JP2003173999A - 半導体基板洗浄装置、半導体基板洗浄方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体基板洗浄装置、半導体基板洗浄方法および半導体装置の製造方法

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JP2003173999A JP2001373912A JP2001373912A JP2003173999A JP 2003173999 A JP2003173999 A JP 2003173999A JP 2001373912 A JP2001373912 A JP 2001373912A JP 2001373912 A JP2001373912 A JP 2001373912A JP 2003173999 A JP2003173999 A JP 2003173999A
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和敏 穴吹
Hiroshi Tanaka
博司 田中
Naoki Yokoi
直樹 横井
Masahiko Azuma
雅彦 東
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体装置の歩留りの低下を抑制することが
可能な半導体基板洗浄装置、半導体基板洗浄方法および
半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板洗浄装置は、半導体基板１を
保持する保持部材２と、保持部材２に保持された半導体
基板１を固定した状態で、半導体基板１の表面の一部分
６のみに洗浄用媒体５を供給することが可能な洗浄部材
３、４とを備える。このようにすれば、半導体基板１が
回転することなく固定された状態において洗浄用媒体５
を半導体基板１に供給するので、半導体基板１の表面の
うち一部分６のみを洗浄することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体基板洗浄
装置、半導体基板洗浄方法および半導体装置の製造方法
に関し、より特定的には、半導体基板の特定位置のみを
洗浄することが可能な半導体基板洗浄装置、半導体基板
洗浄方法および半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の製造工程において
は、半導体基板の表面に成膜処理、エッチング処理など
を施すことにより、所定の半導体装置を形成する。そし
て、成膜処理やエッチング処理などの工程の前後におい
ては、半導体基板の表面から異物などを除去するための
洗浄工程が行われる。
【０００３】洗浄工程において従来利用される洗浄方法
の一つの例として、たとえば図１０に示すような方法が
挙げられる。図１０は、従来の半導体基板洗浄方法の一
つの例を説明するための模式図である。図１０に示すよ
うに、従来の半導体基板洗浄方法では、架台１０２に半
導体基板１０１を固定したうえで、この架台１０２と半
導体基板１０１とを矢印１３０に示すように回転させ
る。そして、半導体基板１０１を回転させた状態で、半
導体基板１０１の表面に薬液ノズル１０３から洗浄液１
０５を供給する。このとき、半導体基板１０１のほぼ中
央部に洗浄液１０５を供給すれば、半導体基板１０１が
回転しているので、半導体基板の表面において、中央部
から外周部に向かって洗浄液１０５が流れる。この結
果、半導体基板１０１の表面全体をほぼ均一に洗浄する
ことができる。
【０００４】また、洗浄工程において従来利用される洗
浄方法の他の例として、たとえば図１１に示すような方
法が挙げられる。図１１は、従来の半導体基板洗浄方法
の他の例を説明するための模式図である。図１１に示す
ように、従来の半導体基板洗浄方法の他の例では、洗浄
液１０５が内部に保持された薬液槽１１８を準備する。
そして、この薬液槽１１８に保持される洗浄液１０５の
内部に、矢印１３１に示すように半導体基板１０１を浸
漬する。このようにしても、半導体基板１０１の表面全
体をほぼ均一に洗浄することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ここで、半導体装置の
製造工程においては、半導体基板１０１を個別に識別す
るための識別標識を半導体基板１０１の表面に形成して
いる。この識別標識として、たとえば図１１に示すよう
にレーザ光線を利用して所定の文字や記号を印字したレ
ーザ印字部１０６が形成される。具体的には、レーザ光
線を照射することにより半導体基板１０１の表面層を部
分的に除去して溝を形成する。この溝の平面形状が所定
の文字や記号となるように、レーザ光線の照射エネルギ
ーや照射位置を制御する。この結果、レーザ印字部１０
６において所定の文字や記号を形成できる。なお、この
ようなレーザ印字部１０６は、半導体装置となるチップ
形成領域１１９とは異なる位置、たとえば半導体基板１
０１の端部に形成される。
【０００６】レーザ印字部１０６に形成された文字や記
号は、後工程において層間絶縁膜などの表面を平坦化す
るためにＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃ
ａｌＰｏｌｉｓｈｉｎｇ）法などを行った後でも、認識
できることが求められる。このため、レーザ印字部１０
６に形成される文字などを構成する溝は、上記ＣＭＰ法
を実施した後でも認識できるように、充分な深さを有す
るように形成される。
【０００７】そして、このようなレーザ印字部１０６を
形成する際には、レーザ印字工程に伴って半導体基板１
０１の表面や形成された溝の内部に、レーザ印字工程に
伴って発生した異物が残存する。このような異物を半導
体基板１０１の表面から除去するため、従来は上述した
ような洗浄工程が実施されていた。
【０００８】しかし、レーザ印字部１０６の文字などを
構成する溝は上記のように比較的深く形成されるので、
洗浄工程後においてもこの溝の内部に異物が残存する場
合があった。このように溝の内部に異物が残存した場
合、後工程におけるフッ酸処理工程などにおいて、溝の
内部に残っていた異物が半導体基板１０１の表面のチッ
プ形成部１１９上などに付着していた。このような異物
の存在は、半導体基板１０１表面に形成される半導体装
置における配線の短絡や構造的な欠陥の原因となる。し
たがって、最終的な半導体装置の製品歩留りが低下する
要因となっていた。
【０００９】一方、レーザ印字部を形成した後、溝の内
部から異物を完全に除去するように、洗浄能力の高い洗
浄液や洗浄手法を用いると言った対応も考えられる。し
かし、従来の洗浄方法では、半導体基板１０１の表面全
体を洗浄するので、洗浄能力の高い洗浄方法を用いた場
合、チップ形成領域１１９の構造に洗浄工程に起因する
損傷が発生する恐れがあった。このため、溝の内部の異
物を完全に除去できるような洗浄能力の高い洗浄方法を
用いることは難しかった。
【００１０】このように、従来はレーザ印字部１０６の
溝の内部に残存する異物に起因する半導体装置の歩留り
の低下を抑制することは困難であった。
【００１１】この発明は、上記のような課題を解決する
ために成されたものであり、この発明の目的は、半導体
装置の歩留りの低下を抑制することが可能な半導体基板
洗浄装置、半導体基板洗浄方法および半導体装置の製造
方法を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明の１の局面に従
った半導体基板洗浄装置は、半導体基板を保持する保持
部材と、保持部材に保持された半導体基板を固定した状
態で、半導体基板の表面の一部分のみに洗浄用媒体を供
給することが可能な洗浄部材とを備える。
【００１３】このようにすれば、半導体基板が回転する
ことなく固定された状態において洗浄用媒体を半導体基
板に供給するので、半導体基板の表面のうち一部分のみ
を洗浄することができる。したがって、レーザ印字部に
形成された文字などを構成する溝の内部に異物が存在し
ている場合、このレーザ印字部のみを洗浄することが可
能になる。また、洗浄用媒体として洗浄能力の高い薬液
などを用いれば、上記溝の内部に存在する異物を除去す
ることができる。
【００１４】また、洗浄用媒体は半導体基板の表面の一
部分（レーザ印字部）のみに供給されるので、半導体基
板の表面の上記一部分以外の領域（たとえばチップ形成
領域）が洗浄用媒体により損傷を受ける確率を低減でき
る。つまり、半導体基板のチップ形成領域などに損傷を
発生させることなく、レーザ印字部などの半導体基板の
表面の一部分のみを確実に洗浄できる。このため、半導
体基板の表面の一部分（たとえばレーザ印字部）に位置
する溝などに異物が残存することを防止できる。したが
って、半導体基板の表面に形成される半導体装置におい
て、洗浄工程に起因する不良の発生を抑制するととも
に、この異物に起因して不良が発生する確率を低減でき
る。この結果、半導体装置の歩留りの低下を抑制でき
る。
【００１５】上記１の局面に従った半導体基板洗浄装置
において、洗浄用媒体は洗浄用薬液および純水からなる
群から選択される少なくとも１つを含んでいてもよい。
【００１６】ここで、洗浄用媒体として洗浄用薬液を用
いる場合、半導体基板の表面から除去する異物の種類な
どに合わせて洗浄用薬液の種類や濃度などの条件を調整
することにより、半導体基板の表面の一部分から異物を
確実に除去することができる。
【００１７】また、洗浄用媒体として純水を用いる場
合、高圧で純水を半導体基板に吹付けるなどの手法を用
いることで、半導体基板の表面の一部分から異物を除去
することができる。また、洗浄を行なう際、純水を用い
るので、この洗浄用媒体としての純水が半導体基板の一
部分以外の表面領域（洗浄対象となっていない領域）に
飛散しても、洗浄対象となっていない領域において洗浄
用媒体による損傷が発生する確率を、洗浄用媒体として
薬液を用いる場合より低減できる。
【００１８】上記１の局面に従った半導体基板洗浄装置
において、洗浄部材は、半導体基板の表面の一部分に対
して、超音波振動をかけた洗浄用媒体を供給する手段、
加圧された洗浄用媒体を供給する手段からなる群から選
択される少なくとも１つを含んでいてもよい。
【００１９】この場合、半導体基板の表面の一部分を洗
浄する際の洗浄能力を向上させることができる。したが
って、上記一部分に異物が残存する確率を効果的に低減
できる。
【００２０】上記１の局面に従った半導体基板洗浄装置
において、洗浄部材は、洗浄用媒体を半導体基板の表面
に供給するためのノズルと、半導体基板の表面に対する
ノズルの相対的な位置を、半導体基板の表面において洗
浄用媒体を供給されるべき一部分の座標データに基づい
て決定する位置決定手段とを含んでいてもよい。
【００２１】この場合、洗浄対象となっている一部分に
対するノズルの相対的な位置を精度良く決定することが
できる。このため、半導体基板の表面の一部分のみに高
い精度で洗浄用媒体を供給することができる。したがっ
て、半導体基板の表面の一部分のみを確実に洗浄するこ
とができる。
【００２２】上記１の局面に従った半導体基板洗浄装置
は、半導体基板の表面から洗浄用媒体を洗い流すリンス
手段を備えていてもよい。
【００２３】この場合、半導体基板の表面のうち洗浄対
象となった一部分以外の領域に洗浄用媒体が飛散して付
着しても、リンス手段によりその付着した洗浄用媒体を
洗い流すことができる。したがって、飛散した洗浄用媒
体により半導体基板の一部分以外の領域が損傷を受ける
確率を低減できる。
【００２４】上記１の局面に従った半導体基板洗浄装置
において、リンス手段は半導体基板の表面にリンス用媒
体を供給する手段を含んでいてもよく、洗浄部材は半導
体基板表面にリンス用媒体が供給されている状態で、半
導体基板の表面の一部分のみに洗浄用媒体を供給しても
よい。
【００２５】この場合、洗浄用媒体が半導体基板の表面
の一部分以外の領域に飛散しても、リンス用媒体により
当該洗浄用媒体は即座に洗い流される。そのため、半導
体基板の表面の一部分以外の領域に洗浄用媒体によって
損傷が発生する確率を低減できる。
【００２６】この発明の他の局面に従った半導体基板洗
浄方法は、半導体基板を準備する工程と、半導体基板を
固定した状態で、半導体基板の表面にリンス用媒体を供
給しながら、半導体基板の表面の一部分のみに洗浄用媒
体を供給する洗浄工程とを備える。
【００２７】このようにすれば、半導体基板が回転する
ことなく固定された状態で洗浄用媒体を半導体基板に供
給するので、半導体基板の表面のうち一部分のみを洗浄
することができる。したがって、レーザ印字部に形成さ
れた文字などを構成する溝の内部に異物が存在している
場合、このレーザ印字部のみを洗浄することが可能にな
る。また、洗浄用媒体として洗浄能力の高い薬液などを
用いれば、上記溝の内部に存在する異物を除去すること
ができる。
【００２８】また、洗浄用媒体は半導体基板の表面の一
部分（レーザ印字部）のみに供給されるので、半導体基
板の表面の上記一部分以外の領域（たとえばチップ形成
領域）が洗浄用媒体により損傷を受ける確率を低減でき
る。
【００２９】また、洗浄用媒体が半導体基板の表面の一
部分以外の領域に飛散しても、リンス用媒体により当該
洗浄用媒体は即座に洗い流される。そのため、半導体基
板の表面の一部分以外の領域に洗浄用媒体によって損傷
が発生する確率を確実に低減できる。
【００３０】この結果、半導体基板のチップ形成領域な
どに損傷を発生させることなく、レーザ印字部などの半
導体基板の表面の一部分のみを確実に洗浄できる。この
ため、半導体基板の表面の一部分に位置する溝などに異
物が残存することを防止できる。したがって、半導体基
板の表面に形成される半導体装置において、この異物に
起因して不良が発生することを防止できる。この結果、
半導体装置の歩留りの低下を抑制できる。
【００３１】この発明の別の局面に従った半導体基板洗
浄方法は、半導体基板を準備する工程と、半導体基板を
固定した状態で、半導体基板の表面の一部分のみに洗浄
用媒体を供給する洗浄工程と、洗浄工程の後に、半導体
基板の表面にリンス用媒体を供給する工程とを備える。
【００３２】このようにすれば、半導体基板が回転する
ことなく固定された状態で洗浄用媒体を半導体基板に供
給するので、半導体基板の表面のうち一部分のみを洗浄
することができる。したがって、レーザ印字部に形成さ
れた文字などを構成する溝の内部に異物が存在している
場合、このレーザ印字部のみを洗浄することが可能にな
る。また、洗浄用媒体として洗浄能力の高い薬液などを
用いれば、上記溝の内部に存在する異物を除去すること
ができる。
【００３３】また、洗浄用媒体は半導体基板の表面の一
部分のみに供給されるので、半導体基板の表面の上記一
部分以外の領域が洗浄用媒体により損傷を受ける確率を
低減できる。
【００３４】また、洗浄用媒体が半導体基板の表面の一
部分以外の領域に飛散しても、洗浄工程の後において、
リンス用媒体により当該洗浄用媒体は洗い流される。そ
のため、半導体基板の表面の一部分以外の領域に洗浄用
媒体によって損傷が発生する確率をさらに低減できる。
【００３５】この結果、半導体基板のチップ形成領域な
どに損傷を発生させることなく、レーザ印字部などの半
導体基板の表面の一部分のみを確実に洗浄できる。この
ため、半導体基板の表面の一部分に位置する溝などに異
物が残存することを防止できる。したがって、半導体基
板の表面に形成される半導体装置において、この異物に
起因して不良が発生することを防止できる。この結果、
半導体装置の歩留りの低下を抑制できる。
【００３６】上記他の局面または別の局面に従った半導
体基板洗浄方法において、洗浄用媒体は、洗浄用薬液お
よび純水からなる群から選択される少なくとも１つを含
んでいてもよい。
【００３７】ここで、洗浄用媒体として洗浄用薬液を用
いる場合、半導体基板の表面から除去する異物の種類な
どに合わせて洗浄用薬液の種類や濃度などの条件を調整
することにより、半導体基板の表面の一部分から異物を
確実に除去することができる。
【００３８】また、洗浄用媒体として純水を用いる場
合、高圧で純水を半導体基板に吹付けるといった手法を
用いることで、半導体基板の表面の一部分から異物を除
去することができる。また、純水を用いるので、この洗
浄用媒体としての純水が半導体基板の一部分以外の表面
領域に飛散しても、この表面領域において洗浄用媒体に
よる損傷はほとんど発生しない。
【００３９】上記他の局面または別の局面に従った半導
体基板洗浄方法において、洗浄工程は、半導体基板の表
面の一部分に対して、超音波振動をかけた洗浄用媒体を
供給する工程、加圧された洗浄用媒体を供給する工程か
らなる群から選択される少なくとも１つを含んでいても
よい。
【００４０】この場合、半導体基板の表面の一部分を洗
浄する際の洗浄能力を向上させることができる。したが
って、上記一部分に異物が残存する確率を効果的に低減
できる。
【００４１】この発明のもう一つの局面に従った半導体
基板洗浄方法は、半導体基板を準備する工程と、半導体
基板の表面を洗浄するための洗浄用媒体を内部に保持し
ている媒体槽を準備する工程と、媒体槽中に保持される
洗浄用媒体に半導体基板の端部のみを浸漬する工程とを
備える。
【００４２】このようにすれば、上述のような簡単な工
程で半導体基板の端部のみを洗浄することができる。半
導体基板においては、レーザ印字部などがその端部に形
成される場合が多いため、このような端部に形成された
レーザ印字部のみを確実に洗浄することができる。
【００４３】また、半導体基板の端部以外の領域は、洗
浄液と接触しないので、端部以外の領域が洗浄液により
損傷をうける確率を極めて小さくできる。
【００４４】この発明のまた別の局面に従った半導体装
置の製造方法は、上記他の局面または別の局面またはも
う一つの局面に従った半導体基板洗浄方法を用いる。
【００４５】このようにすれば、レーザ印字部などの半
導体基板の表面の一部分から確実に異物を除去すること
ができるので、このような異物に起因する半導体装置の
歩留りの低下を抑制できる。
【００４６】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一ま
たは相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は
繰返さない。
【００４７】（実施の形態１）図１は、本発明による洗
浄装置の実施の形態１を説明するための模式図である。
図２は、図１に示した洗浄装置の構成を説明するための
ブロック図である。図３は、図１に示した洗浄装置を用
いた半導体基板の洗浄方法を説明するためのフローチャ
ートを示す図である。図４は、図３に示した洗浄工程を
より詳しく説明するためのフローチャートを示す図であ
る。図１〜４を参照して、本発明による洗浄装置を用い
た半導体基板の洗浄方法の実施の形態１を説明する。
【００４８】図１からもわかるように、本発明による半
導体基板の洗浄方法は、半導体基板である基板１の特定
部分、たとえばレーザ印字部６というような基板１の一
部分のみを洗浄するものである。このような洗浄方法を
行なう半導体基板洗浄装置としての洗浄装置１０は、図
２に示すように制御部１１と基板操作部１４と薬液ノズ
ル操作部１２と純水ノズル操作部１３とを備える。制御
部１１は薬液ノズル操作部１２、純水ノズル操作部１３
および基板操作部１４を制御する。
【００４９】基板操作部１４においては、保持手段とし
ての架台２上に基板１を搭載するためのマニピュレータ
（図示せず）や架台２の位置などを制御する。架台２は
基板１を回転させることなく固定した状態で保持する。
薬液ノズル操作部１２は、洗浄用媒体としての洗浄液５
を基板１の特定箇所にのみ吹きかける薬液ノズル３の位
置や、薬液ノズル３における洗浄液５の吐出圧力、吐出
流量などを制御する。なお、薬液ノズル３はホース４を
介してポンプおよび薬液タンク（図示せず）に接続され
ている。薬液ノズル３からは、後述するように基板１を
回転させること無く固定した状態で洗浄液５が吐出され
る。また、リンス手段としての純水ノズル操作部１３
は、基板１の表面上から洗浄液５を洗い流すためのリン
ス用媒体としての純水９を吐出する純水ノズル７の位置
や、純水９の吐出流量などのリンス条件を制御する。な
お、純水ノズル７はホース８を介してポンプおよび純水
タンク（図示せず）に接続されている。
【００５０】このようにすれば、基板１が回転すること
なく固定された状態において洗浄液５を基板１に供給す
るので、基板１の表面のうち一部分であるレーザ印字部
６のみを洗浄することができる。したがって、レーザ印
字部６に形成された文字などを構成する溝の内部に異物
が存在している場合、洗浄液５として洗浄能力の高い薬
液などを用いれば、上記溝の内部に存在する異物を除去
することができる。
【００５１】また、洗浄液５は基板１の表面の一部分で
あるレーザ印字部６のみに供給されるので、基板１の表
面のレーザ印字部６以外の領域（たとえばチップ形成領
域）が洗浄液５により損傷を受ける確率を低減できる。
つまり、基板１のチップ形成領域などに損傷を発生させ
ることなく、レーザ印字部６のみを確実に洗浄できる。
したがって、半導体基板の表面に形成される半導体装置
において、洗浄工程に起因する不良の発生を抑制すると
ともに、上記異物に起因して不良が発生する確率を低減
できる。この結果、半導体装置の歩留りの低下を抑制で
きる。
【００５２】また、洗浄液５として洗浄用の薬液を用い
る場合、基板１の表面から除去する異物の種類などに合
わせて薬液の種類や濃度などの条件を調整することによ
り、基板１のレーザ印字部６から異物を確実に除去する
ことができる。
【００５３】また、洗浄液５としては後述するように純
水を用いてもよい。洗浄液５として純水を用いる場合、
高圧で純水を基板１に吹付けるなどの手法を用いること
で、基板１のレーザ印字部６から異物を除去することが
できる。また、洗浄液５として純水を用いるので、この
洗浄用媒体としての純水が基板１のレーザ印字部６以外
の表面領域に飛散しても、このレーザ印字部６以外の領
域において洗浄用媒体による損傷が発生するおそれはほ
とんど無い。
【００５４】また、洗浄部材としての薬液ノズル操作部
１２は、基板１の表面の一部分に対して超音波振動をか
けた洗浄液５を供給できるように、洗浄液５に超音波振
動をかけるための超音波発生装置を含んでいてもよい。
また、薬液ノズル操作部１２は、基板１に加圧された洗
浄液５を供給するように構成されていてもよい。
【００５５】この場合、基板１の表面の一部分を洗浄す
る際の洗浄能力を向上させることができる。
【００５６】また、純水ノズル７が設置されているの
で、基板１の表面のうち洗浄対象であるレーザ印字部６
以外の領域に洗浄液５が飛散して付着しても、純水９に
よりその付着した洗浄液５を洗い流すことができる。し
たがって、飛散した洗浄液５により基板１のレーザ印字
部６以外の領域（たとえばチップ形成領域）が損傷を受
ける確率を低減できる。
【００５７】また、洗浄装置１０においては、後述する
ように、基板１に純水９が供給された状態でレーザ印字
部６に洗浄液５を供給することが可能なように、薬液ノ
ズル操作部１２が構成されている。このため、洗浄液５
が基板１の表面のレーザ印字部６以外の領域に飛散して
も、リンス用媒体としての純水９により当該洗浄液５を
即座に洗い流すことができる。
【００５８】次に、図１および図２に示した洗浄装置を
用いた半導体基板の洗浄方法を以下説明する。なお、い
かに説明する半導体基板の洗浄方法は、半導体装置の製
造方法の一工程として実施されるものである。
【００５９】図３に示すように、まず基板準備工程（Ｓ
１１０）を実施する。この基板準備工程（Ｓ１１０）に
おいては、マニピュレータなどを用いて架台２の搭載面
上に洗浄対象物である基板１を配置する。架台２は基板
１を真空吸着、あるいは静電吸着などの方法により固定
することが好ましい。
【００６０】次に、位置決め工程（Ｓ１２０）を実施す
る。この位置決め工程（Ｓ１２０）においては、基板１
と薬液ノズル３および純水ノズル７の相対的な位置を決
定する。薬液ノズル３は、基板１の表面のうち洗浄対象
領域であるレーザ印字部６に洗浄液５を吹きかけること
が可能な位置に配置される。また、純水ノズル７は、レ
ーザ印字部６に洗浄液５が吹きかけられた際に、その周
囲に洗浄液５が飛散した場合、その飛散した洗浄液を基
板１の表面から洗い流すことが可能な位置に配置され
る。純水ノズル７は、純水９を基板１の表面全体に供給
できるように、たとえば基板１のほぼ中央部上に配置し
てもよい。
【００６１】次に、洗浄工程（Ｓ１３０）を実施する。
この洗浄工程（Ｓ１３０）は、具体的には以下のような
工程により構成される。まず、図４に示すように、予め
基板１の表面上にリンス用媒体としての純水９を供給す
るため、純水ノズル７から純水の吐出を開始する純水吐
出開始工程（Ｓ１３１）を実施する。その後、純水を流
しながら、薬液を吐出して特定箇所を洗浄する工程（Ｓ
１３２）を実施する。具体的には、薬液ノズル３からレ
ーザ印字部６に向けて薬液である洗浄液５を吐出する。
このとき、基板１は固定された状態であって回転などは
していない。
【００６２】この結果、特定個所であるレーザ印字部６
には洗浄液５を直接吹きつけて洗浄することができる。
【００６３】また、洗浄液５は基板１の表面の一部分
（レーザ印字部６）のみに供給されるので、基板１の表
面のレーザ印字部６以外の領域（たとえばチップ形成領
域）が洗浄液５により損傷を受ける確率を低減できる。
【００６４】また、洗浄液５が基板１の表面の一部分以
外の領域に飛散しても、リンス用媒体としての純水９に
より当該洗浄液５は即座に洗い流される。そのため、基
板１のレーザ印字部６以外の領域において洗浄液５によ
って損傷が発生する確率を確実に低減できる。
【００６５】この結果、基板１のチップ形成領域などに
損傷を発生させることなく、レーザ印字部６などの基板
１の表面の一部分のみを確実に洗浄できる。この結果、
レーザ印字部６に異物などが残存する確率を低減でき
る。したがって、基板１の表面に半導体記憶装置などの
半導体装置を形成する際、上述した本発明による洗浄装
置および洗浄方法を適用することで、このような異物に
起因する半導体装置の歩留りの低下を抑制できる。
【００６６】なお、洗浄工程（Ｓ１３０）においては、
レーザ印字部６の形状、あるいはレーザ印字部において
形成された識別標識を構成する文字や記号の形状などに
適合するように薬液ノズル３を適宜移動させてもよい。
また、洗浄液５としては、薬液に代えてメガソニック純
水（超音波振動をかけた純水）をレーザ印字部６へと吹
きつけるような手法、超音波振動をかけた薬液をレーザ
印字部６へ吹付ける手法、薬液あるいは純水を高い圧力
で（加圧された状態で）レーザ印字部６へと吹きつける
といった手法を用いてもよい。このような手法を適用す
ることで、洗浄液５の洗浄能力を向上させることができ
る。
【００６７】また、上述のような異なる洗浄方法を組合
せて洗浄を行ってもよい。たとえばまずレーザ印字部６
に薬液を吹きつけた後、メガソニック純水を吹きつけ、
その後さらに加圧された純水あるいは薬液（高圧Ｊｅ
ｔ）を吹きつけるというように、異なる洗浄方法を連続
して行ってもよい。
【００６８】ここで、洗浄液５として洗浄用の薬液を用
いる場合、すでに述べたように洗浄対象物である基板１
や除去されるべき異物の種類などに合わせて洗浄用の薬
液の種類や濃度などの条件を調整することにより、基板
１のレーザ印字部６から異物を確実に除去することがで
きる。
【００６９】また、洗浄液５として純水を用いる場合、
この洗浄液５としての純水が基板１のレーザ印字部６以
外の表面領域に飛散しても、この表面領域において洗浄
液５による損傷はほとんど発生しない。
【００７０】また、洗浄用媒体として純水を用いる場
合、純水ノズル７からリンス用媒体としての純水を基板
１の表面へ供給しない状態で洗浄工程を行ってもよい。
【００７１】また、洗浄工程（Ｓ１３０）においては、
図４に示したような、予め純水９を基板１の表面に供給
した状態において、薬液からなる洗浄液５を用いて洗浄
するといった方法に代えて、図５に示したような方法を
用いてもよい。図５は、本発明による半導体基板の洗浄
方法の実施の形態１の変形例を説明するためのフローチ
ャートを示す図である。図５を参照して、本発明による
半導体基板の洗浄方法の実施の形態１の変形例を説明す
る。
【００７２】図５に示すように、洗浄工程（Ｓ１３０）
においては、まず薬液を吐出して特定箇所を洗浄する工
程（Ｓ１３３）を実施する。具体的には、薬液ノズル３
からレーザ印字部６のみへと薬液からなる洗浄液５を吐
出する。そのとき、既に述べたように薬液ノズル３を移
動させることにより、レーザ印字部６の全領域を確実に
洗浄するようにしてもよい。このとき、基板１は回転せ
ず固定された状態になっている。
【００７３】次に、洗浄が終わった後に基板全面を純水
で水洗する工程（Ｓ１３４）を実施する。具体的には、
純水ノズル７から基板１の表面にリンス用媒体としての
純水９を供給することにより、基板１の表面を水洗す
る。この結果、基板１の表面に残存していた洗浄液５が
洗い流される。
【００７４】このようにしても、図１〜４に示した洗浄
方法と同様の効果を得ることができる。
【００７５】なお、図５に示した洗浄工程（Ｓ１３３）
では、洗浄液５として、薬液に代えてメガソニック純水
をレーザ印字部６へと吹きつける手法、超音波振動をか
けた薬液をレーザ印字部６へ吹きつける手法、薬液ある
いは純水を加圧された状態でレーザ印字部６へと吹きつ
ける手法などを用いてもよい。また、上述のような異な
る洗浄方法を組合せて洗浄を行ってもよい。
【００７６】（実施の形態２）図６は、本発明による洗
浄装置の実施の形態２を説明するための模式図である。
図７は、図６に示した洗浄装置を用いた洗浄方法を説明
するためのフローチャートを示す図である。図６および
７を参照して、本発明による洗浄装置の実施の形態２お
よびその洗浄装置を用いた半導体基板の洗浄方法を説明
する。
【００７７】図６に示すように、洗浄装置は基本的には
本発明による洗浄装置の実施の形態１と同様の構造を備
えるが、薬液ノズル操作部１２（図２参照）の構造が異
なる。すなわち、図６に示した洗浄装置においては、薬
液ノズル操作部が薬液ノズル３とノズル移動制御機１６
とを備える。ノズル移動制御機１６は薬液ノズル３とア
ーム１５を介して接続されている。ノズル移動制御機１
６が移動することにより、薬液ノズル３は基板１の表面
とほぼ平行な平面内を矢印１７に示したようにに自在に
移動することができる。
【００７８】また、制御部１１からノズル移動制御機１
６へは、基板１において洗浄したい領域の座標データが
導電線を介して伝送される。ノズル移動制御機１６は、
その座標データに基づいて薬液ノズル３を移動させるこ
とができる。つまり、この座標データに基づいて、薬液
ノズル３を洗浄対象領域であるレーザ印字部６（図１参
照）上に移動させることができる。この結果、薬液ノズ
ル３の位置を精度よく決定できる。したがって、洗浄対
象領域のみに薬液などの洗浄液５を高い精度で供給する
ことができる。
【００７９】次に、図６に示した洗浄装置を用いた半導
体基板の洗浄方法を説明する。図６に示した洗浄装置を
用いた半導体基板の洗浄方法は、基本的には本発明によ
る半導体基板の洗浄方法の実施の形態１と同様の工程
（図３に示した工程）を備えるが、位置決め工程（Ｓ１
２０）の内容が異なる。すなわち、図６に示した洗浄装
置を用いた半導体基板の洗浄方法では、図３に示した基
板準備工程（Ｓ１１０）を実施した後、位置決め工程
（Ｓ１２０）において、図７に示すように基板１内の洗
浄対象領域の座標データを取得する工程（Ｓ１２１）を
実施する。具体的には、基板１の表面内において洗浄対
象領域となっているレーザ印字部６などの座標データを
制御部１１へと入力しておき、その座標データを制御部
１１からノズル移動制御機１６へと伝送する。
【００８０】次に、薬液ノズルと基板との相対的な位置
を上記座標データに基づいて決定する工程（Ｓ１２２）
を実施する。具体的には、ノズル移動制御機１６を稼動
させることにより、入力された座標データに基づいて薬
液ノズル３を移動させる。そして、薬液ノズル３を当該
座標によって示されたレーザ印字部６などのような洗浄
対象領域の上へと配置する。
【００８１】その後、本発明の実施の形態１による洗浄
方法と同様に洗浄工程（Ｓ１３０）を実施する。このよ
うにして、基板１の表面内の特定領域のみを高い精度で
洗浄することができる。
【００８２】なお、薬液ノズルと基板との相対的な位置
を座標データに基づいて決定する工程（Ｓ１２２）にお
いては、薬液ノズル３を移動させる代わりに基板１を移
動させてもよい。具体的には、基板１を搭載した架台２
を、基板１の表面とほぼ平行な方向に延びる平面内にお
いて移動可能に構成する。たとえば、架台２として基板
１の表面とほぼ平行な平面内に移動可能なＸＹステージ
などを用いてもよい。そして、基板内の洗浄対象領域の
座標データに基づいて、薬液ノズル３の下に洗浄対象領
域（レーザ印字部６）が配置されるように架台２を移動
させてもよい。この場合、ＸＹステージなどを利用した
架台２の動作を制御する制御装置に、洗浄対象領域の座
標データが伝送される。
【００８３】（実施の形態３）図８は、本発明による洗
浄装置の実施の形態３を示す模式図である。図９は、図
８に示した洗浄装置を用いた半導体基板の洗浄方法を説
明するためのフローチャートを示す図である。図８およ
び９を参照して、本発明による洗浄装置の実施の形態３
およびその洗浄装置を用いた半導体基板の洗浄方法を説
明する。
【００８４】図８に示すように、本発明による洗浄装置
の実施の形態３は、薬液５を保持するための薬液槽１８
と、基板１を薬液５に浸漬するため基板１を保持、移動
させるための基板保持部（図示せず）とを備える。
【００８５】次に、図８に示した洗浄装置を用いた半導
体基板の洗浄方法を説明する。まず、洗浄対象物である
基板１を準備する工程および洗浄用媒体としての薬液か
らなる洗浄液５を内部に保持する媒体槽としての薬液槽
１８を準備する工程を実施する。その後、図９に示すよ
うに、まず基板の位置決め工程（Ｓ２１０）を実施す
る。具体的には、図８に示すように、基板１において洗
浄対象領域であるレーザ印字部６を下側に配置する。そ
して、基板１を薬液槽１８の上部へと配置する。
【００８６】次に、基板１の一部のみを薬液槽１８に浸
漬する工程（Ｓ２２０）を実施する。具体的には、図８
の矢印２０に示す方向に基板１を移動させる。このと
き、基板１を保持する基板保持部を薬液槽１８側へと近
づけるように移動させる。なお、基板保持部および基板
１の位置は固定しておき、薬液槽１８を矢印２１に示し
た方向へと上昇させてもよい。そして、図８に示したよ
うに基板１の端部に位置するレーザ印字部６のみが薬液
槽１８中に保持された薬液５に浸漬された状態とする。
【００８７】次に、所定時間基板が薬液に浸漬された状
態を維持する工程（Ｓ２３０）を実施する。浸漬時間
は、レーザ印字部６などの洗浄対象領域における洗浄対
象物の特性やサイズ、あるいは薬液５の温度や組成など
によって決定される。
【００８８】次に、基板を薬液層から引上げる工程（Ｓ
２４０）を実施する。具体的には、図８の矢印２１に示
した方向に基板１を薬液槽１８から引上げる。なお、こ
のとき基板１は固定しておき、薬液槽１８を矢印２０に
示した方向に移動させてもよい。
【００８９】その後、基板１の表面に残存する薬液を除
去するためのリンス処理および水洗処理などを行なう。
このようにして、基板１のレーザ印字部６が形成された
一部領域のみを洗浄することができる。また、チップ形
成部１９は洗浄液５と接触しないので、このチップ形成
部１９が洗浄液５により損傷を受けることは無い。
【００９０】今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した実施の形態ではなくて特
許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の
意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意
図される。
【００９１】
【発明の効果】このように、本発明によれば、半導体基
板のレーザ印字部など一部分のみを洗浄することができ
るので、洗浄工程に伴ってレーザ印字部以外の領域が洗
浄液により損傷を受けることを防止すると同時に、上記
一部分から異物などを確実に除去することが可能にな
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明による洗浄装置の実施の形態１を説明
するための模式図である。
【図２】 図１に示した洗浄装置の構成を説明するため
のブロック図である。
【図３】 図１に示した洗浄装置を用いた半導体基板の
洗浄方法を説明するためのフローチャートを示す図であ
る。
【図４】 図３に示した洗浄工程をより詳しく説明する
ためのフローチャートを示す図である。
【図５】 本発明による半導体基板の洗浄方法の実施の
形態１の変形例を説明するためのフローチャートを示す
図である。
【図６】 本発明による洗浄装置の実施の形態２を説明
するための模式図である。
【図７】 図６に示した洗浄装置を用いた洗浄方法を説
明するためのフローチャートを示す図である。
【図８】 本発明による洗浄装置の実施の形態３を示す
模式図である。
【図９】 図８に示した洗浄装置を用いた半導体基板の
洗浄方法を説明するためのフローチャートを示す図であ
る。
【図１０】 従来の半導体基板洗浄方法の一つの例を説
明するための模式図である。
【図１１】 従来の半導体基板洗浄方法の他の例を説明
するための模式図である。
【符号の説明】
１ 基板、２ 架台、３ 薬液ノズル、４，８ ホー
ス、５ 洗浄液、６ レーザ印字部、７ 純水ノズル、
９ 純水、１０ 洗浄装置、１１ 制御部、１２薬液ノ
ズル操作部、１３ 純水ノズル操作部、１４ 基板操作
部、１５ アーム、１６ ノズル移動制御機、１７，２
０，２１ 矢印、１８ 薬液槽、１９チップ形成領域。
フロントページの続き (72)発明者 横井 直樹 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 東 雅彦 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板を保持する保持部材と、 前記保持部材に保持された前記半導体基板を固定した状
    態で、前記半導体基板の表面の一部分のみに洗浄用媒体
    を供給することが可能な洗浄部材とを備える、半導体基
    板洗浄装置。
  2. 【請求項２】 前記洗浄用媒体は、洗浄用薬液および純
    水からなる群から選択される少なくとも１つを含む、請
    求項１に記載の半導体基板洗浄装置。
  3. 【請求項３】 前記洗浄部材は、前記半導体基板の表面
    の一部分に対して、超音波振動をかけた前記洗浄用媒体
    を供給する手段、加圧された前記洗浄用媒体を供給する
    手段からなる群から選択される少なくとも１つを含む、
    請求項１または２に記載の半導体基板洗浄装置。
  4. 【請求項４】 前記洗浄部材は、 前記洗浄用媒体を前記半導体基板の表面に供給するため
    のノズルと、 前記半導体基板の表面に対する前記ノズルの相対的な位
    置を、前記半導体基板の表面において前記洗浄用媒体を
    供給されるべき前記一部分の座標データに基づいて決定
    する位置決定手段とを含む、請求項１〜３のいずれか１
    項に記載の半導体基板洗浄装置。
  5. 【請求項５】 前記半導体基板の表面から前記洗浄用媒
    体を洗い流すリンス手段を備える、請求項１〜４のいず
    れか１項に記載の半導体基板洗浄装置。
  6. 【請求項６】 半導体基板を準備する工程と、 前記半導体基板を固定した状態で、前記半導体基板の表
    面にリンス用媒体を供給しながら、前記半導体基板の表
    面の一部分のみに洗浄用媒体を供給する洗浄工程とを備
    える、半導体基板洗浄方法。
  7. 【請求項７】 半導体基板を準備する工程と、 前記半導体基板を固定した状態で、前記半導体基板の表
    面の一部分のみに洗浄用媒体を供給する洗浄工程と、 前記洗浄工程の後に、前記半導体基板の表面にリンス用
    媒体を供給する工程とを備える、半導体基板洗浄方法。
  8. 【請求項８】 前記洗浄用媒体は、洗浄用薬液および純
    水からなる群から選択される少なくとも１つを含む、請
    求項６または７に記載の半導体基板洗浄方法。
  9. 【請求項９】 前記洗浄工程は、前記半導体基板の表面
    の一部分に対して、超音波振動をかけた前記洗浄用媒体
    を供給する工程、加圧された前記洗浄用媒体を供給する
    工程からなる群から選択される少なくとも１つを含む、
    請求項６〜８のいずれか１項に記載の半導体基板洗浄方
    法。
  10. 【請求項１０】 半導体基板を準備する工程と、 半導体基板の表面を洗浄するための洗浄用媒体を内部に
    保持している媒体槽を準備する工程と、 前記媒体槽中に保持される前記洗浄用媒体に前記半導体
    基板の端部のみを浸漬する工程とを備える、半導体基板
    洗浄方法。
  11. 【請求項１１】 請求項６〜１０のいずれか１項に記載
    の半導体基板洗浄方法を用いる半導体装置の製造方法。
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