JP2005515629A5 - - Google Patents

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Claims (43)

  1. エッチング溶液および前記エッチング溶液と接触するエッチング電極を用いて被加工物の導電性層のベベルエッジ、この導電層の前面ベベルエッジ表面を含む、から導電材料を除去する方法であって、
    前記被加工物を回転させる工程;
    前記被加工物を回転させながら、前記エッチング溶液の連続流を前記被加工物の前記ベベルエッジ、前記ベベルエッジは前記導電層の前記前面エッジを含む、に向ける工程;および
    前記電極と前記被加工物の前記導電層とに電位差を適用する工程、
    を含む方法。
  2. 前記向ける工程が穏やかなエッチング液をベベルエッジに向ける請求項1記載の方法。
  3. 前記穏やかなエッチング液は、前記電位差の適用の結果として、前記電位差の適用なしで起きるよりも、よりベベルエッジをエッチングする請求項2記載の方法。
  4. 前記穏やかなエッチング液はメッキ液である請求項2記載の方法。
  5. 前記向ける工程に先立ち、前記メッキ液を使用して前記被加工物の前記導電層の頂部表面に導体を堆積させる工程をさらに含む請求項4記載の方法。
  6. 前記堆積工程は縦チャンバアセンブリーの下部チャンバに配置される前記被加工物で行われ、かつ前記向けるおよび適用する工程は前記縦チャンバアセンブリーの上部チャンバに配置される前記被加工物で行われ、かつ前記堆積工程の後および前記向ける工程の前に前記被加工物を下部チャンバから上部チャンバに移動させる工程をさらに含む請求項5に記載の方法。
  7. 前記堆積および前記向ける両方の工程は単一チャンバに配置した前記被加工物で行われる請求項5記載の方法。
  8. 前記堆積および前記向ける両方の工程はそれぞれ異なるチャンバに配置された被加工物で行われる請求項5記載の方法。
  9. 前記向ける工程に先立ち、電気化学的処理を前記被加工物の前記導電層の頂部表面になす工程をさらに含む請求項4記載の方法。
  10. 前記電気化学機械的処理をなす工程は、縦チャンバアセンブリーの下部チャンバに配置される前記被加工物で行われ、前記向ける工程および前記適用工程は前記縦チャンバアセンブリーの上部チャンバに配置される前記被加工物で行われ、前記電気化学機械的処理をなす工程の後および前記向ける工程の前に前記被加工物を下部チャンバから上部チャンバに移動させる工程をさらに含む請求項記載の方法。
  11. 前記電気化学機械的処理をなす工程および前記向ける工程両方は単一チャンバに配置した前記被加工物で行われる請求項記載の方法。
  12. 前記電気化学機械的処理をなす工程および前記向ける工程両方は各々異なるチャンバに配置した被加工物で行われる請求項記載の方法。
  13. 前記導電層の頂部表面上に前記穏やかなエッチング液のミストを吹き付ける工程をさらに含む請求項2記載の方法。
  14. 前記吹き付け工程および前記向ける工程両方は単一チャンバに配置した前記被加工物で行われる請求項13記載の方法。
  15. 前記吹き付け工程および前記向ける工程両方は同時に行われる請求項14記載の方法。
  16. 前記吹き付け工程および前記向ける工程両方は両方とも経時的に行われる請求項14記載の方法。
  17. 被加工物の前面導電性表面エッジ上でのエッジベベル除去処理をなす装置であって、
    チャンバ;
    前記被加工物を保持し回転させる移動可能かつ回転可能な被加工物ホルダー;および
    エッジベベル除去システムを具備し、
    前記エッジベベル除去システムは、
    少なくとも前記被加工物の前記前面導電表面エッジにエッチング液の連続流を供給するための少なくとも一つのエッジ導電材料除去装置;
    前記連続流に物理的に接触することに適応し、かつ前記連続流と前記被加工物の前記前面導電表面エッジとの電位差を供するための電極、
    を備える装置。
  18. 前記エッジ銅除去装置は、前記エッチング液の前記連続流が前記被加工物の前記前面導電表面エッジに外向きに向かうように前記被加工物に関連する位置内に配置される少なくとも一つのノズルを具備する請求項17記載の装置。
  19. 前記被加工物の前表面に穏やかなエッチング液を向けるための、前記チャンバ内に配置される洗浄ノズルを少なくともさらに含む請求項17に記載の装置。
  20. 前記チャンバの下に配置される他のチャンバ;
    前記被加工物が前記チャンバ内にあり、かつ少なくとも一つ前記エッジ銅除去装置が使用されるときに、前記他のチャンバを前記チャンバから隔離するのに適応する移動可能ガード;および
    前記他のチャンバに配置される前記被加工物の前表面を処理するシステム
    をさらに具備する請求項17記載の装置。
  21. 前記システムは、電気化学機械的処理システムである請求項20に記載の装置。
  22. 前記被加工物の前表面に電気化学機械的処理を供するための前記チャンバ内に配置される電気化学機械的処理システムをさらに含む請求項17記載の装置。
  23. 少なくとも一つのエッジ導体材料除去装置に使用される前記エッチング液は、また前記電気化学機械的処理システムにも使用され、
    前記電気化学機械的処理システムはキャビティー、前記キャビティー内に配置される電極、前記電極から前記被加工物の前記前表面までの一つの電気経路を供するために前記キャビティー内に配置するエッチング液、前記エッチング液が流れるところの被加工物の近くに配置される被加工物表面影響装置、および前記キャビティー内に配置される前記エッチング液と前記被加工物との電位差が維持できるように電気化学機械的処理中に前記被加工物に電気的接触を供するための端子を含む請求項17記載の装置。
  24. 前記エッチング液の前記連続流を前記キャビティーから少なくとも一つの前記エッジ導体材料除去装置に供するための導管をさらに含む請求項23記載の装置。
  25. エッジ導体材料の除去中に前記被加工物に電気的接触を供する他の端子をさらに含む請求項24記載の装置。
  26. 前記他の端子は、前記端子と同じものである請求項25記載の装置。
  27. 前記エッジ銅除去装置は、前記エッチング液の連続流を前記被加工物の前記前面導電表面エッジに外向きに向けるために前記被加工物に関連する位置内に配置される少なくとも一つのノズルを含む請求項23記載の装置。
  28. 前記エッチング液が、電気化学機械的処理が行われるときに第1の水位を有し、かつエッジベベル除去が行われるときにキャビティー内に他の低い水位を有するようにキャビティー内のエッチング液の水位を調節する流量調節器をさらに含む請求項23記載の装置。
  29. 被加工物のエッジベベル除去をなし、かつ溶液を用いて被加工物の前面を洗浄する方法であって、
    前記被加工物を回転させる工程;
    導体材料を第1の速度で前記ベベルエッジから除去するために前記被加工物を回転させながら、ソースから得られる液体の連続流を前記被加工物の導電性層のベベルエッジに向ける工程;および
    前記被加工物の前記前表面を洗浄するために前記被加工物を回転させながら、前記ソースから得られる前記溶液の吹き付けを前記被加工物の前記導電性層の前面に向ける工程、
    を含む方法。
  30. 前記流れを向ける前記工程と前記吹き付けを向ける工程は経時的になされる請求項29記載の方法。
  31. 前記連続流を向ける工程が行われながら、前記溶液の前記連続流と前記被加工物の前記導電層との電位差が適用され、かつ前記吹き付けは電気経路を前記導電層に供することができず、それによって前記被加工物の前記前面からの前記導電材料の除去が前記第1の速度よりも遅い第2の速度で生じることを保証する請求項29記載の方法。
  32. 前記流れを向ける工程と前記吹き付けを向ける工程は、経時的になされる請求項31記載の方法。
  33. 処理液と前記処理液と接触する電極を使用し、被加工物の導電表面のエッジ領域から導電性材料を除去する方法であって、
    前記被加工物を回転させる工程;
    前記被加工物の前記導電表面を前記処理液に接触させる工程;
    前記被加工物の前記エッジ領域を前記電極近傍に位置させる工程;および
    前記被加工物を回転させながら、前記電極と前記被加工物の前記導電層とに電位差を適用する工程と、
    を含む方法。
  34. 前記処理液は、メッキ液である請求項33記載の方法。
  35. 前記配置工程に先立って、前記メッキ液を使用して前記被加工物の前記導電表面に導体を堆積させる工程をさらに含む請求項34記載の方法。
  36. 前記堆積、配置および適用工程すべては、単一チャンバ内に配置される前記被加工物で行われる請求項35記載の方法。
  37. 前記堆積工程は、被加工物表面影響装置に配置される前記被加工物で行われ、前記堆積および適用工程は前記被加工物表面影響装置中の前記電極を保持する開口上方に配置される前記被加工物の前記エッジで行われる請求項36記載の方法。
  38. 前記堆積工程は、被加工物表面影響装置に配置される前記被加工物で行われ、前記堆積および適用工程は前記被加工物有効影響装置中の前記電極を保持する開口近傍に配置される前記被加工物の前記エッジで行われる請求項36記載の方法。
  39. 前記堆積工程は、前記メッキ液に浸漬される前記被加工物の前記導電表面で行われ、前記配置および適用工程は前記電極近傍に位置する前記被加工物の前記エッジで行われる請求項36記載の方法。
  40. 前記処理液は、エッチング液である請求項33記載の方法。
  41. 前記導電表面を前記エッチング液に浸漬させることをさらに含む請求項40記載の方法。
  42. 被加工物の前面導電表面エッジ上でエッジベベル除去処理をなすための装置であって、
    処理液を収容するチャンバ;
    前記処理液中に前記被加工物を保持し回転させる移動可能かつ回転可能な被加工物ホルダー;および
    処理液を物理的に接触させ、かつ前記被加工物の前記前面導電表面に対して電位差を供するために適応される電極を含むエッジベベル除去構造
    を具備する装置。
  43. エッジ導体材料除去中、前記被加工物の前記導電表面に電を供する電気的接点をさらに含む請求項42記載の装置。
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Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7686935B2 (en) * 1998-10-26 2010-03-30 Novellus Systems, Inc. Pad-assisted electropolishing
US7780867B1 (en) * 1999-10-01 2010-08-24 Novellus Systems, Inc. Edge bevel removal of copper from silicon wafers
DE10128507B4 (de) * 2001-06-14 2008-07-17 Mtu Aero Engines Gmbh Verwendung einer Vorrichtung zum chemischen oder elektrochemischen Bearbeiten von Bauteilen
EP1473387A1 (de) * 2003-05-02 2004-11-03 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Entschichtung eines Bauteils
US9236279B2 (en) * 2003-06-27 2016-01-12 Lam Research Corporation Method of dielectric film treatment
US20050037620A1 (en) * 2003-08-15 2005-02-17 Berman Michael J. Method for achieving wafer contact for electro-processing
US7648622B2 (en) * 2004-02-27 2010-01-19 Novellus Systems, Inc. System and method for electrochemical mechanical polishing
US7998335B2 (en) * 2005-06-13 2011-08-16 Cabot Microelectronics Corporation Controlled electrochemical polishing method
US20090266707A1 (en) * 2005-08-26 2009-10-29 Novellus Systems, Inc. Pad-assisted electropolishing
KR100709590B1 (ko) * 2006-01-04 2007-04-20 (주)소슬 클러스터형 베벨에치장치
US8100081B1 (en) 2006-06-30 2012-01-24 Novellus Systems, Inc. Edge removal of films using externally generated plasma species
KR100801711B1 (ko) 2007-02-27 2008-02-11 삼성전자주식회사 반도체 식각 및 증착 공정들을 수행하는 반도체 제조장비들 및 그를 이용한 반도체 소자의 형성방법들
US9732416B1 (en) 2007-04-18 2017-08-15 Novellus Systems, Inc. Wafer chuck with aerodynamic design for turbulence reduction
US8309464B2 (en) * 2008-03-31 2012-11-13 Memc Electronic Materials, Inc. Methods for etching the edge of a silicon wafer
US8419964B2 (en) * 2008-08-27 2013-04-16 Novellus Systems, Inc. Apparatus and method for edge bevel removal of copper from silicon wafers
US8414790B2 (en) * 2008-11-13 2013-04-09 Lam Research Corporation Bevel plasma treatment to enhance wet edge clean
EP2359390A1 (en) * 2008-11-19 2011-08-24 MEMC Electronic Materials, Inc. Method and system for stripping the edge of a semiconductor wafer
US8172646B2 (en) * 2009-02-27 2012-05-08 Novellus Systems, Inc. Magnetically actuated chuck for edge bevel removal
KR101198412B1 (ko) * 2009-12-30 2012-11-07 삼성전기주식회사 기판도금장치 및 기판도금방법
US8853054B2 (en) 2012-03-06 2014-10-07 Sunedison Semiconductor Limited Method of manufacturing silicon-on-insulator wafers
CN102623323A (zh) * 2012-04-01 2012-08-01 南通富士通微电子股份有限公司 半导体圆片喷液蚀刻系统及方法
CN103021937B (zh) * 2013-01-09 2015-07-08 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 化学腐蚀硅通孔面过电镀铜层的装置及方法
JP6186499B2 (ja) * 2013-05-09 2017-08-23 エーシーエム リサーチ (シャンハイ) インコーポレーテッド ウェハのメッキおよび/または研磨のための装置および方法
CN105088328B (zh) * 2014-05-07 2018-11-06 盛美半导体设备(上海)有限公司 电化学抛光供液装置
CN106206236B (zh) * 2016-08-30 2018-05-04 上海华力微电子有限公司 刻蚀设备以及用于去除晶背边缘薄膜的晶背边缘刻蚀方法
CN111655910B (zh) * 2018-02-01 2022-07-22 应用材料公司 在电镀系统中的清洁部件和方法
DE102018111858A1 (de) * 2018-05-17 2019-11-21 Nexwafe Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum einseitigen Ätzen einer Halbleiterschicht eines Werkstücks
CN110867449B (zh) * 2019-11-12 2021-09-07 长江存储科技有限责任公司 三维存储器及其制备方法
WO2021108466A1 (en) * 2019-11-27 2021-06-03 Lam Research Corporation Edge removal for through-resist plating
JP7475945B2 (ja) * 2020-04-20 2024-04-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
CN114555870A (zh) * 2021-03-17 2022-05-27 株式会社荏原制作所 镀覆装置以及镀覆装置的接触部件清洗方法
CN114855257B (zh) * 2022-04-20 2024-06-25 湖南华翔医疗科技有限公司 金属膜材的边缘抛光方法及金属膜材和应用

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5284554A (en) * 1992-01-09 1994-02-08 International Business Machines Corporation Electrochemical micromachining tool and process for through-mask patterning of thin metallic films supported by non-conducting or poorly conducting surfaces
US5567300A (en) * 1994-09-02 1996-10-22 Ibm Corporation Electrochemical metal removal technique for planarization of surfaces
US5865984A (en) * 1997-06-30 1999-02-02 International Business Machines Corporation Electrochemical etching apparatus and method for spirally etching a workpiece
US6056869A (en) * 1998-06-04 2000-05-02 International Business Machines Corporation Wafer edge deplater for chemical mechanical polishing of substrates
US6883063B2 (en) * 1998-06-30 2005-04-19 Emc Corporation Method and apparatus for initializing logical objects in a data storage system
US6395152B1 (en) * 1998-07-09 2002-05-28 Acm Research, Inc. Methods and apparatus for electropolishing metal interconnections on semiconductor devices
US6610190B2 (en) * 2000-11-03 2003-08-26 Nutool, Inc. Method and apparatus for electrodeposition of uniform film with minimal edge exclusion on substrate
JP2000331975A (ja) * 1999-05-19 2000-11-30 Ebara Corp ウエハ洗浄装置
US6309981B1 (en) * 1999-10-01 2001-10-30 Novellus Systems, Inc. Edge bevel removal of copper from silicon wafers
US6352623B1 (en) * 1999-12-17 2002-03-05 Nutool, Inc. Vertically configured chamber used for multiple processes

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