JP2023081135A - 基板処理装置、および、基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板一枚当たりの処理に要する処理液の使用量、および、処理時間を低減することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】基板処理装置１は、第１基板Ｗ１を下方から保持する第１保持部材５と、第２基板Ｗ２を上方から保持し第１基板Ｗ１に第２基板Ｗ２を対向させる第２保持部材６と、第１基板Ｗ１の上面と第２基板Ｗ２の下面との両方に第１酸性薬液（処理液）が接触するように第１基板Ｗ１の上面と第２基板Ｗ２の下面との間の処理空間ＳＰに第１酸性薬液（処理液）を供給する酸性薬液ノズル８（処理液ノズル）とを含む。【選択図】図８Ａ

Description

この発明は、基板を処理する基板処理装置、および、基板を処理する基板処理方法に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウェハ、液晶表示装置および有機ＥＬ(Electroluminescence)表示装置等のＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板等が含まれる。

これまで、基板の主面を処理するために用いる処理液の使用量を低減するための技術が提案されている。下記特許文献１には、スピンベース上に形成した処理液の液膜に対して基板を上から押し付けることによって、処理液の使用量を低減する技術が開示されている。

特開２０１３－２１１３７７号公報

環境保護等の観点から、処理液の使用量および処理に要する時間を一層低減することが求められている。そこで、この発明の１つの目的は、基板一枚当たりの処理に要する処理液の使用量、および、処理時間を低減することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。

この発明の一実施形態は、第１基板を下方から保持する第１保持部材と、第２基板を上方から保持する第２保持部材であって、前記第１保持部材に保持されている第１基板に前記第２基板を対向させる第２保持部材と、前記第１保持部材に保持されている第１基板の上面と前記第２保持部材に保持されている第２基板の下面との両方に処理液が接触するように前記第１基板の上面と前記第２基板の下面との間の処理空間に処理液を供給する処理液ノズルとを含む、基板処理装置を提供する。

この装置によれば、第１基板の上面と第２基板の下面との間の処理空間に処理液が供給される。処理空間に供給された処理液は、第１基板の下面と第２基板の上面との両方に接触する。そのため、二枚の基板を処理液で同時に処理することができる。したがって、基板一枚当たりの処理に要する処理液の使用量、および、処理時間を低減することができる。

この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記第１保持部材に保持されている第１基板の下面の中心を通る中心軸線のまわりに前記第１保持部材および前記第２保持部材を相対回転させる回転ユニットをさらに含む。

この装置によれば、第１基板と第２基板とが相対回転されるので、第１基板および第２基板の間の処理空間に処理液の液流が形成される。これにより、第１基板の上面および第２基板の下面を効率良く処理することができる。その結果、処理に要する時間を短縮することができる。

この発明の一実施形態では、前記回転ユニットが、前記第１保持部材に保持されている第１基板と前記第２保持部材に保持されている第２基板とを前記中心軸線のまわりに互いに逆方向に回転させる。

そのため、第１基板と第２基板とが互いに逆方向に回転される。第１基板と第２基板とが同方向に回転する場合と比較して、低速度の回転で処理液の液流を処理空間に形成させ易い。これにより、第１基板の上面および第２基板の下面を効率良く処理することができる。その結果、処理に要する時間を短縮することができる。

この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、上方および下方に向けて気体を吐出する気体ノズルと、前記処理空間内の気体吐出位置と前記処理空間から退避する第１退避位置との間で前記気体ノズルを移動させる気体ノズル移動機構とをさらに含む。

この装置によれば、気体ノズルを処理空間に配置した状態で、気体ノズルから第１基板の上面および第２基板の下面に向けて気体を吐出することができる。そのため、気体ノズルから吐出される気体によって、各基板に付着している液体を、処理空間から処理空間の外へ向けて排出することができる。したがって、第１基板の上面および第２基板の下面を速やかに乾燥させることができる。

この発明の一実施形態では、前記処理液ノズルが、前記第１保持部材に保持されている第１基板の上面に処理液を供給する。前記基板処理装置が、前記第１保持部材に保持されている第１基板の上面上の処理液が前記第２保持部材に保持されている第２基板の下面に接触するように、前記第１保持部材および前記第２保持部材の少なくとも一方を鉛直方向に移動させる移動ユニットをさらに含む。

この装置によれば、第１保持部材および第２保持部材の少なくとも一方を鉛直方向に移動させることによって、第１基板の上面上の処理液を第２基板の下面に接触させることができる。そのため、第１基板の上面および第２基板の下面の処理に要する処理液の量を低減できる。

この発明の一実施形態では、前記処理液ノズルは、下方に向けて処理液を吐出する吐出口を有する。前記基板処理装置が、前記処理空間内の液体吐出位置と前記処理空間から退避する第２退避位置との間で前記処理液ノズルを移動させるノズル水平移動機構をさらに含む。そして、前記移動ユニットは、前記第１基板の上面上の処理液が前記第２基板の下面に接触する処理液接触位置、および、前記処理液接触位置よりも前記第２保持部材が前記第１保持部材から離間し、前記処理液ノズルが前記第１基板および前記第２基板の間を通過可能な離間位置の間で前記第２保持部材を前記鉛直方向に移動させる保持部材移動ユニットを含む。

この装置によれば、処理液ノズルを処理空間内の液体吐出位置に配置した状態で、処理液ノズルの吐出口から処理液を吐出させることができる。そうすることによって、第１基板の上面に処理液が供給される。第１基板の上面に処理液が供給された後、処理液ノズルを退避位置に退避させ、さらにその後、第２保持部材を処理液接触位置に移動させることで、第１基板の上面上の処理液を第２基板に接触させることができる。そのため、第１基板の上面および第２基板の下面の処理に要する処理液の量を低減できる。

この発明の一実施形態では、前記処理液ノズルが、前記処理空間が処理液で満たされるように前記処理空間に水平方向から対向する水平対向位置から処理液を吐出する。

この装置によれば、処理液ノズルが処理空間に対向する位置から処理液を吐出することで、処理空間が処理液で満たされる。したがって、第１保持部材および第２保持部材を鉛直方向に移動させることなく、第１基板の上面および第２基板の下面を処理液で処理することができる。そのため、第１基板の上面および第２基板の下面の処理に要する処理液の量を低減できる。

この発明の一実施形態では、前記処理液ノズルが、前記第１保持部材に保持されている第１基板の周方向に沿って延び、前記処理空間に水平方向から対向する円弧状部と、前記円弧状部に設けられ前記処理空間へ向けて処理液を吐出する複数の吐出口とを含む。

この装置によれば、複数の第１吐出口は、第１基板の周方向に沿って並んでおり、処理空間に対向する。そのため、周方向における複数位置から処理液を処理空間に向けて吐出できる。したがって、第１基板の上面および第２基板の下面を満遍なく処理し易い。その結果、処理に要する時間を短縮することができる。

この発明の一実施形態では、前記処理液ノズルが、前記処理空間へ向けて第１処理液を吐出する第１処理液ノズルである。そして、前記基板処理装置は、前記円弧状部とは反対側から水平方向に前記処理空間に対向し前記第１処理液とは異なる第２処理液を吐出する第２処理液ノズルをさらに含む。

この装置によれば、第２処理液ノズルは、円弧状部との干渉を避けつつ、水平方向から処理空間に向けて処理液を吐出することができる。そのため、処理液を吐出する部材の移動に要する時間を削減でき、かつ、各基板を処理液で処理するために必要な時間を削減できる。その結果、処理に要する時間を短縮することができる。

この発明の一実施形態では、前記基板処理装置は、第１基板を支持する第１支持部、および、前記第１支持部よりも上方に設けられ第２基板を支持する第２支持部を有する基板支持部材と、前記基板支持部材と前記第１保持部材および前記第２保持部材との間で第１基板および第２基板を搬送する搬送ユニットであって、第１基板を上方から保持し、かつ、第２基板を下方から保持するハンドを有する搬送ユニットをさらに含む。

この装置によれば、搬送ユニットのハンドは、第１基板を上方から保持し、かつ、第２基板を下方から保持する。そのため、ハンドは、第１支持部および第２支持部から第１基板および第２基板をそれぞれ受け取った後、第１基板および第２基板の姿勢およびこれらの位置関係を変更することなく、第１保持部材および第２保持部材に第１基板および第２基板をそれぞれ渡すことができる。同様に、ハンドは、第１保持部材および第２保持部材から第１基板および第２基板をそれぞれ受け取った後、第１基板および第２基板の姿勢およびこれらの位置関係を変更することなく、第１保持部材および第２保持部材に第１基板および第２基板をそれぞれ渡すことができる。

すなわち、搬送ユニットは、第１基板および第２基板の姿勢およびこれらの位置関係を変更することなく、基板支持部材と第１保持部材および第２保持部材との間で第１基板および第２基板を搬送することができる。したがって、基板の処理を速やかに開始することができる。

この発明の他の実施形態は、第１保持部材で第１基板を下方から保持し、かつ、第２保持部材で第２基板を上方から保持することによって前記第１基板および前記第２基板を対向配置させる対向配置工程と、前記第１保持部材に保持されている第１基板の上面と前記第２保持部材に保持されている第２基板の下面との両方に処理液が接触するように前記第１基板の上面と前記第２基板の下面との間の処理空間に処理液を供給する処理液供給工程とを含む、基板処理方法を提供する。

この方法によれば、第１基板の上面と第２基板の下面との間の処理空間に処理液が供給される。処理空間に供給された処理液は、第１基板の下面と第２基板の上面との両方に接触する。そのため、二枚の基板を処理液で同時に処理することができる。したがって、基板一枚当たりの処理に要する処理液の使用量、および、処理時間を低減することができる。

この発明の他の実施形態では、前記処理液供給工程が、前記処理空間を処理液で満たす液密工程を含む。そのため、第１基板の上面の全体および第２基板の下面の全体に満遍なく処理液を接触させることができる。したがって、第１基板の上面の全体および第２基板の下面の全体を満遍なく処理し易い。

この発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、前記第１保持部材に保持されている第１基板の下面の中心を通る中心軸線のまわりに前記第１保持部材および前記第２保持部材を相対回転させる相対回転工程をさらに含む。

そのため、第１基板と第２基板とが相対回転されるので、第１基板および第２基板の間の処理空間に処理液の液流が形成される。これにより、第１基板の上面および第２基板の下面を効率良く処理することができる。その結果、処理に要する時間を短縮することができる。

この発明の一実施形態では、前記相対回転工程が、前記第１基板および前記第２基板を前記中心軸線の周りに互いに逆方向に回転させる工程を含む。

そのため、第１基板と第２基板とが互いに逆方向に回転される。第１基板と第２基板とが同方向に回転する場合と比較して、処理液の液流を処理空間に形成させ易い。これにより、第１基板の上面および第２基板の下面を効率良く処理することができる。その結果、処理に要する時間を短縮することができる。

この発明の一実施形態では、前記処理液供給工程が、前記第１基板と前記第２基板との間の距離を変更することなく、前記処理空間に水平方向から対向する水平対向位置に配置される処理液ノズルから処理液を吐出する工程を含む。

この方法によれば、第１基板および第２基板の間の距離を変更することなく、第１基板の上面および第２基板の下面に処理液を接触させることができる。そのため、第１基板および第２基板の移動に要する時間を削減することができる。その結果、処理に要する時間を短縮することができる。

この発明の一実施形態では、前記処理液供給工程が、前記第１基板の上面に処理液を着液させる着液工程と、前記第１基板と前記第２基板との間の距離が小さくなるように前記第１保持部材および前記第２保持部材の少なくとも一方を移動させることによって、前記第１基板の上面と前記第２基板の下面とによって前記第１基板の上面上の処理液を挟む処理液挟込工程とを含む。

この方法によれば、第１保持部材および第２保持部材の少なくとも一方を鉛直方向に移動させることによって、第１基板の上面上の処理液を第２基板の下面に接触させることができる。そのため、第１基板の上面および第２基板の下面の処理に要する処理液の量を低減できる。

この発明の一実施形態では、前記着液工程が、前記第１基板の上面の中央領域を覆い前記第１基板の上面の周縁領域を露出させるように処理液コアを形成する処理液コア形成工程を含む。そして、前記処理液挟込工程が、前記第１基板の上面と前記第２基板の下面とによって前記処理液コアを挟むことによって、前記第１基板の上面において処理液によって被覆される被覆領域を前記周縁領域にまで拡大する被覆領域拡大工程を含む。

この方法によれば、第１基板の上面の中央領域を覆う処理液コアが形成される。第１基板の上面と第２基板の下面とによって処理液コアを挟むことで、第１基板の上面上の被覆領域が第１基板の上面の周縁領域にまで拡大される。つまり、処理液コアを構成する処理液が第１基板の上面の全体および第２基板の下面の全体に広げられる。したがって、第１基板の上面および第２基板の下面の処理に要する処理液の量を低減できる。

この発明の一実施形態では、前記処理液供給工程の後、前記第１基板の上面および前記第２基板の下面を乾燥させる乾燥工程をさらに含む。そして、前記乾燥工程が、気体ノズルを前記処理空間に配置して、前記気体ノズルから前記第１基板の上面および前記第２基板の下面のそれぞれに向けて気体を吐出する気体吐出工程を含む。

この装置によれば、気体ノズルを処理空間に配置した状態で、気体ノズルから第１基板の上面および第２基板の下面に向けて気体を吐出することができる。そのため、気体ノズルから吐出される気体によって、各基板に付着している液体を、処理空間から処理空間の外へ向けて排出することができる。したがって、第１基板の上面および第２基板の下面を速やかに乾燥させることができる。

図１Ａは、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置のレイアウトを示す図解的な平面図である。 図１Ｂは、前記基板処理装置の図解的な立面図である。 図２は、前記基板処理装置に備えられる処理ユニットの構成を説明するための模式図である。 図３は、前記処理ユニットに備えられている第１保持部材に保持されている第１基板およびその周囲の部材の平面図である。 図４は、前記基板処理装置に備えられる載置ユニットの構成を説明するための模式図である。 図５は、前記基板処理装置の電気的構成を説明するためのブロック図である。 図６は、前記基板処理装置によって実行される基板処理を説明するためのフローチャートである。 図７Ａは、前記基板処理装置に備えられる主搬送ロボットが第１基板および第２基板を載置ユニットと処理ユニットとの間で搬送するときの様子を説明するための模式図である。 図７Ｂは、主搬送ロボットが第１基板および第２基板を載置ユニットと処理ユニットとの間で搬送するときの様子を説明するための模式図である。 図８Ａは、前記基板処理の様子について説明するための模式図である。 図８Ｂは、前記基板処理の様子について説明するための模式図である。 図９は、前記処理ユニットに備えられるリンス液ノズルおよび低表面張力液体ノズルの第１変形例について説明するための平面図である。 図１０は、前記リンス液ノズルおよび前記低表面張力液体ノズルの第２変形例について説明するための模式図である。 図１１Ａは、前記処理ユニットに備えられる気体ノズルの第１変形例について説明するための模式図である。 図１１Ｂは、気体ノズルの第２変形例について説明するための模式図である。 図１２は、第２実施形態に係る基板処理装置に備えられる処理ユニットの構成を説明するための模式図である。 図１３は、第２実施形態に係る基板処理装置によって実行される基板処理の薬液処理工程について説明するための模式図である。 図１４は、第３実施形態に係る基板処理装置に備えられる処理ユニットの構成を説明するための模式図である。 図１５Ａは、第３実施形態に係る前記基板処理装置によって実行される基板処理のリンス工程の様子について説明するための模式図である。 図１５Ｂは、第３実施形態に係る前記基板処理装置によって実行される前記基板処理の低表面張力液体処理工程の様子について説明するための模式図である。

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して説明する。

＜第１実施形態に係る基板処理装置の機械的構成＞
図１Ａは、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１のレイアウトを示す図解的な平面図である。図１Ｂは、基板処理装置１の図解的な立面図である。

基板処理装置１は、基板Ｗを二枚ずつ処理する枚葉式の装置である。この実施形態では、基板Ｗは、円形状を有する。基板処理装置１は、基板Ｗを処理液で処理する複数の処理ユニット２と、処理ユニット２で処理される複数枚の基板Ｗを収容するキャリアＣが載置されるロードポートＬＰと、ロードポートＬＰと処理ユニット２との間で二枚の基板Ｗを同時に搬送する複数の搬送ロボット（インデクサロボットＩＲおよび主搬送ロボットＣＲ）と、インデクサロボットＩＲおよび主搬送ロボットＣＲの間で基板Ｗを受け渡すために複数の基板Ｗが載置される載置ユニット１４（基板支持部材）と、基板処理装置１を制御するコントローラ３とを備える。

インデクサロボットＩＲは、キャリアＣと載置ユニット１４との間で複数の基板Ｗを搬送する。主搬送ロボットＣＲは、載置ユニット１４と処理ユニット２との間で複数の基板Ｗを搬送する。

インデクサロボットＩＲおよび主搬送ロボットＣＲは、たとえば、いずれも、一対の多関節アームＡＲと、上下に互いに離間するように一対の多関節アームＡＲの先端にそれぞれ設けられた一対のハンドＨとを含む多関節アームロボットである。

各ハンドＨは、二枚の基板Ｗを同時に保持することができる。ハンドＨは、後述する図７Ａに示すように、基板Ｗの周縁を把持して基板Ｗを保持する複数の第１保持ピン９５と、別の基板Ｗの周縁を把持して当該基板Ｗを保持する複数の第２保持ピン９６と、第１保持ピン９５および第２保持ピン９６を支持するピン支持部９７とを含む。

複数の処理ユニット２は、水平に離れた４つの位置にそれぞれ配置された４つの処理タワーを形成している。各処理タワーは、鉛直方向Ｚに積層された複数の処理ユニット２を含む。４つの処理タワーは、ロードポートＬＰから搬送ロボット（インデクサロボットＩＲおよび主搬送ロボットＣＲ）に向かって延びる搬送経路ＴＲの両側に２つずつ配置されている。

複数の処理ユニット２は、たとえば、同様の構成を有している。詳しくは後述するが、処理ユニット２内で基板Ｗに向けて供給される処理液には、薬液、リンス液、低表面張力液体等が含まれる。

各処理ユニット２は、処理カップ７と、処理カップ７を収容するチャンバ４とを備える。チャンバ４には、主搬送ロボットＣＲによって、基板Ｗを搬入したり基板Ｗを搬出したりするための出入口（図示せず）が形成されている。チャンバ４には、この出入口を開閉するシャッタユニット（図示せず）が備えられている。

図２は、処理ユニット２の構成について説明するための模式図である。

主搬送ロボットＣＲのハンドＨ（図１Ａを参照）によって搬送される二枚の基板Ｗのうちの一方を第１基板Ｗ１といい、二枚の基板Ｗのうちのもう一方を第２基板Ｗ２という。

処理ユニット２は、第１基板Ｗ１を下方から保持する第１保持部材５と、第２基板Ｗ２の下面が第１基板Ｗ１の上面に対向するように第２基板Ｗ２を上方から保持する第２保持部材６とをさらに含む。

処理ユニット２は、第１保持部材５に保持されている第１基板Ｗ１および第２保持部材６に保持されている第２基板Ｗ２との間の処理空間ＳＰへ向けて処理液を吐出する複数の処理液ノズル（酸性薬液ノズル８、アルカリ性薬液ノズル９、リンス液ノズル１０、低表面張力液体ノズル１１）と、処理空間ＳＰへ向けて気体を吐出する気体ノズル１２と、第２保持部材６を少なくとも鉛直方向Ｚに移動させる保持部材移動ユニット１５と、第１保持部材５および第２保持部材６を相対回転させる回転ユニット１６とをさらに含む。

第１保持部材５、第２保持部材６、複数の処理液ノズル、気体ノズル１２、および保持部材移動ユニット１５は、処理カップ７とともにチャンバ４（図１Ａを参照）内に収容されている。

第１保持部材５は、第１基板Ｗ１を水平姿勢に保持しながら、回転軸線Ａ１のまわりに第１基板Ｗ１を回転させる。第１保持部材５は、第１基板Ｗ１の下面を吸着保持する第１吸着保持部材の一例である。回転軸線Ａ１は、第１基板Ｗ１の上面の中心部を通り鉛直方向Ｚに延びる中心軸線である。

第１保持部材５は、平面視で処理カップ７に取り囲まれている。第１保持部材５は、第１基板Ｗ１の下面に吸着し第１基板Ｗ１を水平姿勢に保持する第１スピンベース２０を含む。第１スピンベース２０は、第１基板Ｗ１の下面に吸着する第１吸着面２０ａを有する。第１吸着面２０ａは、たとえば、第１スピンベース２０の上面であり、その中心部を回転軸線Ａ１が通る平面視で円形状の面である。第１吸着面２０ａの直径は第１基板Ｗ１の直径よりも小さい。

第１スピンベース２０には、第１吸引経路２４が挿入されている。第１吸引経路２４は、第１スピンベース２０の第１吸着面２０ａの中心から露出する第１吸引口２４ａを有する。第１吸引経路２４は、第１吸引配管２５に連結されている。第１吸引配管２５は、真空ポンプ等の第１吸引装置２６に連結されている。第１吸引装置２６は、基板処理装置１の一部を構成していてもよいし、基板処理装置１を設置する施設に備えられた基板処理装置１とは別の装置であってもよい。

第１吸引配管２５には、第１吸引配管２５を開閉する第１吸引バルブ２７が設けられている。第１吸引バルブ２７を開くことによって、第１スピンベース２０の第１吸着面２０ａに配置された第１基板Ｗ１が第１吸引経路２４の第１吸引口２４ａに吸引される。それによって、第１基板Ｗ１は、第１吸着面２０ａに下方から吸着されて、水平姿勢に保持される。

第２保持部材６は、第２基板Ｗ２を水平姿勢に保持しながら、回転軸線Ａ２のまわりに第２基板Ｗ２を回転させる。第２保持部材６は、第２基板Ｗ２の上面を吸着保持する第２吸着保持部材の一例である。回転軸線Ａ２は、第２基板Ｗ２の上面の中心部を通り鉛直方向Ｚに延びる中心軸線である。

第２保持部材６は、平面視で処理カップ７に取り囲まれている。第２保持部材６は、第２基板Ｗ２の上面に吸着し第２基板Ｗ２を水平姿勢に保持する第２スピンベース３０を含む。第２スピンベース３０は、第２基板Ｗ２の上面に吸着する第２吸着面３０ａを有する。第２吸着面３０ａは、たとえば、第２スピンベース３０の下面であり、その中心部を回転軸線Ａ２が通る平面視で円形状の面である。第２吸着面３０ａの直径は第２基板Ｗ２の直径よりも小さい。

第２スピンベース３０には、第２吸引経路３４が挿入されている。第２吸引経路３４は、第２スピンベース３０の第２吸着面３０ａの中心から露出する第２吸引口３４ａを有する。第２吸引経路３４は、第２吸引配管３５に連結されている。第２吸引配管３５は、真空ポンプ等の第２吸引装置３６に連結されている。第２吸引装置３６は、基板処理装置１の一部を構成していてもよいし、基板処理装置１を設置する施設に備えられた基板処理装置１とは別の装置であってもよい。

第２吸引配管３５には、第２吸引配管３５を開閉する第２吸引バルブ３７が設けられている。第２吸引バルブ３７を開くことによって、第２スピンベース３０の第２吸着面３０ａに配置された第２基板Ｗ２が第２吸引経路３４の第２吸引口３４ａに吸引される。それによって、第２基板Ｗ２は、第２吸着面３０ａに上方から吸着されて、水平姿勢に保持される。

回転ユニット１６は、回転軸線Ａ１に沿って延び、第１スピンベース２０に結合された第１回転軸２１と、第１回転軸２１を回転軸線Ａ１まわりに回転させる第１回転駆動機構２２とを含む。第１回転駆動機構２２は、第１回転軸２１を回転させることによって、第１保持部材５とともに第１基板Ｗ１を回転軸線Ａ１のまわりに回転させることができる。第１回転駆動機構２２は、たとえば、電動モータ等のアクチュエータ（図示せず）と、エンコーダ（図示せず）とを含む。第１回転駆動機構２２は第１ハウジング２３に収容されている。

回転ユニット１６は、回転軸線Ａ２に沿って延び、第２スピンベース３０に結合された第２回転軸３１と、第２回転軸３１を回転軸線Ａ２まわりに回転させる第２回転駆動機構３２とをさらに含む。第２回転駆動機構３２は、第２回転軸３１を回転させることによって、第２保持部材６とともに第２基板Ｗ２を回転軸線Ａ２のまわりに回転させることができる。第２回転駆動機構３２は、たとえば、電動モータ等のアクチュエータ（図示せず）と、エンコーダ（図示せず）とを含む。第２回転駆動機構３２は、第２ハウジング３３に収容されている。

保持部材移動ユニット１５は、回転軸線Ａ２が回転軸線Ａ１と一致するように第２保持部材６を水平移動させ、かつ、第１保持部材５と第２保持部材６との間の距離Ｌが変化するように第２保持部材６を鉛直移動（昇降）させることができる。第２保持部材６は、処理液接触位置（たとえば、図２に二点鎖線で示す位置）および離間位置（たとえば、図２に実線で示す位置）の間で鉛直移動可能である。処理液接触位置は、第１基板Ｗ１の上面と第２基板Ｗ２の下面との両方に処理液を接触させることができる位置である。第２保持部材６が処理液接触位置に位置するとき、外力が作用しなければ、処理空間ＳＰ内に処理液が留まり、処理空間ＳＰが処理液で満たされる液密状態となる。離間位置は、処理液保持位置よりも上方の位置である。第２保持部材６が離間位置に位置するとき、液密状態は解消されている。

保持部材移動ユニット１５は、第２保持部材６を支持する支持アーム４０と、支持アーム４０を鉛直方向Ｚに移動させる鉛直駆動機構４１と、支持アーム４０を水平方向に移動させる水平駆動機構４２とを含む。

鉛直駆動機構４１は、支持アーム４０を昇降させる駆動力を発生させる昇降アクチュエータ（図示せず）を含む。昇降アクチュエータは、たとえば、電動モータまたはエアシリンダである。鉛直駆動機構４１は、昇降アクチュエータの駆動力を支持アーム４０に伝達する動力伝達機構（図示せず）を含んでいてもよい。動力変換機構は、たとえば、ボールねじ機構、および、ラックアンドピニオン機構の少なくとも一つを含む。

水平駆動機構４２は、支持アーム４０を水平移動させる駆動力を発生させる水平アクチュエータ（図示せず）を含む。水平アクチュエータは、たとえば、電動モータまたはエアシリンダである。水平駆動機構４２は、水平アクチュエータの駆動力を支持アーム４０に伝達する動力伝達機構（図示せず）を含んでいてもよい。動力変換機構は、たとえば、ボールねじ機構、および、ラックアンドピニオン機構の少なくとも一つを含む。

複数の処理液ノズルは、処理空間ＳＰへ向けて酸性薬液を吐出する酸性薬液ノズル８と、処理空間ＳＰへ向けてアルカリ性薬液を吐出するアルカリ性薬液ノズル９と、処理空間ＳＰへ向けてリンス液を吐出するリンス液ノズル１０と、処理空間ＳＰへ向けて低表面張力液体を吐出する低表面張力液体ノズル１１とを含む。

酸性薬液ノズル８およびアルカリ性薬液ノズル９は、チャンバ４（図１Ａを参照）内において鉛直方向Ｚおよび水平方向における位置が固定された固定ノズルである。酸性薬液ノズル８は、酸性薬液を吐出する単一の吐出口８ａを有する。アルカリ性薬液ノズル９は、アルカリ性薬液を吐出する単一の吐出口９ａを有する。酸性薬液ノズル８およびアルカリ性薬液ノズル９をまとめて複数の薬液ノズルということもある。

酸性薬液ノズル８には、酸性薬液ノズル８にフッ酸、ＨＰＭ液（hydrochloric acid-hydrogen peroxide mixture：塩酸過酸化水素水混合液）等の酸性薬液を案内する共通配管５０に接続されている。フッ酸は、フッ化水素の水溶液であり、フッ化水素酸ともいう。共通配管５０には、共通配管５０に第１酸性薬液を供給する第１酸性薬液配管５１と、共通配管５０に第２酸性薬液を供給する第２酸性薬液配管５２とが接続されている。共通配管５０は、ミキシングバルブ（図示せず）を介して第１酸性薬液配管５１および第２酸性薬液配管５２と接続されていてもよい。

共通配管５０には、共通配管５０を開閉する共通バルブ６０が設けられている。第１酸性薬液配管５１には、第１酸性薬液配管５１を開閉する第１酸性薬液バルブ６１Ａと、第１酸性薬液配管５１内の第１酸性薬液の流量を調整する第１酸性薬液流量調整バルブ６１Ｂとが設けられている。第２酸性薬液配管５２には、第２酸性薬液配管５２を開閉する第２酸性薬液バルブ６２Ａと、第２酸性薬液配管５２内の第２酸性薬液の流量を調整する第２酸性薬液流量調整バルブ６２Ｂとが設けられている。

第１酸性薬液バルブ６１Ａが第１酸性薬液配管５１に設けられるとは、第１酸性薬液バルブ６１Ａが第１酸性薬液配管５１に介装されることを意味していてもよい。その他のバルブにおいても同様である。図示はしないが、第１酸性薬液バルブ６１Ａは、弁座が内部に設けられたバルブボディと、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータとを含む。他のバルブについても同様の構成を有していてもよい。

第１酸性薬液バルブ６１Ａおよび共通バルブ６０が開かれると、酸性薬液ノズル８から第１酸性薬液の連続流が吐出される。第２酸性薬液バルブ６２Ａおよび共通バルブ６０が開かれると、酸性薬液ノズル８から第２酸性薬液の連続流が吐出される。

酸性薬液ノズル８から吐出される酸性薬液は、フッ酸、ＨＰＭ液に限られない。酸性薬液は、たとえば、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、有機酸（たとえば、クエン酸、蓚酸等）、ＳＰＭ液（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水混合液）、ＦＰＭ液（hydrofluoric acid-hydrogen peroxide mixture：フッ酸過酸化水素混合液）、または、ＨＰＭ液等を含有する液体である。

アルカリ性薬液ノズル９は、アルカリ性薬液ノズル９にＡＰＭ液（ammonia-hydrogen peroxide mixture：アンモニア過酸化水素水混合液）等のアルカリ性薬液を案内するアルカリ性薬液配管５３に接続されている。アルカリ性薬液配管５３には、アルカリ性薬液配管５３を開閉するアルカリ性薬液バルブ６３Ａと、アルカリ性薬液配管５３内のアルカリ性薬液の流量を調整するアルカリ性薬液流量調整バルブ６３Ｂとが設けられている。

アルカリ性薬液ノズル９から吐出されるアルカリ性薬液は、ＡＰＭ液に限られない。アルカリ性薬液は、アンモニア水、ＴＭＡＨ液（Tetramethylammonium hydroxide solution：水酸化テトラメチルアンモニウム溶液）、ＡＰＭ液等を含有する液体である。

処理カップ７は、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２から排出された処理液を受ける部材である。処理カップ７は、鉛直方向Ｚに延びる円筒部７０と、円筒部７０の上端から斜め上に延びる傾斜部７１と、傾斜部７１および円筒部７０によって受けられた処理液が案内される略環状の底部７２とを含む。底部７２の内周端と第１回転軸２１との間には、ラビリンスシール等の封止部材７３が設けられている。封止部材７３によって、処理カップ７の底部７２からの排液の漏れが防止されている。

底部７２には、排液配管７４が連結されており、排液配管７４は、処理液の種類に応じて処理液の排出先を変更できるように構成されている。具体的には、排液配管７４は、複数の分岐排液配管７５に分岐されており、各分岐排液配管７５には、排液バルブ７６が設けられている。複数の分岐排液配管７５には、たとえば、酸性薬液、アルカリ性薬液、および、低表面張力液体（有機溶剤）がそれぞれ排出される。リンス液は、酸性薬液またはアルカリ性薬液と同じ分岐排液配管７５に排出される。

リンス液ノズル１０は、リンス液ノズル１０にＤＩＷ（脱イオン水）等のリンス液を案内するリンス液配管５４に接続されている。リンス液配管５４には、リンス液配管５４を開閉するリンス液バルブ６４Ａと、リンス液配管５４内のリンス液の流量を調整するリンス液流量調整バルブ６４Ｂとが設けられている。

リンス液は、たとえば、ＤＩＷ等の水である。ただし、リンス液は、ＤＩＷに限られない。リンス液は、たとえば、炭酸水、電解イオン水、希釈濃度（たとえば、１ｐｐｍ以上で、かつ、１００ｐｐｍ以下）の塩酸水、希釈濃度（たとえば、１ｐｐｍ以上で、かつ、１００ｐｐｍ以下）のアンモニア水、または、還元水（水素水）であってもよい。

低表面張力液体ノズル１１は、低表面張力液体ノズル１１にＩＰＡ（イソプロパノール）等の低表面張力液体を案内する低表面張力液体配管５５に接続されている。低表面張力液体配管５５には、低表面張力液体配管５５を開閉する低表面張力液体バルブ６５Ａと低表面張力液体配管５５内の低表面張力液体の流量を調整する低表面張力液体流量調整バルブ６５Ｂとが設けられている。

低表面張力液体は、リンス液よりも低い表面張力を有する液体である。低表面張力液体に含有される有機溶剤は、たとえば、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、エステル、アルコールおよびエーテルのうちの少なくとも１つを含む。

具体的には、有機溶剤は、ＩＰＡ等のアルコール類、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等のエチレングリコールモノアルキルエーテル類、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノエチルエーテル（ＰＧＥＥ）等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）等の乳酸エステル類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、メチルエチルケトン、２－ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン類、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルピロリドン等のアミド類、γ－ブチロラクトン等のラクトン類等を含有する。これらの有機溶剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。また、低表面張力液体は、有機溶剤とリンス液との混合液であってもよい。

図３は、第１保持部材５に保持されている第１基板Ｗ１およびその周囲の部材の平面図である。図３に示すように、リンス液ノズル１０は、第１保持部材５に保持されている第１基板Ｗ１の周方向ＣＤに沿って延び、処理空間ＳＰに側方（水平方向）から対向可能な円弧状部８０と、円弧状部８０に設けられ処理空間ＳＰへ向けてリンス液を吐出する複数の吐出口８１と、リンス液配管５４に接続され円弧状部８０内に設けられ複数の吐出口８１にリンス液を送るノズル内流路８２とを含む。周方向ＣＤは、回転軸線Ａ１を中心とする周方向でもある。

低表面張力液体ノズル１１は、リンス液ノズル１０の円弧状部８０とは反対側から処理空間ＳＰに対向し周方向ＣＤに沿って延びる円弧状部８５と、円弧状部８５に設けられ低表面張力液体を吐出する複数の吐出口８６と、低表面張力液体配管５５に接続され複数の吐出口８６に低表面張力液体を送るノズル内流路８７とを含む。

リンス液ノズル１０は、第１処理液ノズルの一例であり、第２処理液ノズルの一例でもある。低表面張力液体ノズル１１は、リンス液ノズル１０が第１処理液ノズルとして機能する場合、第２処理液ノズルとして機能する。

図２を参照して、処理ユニット２は、リンス液ノズル１０および低表面張力液体ノズル１１をそれぞれ鉛直方向Ｚに移動させる複数のノズル鉛直移動機構（第１ノズル鉛直移動機構４５、および、第２ノズル鉛直移動機構４６）を含む。リンス液ノズル１０および低表面張力液体ノズル１１は、それぞれ、複数のノズル鉛直移動機構によって、処理カップ７の傾斜部７１よりも回転軸線Ａ１に近い位置で鉛直方向Ｚに移動される。

各ノズル鉛直移動機構は、対応する処理液ノズルを支持するアーム（図示せず）と、対応するアームを鉛直方向Ｚに移動させるアーム駆動機構（図示せず）とを含む。各アーム駆動機構は、電動モータ、エアシリンダ等のアクチュエータを含む。各ノズル鉛直移動機構は、アクチュエータの駆動力をアームに伝達する動力伝達機構（図示せず）を含んでいてもよい。動力変換機構は、たとえば、ボールねじ機構、および、ラックアンドピニオン機構の少なくとも一つを含む。

ノズル鉛直移動機構は、対応する処理液ノズルを、液処理位置（図２に実線で示す位置）と鉛直退避位置（図２に二点鎖線で示す位置）との間で鉛直移動（昇降）させる。液処理位置は、第２保持部材６が処理液接触位置に位置するときに処理空間ＳＰに水平方向から対向する位置である。そのため、液処理位置は、水平対向位置ともいう。鉛直退避位置は、液処理位置よりも上方の位置であって、第２保持部材６が処理液接触位置に位置するときに処理空間ＳＰに対向しない位置である。第２保持部材６が処理液接触位置に位置し、かつ、リンス液ノズル１０が液処理位置に位置するとき、円弧状部８０および複数の吐出口８１が、水平方向から処理空間ＳＰに対向する。第２保持部材６が処理液接触位置に位置し、かつ、低表面張力液体ノズル１１が液処理位置に位置するとき、円弧状部８５および複数の吐出口８６が、水平方向から処理空間ＳＰに対向する。

気体ノズル１２は、気体ノズル１２に窒素ガス等の気体を案内する気体配管５６に接続されている。気体配管５６には、気体配管５６を開閉する気体バルブ６６Ａと、気体配管５６内の気体の流量を調整する気体流量調整バルブ６６Ｂとが設けられている。

気体ノズル１２は、気体を下方に向けて吐出する下方吐出口１２ａと、気体を上方に向けて吐出する上方吐出口１２ｂとを含む。

気体ノズル１２から吐出される気体は、たとえば、窒素ガス等の不活性ガスである。不活性ガスとは、基板Ｗの主面に対して不活性なガスのことである。不活性ガスの例としては、窒素ガスの他に、アルゴン等の希ガス類が挙げられる。気体は、不活性ガスに限られず、空気であってもよい。

処理ユニット２は、気体ノズル１２を少なくとも水平方向に移動させる気体ノズル移動機構４７を含む。気体ノズル１２は、第２保持部材６が離間位置に位置するときに、気体吐出位置（後述する図８Ｂ（ｂ）に実線で示す位置を参照）と第１退避位置（後述する図８Ｂ（ｂ）に二点鎖線で示す位置を参照）との間で移動可能である。

気体吐出位置は処理空間ＳＰ内の位置であり、第１退避位置は、処理空間ＳＰ外の位置である。気体ノズル１２が気体吐出位置に位置するとき、下方吐出口１２ａが第１基板Ｗ１の上面に対向し、上方吐出口１２ｂが第２基板Ｗ２の下面に対向する。気体ノズル１２が第１退避位置に位置するとき、下方吐出口１２ａおよび上方吐出口１２ｂは、第２基板Ｗ２の下面および第１基板Ｗ１の上面に対向しない。

気体ノズル移動機構４７は、気体ノズル１２を支持するアーム（図示せず）と、アームを水平方向に移動させるアーム駆動機構（図示せず）とを含む。アーム駆動機構は、電動モータ、エアシリンダ等のアクチュエータを含む。気体ノズル移動機構４７は、アクチュエータの駆動力をアームに伝達する動力伝達機構（図示せず）を含んでいてもよい。動力変換機構は、たとえば、ボールねじ機構、および、ラックアンドピニオン機構の少なくとも一つを含む。

図４は、載置ユニット１４の構成について説明するための模式図である。

図４に拡大して構成例を示すように、載置ユニット１４は、インデクサロボットＩＲ側および主搬送ロボットＣＲ側の両方に開放した箱９０と、箱９０の内部に配置された基板保持棚９１とを含む。基板保持棚９１は、鉛直方向Ｚに配列された複数（たとえば十個）の支持部９２を有する。支持部９２は、一枚の基板Ｗの下面周縁部を下方から支持して、当該基板Ｗを水平姿勢で保持するように構成されている。それにより、載置ユニット１４は、基板保持棚９１に、複数枚（たとえば十枚）の基板Ｗを水平姿勢で鉛直方向Ｚに間隔を空けて積層した状態で保持することができる。

複数の支持部９２は、鉛直方向Ｚに隣接する２つの支持部９２（第１支持部９２Ａおよび第２支持部９２Ｂ）を一組とする複数組の支持部群９２Ｇを構成している。各支持部群９２Ｇにおいて、鉛直方向Ｚに隣接する基板Ｗは、処理対象面Ｓが互いに対向するように、対応する支持部９２によって支持されている。各支持部群９２Ｇにおいて、下方の支持部９２を第１支持部９２Ａといい、各支持部群９２Ｇにおいて上方の支持部９２を第２支持部９２Ｂという。第１支持部９２Ａに支持されている基板Ｗが第１基板Ｗ１であり、第２支持部９２Ｂに支持されている基板Ｗが第２基板Ｗ２である。

＜第１実施形態に係る基板処理装置の電気的構成＞
図５は、基板処理装置１の電気的構成を説明するためのブロック図である。コントローラ３は、マイクロコンピュータを備え、所定の制御プログラムに従って基板処理装置１に備えられた制御対象を制御する。

具体的には、コントローラ３は、プロセッサ３Ａ（ＣＰＵ）と、制御プログラムが格納されたメモリ３Ｂとを含む。コントローラ３は、プロセッサ３Ａが制御プログラムを実行することによって、基板処理のための様々な制御を実行するように構成されている。

とくに、コントローラ３は、インデクサロボットＩＲ、主搬送ロボットＣＲ、第１回転駆動機構２２、第２回転駆動機構３２、保持部材移動ユニット１５、第１ノズル鉛直移動機構４５、第２ノズル鉛直移動機構４６、気体ノズル移動機構４７、第１吸引バルブ２７、第２吸引バルブ３７、共通バルブ６０、第１酸性薬液バルブ６１Ａ、第１酸性薬液流量調整バルブ６１Ｂ、第２酸性薬液バルブ６２Ａ、第２酸性薬液流量調整バルブ６２Ｂ、アルカリ性薬液バルブ６３Ａ、アルカリ性薬液流量調整バルブ６３Ｂ、リンス液バルブ６４Ａ、リンス液流量調整バルブ６４Ｂ、低表面張力液体バルブ６５Ａ、低表面張力液体流量調整バルブ６５Ｂ、気体バルブ６６Ａ、気体流量調整バルブ６６Ｂ等を制御するようにプログラムされている。

コントローラ３によってバルブが制御されることによって、対応するノズルからの流体の吐出の有無や、対応するノズルからの流体の吐出流量が制御される。

また、図５には、代表的な部材が図示されているが、図示されていない部材についてコントローラ３によって制御されないことを意味するものではなく、コントローラ３は、基板処理装置１に備えられる各部材を適切に制御することができる。図５には、後述する変形例、第２実施形態、および、第３実施形態で説明する部材についても併記しており、これらの部材もコントローラ３によって制御される。

後述する図６に示す各工程は、コントローラ３が基板処理装置１に備えられる各部材を制御することにより実行される。言い換えると、コントローラ３は、後述する図６に示す各工程を実行するようにプログラムされている。

＜第１実施形態に係る基板処理装置による基板処理の一例＞
図６は、基板処理装置１によって実行される基板処理の一例を説明するためのフローチャートである。

基板処理装置１による基板処理では、たとえば、図６に示すように、搬入工程（ステップＳ１）、第１薬液処理工程（ステップＳ２）、第１リンス工程（ステップＳ３）、第２薬液処理工程（ステップＳ４）、第２リンス工程（ステップＳ５）、第３薬液処理工程（ステップＳ６）、第３リンス工程（ステップＳ７）、低表面張力液体処理（ステップＳ８）、乾燥工程（ステップＳ９）、および、搬出工程（ステップＳ１０）が実行される。以下では、図２および図６を主に参照して、基板処理の詳細について説明する。図７Ａ～図８Ｂについては適宜参照する。

まず、未処理の第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２が、主搬送ロボットＣＲによってキャリアＣから処理ユニット２に搬入され、第１保持部材５および第２保持部材６にそれぞれ渡される（搬入工程：ステップＳ１）。

詳しくは、図７Ａ（ａ）に示すように、主搬送ロボットＣＲのハンドＨが載置ユニット１４の鉛直方向Ｚに隣接する２つの支持部９２（同じ支持部群９２Ｇを構成する一対の支持部９２）の間に進入する。一対の支持部９２の間の位置を第１搬送位置という。

そして、図７Ａ（ｂ）に示すように、ハンドＨの複数の第１保持ピン９５が第１支持部９２Ａから第１基板Ｗ１を受け取り、ハンドＨの複数の第２保持ピン９６が第２支持部９２Ｂから第２基板Ｗ２を受け取る。ハンドＨは、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の姿勢を変更させることなく、載置ユニット１４から第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２を受け取る。その後、図７Ａ（ｃ）に示すように、ハンドＨは、一対の支持部９２の間から退避し、処理ユニット２に第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２を搬送する。

その後、図７Ｂ（ａ）に示すように、ハンドＨは、処理ユニット２の第１保持部材５および第２保持部材６の間に進入する。第１保持部材５および第２保持部材６の間の位置を第２搬送位置という。主搬送ロボットＣＲは、搬送ユニットの一例である。

図７Ｂ（ｂ）に示すように、ハンドＨが第２搬送位置に位置する状態で、第２保持部材６が下降する。第２保持部材６を下降させることによって、ハンドＨに保持されている第１基板Ｗ１に第１保持部材５が下方から接触し、ハンドＨに保持されている第２基板Ｗ２に第２保持部材６が上方から接触する。

詳しくは、第１基板Ｗ１の処理対象面Ｓとは反対側の面に第１保持部材５の第１吸着面２０ａが接触し、第２基板Ｗ２の処理対象面Ｓとは反対側の面に第２保持部材６の第２吸着面３０ａが接触する。この状態で、第１吸引バルブ２７および第２吸引バルブ３７が開かれる。これにより、図７Ｂ（ｃ）に示すように、ハンドＨから第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２が第１保持部材５および第２保持部材６にそれぞれ渡される。これにより、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２は、それぞれ第１保持部材５および第２保持部材６によって水平に保持される（基板保持工程）。これにより、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２が対向配置される（対向配置工程）。

次に、第１基板Ｗ１の上面および第２基板Ｗ２の下面をフッ酸等の第１酸性薬液で処理する第１薬液処理工程（ステップＳ２）が実行される。第１薬液処理工程では、図８Ａも参照するが、後述する第２薬液処理工程（ステップＳ４）および第３薬液処理工程（ステップＳ６）においても図８Ａを参照する。そのため、図８Ａには、酸性薬液ノズル８の符号とともにアルカリ性薬液ノズル９の符号を併記する。

詳しくは、第１基板Ｗ１は、第１保持部材５に保持された状態で、回転軸線Ａ１のまわりに回転される（基板回転工程）。第２基板Ｗ２は、第２保持部材６に保持されることによって、第１基板Ｗ１と同軸上に配置される。第１回転駆動機構２２は、第１基板Ｗ１を第１回転方向ＲＤ１に回転させる。第２回転駆動機構３２は、第１回転方向ＲＤ１とは逆方向（第２回転方向ＲＤ２）に第２保持部材６を回転させる。したがって、第１回転駆動機構２２および第２回転駆動機構３２によって構成される回転ユニット１６によって、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とが回転軸線Ａ１（回転軸線Ａ２）のまわりに互いに逆方向に回転される。すなわち、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とが相対回転される（相対回転工程）。

第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２は、乾燥工程（ステップＳ９）が終了するまで、第１保持部材５および第２保持部材６によってそれぞれ保持され続ける。第１保持部材５に保持されている第１基板Ｗ１の処理対象面Ｓは、上面であり、第２保持部材６に保持されている第２基板Ｗ２の処理対象面Ｓは、下面である。リンス液ノズル１０および低表面張力液体ノズル１１は、基板処理の開始時には、鉛直退避位置に位置している。

第２保持部材６が離間位置に配置された状態で、共通バルブ６０、および、第１酸性薬液バルブ６１Ａが開かれる。これにより、図８Ａ（ａ）に示すように、処理空間ＳＰに向けて酸性薬液ノズル８から第１酸性薬液が吐出（供給）される（第１酸性薬液吐出工程、処理液吐出工程）。第２保持部材６が離間位置に配置されているため、第１酸性薬液は、回転状態の第１基板Ｗ１の上面に着液する（着液工程）。図８Ａ（ｂ）に示すように、第１基板Ｗ１の上面に着液した第１酸性薬液は、遠心力の作用により第１基板Ｗ１の全体に広がる。

第１酸性薬液が第１基板Ｗ１の全体に広がっている状態で、第２保持部材６が下降される。これにより、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２との間の距離Ｌが小さくされる。第２保持部材６の下降によって、図８Ａ（ｃ）に示すように、第１基板Ｗ１の上面と第２基板Ｗ２の下面とによって第１基板Ｗ１の上面上の第１酸性薬液が挟まれる（第１酸性薬液挟込工程、処理液挟込工程）。これにより、処理空間ＳＰが第１酸性薬液で満たされる（液密工程）。このように、処理空間ＳＰに向けて酸性薬液ノズル８から第１酸性薬液が吐出された後、第１基板Ｗ１の上面と第２基板Ｗ２の下面とで挟むことによって、第１基板Ｗ１の上面および第２基板Ｗ２の下面の両方に第１酸性薬液が供給される（第１酸性薬液供給工程、処理液供給工程）。

次に、第１基板Ｗ１の上面および第２基板Ｗ２の下面をリンスして第１基板Ｗ１の上面および第２基板Ｗ２の下面から第１酸性薬液を除去する第１リンス工程（ステップＳ３）が実行される。

詳しくは、第２保持部材６を処理液接触位置に維持しながら、共通バルブ６０および第１酸性薬液バルブ６１Ａが閉じられ、その代わりに、リンス液ノズル１０が液処理位置に配置されてリンス液バルブ６４Ａが開かれる。これにより、図８Ａ（ｄ）に示すように、リンス液ノズル１０の複数の吐出口８１（図４も参照）から処理空間ＳＰに向けてリンス液が吐出される。これにより、処理空間ＳＰ内の第１酸性薬液がリンス液で置換されて、処理空間ＳＰがリンス液で満たされる（液密工程）。このように、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２との間の距離Ｌを変更することなく、液処理位置（水平対向位置）に配置されるリンス液ノズル１０からリンス液が吐出されることによって、第１基板Ｗ１の上面および第２基板Ｗ２の下面の両方にリンス液が供給される（リンス液供給工程、処理液供給工程）。

次に、第１基板Ｗ１の上面および第２基板Ｗ２の下面をＨＰＭ液等の第２酸性薬液で処理する第２薬液処理工程（ステップＳ４）が実行される。第２薬液処理工程の詳細は、第１薬液処理工程（ステップＳ２）とほぼ同様である。

第２薬液処理工程（ステップＳ４）では、リンス液バルブ６４Ａが閉じられ、第２保持部材６が離間位置に移動される。第２保持部材６が離間位置に配置されている状態で、共通バルブ６０、および、第２酸性薬液バルブ６２Ａが開かれる。

これにより、図８Ａ（ａ）に示すように、処理空間ＳＰに向けて酸性薬液ノズル８から第２酸性薬液が吐出（供給）される（第２酸性薬液吐出工程、処理液吐出工程）。第２保持部材６が離間位置に配置されているため、第２酸性薬液は、回転状態の第１基板Ｗ１の上面の中央部に着液する（着液工程）。図８Ａ（ｂ）に示すように、第１基板Ｗ１の上面に着液した第２酸性薬液が、遠心力の作用により第１基板Ｗ１の全体に広がる。

その後、図８Ａ（ｃ）に示すように、第１基板Ｗ１の上面と第２基板Ｗ２の下面とによって第１基板Ｗ１の上面上の第２酸性薬液が挟まれる（第２酸性薬液挟込工程、処理液挟込工程）。これにより、処理空間ＳＰが第２酸性薬液によって満たされ(液密工程)、第１基板Ｗ１の上面および第２基板Ｗ２の下面の両方に第２酸性薬液が供給される（第２酸性薬液供給工程、処理液供給工程）。

次に、第１基板Ｗ１の上面および第２基板Ｗ２の下面をリンスして第１基板Ｗ１の上面および第２基板Ｗ２の下面から第２酸性薬液を除去する第２リンス工程（ステップＳ５）が実行される。

詳しくは、第２保持部材６を処理液接触位置に維持しながら、共通バルブ６０および第２酸性薬液バルブ６２Ａが閉じられ、その代わりに、リンス液ノズル１０が液処理位置に配置されてリンス液バルブ６４Ａが開かれる。これにより、図８Ａ（ｄ）に示すように、リンス液ノズル１０の複数の吐出口８１からリンス液が吐出される。リンス液ノズル１０から吐出されたリンス液によって処理空間ＳＰ内の第２酸性薬液が置換されて、処理空間ＳＰがリンス液で満たされる（液密工程）。第２リンス工程においても、第１リンス工程と同様に、第１基板Ｗ１の上面および第２基板Ｗ２の下面の両方にリンス液が供給されるリンス液供給工程（処理液供給工程）が実行される。

次に、第１基板Ｗ１の上面および第２基板Ｗ２の下面をＡＰＭ液等のアルカリ性薬液で処理する第３薬液処理工程（ステップＳ６）が実行される。第３薬液処理工程は、第１薬液処理工程（ステップＳ２）とほぼ同様である。

第３薬液処理工程（ステップＳ６）では、リンス液バルブ６４Ａが閉じられ、第２保持部材６が離間位置に移動される。第２保持部材６が離間位置に配置されている状態で、アルカリ性薬液バルブ６３Ａが開かれる。

これにより、図８Ａ（ａ）に示すように、処理空間ＳＰに向けてアルカリ性薬液ノズル９からアルカリ性薬液が吐出（供給）される（アルカリ性薬液吐出工程、処理液吐出工程）。第２保持部材６が離間位置に配置されているため、アルカリ性薬液は、回転状態の第１基板Ｗ１の上面の中央部に着液する（着液工程）。図８Ａ（ｂ）に示すように、第１基板Ｗ１の上面に着液したアルカリ性薬液が、遠心力の作用により第１基板Ｗ１の全体に広がる。

その後、図８Ａ（ｃ）に示すように、第１基板Ｗ１の上面と第２基板Ｗ２の下面とによって第１基板Ｗ１の上面上のアルカリ性薬液が挟まれる（アルカリ薬液挟込工程、処理液挟込工程）。これにより、処理空間ＳＰがアルカリ性薬液によって満たされ(液密工程)、第１基板Ｗ１の上面および第２基板Ｗ２の下面の両方にアルカリ性薬液が供給される（アルカリ性薬液供給工程、処理液供給工程）。

次に、第１基板Ｗ１の上面および第２基板Ｗ２の下面をリンスして第１基板Ｗ１の上面および第２基板Ｗ２の下面からアルカリ性薬液を除去する第３リンス工程（ステップＳ７）が実行される。

詳しくは、第２保持部材６を処理液接触位置に維持しながら、アルカリ性薬液バルブ６３Ａが閉じられ、その代わりに、リンス液ノズル１０が液処理位置に配置されてリンス液バルブ６４Ａが開かれる。これにより、図８Ａ（ｄ）に示すように、リンス液ノズル１０の複数の吐出口８１（図４も参照）から処理空間ＳＰに向けてリンス液が吐出される。これにより、処理空間ＳＰ内のアルカリ性薬液がリンス液で置換されて、処理空間ＳＰがリンス液で満たされる（液密工程）。第３リンス工程においても、第１リンス工程と同様に、第１基板Ｗ１の上面および第２基板Ｗ２の下面の両方にリンス液が供給されるリンス液供給工程（処理液供給工程）が実行される。

次に、第１基板Ｗ１の上面および第２基板Ｗ２の下面に付着しているリンス液をＩＰＡ等の低表面張力液体で置換する低表面張力液体処理工程（ステップＳ８）が実行される。

詳しくは、リンス液バルブ６４Ａが閉じられてリンス液ノズル１０が鉛直退避位置に配置され、その代わりに、低表面張力液体ノズル１１が液処理位置に配置されて低表面張力液体バルブ６５Ａが開かれる。これにより、図８Ｂ（ａ）に示すように、低表面張力液体ノズル１１の複数の吐出口８６（図４も参照）から処理空間ＳＰに向けて低表面張力液体が吐出される。これにより、処理空間ＳＰ内のリンス液が低表面張力液体で置換されて、処理空間ＳＰが低表面張力液体で満たされる（液密工程）。このように、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２との間の距離Ｌを変更することなく、液処理位置（水平対向位置）に配置される低表面張力液体ノズル１１から低表面張力液体が吐出されることによって、第１基板Ｗ１の上面および第２基板Ｗ２の下面の両方に低表面張力液体が供給される（低表面張力液体供給工程、処理液供給工程）。

次に、第１基板Ｗ１の上面および第２基板Ｗ２の下面に付着している液体成分を除去して第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２を乾燥させる乾燥工程（ステップＳ９）が実行される。

具体的には、低表面張力液体バルブ６５Ａが閉じられ、低表面張力液体ノズル１１が鉛直退避位置に移動させる。その後、第２保持部材６が、処理液接触位置から離間位置へ向けて移動する。第２保持部材６が離間位置に位置する状態で、気体ノズル１２が気体吐出位置へ移動される。気体吐出位置は、たとえば、中央位置である。気体ノズル１２が中央位置に位置するとき、上方吐出口１２ｂは、第２基板Ｗ２の下面の中央部に対向し、下方吐出口１２ａは、第１基板Ｗ１の上面の中央部に対向する。

気体ノズル１２が気体吐出位置に位置する状態で、気体バルブ６６Ａが開かれる。これにより、図８Ｂ（ｂ）に示すように、気体ノズル１２から第１基板Ｗ１の上面および第２基板Ｗ２の下面に向けて気体が吐出される（気体吐出工程）。第１基板Ｗ１の上面に吹き付けられる気体の吹付力および第１基板Ｗ１の回転に起因する遠心力によって、第１基板Ｗ１から液体成分（主に、低表面張力液体）が除去される。第２基板Ｗ２の上面に吹き付けられる気体の吹付力および第２基板Ｗ２の回転に起因する遠心力によって、第２基板Ｗ２から液体成分（主に、低表面張力液体）が除去される。

その後、第１回転駆動機構２２によって第１基板Ｗ１が高速回転され、第２回転駆動機構３２によって第２基板Ｗ２が高速回転される。これにより、第１基板Ｗ１の上面および第２基板Ｗ２に僅かに残っている液体成分（主に、低表面張力液体）および処理空間ＳＰ内の雰囲気中の蒸気が除去される。

乾燥工程（ステップＳ９）の後、第２保持部材６が離間位置へ移動され、かつ、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の回転が停止される。その後、主搬送ロボットＣＲのハンドＨが、処理ユニット２に進入して、第１保持部材５および第２保持部材６から処理済みの第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２をそれぞれ受け取って、処理ユニット２外へと搬出する（搬出工程：ステップＳ１０）。搬出工程は、搬入工程（ステップＳ１）と反対の手順を採る工程である。

詳しくは、ハンドＨが第２搬送位置に位置する状態で、第１吸引バルブ２７および第２吸引バルブ３７が閉じられる。そして、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２がハンドＨに渡される。そして、第２保持部材６を離間位置に移動させ、その後、ハンドＨを第１搬送位置へ移動させる。そして、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２は、姿勢を変更させることなく、ハンドＨから載置ユニット１４の一対の支持部９２にそれぞれ渡される。

第１実施形態によれば、第１基板Ｗ１の上面と第２基板Ｗ２の下面との間の処理空間ＳＰに処理液（薬液、リンス液、低表面張力液体等）が供給される。処理空間ＳＰに供給された処理液は、第１基板Ｗ１の下面と第２基板Ｗ２の上面との両方に接触する。そのため、二枚の基板Ｗを処理液で同時に処理することができる。したがって、基板Ｗ一枚当たりの処理に要する処理液の使用量、および、処理時間を低減することができる。

また、第１実施形態によれば、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とが互いに逆方向に回転される。第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とが同方向に回転する場合と比較して、低速度の回転で処理液の液流を処理空間ＳＰに形成させ易い。これにより、第１基板Ｗ１の上面および第２基板Ｗ２の下面を効率良く処理することができる。その結果、処理に要する時間を短縮することができる。

また第１実施形態によれば、気体ノズル１２を処理空間ＳＰに配置した状態で、気体ノズル１２から第１基板Ｗ１の上面および第２基板Ｗ２の下面に向けて気体を吐出することができる。そのため、気体ノズル１２から吐出される気体によって、各基板Ｗに付着している液体（主に、低表面張力液体）を、処理空間ＳＰから処理空間ＳＰの外へ向けて排出することができる。したがって、第１基板Ｗ１の上面および第２基板Ｗ２の下面を速やかに乾燥させることができる。

また第１実施形態によれば、第２保持部材６を下降させることによって、第１基板Ｗ１の上面上の処理液（第１酸性薬液、第２酸性薬液、アルカリ性薬液等）を第２基板Ｗ２の下面に接触させることができる。そのため、第１基板Ｗ１の上面および第２基板Ｗ２の下面の処理に要する処理液の量を低減できる。

また第１実施形態によれば、処理液ノズル（リンス液ノズル１０または低表面張力液体ノズル１１）が処理空間ＳＰに水平方向から対向する位置から処理液を吐出することで、処理空間ＳＰが処理液（リンス液または低表面張力液体）で満たされる。したがって、第１保持部材５および第２保持部材６を鉛直方向Ｚに移動させることなく、第１基板Ｗ１の上面および第２基板Ｗ２の下面を処理液（リンス液または低表面張力液体）で処理することができる。そのため、第１基板Ｗ１の上面および第２基板Ｗ２の下面の処理に要する処理液の量を低減できる。

また第１実施形態によれば、複数の吐出口８１は、第１基板Ｗ１の周方向ＣＤに沿って並んでおり、処理空間ＳＰに対向する（図４を参照）。そのため、周方向ＣＤにおける複数位置から処理液を処理空間ＳＰに向けて吐出できる。したがって、第１基板Ｗ１の上面および第２基板Ｗ２の下面を満遍なく処理し易い。その結果、処理に要する時間を短縮することができる。

また第１実施形態によれば、低表面張力液体ノズル１１の円弧状部８５が、リンス液ノズル１０の円弧状部８０とは反対側から水平方向に処理空間ＳＰに対向可能である。そのため、リンス液ノズル１０の円弧状部８０および低表面張力液体ノズル１１の円弧状部８５の干渉を避けつつ、２種類の処理液を周方向ＣＤにおける複数位置から吐出することができる。そのため、処理液を吐出する部材の移動に要する時間を削減でき、かつ、各基板Ｗを処理液で処理するために必要な時間を削減できる。その結果、処理に要する時間を短縮することができる。

また第１実施形態によれば、主搬送ロボットＣＲのハンドＨは、第１基板Ｗ１を上方から保持し、かつ、第２基板Ｗ２を下方から保持する。そのため、ハンドＨは、第１支持部９２Ａおよび第２支持部９２Ｂから第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２をそれぞれ受け取った後、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の姿勢およびこれらの位置関係を変更することなく、第１保持部材５および第２保持部材６に第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２をそれぞれ渡すことができる。同様に、ハンドＨは、第１保持部材５および第２保持部材６から第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２をそれぞれ受け取った後、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の姿勢およびこれらの位置関係を変更することなく、第１保持部材５および第２保持部材６に第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２をそれぞれ渡すことができる。

すなわち、主搬送ロボットＣＲは、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の姿勢およびこれらの位置関係を変更することなく、載置ユニット１４（基板支持部材）と第１保持部材５および第２保持部材６との間で第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２を搬送することができる。したがって、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の処理を速やかに開始することができる。

＜リンス液ノズおよび低表面張力液体ノズルの変形例＞
図９は、リンス液ノズル１０および低表面張力液体ノズル１１の第１変形例について説明するための平面図である。図９に示すように、リンス液ノズル１０は、円弧状部８０を有しておらず、単一の吐出口１０ａを有していてもよい。同様に、低表面張力液体ノズル１１は、円弧状部８５を有しておらず、単一の吐出口１１ａを有していてもよい。

第１変形例においても、処理液ノズル（リンス液ノズル１０または低表面張力液体ノズル１１）が処理空間ＳＰに対向する位置から処理液を吐出することで、処理空間ＳＰが処理液で満たされる。したがって、第１保持部材５および第２保持部材６を鉛直方向Ｚに移動させることなく、第１基板Ｗ１の上面および第２基板Ｗ２の下面を処理液で処理することができる。そのため、第１基板Ｗ１の上面および第２基板Ｗ２の下面の処理に要する処理液の量を低減できる。

図９において、低表面張力液体ノズル１１は、リンス液ノズル１０とは反対側から水平方向に処理空間ＳＰに対向する。しかしながら、必ずしもリンス液ノズル１０とは反対側から水平方向に処理空間ＳＰに対向するように配置されている必要はない。リンス液ノズル１０および低表面張力液体ノズル１１は、周方向ＣＤにおける配置位置が互いに異なっていればよい。上述の図３に示す形態においても同様であり、リンス液ノズル１０の円弧状部８０および低表面張力液体ノズル１１の円弧状部８５は、周方向ＣＤにおける配置位置が互いに異なっていればよい。

図１０は、リンス液ノズル１０および低表面張力液体ノズル１１の第２変形例について説明するための平面図である。図１０（ａ）に示すように、リンス液配管５４および低表面張力液体配管５５は、リンス液ノズル１０を支持するリンス液ノズル支持部１００および低表面張力液体ノズル１１を支持する低表面張力液体ノズル支持部１０１をそれぞれ有していてもよい。

第１ノズル鉛直移動機構４５（図２を参照）は、リンス液ノズル支持部１００を介して、リンス液ノズル１０を鉛直方向Ｚに移動させる。リンス液ノズル支持部１００は、円弧状部８０に接続されており、リンス液ノズル支持部１００内のリンス液をノズル内流路８２に送る。第２ノズル鉛直移動機構４６（図２を参照）は、低表面張力液体ノズル支持部１０１を介して、低表面張力液体ノズル１１を鉛直方向Ｚに移動させる。低表面張力液体ノズル支持部１０１は、円弧状部８５に接続されており、低表面張力液体ノズル支持部１０１内の低表面張力液体をノズル内流路８７に送る。

この変形例においても、上述の基板処理と同様に、図１０（ｂ）に示すように、第１リンス工程（ステップＳ３）、第２リンス処理（ステップＳ５）、および、第３リンス工程（ステップＳ７）では、低表面張力液体バルブ６５Ａが閉じられて低表面張力液体ノズル１１が鉛直退避位置に配置されている状態で、リンス液ノズル１０が液処理位置に配置されてリンス液バルブ６４Ａが開かれる。これにより、リンス液ノズル１０から処理空間ＳＰに向けて水平方向にリンス液が吐出される。

図１０（ｃ）に示すように、低表面張力液体処理工程（ステップＳ８）では、リンス液バルブ６４Ａが閉じられ、かつ、リンス液ノズル１０が鉛直退避位置に配置されている状態で、低表面張力液体ノズル１１が液処理位置に配置され、かつ、低表面張力液体バルブ６５Ａが開かれる。これにより、低表面張力液体ノズル１１から処理空間ＳＰに向けて水平方向に低表面張力液体が吐出される。

この変形例においても、リンス液ノズル１０の円弧状部８０および低表面張力液体ノズル１１の円弧状部８５の干渉を避けつつ、２種類の処理液を周方向ＣＤにおける複数位置から吐出することができる。そのため、処理液を吐出する部材の移動に要する時間を削減でき、かつ、各基板Ｗを処理液で処理するために必要な時間を削減できる。その結果、処理に要する時間を短縮することができる。

＜気体ノズルの変形例＞
図１１Ａは、気体ノズル１２の第１変形例について説明するための模式図である。図１１Ａに示すように、気体ノズル１２は、下方吐出口１２ａを複数有しており、上方吐出口１２ｂを複数有していてもよい。気体ノズル１２が気体吐出位置に位置するとき、複数の下方吐出口１２ａは、第１基板Ｗ１の上面の半径方向（水平方向）に並ぶように構成されている。気体ノズル１２が気体吐出位置に位置するとき、複数の上方吐出口１２ｂは、第２基板Ｗ２の下面の半径方向（水平方向）に並ぶように構成されている。

複数の下方吐出口１２ａから吐出される気体は、半径方向における第１基板Ｗ１の上面の複数箇所に吹き付けられる。そのため、第１基板Ｗ１の上面を効率良く乾燥させることができる。複数の上方吐出口１２ｂから吐出される気体は、半径方向における第２基板Ｗ２の下面の複数箇所に吹き付けられる。そのため、第２基板Ｗ２の下面を効率良く乾燥させることができる。

図１１Ｂは、気体ノズル１２の第２変形例について説明するための模式図である。気体ノズル１２は、処理空間ＳＰに水平方向から対向する水平対向位置に配置されている状態で、処理空間ＳＰに向けて気体を吐出することができるように構成されていてもよい。低表面張力液体処理工程（ステップＳ８）の後、第２保持部材６を処理液保持位置に維持しながら、気体ノズル１２から気体を吐出することで、処理空間ＳＰから低表面張力液体を排除することができる。これにより、第１基板Ｗ１の上面および第２基板Ｗ２の下面を乾燥させることができる。

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係る基板処理装置１Ａの構成について説明する。図１２は、第２実施形態に係る基板処理装置１Ａに備えられる処理ユニット２の構成を説明するための模式図である。図１２において、前述の図１～図１１Ｂに示された構成と同等の構成については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。後述する図１３についても同様である。

第２実施形態に係る基板処理装置１Ａが、第１実施形態に係る基板処理装置１と主に異なる点は、酸性薬液ノズル８およびアルカリ性薬液ノズル９が移動ノズルである点である。詳しくは、処理ユニット２が、酸性薬液ノズル８およびアルカリ性薬液ノズル９をそれぞれ移動させる複数のノズル水平移動機構（第１ノズル水平移動機構４８および第２ノズル水平移動機構４９）をさらに含む。

各ノズル水平移動機構は、対応する処理液ノズルを共通に支持するアーム（図示せず）と、対応するアームを水平方向に移動させるアーム駆動機構（図示せず）とを含む。各アーム駆動機構は、電動モータ、エアシリンダ等のアクチュエータを含む。

酸性薬液ノズル８およびアルカリ性薬液ノズル９は、第２保持部材６が離間位置に位置するときに、液体吐出位置（後述する図１３（ａ）に実線で示す位置を参照）と第２退避位置（後述する図１３（ｂ）に二点鎖線で示す位置を参照）との間で移動可能である。

液体吐出位置は処理空間ＳＰ内の位置であり、第２退避位置は、処理空間ＳＰ外の位置である。処理液ノズル（酸性薬液ノズル８またはアルカリ性薬液ノズル９）が液体吐出位置に位置するとき、吐出口８ａ，９ａが第１基板Ｗ１の上面に対向する。処理液ノズル（酸性薬液ノズル８またはアルカリ性薬液ノズル９）が第２退避位置に位置するとき、吐出口８ａ，９ａは、第１基板Ｗ１の上面に対向しない。

第２実施形態に係る基板処理装置１Ａを用いることで、第１実施形態に係る基板処理（図５～図８Ｂを参照）と同様の基板処理を実行することができる。第２実施形態に係る基板処理装置１Ａを用いれば、以下で説明する薬液処理工程を実行することもできる。

図１３は、基板処理装置１Ａによって実行される基板処理の薬液処理工程（第１薬液処理工程、第２薬液処理工程、第３薬液処理工程）について説明するための模式図である。以下では、第１薬液処理工程（ステップＳ２）を例に、第２実施形態に係る薬液処理工程について説明するが、第２薬液処理工程（ステップＳ４）、および、第３薬液処理工程（ステップＳ６）においても同様の変形例を適用することができる。そのため、図１３には、酸性薬液ノズル８の符号とともにアルカリ性薬液ノズル９の符号を併記する。

詳しくは、第２保持部材６が離間位置に配置された状態で、酸性薬液ノズル８が液体吐出位置に移動させる。この基板処理では、液体吐出位置は、第１基板Ｗ１の上面の中央部に吐出口８ａが対向する中央位置である。酸性薬液ノズル８が液体吐出位置に位置する状態で、共通バルブ６０、および、第１酸性薬液バルブ６１Ａが開かれる。これにより、図１３（ａ）に示すように、処理空間ＳＰに向けて酸性薬液ノズル８から第１酸性薬液が吐出（供給）される（第１酸性薬液吐出工程、処理液吐出工程）。第２保持部材６が離間位置に配置されているため、第１酸性薬液は、回転状態の第１基板Ｗ１の上面の中央部に着液する（着液工程）。

第１基板Ｗ１の上面に着液した第１酸性薬液は、中央領域Ｒ１を覆い、第１基板Ｗ１の上面の周縁領域Ｒ２を露出させるように処理液コア１１０を形成する（処理液コア形成工程）。処理液コア１１０は、塊状の処理液のことである。第１基板Ｗ１の上面の中央領域Ｒ１は、第１基板Ｗ１の上面の中心部を含む略円形状の領域である。第１基板Ｗ１の上面の周縁領域Ｒ２は、第１基板Ｗ１の上面において中央領域Ｒ１を取り囲み、第１基板Ｗ１の周縁部を含む略円環状の領域である。

図１３（ｂ）に示すように、酸性薬液ノズル８が第２退避位置へ退避した後第２保持部材６が下降される。これにより、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２との間の距離Ｌが小さくされる。第２保持部材６の下降によって、図１３（ｃ）に示すように、第１基板Ｗ１の上面と第２基板Ｗ２の下面とによって第１基板Ｗ１の上面上の処理液コア１１０が挟まれる（第１酸性薬液挟込工程、処理液挟込工程）。これにより、第１基板Ｗ１の上面において第１酸性薬液によって被覆される被覆領域Ｒ３が周縁領域Ｒ２にまで拡大される（被覆領域拡大工程）。被覆領域Ｒ３が周縁領域Ｒ２にまで拡大されることによって、処理空間ＳＰが第１酸性薬液によって満たされる（液密工程）。このように、処理空間ＳＰに向けて酸性薬液ノズル８から第１酸性薬液が吐出された後、第１基板Ｗ１の上面と第２基板Ｗ２の下面とで挟むことによって、第１基板Ｗ１の上面および第２基板Ｗ２の下面の両方に第１酸性薬液が供給される（第１酸性薬液供給工程、処理液供給工程）。

この方法によれば、第１基板Ｗ１の上面の中央領域Ｒ１を覆う処理液コア１１０が形成される。第１基板Ｗ１の上面と第２基板Ｗ２の下面とによって処理液コア１１０を挟むことで、第１基板Ｗ１の上面において処理液によって被覆される被覆領域Ｒ３が第１基板Ｗ１の上面の周縁領域Ｒ２にまで拡大される。その際、第２基板Ｗ２の下面において処理液によって被覆される領域も第２基板Ｗ２の下面の周縁領域Ｒ２にまで拡大される。つまり、処理液コア１１０を構成する処理液が第１基板Ｗ１の上面の全体および第２基板Ｗ２の下面の全体に広げられる。したがって、第１基板Ｗ１の上面および第２基板Ｗ２の下面の処理に要する処理液の量を低減できる。

第２実施形態によれば、その他にも第１実施形態と同様の効果を奏する。

なお、酸性薬液およびアルカリ性薬液には、増粘剤が含有されていてもよい。増粘剤としては、たとえば、ポリビニルピロリドン、カルボキシビニルポリマー、ポリアクリル酸、ポリビニルアルコール等が挙げられる。増粘剤が含有されていれば、処理液コア１１０を形成し易い。

＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態に係る基板処理装置１Ｂの構成について説明する。図１４は、第２実施形態に係る基板処理装置１Ｂに備えられる処理ユニット２の構成を説明するための模式図である。図１４において、前述の図１～図１３に示された構成と同等の構成については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。後述する図１５Ａおよび図１５Ｂについても同様である。

第３実施形態に係る基板処理装置１Ａが、第１実施形態に係る基板処理装置１と主に異なる点は、リンス液ノズル１０および低表面張力液体ノズル１１が固定ノズルである点であり、第２保持部材６が離間位置に位置するときにリンス液および低表面張力液体を、処理空間ＳＰへ向けて吐出する点である。

第３実施形態では、リンス液ノズル１０は、リンス液を吐出する単一の吐出口１０ａを有しており、低表面張力液体ノズル１１は、低表面張力液体を吐出する単一の吐出口１１ａを有している。

第３実施形態に係る基板処理装置１Ｂを用いることで、第１実施形態に係る基板処理（図５～図８Ｂを参照）と同様の基板処理を実行することができる。ただし、各リンス工程（第１リンス工程、第２リンス工程、第３リンス工程）では、図１５Ａに示すように、第２保持部材６が離間位置に配置されている状態で、リンス液ノズル１０からリンス液が吐出されて、第１基板Ｗ１の上面にリンス液が着液する（着液工程）。第１基板Ｗ１の上面に着液したリンス液が、遠心力の作用により第１基板Ｗ１の全体に広がる。その後、第２保持部材６が下降されて第１基板Ｗ１の上面と第２基板Ｗ２の下面とによって第１基板Ｗ１の上面上のリンス液が挟まれる（リンス液挟込工程、処理液挟込工程）。これにより、処理空間ＳＰがリンス液によって満たされ(液密工程)、第１基板Ｗ１の上面および第２基板Ｗ２の下面の両方にリンス液が供給される（リンス液供給工程、処理液供給工程）。

また、低表面張力液体処理工程では、図１５Ｂに示すように、第２保持部材６が離間位置に配置されている状態で、低表面張力液体ノズル１１から低表面張力液体が吐出されて、第１基板Ｗ１の上面に低表面張力液体が着液する（着液工程）。第１基板Ｗ１の上面に着液した低表面張力液体が、遠心力の作用により第１基板Ｗ１の全体に広がる。その後、第２保持部材６が下降されて第１基板Ｗ１の上面と第２基板Ｗ２の下面とによって第１基板Ｗ１の上面上の低表面張力液体が挟まれる（低表面張力液体挟込工程、処理液挟込工程）。これにより、処理空間ＳＰが低表面張力液体によって満たされ(液密工程)、第１基板Ｗ１の上面および第２基板Ｗ２の下面の両方に低表面張力液体が供給される（低表面張力液体供給工程、処理液供給工程）。

第３実施形態によれば、第１保持部材５および第２保持部材６の少なくとも一方を鉛直方向Ｚに移動させることによって、第１基板Ｗ１の上面上の処理液を第２基板Ｗ２の下面に接触させることができる。そのため、第１基板Ｗ１の上面および第２基板Ｗ２の下面の処理に要する処理液の量を低減できる。また第３実施形態によれば、その他にも第１実施形態と同様の効果を奏する。

＜その他の実施形態＞
この発明は、以上に説明した実施形態に限定されるものではなく、さらに他の形態で実施することができる。

（１）たとえば、上述の各実施形態では、第２保持部材６が鉛直に移動することで、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２との間の距離Ｌが変更される。しかしながら、第１保持部材５が鉛直に移動するように構成されていてもよいし、第１保持部材５および第２保持部材６の両方が鉛直に移動してもよい。すなわち、保持部材移動ユニット１５は、第１基板Ｗ１の上面上の処理液が第２基板Ｗ２の下面に接触するように、第１保持部材５および第２保持部材６の少なくとも一方を鉛直方向Ｚに移動できるように構成されていていればよい。

第１保持部材５および第２保持部材６の少なくとも一方を鉛直方向Ｚに移動させることによって、第１基板Ｗ１の上面上の処理液を第２基板Ｗ２の下面に接触させることができる。そのため、第１基板Ｗ１の上面および第２基板Ｗ２の下面の処理に要する処理液の量を低減できる。

（２）第１実施形態および第３実施形態においても、第２保持部材６が離間位置に位置する状態で、第１基板Ｗ１の上面に処理液を供給する際、第２実施形態と同様に、第１基板Ｗ１の上面の中央領域Ｒ１に処理液コア１１０が形成されてもよい。

（３）上述の第１実施形態では、リンス液ノズル１０および低表面張力液体ノズル１１が水平対向位置に配置される。しかしながら、第１実施形態とは異なり、酸性薬液ノズル８が水平対向位置に配置され、水平対向位置に配置される酸性薬液ノズル８から処理空間ＳＰへ向けて水平方向に酸性薬液が吐出されるように構成されていてもよい。同様に、アルカリ性薬液ノズル９が水平対向位置に配置され、水平対向位置に配置されるアルカリ性薬液ノズル９から処理空間ＳＰへ向けて水平方向にアルカリ性薬液が吐出されてもよい。

（４）上述の各実施形態では、薬液として、第１酸性薬液、第２酸性薬液、アルカリ性薬液が用いられる。しかしながら、上述の各実施形態とは異なり、一種類の薬液のみが用いられてもよい。たとえば、フッ酸等の薬液を用いて薬液処理工程が実行された後、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２から薬液を除去するリンス工程が実行され、さらにその後、低表面張力液体処理工程、および、乾燥工程が実行されてもよい。

（５）図８Ａおよび図１３に二点鎖線で示すように、薬液処理工程において、処理液挟込工程を複数回実行することも可能である。詳しくは、処理液挟込工程の後、再度、第１基板Ｗ１の上面に薬液を供給し、その後、第１基板Ｗ１の上面と第２基板Ｗ２の下面とで薬液を挟んでもよい。そうすることで、反応性が充分に高い薬液で第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２を処理することができる。

（６）上述の各実施形態では、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とが互いに逆方向に回転される。しかしながら、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２が、同方向に互いに異なる速度で回転することによって相対回転してもよい。この場合であっても、処理空間ＳＰに処理液の液流が形成される。これにより、第１基板Ｗ１の上面および第２基板Ｗ２の下面を効率良く処理することができる。その結果、処理に要する時間を短縮することができる。

（７）上述の各実施形態では、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２は、処理対象面Ｓが互いに対向するように載置ユニット１４に載置されている。しかしながら、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２は、いずれも処理対象面Ｓが同じの方向（たとえば、上方）を向くように載置されていてもよい。その場合であっても、主搬送ロボットＣＲの一対のハンドＨが第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２をそれぞれ保持するように構成されており、かつ、ハンドＨが上下に反転可能に構成されていれば、上述した基板処理が実行可能である。詳しくは、第２基板Ｗ２を反転させることで、処理対象面Ｓが互いに対向するように、第１保持部材５および第２保持部材６に第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２をそれぞれ保持させることができる。

（８）また上述の各実施形態では、第１薬液処理工程（ステップＳ２）～低表面張力液体処理工程（ステップＳ８）のいずれかにおいて、第１基板Ｗ１の上面に処理液を供給した後、第２保持部材６を下降させて第２基板Ｗ２の下面に処理液を接触させている。しかしながら、第１薬液処理工程（ステップＳ２）～低表面張力液体処理工程（ステップＳ８）の実行中、第２保持部材６を、常時、処理液接触位置に配置し、その状態で水平対向位置に配置したノズルから各処理液を吐出するように基板処理装置が構成されていてもよい。

（９）上述の各実施形態では、複数のノズルから複数の流体がそれぞれ吐出されるように構成されている。しかしながら、各流体の吐出の態様は、上述の各実施形態に限定されない。

たとえば、全流体が単一のノズルから基板Ｗの上面へ向けて吐出されるように構成されていてもよい。また、各ノズルが独立して移動できるように構成されていてもよい。また、全てのノズルが単一のノズル移動機構によって一体に移動されるように構成されていてもよい。

（１０）上述の各実施形態において、配管、ポンプ、バルブ、アクチュエータ等についての図示を一部省略しているが、これらの部材が存在しないことを意味するものではなく、実際にはこれらの部材は適切な位置に設けられている。たとえば、対応する処理液ノズルから吐出される処理液の流量を調整する流量調整バルブ（図示せず）が各配管に設けられていてもよい。また、各ノズルへの流体の供給方法は、上述のものに限られない。たとえば、共通配管５０にはミキシングバルブが設けられており、酸性薬液は、ミキシングバルブ内で調製されてもよい。

（１１）上述の各実施形態では、コントローラ３が基板処理装置１の全体を制御する。しかしながら、基板処理装置１の各部材を制御するコントローラは、複数箇所に分散されていてもよい。また、コントローラ３は、各部材を直接制御する必要はなく、コントローラ３から出力される信号は、基板処理装置１の各部材を制御するスレーブコントローラに受信されてもよい。

（１２）また、上述の実施形態では、基板処理装置１が、搬送ロボット（インデクサロボットＩＲ、主搬送ロボットＣＲ）と、複数の処理ユニット２と、コントローラ３とを備えている。しかしながら、基板処理装置１は、単一の処理ユニット２とコントローラ３とによって構成されており、搬送ロボットを含んでいなくてもよい。あるいは、基板処理装置１は、単一の処理ユニット２のみによって構成されていてもよい。言い換えると、処理ユニット２が基板処理装置の一例であってもよい。

その他、特許請求の範囲に記載した範囲で種々の変更を行うことができる。

１ ：基板処理装置
１Ａ ：基板処理装置
１Ｂ ：基板処理装置
５ ：第１保持部材
６ ：第２保持部材
８ ：酸性薬液ノズル（処理液ノズル）
８ａ ：吐出口
９ ：アルカリ性薬液ノズル（処理液ノズル）
９ａ ：吐出口
１０ ：リンス液ノズル（処理液ノズル、第１処理液ノズル、第２処理液ノズル）
１０ａ ：吐出口
１１ ：低表面張力液体ノズル（処理液ノズル、第２処理液ノズル、第１処理液ノズル）
１１ａ ：吐出口
１２ ：気体ノズル
１４ ：載置ユニット（基板支持部材）
１５ ：保持部材移動ユニット（移動ユニット）
１６ ：回転ユニット
２２ ：第１回転駆動機構
３２ ：第２回転駆動機構
４７ ：気体ノズル移動機構
４８ ：第１ノズル水平移動機構
４９ ：第２ノズル水平移動機構
８０ ：円弧状部
８１ ：吐出口
８５ ：円弧状部
８６ ：吐出口
９２Ａ ：第１支持部
９２Ｂ ：第２支持部
１１０ ：処理液コア
Ａ１ ：回転軸線（中心軸線）
ＣＤ ：周方向
ＣＲ ：主搬送ロボット（搬送ロボット）
Ｈ ：ハンド
Ｌ ：距離
Ｒ１ ：中央領域
Ｒ２ ：周縁領域
Ｒ３ ：被覆領域
Ｓ ：処理対象面（第１基板の上面、第２基板の下面）
ＳＰ ：処理空間
Ｗ ：基板
Ｗ１ ：第１基板
Ｗ２ ：第２基板
Ｚ ：鉛直方向

Claims (18)

1. 第１基板を下方から保持する第１保持部材と、
   第２基板を上方から保持する第２保持部材であって、前記第１保持部材に保持されている第１基板に前記第２基板を対向させる第２保持部材と、
   前記第１保持部材に保持されている第１基板の上面と前記第２保持部材に保持されている第２基板の下面との両方に処理液が接触するように前記第１基板の上面と前記第２基板の下面との間の処理空間に処理液を供給する処理液ノズルとを含む、基板処理装置。
2. 前記第１保持部材に保持されている第１基板の下面の中心を通る中心軸線のまわりに前記第１保持部材および前記第２保持部材を相対回転させる回転ユニットをさらに含む、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記回転ユニットが、前記第１保持部材に保持されている第１基板と前記第２保持部材に保持されている第２基板とを前記中心軸線のまわりに互いに逆方向に回転させる、請求項２に記載の基板処理装置。
4. 上方および下方に向けて気体を吐出する気体ノズルと、
   前記処理空間内の気体吐出位置と前記処理空間から退避する第１退避位置との間で前記気体ノズルを移動させる気体ノズル移動機構とをさらに含む、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
5. 前記処理液ノズルが、前記第１保持部材に保持されている第１基板の上面に処理液を供給し、
   前記第１保持部材に保持されている第１基板の上面上の処理液が前記第２保持部材に保持されている第２基板の下面に接触するように、前記第１保持部材および前記第２保持部材の少なくとも一方を鉛直方向に移動させる移動ユニットをさらに含む、請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
6. 前記処理液ノズルは、下方に向けて処理液を吐出する吐出口を有し、
   前記処理空間内の液体吐出位置と前記処理空間から退避する第２退避位置との間で前記処理液ノズルを移動させるノズル水平移動機構をさらに含み、
   前記移動ユニットは、前記第１基板の上面上の処理液が前記第２基板の下面に接触する処理液接触位置、および、前記処理液接触位置よりも前記第２保持部材が前記第１保持部材から離間し、前記処理液ノズルが前記第１基板および前記第２基板の間を通過可能な離間位置の間で前記第２保持部材を前記鉛直方向に移動させる保持部材移動ユニットを含む、請求項５記載の基板処理装置。
7. 前記処理液ノズルが、前記処理空間が処理液で満たされるように前記処理空間に水平方向から対向する水平対向位置から処理液を吐出する、請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
8. 前記処理液ノズルが、前記第１保持部材に保持されている第１基板の周方向に沿って延び、前記処理空間に水平方向から対向する円弧状部と、前記円弧状部に設けられ前記処理空間へ向けて処理液を吐出する複数の吐出口とを含む、請求項７に記載の基板処理装置。
9. 前記処理液ノズルが、前記処理空間へ向けて第１処理液を吐出する第１処理液ノズルであり、
   前記円弧状部とは反対側から水平方向に前記処理空間に対向し前記第１処理液とは異なる第２処理液を吐出する第２処理液ノズルをさらに含む、請求項８に記載の基板処理装置。
10. 第１基板を支持する第１支持部、および、前記第１支持部よりも上方に設けられ第２基板を支持する第２支持部を有する基板支持部材と、
    前記基板支持部材と前記第１保持部材および前記第２保持部材との間で第１基板および第２基板を搬送する搬送ユニットであって、第１基板を上方から保持し、かつ、第２基板を下方から保持するハンドを有する搬送ユニットをさらに含む、請求項１～９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
11. 第１保持部材で第１基板を下方から保持し、かつ、第２保持部材で第２基板を上方から保持することによって前記第１基板および前記第２基板を対向配置させる対向配置工程と、
    前記第１保持部材に保持されている第１基板の上面と前記第２保持部材に保持されている第２基板の下面との両方に処理液が接触するように前記第１基板の上面と前記第２基板の下面との間の処理空間に処理液を供給する処理液供給工程とを含む、基板処理方法。
12. 前記処理液供給工程が、前記処理空間を処理液で満たす液密工程を含む、請求項１１に記載の基板処理方法。
13. 前記第１保持部材に保持されている第１基板の下面の中心を通る中心軸線のまわりに前記第１保持部材および前記第２保持部材を相対回転させる相対回転工程をさらに含む、請求項１１または１２に記載の基板処理方法。
14. 前記相対回転工程が、前記第１基板および前記第２基板を前記中心軸線の周りに互いに逆方向に回転させる工程を含む、請求項１３に記載の基板処理方法。
15. 前記処理液供給工程が、前記第１基板と前記第２基板との間の距離を変更することなく、前記処理空間に水平方向から対向する水平対向位置に配置される処理液ノズルから処理液を吐出する工程を含む、請求項１１～１４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
16. 前記処理液供給工程が、
    前記第１基板の上面に処理液を着液させる着液工程と、
    前記第１基板と前記第２基板との間の距離が小さくなるように前記第１保持部材および前記第２保持部材の少なくとも一方を移動させることによって、前記第１基板の上面と前記第２基板の下面とによって前記第１基板の上面上の処理液を挟む処理液挟込工程とを含む、請求項１１～１４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
17. 前記着液工程が、前記第１基板の上面の中央領域を覆い前記第１基板の上面の周縁領域を露出させるように処理液コアを形成する処理液コア形成工程を含み、
    前記処理液挟込工程が、前記第１基板の上面と前記第２基板の下面とによって前記処理液コアを挟むことによって、前記第１基板の上面において処理液によって被覆される被覆領域を前記周縁領域にまで拡大する被覆領域拡大工程を含む、請求項１６に記載の基板処理方法。
18. 前記処理液供給工程の後、前記第１基板の上面および前記第２基板の下面を乾燥させる乾燥工程をさらに含み、
    前記乾燥工程が、気体ノズルを前記処理空間に配置して、前記気体ノズルから前記第１基板の上面および前記第２基板の下面のそれぞれに向けて気体を吐出する気体吐出工程を含む、請求項１１～１７のいずれか一項に記載の基板処理方法。

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