JPS603121A - 半導体ウエハの処理方法 - Google Patents
半導体ウエハの処理方法Info
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- JPS603121A JPS603121A JP11021583A JP11021583A JPS603121A JP S603121 A JPS603121 A JP S603121A JP 11021583 A JP11021583 A JP 11021583A JP 11021583 A JP11021583 A JP 11021583A JP S603121 A JPS603121 A JP S603121A
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- wafers
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
この発明は半導体ウェハの処理方法、詳しくは半導体ウ
ェハに帯電している静電気を除去する方法に関するもの
である。
ェハに帯電している静電気を除去する方法に関するもの
である。
（従来技術）
半導体ウェハは静電気を帯ひやすいが、従来は、この静
電気の除去については関心がもたれていなかった。した
がって、ウェハの洗浄・乾燥後、外気からの浮遊塵埃の
付着があったシ、熱処理装置など、石英製の炉心管やホ
ートラ有する装いにおいて、石英粉末などの浮遊塵埃が
ウェハに付着して良質な膜形成が困難になるなどの欠点
があった。
電気の除去については関心がもたれていなかった。した
がって、ウェハの洗浄・乾燥後、外気からの浮遊塵埃の
付着があったシ、熱処理装置など、石英製の炉心管やホ
ートラ有する装いにおいて、石英粉末などの浮遊塵埃が
ウェハに付着して良質な膜形成が困難になるなどの欠点
があった。
そこで、最近、ウエノ・洗浄後の乾燥工程を行う遠心脱
水式乾燥装置（以下スピンドライヤという）として、除
電対策を施したスピンドライヤも一部、見受けられる。
水式乾燥装置（以下スピンドライヤという）として、除
電対策を施したスピンドライヤも一部、見受けられる。
そのスピンドライヤを第１図に示す。すなわち、このス
ピンドライヤでは、Ｎ２ガス１を除電器２でイオン化さ
せて、そのイオン化したＮ２ガス１を、回転しているウ
ェハ３およびウニ・・治具４に吹き句りることによシ、
回転乾燥中に、ウェハ３およびウェハ治具４に帯電して
いる静電気を除去する。したがって、このスピンドライ
ヤによれば、乾燥後、蓋を開けた時に、周囲に浮遊する
塵埃がウェハ３およびウェハ治具４に付着するのを防止
できる。
ピンドライヤでは、Ｎ２ガス１を除電器２でイオン化さ
せて、そのイオン化したＮ２ガス１を、回転しているウ
ェハ３およびウニ・・治具４に吹き句りることによシ、
回転乾燥中に、ウェハ３およびウェハ治具４に帯電して
いる静電気を除去する。したがって、このスピンドライ
ヤによれば、乾燥後、蓋を開けた時に、周囲に浮遊する
塵埃がウェハ３およびウェハ治具４に付着するのを防止
できる。
しかるに、イオン化したＮ２ガス１′ｆｆ：、スピンド
ライヤ内でウェハ３およびウェハ治具４に吹き付ける方
法では、高速回転によりスピンドライヤ内のエアが外方
向へ拡がるため、高電圧の静電気には効果が減衰する。
ライヤ内でウェハ３およびウェハ治具４に吹き付ける方
法では、高速回転によりスピンドライヤ内のエアが外方
向へ拡がるため、高電圧の静電気には効果が減衰する。
また、不活性Ｎ２ガス１を用いる方法では、このガス１
がイオン化されにくいから、やはシ効果的な除電を施す
ことができない。
がイオン化されにくいから、やはシ効果的な除電を施す
ことができない。
（発明の概要）
この発明は上記の点に鑑みなされたもので、たとえ高電
圧の静電気であっても、充分効果的にウェハ上の静電気
を除去することができる半導体ウェハの処理方法を提供
することを目的とする。
圧の静電気であっても、充分効果的にウェハ上の静電気
を除去することができる半導体ウェハの処理方法を提供
することを目的とする。
この発明の半導体ウニノ＼の処理方法は、半導体装置の
製造に用いられるスピンドライヤや熱処理炉などの装置
に半導体ウニノ・を挿入する直前で、したがって、その
装置の外部で、イオン化したエアーを前記ウニノ・に吹
き付けることにより静電気を除去するものである。
製造に用いられるスピンドライヤや熱処理炉などの装置
に半導体ウニノ・を挿入する直前で、したがって、その
装置の外部で、イオン化したエアーを前記ウニノ・に吹
き付けることにより静電気を除去するものである。
ここで、周知のようにエアーをイオン化するということ
は、放電によυエアー中に電荷を発生させることである
３、したがって、そのイオン化したエアーを静電気を帝
ひたウニ／％に吹き付ければ、前記電荷でその静電気を
中和できる、。
は、放電によυエアー中に電荷を発生させることである
３、したがって、そのイオン化したエアーを静電気を帝
ひたウニ／％に吹き付ければ、前記電荷でその静電気を
中和できる、。
（実施例）
以下この発明の実施例を図面を参照して一説明する。
まず、第２図を用いてこの発明の第１の実施例について
述べる。第１の実施例では、スピンドライヤ１１をクリ
ーンベンチ１２内に設置し、クリーンベンチ１２のダウ
ンフローのエアー１３をイオン化する。
述べる。第１の実施例では、スピンドライヤ１１をクリ
ーンベンチ１２内に設置し、クリーンベンチ１２のダウ
ンフローのエアー１３をイオン化する。
この第１の実施例では、ウニノＸ１４およびウェハ治具
１５をスピンドライヤ１１に挿入する直前に、クリーン
ベンチ１２のダウンフローのイオン化されたエアー１３
がウェハ１４およびウニノ１治具１５に吹き付けられて
、それらの静電気が除去される。同様に、ウニノ１１４
とウニノー治具１５をスピンドライヤ１１から取出した
時にも、これらの静電気が除去される。したがって、ク
リーンベンチ１２およびスピンドライヤ１１内、さらに
は乾燥工程後の移動中においてウニノー１４およびウェ
ハ治具１５に塵埃が吸着されるのが防止される。
１５をスピンドライヤ１１に挿入する直前に、クリーン
ベンチ１２のダウンフローのイオン化されたエアー１３
がウェハ１４およびウニノ１治具１５に吹き付けられて
、それらの静電気が除去される。同様に、ウニノ１１４
とウニノー治具１５をスピンドライヤ１１から取出した
時にも、これらの静電気が除去される。したがって、ク
リーンベンチ１２およびスピンドライヤ１１内、さらに
は乾燥工程後の移動中においてウニノー１４およびウェ
ハ治具１５に塵埃が吸着されるのが防止される。
このような第１の実施例によれば、クリーンベンチ２の
ダウンフローのエアー１３をイオン化している。エアー
はイオン化されやすい。したがって、このイオン化され
たエアー１３を用いてｈＮ気除去を効果的に行い得る。
ダウンフローのエアー１３をイオン化している。エアー
はイオン化されやすい。したがって、このイオン化され
たエアー１３を用いてｈＮ気除去を効果的に行い得る。
また、第１の実施例では、前記イオン化したエアー１３
をスピンドライヤ１１の外部でウニノ１１４およびウニ
ノ１治具１５に吹き付けることになる。したがって、ス
ピンドライヤ１１の動作に影響されずに効率よくイオン
化したエアー１３を吹き付けることができ、よシ一層効
果的に静電気除去を行い得る。よって、高電圧の静電気
であっても確実に除去することができる。
をスピンドライヤ１１の外部でウニノ１１４およびウニ
ノ１治具１５に吹き付けることになる。したがって、ス
ピンドライヤ１１の動作に影響されずに効率よくイオン
化したエアー１３を吹き付けることができ、よシ一層効
果的に静電気除去を行い得る。よって、高電圧の静電気
であっても確実に除去することができる。
第３図はこの発明の第２の実施例を説明するための図で
ある。この第２の実施例では、熱処理炉（以下炉心管と
いう）２１にウニノ１２２およびウェハ支持具（以下ボ
ートという）２３を挿入する工程直前に、イオン化した
エアー２４を前記ウェハ２２およびボート２３に吹き付
けて、これらの静電気を除去する。
ある。この第２の実施例では、熱処理炉（以下炉心管と
いう）２１にウニノ１２２およびウェハ支持具（以下ボ
ートという）２３を挿入する工程直前に、イオン化した
エアー２４を前記ウェハ２２およびボート２３に吹き付
けて、これらの静電気を除去する。
すなわち、炉心管２１に挿入されるウニノ・２２は、炉
心管２１やボート２３と共に石英製であシ、挿入時に互
いに擦り合わされると、摩擦により塵埃を発生する。ま
た、ＣｖＤ装置などでは、排気。
心管２１やボート２３と共に石英製であシ、挿入時に互
いに擦り合わされると、摩擦により塵埃を発生する。ま
た、ＣｖＤ装置などでは、排気。
パージ系を有する装置があり、これも塵埃発生の根源と
なる。したがって、もしウニノ１２２が帯電していると
、このウニノー２２に塵埃が強く吸着されてしまい、半
導体製造において高い歩留シを得ることは困難となる。
なる。したがって、もしウニノ１２２が帯電していると
、このウニノー２２に塵埃が強く吸着されてしまい、半
導体製造において高い歩留シを得ることは困難となる。
そこで、この第２の実施例では炉心管２１へ挿入する直
前にウニノ・２２およびボート２３の静電気を除去する
ようにしたものであｐｌこのようにすれば、挿入前後は
勿論、前述した炉心管２１内での浮遊塵埃、石英粉末の
ウェハ２２およびボート２３への付着を最小限に抑える
ことができ、半導体製造において高い歩留９（膜質、製
品歩留、！Ｍｆｆ：得ることができる。そして、この第
２の実施例においてもイオン化したエアー２４を用いて
、炉心管２１の外部で静電気除去を行うようにしたので
、第１の実施例と同様に効率よく静電気を除去すること
ができるものである。
前にウニノ・２２およびボート２３の静電気を除去する
ようにしたものであｐｌこのようにすれば、挿入前後は
勿論、前述した炉心管２１内での浮遊塵埃、石英粉末の
ウェハ２２およびボート２３への付着を最小限に抑える
ことができ、半導体製造において高い歩留９（膜質、製
品歩留、！Ｍｆｆ：得ることができる。そして、この第
２の実施例においてもイオン化したエアー２４を用いて
、炉心管２１の外部で静電気除去を行うようにしたので
、第１の実施例と同様に効率よく静電気を除去すること
ができるものである。
なお、上記の第１．第２の実施例は単に一例にすぎない
。この発明はイオン注入、蒸着、エツチング、ホトリソ
など半導体製造ライン全搬の各工程において適用するこ
とができる。
。この発明はイオン注入、蒸着、エツチング、ホトリソ
など半導体製造ライン全搬の各工程において適用するこ
とができる。
（発明の効果）
以上詳述したようにこの発明の半導体ウェハの処理方法
によれば、たとえ高電圧の静電気であっても、充分効果
的にウェハ上の静電気全除去することができる。
によれば、たとえ高電圧の静電気であっても、充分効果
的にウェハ上の静電気全除去することができる。
第１図は除電対策を施した従来のスピンドライヤを示す
概略図、第２図はこの発明の半導体ウェハの処理方法の
第１の実施例を説明するための概略図、第３図はこの発
明の第２の実施例を説明するための概略図である。 １１・・・スピンドライヤ、１３．２４・・・イオン化
したエアー、１４．２２・・・ウェハ。 特許出願人 沖電気工業株式会社
概略図、第２図はこの発明の半導体ウェハの処理方法の
第１の実施例を説明するための概略図、第３図はこの発
明の第２の実施例を説明するための概略図である。 １１・・・スピンドライヤ、１３．２４・・・イオン化
したエアー、１４．２２・・・ウェハ。 特許出願人 沖電気工業株式会社
Claims (1)
- 半導体装置の製造に用いられる装置に半導体ウェハを挿
入する直前で、イオン化したエアーを前記ウェハに吹き
つけて静電気全除去することを特徴とする半導体ウェハ
の処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11021583A JPS603121A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 半導体ウエハの処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11021583A JPS603121A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 半導体ウエハの処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS603121A true JPS603121A (ja) | 1985-01-09 |
Family
ID=14529981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11021583A Pending JPS603121A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 半導体ウエハの処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS603121A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60226130A (ja) * | 1984-04-25 | 1985-11-11 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
| JPS6289140U (ja) * | 1985-11-26 | 1987-06-08 | ||
| EP0238174A2 (en) * | 1986-03-20 | 1987-09-23 | Seiko Instruments Inc. | Colour liquid crystal electro-optical device and method of manufacturing the same |
| JPH02201926A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-10 | Fujitsu Ltd | ウエット洗浄用ホルダ及びウエット洗浄方法 |
| EP0398806A2 (en) * | 1989-05-17 | 1990-11-22 | Fujitsu Limited | Method of fabricating a semiconductor device |
| WO1993002467A1 (en) * | 1991-07-25 | 1993-02-04 | Takasago Netsugaku Kogyo Kabushiki-Kaisha | Apparatus for neutralizing charged body |
| WO1993004210A1 (en) * | 1991-08-19 | 1993-03-04 | Tadahiro Ohmi | Method for forming oxide film |
| US5492862A (en) * | 1993-01-12 | 1996-02-20 | Tokyo Electron Limited | Vacuum change neutralization method |
| US6146135A (en) * | 1991-08-19 | 2000-11-14 | Tadahiro Ohmi | Oxide film forming method |
| US6207006B1 (en) | 1997-09-18 | 2001-03-27 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus |
| KR100436478B1 (ko) * | 2001-09-20 | 2004-06-22 | 동부전자 주식회사 | 스핀 방식의 웨이퍼 세정장치 |
-
1983
- 1983-06-21 JP JP11021583A patent/JPS603121A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS60226130A (ja) * | 1984-04-25 | 1985-11-11 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
| JPH051615B2 (ja) * | 1984-04-25 | 1993-01-08 | Nippon Electric Co | |
| JPS6289140U (ja) * | 1985-11-26 | 1987-06-08 | ||
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| EP0238174A3 (en) * | 1986-03-20 | 1989-11-15 | Seiko Instruments Inc. | Coloured liquid crystal electro-optical device and method of manufacturing the same |
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| US4983548A (en) * | 1989-05-17 | 1991-01-08 | Fujitsu Limited | Method of fabricating a semiconductor device including removal of electric charges |
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