JPS6085528A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
- Publication number
- JPS6085528A JPS6085528A JP19482783A JP19482783A JPS6085528A JP S6085528 A JPS6085528 A JP S6085528A JP 19482783 A JP19482783 A JP 19482783A JP 19482783 A JP19482783 A JP 19482783A JP S6085528 A JPS6085528 A JP S6085528A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- resist
- high speed
- semiconductor
- equipment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 6
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 3
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 abstract description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造装置に係り、半導体ウェーハ
を高速で回転して処理する装置の構造に関する。
を高速で回転して処理する装置の構造に関する。
従来、半導体ウェーハを高速で回転して処理する装置と
して回転乾燥装置、レジスト回転塗布機、回転現像装置
、回転定着装置、回転洗浄装置等があるが、いずれも半
導体ウェーハを気体あるいは液体中で回転する時に発生
する静電気の防止か行なわれなかった。
して回転乾燥装置、レジスト回転塗布機、回転現像装置
、回転定着装置、回転洗浄装置等があるが、いずれも半
導体ウェーハを気体あるいは液体中で回転する時に発生
する静電気の防止か行なわれなかった。
しかし、上記従来技術によると、半導体ウェーハの処理
時にウェーハ表面が帯電したり、回転処理中に静電発電
による電流がウェーハに流れ、ウェーハ表面に形成され
たｓ ｉ ｏ２膜が絶縁破壊したり、人込配線がマイグ
レーションにより断線したりする等の欠点があった。
時にウェーハ表面が帯電したり、回転処理中に静電発電
による電流がウェーハに流れ、ウェーハ表面に形成され
たｓ ｉ ｏ２膜が絶縁破壊したり、人込配線がマイグ
レーションにより断線したりする等の欠点があった。
本発明は、かかる従来技術の欠点をなくし、半導体ウェ
ーハを高速で回転して処理する装置に於て、静電気の発
生を防止する装置構造を提供することを目的とする。
ーハを高速で回転して処理する装置に於て、静電気の発
生を防止する装置構造を提供することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、半
導体装置の製造装置に関し、半導体ウェーハを高速で回
転して処理する装置に於て、イオナイザー（ガスをイオ
ン化して噴射する装置）を半導体ウェーハにイオン化ガ
スを当てる様に具備することを特徴とする。
導体装置の製造装置に関し、半導体ウェーハを高速で回
転して処理する装置に於て、イオナイザー（ガスをイオ
ン化して噴射する装置）を半導体ウェーハにイオン化ガ
スを当てる様に具備することを特徴とする。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示すレジスト回転塗布装置
の要部の断面図である。すなわち、回転支持台１の表面
にはシリコン・ウェーハ２が真空吸着して設置され、該
シリコン・ウェーハ２上にレジスト供給パイプ３からレ
ジストを滴下し２て・シリコン・ウェーハ２上にレジス
トを高速回転（約３００ Ｏｒ、ｐ、ｎ＋ ） して１
μｍ厚程度に塗布する装置に於て、ウェーハ表面へイオ
ン化ガスを供給スるイオン・ガンのノズル４を設置して
、シリコン・ウェーハ２の表面にイオン化ガスを吹付け
る構造をなす。
の要部の断面図である。すなわち、回転支持台１の表面
にはシリコン・ウェーハ２が真空吸着して設置され、該
シリコン・ウェーハ２上にレジスト供給パイプ３からレ
ジストを滴下し２て・シリコン・ウェーハ２上にレジス
トを高速回転（約３００ Ｏｒ、ｐ、ｎ＋ ） して１
μｍ厚程度に塗布する装置に於て、ウェーハ表面へイオ
ン化ガスを供給スるイオン・ガンのノズル４を設置して
、シリコン・ウェーハ２の表面にイオン化ガスを吹付け
る構造をなす。
第２図は本発明の他の実施例を示すシリコン・ウェーハ
の回転乾燥装置の要部の断面図である。
の回転乾燥装置の要部の断面図である。
すなわち、回転支持台１１上に水洗後のシリコン・ウェ
ーハ１２が設置され、５００ ｒ、ｐ、ｍ程度に回転し
て乾燥する装置に於て、シリコン・ウェーハ１２の表面
がイオン化ガスで覆われる様に、イオンナイザーからの
イオン化ガスを噴出するノズル１６が設置されて成る。
ーハ１２が設置され、５００ ｒ、ｐ、ｍ程度に回転し
て乾燥する装置に於て、シリコン・ウェーハ１２の表面
がイオン化ガスで覆われる様に、イオンナイザーからの
イオン化ガスを噴出するノズル１６が設置されて成る。
本発明の如く、半導体ウェーハを回転処理する装置に於
て、静電気の発生を中和するイオナイザーを具備するこ
とにより、半導体ウェーハの静電気の帯電による損傷を
防止できる効果がある。
て、静電気の発生を中和するイオナイザーを具備するこ
とにより、半導体ウェーハの静電気の帯電による損傷を
防止できる効果がある。
本発明は、半導体ウェーハへのレジスＦ塗布機や乾燥機
に限定するものではなく、回転現像機、回転定着機及び
回転洗浄機等にも適用されることは言うまでもない。
に限定するものではなく、回転現像機、回転定着機及び
回転洗浄機等にも適用されることは言うまでもない。
第１図は本発明の一実施例を示すレジスト回転塗布装置
の要部の断面図・第２図は本発明の他の実施例を示す回
転乾燥装置の要部の断面図である。 １．１１・・・・・・回転支持台 ２．１２・・・・・・シリコン・ウェーハ３・・・・・
・レジスト供給ノズル ４．１６・・・・・・イオンナイザー・ノズル以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第２図
の要部の断面図・第２図は本発明の他の実施例を示す回
転乾燥装置の要部の断面図である。 １．１１・・・・・・回転支持台 ２．１２・・・・・・シリコン・ウェーハ３・・・・・
・レジスト供給ノズル ４．１６・・・・・・イオンナイザー・ノズル以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体ウェーハを高速で回転して処理する装置に於
て、イオナイザー（ガスをイオン化して噴射する装置）
を半導体ウェーハにイオン化ガスを当てる様に具備する
ことを特徴とする半導体装置の製造装置。 ２ 半導体ウェーハを高速で回転して処理する装置を半
導体ウェーハの回転乾燥装置となすことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造装置。 ３ 半導体ウェーハを高速で回転して処理する装置を、
半導体ウェーハへレジストを回転塗布ｆるレジスト塗布
機となすことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
半導体装置の製造装置。 ４ 半導体ウェーハを高速で回転して処理する装置を、
半導体ウェーハ表面に形成されたレジストの回転現像お
よび定着装置となすことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の半導体装置の製造装置。 ５ 半導体ウェーハを高速回転して処理する装置を、半
導体ウェーハ表面に純水あるいは溶剤をかけながら洗浄
する回転洗浄装置上なすこ七を特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19482783A JPS6085528A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19482783A JPS6085528A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6085528A true JPS6085528A (ja) | 1985-05-15 |
Family
ID=16330915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19482783A Pending JPS6085528A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6085528A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6281030A (ja) * | 1985-10-03 | 1987-04-14 | Nec Kyushu Ltd | 半導体基板乾燥装置 |
| JPH02201926A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-10 | Fujitsu Ltd | ウエット洗浄用ホルダ及びウエット洗浄方法 |
-
1983
- 1983-10-18 JP JP19482783A patent/JPS6085528A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6281030A (ja) * | 1985-10-03 | 1987-04-14 | Nec Kyushu Ltd | 半導体基板乾燥装置 |
| JPH02201926A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-10 | Fujitsu Ltd | ウエット洗浄用ホルダ及びウエット洗浄方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5100476A (en) | Method and apparatus for cleaning semiconductor devices | |
| JP2003031536A (ja) | ウエハの洗浄方法 | |
| JP3309207B2 (ja) | 処理装置 | |
| US20200144081A1 (en) | Substrate processing method and substrate processing device | |
| KR19980080626A (ko) | 처리장치 및 처리방법 | |
| US6432727B1 (en) | Method for eliminating a static electricity on a semiconductor wafer | |
| JP7281868B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JPH09115873A (ja) | 半導体の製造装置および半導体の製造方法 | |
| JPS6085528A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JPS603121A (ja) | 半導体ウエハの処理方法 | |
| JP2010283286A (ja) | ワーク保持装置 | |
| JP2602766B2 (ja) | ウェハーエッジの加工方法とその装置 | |
| JP2002203783A (ja) | 処理方法及び処理装置 | |
| JPH09146079A (ja) | 液晶表示装置の製法 | |
| US11211264B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JPH0529296A (ja) | ウエツト処理装置 | |
| JPH11214349A (ja) | 基板乾燥装置及び基板乾燥方法 | |
| JP2537611B2 (ja) | 塗布材料の塗布装置 | |
| JP2820275B2 (ja) | 洗浄装置 | |
| JPH09102444A (ja) | 基板処理装置 | |
| KR0128246Y1 (ko) | 웨이퍼의 대전입자 제거장치 | |
| KR101446721B1 (ko) | 연마용 블록에 웨이퍼를 마운팅하는 방법 | |
| JP2001274131A (ja) | バッチ式処理装置およびバッチ式処理方法 | |
| KR100436478B1 (ko) | 스핀 방식의 웨이퍼 세정장치 | |
| JPH0766163A (ja) | スピンスクラバー装置 |