CN117280445A - 基板处理方法以及基板处理装置 - Google Patents

基板处理方法以及基板处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN117280445A
CN117280445A CN202280033830.7A CN202280033830A CN117280445A CN 117280445 A CN117280445 A CN 117280445A CN 202280033830 A CN202280033830 A CN 202280033830A CN 117280445 A CN117280445 A CN 117280445A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
substrates
batch
processing section
batch processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202280033830.7A
Other languages
English (en)
Inventor
松永恭幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Publication of CN117280445A publication Critical patent/CN117280445A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations

Abstract

本发明的课题为抑制基板从批处理部朝单片处理部移动时的基板的损伤。基板处理方法具备：在批处理部中使复数片基板浸渍于药液的工序；在批处理部中以清洗液洗净被浸渍于药液后的基板的工序；在批处理部中以IPA置换基板上的清洗液的至少一部分的工序；使以IPA置换清洗液后的基板移动至单片处理部的工序；以及在单片处理部中使基板干燥的工序。

Description

基板处理方法以及基板处理装置
技术领域
本发明所公开的技术为一种基板处理的技术。在此，成为处理对象的基板例如包括半导体晶圆、液晶显示设备用玻璃基板、有机EL(electrolumine scence；电致发光)显示设备等平面显示器(FPD；flat panel display)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光罩用玻璃基板、陶瓷基板、场发射显示器(FED；field emission display)用基板或者太阳电池用基板等。
背景技术
以往已知有一种批次式的处理装置(以下亦称为批处理部)，使用磷酸蚀刻基板上的氮化硅膜(例如参照专利文献1)。由于批处理装置能一次处理复数片基板，因此处理量高。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2016-502275号公报。
发明内容
发明要解决的问题
在上述批处理装置中洗净经过药液处理的基板且进一步使基板干燥时，若形成于基板的表面图案为复杂的图案(例如三维构造)，则会有干燥变得不充分的情形。
另一方面，若为用以逐片地处理基板的单片式的处理装置(以下亦称为单片处理部)，则由于干燥能力高，因此能适当地进行上述干燥。
然而，会有下述情形：在基板从批处理部朝单片处理部移动时在基板发生非意图性的干燥，从而产生表面图案的损伤等问题。
本发明所公开的技术有鉴于以上所记载的问题而研创，用以抑制基板从批处理部朝单片处理部移动时的基板的损伤。
用于解决问题的手段
本发明所公开的技术的第一实施方式的基板处理方法用于使用批处理部以及单片处理部进行基板处理，所述批处理部对复数片基板进行处理，所述单片处理部对一片所述基板进行处理。所述基板处理方法具备：在所述批处理部中使复数片所述基板浸渍于药液的工序；在所述批处理部中以清洗液洗净被浸渍于所述药液后的所述基板的工序；在所述批处理部中以异丙醇(IP A；isopropyl alcohol)置换所述基板上的所述清洗液的至少一部分的工序；使已以所述异丙醇置换所述清洗液后的所述基板移动至所述单片处理部的工序；以及在所述单片处理部中使所述基板干燥的工序。
本发明所公开的技术的第二实施方式的基板处理方法如第一实施方式所记载的基板处理方法，其中所述异丙醇包括稀释异丙醇。
本发明所公开的技术的第三实施方式的基板处理方法如第一实施方式或第二实施方式所记载的基板处理方法，其中，以所述异丙醇置换所述基板上的所述清洗液的工序为将喷雾状的所述异丙醇吹附至所述基板的工序。
本发明所公开的技术的第四实施方式的基板处理方法如第一实施方式至第三实施方式中任一实施方式所记载的基板处理方法，其中，进一步具备：使已以所述异丙醇置换所述清洗液后的所述基板的姿势从铅垂姿势变换成水平姿势的工序。
本发明所公开的技术的第五实施方式的基板处理方法如第一实施方式至第四实施方式中任一实施方式所记载的基板处理方法，其中，进一步具备：在所述单片处理部中使所述基板干燥的工序之前，以所述异丙醇置换所述基板上的所述清洗液的工序。
本发明所公开的技术的第六实施方式的基板处理方法如第一实施方式至第五实施方式中任一实施方式所记载的基板处理方法，其中，被浸渍于所述药液后的所述基板为具有三维的表面图案的层叠基板。
本发明所公开的技术的第七实施方式的基板处理方法如第一实施方式至第六实施方式中任一实施方式所记载的基板处理方法，其中，以所述异丙醇置换所述基板上的所述清洗液的工序能够以下述方式选择：在所述基板为疏水性的情形中进行，而在所述基板为亲水性的情形中则不进行；使所述基板朝所述单片处理部移动的工序为下述工序：在所述基板为亲水性的情形中，使被所述清洗液洗净后的所述基板朝所述单片处理部移动。
本发明所公开的技术的第八实施方式的基板处理装置具备：批处理部，对复数片基板进行处理；单片处理部，对一片所述基板进行处理；以及移动部，使所述基板从所述批处理部移动至所述单片处理部；所述批处理部具备：浸渍部，使复数片所述基板浸渍于药液；液体洗净部，以清洗液洗净被浸渍于所述药液后的所述基板；以及置换部，以异丙醇置换所述基板上的所述清洗液。所述移动部使已以所述异丙醇置换所述清洗液后的所述基板移动至所述单片处理部。所述单片处理部具备：干燥部，使已从所述批处理部移动的所述基板干燥。
发明的效果
依据本发明所公开的技术的至少第一实施方式以及第八实施方式，由于基板从批处理部移动至单片处理部时成为基板的清洗液被置换成异丙醇的状态，因此在这种移动时能抑制基板的表面的干燥。因此，即使为亲水性或者疏水性中任一者的基板，皆能抑制在这种移动时形成于基板的表面的图案损伤(崩坏)。此外，由于异丙醇的表面张力比水还小，因此即使被赋予至基板的表面的异丙醇的液面的位置变动，赋予至形成于基板的表面的图案的力(表面张力)的影响亦会变的比水的情形还小。因此，与基板从批处理部移动至单片处理部时对基板赋予水的情形相比，能抑制形成于基板的表面的图案的损伤。
此外，通过以下所示的详细的说明以及说明书附图可更明了与本发明所公开的技术关连的目的、特征、实施方式以及优点。
附图说明
图1是概略性地示出实施方式的基板处理装置的构成的一例的俯视图。
图2是局部性且概略性地示出形成于基板的三维构造的例子的图。
图3是概略性地示出实施方式中的对基板的处理工序的一例的流程图。
图4是概略性地示出批处理部的构成的一例的图。
图5是概略性地示出批处理部的构成的一例的图。
图6是概略性地示出搬运机器人的构成的一例的图。
图7是概略性地示出搬运机器人的构成的一例的图。
图8是概略性地示出单片处理部的构成的一例的图。
图9是概略性地示出搬运机器人及其周边的构成的一例的图。
图10是概略性地示出实施方式中的基板处理装置的构成的一例的俯视图。
图11是概略性地示出实施方式中的基板处理装置的构成的一例的俯视图。
具体实施方式
以下参照随附的附图说明实施方式。虽然在以下的实施方式中为了说明技术亦示出了详细的特征等，然而这些详细的特征等仅为例示，这些详细的特征等并非全部皆是可据以实施的实施方式所必须的特征。
此外，附图为概略性地示出的图，为了方便说明，在附图中适当地将构成省略或者将构成简化。此外，于不同的附图分别示出的构成等的大小以及位置的相互关系并未正确地记载，会适当地变更。此外，为了容易理解实施方式的内容，亦会有在非为剖视图的俯视图等附图中附上阴影线的情形。
此外，在以下所示的说明中，于同样的构成要素附上相同的附图示记来图示，且这些构成要素的名称以及功能皆视为相同。因此，会有为了避免重复而省略这些构成要素的详细说明的情形。
此外，在以下所记载的说明中，在记载成“具备”、“包含”或者“具有”某个构成要素等的情形中，只要未特别说明则这种记载并非是将其它的构成要素的存在予以排除的排他式的表现。
此外，在以下所记载的说明中，即使在使用了“第一”或者“第二”等排序数字的情形中，这些用语也是为了容易理解实施方式的内容而适宜使用的用语，而非是限定于这些排序数字所产生的顺序等。
此外，在本说明书中所记载的说明中，“…轴正方向”或者“…轴负方向”等的表现将附图中的沿着…轴的箭头的方向作为正方向，将附图中的与…轴的箭头相反侧的方向作为负方向。
只要未特别地说明，则本说明书所记载的说明中的用以表示相对性或者绝对性的位置关系的表现，例如“朝一方向”、“沿着一方向”、“平行”、“正交”、“中心”、“同心”或者“同轴”等不仅严密地表示所指称的位置关系，亦表示在公差或者能获得相同程度的功能的范围内角度或者距离相对性地位移的状态。
此外，在本说明书中所记载的说明中，即使在使用了表示“上”、“下”、“左”、“右”、“侧”、“底”、“表”或者“背”等特定的位置或者方向的用语的情形中，这些用语也是为了容易理解实施方式的内容而适宜使用的用语，而与实际实施时的位置或者方向无关。
<第一实施方式>
以下，说明本实施方式的基板处理装置以及基板处理方法。
<关于基板处理装置10的整体构成>
图1是概略性地示出本实施方式的基板处理装置10的构成的一例的俯视图。在图1中，Z轴方向为铅垂上方向。基板处理装置10为用以对基板W进行湿处理的装置。
基板W例如为半导体基板，于基板W的表面形成有表面图案。作为表面图案的具体性的例子，能例举在三维NAND(Not-AND；与非)闪存的制造中途所形成的三维构造。
图2是局部性且概略性地示出形成于基板W的三维构造的例子的图。在图2的例子中，基板W包含支撑层93。支撑层93例如为硅层。而且，于支撑层93的上表面形成有层叠构造90。
层叠构造90包含复数个绝缘膜91以及复数个牺牲膜92。绝缘膜91以及牺牲膜92在Z轴方向处交互地层叠。绝缘膜91例如为二氧化硅膜，牺牲膜92例如为氮化硅膜。绝缘膜91以及牺牲膜92的厚度例如为1nm以上且50nm以下。
此外，于层叠构造90形成有沟槽94。沟槽94沿着基板W的厚度方向贯通层叠构造90。此外，于层叠构造90设置有未图示的柱。在牺牲膜92已被去除的情形中，柱支撑绝缘膜91。柱的宽度(与基板W的主表面平行的宽度)例如为1nm以上且50nm以下。
在本实施方式中，虽然针对基板处理装置10蚀刻牺牲膜92的情形作为具体性的一例来说明，然而基板处理装置10也可对基板W进行其它的处理。以下，概略说明基板处理装置10的整体构成的一例，之后再详细说明各个构成的一例。
如图1的例子所示，基板处理装置10具备批处理部30、单片处理部50、批次间搬运部60以及批次单片间搬运部70，批处理部30一次处理复数片基板W(即进行批次式的基板处理)，单片处理部50逐片地处理基板W(即进行单片式的基板处理)。
此外，在图1的例子中，基板处理装置10包含框体100，框体100至少收纳批处理部30、单片处理部50、批次间搬运部60以及批次单片间搬运部70。即，在图1的例子中，基板处理装置10为并合式的基板处理装置，该并合式的基板处理装置中，批处理部30以及单片处理部50混合存在于同一个框体100内。
在图1的例子中，于基板处理装置10亦设置有作为搬入端的装载端11，装载端11从外部被搬入有复数片基板W。于装载端11搬入有用以收纳复数片基板W的可搬动型的收纳器(以下称为承载器C1)。在图1的例子中，在装载端11中复数个承载器C1沿着Y轴方向载置成一列。
作为承载器C1，也可采用用以将基板W收纳至密闭空间的前开式晶圆传送盒(FOUP；Front Opening Unified Pod)、标准机械化接口(SMIF；Standard MechanicalInter Face)盒或者用以将基板W暴露于外气的开放式匣(OC；Open Cassette)。在此，复数片基板W以基板W的表面为朝向Z轴正方向的水平姿势且在Z轴方向排列的状态下被收纳至承载器C1。在此所谓的水平姿势为基板W的厚度方向沿着Z轴方向的姿势。被收纳至承载器C1内的基板W的片数并未特别限定，例如为25片。
在图1的例子中，于基板处理装置10亦设置有分度器搬运部20，分度器搬运部20在各个承载器C1与批次间搬运部60之间搬运复数片基板W。分度器搬运部20设置于框体100内。分度器搬运部20从各个承载器C1一次性地取出复数片基板W，将基板W的姿势从水平姿势变换成立起姿势(铅垂姿势)，将立起姿势的复数片基板W搬运至批次间搬运部60。在此所谓立起姿势(铅垂姿势)为基板W的厚度方向沿着水平方向的姿势。
分度器搬运部20以例如基板W的表面朝向Y轴负方向的立起姿势将复数片基板W传递至批次间搬运部60。
批次间搬运部60从分度器搬运部20一次性地接取立起姿势的复数片基板W，并将所接取的复数片基板W一次性地按序搬运至批处理部30。
批处理部30为批次式的处理装置，用以对复数片基板W一次性地进行湿处理。具体而言，批处理部30包含后述的处理槽31。于处理槽31储留有处理液。复数片基板W浸渍于处理槽31内的处理液，借此批处理部30能对复数片基板W一次性地进行与处理液相应的处理。
在图1的例子中，复数个批处理部30沿着X轴方向排列成一列。此外，在图1的例子中，作为复数个批处理部30，设置有药液用的批处理部30a、清洗液用的批处理部30b以及属于有机溶剂的异丙醇(以下简称为IPA)用的批处理部30c。
批处理部30a的处理槽31储留药液。在基板处理装置10蚀刻基板W的牺牲膜92的情形中，药液包含能够去除牺牲膜92的蚀刻液(例如磷酸)。复数片基板W浸渍于药液，借此药液能通过各个基板W的沟槽94作用于牺牲膜92并蚀刻牺牲膜92。
批处理部30b的处理槽31储留清洗液。清洗液包含例如纯水。药液处理后的复数片基板W浸渍于清洗液，借此能将附着于复数片基板W的药液置换成清洗液。
批处理部30c的处理槽31储留IPA。清洗处理后的复数片基板W浸渍于IPA，借此能将附着于复数片基板W的清洗液的至少一部分置换成IPA。
在此，批处理部30c的处理槽31中的IPA也可为经过稀释化的稀释IP A。稀释IPA也可通过在批处理部30c的处理槽31中进行复数次IPA处理并于IPA混入有清洗液(纯水)从而被稀释化。即，只要批处理部30c的处理槽31中的IPA的浓度不低于预先设定的值，则批处理部30c的处理槽31中的IPA也可在复数次的IPA处理中反复地被使用。
首先，批次间搬运部60从分度器搬运部20接取立起姿势的复数片基板W，并将所接取的复数片基板W搬运至批处理部30a。该复数片基板W被批处理部30a一次性地进行药液处理。由此，例如去除各个基板W的牺牲膜92。通过牺牲膜92的去除，绝缘膜91变得不被牺牲膜92支撑。因此，绝缘膜91容易崩坏。
接着，批次间搬运部60从批处理部30a接取药液处理完毕的复数片基板W，并将所接取的复数片基板W搬运至批处理部30b。在这种搬运中，复数片基板W在附着有处理液(在此为药液)的状态下被搬运。因此，在这种搬运中，能抑制因为干燥导致基板W的三维构造(例如绝缘膜91)的崩坏。
被搬运至批处理部30b的复数片基板W被批处理部30b一次性地进行清洗处理。因此，附着于各个基板W的药液被置换成清洗液。
接着，批次间搬运部60从批处理部30b接取复数片基板W，并将所接取的复数片基板W搬运至批处理部30c。在这种搬运中，复数片基板W在附着有处理液(在此为清洗液)的状态下被搬运。因此，在这种搬运中，能抑制因为干燥导致基板W的三维构造的崩坏。
在图1的例子中，批次单片间搬运部70相对于批处理部30c设置于Y轴负方向。批次单片间搬运部70接取由批次间搬运部60从批处理部30c取出的复数片基板W，并将复数片基板W逐片地搬运至单片处理部50。
批次单片间搬运部70从批次间搬运部60取出附着有IPA的状态的基板W。接着，批次单片间搬运部70将水平姿势的基板W分别逐片地搬运至单片处理部50。
在图1的例子中，单片处理部50相对于批次单片间搬运部70设置于Y轴负方向。此外，在图1的例子中，俯视观看时复数个单片处理部50排列成行列状。作为具体性的一例，四个单片处理部50排列成两行两列的行列状。批次单片间搬运部70逐片地将基板W搬运至各个单片处理部50。
单片处理部50对基板W至少进行干燥处理。干燥处理并没有特别限定，例如也可为旋干。即，单片处理部50也可使基板W绕着通过基板W的中心部且沿着Z轴的旋转轴线Q1旋转，借此使基板W干燥。由于单片处理部50逐片地使基板W干燥，因此能以更高的干燥性能使基板W干燥。因此，能抑制因为干燥导致基板W的三维构造的崩坏。
此外，单片处理部50也可适当地将纯水或者IPA等供给至基板W的主表面以作为干燥处理前的处理。
此外，单片处理部50也可将用以形成拨水膜的处理液供给至基板W的表面并形成拨水膜后再供给水或者IPA等以作为事前处理。因此，能进一步地抑制干燥处理中的基板W的三维构造的崩坏。
此外，单片处理部50也可对基板W的表面供给超临界液体以作为事前处理。因此，亦能抑制干燥处理中的基板W的三维构造的崩坏。
批次单片间搬运部70从各个单片处理部50取出干燥处理完毕的基板W，并通过中继单元12将该基板W搬运至分度器搬运部20。中继单元12包含收纳器(未图示)，收纳器以将复数片基板W沿着Z轴方向排列的状态收纳复数片基板W。
批次单片间搬运部70从单片处理部50逐片地将基板W搬运至中继单元12。在每次搬运时，被收纳至中继单元12的基板W的片数增加。当于中继单元12收纳有预定片数(例如25片)的基板W时，分度器搬运部20从中继单元12一次性地取出复数片基板W，并将该复数片基板W搬运至装载端11的承载器C1。
<关于基板处理装置10的动作的例子>
图3是概略地示出本实施方式中的针对基板W的处理工序的一例的流程图。如图3所示，首先，对复数片基板W进行批次式的药液处理(步骤ST 1)。
接着，对复数片基板W进行批次式的清洗处理(步骤ST2)。
接着，对复数片基板W进行批次式的IPA处理(步骤ST3)。
接着，对各个基板W进行单片式的干燥处理(步骤ST4)。
被单片处理部50干燥后的基板W经由批次单片间搬运部70、中继单元12以及分度器搬运部20被搬运至承载器C1。
如上所述，根据基板处理装置10，批处理部30能一次性地处理复数片基板W(步骤ST1以及步骤ST2)。因此，能以高的处理量处理基板W。
接着，在批次式的处理后，由于复数片基板W成为附着有IPA的状态，因此能在从批处理部30c朝向单片处理部50搬运的期间抑制基板W干燥。因此，能抑制因为该干燥导致基板W的三维构造的崩坏。
在此，如上述般在使IPA附着的状态下搬运基板W的实施方式尤其期望基板W为疏水性的情形。另一方面，在基板W为亲水性的情形中，期望在附着有清洗液(纯水)的状态下搬运基板W。
因此，在基板W为疏水性的情形中，期望在以批次间搬运部60将基板W搬运至批处理部30c后，再将附着有IPA的状态的基板W搬运至批次单片间搬运部70。另一方面，在基板W为亲水性的情形中，期望在以批次间搬运部60将基板W搬运至批处理部30b后，再将附着有清洗液(纯水)的状态的基板W搬运至批次单片间搬运部70。
此外，基板W被单片处理部50逐片地施予干燥处理(步骤ST4)。即，在本实施方式中，在批次式的湿处理后进行单片式的干燥处理而不是进行批次式的干燥处理。因此，能以高的干燥性能使基板W干燥。因此，能抑制因为干燥导致基板W的三维构造的崩坏。
<关于各个构成的具体例>
以下，说明基板处理装置10的各个构成的具体性的一例。
<关于分度器搬运部20>
在图1的例子中，分度器搬运部20包含搬运机器人21。搬运机器人21在比装载端11更位于X轴正方向处设置成能够地沿着Y轴方向移动。搬运机器人21能在X轴方向与被载置于装载端11的各个承载器C1相互对向的位置停止。
在图1的例子中，搬运机器人21包含立起支撑构件212以及复数个(例如25个)手部211。复数个手部211在Z轴方向排列地设置。搬运机器人21使复数个手部211移动，借此从承载器C1取出未处理的复数片基板W。因此，于各个手部211上载置有一片基板W。
于各个手部211设置有立起支撑构件212，立起支撑构件212在手部211的根部支撑基板W。立起支撑构件212设置成能够于X轴方向移动，在手部211上保持有基板W的状态下朝X轴负方向移动，借此在厚度方向处夹持基板W的X轴负方向的端部。
在此，搬运机器人21具有姿势变换功能，姿势变换功能将复数片基板W的姿势从水平姿势变换成立起姿势。具体而言，搬运机器人21使复数个手部211绕着沿着Y轴方向的旋转轴线旋转90度。这种旋转通过例如马达等来实现。因此，基板W的厚度方向沿着X轴方向。此外，搬运机器人21使复数个手部211绕着沿着Z轴方向的旋转轴线旋转90度。这种旋转亦通过例如马达等来实现。因此，基板W的厚度方向沿着Y轴方向。在此，搬运机器人21以基板W的表面朝向Y轴负方向的方式变换基板W的姿势。接着，搬运机器人21在保持复数片基板W的状态下朝搬运机器人21的动作路径的Y轴正方向的端部移动，并将复数片基板W传递至批次间搬运部60。
如上所述，分度器搬运部20从承载器C1取出未处理的复数片基板W，将基板W的姿势变换成立起姿势，并将立起姿势的复数片基板W搬运至批次间搬运部60。
此外，搬运机器人21在搬运机器人21的动作路径的预定位置处从中继单元12一次性地取出处理完毕的复数片基板W。接着，搬运机器人21将处理完毕的复数片基板W收纳至装载端11的承载器C1。
<关于批处理部30>
接着，说明批处理部30。在图1的例子中，复数个批处理部30沿着X轴方向排列成一列。
图4是概略性地示出批处理部30的构成的一例的图。批处理部30包含处理槽31以及升降机32。处理槽31具有于Z轴正方向呈开口的箱形状，用以储留处理液。
升降机32包含：复数个(在图中为三个)保持构件33，将复数片基板W以立起姿势保持；基座34，支撑保持构件33；以及升降机构35，使基座34升降。各个保持构件33具有于Y轴方向延伸的长条状的形状，各个保持构件33的Y轴正方向的基端部安装于基座34。于各个保持构件33的Y轴方向排列地形成有复数个沟(未图示)。该沟的间距与复数片基板W的间距相等。基板W的端部被插入至保持构件33的各个沟，借此复数个保持构件33将复数片基板W以立起姿势保持。基座34具有板状的形状，基座34的厚度方向以沿着Y轴方向的姿势设置。升降机构35使基座34升降，借此使被保持构件33保持的复数片基板W升降。以下，会有将升降机构35进行升降的主体作为升降机32来说明的情形。
升降机32使复数片基板W在比处理槽31还要位于Z轴正方向的传递位置与处理槽31内的处理位置之间升降。传递位置为在升降机32与批次间搬运部60之间进行复数片基板W的传递时的位置。在图4的例子中以实线示出位于传递位置的升降机32。处理位置为复数片基板W浸渍于处理液的位置。升降机32使复数片基板W移动至处理位置，借此对复数片基板W进行处理。在图4的例子中亦以二点链线示意性地示出位于处理位置的升降机32以及基板W。
此外，于批处理部30设置有：供给部，对处理槽31供给处理液；以及排出部，从处理槽31排出处理液。此外，也可根据应需要，于批处理部30设置有气体供给部以及循环部中的至少任一者，该气体供给部对处理槽31内的处理液供给气体，该循环部将从处理槽31的Z轴正方向溢出的处理液再次返回至处理槽31。
在上述情形中，虽然批处理部30为使基板W浸渍于处理液(药液、清洗液或者IPA)的实施方式，然而也可为将喷雾状的处理液(药液、清洗液或者IPA)喷吹至基板W的实施方式。
图5是概略性地示出批处理部330的构成的一例的图。批处理部330包含升降机32、槽41、开闭构件43以及喷嘴44。
槽41具有箱形的形状。开闭构件43设置于槽41，用以切换密闭状态与开放状态，该密闭状态为将槽41的内部空间密闭的状态，该开放状态为将槽41的内部空间与外部空间连通的状态。
在图5的例子中，槽41于Z轴正方向呈开口，开闭构件43设置于槽41的Z轴正方向的端部。开闭构件43为盖子或者挡门。升降机32使复数片基板W在传递位置与待机位置之间升降。
喷嘴44设置于槽41内，用以对复数片基板W供给液体。喷嘴44也可为用以将喷淋状的液体喷出至复数片基板W的喷淋喷嘴，也可为用以将雾气状(喷雾状)的液体喷出至复数片基板W的雾气喷嘴。
在图5的例子中，喷嘴44相对于位于待机位置的复数片基板W设置于Z轴正方向。此外，在图5的例子中，设置有一对喷嘴44。各个喷嘴44在X轴方向处相对于基板W彼此设置于相反侧。此外，复数个喷嘴44也可沿着Y轴方向排列。
喷嘴44通过供给管441连接于供给源。供给源具有用以储留液体的储槽。于供给管441夹设有阀442。阀442打开，借此液体从供给源通过供给管441被供给至喷嘴44，并从喷嘴44的喷出口朝向复数片基板W喷出处理液。因此，液体附着于复数片基板W。
从复数片基板W流下的液体也可通过连接于槽41的底部的排出部45被排出至外部。排出部45例如包含排出管以及阀。
此外，在上述例子中，虽然喷嘴44喷出液体，然而也可喷出液体的蒸气。在此情形中，只要供给源将加热液体所产生的蒸气供给至供给管441即可。当液体的蒸气被供给至基板W时，由于蒸气会在基板W的表面凝结，因此能使液体附着于基板W。此外，由于能通过蒸气的供给使槽41的内部空间的蒸气的分压接近至饱和蒸气压，因此亦能抑制基板W的液体蒸发。
此外，在图5的例子中，于槽41设置有相对位移机构46。相对位移机构46使喷嘴44的喷出口44a与基板W之间的位置关系变化。例如，相对位移机构46使喷嘴44相对于复数片基板W升降。在此情形中，相对位移机构46例如具有：包含马达的滚珠螺杆机构或者凸轮机构、或者汽缸等升降机构。
相对位移机构46使喷嘴44升降，借此附着于基板W的表面的液体的位置变化。因此，能使液体附着于基板W的表面中的宽广的范围，从而能均匀地抑制基板W的干燥。
<关于批次间搬运部60>
批次间搬运部60包含搬运机器人65以及搬运机器人66。在图4的例子中，批次间搬运部60的搬运机器人65包含开闭机构613以及一对保持构件611。
保持构件611为用以保持立起姿势的复数片基板W的构件。保持构件611在X轴方向排列地设置，且以能够相对于未图示的基座构件位移的方式安装。
开闭机构613使保持构件611在各自的关闭位置与开放位置之间位移。关闭位置为两个保持构件611的间隔狭窄的位置，且为保持构件611夹持复数片基板W的位置。在图4的例子中以二点链线示意性地示出位于关闭位置的保持构件611。开放位置为两个保持构件611的间隔比在关闭位置的间隔还宽的位置，且为保持构件611解除复数片基板W的保持的位置。开闭机构613具有例如马达或者汽缸。
搬运机器人65以能够在X轴方向移动的方式设置于批处理部30a与批处理部30b的正上方。搬运机器人65的移动机构(例如滚珠螺杆机构)设置于比批处理部30还位于Y轴正方向的位置。搬运机器人65在搬运机器人65的动作路径内的X轴负方向的端部处从分度器搬运部20(例如搬运机器人21)接取立起姿势的复数片基板W。在此，搬运机器人65以基板W的表面朝向Y轴正方向的立起姿势接取复数片基板W。而且，搬运机器人65将该复数片基板W按序搬运至批处理部30a以及批处理部30b。
搬运机器人66以能够沿着X轴方向移动的方式设置于批处理部30b以及批处理部30c的正上方。搬运机器人66从批处理部30b接取立起姿势的复数片基板W，并将该复数片基板W搬运至批处理部30c。
此外，搬运机器人66从批处理部30c接取立起姿势的复数片基板W，并将复数片基板W的姿势从立起姿势(铅垂姿势)变换成水平姿势。
图6以及图7是概略性地示出搬运机器人66的构成的一例的图。图6示出沿着Y轴方向观看时的搬运机器人66，图7示出沿着Z轴方向观看时的搬运机器人66。
如图6以及图7的例子所示，搬运机器人66包含一对保持构件661、基座662、开闭机构663以及旋转机构664。保持构件661为用以保持复数片基板W的构件。
保持构件661包含接触构件6611、支撑构件6612以及旋转构件6613。各个支撑构件6612具有例如沿着Y轴方向延伸的长条状的形状，且支撑构件6612的Y轴正方向的基端部以能够相对于基座662位移的方式安装。两个支撑构件6612在X轴方向彼此隔着间隔地设置。
开闭机构663使支撑构件6612分别在开放位置与关闭位置之间位移。关闭位置为两个支撑构件6612的间隔狭窄的位置，且为保持构件661支撑复数片基板W的位置。开放位置为两个支撑构件6612的间隔宽的位置，且为保持构件661解除基板W的保持的位置。开闭机构663例如具有马达或者汽缸等。
各个旋转构件6613以能够绕着旋转轴线Q5旋转的方式安装于支撑构件6612。旋转轴线Q5为沿着X轴方向的轴。两个旋转构件6613设置于同轴上。
于旋转构件6613中的彼此接近之侧的端部设置有接触构件6611。即，于X轴负方向的旋转构件6613的X轴正方向端部设置有位于X轴负方向的接触构件6611，于X轴正方向的旋转构件6613的X轴负方向端部设置有位于X轴正方向的接触构件6611。
接触构件6611与支撑构件6612以及旋转构件6613一体地相对于基座662位移。因此，当开闭机构663使支撑构件6612移动至关闭位置时，接触构件6611彼此之间的间隔变狭窄。在此关闭位置处，接触构件6611支撑立起姿势的复数片基板W。
在图6的例子中，接触构件6611具有接触构件6611彼此之间的间隔随着朝向Z轴负方向而变窄的弧状形状。在关闭位置处，各个接触构件6611的Z轴负方向的部分接触至复数片基板W的侧面并支撑复数片基板W。此外，于接触构件6611中的彼此相向的面形成有复数个沟，复数个沟沿着Y轴方向排列。该沟的间距与复数片基板W的间距相等。基板W的端部被插入至各个沟，借此各个基板W亦在Y轴方向被各个接触构件6611支撑。因此，维持基板W的立起姿势。
此外，接触构件6611的各个沟具有能将各个基板W从接触构件6611朝Z轴正方向取出的形状。以下，会有将在立起姿势中的接触构件6611的Z轴正方向的端部称为存取侧端部的情形。
旋转机构664使旋转构件6613相对于支撑构件6612绕着旋转轴线Q5旋转90度。因此，被接触构件6611保持的复数片基板W亦绕着旋转轴线Q5旋转90度，从而基板W的姿势从立起姿势(铅垂姿势)被变换成水平姿势。在此，旋转机构664以基板W的表面朝向Z轴正方向且接触构件6611的存取侧端部朝向Y轴负方向的方式使复数片基板W旋转90度。
移动机构665使基座662沿着X轴方向移动。因此，能使被保持构件661保持的复数片基板W沿着X轴方向移动。
在此，说明从批次间搬运部60朝向批次单片间搬运部70的搬运的顺序。首先，移动机构665使搬运机器人66移动至与批处理部30c对应的传递位置。接着，开闭机构663使保持构件661移动至开放位置，升降机32使附着有IPA的状态的复数片基板W上升。因此，复数片基板W位于两个保持构件661之间。接着，开闭机构663使保持构件661移动至关闭位置。因此，保持构件661保持附着有IPA的状态的复数片基板W。接着，升降机32下降至待机位置，旋转机构664使旋转构件6613旋转90度。因此，复数片基板W的表面朝向Z轴正方向，保持构件661的存取侧端部朝向Y轴负方向。
接着，将附着有IPA的状态的基板W搬运至批次单片间搬运部70，借此批次单片间搬运部70能将水平姿势的基板W搬运至各个单片处理部50。
<关于单片处理部50>
图8是概略性地示出单片处理部50的构成的一例的图。单片处理部50包含基板保持部51。基板保持部51以水平姿势保持基板W。在图8的例子中，基板保持部51包含台511以及复数个夹具销512。台511具有圆板形状，并设置于比基板W还位于Z轴负方向的位置。台511以台511的厚度方向沿着Z轴方向的姿势设置。
复数个夹具销512设置于台511的Z轴正方向的主表面(即上表面)。各个夹具销512设置成能够在夹持位置与解除位置之间位移，夹持位置为各个夹具销512接触基板W的周缘的位置，解除位置为复数个夹具销512从基板W的周缘离开的位置。当复数个夹具销512移动至各自的夹持位置时，复数个夹具销512保持基板W。当复数个夹具销512移动至各自的解除位置时，解除基板W的保持。
在图8的例子中，基板保持部51进一步包含旋转机构513，用以使基板W绕着旋转轴线Q1旋转。旋转轴线Q1为通过基板W的中心部并沿着Z轴方向的轴。例如，旋转机构513包含轴件514以及马达515。轴件514的Z轴正方向的端部(即上端)连结于台511的Z轴负方向的主表面(即下表面)，并从台511的下表面沿着旋转轴线Q1延伸。马达515使轴件514绕着旋转轴线Q1旋转，并使台511以及复数个夹具销512一体地旋转。因此，被复数个夹具销512保持的基板W绕着旋转轴线Q1旋转。这种基板保持部51亦能称为自转夹具。
基板保持部51使基板W绕着旋转轴线Q1高速旋转，借此使附着于基板W的液体从基板W的周缘飞散从而能使基板W干燥(所谓的旋干)。
在图8的例子中，单片处理部50亦包含防护罩52。防护罩52具有筒状的形状，并围绕被基板保持部51保持的基板W。防护罩52接住从基板W的周缘飞散的液体。
在图8的例子中，单片处理部50亦包含喷嘴53。喷嘴53用于向基板W供给纯水或者异丙醇等。喷嘴53设置成能够通过移动机构54在喷嘴处理位置与喷嘴待机位置之间移动。喷嘴处理位置例如为在Z轴方向与基板W的表面的中央部相向的位置，喷嘴待机位置例如为比基板W还位于径方向外侧的位置。
移动机构54例如具有滚珠螺杆机构等机构或者臂回旋机构。喷嘴53在位于喷嘴处理位置的状态下对旋转中的基板W喷出纯水或者异丙醇等。因此，附着于基板W的表面的液体受到离心作用从而扩展至基板W的表面整面，并从基板W的周缘飞散至外侧。
<关于批次单片间搬运部70>
在图1的例子中，批次单片间搬运部70包含搬运机器人73以及搬运机器人74。
搬运机器人74设置成能够于X轴方向移动。搬运机器人74能够移动至与批处理部30c彼此相向的位置。搬运机器人74包含手部741，使手部741移动，借此从搬运机器人66取出水平姿势的基板W。
搬运机器人74也可包含复数个手部741。在此情形中，搬运机器人74也可利用手部741取出复数片基板W。在设置有搬运机器人66所保持的基板W的片数以上的手部741的情形中，搬运机器人74也可取出被搬运机器人66保持的全部的基板W。
虽然搬运机器人73也可直接从搬运机器人74取出基板W，然而在图1的例子中也可设置有中继单元75。中继单元75设置于比搬运机器人74还要位于Y轴负方向的位置。中继单元75包含静置型的收纳器(未图示)，该收纳器将水平姿势的复数片基板W于Z轴方向排列地收纳。
搬运机器人74将水平姿势的复数片基板W收纳至中继单元75的收纳器。
搬运机器人73设置于比中继单元75还要位于Y轴负方向的位置。搬运机器人73包含手部731，使手部731移动，借此从中继单元75按序取出基板W，并将该基板W搬运至各个单片处理部50。搬运机器人73也可包含复数个手部731。
搬运机器人73设置成能够沿着Y轴方向移动，在搬运机器人73的搬运路径的两侧处分别设置有复数个单片处理部50，复数个单片处理部50沿着Y轴方向排列地配置。
此外，搬运机器人73从各个单片处理部50按序取出干燥处理完毕的基板W并按序搬运至中继单元75。因此，中继单元75内的基板W的全部皆被置换成干燥处理完毕的基板W。
搬运机器人74从中继单元75一次性地取出干燥处理完毕的复数片基板W，将该复数片基板W经由中继单元12搬运至搬运机器人21。接着，搬运机器人21将复数片基板W搬运至承载器C1。
<关于遮蔽板81>
图9是概略性地示出搬运机器人66以及搬运机器人66的周边的构成的一例的图。如图9所例示般，也可于比搬运机器人66还要位于Z轴正方向且比风扇过滤器单元80还要位于Z轴负方向的位置设置有遮蔽板81。风扇过滤器单元80具备：风扇以及过滤器(例如HEPA(High Efficiency Partic ulate Air；高效率粒子空气)过滤器)，设置于框体100的上部，用以取入无尘室内的空气并将该空气输送至框体100内的单片处理部50等。
遮蔽板81设置于在Z轴方向与被搬运机器人66保持的复数片基板W相向的位置，且俯视观看时覆盖被搬运机器人66保持的复数片基板W。即，俯视观看时的遮蔽板81的轮廓围绕即将姿势变换前的复数片基板W以及刚姿势变换后的复数片基板W双方。
因此，由于来自风扇过滤器单元80的气流被遮蔽板81遮蔽，因此能抑制气流作用于被搬运机器人66保持的复数片基板W。因此，由于能抑制因为气流导致基板W干燥，因此能抑制因为干燥导致基板W的三维构造的崩坏。
遮蔽板81也可与搬运机器人66一体性移动。例如，遮蔽板81也可经由未图示的固定构件安装于搬运机器人66的基座662。因此，不论搬运机器人66的位置为何，由于遮蔽板81位于被搬运机器人66保持的复数片基板W的正上方，因此能更确实地抑制气流碰撞至复数片基板W。
或者，遮蔽板81也可被固定从而无法相对于基板处理装置10的框体100移动。在此情形中，遮蔽板81也可设置于搬运机器人66的移动区域整体。
此外，在本实施方式中，虽然搬运机器人66具有姿势变换部的功能，然而搬运机器人66也可不具有姿势变换的功能，而是搬运机器人74具有姿势变换的功能；也可另外设置有用以进行姿势变换的构成(姿势变换部)。姿势变换部中的姿势变换用的机构例如能通过与搬运机器人66中的保持构件661同样的机构来实现。
在利用姿势变换部来实现姿势变换的功能的情形中，使遮蔽板81位于姿势变换部的上方(例如作成覆盖姿势变换部的上方的盖形状)，借此与上述说明同样地能确实地抑制气流碰撞至复数片基板W。
<第二实施方式>
说明本实施方式的基板处理装置以及基板处理方法。此外，在以下的说明中，针对与以上所记载的实施方式所说明的构成要素相同的构成要素附上相同的附图示记来图示，并适当地省略详细的说明。
<关于基板处理装置10A的构成>
图10是概略性地示出本实施方式的基板处体装置10A的构成的一例的俯视图。在图10中，Z轴方向为铅垂上方向。基板处理装置10A为用以对基板W进行湿处理的装置。
如图10的例子所示，基板处理装置10A具备批处理部130、单片处理部50、批次间搬运部60以及批次单片间搬运部70。
在图10的例子中，复数个批处理部130沿着X轴方向排列成一列。此外，在图10的例子中，作为复数个批处理部130，设置有药液用的批处理部130a以及清洗液用兼IPA用的批处理部130b。
批处理部130a的处理槽储留药液。在基板处理装置10A蚀刻基板W的牺牲膜92的情形中，药液包含能够去除牺牲膜92的蚀刻液(例如磷酸)。
批处理部130b的处理槽选择性地储留清洗液以及IPA。清洗液包含例如纯水。药液处理后的复数片基板W浸渍于清洗液，借此能将附着于复数片基板W的药液置换成清洗液。再者，在清洗处理后将清洗液适当地排液并将IPA储留于处理槽，将复数片基板W浸渍于该IPA，借此能将附着于复数片W的清洗液置换成IPA。
首先，批次间搬运部60从分度器搬运部20接取立起姿势的复数片基板W，并将所接取的复数片基板W搬运至批处理部130a。该复数片基板W被批处理部130a一次性地进行药液处理。
接着，批次间搬运部60从批处理部130a接取药液处理完毕的复数片基板W，并将所接取的复数片基板W搬运至批处理部130b。
被搬运至批处理部130b的复数片基板W被批处理部130b一次性地进行清洗处理，接着进行IPA处理。因此，附着于各个基板W的药液被置换成清洗液，再被置换成IPA。
在图10的例子中，批次单片间搬运部70相对于批处理部130b设置于Y轴负方向。批次单片间搬运部70接取被批次间搬运部60从批处理部130b取出的复数片基板W，并将各个基板W逐片地搬运至单片处理部50。
依据上述构成，由于无须使基板W在清洗处理与IPA处理之间移动，因此能缩短基板W的搬运时间且亦能抑制搬运中的基板W的干燥。
<第三实施方式>
说明本实施方式的基板处理装置以及基板处理方法。此外，在以下的说明中，针对与以上所记载的实施方式所说明的构成要素相同的构成要素附上相同的附图示记来图示，并适当地省略详细的说明。
<关于基板处理装置10B的构成>
图11是概略性地示出本实施方式的基板处体装置10B的构成的一例的俯视图。在图11中，Z轴方向为铅垂上方向。基板处理装置10B为用以对基板W进行湿处理的装置。
如图11的例子所示般，基板处理装置10B具备批处理部230、单片处理部50、批次间搬运部60以及批次单片间搬运部70。
在图11的例子中，批处理部230兼作为药液用、清洗液用、IPA用。
批处理部230的处理槽选择性地储留药液、清洗液以及IPA。在基板处理装置10B蚀刻基板W的牺牲膜92的情形中，药液包含能够去除牺牲膜92的蚀刻液(例如磷酸)。此外，清洗液包含例如纯水。在药液处理后将药液适当地排液并将清洗液储留于处理槽，复数片基板W浸渍于该清洗液，借此能将附着于复数片基板W的药液置换成清洗液。再者，在清洗处理后将清洗液适当地排液并将IPA储留于处理槽，将复数片基板W浸渍于该IPA，借此能将附着于复数片W的清洗液置换成IPA。
批次间搬运部60从分度器搬运部20接取立起姿势的复数片基板W，并将所接取的复数片基板W搬运至批处理部230。该复数片基板W被批处理部230一次性地进行药液处理。
批处理部230中的复数片基板W进一步地被一次性地进行清洗处理，接着进行IPA处理。因此，附着于各个基板W的药液被置换成清洗液，再被置换成IPA。
在图11的例子中，批次单片间搬运部70相对于批处理部230设置于Y轴负方向。批次单片间搬运部70接取被批次间搬运部60从批处理部230取出的复数片基板W，并将各个基板W逐片地搬运至单片处理部50。
依据上述构成，由于无须使基板W在药液处理、清洗处理以及IPA处理之间移动，因此能缩短基板W的搬运时间且亦能抑制搬运中的基板W的干燥。
<关于通过以上所记载的实施方式所产生的技术效果>
接着，示出通过以上所记载的实施方式所产生的技术效果的例子。此外，在以下的说明中，虽然依据以上所记载的实施方式的例子所示的具体性的构成记载了该技术效果，然而也可在产生同样技术效果的范围内与本发明说明书的例子所示的其它的具体性的构成置换。即，虽然以下为了方便说明会有仅以被赋予对应的具体性的构成中的任一者作为代表来记载的情形，然而也可将作为代表来记载的具体性的构成置换成赋予对应的其它的具体性的构成。
此外，该置换也可横跨多个实施方式。即，也可有组合在不同的实施方式中的例子所示的各个构成来产生同样技术效果的情形。
依据以上所记载的实施方式，基板处理方法具备：在批处理部30中使复数片基板W浸渍于药液的工序；在批处理部30中以清洗液洗净被浸渍于药液后的基板W的工序；在批处理部30中以IPA置换基板W中的清洗液的至少一部分的工序；使已以IPA置换清洗液后的基板W移动至单片处理部50的工序；以及在单片处理部50中使基板W干燥的工序。
依据这种构成，由于基板W从批处理部30移动至单片处理部50时成为基板W的清洗液被置换成IPA的状态，因此在这种移动时能抑制基板W的表面的干燥。因此，即使为亲水性或者疏水性中任一者的基板W，皆能抑制这种移动时形成于基板W的表面的图案损伤(崩坏)。此外，由于IPA的表面张力比水还小，因此即使被赋予至基板W的表面的IPA的液面的位置变动，赋予至形成于基板W的表面的图案的力(表面张力)的影响亦会变的比水的情形还小。因此，与基板W从批处理部30移动至单片处理部50时对基板W赋予水的情形相比，能抑制形成于基板W的表面的图案的损伤。
此外，在没有特别限定的情形中，能变更进行各种处理的顺序。
此外，在于上述构成适当地追加了本发明说明书的例子所示的其它的构成的情形中，即在适当地追加了上述构成所未言及的本发明说明书中的其它的构成的情形中，亦能产生同样的技术效果。
此外，依据以上所记载的实施方式，IPA包含稀释IPA。依据这种构成，即使为通过将清洗液置换成IPA的工序而被稀释化的使用完毕的IPA，只要该IPA的浓度未低于预先设定的值，则亦能将该IPA再次利用于将清洗液置换成IPA的工序。
此外，依据以上所记载的实施方式，以IPA置换基板W中的清洗液的工序为将喷雾状的IPA吹附至基板W的工序。依据这种构成，能以未限定于使基板W浸渍于IPA的情形的高自由度的方法将基板W中的清洗液置换成IPA。
此外，依据以上所记载的实施方式，在基板处理方法中具备：使已以IP A置换清洗液后的基板W的姿势从铅垂姿势变换成水平姿势的工序。依据这种构成，由于基板W从在批处理部30中进行基板处理时的铅垂姿势变换成在单片处理部50中进行基板处理时的水平姿势的姿势，因此从批处理部30移动至单片处理部50的时间变长。然而，由于在这种移动时基板W的清洗液也是已被置换成IPA的状态，因此能有效地抑制这种移动时的基板W的表面的干燥。
此外，依据以上所记载的实施方式，基板处理方法具备：在单片处理部50中，使基板W干燥的工序之前，以IPA置换基板W中的清洗液的工序。依据这种构成，即使在以IPA置换批处理部30中的清洗液的处理并不充分的情形中(即残存有未被置换的药液或者清洗液的情形中)，亦能在单片处理部50中的干燥处理之前再次进行以IPA予以置换的处理，借此能迅速且适当地进行干燥处理。
此外，依据以上所记载的实施方式，被浸渍于药液后的基板W为具有三维的表面图案的层叠基板。依据这种构成，由于形成于基板W的表面的图案的纵横比变大，因此在基板W中变得容易产生因干燥导致的损伤。然而，由于在基板W从批处理部30移动至单片处理部50时变成基板W的清洗液已被置换成IPA的状态，因此抑制基板W的表面中的干燥。结果，有效地抑制因干燥导致损伤。
此外，依据以上所记载的实施方式，以IPA置换基板W中的清洗液的工序能够以下述方式选择：在基板W为疏水性的情形中进行，而在基板W为亲水性的情形中则不进行。接着，使基板W朝单片处理部50移动的工序为下述工序：在基板W为亲水性的情形中，使被清洗液洗净后的基板W朝单片处理部50移动。依据这种构成，能根据基板W的性质选择基板W从批处理部30移动至单片处理部50时被赋予至基板W的液体。
依据以上所记载的实施方式，基板处理装置具备：批处理部30，对复数片基板W进行处理；单片处理部50，对一片基板W进行处理；以及移动部，使基板W从批处理部30移动至单片处理部50。在此，移动部例如与批次单片间搬运部70等对应。批处理部30具备：浸渍部，使复数片基板W浸渍于药液；液体洗净部，以清洗液洗净被浸渍于药液后的基板W；以及置换部，以IPA置换基板W中的清洗液。在此，浸渍部、液体洗净部以及置换部例如分别与批处理部30a、批处理部30b以及批处理部30c中的处理槽31对应。而且，批处理单片间搬运部70使已以IPA置换清洗液后的基板W移动至单片处理部50。此外，单片处理部50具备：干燥部，使已从批处理部30移动的基板W干燥。在此，干燥部例如与用以一边保持基板W一边使基板W旋转的基板保持部51等对应。
依据这种构成，由于在基板W从批处理部30移动至单片处理部50时变成基板W的清洗液被置换成IPA的状态，因此在这种移动时抑制基板W的表面中的干燥。因此，即使为亲水性或者疏水性中任一者的基板W，皆能抑制这种移动时形成于基板W的表面的图案损伤(崩坏)。此外，由于IPA的表面张力比水小，因此即使被赋予至基板W的表面的IPA的液面的位置变动，赋予至形成于基板W的表面的图案的力(表面张力)的影响亦比水的情形还小。因此，比基板W从批处理部30移动至单片处理部50时对基板W赋予水的情形还能抑制形成于基板W的表面的图案的损伤。
此外，即使在上面所说明的构成中适当地追加了本说明书中所示的例子的其它构成的情形中，即即使在适当地追加了上面所说明的构成中未提及的本说明书中的其它构成的情形中，亦能产生同样的技术效果。
<关于以上所记载的实施方式的变化例>
在以上所记载的实施方式中，虽然亦有记载了各个构成要素的材质、材料、尺寸、形状、相对性配置关系或者实施条件等的情形，然而这些记载在全部的实施方式中仅为一例，并非是用以限定成本发明中所记载的事项。
因此，在本发明说明书所公开的技术的范围内假想未示出例子的无数个变化例以及等同物。例如包含下述情形：在将至少一个构成要素变化的情形；追加或者省略至少一个构成要素的情形；抽出至少一个实施方式中的至少一个构成要素并与其它的实施方式中的构成要素组合的情形。
此外，在以上所记载的实施方式中未特别指定地记载有材料名称等的情形中，只要未产生矛盾则亦包含该材料包含有其它的添加物的情形，例如该材料包含有合金等。
附图示记说明
10,10A,10B：基板处理方法
11：装载端
12,75：中继单元
20：分度器搬运部
21,65,66,73,74：搬运机器人
30,30a,30b,30c,130,130a,130b,230,330：批处理部
31：处理槽
32：升降机
33,611,661：保持构件
34,662：基座
35：升降机构
41：槽
43：开闭构件
44,53：喷嘴
44a：喷出口
45：排出部
46：相对位移机构
50：单片处理部
51：基板保持部
52：防护罩
54,665：移动机构
60：批次间搬运部
70：批次单片间搬运部
80：风扇过滤器单元
81：遮蔽板
90：层叠构造
91：绝缘膜
92：牺牲层
93：支撑层
94：沟槽
100：框体
211,731,741：手部
212：立起支撑构件
441：供给管
442：阀
511：台
512：夹具销
513,664：旋转机构
514：轴件
515：马达
613,663：开闭机构
6611：接触构件
6612：支撑构件
6613：旋转构件

Claims (8)

1.一种基板处理方法，使用批处理部以及单片处理部进行基板处理，所述批处理部对复数片基板进行处理，所述单片处理部对一片所述基板进行处理，其中，
所述基板处理方法具备：
在所述批处理部中使复数片所述基板浸渍于药液的工序；
在所述批处理部中以清洗液洗净被浸渍于所述药液后的所述基板的工序；
在所述批处理部中以异丙醇置换所述基板上的所述清洗液的至少一部分的工序；
使已以所述异丙醇置换所述清洗液后的所述基板移动至所述单片处理部的工序；以及
在所述单片处理部中使所述基板干燥的工序。
2.如权利要求1所记载的基板处理方法，其中，
所述异丙醇包括稀释异丙醇。
3.如权利要求1或2所记载的基板处理方法，其中，
以所述异丙醇置换所述基板上的所述清洗液的工序为将喷雾状的所述异丙醇吹附至所述基板的工序。
4.如权利要求1至3中任一项所记载的基板处理方法，其中，
进一步具备：使已以所述异丙醇置换所述清洗液后的所述基板的姿势从铅垂姿势变换成水平姿势的工序。
5.如权利要求1至4中任一项所记载的基板处理方法，其中，
进一步具备：在所述单片处理部中，使所述基板干燥的工序之前，以所述异丙醇置换所述基板上的所述清洗液的工序。
6.如权利要求1至5中任一项所记载的基板处理方法，其中，
被浸渍于所述药液后的所述基板为具有三维的表面图案的层叠基板。
7.如权利要求1至6中任一项所记载的基板处理方法，其中，
以所述异丙醇置换所述基板上的所述清洗液的工序能够以在所述基板为疏水性的情形中进行而在所述基板为亲水性的情形中则不进行的方式进行选择；
使所述基板朝所述单片处理部移动的工序为：在所述基板为亲水性的情形中，使被所述清洗液洗净后的所述基板朝所述单片处理部移动的工序。
8.一种基板处理装置，其中，具备：
批处理部，对复数片基板进行处理；
单片处理部，对一片所述基板进行处理；以及
移动部，使所述基板从所述批处理部移动至所述单片处理部；
所述批处理部具备：
浸渍部，使复数片所述基板浸渍于药液；
液体洗净部，以清洗液洗净被浸渍于所述药液后的所述基板；以及
置换部，以异丙醇置换所述基板上的所述清洗液；
所述移动部使已以所述异丙醇置换所述清洗液后的所述基板移动至所述单片处理部；
所述单片处理部具备：干燥部，使已从所述批处理部移动的所述基板干燥。
CN202280033830.7A 2021-05-17 2022-03-30 基板处理方法以及基板处理装置 Pending CN117280445A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021083178A JP2022176644A (ja) 2021-05-17 2021-05-17 基板処理方法および基板処理装置
JP2021-083178 2021-05-17
PCT/JP2022/016023 WO2022244516A1 (ja) 2021-05-17 2022-03-30 基板処理方法および基板処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117280445A true CN117280445A (zh) 2023-12-22

Family

ID=84141230

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202280033830.7A Pending CN117280445A (zh) 2021-05-17 2022-03-30 基板处理方法以及基板处理装置

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP2022176644A (zh)
KR (1) KR20230167432A (zh)
CN (1) CN117280445A (zh)
TW (1) TWI830205B (zh)
WO (1) WO2022244516A1 (zh)

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4011900B2 (ja) * 2001-12-04 2007-11-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2008010472A (ja) * 2006-06-27 2008-01-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP2008034428A (ja) * 2006-07-26 2008-02-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP4803821B2 (ja) * 2007-03-23 2011-10-26 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
CN104813438B (zh) 2012-11-28 2017-07-25 盛美半导体设备（上海）有限公司 半导体硅片的清洗方法和装置
JP6148475B2 (ja) * 2013-01-25 2017-06-14 株式会社東芝 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
US11342204B2 (en) * 2018-12-14 2022-05-24 Xia Tai Xin Semiconductor (Qing Dao) Ltd. Method and apparatus for cleaning semiconductor wafers
US11938524B2 (en) * 2019-08-29 2024-03-26 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method

Also Published As

Publication number Publication date
TWI830205B (zh) 2024-01-21
WO2022244516A1 (ja) 2022-11-24
TW202301517A (zh) 2023-01-01
KR20230167432A (ko) 2023-12-08
JP2022176644A (ja) 2022-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100809766B1 (ko) 기판처리 장치
JP2023155279A (ja) 基板処理システム、及び基板処理方法
JP5819879B2 (ja) 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
US20080212049A1 (en) Substrate processing apparatus with high throughput development units
TW201724242A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
TW202121566A (zh) 基板處理系統及基板處理方法
JP2001319849A (ja) 液処理装置及び液処理方法
KR100938737B1 (ko) 기판처리장치
KR20140029095A (ko) 기판 처리 방법
US11823914B2 (en) Apparatus for treating substrate
US11845090B2 (en) Nozzle apparatus, apparatus and method for treating substrate
TWI776077B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
US20080196658A1 (en) Substrate processing apparatus including a substrate reversing region
CN117280445A (zh) 基板处理方法以及基板处理装置
KR101757811B1 (ko) 기판 세정 방법
TWI820699B (zh) 基板處理方法以及基板處理裝置
WO2022230805A1 (ja) 基板処理装置
WO2022244745A1 (ja) 基板処理方法
JP4699227B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20230047714A (ko) 기판 이송 장치
KR20240041247A (ko) 기판 처리 장치
KR20150078609A (ko) 기판처리장치
KR20150125870A (ko) 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination