JP2022176644A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】バッチ処理部から枚葉処理部へ基板を移動する際の基板の損傷を抑制する。【解決手段】基板処理方法は、バッチ処理部において、複数の基板を薬液に浸漬させる工程と、バッチ処理部において、薬液に浸漬された後の基板を、リンス液で洗浄する工程と、バッチ処理部において、基板におけるリンス液の少なくとも一部をＩＰＡで置換する工程と、ＩＰＡでリンス液が置換された後の基板を、枚葉処理部へ移動させる工程と、枚葉処理部において、基板を乾燥させる工程とを備える。【選択図】図１

Description

本願明細書に開示される技術は、基板処理に関するものである。ここで、処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、有機ＥＬ（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置などのｆｌａｔ ｐａｎｅｌ ｄｉｓｐｌａｙ（ＦＰＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板、セラミック基板、電界放出ディスプレイ（ｆｉｅｌｄ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｄｉｓｐｌａｙ、すなわち、ＦＥＤ）用基板、または、太陽電池用基板などが含まれる。
従来から、リン酸を使って基板における窒化シリコン膜をエッチングするバッチ式の処理装置（以下、バッチ処理部とも称する）が提案されている（たとえば、特許文献１を参照）。バッチ処理装置は、複数の基板を一括して処理することができるので、スループットが高い。
特表２０１６－５０２２７５号公報
上記のバッチ処理装置で薬液処理された基板を洗浄して、さらに乾燥させる際、基板に形成される表面パターンが複雑なもの（たとえば、３次元構造）であると、乾燥が不十分になる場合がある。
一方で、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の処理装置（以下、枚葉処理部とも称する）であれば乾燥能力が高いので、上記の乾燥を適切に行うことができる。
しかしながら、バッチ処理部から枚葉処理部へ基板を移動する際に基板において意図しない乾燥が進み、表面パターンの損傷などの不具合が生じる場合がある。
本願明細書に開示される技術は、以上に記載されたような問題を鑑みてなされたものであり、バッチ処理部から枚葉処理部へ基板を移動する際の基板の損傷を抑制するための技術である。
本願明細書に開示される技術の第１の態様である基板処理方法は、複数の基板に対する処理を行うバッチ処理部と、１枚の前記基板に対する処理を行う枚葉処理部とを使って基板処理を行う基板処理方法であり、前記バッチ処理部において、複数の前記基板を薬液に浸漬させる工程と、前記バッチ処理部において、前記薬液に浸漬された後の前記基板を、リンス液で洗浄する工程と、前記バッチ処理部において、前記基板における前記リンス液の少なくとも一部をＩＰＡで置換する工程と、前記ＩＰＡで前記リンス液が置換された後の前記基板を、前記枚葉処理部へ移動させる工程と、前記枚葉処理部において、前記基板を乾燥させる工程とを備える。
本願明細書に開示される技術の第２の態様である基板処理方法は、第１の態様である基板処理方法に関連し、前記ＩＰＡは、希釈ＩＰＡを含む。
本願明細書に開示される技術の第３の態様である基板処理方法は、第１または２の態様である基板処理方法に関連し、前記基板における前記リンス液を前記ＩＰＡで置換する工程は、噴霧状の前記ＩＰＡが前記基板に吹き付けられる工程である。
本願明細書に開示される技術の第４の態様である基板処理方法は、第１から３のうちのいずれか１つの態様である基板処理方法に関連し、前記ＩＰＡで前記リンス液が置換された後の前記基板の姿勢を鉛直姿勢から水平姿勢へ変換する工程をさらに備える。
本願明細書に開示される技術の第５の態様である基板処理方法は、第１から４のうちのいずれか１つの態様である基板処理方法に関連し、前記枚葉処理部において、前記基板を乾燥させる工程の前に、前記基板における前記リンス液を前記ＩＰＡで置換する工程をさらに備える。
本願明細書に開示される技術の第６の態様である基板処理方法は、第１から５のうちのいずれか１つの態様である基板処理方法に関連し、前記薬液に浸漬された後の前記基板は、３次元の表面パターンを有する積層基板である。
本願明細書に開示される技術の第７の態様である基板処理方法は、第１から６のうちのいずれか１つの態様である基板処理方法に関連し、前記基板における前記リンス液を前記ＩＰＡで置換する工程は、前記基板が疎水性である場合に行い、かつ、前記基板が親水性である場合に行わないように選択可能であり、前記基板を前記枚葉処理部へ移動させる工程は、前記基板が親水性である場合、前記リンス液で洗浄された後の前記基板を前記枚葉処理部へ移動させる工程である。
本願明細書に開示される技術の第８の態様である基板処理装置は、複数の基板に対する処理を行うバッチ処理部と、１枚の前記基板に対する処理を行う枚葉処理部と、前記基板を前記バッチ処理部から前記枚葉処理部へ移動させる移動部とを備え、前記バッチ処理部は、複数の前記基板を薬液に浸漬させる浸漬部と、前記薬液に浸漬された後の前記基板を、リンス液で洗浄する液洗浄部と、前記基板における前記リンス液をＩＰＡで置換する置換部とを備え、前記移動部は、前記ＩＰＡで前記リンス液が置換された後の前記基板を、前記枚葉処理部へ移動させ、前記枚葉処理部は、前記バッチ処理部から移動された前記基板を乾燥させる乾燥部を備える。
本願明細書に開示される技術の少なくとも第１、８の態様によれば、基板がバッチ処理部から枚葉処理部に移動する際、基板のリンス液がＩＰＡに置換された状態となるので、当該移動の際に、基板の表面における乾燥が抑制される。そのため、親水性または疎水性のいずれの基板であっても、当該移動の際に、基板の表面に形成されたパターンが損傷（倒壊）することを抑制することができる。また、ＩＰＡの表面張力が水よりも小さいので、基板の表面に付与されたＩＰＡの液面の位置が変動しても、基板の表面に形成されたパターンに与える力（表面張力）の影響が水の場合よりも小さくなる。したがって、基板がバッチ処理部から枚葉処理部に移動する際に基板に水を付与する場合よりも、基板の表面に形成されたパターンの損傷を抑制することができる。
また、本願明細書に開示される技術に関連する目的と、特徴と、局面と、利点とは、以下に示される詳細な説明と添付図面とによって、さらに明白となる。
実施の形態に関する、基板処理装置の構成の一例を概略的に示す平面図である。 基板に形成される３次元構造の例を部分的かつ概略的に示す図である。 実施の形態に関する、基板に対する処理工程の一例を概略的に示すフローチャートである。 バッチ処理部の構成の一例を概略的に示す図である。 バッチ処理部の構成の一例を概略的に示す図である。 搬送ロボットの構成の一例を概略的に示す図である。 搬送ロボットの構成の一例を概略的に示す図である。 枚葉処理部の構成の一例を概略的に示す図である。 搬送ロボットおよびその周辺の構成の一例を概略的に示す図である。 実施の形態に関する、基板処理装置の構成の一例を概略的に示す平面図である。 実施の形態に関する、基板処理装置の構成の一例を概略的に示す平面図である。
以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。以下の実施の形態では、技術の説明のために詳細な特徴なども示されるが、それらは例示であり、実施の形態が実施可能となるためにそれらすべてが必ずしも必須の特徴ではない。
なお、図面は概略的に示されるものであり、説明の便宜のため、適宜、構成の省略、または、構成の簡略化などが図面においてなされるものである。また、異なる図面にそれぞれ示される構成などの大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。また、断面図ではない平面図などの図面においても、実施の形態の内容を理解することを容易にするために、ハッチングが付される場合がある。
また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。
また、本願明細書に記載される説明において、ある構成要素を「備える」、「含む」または「有する」などと記載される場合、特に断らない限りは、他の構成要素の存在を除外する排他的な表現ではない。
また、本願明細書に記載される説明において、「第１の」または「第２の」などの序数が使われる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上使われるものであり、実施の形態の内容はこれらの序数によって生じ得る順序などに限定されるものではない。
また、本願明細書に記載される説明において、「…軸正方向」または「…軸負方向」などの表現は、図示される…軸の矢印に沿う方向を正方向とし、図示される…軸の矢印とは反対側の方向を負方向とするものである。
また、本願明細書に記載される説明における、相対的または絶対的な位置関係を示す表現、たとえば、「一方向に」、「一方向に沿って」、「平行」、「直交」、「中心」、「同心」または「同軸」などは、特に断らない限りは、その位置関係を厳密に示す場合と、公差または同程度の機能が得られる範囲において角度または距離が変位している場合とを含むものとする。
また、本願明細書に記載される説明において、「上」、「下」、「左」、「右」、「側」、「底」、「表」または「裏」などの特定の位置または方向を意味する用語が使われる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上使われるものであり、実施の形態が実際に実施される際の位置または方向とは関係しないものである。
＜第１の実施の形態＞
以下、本実施の形態に関する基板処理装置、および、基板処理方法について説明する。
＜基板処理装置の全体構成について＞
図１は、本実施の形態に関する、基板処理装置１０の構成の一例を概略的に示す平面図である。図１において、Ｚ軸方向が鉛直上方向である。基板処理装置１０は、基板Ｗに対してウェット処理を行う装置である。
基板Ｗはたとえば、半導体基板であり、その表面には表面パターンが形成される。表面パターンの具体的な例としては、３次元ＮＡＮＤ（Ｎｏｔ－ＡＮＤ）フラッシュメモリの製造途中で形成される３次元構造が挙げられる。
図２は、基板Ｗに形成される３次元構造の例を部分的かつ概略的に示す図である。図２の例では、基板Ｗは支持層９３を含んでいる。支持層９３はたとえばシリコン層である。そして、支持層９３の上面には積層構造９０が形成されている。
積層構造９０は複数の絶縁膜９１および複数の犠牲膜９２を含む。絶縁膜９１および犠牲膜９２は、Ｚ軸方向において交互に積層されている。絶縁膜９１はたとえば二酸化シリコン膜であり、犠牲膜９２はたとえば窒化シリコン膜である。絶縁膜９１および犠牲膜９２の厚みは、たとえば１ｎｍ以上かつ５０ｎｍ以下である。
また、積層構造９０には、トレンチ９４が形成されている。トレンチ９４は基板Ｗの厚み方向に沿って積層構造９０を貫通する。また、積層構造９０には、図示しないピラーが設けられる。ピラーは犠牲膜９２が除去された場合に、絶縁膜９１を支持する。ピラーの幅（基板Ｗの主面に平行な幅）は、たとえば１ｎｍ以上かつ５０ｎｍ以下である。
本実施の形態では具体的な一例として、基板処理装置１０が犠牲膜９２をエッチングする場合について述べるものの、基板処理装置１０は他の処理を基板Ｗに対して行ってもよい。以下、基板処理装置１０の全体構成の一例について概説し、その後、それぞれの構成の一例について詳述する。
図１に例が示されるように、基板処理装置１０は、複数の基板Ｗに対して一括して処理を行う（すなわち、バッチ式の基板処理を行う）バッチ処理部３０と、基板を１枚ずつ処理する（すなわち、枚葉式の基板処理を行う）枚葉処理部５０と、バッチ間搬送部６０と、バッチ枚葉間搬送部７０とを備える。
また、図１の例では、基板処理装置１０は筐体１００を含んでおり、この筐体１００は、少なくとも、バッチ処理部３０と、枚葉処理部５０と、バッチ間搬送部６０と、バッチ枚葉間搬送部７０とを収納する。すなわち、図１の例では、基板処理装置１０は、バッチ処理部３０と枚葉処理部５０とが同一の筐体１００内に混在するハイブリッド式の基板処理装置である。
図１の例では、基板処理装置１０には、外部から複数の基板Ｗが搬入される搬入ポートとしてのロードポート１１も設けられている。ロードポート１１には、複数の基板Ｗを収納する可搬型の収納器（以下、キャリアＣ１と呼ぶ）が搬入される。図１の例では、ロードポート１１において、複数のキャリアＣ１がＹ軸方向に沿って一列に載置されている。
キャリアＣ１としては、基板Ｗを密閉空間に収納するＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）、ＳＭＩＦ（Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｉｎｔｅｒ Ｆａｃｅ）ポッド、または、基板Ｗを外気にさらすＯＣ（Ｏｐｅｎ Ｃａｓｓｅｔｔｅ）が採用されてもよい。ここでは、複数の基板Ｗは、その表面がＺ軸正方向を向く水平姿勢で、かつ、Ｚ軸方向において並んだ状態でキャリアＣ１に収納される。ここでいう水平姿勢とは、基板Ｗの厚み方向がＺ軸方向に沿う姿勢である。キャリアＣ１内に収納される基板Ｗの枚数は特に制限されないものの、たとえば、２５枚である。
図１の例では、基板処理装置１０には、それぞれのキャリアＣ１とバッチ間搬送部６０との間で複数の基板Ｗを搬送するインデクサ搬送部２０も設けられている。インデクサ搬送部２０は筐体１００内に設けられる。インデクサ搬送部２０は、それぞれのキャリアＣ１から複数の基板Ｗを一括して取り出し、基板Ｗの姿勢を水平姿勢から起立姿勢（鉛直姿勢）に変換し、起立姿勢の複数の基板Ｗをバッチ間搬送部６０に搬送する。ここでいう起立姿勢（鉛直姿勢）とは、基板Ｗの厚み方向が水平方向に沿う姿勢である。
インデクサ搬送部２０は、たとえば、基板Ｗの表面がＹ軸負方向を向く起立姿勢で、複数の基板Ｗをバッチ間搬送部６０に渡す。
バッチ間搬送部６０は、インデクサ搬送部２０から起立姿勢の複数の基板Ｗを一括して受け取り、受け取った複数の基板Ｗを一括してバッチ処理部３０に順次搬送する。
バッチ処理部３０は、複数の基板Ｗに対して一括してウェット処理を行うバッチ式の処理装置である。具体的には、バッチ処理部３０は、後述の処理槽３１を含んでいる。処理槽３１には処理液が貯留される。処理槽３１内の処理液に複数の基板Ｗが浸漬することによって、バッチ処理部３０は、処理液に応じた処理を複数の基板Ｗに対して一括して行うことができる。
図１の例では、複数のバッチ処理部３０がＸ軸方向に沿って一列に配列される。また、図１の例では、複数のバッチ処理部３０として、薬液用のバッチ処理部３０ａと、リンス液用のバッチ処理部３０ｂと、有機溶剤であるＩＰＡ（イソプロピルアルコール）用のバッチ処理部３０ｃとが設けられている。
バッチ処理部３０ａの処理槽３１は薬液を貯留する。基板処理装置１０が基板Ｗの犠牲膜９２をエッチングする場合、薬液は、犠牲膜９２を除去可能なエッチング液（たとえば、リン酸）を含む。この薬液に複数の基板Ｗが浸漬することによって、薬液がそれぞれの基板Ｗのトレンチ９４を通じて犠牲膜９２に作用し、犠牲膜９２をエッチングすることができる。
バッチ処理部３０ｂの処理槽３１はリンス液を貯留する。リンス液はたとえば、純水を含む。薬液処理後の複数の基板Ｗがリンス液に浸漬することによって基板Ｗを洗浄し、複数の基板Ｗに付着した薬液をリンス液に置換することができる。
バッチ処理部３０ｃの処理槽３１はＩＰＡを貯留する。リンス処理後の複数の基板ＷがＩＰＡに浸漬することによって、複数の基板Ｗに付着したリンス液を少なくとも一部ＩＰＡに置換することができる。
ここで、バッチ処理部３０ｃの処理槽３１におけるＩＰＡは、希釈化された希釈ＩＰＡであってもよい。この希釈ＩＰＡは、バッチ処理部３０ｃの処理槽３１において複数回ＩＰＡ処理が行われて、ＩＰＡにリンス液（純水）が混入することによって希釈化されたものであってもよい。すなわち、バッチ処理部３０ｃの処理槽３１におけるＩＰＡは、当該ＩＰＡの濃度があらかじめ定められた値を下回らない限り、複数回のＩＰＡ処理において繰り返し使われてもよい。
バッチ間搬送部６０は、まず、起立姿勢の複数の基板Ｗをインデクサ搬送部２０から受け取り、受け取った複数の基板Ｗをバッチ処理部３０ａに搬送する。該複数の基板Ｗはバッチ処理部３０ａによって一括に薬液処理される。これによって、たとえば、それぞれの基板Ｗの犠牲膜９２が除去される。この犠牲膜９２の除去によって、絶縁膜９１が犠牲膜９２によって支持されなくなる。したがって、絶縁膜９１は倒壊しやすくなる。
次に、バッチ間搬送部６０は、薬液処理済みの複数の基板Ｗをバッチ処理部３０ａから受け取り、受け取った複数の基板Ｗをバッチ処理部３０ｂに搬送する。この搬送において、複数の基板Ｗは処理液（ここでは薬液）が付着した状態で搬送される。したがって、この搬送において、乾燥に起因する基板Ｗの３次元構造（たとえば、絶縁膜９１）の倒壊を抑制することができる。
バッチ処理部３０ｂに搬送された複数の基板Ｗは、バッチ処理部３０ｂによって一括的にリンス処理される。これによって、それぞれの基板Ｗに付着した薬液がリンス液に置換される。
次に、バッチ間搬送部６０は、バッチ処理部３０ｂから複数の基板Ｗを受け取り、受け取った複数の基板Ｗをバッチ処理部３０ｃに搬送する。この搬送においても、複数の基板Ｗは処理液（ここではリンス液）が付着した状態で搬送される。したがって、この搬送においても、乾燥に起因する基板Ｗの３次元構造の倒壊を抑制することができる。
図１の例では、バッチ枚葉間搬送部７０は、バッチ処理部３０ｃに対してＹ軸負方向に設けられている。バッチ枚葉間搬送部７０は、バッチ間搬送部６０によってバッチ処理部３０ｃから取り出された複数の基板Ｗを受け取り、それぞれの基板Ｗを１枚ずつ枚葉処理部５０に搬送する。
バッチ枚葉間搬送部７０は、ＩＰＡが付着している状態の基板Ｗをバッチ間搬送部６０から取り出す。そして、バッチ枚葉間搬送部７０は、水平姿勢の基板Ｗそれぞれを１枚ずつ枚葉処理部５０に搬送する。
図１の例では、枚葉処理部５０はバッチ枚葉間搬送部７０に対してＹ軸負方向に設けられている。また、図１の例では、複数の枚葉処理部５０が平面視において行列状に配列されている。具体的な一例として、４つの枚葉処理部５０が２行２列の行列状に配列されている。バッチ枚葉間搬送部７０はそれぞれの枚葉処理部５０に対して１枚ずつ基板Ｗを搬送する。
枚葉処理部５０は基板Ｗに対して、少なくとも乾燥処理を行う。乾燥処理は特に制限されないものの、たとえば、スピンドライであってもよい。すなわち、枚葉処理部５０は、基板Ｗの中心部を通り、かつ、Ｚ軸に沿う回転軸線Ｑ１のまわりで基板Ｗを回転させることによって、基板Ｗを乾燥させてもよい。枚葉処理部５０は１枚ずつ基板Ｗを乾燥させるので、より高い乾燥性能で基板Ｗを乾燥させることができる。したがって、乾燥に起因する基板Ｗの３次元構造の倒壊を抑制することができる。
なお、枚葉処理部５０は乾燥処理よりも前の処理として、適宜に、純水またはＩＰＡなどを基板Ｗの主面に供給してもよい。
また、枚葉処理部５０は事前処理として、撥水膜を形成するための処理液を基板Ｗの表面に供給して撥水膜を形成した上で、水またはＩＰＡなどを供給してもよい。これによって、乾燥処理における基板Ｗの３次元構造の倒壊を抑制することができる。
また、枚葉処理部５０は事前処理として、基板Ｗの表面に超臨界液体を供給してもよい。これによっても、乾燥処理における基板Ｗの３次元構造の倒壊を抑制することができる。
バッチ枚葉間搬送部７０は、それぞれの枚葉処理部５０から乾燥処理済みの基板Ｗを取り出し、中継ユニット１２を通じて、インデクサ搬送部２０に該基板Ｗを搬送する。中継ユニット１２は、複数の基板ＷをＺ軸方向に沿って並べた状態で複数の基板Ｗを収納する収納器（不図示）を含んでいる。
バッチ枚葉間搬送部７０は枚葉処理部５０から１枚ずつ基板Ｗを中継ユニット１２に搬送する。この搬送の度に、中継ユニット１２に収納される基板Ｗの枚数が増える。中継ユニット１２に所定枚数（たとえば、２５枚）の基板Ｗが収納されると、インデクサ搬送部２０は中継ユニット１２から複数の基板Ｗを一括して取り出し、該複数の基板Ｗをロードポート１１のキャリアＣ１に搬送する。
＜基板処理装置の動作の例について＞
図３は、本実施の形態に関する、基板Ｗに対する処理工程の一例を概略的に示すフローチャートである。図３に例が示されるように、まず、複数の基板Ｗに対して、バッチ式の薬液処理が行われる（ステップＳＴ１）。
次に、複数の基板Ｗに対しバッチ式のリンス処理が行われる（ステップＳＴ２）。
次に、複数の基板Ｗに対しバッチ式のＩＰＡ処理が行われる（ステップＳＴ３）。
次に、それぞれの基板Ｗに対し枚葉式の乾燥処理が行われる（ステップＳＴ４）。
枚葉処理部５０によって乾燥された基板Ｗはバッチ枚葉間搬送部７０、中継ユニット１２およびインデクサ搬送部２０を経由してキャリアＣ１に搬送される。
以上のように、基板処理装置１０によれば、バッチ処理部３０が複数の基板Ｗを一括して処理することができる（ステップＳＴ１およびステップＳＴ２）。これによって、高いスループットで基板Ｗを処理することができる。
そして、バッチ式の処理の後には複数の基板ＷはＩＰＡが付着している状態となるので、バッチ処理部３０ｃから枚葉処理部５０へ搬送する間に、基板Ｗが乾燥することを抑制することができる。したがって、当該乾燥に起因する基板Ｗの３次元構造の倒壊を抑制することができる。
ここで、上記のようにＩＰＡを付着させた状態で基板Ｗを搬送する態様は、基板Ｗが疎水性である場合に特に望ましい。一方で、基板Ｗが親水性である場合には、リンス液（純水）を付着させた状態で基板Ｗを搬送することが望ましい。
よって、基板Ｗが疎水性である場合には、バッチ間搬送部６０でバッチ処理部３０ｃまで基板Ｗを搬送した後、ＩＰＡが付着している状態の基板Ｗをバッチ枚葉間搬送部７０へ搬送することが望ましい。一方で、基板Ｗが親水性である場合には、バッチ間搬送部６０でバッチ処理部３０ｂまで基板Ｗを搬送した後、リンス液（純水）が付着している状態の基板Ｗをバッチ枚葉間搬送部７０へ搬送することが望ましい。
また、基板Ｗは枚葉処理部５０によって１枚ずつ乾燥処理を施される（ステップＳＴ４）。すなわち、本実施の形態では、バッチ式のウェット処理の後には、バッチ式ではなく、枚葉式の乾燥処理が行われる。したがって、高い乾燥性能で基板Ｗを乾燥させることができる。したがって、乾燥に起因する基板Ｗの３次元構造の倒壊を抑制することができる。
＜それぞれの構成の具体例について＞
以下、基板処理装置１０のそれぞれの構成の具体的な一例について述べる。
＜インデクサ搬送部について＞
図１の例では、インデクサ搬送部２０は搬送ロボット２１を含んでいる。搬送ロボット２１は、ロードポート１１よりもＸ軸正方向において、Ｙ軸方向に沿って移動可能に設けられている。搬送ロボット２１は、ロードポート１１に載置されたそれぞれのキャリアＣ１とＸ軸方向において向かい合う位置で停止することができる。
図１の例では、搬送ロボット２１は複数（たとえば、２５個）のハンド２１１と起立支持部材２１２とを含む。複数のハンド２１１は、Ｚ軸方向において並んで設けられている。搬送ロボット２１は、複数のハンド２１１を移動させることによって、未処理の複数の基板ＷをキャリアＣ１から取り出す。これによって、それぞれのハンド２１１の上には１枚の基板Ｗが載置される。
それぞれのハンド２１１には、その根本部において基板Ｗを支持する起立支持部材２１２が設けられている。起立支持部材２１２は、Ｘ軸方向において移動可能に設けられており、ハンド２１１の上に基板Ｗが保持された状態でＸ軸負方向に移動することによって、基板ＷのＸ軸負方向の端部をその厚み方向において挟持する。
ここでは、搬送ロボット２１は、複数の基板Ｗの姿勢を水平姿勢から起立姿勢に変換させる姿勢変換機能を有している。具体的には、搬送ロボット２１は、Ｙ軸方向に沿う回転軸線のまわりで複数のハンド２１１を９０度回転させる。この回転はたとえば、モータなどによって実現される。これによって、基板Ｗの厚み方向はＸ軸方向に沿う。また、搬送ロボット２１は、Ｚ軸方向に沿う回転軸線のまわりで複数のハンド２１１を９０度回転させる。この回転もたとえば、モータなどによって実現される。これによって、基板Ｗの厚み方向はＹ軸方向に沿う。ここでは、搬送ロボット２１は、基板Ｗの表面がＹ軸負方向を向くように、基板Ｗの姿勢を変換する。そして、搬送ロボット２１は複数の基板Ｗを保持したまま、その移動経路のＹ軸正方向の端に移動し、複数の基板Ｗをバッチ間搬送部６０に渡す。
以上のように、インデクサ搬送部２０は未処理の複数の基板ＷをキャリアＣ１から取り出し、基板Ｗの姿勢を起立姿勢に変換し、起立姿勢の複数の基板Ｗをバッチ間搬送部６０に搬送する。
また、搬送ロボット２１は、その移動経路の所定の位置において、中継ユニット１２から処理済みの複数の基板Ｗを一括して取り出す。そして、搬送ロボット２１は処理済みの複数の基板Ｗをロードポート１１のキャリアＣ１に収納する。
＜バッチ処理部について＞
次に、バッチ処理部３０について説明する。図１の例では、複数のバッチ処理部３０は、Ｘ軸方向に沿って一列に配列されている。
図４は、バッチ処理部３０の構成の一例を概略的に示す図である。バッチ処理部３０は、処理槽３１とリフタ３２とを含んでいる。処理槽３１はＺ軸正方向に開口する箱形状を有し、処理液を貯留する。
リフタ３２は、複数の基板Ｗを起立姿勢で保持する複数（図では３つ）の保持部材３３と、保持部材３３を支持するベース３４と、ベース３４を昇降させる昇降機構３５とを含む。それぞれの保持部材３３は、Ｙ軸方向に延在する長尺状の形状を有し、そのＹ軸正方向の基端部がベース３４に取り付けられている。それぞれの保持部材３３には複数の溝（不図示）がＹ軸方向に並んで形成されている。該溝のピッチは複数の基板Ｗのピッチと等しい。保持部材３３のそれぞれの溝に基板Ｗの端部が挿入されることで、複数の保持部材３３が複数の基板Ｗを起立姿勢で保持する。ベース３４は板状の形状を有しており、その厚み方向がＹ軸方向に沿う姿勢で設けられる。昇降機構３５はベース３４を昇降させることによって、保持部材３３によって保持された複数の基板Ｗを昇降させる。以下、昇降機構３５による昇降の主体をリフタ３２として説明することがある。
リフタ３２は複数の基板Ｗを、処理槽３１よりもＺ軸正方向の受渡位置と、処理槽３１内の処理位置との間で昇降させる。受渡位置は、リフタ３２とバッチ間搬送部６０との間で複数の基板を受け渡しする際の位置である。図４の例では、受渡位置に位置するリフタ３２が実線で示されている。処理位置は、複数の基板Ｗが処理液に浸漬する位置である。リフタ３２が複数の基板Ｗを処理位置に移動させることによって、複数の基板Ｗに対する処理が行われる。図４の例では、処理位置に位置するリフタ３２および基板Ｗが模式的に二点鎖線で示されている。
なお、バッチ処理部３０には、処理槽３１に処理液を供給する供給部、および、処理槽３１から処理液を排出する排出部が設けられる。また、必要に応じて、処理槽３１内の処理液にガスを供給するガス供給部、および、処理槽３１のＺ軸正方向から溢れさせた処理液を再び処理槽３１に戻す循環部の少なくともいずれか一方がバッチ処理部３０に設けられてもよい。
上記の場合では、バッチ処理部３０は基板Ｗを処理液（薬液、リンス液またはＩＰＡ）に浸漬させる態様であったが、噴霧状の処理液（薬液、リンス液またはＩＰＡ）を基板Ｗに吹き付ける態様であってもよい。
図５は、バッチ処理部３０の構成の一例を概略的に示す図である。バッチ処理部３３０は、リフタ３２とバット４１と開閉部材４３とノズル４４とを含んでいる。
バット４１は箱形の形状を有している。開閉部材４３はバット４１に設けられており、バット４１の内部空間を密閉する密閉状態と、当該内部空間を外部空間と繋げる開放状態とを切り替える。
図５の例では、バット４１はＺ軸正方向に開口し、開閉部材４３はバット４１のＺ軸正方向の端部に設けられている。開閉部材４３は、蓋またはシャッターである。リフタ３２は、複数の基板Ｗを受渡位置と待機位置との間で昇降させる。
ノズル４４は、バット４１内に設けられており、複数の基板Ｗに対して液体を供給する。ノズル４４は、シャワー状の液体を複数の基板Ｗに吐出するシャワーノズルであってもよく、ミスト状（噴霧状）の液体を複数の基板Ｗに吐出するミストノズルであってもよい。
図５の例では、ノズル４４は、待機位置に位置する複数の基板Ｗに対してＺ軸正方向に設けられている。また、図５の例では、一対のノズル４４が設けられる。それぞれのノズル４４は、Ｘ軸方向において基板Ｗに対して互いに反対側に設けられている。なお、複数のノズル４４がＹ軸方向に沿って配列されてもよい。
ノズル４４は、供給管４４１を通じて供給源に接続されている。供給源は液体を貯留するタンクを有している。供給管４４１にはバルブ４４２が介装される。バルブ４４２が開くことによって、供給源から液体が供給管４４１を通じてノズル４４に供給され、ノズル４４の吐出口から複数の基板Ｗに向けて処理液が吐出される。これによって、複数の基板Ｗに液体が付着する。
複数の基板Ｗから流下した液体は、バット４１の底部に接続された排出部４５を通じて外部に排出されてもよい。排出部４５は、たとえば、排出管とバルブとを含む。
また、上述の例では、ノズル４４は液体を吐出しているものの、液体の蒸気が吐出されてもよい。この場合、供給源は、たとえば液体を加熱して発生させた蒸気を供給管４４１に供給すればよい。液体の蒸気が基板Ｗに供給されると蒸気が基板Ｗの表面で凝結し得るので、基板Ｗに液体を付着させることができる。また、蒸気の供給によって、バット４１の内部空間の蒸気の分圧を飽和蒸気圧に近づけることができるので、基板Ｗの液体の蒸発を抑制することもできる。
また、図５の例では、バット４１に、相対変位機構４６が設けられている。相対変位機構４６は、ノズル４４の吐出口４４ａと基板Ｗとの間の位置関係を変化させる。たとえば、相対変位機構４６は、ノズル４４を複数の基板Ｗに対して昇降させる。この場合、相対変位機構４６は、たとえば、モータを含むボールねじ機構またはカム機構もしくはシリンダ機構等の昇降機構を有する。
相対変位機構４６がノズル４４を昇降させることによって、基板Ｗの表面に液体が付着する位置が変化する。これによって、基板Ｗの表面の広い範囲に液体を付着させることができ、基板Ｗの乾燥を均一に抑制することができる。
＜バッチ間搬送部について＞
バッチ間搬送部６０は、搬送ロボット６５と搬送ロボット６６とを含んでいる。図４の例では、バッチ間搬送部６０の搬送ロボット６５は、一対の保持部材６１１と開閉機構６１３とを含む。
保持部材６１１は、起立姿勢の複数の基板Ｗを保持する部材である。保持部材６１１はＸ軸方向において並んで設けられており、図示しないベース部材に対して変位可能に取り付けられる。
開閉機構６１３は保持部材６１１をそれぞれの閉位置と開位置との間で変位させる。閉位置は、２つの保持部材６１１の間隔が狭い位置であり、保持部材６１１が複数の基板Ｗを挟持する位置である。図４の例では、閉位置に位置する保持部材６１１を二点鎖線で模式的に示している。開位置は、２つの保持部材６１１の間隔が閉位置での間隔よりも広い位置であり、保持部材６１１が複数の基板Ｗの保持を解除する位置である。開閉機構６１３は、たとえば、モータまたはエアシリンダを有する。
搬送ロボット６５はバッチ処理部３０ａとバッチ処理部３０ｂとの直上をＸ軸方向において移動可能に設けられている。搬送ロボット６５の移動機構（たとえば、ボールねじ機構）はバッチ処理部３０よりもＹ軸正方向に設けられている。搬送ロボット６５は、その移動経路内のＸ軸負方向の端部において、インデクサ搬送部２０（たとえば、搬送ロボット２１）から起立姿勢の複数の基板Ｗを受け取る。ここでは、搬送ロボット６５は、基板Ｗの表面がＹ軸正方向を向く起立姿勢で複数の基板Ｗを受け取る。そして、搬送ロボット６５は該複数の基板Ｗをバッチ処理部３０ａ、バッチ処理部３０ｂにこの順で搬送する。
搬送ロボット６６は、バッチ処理部３０ｂとバッチ処理部３０ｃとの直上をＸ軸方向に沿って移動可能に設けられている。搬送ロボット６６はバッチ処理部３０ｂから起立姿勢の複数の基板Ｗを受け取り、該複数の基板Ｗをバッチ処理部３０ｃに搬送する。
また、搬送ロボット６６はバッチ処理部３０ｃから起立姿勢の複数の基板Ｗを受け取り、複数の基板Ｗの姿勢を起立姿勢（鉛直姿勢）から水平姿勢に変換する。
図６および図７は、搬送ロボット６６の構成の一例を概略的に示す図である。図６は、Ｙ軸方向に沿って見た場合の搬送ロボット６６を示し、図７は、Ｚ軸方向に沿って見た場合の搬送ロボット６６を示す。
図６および図７に例が示されるように、搬送ロボット６６は、一対の保持部材６６１とベース６６２と開閉機構６６３と回転機構６６４とを含む。保持部材６６１は、複数の基板Ｗを保持する部材である。
保持部材６６１は、接触部材６６１１と支持部材６６１２と回転部材６６１３とを含んでいる。それぞれの支持部材６６１２は、たとえば、Ｙ軸方向に長い長尺状の形状を有しており、そのＹ軸正方向の基端部がベース６６２に対して変位可能に取り付けられている。２つの支持部材６６１２はＸ軸方向において互いに間隔を空けて設けられている。
開閉機構６６３は、支持部材６６１２をそれぞれの開位置と閉位置との間で変位させる。閉位置は、２つの支持部材６６１２の間隔が狭い位置であり、保持部材６６１が複数の基板Ｗを支持する位置である。開位置は、２つの支持部材６６１２の間隔が広い位置であり、保持部材６６１が基板Ｗの保持を解除する位置である。開閉機構６６３は、たとえば、モータまたはエアシリンダなどを有する。
それぞれの回転部材６６１３は、回転軸線Ｑ５のまわりで回転可能に支持部材６６１２に取り付けられている。回転軸線Ｑ５はＸ軸方向に沿う軸である。２つの回転部材６６１３は同軸上に設けられている。
回転部材６６１３の互いに近い側の端部には、接触部材６６１１が設けられている。すなわち、Ｘ軸負方向の回転部材６６１３のＸ軸正方向端部には、Ｘ軸負方向に位置する接触部材６６１１が設けられ、Ｘ軸正方向の回転部材６６１３のＸ軸負方向端部には、Ｘ軸正方向に位置する接触部材６６１１が設けられている。
接触部材６６１１は、ベース６６２に対して、支持部材６６１２および回転部材６６１３と一体に変位する。したがって、開閉機構６６３が支持部材６６１２を閉位置に移動させると、接触部材６６１１同士の間の間隔を狭くなる。この閉位置において、接触部材６６１１は起立姿勢の複数の基板Ｗを支持する。
図６の例では、接触部材６６１１は、接触部材６６１１同士の間の間隔がＺ軸負方向に向かうにつれて狭くなる弧状形状を有している。閉位置において、それぞれの接触部材６６１１のＺ軸負方向の部分が複数の基板Ｗの側面に接触して、複数の基板Ｗを支持する。また、接触部材６６１１の互いに向かい合う面には、Ｙ軸方向に沿って並ぶ複数の溝が形成される。当該溝のピッチは複数の基板Ｗのピッチと等しい。それぞれの溝に基板Ｗの端部が挿入されることで、それぞれの基板Ｗがそれぞれの接触部材６６１１によってＹ軸方向でも支持される。これによって、基板Ｗの起立姿勢が維持される。
なお、接触部材６６１１のそれぞれの溝は、それぞれの基板Ｗを接触部材６６１１からＺ軸正方向に引き抜くことができる形状を有している。以下では、起立姿勢において接触部材６６１１のＺ軸正方向の端部をアクセス側端部と称する場合がある。
回転機構６６４は、回転部材６６１３を支持部材６６１２に対して回転軸線Ｑ５のまわりで９０度回転させる。これによって、接触部材６６１１に保持された複数の基板Ｗも回転軸線Ｑ５のまわりで９０度回転し、基板Ｗの姿勢が起立姿勢（鉛直姿勢）から水平姿勢に変換される。ここでは、回転機構６６４は基板Ｗの表面がＺ軸正方向を向き、かつ、接触部材６６１１のアクセス側端部がＹ軸負方向を向くように複数の基板Ｗを９０度回転させる。
移動機構６６５は、ベース６６２をＸ軸方向に沿って移動させる。これによって、保持部材６６１によって保持された複数の基板ＷをＸ軸方向に沿って移動させることができる。
ここで、バッチ間搬送部６０からバッチ枚葉間搬送部７０への搬送の手順について述べる。まず、移動機構６６５は搬送ロボット６６をバッチ処理部３０ｃに対応する受渡位置に移動させる。次に、開閉機構６６３が保持部材６６１を開位置に移動させ、リフタ３２が、ＩＰＡが付着している状態の複数の基板Ｗを上昇させる。これによって、複数の基板Ｗが２つの保持部材６６１の間に位置する。次に、開閉機構６６３が保持部材６６１を閉位置に移動させる。これによって、保持部材６６１が、ＩＰＡが付着している状態の複数の基板Ｗを保持する。次に、リフタ３２が待機位置に下降し、回転機構６６４が回転部材６６１３を９０度回転させる。これによって、複数の基板Ｗの表面がＺ軸正方向を向き、保持部材６６１のアクセス側端部がＹ軸負方向を向く。
そして、バッチ枚葉間搬送部７０に、ＩＰＡが付着している状態の基板Ｗを搬送することで、さらにバッチ枚葉間搬送部７０が、水平姿勢である基板Ｗをそれぞれの枚葉処理部５０へ搬送することができる。
＜枚葉処理部について＞
図８は、枚葉処理部５０の構成の一例を概略的に示す図である。枚葉処理部５０は、基板保持部５１を含んでいる。基板保持部５１は、基板Ｗを水平姿勢で保持する。図８の例では、基板保持部５１は、ステージ５１１と複数のチャックピン５１２とを含んでいる。ステージ５１１は円板形状を有し、基板ＷよりもＺ軸負方向に設けられる。ステージ５１１は、その厚み方向がＺ軸方向に沿う姿勢で設けられる。
複数のチャックピン５１２は、ステージ５１１のＺ軸正方向の主面（つまり、上面）に設けられている。それぞれのチャックピン５１２は、基板Ｗの周縁に接触するチャック位置と、基板Ｗの周縁から離れる解除位置との間で変位可能に設けられる。複数のチャックピン５１２がそれぞれのチャック位置に移動すると、複数のチャックピン５１２が基板Ｗを保持する。複数のチャックピン５１２がそれぞれの解除位置に移動すると、基板Ｗの保持が解除される。
図８の例では、基板保持部５１は回転機構５１３をさらに含んでおり、回転軸線Ｑ１のまわりで基板Ｗを回転させる。回転軸線Ｑ１は基板Ｗの中心部を通り、かつ、Ｚ軸方向に沿う軸である。たとえば、回転機構５１３はシャフト５１４とモータ５１５とを含む。シャフト５１４のＺ軸正方向の端部（つまり、上端）はステージ５１１のＺ軸負方向の主面（つまり、下面）に連結され、ステージ５１１の下面から回転軸線Ｑ１に沿って延在する。モータ５１５はシャフト５１４を回転軸線Ｑ１のまわりで回転させて、ステージ５１１および複数のチャックピン５１２を一体に回転させる。これによって、複数のチャックピン５１２によって保持された基板Ｗが回転軸線Ｑ１のまわりで回転する。このような基板保持部５１はスピンチャックとも呼ばれ得る。
基板保持部５１が基板Ｗを回転軸線Ｑ１のまわりで高速回転させることによって、基板Ｗに付着した液体を基板Ｗの周縁から飛散させて、基板Ｗを乾燥させることができる（いわゆるスピンドライ）。
図８の例では、枚葉処理部５０はガード５２も含んでいる。ガード５２は筒状の形状を有しており、基板保持部５１によって保持された基板Ｗを囲む。ガード５２は基板Ｗの周縁から飛散した液体を受け止める。
図８の例では、枚葉処理部５０はノズル５３も含んでいる。ノズル５３は基板Ｗへの純水またはイソプロピルアルコールなどの供給に使われる。ノズル５３は、移動機構５４によってノズル処理位置とノズル待機位置との間で移動可能に設けられている。ノズル処理位置は、たとえば、基板Ｗの表面の中央部とＺ軸方向において対向する位置であり、ノズル待機位置は、たとえば、基板Ｗよりも径方向外側の位置である。
移動機構５４は、たとえば、ボールねじ機構などの機構またはアーム旋回機構を有する。ノズル５３がノズル処理位置に位置する状態で、回転中の基板Ｗに純水またはイソプロピルアルコールなどを吐出する。これによって、基板Ｗの表面に着液した液体は遠心力を受けて基板Ｗの表面の全面に広がり、基板Ｗの周縁から外側に飛散する。
＜バッチ枚葉間搬送部について＞
図１の例では、バッチ枚葉間搬送部７０は、搬送ロボット７４と搬送ロボット７３とを含んでいる。
搬送ロボット７４は、Ｘ軸方向に移動可能に設けられる。搬送ロボット７４は、バッチ処理部３０ｃと向かい合う位置に移動可能である。搬送ロボット７４はハンド７４１を含んでおり、ハンド７４１を移動させることで、搬送ロボット６６から水平姿勢の基板Ｗを取り出す。
搬送ロボット７４は、複数のハンド７４１を含んでいてもよい。この場合、搬送ロボット７４は、複数の基板Ｗをハンド７４１によって取り出してもよい。搬送ロボット６６が保持する基板Ｗの枚数以上のハンド７４１が設けられている場合には、搬送ロボット７４は搬送ロボット６６によって保持されたすべての基板Ｗを取り出してもよい。
搬送ロボット７３は、搬送ロボット７４から直接に基板Ｗを取り出してもよいものの、図１の例では、中継ユニット７５が設けられている。中継ユニット７５は、搬送ロボット７４よりもＹ軸負方向に設けられている。中継ユニット７５は、水平姿勢の複数の基板ＷをＺ軸方向に並べて収納する据え置き型の収納器（不図示）を含む。
搬送ロボット７４は、水平姿勢の複数の基板Ｗを中継ユニット７５の収納器に収納する。
搬送ロボット７３は、中継ユニット７５よりもＹ軸負方向に設けられている。搬送ロボット７３はハンド７３１を含んでおり、ハンド７３１を移動させることで中継ユニット７５から基板Ｗを順次に取り出し、該基板Ｗをそれぞれの枚葉処理部５０に搬送する。搬送ロボット７３は、複数のハンド７３１を含んでいてもよい。
搬送ロボット７３は、Ｙ軸方向に沿って移動可能に設けられており、その搬送経路の両側のそれぞれにおいて、複数の枚葉処理部５０がＹ軸方向に沿って並んで配列される。
また、搬送ロボット７３は、乾燥処理済みの基板Ｗをそれぞれの枚葉処理部５０から順次に取り出し、中継ユニット７５に順次に搬送する。これによって、中継ユニット７５内の基板Ｗのすべてがいずれ乾燥処理済みの基板Ｗに置き換わる。
搬送ロボット７４は、乾燥処理済みの複数の基板Ｗを中継ユニット７５から一括して取り出し、該複数の基板Ｗを、中継ユニット１２を介して搬送ロボット２１に搬送する。そして、搬送ロボット２１は複数の基板ＷをキャリアＣ１に搬送する。
＜遮断板について＞
図９は、搬送ロボット６６およびその周辺の構成の一例を概略的に示す図である。図９に例示するように、搬送ロボット６６よりもＺ軸正方向、かつ、ファンフィルターユニット８０よりもＺ軸負方向には、遮蔽板８１が設けられていてもよい。ファンフィルターユニット８０は、筐体１００の上部に設けられ、かつ、クリーンルーム内の空気を取り込んで当該空気を筐体１００内の枚葉処理部５０などに送り出すためのファンおよびフィルタ（たとえば、ｈｉｇｈ ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ ｐａｒｔｉｃｕｌａｔｅ ａｉｒ ｆｉｌｔｅｒ（ＨＥＰＡ）フィルタ）を備える。
遮蔽板８１は、搬送ロボット６６によって保持された複数の基板ＷとＺ軸方向において対向する位置に設けられており、平面視において、搬送ロボット６６によって保持された複数の基板Ｗを覆う。すなわち、平面視における遮蔽板８１の輪郭は、姿勢変換の直前の複数の基板Ｗおよび姿勢変換の直後の複数の基板Ｗの両方を囲む。
これによれば、ファンフィルターユニット８０からの気流が遮蔽板８１によって遮られるので、搬送ロボット６６によって保持された複数の基板Ｗに気流が作用することを抑制することができる。したがって、当該気流に起因する基板Ｗの乾燥を抑制することができるので、乾燥に起因する基板Ｗの３次元構造の倒壊を抑制することができる。
遮蔽板８１は搬送ロボット６６と一体に移動可能であってもよい。たとえば、遮蔽板８１は不図示の固定部材を介して搬送ロボット６６のベース６６２に取り付けられていてもよい。これによれば、搬送ロボット６６の位置によらずに、遮蔽板８１が搬送ロボット６６によって保持された複数の基板Ｗの直上に位置するので、複数の基板Ｗに気流が当たることを確実に抑制することができる。
また、遮蔽板８１は基板処理装置１０の筐体１００に対して移動不能に固定されていてもよい。この場合、遮蔽板８１は搬送ロボット６６の移動領域の全体に設けられていてもよい。
なお、本実施の形態では、姿勢変換の機能は搬送ロボット６６に具備されているが、搬送ロボット６６が姿勢変換の機能を有さずに、搬送ロボット７４が姿勢変換の機能を有していてもよいし、姿勢変換を行うための構成（姿勢変換部）が別途設けられていてもよい。姿勢変換部における姿勢変換のための機構は、たとえば、搬送ロボット６６における保持部材６６１と同様の機構で実現することができる。
姿勢変換部で姿勢変換の機能が実現される場合には、遮蔽板８１を姿勢変換部の上方に位置させる（たとえば、姿勢変換部の上方を覆う蓋形状とする）ことによって、上記と同様に、複数の基板Ｗに気流が当たることを確実に抑制することができる。
＜第２の実施の形態＞
本実施の形態に関する基板処理装置、および、基板処理方法について説明する。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態で説明された構成要素と同様の構成要素については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略するものとする。
＜基板処理装置の構成について＞
図１０は、本実施の形態に関する、基板処理装置１０Ａの構成の一例を概略的に示す平面図である。図１０において、Ｚ軸方向が鉛直上方向である。基板処理装置１０Ａは、基板Ｗに対してウェット処理を行う装置である。
図１０に例が示されるように、基板処理装置１０Ａは、バッチ処理部１３０と、枚葉処理部５０と、バッチ間搬送部６０と、バッチ枚葉間搬送部７０とを備える。
図１０の例では、複数のバッチ処理部１３０がＸ軸方向に沿って一列に配列される。また、図１０の例では、複数のバッチ処理部１３０として、薬液用のバッチ処理部１３０ａと、リンス液用兼ＩＰＡ用のバッチ処理部１３０ｂとが設けられている。
バッチ処理部１３０ａの処理槽は薬液を貯留する。基板処理装置１０Ａが基板Ｗの犠牲膜９２をエッチングする場合、薬液は、犠牲膜９２を除去可能なエッチング液（たとえば、リン酸）を含む。
バッチ処理部１３０ｂの処理槽はリンス液とＩＰＡとを選択的に貯留する。リンス液はたとえば、純水を含む。薬液処理後の複数の基板Ｗがリンス液に浸漬することによって、複数の基板Ｗに付着した薬液をリンス液に置換することができる。さらに、リンス処理後にリンス液を適宜排液して処理槽にＩＰＡを貯留し、複数の基板Ｗが当該ＩＰＡに浸漬することによって、複数の基板Ｗに付着したリンス液をＩＰＡに置換することができる。
バッチ間搬送部６０は、まず、起立姿勢の複数の基板Ｗをインデクサ搬送部２０から受け取り、受け取った複数の基板Ｗをバッチ処理部１３０ａに搬送する。該複数の基板Ｗはバッチ処理部１３０ａによって一括に薬液処理される。
次に、バッチ間搬送部６０は、薬液処理済みの複数の基板Ｗをバッチ処理部１３０ａから受け取り、受け取った複数の基板Ｗをバッチ処理部１３０ｂに搬送する。
バッチ処理部１３０ｂに搬送された複数の基板Ｗは、バッチ処理部１３０ｂによって一括的にリンス処理され、続いて、ＩＰＡ処理される。これによって、それぞれの基板Ｗに付着した薬液がリンス液、さらにはＩＰＡに置換される。
図１０の例では、バッチ枚葉間搬送部７０は、バッチ処理部１３０ｂに対してＹ軸負方向に設けられている。バッチ枚葉間搬送部７０は、バッチ間搬送部６０によってバッチ処理部１３０ｂから取り出された複数の基板Ｗを受け取り、それぞれの基板Ｗを１枚ずつ枚葉処理部５０に搬送する。
上記の構成によれば、リンス処理とＩＰＡ処理との間で基板Ｗを移動させる必要がないため、基板Ｗの搬送時間を短縮することができ、かつ、搬送中の基板Ｗの乾燥も抑制することができる。
＜第３の実施の形態＞
本実施の形態に関する基板処理装置、および、基板処理方法について説明する。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態で説明された構成要素と同様の構成要素については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略するものとする。
＜基板処理装置の構成について＞
図１１は、本実施の形態に関する、基板処理装置１０Ｂの構成の一例を概略的に示す平面図である。図１１において、Ｚ軸方向が鉛直上方向である。基板処理装置１０Ｂは、基板Ｗに対してウェット処理を行う装置である。
図１１に例が示されるように、基板処理装置１０Ｂは、バッチ処理部２３０と、枚葉処理部５０と、バッチ間搬送部６０と、バッチ枚葉間搬送部７０とを備える。
図１１の例では、バッチ処理部２３０は、薬液用、リンス液用、ＩＰＡ用を兼用する。
バッチ処理部２３０の処理槽は薬液とリンス液とＩＰＡとを選択的に貯留する。基板処理装置１０Ｂが基板Ｗの犠牲膜９２をエッチングする場合、薬液は、犠牲膜９２を除去可能なエッチング液（たとえば、リン酸）を含む。また、リンス液はたとえば、純水を含む。薬液処理後に薬液を適宜排液して処理槽にリンス液を貯留し、複数の基板Ｗが当該リンス液に浸漬することによって、複数の基板Ｗに付着した薬液をリンス液に置換することができる。さらに、リンス処理後にリンス液を適宜排液して処理槽にＩＰＡを貯留し、複数の基板Ｗが当該ＩＰＡに浸漬することによって、複数の基板Ｗに付着したリンス液をＩＰＡに置換することができる。
バッチ間搬送部６０は、起立姿勢の複数の基板Ｗをインデクサ搬送部２０から受け取り、受け取った複数の基板Ｗをバッチ処理部２３０に搬送する。該複数の基板Ｗはバッチ処理部２３０によって一括に薬液処理される。
バッチ処理部２３０における複数の基板Ｗは、さらに、一括的にリンス処理され、続いて、ＩＰＡ処理される。これによって、それぞれの基板Ｗに付着した薬液がリンス液、さらにはＩＰＡに置換される。
図１１の例では、バッチ枚葉間搬送部７０は、バッチ処理部２３０に対してＹ軸負方向に設けられている。バッチ枚葉間搬送部７０は、バッチ間搬送部６０によってバッチ処理部２３０から取り出された複数の基板Ｗを受け取り、それぞれの基板Ｗを１枚ずつ枚葉処理部５０に搬送する。
上記の構成によれば、薬液処理とリンス処理とＩＰＡ処理との間で基板Ｗを移動させる必要がないため、基板Ｗの搬送時間を短縮することができ、かつ、搬送中の基板Ｗの乾燥も抑制することができる。
＜以上に記載された実施の形態によって生じる効果について＞
次に、以上に記載された実施の形態によって生じる効果の例を示す。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態に例が示された具体的な構成に基づいて当該効果が記載されるが、同様の効果が生じる範囲で、本願明細書に例が示される他の具体的な構成と置き換えられてもよい。すなわち、以下では便宜上、対応づけられる具体的な構成のうちのいずれか１つのみが代表して記載される場合があるが、代表して記載された具体的な構成が対応づけられる他の具体的な構成に置き換えられてもよい。
また、当該置き換えは、複数の実施の形態に跨ってなされてもよい。すなわち、異なる実施の形態において例が示されたそれぞれの構成が組み合わされて、同様の効果が生じる場合であってもよい。
以上に記載された実施の形態によれば、基板処理方法において、バッチ処理部３０において、複数の基板Ｗを薬液に浸漬させる工程と、バッチ処理部３０において、薬液に浸漬された後の基板Ｗを、リンス液で洗浄する工程と、バッチ処理部３０において、基板Ｗにおけるリンス液の少なくとも一部をＩＰＡで置換する工程と、ＩＰＡでリンス液が置換された後の基板Ｗを、枚葉処理部５０へ移動させる工程と、枚葉処理部５０において、基板Ｗを乾燥させる工程とを備える。
このような構成によれば、基板Ｗがバッチ処理部３０から枚葉処理部５０に移動する際、基板Ｗのリンス液がＩＰＡに置換された状態となるので、当該移動の際に、基板Ｗの表面における乾燥が抑制される。そのため、親水性または疎水性のいずれの基板Ｗであっても、当該移動の際に、基板Ｗの表面に形成されたパターンが損傷（倒壊）することを抑制することができる。また、ＩＰＡの表面張力が水よりも小さいので、基板Ｗの表面に付与されたＩＰＡの液面の位置が変動しても、基板Ｗの表面に形成されたパターンに与える力（表面張力）の影響が水の場合よりも小さくなる。したがって、基板Ｗがバッチ処理部３０から枚葉処理部５０に移動する際に基板Ｗに水を付与する場合よりも、基板Ｗの表面に形成されたパターンの損傷を抑制することができる。
なお、特段の制限がない場合には、それぞれの処理が行われる順序は変更することができる。
また、上記の構成に本願明細書に例が示された他の構成を適宜追加した場合、すなわち、上記の構成としては言及されなかった本願明細書中の他の構成が適宜追加された場合であっても、同様の効果を生じさせることができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、ＩＰＡは、希釈ＩＰＡを含む。このような構成によれば、リンス液をＩＰＡに置換する工程によって希釈化された使用済みのＩＰＡであっても、当該ＩＰＡの濃度があらかじめ定められた値を下回らない限り、リンス液をＩＰＡに置換する工程に当該ＩＰＡを再利用することができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、基板Ｗにおけるリンス液をＩＰＡで置換する工程は、噴霧状のＩＰＡが基板Ｗに吹き付けられる工程である。このような構成によれば、基板ＷをＩＰＡに浸漬させる場合に限られない自由度が高い方法で、基板Ｗにおけるリンス液をＩＰＡに置換することができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、基板処理方法において、ＩＰＡでリンス液が置換された後の基板Ｗの姿勢を鉛直姿勢から水平姿勢へ変換する工程を備える。このような構成によれば、基板Ｗが、バッチ処理部３０において基板処理が行われる際の鉛直姿勢から、枚葉処理部５０において基板処理が行われる際の水平姿勢へ姿勢が変換されるため、バッチ処理部３０から枚葉処理部５０までの移動時間が長くなる。しかしながら、当該移動の際にも基板Ｗのリンス液はＩＰＡに置換された状態であるので、当該移動の際の基板Ｗの表面における乾燥が効果的に抑制される。
また、以上に記載された実施の形態によれば、基板処理方法は、枚葉処理部５０において、基板Ｗを乾燥させる工程の前に、基板Ｗにおけるリンス液をＩＰＡで置換する工程を備える。このような構成によれば、バッチ処理部３０におけるリンス液をＩＰＡで置換する処理が十分でない場合（すなわち、置換されなかった薬液またはリンス液が残存する場合）であっても、枚葉処理部５０における乾燥処理の前にＩＰＡで置換する処理を再度行うことによって、迅速かつ適切に乾燥処理を行うことができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、薬液に浸漬された後の基板Ｗは、３次元の表面パターンを有する積層基板である。このような構成によれば、基板Ｗの表面に形成されるパターンのアスペクト比が大きくなるため、基板Ｗにおいて、乾燥に起因する損傷が生じやすくなる。しかしながら、基板Ｗがバッチ処理部３０から枚葉処理部５０に移動する際、基板Ｗのリンス液がＩＰＡに置換された状態となるので基板Ｗの表面における乾燥が抑制される。その結果、乾燥に起因する損傷が効果的に抑制される。
また、以上に記載された実施の形態によれば、基板Ｗにおけるリンス液をＩＰＡで置換する工程は、基板Ｗが疎水性である場合に行い、かつ、基板Ｗが親水性である場合に行わないように選択可能である。そして、基板Ｗを枚葉処理部５０へ移動させる工程は、基板Ｗが親水性である場合、リンス液で洗浄された後の基板Ｗを枚葉処理部５０へ移動させる工程である。このような構成によれば、基板Ｗの性質に応じて、基板Ｗがバッチ処理部３０から枚葉処理部５０に移動する際に基板Ｗに付与される液を選択することができる。
以上に記載された実施の形態によれば、基板処理装置は、複数の基板Ｗに対する処理を行うバッチ処理部３０と、１枚の基板Ｗに対する処理を行う枚葉処理部５０と、基板Ｗをバッチ処理部３０から枚葉処理部５０へ移動させる移動部とを備える。ここで、移動部は、たとえば、バッチ枚葉間搬送部７０などに対応するものである。バッチ処理部３０は、複数の基板Ｗを薬液に浸漬させる浸漬部と、薬液に浸漬された後の基板Ｗを、リンス液で洗浄する液洗浄部と、基板Ｗにおけるリンス液をＩＰＡで置換する置換部とを備える。ここで、浸漬部、液洗浄部および置換部は、たとえば、バッチ処理部３０ａ、バッチ処理部３０ｂおよびバッチ処理部３０ｃそれぞれにおける処理槽３１に対応するものである。そして、バッチ枚葉間搬送部７０は、ＩＰＡでリンス液が置換された後の基板Ｗを、枚葉処理部５０へ移動させる。また、枚葉処理部５０は、バッチ処理部３０から移動された基板Ｗを乾燥させる乾燥部を備える。ここで、乾燥部は、たとえば、基板Ｗを保持しつつ回転させる基板保持部５１などに対応するものである。
このような構成によれば、基板Ｗがバッチ処理部３０から枚葉処理部５０に移動する際、基板Ｗのリンス液がＩＰＡに置換された状態となるので、当該移動の際に、基板Ｗの表面における乾燥が抑制される。そのため、親水性または疎水性のいずれの基板Ｗであっても、当該移動の際に、基板Ｗの表面に形成されたパターンが損傷（倒壊）することを抑制することができる。また、ＩＰＡの表面張力が水よりも小さいので、基板Ｗの表面に付与されたＩＰＡの液面の位置が変動しても、基板Ｗの表面に形成されたパターンに与える力（表面張力）の影響が水の場合よりも小さくなる。したがって、基板Ｗがバッチ処理部３０から枚葉処理部５０に移動する際に基板Ｗに水を付与する場合よりも、基板Ｗの表面に形成されたパターンの損傷を抑制することができる。
なお、上記の構成に本願明細書に例が示された他の構成を適宜追加した場合、すなわち、上記の構成としては言及されなかった本願明細書中の他の構成が適宜追加された場合であっても、同様の効果を生じさせることができる。
＜以上に記載された実施の形態の変形例について＞
以上に記載された実施の形態では、それぞれの構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面においてひとつの例であって、限定的なものではないものとする。
したがって、例が示されていない無数の変形例と均等物とが、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。たとえば、少なくとも１つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも１つの実施の形態における少なくとも１つの構成要素を抽出し、他の実施の形態における構成要素と組み合わせる場合が含まれるものとする。
また、以上に記載された実施の形態において、特に指定されずに材料名などが記載された場合は、矛盾が生じない限り、当該材料に他の添加物が含まれた、たとえば、合金などが含まれるものとする。
１０，１０Ａ，１０Ｂ 基板処理装置
１１ ロードポート
１２，７５ 中継ユニット
２０ インデクサ搬送部
２１，６５，６６，７３，７４ 搬送ロボット
３０，３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，１３０，１３０ａ，１３０ｂ，２３０，３３０ バッチ処理部
３１ 処理槽
３２ リフタ
３３，６１１，６６１ 保持部材
３４，６６２ ベース
３５ 昇降機構
４１ バット
４３ 開閉部材
４４，５３ ノズル
４４ａ 吐出口
４５ 排出部
４６ 相対変位機構
５０ 枚葉処理部
５１ 基板保持部
５２ ガード
５４，６６５ 移動機構
６０ バッチ間搬送部
７０ バッチ枚葉間搬送部
８０ ファンフィルターユニット
８１ 遮蔽板
９０ 積層構造
９１ 絶縁膜
９２ 犠牲膜
９３ 支持層
９４ トレンチ
１００ 筐体
２１１，７３１，７４１ ハンド
２１２ 起立支持部材
４４１ 供給管
４４２ バルブ
５１１ ステージ
５１２ チャックピン
５１３，６６４ 回転機構
５１４ シャフト
５１５ モータ
６１３，６６３ 開閉機構
６６１１ 接触部材
６６１２ 支持部材
６６１３ 回転部材

Claims (8)

  1. 複数の基板に対する処理を行うバッチ処理部と、１枚の前記基板に対する処理を行う枚葉処理部とを使って基板処理を行う基板処理方法であり、
    前記バッチ処理部において、複数の前記基板を薬液に浸漬させる工程と、
    前記バッチ処理部において、前記薬液に浸漬された後の前記基板を、リンス液で洗浄する工程と、
    前記バッチ処理部において、前記基板における前記リンス液の少なくとも一部をＩＰＡで置換する工程と、
    前記ＩＰＡで前記リンス液が置換された後の前記基板を、前記枚葉処理部へ移動させる工程と、
    前記枚葉処理部において、前記基板を乾燥させる工程とを備える、
    基板処理方法。
  2. 請求項１に記載の基板処理方法であり、
    前記ＩＰＡは、希釈ＩＰＡを含む、
    基板処理方法。
  3. 請求項１または２に記載の基板処理方法であり、
    前記基板における前記リンス液を前記ＩＰＡで置換する工程は、噴霧状の前記ＩＰＡが前記基板に吹き付けられる工程である、
    基板処理方法。
  4. 請求項１から３のうちのいずれか１つに記載の基板処理方法であり、
    前記ＩＰＡで前記リンス液が置換された後の前記基板の姿勢を鉛直姿勢から水平姿勢へ変換する工程をさらに備える、
    基板処理方法。
  5. 請求項１から４のうちのいずれか１つに記載の基板処理方法であり、
    前記枚葉処理部において、前記基板を乾燥させる工程の前に、前記基板における前記リンス液を前記ＩＰＡで置換する工程をさらに備える、
    基板処理方法。
  6. 請求項１から５のうちのいずれか１つに記載の基板処理方法であり、
    前記薬液に浸漬された後の前記基板は、３次元の表面パターンを有する積層基板である、
    基板処理方法。
  7. 請求項１から６のうちのいずれか１つに記載の基板処理方法であり、
    前記基板における前記リンス液を前記ＩＰＡで置換する工程は、前記基板が疎水性である場合に行い、かつ、前記基板が親水性である場合に行わないように選択可能であり、
    前記基板を前記枚葉処理部へ移動させる工程は、前記基板が親水性である場合、前記リンス液で洗浄された後の前記基板を前記枚葉処理部へ移動させる工程である、
    基板処理方法。
  8. 複数の基板に対する処理を行うバッチ処理部と、
    １枚の前記基板に対する処理を行う枚葉処理部と、
    前記基板を前記バッチ処理部から前記枚葉処理部へ移動させる移動部とを備え、
    前記バッチ処理部は、
    複数の前記基板を薬液に浸漬させる浸漬部と、
    前記薬液に浸漬された後の前記基板を、リンス液で洗浄する液洗浄部と、
    前記基板における前記リンス液をＩＰＡで置換する置換部とを備え、
    前記移動部は、前記ＩＰＡで前記リンス液が置換された後の前記基板を、前記枚葉処理部へ移動させ、
    前記枚葉処理部は、
    前記バッチ処理部から移動された前記基板を乾燥させる乾燥部を備える、
    基板処理装置。
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