즐(23)은 반사 방지막 형성 모듈(BCT1) 간을 이동 가능하게 구성되어 있고, 반사 방지막 형성 모듈(BCT1) 간에서 공유된다.
종형 유닛(T11 ~ T16)은 폭방향을 따라 좌측(도면의 X방향 부측)으로부터 이 순으로 마련되어 있다. 가장 좌측 즉 캐리어 블록(B1)측의 종형 유닛(T11)은, 반사 방지막 형성 후의 웨이퍼(W)를 검사하는 검사 모듈(검사 모듈(WIS-B))을 가지고, 당해 모듈은, 당해 웨이퍼(W)의 표면을 촬상하는 촬상 유닛 등을 가진다. 종형 유닛(T12, T13)은 각각, 웨이퍼(W)에 대하여 소수화 처리를 행하는 소수화 처리 모듈을 가지며, 각 유닛 내에 있어서 소수화 처리 모듈은, 예를 들면 상하 방향 2 단으로 적층되어 있다. 종형 유닛(T14 ~ T16)은 각각, 웨이퍼(W)에 대하여 가열 처리를 행하는 가열 모듈을 가지며, 각 유닛 내에 있어서 가열 모듈은, 예를 들면 상하 방향 2 단으로 적층되어 있다.
또한 제 1 층 블록(L1)에서는, 상술한 반송 영역(M1)에 웨이퍼 반송 기구(M11)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 기구(M11)는 진퇴 가능, 승강 가능, 연직축 둘레로 회전 가능, 또한 폭방향(도면의 X방향)으로 이동 가능하게 구성된 반송 암(M11a)을 가지고, 제 1 층 블록(L1) 내에 있어서 모듈 간에서 웨이퍼(W)를 전달할 수 있다. 반송 암(M11a)은 우측 서브 블록(B22)의 후술하는 전달 타워(31)에도 액세스할 수 있다.
제 2 층 블록(L2)은 제 1 층 블록(L1)과 동일하게 구성되어 있다. 또한 도면 등에 있어서, 제 2 층 블록(L2)에 마련되어 있는 반송 영역을 M2, 반사 방지막 형성 모듈을 BCT2라 하고, 종형 유닛을 T21 ~ T26라 한다. 또한, 반송 영역(M2)에 마련된 웨이퍼 반송 기구를 M21이라 하고, 웨이퍼 반송 기구(M21)가 가지는 반송 암을 M21a라 한다.
좌측 서브 블록(B21)의 제 3 층 블록(L3)은, 도 5에 나타내는 바와 같이 깊이 방향(도면의 Y방향) 중앙에, 폭방향(도면의 X방향)으로 연장되는 반송 영역(M3)이 형성되어 있다.
제 3 층 블록(L3)의 반송 영역(M3)보다 앞측(도면의 Y방향 부측)의 영역에는, 현상 모듈(DEV1)이 폭방향을 따라 5 개 마련되고, 반송 영역(M3)보다 내측(도면의 Y방향 정측)의 영역에는, 처리 모듈을 가지는 종형 유닛(T31 ~ T36)이 마련되어 있다.
현상 모듈(DEV1)은, 액침 노광 후의 웨이퍼(W)에 대하여 현상 처리를 행한다. 각 현상 모듈(DEV1)도, 반사 방지막 형성 모듈(BCT1)과 마찬가지로 스핀 척(21), 컵(22)을 가진다. 또한, 현상 모듈(DEV1) 간에서 공유되는 노즐(23)이 마련되어 있다. 또한, 현상 모듈(DEV1)에 대한 노즐(23)로부터는 현상액이 토출된다.
종형 유닛(T31 ~ T36)은 폭방향을 따라 좌측(도면의 X방향 부측)으로부터 이 순으로 마련되어 있다. 가장 좌측 즉 캐리어 블록(B1)측의 종형 유닛(T31)은, 현상 후의 웨이퍼(W)를 검사하는 모듈(검사 모듈(OUT-WIS))을 가지고, 당해 모듈은, 당해 웨이퍼(W)의 표면을 촬상하는 촬상 유닛 등을 가진다. 종형 유닛(T32 ~ T36)은 각각, 웨이퍼(W)에 대하여 가열 처리를 행하는 가열 모듈을 가지며, 각 유닛 내에 있어서 가열 모듈은, 예를 들면 상하 방향 2 단으로 적층되어 있다.
또한 제 3 층 블록(L3)에서는, 상술한 반송 영역(M3)에 웨이퍼 반송 기구(M31)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 기구(M31)는 진퇴 가능, 승강 가능, 연직축 둘레로 회전 가능, 또한 폭방향(도면의 X방향)으로 이동 가능하게 구성된 반송 암(M31a)을 가지며, 제 3 층 블록(L3) 내에 있어서 모듈 간에서 웨이퍼(W)를 전달할 수 있다. 반송 암(M31a)은 우측 서브 블록(B22)의 후술하는 전달 타워(31)에도 액세스할 수 있다.
제 4 ~ 제 6 층 블록(L4 ~ L6)은 제 3 층 블록(L3)과 동일하게 구성되어 있다. 또한 도면 등에 있어서, 제 4 ~ 제 6 층 블록(L4 ~ L6)에 마련되어 있는 반송 영역을 M4 ~ M6, 반사 방지막 형성 모듈을 DEV2 ~ DEV4라 하고, 종형 유닛을 T41 ~ T46, T51 ~ T56, T61 ~ T66라 한다. 또한, 반송 영역 M4 ~ M6에 마련된 웨이퍼 반송 기구를 M41, M51, M61이라 하고, 웨이퍼 반송 기구(M41, M51, M61)가 가지는 반송 암을 각각, M41a, M51a, M61a라 한다.
우측 서브 블록(B22)은, 도 4에 나타내는 바와 같이, 좌측 서브 블록(B21)의 반송 영역(M1 ~ M6)과 폭방향(도면의 X방향) 인접하는 위치에 전달 타워(31)를 가진다. 전달 타워(31)는 우측 서브 블록(B22)의 제 1 ~ 제 6 층 블록(P1 ~ P6)에 걸치도록 마련되어 있다.
이 전달 타워(31)는 복수의 전달 모듈이 상하 방향으로 적층되어 있다. 전달 타워(31)는 제 1 ~ 제 6 층 블록(L1 ~ L6) 및 제 1 ~ 제 6 층 블록(P1 ~ P6)의 각층 블록에 대응하는 높이 위치에 전달 모듈이 마련되어 있다. 구체적으로, 전달 타워(15)는 제 1 층 블록(L1) 및 제 1 층 블록(P1)에 대응하는 위치에 전달 모듈(TRS21, CPL21)이 마련되어 있다. 마찬가지로, 제 2 ~ 제 6 층 블록(L2 ~ L6) 및 제 2 ~ 제 6 층 블록(P2 ~ P6)에 대응하는 위치에 전달 모듈(TRS22 ~ TRS26, CPL22 ~ CPL26)이 마련되어 있다.
또한 전달 타워(31)는, 후술하는 웨이퍼 반송 기구(Q51)가 액세스 가능한 높이 위치에 전달 모듈(TRS20)이 마련되어 있다. 이 전달 모듈(TRS20)은, 예를 들면 우측 서브 블록(B22)으로부터 좌측 서브 블록(B21)에의 웨이퍼(W)의 반입 시에 이용된다. 또한, 전달 모듈(TRS20)은 후술하는 전달 박스(33)와 높이 위치가 대략 동일하다.
또한 우측 서브 블록(B22)은, 도 1에 나타내는 바와 같이 전달 타워(31)의 내측(도면의 Y방향 정측)에 웨이퍼 반송 기구(32)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 기구(32)는 진퇴 가능 또한 승강 가능하게 구성된 반송 암(32a)을 가지며, 전달 타워(31)의 각 전달 모듈 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
우측 서브 블록(B22)의 제 1 층 블록(P1)은, 전달 타워(31)로부터 폭방향(도면의 X방향)으로 연장되는 반송 영역(Q1)이 깊이 방향(도면의 Y방향) 중앙에 형성되어 있다.
제 1 층 블록(P1)의 반송 영역(Q1)보다 앞측(도면의 Y방향 부측)의 영역에는, 레지스트막 형성 모듈(COT1)이 폭방향을 따라 3 개 마련되고, 반송 영역(Q1)보다 내측(도면의 Y방향 정측)의 영역에는, 처리 모듈을 가지는 종형 유닛(U11 ~ U14)이 마련되어 있다.
레지스트막 형성 모듈(COT1)은 반사 방지막이 형성된 웨이퍼(W) 상에 레지스트막을 형성한다. 각 레지스트막 형성 모듈(COT1)도 반사 방지막 형성 모듈(BCT1)과 마찬가지로 스핀 척(21), 컵(22)을 가진다. 또한, 레지스트막 형성 모듈(COT1) 간에서 공유되는 노즐(23)이 마련되어 있다. 또한, 레지스트막 형성 모듈(COT1)에 대한 노즐(23)로부터는, 레지스트막 형성용의 레지스트액이 토출된다.
종형 유닛(U11 ~ U14)은, 폭방향을 따라 좌측(도면의 X방향 부측)으로부터 이 순으로 마련되어 있다. 종형 유닛(U11 ~ U14)은 각각, 웨이퍼(W)에 대하여 가열 처리를 행하는 가열 모듈을 가지며, 각 유닛 내에 있어서 가열 모듈은 예를 들면 상하 방향 2 단으로 적층되어 있다.
또한 제 1 층 블록(P1)에서는, 상술한 반송 영역(Q1)에 웨이퍼 반송 기구(Q11)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 기구(Q11)는 진퇴 가능, 승강 가능, 연직축 둘레로 회전 가능, 또한 폭방향(도면의 X방향)으로 이동 가능하게 구성된 반송 암(Q11a)을 가지고, 제 1 층 블록(P1) 내에 있어서 모듈 간에서 웨이퍼(W)를 전달할 수 있다. 반송 암(Q11a)은 전달 타워(31)에도 액세스할 수 있다.
제 2 층 블록(P2)은 제 1 층 블록(P1)과 동일하게 구성되어 있다. 또한 도면 등에 있어서, 제 2 층 블록(P2)에 마련되어 있는 반송 영역을 Q2, 레지스트막 형성 모듈을 COT2라 하고, 종형 유닛을 U21 ~ U24라 한다. 또한, 반송 영역(Q2)에 마련된 웨이퍼 반송 기구를 Q21이라 하고, 웨이퍼 반송 기구(Q21)가 가지는 반송 암을 Q21a라 한다.
제 3 층 블록(P3)은, 도 4에 나타내는 바와 같이 전달 타워(31)로부터 폭방향(도면의 X방향)으로 연장되는 반송 영역(Q3)이 형성되어 있다. 이 반송 영역(Q3)은 깊이 방향(도면의 Y방향) 중앙에 형성되어 있다.
제 3 층 블록(P3)의 반송 영역(Q3)보다 앞측(도면의 Y방향 부측)의 영역에는, 보호막 형성 모듈(ITC1)이 폭방향을 따라 3 개 마련되고, 반송 영역(Q3)보다 내측(도면의 Y방향 정측)의 영역에는, 처리 모듈을 가지는 종형 유닛(U31 ~ U34)이 마련되어 있다.
보호막 형성 모듈(ITC1)은 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W) 상에 발수성의 보호막을 형성한다. 각 보호막 형성 모듈(ITC1)도 반사 방지막 형성 모듈(BCT1)과 마찬가지로 스핀 척(21), 컵(22)을 가진다. 또한, 보호막 형성 모듈(ITC1) 간에서 공유되는 노즐(23)이 마련되어 있다. 또한, 보호막 형성 모듈(ITC1)에 대한 노즐(23)로부터는, 보호막 형성용의 처리액이 토출된다.
종형 유닛(U31 ~ U34)은 폭방향을 따라 좌측(도면의 X방향 부측)으로부터 이 순으로 마련되어 있다. 종형 유닛(U31 ~ U33)은 각각, 웨이퍼(W)에 대하여 가열 처리를 행하는 가열 모듈을 가지며, 각 유닛 내에 있어서 가열 모듈은, 예를 들면 상하 방향 2 단으로 적층되어 있다. 종형 유닛(U34)은 보호막 형성 후의 웨이퍼(W)를 검사하고 또한 당해 웨이퍼(W)에 대하여 주연 노광을 행하는 모듈(검사 모듈(WES))을 가지고, 당해 모듈은, 당해 웨이퍼(W)의 표면을 촬상하는 촬상 유닛 및 주연 노광을 위한 광원 등을 가진다.
또한 제 3 층 블록(P3)에서는, 상술한 반송 영역(Q3)에 웨이퍼 반송 기구(Q31)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 기구(Q31)는 진퇴 가능, 승강 가능, 연직축 둘레로 회전 가능, 또한 폭방향(도면의 X방향)으로 이동 가능하게 구성된 반송 암(Q31a)을 가지며, 제 3 층 블록(P3) 내에 있어서 모듈 간에서 웨이퍼(W)를 전달할 수 있다. 반송 암(Q13a)은 전달 타워(31)에도 액세스할 수 있다.
제 4 층 블록(P4)은 제 3 층 블록(P3)과 동일하게 구성되어 있다. 또한 도면 등에 있어서, 제 4 층 블록(P4)에 마련되어 있는 반송 영역을 Q4, 보호막 형성 모듈을 ITC2라 하고, 종형 유닛을 U41 ~ U44라 한다. 또한, 반송 영역(Q4)에 마련된 웨이퍼 반송 기구를 Q41이라 하고, 웨이퍼 반송 기구(Q41)가 가지는 반송 암을 Q41a라 한다.
제 5 층 블록(P5)은, 도 4에 나타내는 바와 같이 전달 타워(31)로부터 폭방향(도면의 X방향)으로 연장되는 반송 영역(Q5)이 형성되어 있다. 이 반송 영역(Q5)은, 도 7에 나타내는 바와 같이 깊이 방향(도면의 Y방향) 중앙에 형성되어 있다.
제 5 층 블록(P5)의 반송 영역(Q5)보다 앞측(도면의 Y방향 부측)의 영역에는, 노광 전 처리 모듈로서의 노광 전 세정 모듈(BST1)이 마련되어 있지만, 반송 영역(Q5)보다 내측(도면의 Y방향 정측)의 영역에는 처리 모듈은 마련되어 있지 않다. 당해 내측의 영역에는, 예를 들면 후술하는 반송 기구(Q51)를 구동하기 위한 구동 기구가 마련되어 있다. 또한, 반송 영역(Q5)보다 앞측의 영역에 있어서, 노광 전 세정 모듈(BST1)은, 도 2에 나타내는 바와 같이 폭방향(도면의 X방향)을 따라 3 개 마련되어 있다.
노광 전 세정 모듈(BST1)은 보호막이 형성된 웨이퍼(W)를 세정하고, 구체적으로 당해 웨이퍼(W)의 이면을 세정한다. 각 노광 전 세정 모듈(BST1)도 반사 방지막 형성 모듈(BCT1)과 마찬가지로 스핀 척(21), 컵(22)을 가진다. 단, 노광 전 세정 모듈(BST1)에는, 스핀 척(21)에 유지된 웨이퍼(W)의 표면에 처리액을 공급하는 노즐(23)을 가지고 있지 않고, 당해 노즐(23)이 컵(22)의 외측에 마련되어 있지 않다. 또한 도시는 생략하지만, 노광 전 세정 모듈(BST1)에는, 표면이 상향으로 되어 있는 웨이퍼(W)의 이면 및 베벨부에 세정액을 공급하여 세정을 행하는 노즐이 컵(22)의 내측 또는 하부에 마련되어 있다.
또한 노광 전 세정 모듈(BST1)은, 동일한 서브 블록에 마련된 다른 액 처리 모듈(즉 레지스트막 형성 모듈(COT1, COT2) 또는 보호막 형성 모듈(ITC1, ITC2))에 비해, 폭방향(도면의 X방향)의 모듈 간 피치가 좁다. 구체적으로, 노광 전 세정 모듈(BST1)은 스핀 척(21) 또는 컵(22)의 폭방향의 피치가 레지스트막 형성 모듈(COT1, COT2) 또는 보호막 형성 모듈(ITC1, ITC2)에 비해 좁다. 노광 전 세정 모듈(BST1)은 전술한 바와 같이 노즐(23)이 마련되어 있지 않기 때문에, 액 처리 이외의 때에 노즐(23)이 대기하는 대기부 등을 마련할 필요가 없으므로, 폭방향의 모듈 간 피치를 좁게 할 수 있다.
노광 전 세정 모듈(BST1)의 폭방향의 모듈 간 피치가 좁은 것에 맞추어, 제 5 층 블록(P5)의 상술한 반송 영역(Q5)은, 도 4에 나타내는 바와 같이 반송 영역(Q1 ~ Q4)에 비해, 폭방향 길이 즉 폭이 짧게 되어 있다. 그리고 반송 영역(Q5)에는, 제 6 층 블록(P6)의 후술하는 반송 영역(Q6)과 공유하는 웨이퍼 반송 기구(Q51)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 기구(Q51)는 진퇴 가능, 승강 가능, 연직축 둘레로 회전 가능, 또한 폭방향(도면의 X방향)으로 이동 가능하게 구성된 반송 암(Q51a)을 가진다.
제 6 층 블록(P6)은, 도 8에 나타내는 바와 같이 전달 타워(31)로부터 폭방향(도면의 X방향)으로 연장되는 반송 영역(Q6)이, 깊이 방향(도면의 Y방향) 중앙에 형성되어 있다.
제 6 층 블록(P6)의 반송 영역(Q6)보다 앞측(도면의 Y방향 부측)의 영역에는, 노광 전 세정 모듈(BST2)이 폭방향을 따라 3 개 마련되고, 또한 반송 영역(Q6)보다 내측(도면의 Y방향 정측)의 영역에도, 노광 전 세정 모듈(BST3)이 폭방향을 따라 3 개 마련되어 있다.
노광 전 세정 모듈(BST2, BST3)은 노광 전 세정 모듈(BST1)과 마찬가지로 폭방향의 모듈 간 피치가 좁다.
또한 제 6 층 블록(P6)의 반송 영역(Q6)은, 제 5 블록(P5)의 반송 영역(Q5)과 마찬가지로 반송 영역(Q1 ~ Q4)에 비해 폭이 짧게 되어 있다. 그리고, 반송 영역(Q6)에는 전술한 바와 같이, 제 5 층 블록(P5)과 공유의 웨이퍼 반송 기구(Q51)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 기구(Q51)는, 전술한 반송 암(Q51a)에 의해, 전달 타워(31)와 노광 전 세정 모듈(BST1 ~ BST3)과의 사이, 또는 노광 전 세정 모듈(BST1 ~ BST3)과 후술하는 전달 박스(33)와의 사이, 당해 박스(33)와 전달 타워(31)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
또한 제 6 층 블록(P6)은, 그 인터페이스 블록(B3)측(도면의 X방향 정측) 가장자리에, 전달부로서의 전달 박스(33)가 마련되어 있다. 전달 박스(33)는, 구체적으로 제 6 층 블록(P6) 내에 있어서, 반송 영역(Q6)의 인터페이스 블록(B3)측(도면의 X방향 정측)에 인접하는 영역에 마련되어 있다. 이 전달 박스(33)는, 도 4에 나타내는 바와 같이 전달 모듈(TRS31)이 적층되어 마련되어 있다.
인터페이스 블록(B3)은, 도 9에 나타내는 바와 같이, 노광 장치(E)에 웨이퍼(W)를 반입반출하는 제 1 반입반출 모듈로서의 웨이퍼 반송 기구(41)가 중계측 반송 영역(R1)에 마련되어 있다. 중계측 반송 영역(R1)에 대해서는 후술한다. 웨이퍼 반송 기구(41)는 진퇴 가능, 승강 가능, 연직축 둘레로 회전 가능, 또한 깊이 방향(도면의 Y방향)으로 이동 가능하게 구성된 반송 암(41a)을 가진다. 웨이퍼 반송 기구(41)는 반송 암(41a)에 의해, 후술하는 전달 타워(51)와 노광 장치(E)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
또한, 인터페이스 블록(B3)에는 노광 후 처리 모듈로서의 노광 후 세정 모듈(PIR)이 적층되어 마련되어 있다. 노광 후 세정 모듈(PIR)은, 액침 노광 후의 웨이퍼(W)를 세정하고, 구체적으로, 당해 웨이퍼(W)의 표면에 형성되어 있는 보호막을 제거하거나 당해 표면을 세정한다. 노광 후 세정 모듈(PIR)도 반사 방지막 형성 모듈(BCT1)과 마찬가지로 스핀 척(21), 컵(22)을 가진다. 또한 도시는 생략하지만, 노광 후 세정 모듈(PIR)에도, 반사 방지막 형성 모듈(BCT1)과 웨이퍼(W)의 표면에 처리액을 공급하는 노즐도 마련되어 있다. 단, 이 노즐로부터는, 보호막 제거용 또는 세정용의 처리액이 토출된다.
이 노광 후 세정 모듈(PIR)은 직육면체 형상의 하우징을 가지며, 그 긴 방향이 도포, 현상 장치(1)의 깊이 방향(도면의 Y방향)에 일치하도록 배치된다.
또한 인터페이스 블록(B3)에는, 우측 서브 블록(B22)의 전달 박스(33) 및 노광 후 세정 모듈(PIR)에 웨이퍼(W)를 반입반출하는 제 2 반입반출 모듈로서의 웨이퍼 반송 기구(42)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 기구(42)는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 전달 박스(33)와 폭방향(도면의 X방향)으로 인접하는 영역에 마련되어 있다. 구체적으로 웨이퍼 반송 기구(42)는, 도 8에 나타내는 바와 같이, 우측 서브 블록(B22)의 반송 영역(Q5) 또는 반송 영역(Q6), 전달 박스(33) 및 당해 웨이퍼 반송 기구(42)가 평면에서 봤을 때 폭방향을 따라 배열되도록 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 기구(42)는 진퇴 가능, 승강 가능 또한 연직축 둘레로 회전 가능하게 구성된 반송 암(42a)을 가진다. 웨이퍼 반송 기구(42)는 반송 암(42a)에 의해, 전달 박스(33)와 후술하는 전달 타워(51)와의 사이, 전달 타워(51)와 노광 후 세정 모듈(PIR)과의 사이, 노광 후 세정 모듈(PIR)과 전달 박스(33)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
여기서, 웨이퍼 반송 기구(41)가 마련되는 중계측 반송 영역(R1)에 대하여 설명한다.
중계측 반송 영역(R1)은, 도 1 및 도 9에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 반송 기구(42)와 평면에서 봤을 때만 중첩되고 상하 방향에서는 중첩되지 않는 영역으로부터 깊이 방향 앞측(도면의 Y방향 부측)에 노광 장치(E)의 측면을 따라 연장되는 영역이다. 본 실시 형태에서는, 중계측 반송 영역(R1)은, 인터페이스 블록(B3)의 깊이 방향 중앙 하부의 영역으로부터 깊이 방향을 따라 앞측 가장자리까지 연장되어 있다. 또한, 노광 장치(E)의 종류는 다양하며, 다종의 노광 장치(E)에 적용 가능하게 하기 위해서는, 중계측 반송 영역(R1)의 깊이 방향의 길이는 어느 정도 크게 해 둘 필요가 있다.
이 중계측 반송 영역(R1)과 상하 방향으로 인접하고 또한 웨이퍼 반송 기구(42)와 깊이 방향(도면의 Y방향)으로 인접하는 영역에, 노광 후 세정 모듈(PIR)이 마련되어 있다. 구체적으로, 중계측 반송 영역(R1)의 상측에 인접하고 또한 웨이퍼 반송 기구(42)의 앞측에 인접하는 영역에, 복수의 노광 후 세정 모듈(PIR)이 적층되어 있다.
또한 인터페이스 블록(B3)은, 도 9에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 반송 기구(41)와 웨이퍼 반송 기구(42)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 중계하는 중계 기구(50)를 가진다. 이 중계 기구(50)는 깊이 방향(도면의 Y방향)에 있어서, 웨이퍼 반송 기구(42)를 사이에 두고, 노광 후 세정 모듈(PIR)과 대향하는 내측(도면의 Y방향 정측)의 영역에 마련되어 있다. 중계 기구(50)는 적층 전달부로서의 전달 타워(51)와, 상하 방향 반송 기구로서의 웨이퍼 반송 기구(52)를 가지고, 이들이, 깊이 방향을 따라 이 순으로 앞측(도면의 Y방향 부측)으로부터 배열되어 있다.
전달 타워(51)는, 웨이퍼 반송 기구(41)에 의해 웨이퍼(W)가 반입반출되는 전달 모듈과, 웨이퍼 반송 기구(42)에 의해 웨이퍼(W)가 반입반출되는 전달 모듈이 상하 방향으로 적층되어 있다. 구체적으로, 전달 타워(51)는, 웨이퍼 반송 기구(42)가 액세스 가능한 상방의 위치에, 전달 모듈(TRS41)과 전달 모듈(SBU)이 적층되고, 웨이퍼 반송 기구(41)가 액세스 가능한 하방의 위치에, 전달 모듈(TRS42)과 전달 모듈(CPL41)이 적층되어 있다. 또한, 전달 모듈(SBU)은 복수 매의 웨이퍼(W)를 수용하고, 체류시킬 수 있도록 구성되어 있다.
웨이퍼 반송 기구(52)는 진퇴 가능 또한 승강 가능하게 구성된 반송 암(52a)을 가지며, 전달 타워(51)의 전달 모듈 간에서 웨이퍼(W)를 전달할 수 있다.
이상과 같이 구성되는 도포, 현상 장치(1)는 제어부(100)를 가지고 있다. 제어부(100)는 예를 들면 CPU 및 메모리 등을 구비한 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 가지고 있다. 이 프로그램 저장부에는, 상술한 각종 처리 모듈 또는 웨이퍼 반송 기구 등의 구동계의 동작을 제어하여, 웨이퍼(W)에 대하여 각종 처리를 행하기 위한 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 상기 프로그램은 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로, 당해 기억 매체로부터 제어부(100)에 인스톨된 것이어도 된다. 프로그램의 일부 또는 전부는 전용 하드웨어(회로 기판)로 실현해도 된다.
이어서, 이상과 같이 구성된 도포, 현상 장치(1)를 이용하여 행해지는 도포, 현상 처리에 대하여 설명한다.
먼저, 복수의 웨이퍼(W)를 수납한 캐리어(C)가, 도포, 현상 장치(1)의 캐리어 블록(B1)으로 반입되고, 웨이퍼 반송 기구(13)에 의해 캐리어(C) 내의 각 웨이퍼(W)가, 전달 박스(14)의 전달 모듈(TRS1)로 순차 반송된다.
이어서, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(16)에 의해, 검사 모듈(IN-WIS)로 반송되어, 당해 검사 모듈(IN-WIS)을 이용한 도포, 현상 처리 전의 웨이퍼(W)의 검사가 행해진다.
이어서, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(16)에 의해, 전달 타워(15)의 전달 모듈(TRS10)로 반송되고, 이 후, 웨이퍼 반송 기구(17)에 의해, 예를 들면 TRS11로 반송된다.
이어서, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(M11)에 의해 처리 블록(B2)의 좌측 서브 블록(B21)의 제 1 층 블록(L1)으로 반입되고, 예를 들면 종형 유닛(T12)(소수화 처리 모듈)으로 반송되어, 소수화 처리된다. 이 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(M11)에 의해, 전달 모듈(CPL11) → 반사 방지막 형성 모듈(BCT1) → 종형 유닛(T13)(열 처리 모듈) → 종형 유닛(T11)(검사 모듈(WIS-B))의 순으로 반송된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)에 반사 방지막이 형성되고, 또한 검사 모듈(WIS-B)을 이용한 당해 웨이퍼(W)의 검사가 행해진다.
이어서, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(M11)에 의해, 전달 타워(31)의 TRS21로 반송되고, 처리 블록(B2)의 우측 서브 블록(B22)의 제 1 층 블록(P1)으로 반입된다. 그리고, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(Q11)에 의해, 전달 모듈(CPL21) → 레지스트막 형성 모듈(COT1) → 종형 유닛(U11)(열 처리 모듈) → 전달 모듈(TRS21)의 순으로 반송된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 반사 방지막 상에 레지스트막이 형성된다. 이와 같이, 도포, 현상 장치(1)에서는, 좌측 서브 블록(B21)에서 반사 방지막 형성에 이용하는 층 블록과, 우측 서브 블록(B22)에서 레지스트막 형성에 이용하는 층 블록의 높이 위치가 동일하다.
이어서, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(32)에 의해 예를 들면 전달 모듈(CPL23)로 반송되고, 제 3 층 블록(P3)으로 반입된다. 그리고, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(Q31)에 의해 보호막 형성 모듈(ITC1) → 종형 유닛(U31)(열 처리 모듈) → 종형 유닛(U34)(검사 모듈(WES)) → 전달 모듈(TRS23)의 순으로 반송된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 레지스트막 상에 보호막이 형성되고, 또한 검사 모듈(WES)을 이용한 당해 웨이퍼(W)의 검사 및 당해 웨이퍼(W)에 대한 주연 노광이 행해진다.
또한 예를 들면, 제 1 및 제 2 층 블록(P1, P2)의 종형 유닛(U13, U14, U23, U24)이 검사 모듈(WES)을 가지도록 구성하고, 웨이퍼(W)의 검사 및 당해 웨이퍼(W)에 대한 주연 노광을, 보호막 형성 후가 아닌, 보호막 형성 전 또한 레지스트막 형성 후에 행하도록 해도 된다.
이어서, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(32)에 의해, 예를 들면 전달 모듈(TRS26)로 반송되고, 제 6 층 블록(P6)으로 반입된다. 그리고, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(Q51)에 의해, 예를 들면 노광 전 세정 모듈(BST2)로 반송되어, 웨이퍼(W)의 이면이 세정된다. 이 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(Q51)에 의해, 전달 박스(33)의 전달 모듈(TRS31)로 반송된다.
이어서, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(42)에 의해, 전달 타워(51)의 전달 모듈(SBU)로 반송되고, 인터페이스 블록(B3)으로 반입된다. 이어서, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(52)에 의해, 전달 모듈(CPL41)로 반송된다. 그리고, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(41)에 의해 노광 장치(E)로 반송되어, 액침 노광된다.
액침 노광 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(41)에 의해 전달 타워(51)의 TRS42로 반송된다. 이어서, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(52)에 의해 전달 모듈(TRS41)로 반송된다. 그리고, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(42)에 의해 노광 후 세정 모듈(PIR) → 전달 박스(33)의 순으로 반송된다. 이에 의해, 액침 노광 후의 웨이퍼(W)에 대하여 보호막의 제거 및 세정이 행해지고, 당해 웨이퍼(W)가 처리 블록(B2)으로 재차 반입된다.
이어서, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(Q51)에 의해, 좌측 서브 블록(B21)에 인접하는 전달 타워(31)의 전달 모듈(TRS20)로 반송된다. 즉, 좌측 서브 블록(B21)으로 웨이퍼(W)를 반송할 시, 노광 전 세정 모듈이 마련된 제 5 및 제 6 층 블록(P5, P6)의 웨이퍼 반송 기구(Q51)가 이용된다.
이어서, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(32)에 의해 예를 들면 전달 타워(31)의 전달 모듈(TRS23)로 반송된다. 이어서, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(M31)에 의해 좌측 서브 블록(B21)의 제 3 층 블록(L3)으로 반입되고, 예를 들면 종형 유닛(T32)(열 처리 모듈)으로 반송되어, PEB 처리된다. 이 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(M31)에 의해 전달 모듈(CPL23) → 현상 모듈(DEV1) → 종형 유닛(T33)(열 처리 모듈) → 종형 유닛(T31)(검사 모듈(OUT-WIS))의 순으로 반송된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)에 대하여 현상 처리가 행해져, 당해 웨이퍼(W) 상에 레지스트 패턴이 형성되고, 또한 검사 모듈(OUT-WIS)을 이용한 현상 후의 웨이퍼(W)의 검사가 행해진다. 또한 검사 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(M31)에 의해 전달 모듈(CPL13)로 반송되어, 처리 블록(B2)으로부터 반출된다.
이어서, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(17)에 의해 전달 모듈(TRS10)로 반송된다. 이어서, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(16)에 의해 조정용 검사 장치(M)로 반송되어, 당해 조정용 검사 장치(M)에 의해 검사된다. 검사 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(16)에 의해 전달 박스(14)의 전달 모듈(TRS)로 반송되고, 이 후, 웨이퍼 반송 기구(13)에 의해 캐리어(C)로 되돌려진다.
이상과 같이, 본 실시 형태에서는, 도포, 현상 장치(1)가, 노광 전 세정 모듈(BST1 ~ BST3)을 포함하는 처리 모듈이 마련된 처리 블록(B2)과, 노광 후 세정 모듈(PIR) 및 웨이퍼 반송 기구(41)가 마련되고, 또한 처리 블록(B2)과 노광 장치(E)를 폭방향으로 연결하는 인터페이스 블록(B3)을 구비하고 있다. 또한, 처리 블록(B2)이 상하 방향으로 다층화되어, 각층 블록에 처리 모듈이 마련되고, 폭방향으로 연장되는 반송 영역(M1 ~ M6, Q1 ~ Q6)에 웨이퍼 반송 기구(M11 ~ M61, Q11 ~ Q61)가 마련되어 있다. 그리고, 처리 블록(B2)은,
(A) 노광 전 세정 모듈(BST1 ~ BST3)이 마련된 층 블록에 있어서의, 인터페이스 블록(B3)측 가장자리에, 양 블록 간에서 웨이퍼(W)를 전달할 시에 당해 웨이퍼(W)가 배치되는 전달 박스(33)가 마련되고,
또한 인터페이스 블록(B3)이,
(B) 전달 박스(33) 및 노광 후 세정 모듈(PIR)에 웨이퍼를 반입반출하는 웨이퍼 반송 기구(42)가, 처리 블록(B2)의 전달 박스(33)와 폭방향으로 인접하는 영역에 마련되고,
(C) 웨이퍼 반송 기구(41)와 평면에서 봤을 때 중첩되는 영역으로부터 깊이 방향으로 연장되는 중계측 반송 영역(R1)에, 웨이퍼 반송 기구(41)가 마련되고,
(C) 중계측 반송 영역(R1)과 상하 방향으로 인접하고 또한 웨이퍼 반송 기구(42)와 깊이 방향으로 인접하는, 데드 스페이스가 될 수 있는 영역에, 노광 후 세정 모듈(PIR)이 마련되고,
(D) 깊이 방향에 있어서, 웨이퍼 반송 기구(42)를 사이에 두고, 노광 후 세정 모듈(PIR)과 대향하는 영역에, 웨이퍼 반송 기구(41)와 웨이퍼 반송 기구(42)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 중계하는 중계 기구가 마련되어 있다.
환언하면, 본 실시 형태에 따른 도포, 현상 장치(1)는, 노광 후 세정 모듈(PIR)이 마련된 영역과, 노광 장치(E)에 대하여 웨이퍼(W)를 반입반출하는 웨이퍼 반송 기구(41)가 마련된 영역이, 평면에서 봤을 때 중첩되어 있다. 그에 대하여, 특허 문헌 1의 기판 처리 장치에서는, 처리부와, 노광 처리 전의 기판의 세정 등을 행하는 세정 건조 처리부가 마련된 세정 건조 처리 블록과, 노광 장치에 대한 기판의 반송 기구가 마련된 반입반출 블록과, 노광 장치가 제 1 방향을 따라 병설되어 있고, 양블록이 평면에서 봤을 때 중첩되어 있지 않다. 이러한 특허 문헌 1의 구성에 비해, 본 실시 형태에서는 전술한 바와 같이, 노광 후 세정 모듈(PIR)이 마련된 영역과, 노광 장치(E)에 대하여 웨이퍼(W)를 반입반출하는 웨이퍼 반송 기구(41)가 마련된 영역이, 평면에서 봤을 때 중첩되어 있기 때문에, 장치의 점유 바닥 면적을 작게 할 수 있다.
또한 본 실시 형태에서는, 상기 (A)와 같이, 노광 전 세정 모듈(BST1 ~ BST3)이 마련된 층 블록에 있어서의, 인터페이스 블록(B3)측 가장자리에 전달 박스(33)가 마련되어 있다. 이 때문에, 장치의 폭을 크게 하지 않고, 반송 영역(Q1 ~ Q6), 전달 박스(33) 및 웨이퍼 반송 기구(42)를, 평면에서 봤을 때 폭방향을 따라 배열되도록 할 수 있다. 전달 박스(33)가 본 실시 형태와 달리, 도 10에 나타내는 바와 같이 인터페이스 블록(B3)측에 존재한 경우를 상정한다. 이 경우 예를 들면, 전달 박스(33)와 노광 후 세정 모듈(PIR)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 반송 기구(200)를, 노광 후 세정 모듈(PIR), 당해 반송 기구(200) 및 전달 박스(33)가 깊이 방향(도면의 Y방향)을 따라 배열되도록 배치하면, 깊이 방향에 대한 장치의 대형화를 방지할 수 있다. 그러나 상술한 바와 같이 배치하면, 반송 기구(200)가 깊이 방향 앞측(도면의 Y방향 부측)에 위치한다. 그러면, 예를 들면, 노광 후 세정 모듈(PIR)이 직육면체 형상의 하우징을 가지는 경우, 웨이퍼 반송 기구(41)의 상방에 당해 모듈(PIR)을 마련하면, 장치가 폭방향(도면의 X방향)으로 커지는 경우가 있다. 그에 대하여, 본 실시 형태에서는, 상기 반송 기구(200)에 상당하는 웨이퍼 반송 기구(42)가, 반송 영역(Q1 ~ Q6)과 전달 박스(33)와 평면에서 봤을 때 폭방향을 따라 배열되도록 할 수 있다. 즉, 웨이퍼 반송 기구(42)를 깊이 방향 중앙에 마련할 수 있다. 따라서, 노광 후 세정 모듈(PIR)이 직육면체 형상의 하우징을 가지는 경우라도, 웨이퍼 반송 기구(41)의 상방에 당해 모듈(PIR)을 마련했을 때에, 장치가 폭방향으로 커지는 경우가 없다.
또한 본 실시 형태에서는, 전술한 바와 같이, 처리 블록(B2)이 상하 방향으로 다층화되고, 각층 블록에 처리 모듈이 마련되어 있어, 처리 모듈수가 많다. 이 때문에, 도포, 현상 장치(1)는 고스루풋으로 처리 가능하다.
이상과 같이, 본 실시 형태에 의하면, 고스루풋으로 처리 가능하며 또한 점유 바닥 면적이 작은 도포, 현상 장치를 제공할 수 있다.
또한 본 실시 형태에서는, 노광 전 세정 모듈(BST1 ~ BST3)이 마련된 층 블록은, 제 5 층 블록(P5)과 제 6 층 블록(P6)이며, 적층되어 있고, 이들 층 블록(P5, P6) 간에서 웨이퍼 반송 기구(Q51)를 공유하고 있다. 노광 전 세정 모듈은 레지스트막 등의 도포막의 형성 처리 등을 행하는 경우와 달리, 처리 후의 열 처리는 불필요하기 때문에, 노광 전 세정 모듈에 대한 웨이퍼 반송 기구(Q51)의 사용 빈도는 적다. 따라서, 노광 전 세정 모듈의 층 블록(P5, P6) 간에서 웨이퍼 반송 기구(Q51)를 공유함으로써, 당해 기구(Q51)를 유효하게 활용할 수 있다. 또한 제 6 층 블록(P6)과 같이, 노광 전 세정 모듈(BST2, BST3)을, 반송 영역(Q6)을 사이에 두고 깊이 방향 앞측과 내측의 양방에 마련함으로써, 웨이퍼 반송 기구(Q51)를 유효하게 이용할 수 있다.
또한, 노광 전 세정 모듈이 마련된 층 블록(P5, P6)의 양방에 웨이퍼 반송 기구를 마련해도 된다. 또한, 전달 박스(33)도 본 실시 형태에서는, 층 블록(P5, P6) 간에서 공유하고 있었지만, 층 블록(P5, P6)의 양방에 마련해도 된다.
또한 본 실시 형태에서는, 우측 서브 블록(B22)의 전달 박스(33)로부터, 액침 노광 후의 웨이퍼(W)를, 좌측 서브 블록(B21)으로 반송할 시에, 노광 전 세정 모듈이 마련된 층 블록(P5, P6) 내의 웨이퍼 반송 기구(Q51)가 이용된다. 따라서, 웨이퍼 반송 기구(Q51)를 더 유효하게 활용할 수 있다. 또한, 다른 웨이퍼 반송 기구가 불필요하기 때문에, 장치의 제조 코스트를 삭감할 수 있다.
또한 본 실시 형태에서는, 좌측 서브 블록(B21)에서 반사 방지막 형성에 이용하는 층 블록과, 우측 서브 블록(B22)에서 레지스트막 형성에 이용하는 층 블록의 높이 위치가 동일하다. 따라서, 반사 방지막 형성과 레지스트막 형성과의 사이의 불필요한 공정, 예를 들면 웨이퍼 반송 기구(32)를 이용하여 웨이퍼(W)를 높이 방향으로 이동시키는 공정을 생략할 수 있다. 따라서 본 실시 형태에 의하면, 더 고스루풋으로 처리할 수 있다.
또한 본 실시 형태에 있어서, 좌측 서브 블록(B21)은, 현상 모듈이 마련된 층 블록(L3 ~ L6)에 있어서의, 우측 서브 블록(B22)과는 반대측 즉 캐리어 블록(B1)측에, 검사 모듈(OUT-WIS)을 가지는 종형 유닛(T31, T41, T51, T61)이 마련되어 있다. 따라서 현상 처리 후, 웨이퍼(W)를 후단의 공정을 위하여 캐리어 블록(B1) 등으로 반송하는 경로 상에, 검사 모듈(OUT-WIS)이 마련되어 있기 때문에, 현상 종료로부터 검사 모듈(OUT-WIS)에서의 검사를 거쳐 캐리어 블록(B1)으로 웨이퍼(W)를 반출할 때까지의 시간을 짧게 할 수 있다. 따라서, 도포, 현상 처리를 더 높은 스루풋으로 행할 수 있다.
또한 본 실시 형태에서는, 웨이퍼 반송 기구(41)와 상하 방향으로 인접하는 노광 후 세정 모듈(PIR)이 배치되는 영역과 측면에서 봤을 때 중첩되는 높이 위치에, 노광 전 처리 모듈로서의 노광 전 세정 모듈(BST1)과 전달 박스(33)를 가지는 층 블록(P6)이 마련되어 있다. 따라서, 인터페이스 블록(B3) 내에서의 웨이퍼 반송 기구(41)와 웨이퍼 반송 기구(42)의 필요 구동 범위가 상하로 명확하게 나뉘기 때문에, 인터페이스 블록(B3) 내의 구동 기구 등의 배치를 간단하고 또한 컴팩트하게 할 수 있다.
또한 본 실시 형태에서는, 인터페이스 블록(B3)과 처리 블록(B2)과의 사이에서의 웨이퍼(W)의 전달 시에 있어서, 전달 박스(33)에 웨이퍼 반송 기구(Q51)가 액세스 가능한 층 블록(P5 및 P6)만 웨이퍼(W)는 통과한다. 구체적으로, 처리 블록(B2)의 우측 서브 블록(B22)으로부터 인터페이스 블록(B3)으로의 웨이퍼(W)의 전달 시 및 인터페이스 블록(B3)으로부터 우측 서브 블록(B22)을 개재한 좌측 서브 블록(B21)으로의 웨이퍼(W)의 전달 시에, 전달 박스(33)에 웨이퍼 반송 기구(Q51)가 액세스 가능한 층 블록(P5 및 P6)만 웨이퍼(W)는 통과한다. 따라서, 층 블록(P1) 등에 마련된, 사용 빈도 또는 시간이 많은 웨이퍼 반송 기구(Q11) 등을 이용하지 않고, 층 블록(P5, P6)에 대하여 마련된, 사용 빈도가 적은 웨이퍼 반송 기구(Q51)를 이용하여, 인터페이스 블록(B3)과 처리 블록(B2)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달할 수 있다. 이와 같이, 본 실시 형태에서는, 층 블록(P1)의 웨이퍼 반송 기구(Q11) 등, 동일 층 내에서의 웨이퍼 반송에 대한 사용 빈도가 높은 웨이퍼 반송 기구가, 인터페이스 블록(B3)과의 사이에서의 웨이퍼(W)의 전달에 이용되지 않아, 당해 웨이퍼 반송 기구의 사용 빈도 또는 사용 시간의 가일층의 증가가 발생하지 않기 때문에, 스루풋 상 바람직하다.
또한 본 실시 형태에서는, 반사 방지막 형성 후의 웨이퍼(W)를 검사하는 검사 모듈(WIS-B)을 가지는 종형 유닛(T11, T21)은 캐리어 블록(B1)측에 마련되어 있지만, 우측 서브 블록(B22)측에 마련해도 된다. 이에 의해, 반사 방지막 형성 종료 후부터 검사 모듈(WIS-B)에서의 검사를 거쳐 우측 서브 블록(B22)으로 웨이퍼(W)를 반출할 때까지의 시간을 단축할 수 있다.
또한 본 실시 형태에서는, 검사 모듈(WES)을 가지는 종형 유닛(U34, U44)은 인터페이스 블록(B3)측에 마련되어 있었지만, 좌측 서브 블록(B21)측에 마련되어 있어도 된다.
이상의 예에서는, 처리 블록(B2)은 2 개의 서브 블록으로 되어 있었지만, 3 이상의 서브 블록으로 되어 있어도 된다. 또한, 처리 블록(B2)은 1 개의 블록으로 구성되어도 된다.
또한 이상의 예에서는, 노광 전 세정 모듈 및 노광 후 세정 모듈은, 처리 블록(B2) 및 인터페이스 블록(B3)의 최상층에 마련되어 있었지만, 노광 전 세정 모듈 및 노광 후 세정 모듈 상에 다른 처리 모듈을 마련해도 된다.
이상의 예에서는, 노광 장치(E)측의 웨이퍼 반입반출구가 하방에 있기 때문에, 웨이퍼 반송 기구(41)가 하방에 마련되고, 웨이퍼 반송 기구(42), 노광 후 세정 모듈(PIR), 노광 전 세정 모듈이 상방에 마련되어 있었다. 따라서, 노광 장치(E)측의 웨이퍼 반입반출구가 상방에 있는 경우에는, 웨이퍼 반송 기구(41)가 상방에 마련되고, 웨이퍼 반송 기구(42), 노광 후 세정 모듈(PIR), 노광 전 세정 모듈이 하방에 마련되어 있어도 된다.
금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시로 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기의 실시 형태는 첨부한 청구의 범위 및 그 주지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.
또한, 이하와 같은 구성도 본 개시의 기술적 범위에 속한다.
(1) 기판에 레지스트막을 형성하고, 당해 기판을 노광 장치로 반송하고, 이 후, 당해 노광 장치에서 액침 노광된 기판에 대하여 현상 처리를 행하는 도포, 현상 장치로서,
레지스트막을 포함하는 도포막 형성 후, 액침 노광 전에 기판을 액 처리하는 노광 전 처리 모듈을 포함하는 처리 모듈이 마련된 처리 블록과,
액침 노광 후, 현상 처리 전에 기판을 액 처리하는 노광 후 처리 모듈과, 상기 노광 장치에 기판을 반입반출하는 제 1 반입반출 모듈이 마련되고, 또한 상기 처리 블록과 상기 노광 장치를 폭방향으로 연결하는 중계 블록을 구비하고,
상기 처리 블록은,
상하 방향으로 다층화되어, 각층에 상기 처리 모듈이 마련되고,
상기 폭방향으로 연장되는 반송 영역에, 기판을 반송하는 반송 기구가 마련되고,
상기 노광 전 처리 모듈이 마련된 층에 있어서의, 상기 중계 블록측 가장자리에, 양 블록 간에서 기판을 전달할 시에 당해 기판이 배치되는 전달부가 마련되고,
상기 중계 블록은,
상기 전달부 및 상기 노광 후 처리 모듈에 기판을 반입반출하는 제 2 반입반출 모듈이, 상기 처리 블록의 상기 전달부와 상기 폭방향으로 인접하는 영역에 마련되고,
상기 제 2 반입반출 모듈과 평면에서 봤을 때 중첩되는 영역으로부터, 상기 폭방향과 직교하는 깊이 방향으로 연장되는 중계측 반송 영역에, 상기 제 1 반입반출 모듈이 마련되고,
상기 중계측 반송 영역과 상하 방향으로 인접하고 또한 상기 제 2 반입반출 모듈과 상기 깊이 방향으로 인접하는 영역에, 상기 노광 후 처리 모듈이 마련되고,
상기 깊이 방향에 있어서, 상기 제 2 반입반출 모듈을 사이에 두고, 상기 노광 후 처리 모듈과 대향하는 영역에, 상기 제 1 반입반출 모듈과 상기 제 2 반입반출 모듈과의 사이에서 기판을 중계하는 중계 기구가 마련되어 있는, 도포, 현상 장치.
상기 (1)에 의하면, 고스루풋으로 처리 가능하며 또한 점유 바닥 면적이 작은 도포, 현상 장치를 제공할 수 있다.
(2) 상기 처리 블록은, 상기 노광 전 처리 모듈이 마련된 층 내의 상기 반송 영역의 상기 중계 블록측에, 상기 전달부가 마련되고,
상기 반송 영역, 상기 전달부 및 상기 제 2 반입반출 모듈이 상기 폭방향을 따라 배열되는, 상기 (1)에 기재된 도포, 현상 장치.
(3) 상기 노광 전 처리 모듈이 마련된 층은 적층되어 있고,
상기 노광 전 처리 모듈에 대한 상기 반송 기구는, 층간에서 공통인, 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 도포, 현상 장치.
(4) 상기 전달부는, 1 개의 층에 대해서만 마련되어 있는, 상기 (3)에 기재된 도포, 현상 장치.
(5) 상기 노광 전 처리 모듈은, 상기 폭방향의 모듈 간 피치가, 상기 처리 블록 내의 다른 액 처리 모듈보다 좁은, 상기 (1) ~ (4) 중 어느 하나에 기재된 도포, 현상 장치.
(6) 상기 처리 블록은, 상기 폭방향으로 연접된 복수의 서브 블록으로 이루어지는, 상기 (1) ~ (5) 중 어느 하나에 기재된 도포, 현상 장치.
(7) 하나의 상기 서브 블록에서 상기 처리 모듈에 의해 처리가 행해진 후, 이어서 당해 서브 블록과 상기 폭방향으로 인접하는 다른 서브 블록에서 상기 처리 모듈에 의해 처리가 행해지는 경우, 상기 하나의 서브 블록과 상기 다른 서브 블록에서는, 동일한 높이 위치의 층에 마련된 상기 처리 모듈이 이용되는, 상기 (6)에 기재된 도포, 현상 장치.
(8) 상기 노광 전 처리 모듈이 마련된 서브 블록의 상기 전달부로부터, 액침 노광 후의 기판을, 다른 서브 블록으로 반송할 시에, 상기 노광 전 처리 모듈이 마련된 층 내의 상기 반송 기구가 이용되는, 상기 (6) 또는 (7)에 기재된 도포, 현상 장치.
(9) 상기 노광 전 처리 모듈이 마련된 제 1 서브 블록과는 상이한 제 2 서브 블록에, 상기 현상 처리를 행하는 현상 모듈이 마련되고,
상기 제 2 서브 블록은, 당해 현상 모듈이 마련된 층에 있어서의, 상기 제 1 서브 블록과는 반대측에, 상기 현상 처리 후의 기판을 검사하는 검사 모듈이 마련되어 있는, 상기 (6) ~ (8) 중 어느 하나에 기재된 도포, 현상 장치.
(10) 상기 제 2 서브 블록의 상기 제 1 서브 블록과는 반대측에, 기판을 수용하는 캐리어가 배치되는 캐리어 블록을 구비하는, 상기 (9)에 기재된 도포, 현상 장치.
(11) 상기 처리 블록의 적어도 일부의 층에 있어서의, 상기 반송 영역을 사이에 두고 상기 깊이 방향 일방측의 영역과 타방측의 영역 각각에, 상기 처리 모듈이 상기 폭방향을 따라 복수 마련되어 있는, 상기 (1) ~ (10) 중 어느 하나에 기재된 도포, 현상 장치.
(12) 상기 노광 전 처리 모듈은, 상기 깊이 방향 일방측의 영역과 타방측의 영역의 양방에 마련되어 있는, 상기 (11)에 기재된 도포, 현상 장치.
(13) 상기 노광 전 처리 모듈은, 상방의 층에 마련되어 있는, 상기 (1) ~ (12) 중 어느 하나에 기재된 도포, 현상 장치.
(14) 상기 중계 기구는,
상기 제 1 반입반출 모듈에 의해 기판이 반입반출되는 모듈과 상기 제 2 반입반출 모듈에 의해 기판이 반입반출되는 모듈이 상하 방향으로 적층된 적층 전달부와, 당해 적층 전달부 내의 모듈 간에서 기판을 반송하는 상하 방향 반송 기구를 가지는, 상기 (1) ~ (13) 중 어느 하나에 기재된 도포, 현상 장치.
(15) 상기 (1) ~ (14) 중 어느 하나에 기재된 도포, 현상 장치를 이용한 도포, 현상 방법으로서,
상기 반송 기구가, 상기 처리 블록 내에 있어서, 상기 노광 전 처리 모듈에서 처리된 기판을 상기 전달부로 반송하는 공정과,
이 후, 상기 제 2 반입반출 모듈이, 당해 기판을 상기 전달부로부터 반출하는 공정과,
이 후, 상기 중계 기구가, 당해 기판을, 상기 제 2 반입반출 모듈로부터 상기 제 1 반입반출 모듈로 전달하는 공정과,
이 후, 상기 제 1 반입반출 모듈이, 당해 기판을, 상기 노광 장치로 반입하는 공정과,
당해 노광 장치에서의 액침 노광 후에, 상기 제 1 반입반출 모듈이, 당해 기판을, 상기 노광 장치로부터 반출하는 공정과,
이 후, 상기 중계 기구가, 당해 기판을, 상기 제 1 반입반출 모듈로부터 상기 제 2 반입반출 모듈로 전달하는 공정과,
이 후, 상기 제 2 반입반출 모듈이, 당해 기판을, 상기 노광 후 처리 모듈로 반입하는 공정과,
이 후, 상기 제 2 반입반출 모듈이, 당해 기판을, 상기 노광 후 처리 모듈로부터 반출하여 상기 전달부로 반입하는 공정과,
이 후, 상기 반송 기구가, 당해 기판을 상기 전달부로부터 반출하는 공정을 포함하는 도포, 현상 방법.

Claims (17)

  1. 기판에 레지스트막을 형성하고, 상기 기판을 노광 장치로 반송하고, 이 후, 상기 노광 장치에서 액침 노광된 기판에 대하여 현상 처리를 행하는 도포, 현상 장치로서,
    레지스트막을 포함하는 도포막 형성 후, 액침 노광 전에 기판을 액 처리하는 노광 전 처리 모듈을 포함하는 처리 모듈이 마련된 처리 블록과,
    액침 노광 후, 현상 처리 전에 기판을 액 처리하는 노광 후 처리 모듈과, 상기 노광 장치에 기판을 반입반출하는 제 1 반입반출 모듈이 마련되고, 또한 상기 처리 블록과 상기 노광 장치를 폭방향으로 연결하는 중계 블록을 구비하고,
    상기 처리 블록은,
    상하 방향으로 다층화되어, 각층에 상기 처리 모듈이 마련되고,
    상기 폭방향으로 연장되는 반송 영역에, 기판을 반송하는 반송 기구가 마련되고,
    상기 노광 전 처리 모듈이 마련된 층에 있어서의, 상기 중계 블록측 가장자리에, 양 블록 간에서 기판을 전달할 시에 상기 기판이 배치되는 전달부가 마련되고,
    상기 중계 블록은,
    상기 전달부 및 상기 노광 후 처리 모듈에 기판을 반입반출하는 제 2 반입반출 모듈이, 상기 처리 블록의 상기 전달부와 상기 폭방향으로 인접하는 영역에 마련되고,
    상기 제 2 반입반출 모듈과 평면에서 봤을 때 중첩되는 영역으로부터, 상기 폭방향과 직교하는 깊이 방향으로 연장되는 중계측 반송 영역에, 상기 제 1 반입반출 모듈이 마련되고,
    상기 중계측 반송 영역과 상하 방향으로 인접하고 또한 상기 제 2 반입반출 모듈과 상기 깊이 방향으로 인접하는 영역에, 상기 노광 후 처리 모듈이 마련되고,
    상기 깊이 방향에 있어서, 상기 제 2 반입반출 모듈을 사이에 두고 상기 노광 후 처리 모듈과 대향하는 영역에, 상기 제 1 반입반출 모듈과 상기 제 2 반입반출 모듈과의 사이에서 기판을 중계하는 중계 기구가 마련되어 있는, 도포, 현상 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리 블록의 상기 반송 영역과 상기 전달부 및 상기 중계 블록의 상기 제 2 반입반출 모듈이 상기 폭방향을 따라 배열되는, 도포, 현상 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    노광 전의 기판 및 노광 후의 기판에 관한, 상기 제 1 반입반출 모듈과 제 2 반입반출 모듈과의 사이에 있어서의 반송 경로는 모두, 상면에서 봤을 때, 상기 중계 블록의 깊이 방향 직선에 중복되는, 도포, 현상 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 노광 전 처리 모듈이 마련된 층은 적층되어 있고,
    상기 노광 전 처리 모듈에 대한 상기 반송 기구는 층간에서 공통인, 도포, 현상 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 전달부는 1 개의 층에 대해서만 마련되어 있는, 도포, 현상 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 노광 전 처리 모듈은, 상기 폭방향의 모듈 간 피치가 상기 처리 블록 내의 도포막을 형성하기 위한 도포막 형성 모듈로서의 처리 모듈보다 좁은, 도포, 현상 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 처리 블록에 있어서,
    상기 도포막 형성 모듈은 도포막을 형성하는 상기 기판을 측방으로부터 둘러싸는 컵의 외측에, 상기 도포막 형성용의 액을 상기 기판을 향해 상방으로부터 토출하는 노즐과, 상기 노즐의 대기부가 마련되고,
    상기 노광 전 처리 모듈은 상기 노광 전의 액 처리를 하는 상기 기판을 측방으로부터 둘러싸는 컵의 내측 또는 하부에만, 상기 액 처리를 행하기 위한 액을 상기 기판에 공급하는 노즐이 마련되어 있고,
    상기 노광 전 처리 모듈은 상기 도포막 형성 모듈보다 고밀도로 마련되어 있는, 도포, 현상 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리 블록은 상기 폭방향으로 연접된 복수의 서브 블록으로 이루어지는, 도포, 현상 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    하나의 서브 블록에서 상기 처리 모듈에 의해 처리가 행해진 후, 이어서 상기 서브 블록과 상기 폭방향으로 인접하는 다른 서브 블록에서 상기 처리 모듈에 의해 처리가 행해지는 경우, 상기 하나의 서브 블록과 상기 다른 서브 블록에서는, 동일한 높이 위치의 층에 마련된 상기 처리 모듈이 이용되는, 도포, 현상 장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 노광 전 처리 모듈이 마련된 서브 블록의 상기 전달부로부터, 액침 노광 후의 기판을 다른 서브 블록으로 반송할 시에, 상기 노광 전 처리 모듈이 마련된 층 내의 상기 반송 기구가 이용되는, 도포, 현상 장치.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 노광 전 처리 모듈이 마련된 제 1 서브 블록과는 상이한 제 2 서브 블록에 상기 현상 처리를 행하는 현상 모듈이 마련되고,
    상기 제 2 서브 블록은, 상기 현상 모듈이 마련된 층에 있어서의 상기 제 1 서브 블록과는 반대측에, 상기 현상 처리 후의 기판을 검사하는 검사 모듈이 마련되어 있는, 도포, 현상 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 2 서브 블록의 상기 제 1 서브 블록과는 반대측에, 기판을 수용하는 캐리어가 배치되는 캐리어 블록을 구비하는, 도포, 현상 장치.
  13. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리 블록의 적어도 일부의 층에 있어서의, 상기 반송 영역을 사이에 두고 상기 깊이 방향 일방측의 영역과 타방측의 영역 각각에, 상기 처리 모듈이 상기 폭방향을 따라 복수 마련되어 있는, 도포, 현상 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 노광 전 처리 모듈은 상기 깊이 방향 일방측의 영역과 타방측의 영역의 양방에 마련되어 있고,
    상기 기판에 도포막을 형성하는 도포막 형성 모듈 및 액침 노광된 상기 기판에 대하여 현상 처리를 행하는 현상 모듈은, 상기 노광 전 처리 모듈과 1 개의 상기 반송 기구를 공유 가능한 층 내에 마련되어 있지 않는, 도포, 현상 장치.
  15. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 노광 전 처리 모듈은 상방의 층에 마련되어 있는, 도포, 현상 장치.
  16. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 중계 기구는,
    상기 제 1 반입반출 모듈에 의해 기판이 반입반출되는 모듈과 상기 제 2 반입반출 모듈에 의해 기판이 반입반출되는 모듈이 상하 방향으로 적층된 적층 전달부와,
    상기 적층 전달부 내의 모듈 간에서 기판을 반송하는 상하 방향 반송 기구를 가지는, 도포, 현상 장치.
  17. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 기재된 도포, 현상 장치를 이용한 도포, 현상 방법으로서,
    상기 반송 기구가, 상기 처리 블록 내에 있어서, 상기 노광 전 처리 모듈에서 처리된 기판을 상기 전달부로 반송하는 공정과,
    이 후, 상기 제 2 반입반출 모듈이 상기 기판을 상기 전달부로부터 반출하는 공정과,
    이 후, 상기 중계 기구가 상기 기판을 상기 제 2 반입반출 모듈로부터 상기 제 1 반입반출 모듈로 전달하는 공정과,
    이 후, 상기 제 1 반입반출 모듈이 상기 기판을 상기 노광 장치로 반입하는 공정과,
    상기 노광 장치에서의 액침 노광 후에, 상기 제 1 반입반출 모듈이 상기 기판을 상기 노광 장치로부터 반출하는 공정과,
    이 후, 상기 중계 기구가 상기 기판을 상기 제 1 반입반출 모듈로부터 상기 제 2 반입반출 모듈로 전달하는 공정과,
    이 후, 상기 제 2 반입반출 모듈이 상기 기판을 상기 노광 후 처리 모듈로 반입하는 공정과,
    이 후, 상기 제 2 반입반출 모듈이 상기 기판을 상기 노광 후 처리 모듈로부터 반출하여 상기 전달부로 반입하는 공정과,
    이 후, 상기 반송 기구가 상기 기판을 상기 전달부로부터 반출하는 공정을 포함하는 도포, 현상 방법.
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