JP6066861B2

JP6066861B2 - 基板洗浄装置、基板の裏面洗浄方法及び洗浄機構

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Publication number: JP6066861B2
Application number: JP2013162758A
Authority: JP
Inventors: 幸一本武; 洋史荒木
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2013-08-05
Filing date: 2013-08-05
Publication date: 2017-01-25
Anticipated expiration: 2033-08-05
Also published as: JP2015032756A

Description

本発明は、基板の例えば裏面の洗浄を行う基板洗浄装置、基板洗浄装置における基板の裏面洗浄方法及び洗浄機構に関する。

例えば半導体デバイスの製造工程におけるフォトリソグラフィー工程では、ウェハ上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜を所定のパターンに露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などの一連の処理が順次行われ、ウェハ上に所定のレジストパターンが形成される。これらの一連の処理は、ウェハを処理する各種処理ユニットやウェハを搬送する搬送ユニットなどを搭載した基板処理システムである塗布現像処理システムで行われている。

ところで近年、ウェハ上に形成される回路パターンの微細化がますます進行し、露光処理時のデフォーカスマージンがより厳しくなっている。それに伴い、露光装置にはパーティクルを極力持ち込まないことが求められる。特に、露光時にウェハの裏面にパーティクルが付着すると、パーティクルによりウェハに反りが生じるため、露光時のデフォーカスの原因となってしまう。そのため、露光装置へのパーティクルの持ち込みを極力少なくするために、露光装置に搬入される前のウェハの裏面は、例えば特許文献１に記載されるような洗浄装置により洗浄される。

洗浄装置では、ウェハの裏面を下方に向けた状態で、例えばウェハの裏面を吸着保持し、ウェハの裏面に押し当てたブラシを移動させることで洗浄が行われる。

特開２００８−１７７５４１号公報

しかしながら、裏面洗浄を行っても、ウェハの特に外周縁部にパーティクルが残ってしまうことがあった。これについて本発明者が鋭意検討したところ、ブラシを押し当てることによるウェハのたわみが原因であることがわかった。

即ち、例えば図１２に示すように、例えばチャック２００により吸着保持されている部分から離れた場所では、ウェハＷがブラシ２０１により押圧されてたわみ、ブラシ２０１とウェハＷの裏面との間に隙間が生じてしまう。その結果、ウェハＷの裏面を適正に洗浄することができなくなり、ウェハＷの裏面にパーティクルが付着したまま当該ウェハＷが露光装置に搬入されてしまうことがあった。

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板、特に露光装置に搬入前の基板の裏面洗浄を適正に行うことを目的としている。

前記の目的を達成するため、本発明は、基板の裏面を吸着保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板の裏面を洗浄する洗浄機構と、を備えた基板の洗浄装置であって、前記洗浄機構は、基板の裏面に押し当てられるブラシと、前記ブラシにおける基板と反対側の面に設けられた支持部材と、前記支持部材における前記ブラシと反対側の面に設けられた電極と、前記電極に電圧を印加する電源と、を有し、該電源は、前記ブラシによる基板の押圧の際に該基板に加わるモーメントに応じて前記電極に印加する電圧の大きさを変化させることを特徴としている。

本発明によれば、ブラシを支持する支持部材に電極が設けられているので、当該電極に所定の直流電圧を印加することで、支持部材の表面に静電誘導により電荷を誘導することができる。これにより、基板にブラシを押し当てた際に、支持部材の表面の電荷の力により基板を吸引することで、ブラシの押し当てによる基板のたわみを抑制できる。したがって、基板とブラシとの接触を維持し、基板の裏面洗浄を適正に行うことができる。

前記支持部材は、体積抵抗率が１×１０^１６Ω・ｃｍ以上であってもよい。

前記支持部材は、セラミックスであってもよい。

前記ブラシは、導電性を有していてもよい。

前記電源は、前記電極に印加する電圧を正負反転自在であってもよい。

前記ブラシを洗浄するブラシ洗浄機構をさらに有し、前記ブラシ洗浄機構は、石英板と、前記石英板の上面に設けられた他の電極とを有していてもよい。

基板に帯電した電荷を除去する除電機構を有していてもよい。

前記除電機構は炭酸ガスを溶解させた純水を供給する供給ノズルであってもよい。

別な観点による本発明は、基板の裏面を吸着保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板の裏面を洗浄する洗浄機構と、を備えた基板洗浄装置を用いて基板の裏面を洗浄する方法であって、前記洗浄機構は、基板の裏面に押し当てられるブラシと、前記ブラシにおける基板と反対側の面に設けられた支持部材と、前記支持部材における前記ブラシと反対側の面に設けられた電極と、前記電極に電圧を印加する電源と、を有し、前記ブラシを基板の裏面に押し当てる際に、前記ブラシにより基板に加わるモーメントに応じた大きさの電圧を前記電極に印加することを特徴としている。

前記支持部材は、セラミックスであってもよい。

前記ブラシは、導電性を有していてもよい。

前記基板洗浄装置は、前記ブラシを洗浄するブラシ洗浄機構をさらに有し、前記ブラシ洗浄機構は、石英板と、前記石英板の上面に設けられた他の電極とを有し、前記他の電極に電圧を印加しながら前記石英板に前記ブラシを接触させて当該ブラシの洗浄を行ってもよい。

前記基板洗浄装置は、基板に帯電した電荷を除去する除電機構を有していてもよい。
前記除電機構による基板に帯電した電荷の除去は、炭酸ガスを溶解させた純水を基板に供給することで行われてもよい。

また、別の観点による本発明は、前記基板保持部に保持された基板の裏面に押し当てて、当該基板の裏面を洗浄する洗浄機構であって、基板の裏面に押し当てられるブラシと、前記ブラシにおける基板と反対側の面に設けられた支持部材と、前記支持部材における前記ブラシと反対側の面に設けられた電極と、前記電極に電圧を印加する電源と、を有し、該電源は、前記ブラシによる基板の押圧の際に該基板に加わるモーメントに応じて前記電極に印加する電圧の大きさを変化させることを特徴としている。

本発明によれば、基板の裏面洗浄を適正に行うことができる。

本実施の形態にかかる基板洗浄装置の構成の概略を示す横断面図である。本実施の形態にかかる基板洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。洗浄機構の構成の概略を示す説明図である。ブラシ洗浄バスの構成の概略を示す説明図である。基板洗浄装置にウェハを受け渡す様子を示す説明図である。基板洗浄装置にウェハが受け渡された状態を示す説明図である。基板洗浄装置内でウェハが水平方向に移動される様子を示す説明図である。洗浄機構の電極に正の直流電圧を印加した状態を示す説明図である。基板洗浄装置内でウェハが水平方向に移動される様子を示す説明図である。基板洗浄装置でウェハの外周縁部が洗浄される様子を示した説明図である。ブラシ洗浄バスでブラシが洗浄される様子を示した説明図である。ウェハ裏面にブラシが押し当てられたことにより、ウェハにたわみが生じた様子を示す説明図である。

以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は基板洗浄装置１の構成の概略を示す平面図、図２は基板洗浄装置１の構成の概略を示す縦断面図である。

基板洗浄装置１は、ウェハＷを水平に吸着保持する２つの吸着パッド１０、と、この吸着パッド１０から受け取ったウェハＷを水平に吸着保持するスピンチャック１１と、ウェハＷの裏面を洗浄する洗浄機構１２と、上面が開口した筐体１３を有している。

図１に示されるように、２つの吸着パッド１０、は、細長の略矩形状に形成されており、ウェハＷ裏面の周縁部を保持できるように、平面視においてスピンチャック１１を挟んで略平行に設けられている。各吸着パッド１０は、当該吸着パッド１０より長い略矩形状の支持板１４によりそれぞれ支持されている。支持板１４は、駆動機構（図示せず）により水平方向及び上下方向に移動自在な枠体１５によりその両端部を支持されている。

枠体１５の上面には、上部カップ１６が設けられている。上部カップ１６の上面には、ウェハＷの直径より大きな径の開口部１６ａが形成されており、この開口部１６ａを介して基板洗浄装置１の外部に設けられた搬送機構と吸着パッド１０との間でウェハＷの受け渡しが行われる。

図２に示すように、スピンチャック１１はシャフト２０を介して駆動機構２１に接続されており、スピンチャック１１は、この駆動機構２１により回転及び昇降自在に構成されている。

スピンチャック１１の周囲には昇降機構（図示せず）により昇降自在な、例えば３つの昇降ピン２２が設けられている。

図３に示すように、洗浄機構１２は、例えばポリビニルアルコールやポリプロピレン、ナイロンといった樹脂繊維を多数円柱状に束ねて構成されたブラシ３０と、ブラシ３０を支持する略円盤状の支持部材３１と、支持部材３１の下面、即ち支持部材３１のブラシ３０と反対側の面に設けられ、支持部材３１と同じ直径を有する略円盤状の電極３２と、電極３２の下面を支持し、絶縁材料により形成された略円盤状の台座３３を有している。支持部材３１は、例えばアルミナや窒化アルミといったセラミックスにより形成されている。なお、支持部材３１の材料としては、セラミックスに限られるものではなく、例えば体積抵抗率が、概ね１×１０^１６Ω・ｃｍ以上の材質であれば、セラミックス以外を用いることができる。セラミックスを用いる場合も、体積抵抗率が、概ね１×１０^１６Ω・ｃｍ以上の材質を選定することが好ましい。

電極３２には直流電源３４が電気的に接続されており、電極３２に所定の電圧を印加できる。直流電源３４は、電極３２に印加する電圧の正負の極性を反転する機能を有している。支持部材３１、電極３２及び台座３３の外周部には、絶縁材料により形成されたシール部材３５が支持部材３１、電極３２及び台座３３の外周部端面を覆うように設けられている。このシール部材３５と台座３３により、電極３２に電圧を印加した際に、電極３２が短絡することを防止できる。

また、台座３３の下面にはシャフト３６が設けられている。シャフト３６の下端部近傍には、モータ３７に接続されたベルト３８が設けられている。したがって、モータ３７によりベルト３８を駆動することで、シャフト３６を介してブラシ３０を回転させることができる。そのため、ブラシ３０の上面をウェハＷの裏面に押し付けた状態で回転させて当該ブラシ３０をウェハＷの裏面で摺動させることにより、ウェハＷの裏面に付着したパーティクルを除去することができる。

洗浄機構１２には、支持体４０を介して駆動機構４１が接続されている。駆動機構４１は筐体１３に接続され、図１のＸ方向であって且つ筐体１３に沿って水平方向に移動できる。したがって、駆動機構４１をＸ方向に移動させることで、支持体４０を介して洗浄機構１２を図１のＸ方向に移動させることができる。

支持体４０の先端には、ブラシ３０で除去されたパーティクルを洗い流す洗浄液を供給する洗浄液ノズル４０ａと、洗浄後にウェハＷの裏面に付着している洗浄液を乾燥させるための、例えば窒素等の気体を供給するパージノズル４０ｂが設けられている。洗浄液ノズル４０ａから供給される洗浄液としては、例えば純水に炭酸ガス（二酸化炭素）をバブリングして、当該純水に炭酸ガスを溶解させたものが用いられる。

また、上部カップ１６のＸ方向負方向側の外方には、洗浄機構１２のブラシ３０を洗浄するブラシ洗浄機構としてのブラシ洗浄バス５０が設けられている。ブラシ洗浄バス５０は、図４に示すように、上部カップ１６側の側面が開口した略直方体状の容器５１と、当該開口に設けられたシャッター５２と、ブラシ３０に洗浄液としての純水を供給する純水ノズル５３が設けられている。シャッター５２を開けることにより洗浄機構１２がブラシ洗浄バス５０内に進入自在となり、シャッター５２を閉じることでブラシ洗浄バス５０内を密閉することができる。容器５１の天井部５１ａは例えば石英板により形成されている。また、天井部５１ａの上面には、天井部５１ａの上面の全体を覆うように電極５４が設けられており、電極５４には直流電圧を印加する電源５５が電気的に接続されている。

筐体１３の底部には、洗浄液を排出するドレン管６０と、基板洗浄装置１内に下方向の気流を形成し、且つ当該気流を排気する排気管６１が設けられている。

次に、基板洗浄装置１におけるウェハＷの洗浄について説明する。ウェハＷの洗浄にあたっては、先ず図５に示すように、基板洗浄装置１の外部に設けられた搬送機構１００によりウェハＷが上部カップ１６の上方に搬送される。次いで、昇降ピン２２が上昇して、ウェハＷが昇降ピン２２に受け渡される。この際、吸着パッド１０はその上面がブラシ３０の上面よりも高い位置で待機し、スピンチャック１１はブラシ３０の上面より低い位置まで退避している。その後、昇降ピン２２が下降して、図６に示されるように、ウェハＷが吸着パッド１０に受け渡されて吸着保持される。

次いで、図７に示されるように、吸着パッド１０でウェハＷを吸着保持した状態で、例えばブラシ３０がウェハＷ裏面の中央部に対応する領域に位置するように枠体１５を水平方向に移動させる。次いで、直流電源３４により電極３２に所定の電圧の直流電圧を印加する。その後、吸着パッド１０を下降させ、ウェハＷの裏面がブラシ３０の上面に押し当てられてウェハＷの中央部近傍の洗浄が行われる。この際、電極３２に例えば正の電圧を印加すると、例えば図８に示すように、わずかに導電性を有するセラミックスにより構成された支持部材３１の内部では電荷の移動が起こり、例えば電極３２側に負の電荷が、電極３２とは反対側、即ちウェハＷ側には正の電荷が移動する。そして、支持部材３１のウェハＷ側が正の電荷で帯電することで、静電誘導によりウェハＷのブラシ３０側の面には負の電荷が移動し、その結果、ウェハＷと支持部材３１とはクーロン力により引き合う、即ちウェハＷと支持部材３１との間に引力が生じる。したがって、ブラシ３０をウェハＷの裏面に押し当てても、ブラシ３０に押圧されることによるウェハＷのたわみが最小限となり、ブラシ３０をウェハＷの裏面に適正に接触させることができる。

次いで、洗浄液ノズル４０ａから洗浄液を供給すると共にブラシ３０を回転させて、ウェハＷ裏面の中央部が洗浄される。この際、支持体４０が図１のＸ方向に往復動し、枠体１５がＹ方向に往復動することで、ウェハＷ裏面の中央部が万遍なく洗浄される。この際、洗浄液ノズル４０ａから供給される洗浄液は、炭酸ガスを溶解させた純水を用いるので、静電誘導により帯電したウェハＷの電荷を除去することができる。その結果、例えばクーロン力によりウェハＷの裏面に付着していたパーティクルを容易に洗い流すことができる。また、パーティクルそのものが帯電していた場合にも、当該パーティクルを除電できるので、ウェハＷの裏面を効率的に洗浄できる。かかる場合、洗浄液ノズル４０ａはウェハＷの除電を行う除電機構として作用する。なお、ウェハＷの除電の方法としては本実施の内容に限定されるものではなく、例えばパージノズル４０ｂを、イオン化した空気を供給するイオナイザーとして用いてもよい。

ウェハＷ裏面の中央部の洗浄が終わると、図９に示すように、ウェハＷの中心とスピンチャック１１の中心とが平面視において一致するように枠体１５を水平方向に移動させる。次いで、スピンチャック１１を上昇させて、ウェハＷが吸着パッド１０からスピンチャック１１に受け渡される。

その後、図１０に示すように、ウェハＷの裏面にブラシ３０を押し当てた状態でウェハＷが回転されると共に、支持体４０を介してブラシをＸ方向に摺動させることで、ウェハＷ裏面の周縁部が洗浄される。これにより、ウェハＷの裏面全体のパーティクルが除去される。なお、この際も、電極３２には直流電源３４により例えば正の電圧が印加されている。そのため、従来はブラシ３０により押圧されることでたわみが生じていたウェハＷの外周縁部においても、支持部材３１とウェハＷとの間の働くクーロン力によりウェハＷのたわみが最小限に抑えられる。その結果、ウェハＷの裏面とブラシ３０との適正な接触が維持され、ウェハＷの裏面のパーティクルの除去が良好に行われる。

ウェハＷ裏面の洗浄が完了すると、ブラシ３０の回転や洗浄液の供給を停止し、スピンチャック１１を高速で回転させることで、ウェハＷ裏面に付着している洗浄液が振り切り乾燥される。この際、パージノズル４０ｂによるパージも並行して行われる。

そして、乾燥が終了すると、基板洗浄装置１に搬送された際とは逆の順序でウェハＷが搬送機構１００に受け渡され、一連のウェハＷの裏面洗浄が終了する。

また、ブラシ３０によるウェハＷの洗浄が終了すると、洗浄機構１２は図１のＸ方向負方向側に移動し、ブラシ洗浄バス５０内に進入し、シャッター５２が閉止される。ブラシ洗浄バス５０では、先ず純水ノズル５３からブラシ３０に対して純水が供給される。次いで、直流電源３４により、ウェハＷの裏面洗浄の際とは反対の極性の電圧、本実施の形態では負の電圧が電極３２に印加される。このように、電極３２に印加する電圧の極性を反転させることで、ブラシ３０に付着した電荷、この場合は負の電荷を有するパーティクルはクーロン力による斥力を受け、ブラシ３０から離れやすくなる。また、電極３２への印加電圧の極性反転と共に、ブラシ洗浄バス５０の電極５４に例えば正の直流電圧を印加する。

そして、電極３２及び電極５４に電圧を印加した状態で洗浄機構１２を上方に移動させ、ブラシ３０を図１１に示すように天井部５１ａに押し当て、ブラシ３０を回転させる。この際、ブラシ３０の上面側は、ウェハＷの洗浄時とは反対の極性である負の電荷を有し、また、天井部５１ａの下面側も負に帯電しているので、ブラシ３０に付着していた負の電荷を有するパーティクルは、天井部５１ａとの擦り合わせに加えて、ブラシ３０及び天井部５１ａからの斥力を受け、効率的にブラシ３０から除去される。また、天井部５１ａそのものにパーティクルが付着することも抑制できる。

ブラシ３０の洗浄が終了した洗浄機構１２は、ブラシ洗浄バス５０から再び上部カップ１６の下方に移動し、基板洗浄装置１に搬入される他のウェハＷの裏面の洗浄が引き続き行われる。

以上の実施の形態によれば、ブラシ３０を支持する支持部材３１に電極３２が設けられているので、当該電極３２に所定の直流電圧を印加することで支持部材３１の表面に所定の電荷を誘導することができる。そして、支持部材３１の表面に誘導された電荷により、ウェハＷの表面にも静電誘導により所定の電荷を誘導できる。これにより、支持部材３１とウェハＷとの間にクーロン力による引力が作用する。その結果、ブラシ３０の押圧により特にウェハＷの外周縁部近傍において生じるウェハＷのたわみを、支持部材３１がウェハＷを引き寄せることで抑制することができる。したがって、ウェハＷとブラシ３０との接触をウェハＷの全面にわたって維持し、ウェハＷの裏面を適正に洗浄することができる。

また、洗浄液ノズル４０ａから炭酸ガスを溶解させた純水をウェハＷに対して供給するので、電極３２に電圧を印加することにより帯電したウェハＷの除電を行い、帯電したパーティクルがウェハＷに付着することを防止できる。

また、直流電源３４は印加する電圧の極性を反転できるため、ブラシ３０の洗浄の際に電圧の極性を反転させることで、ブラシ３０に付着していた電荷を有するパーティクルを、斥力によりブラシから離れやすくすることができる。その結果、ブラシを清浄な状態に維持することができるので、ウェハＷの裏面洗浄を良好に行うことができる。

さらには、基板洗浄装置１がブラシ洗浄バス５０を有し、電極５４によりブラシ洗浄バスの天井部５１ａにも電荷を移動させることができるので、天井部５１ａの電荷による斥力によってもブラシ３０からのパーティクルの離脱を促し、ブラシ３０を清浄な状態に維持できる。また、斥力により天井部５１ａそのものへのパーティクルの付着も抑制できるので、天井部５１ａに付着したパーティクルがブラシに付着してしまうということも避けることができる。

なお、以上の実施の形態では、ウェハＷの中心部近傍を洗浄する際にも直流電源３４により電極３２に電圧を印加したが、電極３２への電圧の印加は、ウェハＷの中心部をスピンチャック１１により吸着することでウェハＷが片持ち支持の状態となっている、ウェハＷの外周縁部近傍を洗浄する場合のみ行うようにしてもよい。ウェハＷの中央部近傍を洗浄する場合は、吸着パッド１０によりブラシ３０の両側を支持された状態であり、ブラシ３０でウェハＷの中央部を押圧しても、片持ち支持の場合よりもはるかにたわみ量が小さく、電極３２への電圧の印加がなくても、ウェハＷとブラシ３０との接触が良好な状態に保たれるためである。

また、電極３２に電圧を印加する場合は、例えばウェハＷの外周に近づくほどブラシ３０によるウェハＷの押圧の際のモーメントが大きくなるため、このモーメントの大きさに応じて印加する電圧の大きさを変化させるようにしてもよい。なお、本発明者らによれば、例えばウェハ側の面の表面積が３３ｃｍ２である支持部材３１を有する洗浄機構１２を用いてウェハＷの洗浄を行う際、ウェハＷの裏面と当該支持部材３１のウェハ側の面との間の距離が、例えば５ｍｍである場合、電極３２に印加する直流電圧は、概ね５００Ｖ〜１２００Ｖ程度とすることが好ましい。かかる場合、ウェハＷと支持部材３１との間には概ね０．２Ｎ〜２．３Ｎの吸引力が発生し、これによりウェハＷとブラシ３０との接触を良好な状態に維持することができる。

以上の実施の形態では、ブラシ３０の材質は、ポリビニルアルコールやポリプロピレン、ナイロンといった絶縁材であったが、ブラシ３０の材料は本実施の形態の内容に限定されない。例えば、ポリビニルアルコールやポリプロピレンといった絶縁材にカーボンを添加して導電性を持たせるようにしてもよい。ブラシ３０に導電性を持たせることで、支持部材３１の電荷によりブラシ３０でも電荷の移動が起こり、ブラシ３０とウェハＷとの間でも静電誘導による引力が作用する。

また、以上の実施の形態では、電極３２は支持部材３１の下面の全面にわたって設けられていたが、その形状は本実施の形態の内容に限定されるものではなく、支持部材３１のウェハＷ側の面に電荷を移動させることができれば任意に形状や大きさを設定できる。かかる場合、例えば支持部材３１のシャフト３６に対応する位置の近傍に埋め込むようにして電極３２を配置してもよい。

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。

本発明は、例えば半導体ウェハ等の基板の裏面洗浄を行う際に有用である。

１基板洗浄装置
１０吸着パッド
１１スピンチャック
１２洗浄機構
１３筐体
１４支持板
１５枠体
１６上部カップ
２０シャフト
２１駆動機構
２２昇降ピン
３０ブラシ
３１支持部材
３２電極
３３台座
３４直流電源
３５シール部材
３６シャフト
３７モータ
３８ベルト
４０支持体
４１駆動機構
５０ブラシ洗浄バス
５１容器
５１ａ天井部
５４電極
Ｗウェハ

Claims

基板の裏面を吸着保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板の裏面を洗浄する洗浄機構と、を備えた基板の洗浄装置であって、
前記洗浄機構は、
基板の裏面に押し当てられるブラシと、
前記ブラシにおける基板と反対側の面に設けられた支持部材と、
前記支持部材における前記ブラシと反対側の面に設けられた電極と、
前記電極に電圧を印加する電源と、を有し、
該電源は、前記ブラシによる基板の押圧の際に該基板に加わるモーメントに応じて前記電極に印加する電圧の大きさを変化させることを特徴とする、基板洗浄装置。
前記支持部材は、体積抵抗率が１×１０^１６Ω・ｃｍ以上であることを特徴とする、請求項１に記載の基板洗浄装置。
前記支持部材は、セラミックスであることを特徴とする、請求項２に記載の基板洗浄装置。
前記ブラシは、導電性を有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
前記電源は、前記電極に印加する電圧を正負反転自在であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
前記ブラシを洗浄するブラシ洗浄機構をさらに有し、
前記ブラシ洗浄機構は、石英板と、前記石英板の上面に設けられた他の電極とを有することを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
基板に帯電した電荷を除去する除電機構を有することを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
前記除電機構は炭酸ガスを溶解させた純水を供給する供給ノズルであることを特徴とする、請求項７に記載の基板洗浄装置。
基板の裏面を吸着保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板の裏面を洗浄する洗浄機構と、を備えた基板洗浄装置を用いて基板の裏面を洗浄する方法であって、
前記洗浄機構は、
基板の裏面に押し当てられるブラシと、
前記ブラシにおける基板と反対側の面に設けられた支持部材と、
前記支持部材における前記ブラシと反対側の面に設けられた電極と、
前記電極に電圧を印加する電源と、を有し、
前記ブラシを基板の裏面に押し当てる際に、前記ブラシにより基板に加わるモーメントに応じた大きさの電圧を前記電極に印加することを特徴とする、基板の裏面洗浄方法。
前記支持部材は、体積抵抗率が１×１０^１６Ω・ｃｍ以上であることを特徴とする、請求項９に記載の基板の裏面洗浄方法。
前記支持部材は、セラミックスであることを特徴とする、請求項１０に記載の基板の裏面洗浄方法。
前記ブラシは、導電性を有することを特徴とする、請求項９〜１１のいずれか一項に記載の基板の裏面洗浄方法。
前記電源は、前記電極に印加する電圧を正負反転自在であることを特徴とする、請求項９〜１２のいずれか一項に記載の基板の裏面洗浄方法。
前記基板洗浄装置は、前記ブラシを洗浄するブラシ洗浄機構をさらに有し、
前記ブラシ洗浄機構は、石英板と、前記石英板の上面に設けられた他の電極とを有し、
前記他の電極に電圧を印加しながら前記石英板に前記ブラシを接触させて当該ブラシの洗浄を行うことを特徴とする、請求項９〜１３のいずれか一項に記載の基板の裏面洗浄方法。
前記基板洗浄装置は、基板に帯電した電荷を除去する除電機構を有することを特徴とする、請求項９〜１４のいずれか一項に記載の基板の裏面洗浄方法。
前記除電機構による基板に帯電した電荷の除去は、炭酸ガスを溶解させた純水を基板に供給することで行われることを特徴とする、請求項１５に記載の基板の裏面洗浄方法。
基板保持部に保持された基板の裏面に押し当てて、当該基板の裏面を洗浄する洗浄機構であって、
基板の裏面に押し当てられるブラシと、
前記ブラシにおける基板と反対側の面に設けられた支持部材と、
前記支持部材における前記ブラシと反対側の面に設けられた電極と、
前記電極に電圧を印加する電源と、を有し、
該電源は、前記ブラシによる基板の押圧の際に該基板に加わるモーメントに応じて前記電極に印加する電圧の大きさを変化させることを特徴とする、洗浄機構。