JPH02201926A - ウエット洗浄用ホルダ及びウエット洗浄方法 - Google Patents
ウエット洗浄用ホルダ及びウエット洗浄方法Info
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- JPH02201926A JPH02201926A JP1950689A JP1950689A JPH02201926A JP H02201926 A JPH02201926 A JP H02201926A JP 1950689 A JP1950689 A JP 1950689A JP 1950689 A JP1950689 A JP 1950689A JP H02201926 A JPH02201926 A JP H02201926A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体装置製作に必要なマスクを洗浄する際に利用する
洗浄用ホルダ及び洗浄方法に関し、洗浄時に生ずる静電
気による被洗浄物の被害を防止することを目的とし、 絶縁性材料でかご状に形成され、その−表面を導電性材
料で被覆されたウェット洗浄用ホルダを用い、該ホルダ
に被洗浄物を入れ、純水中で洗浄する際に、前記ホルダ
の水面上に出ている部分にイオナイザーガンによりイオ
ンシャワーを照射するように構成する。
洗浄用ホルダ及び洗浄方法に関し、洗浄時に生ずる静電
気による被洗浄物の被害を防止することを目的とし、 絶縁性材料でかご状に形成され、その−表面を導電性材
料で被覆されたウェット洗浄用ホルダを用い、該ホルダ
に被洗浄物を入れ、純水中で洗浄する際に、前記ホルダ
の水面上に出ている部分にイオナイザーガンによりイオ
ンシャワーを照射するように構成する。
本発明は半導体装置作製に必要なマスクを洗浄する際に
利用する洗浄用ホルダ及び洗浄方法に関する。
利用する洗浄用ホルダ及び洗浄方法に関する。
半導体装置の製造に際しては、塵埃の付着が半導体装置
の欠陥につながるため、製造作業はクリーンルーム中で
行い、半導体基板及び露光に使用するマスク等は純水で
の洗浄を行ない極力塵埃の付着を防止している。
の欠陥につながるため、製造作業はクリーンルーム中で
行い、半導体基板及び露光に使用するマスク等は純水で
の洗浄を行ない極力塵埃の付着を防止している。
従来より、洗浄用のホルダには通常、テフロンや石英等
の絶縁材料で形成されたホルダが用いられている。
の絶縁材料で形成されたホルダが用いられている。
上記従来の洗浄用ホルダを用いてマスクを洗浄するよう
な場合、ホルダに絶縁性の高い材料を用いているため、
第３図（ａ）（ｂ）に示す様に純水又は薬液に浸漬する
と非常に高い静電気が発生し、第３図（Ｃ）に示すよう
なパターンの欠けや、第３図（ｄ）に示すようなパター
ンの細まりなどの静電気破壊が生ずるという問題があっ
た。
な場合、ホルダに絶縁性の高い材料を用いているため、
第３図（ａ）（ｂ）に示す様に純水又は薬液に浸漬する
と非常に高い静電気が発生し、第３図（Ｃ）に示すよう
なパターンの欠けや、第３図（ｄ）に示すようなパター
ンの細まりなどの静電気破壊が生ずるという問題があっ
た。
本発明は上記従来の問題点に層み、洗浄時に生ずる静電
気による被洗浄物の被害を防止したウェット洗浄用ホル
ダ及びウェット洗浄方法を提供することを目的とする。
気による被洗浄物の被害を防止したウェット洗浄用ホル
ダ及びウェット洗浄方法を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段］
上記目的を達成するために、本発明のウェット洗浄用ホ
ルダは、絶縁性材料１１でかご状に形成され、その表面
を導電性材料１３で被覆されていることを特徴とする。
ルダは、絶縁性材料１１でかご状に形成され、その表面
を導電性材料１３で被覆されていることを特徴とする。
また本発明のウェット洗浄方法は、上記ウェット洗浄用
ホルダ１０に被洗浄物１６を−入れ、純水１５中で洗浄
する際に、前記ホルダ】０の水面上に出ている部分にイ
オナイザーガン１７によりイオンシャワー１８を照射す
ることを特徴とする。
ホルダ１０に被洗浄物１６を−入れ、純水１５中で洗浄
する際に、前記ホルダ】０の水面上に出ている部分にイ
オナイザーガン１７によりイオンシャワー１８を照射す
ることを特徴とする。
０作 用〕
ホルダ１０が導電性材料１３で被覆され、導電性を有す
るため、純水１５に浸漬したときに生ずる静電気はホル
ダＩＯの水面上に出ている部分に照射されるイオンシャ
ワー１８により中和され、電荷はほぼＯとなる。
るため、純水１５に浸漬したときに生ずる静電気はホル
ダＩＯの水面上に出ている部分に照射されるイオンシャ
ワー１８により中和され、電荷はほぼＯとなる。
第１図は本発明のウェット洗浄用ホルダの実施例を示す
図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）はａ図のｂ−ｂ線に
おける断面図である。
図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）はａ図のｂ−ｂ線に
おける断面図である。
本実施例のウェット洗浄用ホルダＩＯは、絶縁性材料１
１（例えば石英）で被洗浄物を収容できる大きさで、且
つ少なくとも１個の取手１２を有するかご状に形成し、
その表面を薬液に溶けにくく且つ被洗浄物に悪影響を与
えない導電性材料１３（例えば酸化スズ又はクロム等）
で被覆している。なお取手１２の先端にはイオンが良く
あたるように平面部１２ａを設けておくことが好ましい
。
１（例えば石英）で被洗浄物を収容できる大きさで、且
つ少なくとも１個の取手１２を有するかご状に形成し、
その表面を薬液に溶けにくく且つ被洗浄物に悪影響を与
えない導電性材料１３（例えば酸化スズ又はクロム等）
で被覆している。なお取手１２の先端にはイオンが良く
あたるように平面部１２ａを設けておくことが好ましい
。
このように構成された本実施例は次のようにして用いら
れる。
れる。
第２図は本発明のウェット洗浄方法の実施例を説明する
ための図である。
ための図である。
同図において、ＩＯは前述したウェット洗浄用ホルダで
あり、該ホルダは絶縁材料１１で形成され、その表面を
導電性材料Ｉ３で被覆されている。
あり、該ホルダは絶縁材料１１で形成され、その表面を
導電性材料Ｉ３で被覆されている。
１４は石英製の純水槽、１５は該純水槽に満たされた純
水、工６は被洗浄物である。また１７はイオナイザーガ
ンであり、ホルダ１０の取手１２の水面上に出ている平
面部１２ａをイオンシャワー１７で照射できるように配
置されている。
水、工６は被洗浄物である。また１７はイオナイザーガ
ンであり、ホルダ１０の取手１２の水面上に出ている平
面部１２ａをイオンシャワー１７で照射できるように配
置されている。
そして被洗浄物１６はホルダ１０に装入され、純水１５
中に浸漬され洗浄される。この際ホルダ１０は純水１５
とこすれ合って静電気を生ずる。
中に浸漬され洗浄される。この際ホルダ１０は純水１５
とこすれ合って静電気を生ずる。
この静電気はホルダ１０が導電性材料１３で覆われてい
るため、取手１２の水面上に出ている平面部１２ａに伝
わりイオナイザーガン１７から照射されるイオンシャワ
ー１日によって順次中和され電荷はほぼＯとなる。従っ
て被洗浄物の静電気による被害は防止される。
るため、取手１２の水面上に出ている平面部１２ａに伝
わりイオナイザーガン１７から照射されるイオンシャワ
ー１日によって順次中和され電荷はほぼＯとなる。従っ
て被洗浄物の静電気による被害は防止される。
以上の本実施例によればホルダ１０にアース用のコード
等を接続する必要がないので、ホルダ１０を移動させな
がら被洗浄物１６の洗浄を行うような自動洗浄装置等に
有利である。
等を接続する必要がないので、ホルダ１０を移動させな
がら被洗浄物１６の洗浄を行うような自動洗浄装置等に
有利である。
Ｃ発明の効果〕
以上説明した様に、本発明によれば、絶縁材料で形成さ
れ、表面を導電性材料で被覆したホルダを用い、水面上
に出ている部分にイオンシャワーを照射することにより
静電気を除去することができ、被洗浄物の静電気による
被害を防止することが可能となる。
れ、表面を導電性材料で被覆したホルダを用い、水面上
に出ている部分にイオンシャワーを照射することにより
静電気を除去することができ、被洗浄物の静電気による
被害を防止することが可能となる。
第１図は本発明のウェット洗浄用ホルダの実施例を示す
図、 第２図は本発明のウェット洗浄方法の実施例を説明する
ための図、 第３図は発明が解決しようとする課題を説明するための
図である。 図において、 １０はウェット洗浄用ホルダ、 １１は絶縁材料、 １２は取手、 １２ａは平面部、 １３は導電性材料、 １４は純水槽、 １５は純水、 １６は被洗浄物、 １７はイオナイザーガン、 １８はイオンシャワー を示す。 本発明のウェット洗浄方法の実施例を説明するための図
○・・・ウニ・ソト洗浄用ホルダ ト・・絶縁材料 ２・・・取手 ２０・・・平面部 ６・・・導電性材料 ４・・・純水槽 ５・・・純水 ６・・・被洗浄物 ７・・・イオナイザーガン ８・・・イオンシャワー 斜視図 （ａ） ０図のｂ−ｂ線にあける断面図 （ｂ） 本発明のウェット洗浄用ホルダの実施例を示す９第１図 １３・・・導電性材料 カケ 発明が解決しようとする課題を説明するための図第３図
図、 第２図は本発明のウェット洗浄方法の実施例を説明する
ための図、 第３図は発明が解決しようとする課題を説明するための
図である。 図において、 １０はウェット洗浄用ホルダ、 １１は絶縁材料、 １２は取手、 １２ａは平面部、 １３は導電性材料、 １４は純水槽、 １５は純水、 １６は被洗浄物、 １７はイオナイザーガン、 １８はイオンシャワー を示す。 本発明のウェット洗浄方法の実施例を説明するための図
○・・・ウニ・ソト洗浄用ホルダ ト・・絶縁材料 ２・・・取手 ２０・・・平面部 ６・・・導電性材料 ４・・・純水槽 ５・・・純水 ６・・・被洗浄物 ７・・・イオナイザーガン ８・・・イオンシャワー 斜視図 （ａ） ０図のｂ−ｂ線にあける断面図 （ｂ） 本発明のウェット洗浄用ホルダの実施例を示す９第１図 １３・・・導電性材料 カケ 発明が解決しようとする課題を説明するための図第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁性材料（１１）でかご状に形成され、その表面
を導電性材料（１３）で被覆されていることを特徴とす
るウェット洗浄用ホルダ。 ２、請求項１記載のウェット洗浄用ホルダ（１０）に被
洗浄物（１６）を入れ、純水（１５）中で洗浄する際に
、前記ホルダ（１０）の水面上に出ている部分にイオナ
イザーガン（１７）によりイオンシャワー（１８）を照
射することを特徴とするウェット洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1950689A JPH02201926A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | ウエット洗浄用ホルダ及びウエット洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1950689A JPH02201926A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | ウエット洗浄用ホルダ及びウエット洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02201926A true JPH02201926A (ja) | 1990-08-10 |
Family
ID=12001260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1950689A Pending JPH02201926A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | ウエット洗浄用ホルダ及びウエット洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02201926A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5632727A (en) * | 1979-08-27 | 1981-04-02 | Fujitsu Ltd | Mask washing apparatus |
| JPS5823442A (ja) * | 1981-08-04 | 1983-02-12 | Toshiba Corp | 半導体ウエハの洗浄方法 |
| JPS58207651A (ja) * | 1982-05-28 | 1983-12-03 | Hitachi Ltd | 静電防止型収容治具 |
| JPS603121A (ja) * | 1983-06-21 | 1985-01-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハの処理方法 |
| JPS6085528A (ja) * | 1983-10-18 | 1985-05-15 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造装置 |
-
1989
- 1989-01-31 JP JP1950689A patent/JPH02201926A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5632727A (en) * | 1979-08-27 | 1981-04-02 | Fujitsu Ltd | Mask washing apparatus |
| JPS5823442A (ja) * | 1981-08-04 | 1983-02-12 | Toshiba Corp | 半導体ウエハの洗浄方法 |
| JPS58207651A (ja) * | 1982-05-28 | 1983-12-03 | Hitachi Ltd | 静電防止型収容治具 |
| JPS603121A (ja) * | 1983-06-21 | 1985-01-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハの処理方法 |
| JPS6085528A (ja) * | 1983-10-18 | 1985-05-15 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造装置 |
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