JPH09146079A - 液晶表示装置の製法 - Google Patents
液晶表示装置の製法Info
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- JPH09146079A JPH09146079A JP30269295A JP30269295A JPH09146079A JP H09146079 A JPH09146079 A JP H09146079A JP 30269295 A JP30269295 A JP 30269295A JP 30269295 A JP30269295 A JP 30269295A JP H09146079 A JPH09146079 A JP H09146079A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶表示装置製造工程におけるエッチング、
洗浄などのウェット処理後にガラス基板を回転させて振
切り乾燥する際に生じる帯電を容易、かつ確実に防止す
ることができる液晶表示装置の製法を提供する。 【解決手段】 ウェット処理後のガラス基板をスピン乾
燥するばあい、ガラス基板を３５０ｒｐｍ／ｓｅｃ未
満の比較的低加速度で加速しながら高速回転に移行す
る、および／または高速回転に移行する前にガラス基
板１を１０〜３０秒間静止させて基板上の水を雰囲気中
に暴露させる。
洗浄などのウェット処理後にガラス基板を回転させて振
切り乾燥する際に生じる帯電を容易、かつ確実に防止す
ることができる液晶表示装置の製法を提供する。 【解決手段】 ウェット処理後のガラス基板をスピン乾
燥するばあい、ガラス基板を３５０ｒｐｍ／ｓｅｃ未
満の比較的低加速度で加速しながら高速回転に移行す
る、および／または高速回転に移行する前にガラス基
板１を１０〜３０秒間静止させて基板上の水を雰囲気中
に暴露させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置の製法
に関する。さらに詳しくは液晶表示装置の製造工程にお
けるエッチング、洗浄などのウェット処理後にガラス基
板を回転させて振切り乾燥する際に生じる帯電を容易、
かつ確実に防止することができる液晶表示装置の製法に
関する。
に関する。さらに詳しくは液晶表示装置の製造工程にお
けるエッチング、洗浄などのウェット処理後にガラス基
板を回転させて振切り乾燥する際に生じる帯電を容易、
かつ確実に防止することができる液晶表示装置の製法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、液晶表示装置製造工程におけ
るエッチング洗浄などのウェット処理後の乾燥方法とし
て、１枚づつスピンさせて乾燥させる、いわゆる枚葉方
式のスピン乾燥法が採用されている。
るエッチング洗浄などのウェット処理後の乾燥方法とし
て、１枚づつスピンさせて乾燥させる、いわゆる枚葉方
式のスピン乾燥法が採用されている。
【０００３】図３〜４に従来より用いられているスピン
乾燥装置の一例を示す。スピン乾燥を行なうばあい、ウ
ェット処理の最終の水洗工程を終了したガラス基板１を
１枚づつスピン乾燥用のステージ２に搬送する。なお、
ウェット処理後の基板表面は、水をはじきやすい状態に
なっていることがあり、このばあい、表面が露出しやす
くなる。もし、露出した状態で約１０秒放置すれば、部
分的に残った水滴が乾燥してシミが発生するばあいがあ
る。したがって、搬送のあいだ、基板表面が乾燥してシ
ミが発生しないように、適宜、ノズル３を用いて、水を
基板表面全体に噴射する。搬送されたのち、ノズル３か
らの水の噴射は止められる。ステージ２に搬送されたガ
ラス基板１は、円筒状突起６によって４点支持されると
ともにガラス基板１の外周縁がメカニカルチャック４に
よって固定される。ついで、このステージ２を図２に示
される回転数の変化になるように、ガラス基板１を回転
制御する。すなわち、まず、回転数５０〜１００ｒｐｍ
で水を１〜２リットル／ｍｉｎの流量でガラス基板１の
表面へ噴射してリンス（洗浄）する。この状態を５〜１
０秒間継続し、ついで、立上がり時間２〜４秒で１５０
０〜２０００ｒｐｍに移行し、そののち当該回転数を維
持しながらの高速回転による振切り乾燥状態を２０〜３
０秒間継続し、ガラス基板１の乾燥を行なう。
乾燥装置の一例を示す。スピン乾燥を行なうばあい、ウ
ェット処理の最終の水洗工程を終了したガラス基板１を
１枚づつスピン乾燥用のステージ２に搬送する。なお、
ウェット処理後の基板表面は、水をはじきやすい状態に
なっていることがあり、このばあい、表面が露出しやす
くなる。もし、露出した状態で約１０秒放置すれば、部
分的に残った水滴が乾燥してシミが発生するばあいがあ
る。したがって、搬送のあいだ、基板表面が乾燥してシ
ミが発生しないように、適宜、ノズル３を用いて、水を
基板表面全体に噴射する。搬送されたのち、ノズル３か
らの水の噴射は止められる。ステージ２に搬送されたガ
ラス基板１は、円筒状突起６によって４点支持されると
ともにガラス基板１の外周縁がメカニカルチャック４に
よって固定される。ついで、このステージ２を図２に示
される回転数の変化になるように、ガラス基板１を回転
制御する。すなわち、まず、回転数５０〜１００ｒｐｍ
で水を１〜２リットル／ｍｉｎの流量でガラス基板１の
表面へ噴射してリンス（洗浄）する。この状態を５〜１
０秒間継続し、ついで、立上がり時間２〜４秒で１５０
０〜２０００ｒｐｍに移行し、そののち当該回転数を維
持しながらの高速回転による振切り乾燥状態を２０〜３
０秒間継続し、ガラス基板１の乾燥を行なう。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ウェット処理
の最終水洗工程以降は、水洗用の水の清浄度が高められ
ており、それに伴って水の比抵抗も１７〜１８ＭΩ・ｃ
ｍ程度まで高められているため、このような比較的急俊
な立上がり（すなわち、急加速の区間）を有する回転数
の変化により振切り乾燥を行なうばあい、絶縁体である
ガラス基板は、前記高比抵抗の水との摩擦により、静電
気が発生して帯電しやすくなる。帯電したガラス基板
は、搬送途中に導電体がガラス基板近傍に存在したばあ
い、ガラス基板表面に放電が生じ、局所的なパターンの
破壊および欠損が発生する。また、静電気の集塵効果に
より、パーティクルの付着およびそれに伴う汚染が起こ
る。
の最終水洗工程以降は、水洗用の水の清浄度が高められ
ており、それに伴って水の比抵抗も１７〜１８ＭΩ・ｃ
ｍ程度まで高められているため、このような比較的急俊
な立上がり（すなわち、急加速の区間）を有する回転数
の変化により振切り乾燥を行なうばあい、絶縁体である
ガラス基板は、前記高比抵抗の水との摩擦により、静電
気が発生して帯電しやすくなる。帯電したガラス基板
は、搬送途中に導電体がガラス基板近傍に存在したばあ
い、ガラス基板表面に放電が生じ、局所的なパターンの
破壊および欠損が発生する。また、静電気の集塵効果に
より、パーティクルの付着およびそれに伴う汚染が起こ
る。
【０００５】従来では、こうした不具合を解消するべ
く、スピン乾燥で振り切る際の水の比抵抗を下げるた
め、あらかじめ、パーティクルまたは不純物などを除去
したＣＯ2 ガスを水に溶解して使用することが多い。し
かし、かかるＣＯ2ガス溶解用の設備を設ければランニ
ングコストおよびイニシャルコストがかかるなどの問題
がある。
く、スピン乾燥で振り切る際の水の比抵抗を下げるた
め、あらかじめ、パーティクルまたは不純物などを除去
したＣＯ2 ガスを水に溶解して使用することが多い。し
かし、かかるＣＯ2ガス溶解用の設備を設ければランニ
ングコストおよびイニシャルコストがかかるなどの問題
がある。
【０００６】本発明は、かかる問題を解消するためにな
されたものであり、液晶表示装置製造工程におけるエッ
チング、洗浄などのウェット処理後にガラス基板を回転
させて振切り乾燥する際に生じる帯電を容易、かつ確実
に防止することができる液晶表示装置の製法を提供する
ことを目的とする。
されたものであり、液晶表示装置製造工程におけるエッ
チング、洗浄などのウェット処理後にガラス基板を回転
させて振切り乾燥する際に生じる帯電を容易、かつ確実
に防止することができる液晶表示装置の製法を提供する
ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
液晶表示装置の製法は、ウェット処理後のガラス基板を
スピン乾燥する工程を有する液晶表示装置の製法であっ
て、（ａ）前記ガラス基板を５０〜１００ｒｐｍで低速
回転させながらガラス基板表面に水を噴射することによ
り、ガラス基板表面を洗浄し、（ｂ）前記ガラス基板を
３５０ｒｐｍ／ｓｅｃ以下の加速度で加速しながら高速
回転に移行し、ガラス基板表面の水を振り切ることを特
徴とする。
液晶表示装置の製法は、ウェット処理後のガラス基板を
スピン乾燥する工程を有する液晶表示装置の製法であっ
て、（ａ）前記ガラス基板を５０〜１００ｒｐｍで低速
回転させながらガラス基板表面に水を噴射することによ
り、ガラス基板表面を洗浄し、（ｂ）前記ガラス基板を
３５０ｒｐｍ／ｓｅｃ以下の加速度で加速しながら高速
回転に移行し、ガラス基板表面の水を振り切ることを特
徴とする。
【０００８】本発明の請求項２記載の液晶表示装置の製
法は、ウェット処理後のガラス基板をスピン乾燥する工
程を有する液晶表示装置の製法であって、（ａ）前記ガ
ラス基板を５０〜１００ｒｐｍで低速回転させながらガ
ラス基板表面に水を噴射することにより、ガラス基板表
面を洗浄し、（ｂ）前記ガラス基板を１０〜３０秒間静
止させて前記ガラス基板表面の水を雰囲気に暴露させる
ことにより、水の比抵抗を低下させ、（ｃ）前記ガラス
基板を高速回転させることにより、ガラス基板表面の水
を振り切ることを特徴とする。
法は、ウェット処理後のガラス基板をスピン乾燥する工
程を有する液晶表示装置の製法であって、（ａ）前記ガ
ラス基板を５０〜１００ｒｐｍで低速回転させながらガ
ラス基板表面に水を噴射することにより、ガラス基板表
面を洗浄し、（ｂ）前記ガラス基板を１０〜３０秒間静
止させて前記ガラス基板表面の水を雰囲気に暴露させる
ことにより、水の比抵抗を低下させ、（ｃ）前記ガラス
基板を高速回転させることにより、ガラス基板表面の水
を振り切ることを特徴とする。
【０００９】前記ガラス基板を高速回転に移行する際、
立上がり時間２〜４秒のあいだに１５００〜２０００ｒ
ｐｍの高速回転へ移行させるのが好ましい。
立上がり時間２〜４秒のあいだに１５００〜２０００ｒ
ｐｍの高速回転へ移行させるのが好ましい。
【００１０】本発明の請求項４記載の液晶表示装置の製
法は、ウェット処理後のガラス基板をスピン乾燥する工
程を有する液晶表示装置の製法であって、（ａ）前記ガ
ラス基板を５０〜１００ｒｐｍで低速回転させながらガ
ラス基板表面に水を噴射することにより、ガラス基板表
面を洗浄し、（ｂ）ガラス基板を１０〜３０秒間静止さ
せて前記ガラス基板表面の水を雰囲気に暴露させること
により、水の比抵抗を低下させ、（ｃ）前記ガラス基板
を３５０ｒｐｍ／ｓｅｃ未満の加速度で加速しながら高
速回転に移行し、ガラス基板表面の水を振り切ることを
特徴とする。
法は、ウェット処理後のガラス基板をスピン乾燥する工
程を有する液晶表示装置の製法であって、（ａ）前記ガ
ラス基板を５０〜１００ｒｐｍで低速回転させながらガ
ラス基板表面に水を噴射することにより、ガラス基板表
面を洗浄し、（ｂ）ガラス基板を１０〜３０秒間静止さ
せて前記ガラス基板表面の水を雰囲気に暴露させること
により、水の比抵抗を低下させ、（ｃ）前記ガラス基板
を３５０ｒｐｍ／ｓｅｃ未満の加速度で加速しながら高
速回転に移行し、ガラス基板表面の水を振り切ることを
特徴とする。
【００１１】前記ガラス基板表面の水をＣＯ2 ガスに暴
露させるのが好ましい。
露させるのが好ましい。
【００１２】前記ガラス基板が静止しているあいだ、ガ
ラス基板裏面に水を噴射してガラス基板の乾燥を防止す
るのが好ましい。
ラス基板裏面に水を噴射してガラス基板の乾燥を防止す
るのが好ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１記載の製法によ
れば、ガラス基板を３５０ｒｐｍ／ｓｅｃ未満の比較的
低い加速度で加速しながら高速回転に移行し、ガラス基
板表面の水を振り切るようにすれば、ガラス基板表面の
水は比較的緩く移動し始めるので、ガラス基板と水との
あいだで静電気が発生しにくく、ガラス基板は帯電しな
い。
れば、ガラス基板を３５０ｒｐｍ／ｓｅｃ未満の比較的
低い加速度で加速しながら高速回転に移行し、ガラス基
板表面の水を振り切るようにすれば、ガラス基板表面の
水は比較的緩く移動し始めるので、ガラス基板と水との
あいだで静電気が発生しにくく、ガラス基板は帯電しな
い。
【００１４】また、本発明の請求項２記載の製法によれ
ば、ガラス基板を高速回転に移行する前に、ガラス基板
を１０〜３０秒間静止させてガラス基板表面の水を雰囲
気に暴露させることにより、雰囲気が水に溶解して水の
比抵抗を低下させることができる。したがって、高速回
転に移行する際にガラス基板と水とのあいだで摩擦が生
じても水の比抵抗がすでに低くなっているため、ガラス
基板と水とのあいだで静電気が発生しにくく、ガラス基
板は帯電しない。
ば、ガラス基板を高速回転に移行する前に、ガラス基板
を１０〜３０秒間静止させてガラス基板表面の水を雰囲
気に暴露させることにより、雰囲気が水に溶解して水の
比抵抗を低下させることができる。したがって、高速回
転に移行する際にガラス基板と水とのあいだで摩擦が生
じても水の比抵抗がすでに低くなっているため、ガラス
基板と水とのあいだで静電気が発生しにくく、ガラス基
板は帯電しない。
【００１５】さらに、本発明の請求項４記載の製法によ
れば、前記１０〜３０秒間静止による水の暴露工程のの
ち、前記３５０ｒｐｍ／ｓｅｃ未満の低加速を行なえ
ば、ガラス基板と水とのあいだで静電気がさらに発生し
にくくなり、ガラス基板は帯電しなくなる。
れば、前記１０〜３０秒間静止による水の暴露工程のの
ち、前記３５０ｒｐｍ／ｓｅｃ未満の低加速を行なえ
ば、ガラス基板と水とのあいだで静電気がさらに発生し
にくくなり、ガラス基板は帯電しなくなる。
【００１６】つぎに、本発明の液晶表示装置の製法を詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１７】本発明は、クリーンルーム内部において、
ガラス基板の表面にウェット処理を施してＴＦＴを作製
したのち、当該ガラス基板をスピン乾燥し、そののち、
従来どおりの液晶セル組立工程を行なう液晶表示装置の
製法のうち、とくにスピン乾燥工程において水がガラス
基板から振り切られるときに生じるガラス基板の帯電を
防止するために、ガラス基板を低加速度で加速しなが
ら高速回転に移行する方法（以下、低加速度法とい
う）、および／または高速回転に移行する前にガラス
基板を所定の時間だけ静止させて基板上の水を雰囲気中
に暴露させる方法（以下、静止暴露法という）を採用し
た点に特徴がある。以下、方法、について順に説明
する。
ガラス基板の表面にウェット処理を施してＴＦＴを作製
したのち、当該ガラス基板をスピン乾燥し、そののち、
従来どおりの液晶セル組立工程を行なう液晶表示装置の
製法のうち、とくにスピン乾燥工程において水がガラス
基板から振り切られるときに生じるガラス基板の帯電を
防止するために、ガラス基板を低加速度で加速しなが
ら高速回転に移行する方法（以下、低加速度法とい
う）、および／または高速回転に移行する前にガラス
基板を所定の時間だけ静止させて基板上の水を雰囲気中
に暴露させる方法（以下、静止暴露法という）を採用し
た点に特徴がある。以下、方法、について順に説明
する。
【００１８】まず、方法（低加速度法）について説明
する。
する。
【００１９】図３〜４に示されるように、ウェット処理
の最終の水洗工程を終了したガラス基板１を１枚づつス
ピン乾燥用のステージ２に搬送する。搬送のあいだ、乾
燥防止のため、適宜ノズル３を用いて、従来と同様に１
７〜１８ＭΩ・ｃｍ程度の高比抵抗の清浄化された水を
基板上に噴射しておく。搬送されたのち、ノズル３から
の水の噴射は止められる。
の最終の水洗工程を終了したガラス基板１を１枚づつス
ピン乾燥用のステージ２に搬送する。搬送のあいだ、乾
燥防止のため、適宜ノズル３を用いて、従来と同様に１
７〜１８ＭΩ・ｃｍ程度の高比抵抗の清浄化された水を
基板上に噴射しておく。搬送されたのち、ノズル３から
の水の噴射は止められる。
【００２０】つぎに、ステージ２の回転数を変化させ
る。まず、５〜１０秒間、ステージ２を回転数を５０〜
１００ｒｐｍで回転させながら、水を１〜２リットル／
ｍｉｎの流量でガラス基板１の表面に噴射し、表面洗浄
を行なう。
る。まず、５〜１０秒間、ステージ２を回転数を５０〜
１００ｒｐｍで回転させながら、水を１〜２リットル／
ｍｉｎの流量でガラス基板１の表面に噴射し、表面洗浄
を行なう。
【００２１】そののち、ステージ２を３５０ｒｐｍ／ｓ
ｅｃ未満の比較的低い加速度で加速しながら高速回転に
移行し、当該回転数を２０〜３０秒間維持することによ
り、ガラス基板１の振切り乾燥を行なう。このとき、ガ
ラス基板表面の水は比較的緩く移動し始めるので、ガラ
ス基板と水とのあいだで静電気が発生しにくく、ガラス
基板は帯電しない。振切り乾燥後、ガラス基板１は液晶
セル組立用のラインへ搬送され、従来通りの製法で液晶
セルが作製される。
ｅｃ未満の比較的低い加速度で加速しながら高速回転に
移行し、当該回転数を２０〜３０秒間維持することによ
り、ガラス基板１の振切り乾燥を行なう。このとき、ガ
ラス基板表面の水は比較的緩く移動し始めるので、ガラ
ス基板と水とのあいだで静電気が発生しにくく、ガラス
基板は帯電しない。振切り乾燥後、ガラス基板１は液晶
セル組立用のラインへ搬送され、従来通りの製法で液晶
セルが作製される。
【００２２】つぎに、方法（静止暴露法）について順
に説明する。図１は静止暴露法のステージの回転数の変
化を時系列的に示すグラフである。
に説明する。図１は静止暴露法のステージの回転数の変
化を時系列的に示すグラフである。
【００２３】図３〜４に示されるように、ウェット処理
の最終の水洗工程を終了したガラス基板１を１枚づつス
ピン乾燥用のステージ２に搬送する。搬送のあいだ、乾
燥防止のため、適宜ノズル３を用いて、従来と同様に１
７〜１８ＭΩ・ｃｍ程度の高比抵抗の清浄化された水を
基板上に噴射しておく。搬送されたのち、ノズル３から
の水の噴射は止められる。
の最終の水洗工程を終了したガラス基板１を１枚づつス
ピン乾燥用のステージ２に搬送する。搬送のあいだ、乾
燥防止のため、適宜ノズル３を用いて、従来と同様に１
７〜１８ＭΩ・ｃｍ程度の高比抵抗の清浄化された水を
基板上に噴射しておく。搬送されたのち、ノズル３から
の水の噴射は止められる。
【００２４】つぎに、図１のグラフに示されるようにス
テージ２の回転数を変化させる。まず、５〜１０秒間、
ステージ２を回転数を５０〜１００ｒｐｍで回転させな
がら、水を１〜２リットル／ｍｉｎの流量でガラス基板
１の表面に噴射し、表面洗浄を行なう。
テージ２の回転数を変化させる。まず、５〜１０秒間、
ステージ２を回転数を５０〜１００ｒｐｍで回転させな
がら、水を１〜２リットル／ｍｉｎの流量でガラス基板
１の表面に噴射し、表面洗浄を行なう。
【００２５】そののち、１０〜３０秒間、ステージ２を
静止させ、ガラス基板１の表面に水をのせたまま放置す
る。なお、ガラス基板１の裏面に対しては、裏面乾燥防
止用ノズル５から水を噴射させることにより、静止状態
のあいだの裏面の乾燥を防止している。
静止させ、ガラス基板１の表面に水をのせたまま放置す
る。なお、ガラス基板１の裏面に対しては、裏面乾燥防
止用ノズル５から水を噴射させることにより、静止状態
のあいだの裏面の乾燥を防止している。
【００２６】かかる静止時間のあいだ、ガラス基板１の
表面の水は厚さ１〜３ｍｍ程度で拡がっているため、周
囲の環境に存在するＣＯ2 ガスなどの雰囲気に充分暴露
され、前記ＣＯ2ガスなどが水に溶解することにより、
水の比抵抗が低下する。
表面の水は厚さ１〜３ｍｍ程度で拡がっているため、周
囲の環境に存在するＣＯ2 ガスなどの雰囲気に充分暴露
され、前記ＣＯ2ガスなどが水に溶解することにより、
水の比抵抗が低下する。
【００２７】そののち、ステージ２を立上がり時間２〜
４秒で１５００〜２０００ｒｐｍの高速回転に移行し、
当該回転数を２０〜３０秒間維持することにより、ガラ
ス基板１の振切り乾燥を行なう。振切り乾燥後、ガラス
基板１は液晶セル組立用のラインへ搬送され、従来通り
の製法で液晶セルが作製される。
４秒で１５００〜２０００ｒｐｍの高速回転に移行し、
当該回転数を２０〜３０秒間維持することにより、ガラ
ス基板１の振切り乾燥を行なう。振切り乾燥後、ガラス
基板１は液晶セル組立用のラインへ搬送され、従来通り
の製法で液晶セルが作製される。
【００２８】なお、ステージ２を静止させる時間は、周
囲の環境およびノズル３から噴射される水の比抵抗など
を考慮するとともに枚葉での生産性を損なわない範囲で
設定される。
囲の環境およびノズル３から噴射される水の比抵抗など
を考慮するとともに枚葉での生産性を損なわない範囲で
設定される。
【００２９】また、基板表面の水に暴露させる雰囲気と
しては、水の比抵抗を低下させ（すなわち、通電性をよ
くする）かつ水に溶けうるガスのうち、とくにクリーン
ルーム中で安全衛生上問題なく、しかも基板表面のデバ
イスを汚染させないガスが採用されうる。本実施例にお
いては、クリーンルーム中の雰囲気に含まれるＣＯ2な
どの効果により、比抵抗を下げることができる。クリー
ンルーム内部の気流は、ダウンフローの機能により、常
に上から下に吹いており、スピン乾燥用のステージ２上
の基板に効率よくあたる。そのため、基板表面上の水の
中に雰囲気を円滑に溶け込ませることができる。
しては、水の比抵抗を低下させ（すなわち、通電性をよ
くする）かつ水に溶けうるガスのうち、とくにクリーン
ルーム中で安全衛生上問題なく、しかも基板表面のデバ
イスを汚染させないガスが採用されうる。本実施例にお
いては、クリーンルーム中の雰囲気に含まれるＣＯ2な
どの効果により、比抵抗を下げることができる。クリー
ンルーム内部の気流は、ダウンフローの機能により、常
に上から下に吹いており、スピン乾燥用のステージ２上
の基板に効率よくあたる。そのため、基板表面上の水の
中に雰囲気を円滑に溶け込ませることができる。
【００３０】また、前記静止暴露法では、振切り乾燥前
に、すでにガラス基板１の表面の水の比抵抗を下げてい
るため、前記ガラス基板を静止状態から高速回転に移行
する際の回転加速度は、従来通りの回転加速度であって
もガラス基板１の帯電は生じない。
に、すでにガラス基板１の表面の水の比抵抗を下げてい
るため、前記ガラス基板を静止状態から高速回転に移行
する際の回転加速度は、従来通りの回転加速度であって
もガラス基板１の帯電は生じない。
【００３１】しかし、かかる静止暴露法において、回転
加速度を前記低加速度法のごとく３５０ｒｐｍ／ｓｅｃ
未満に設定すれば、ガラス基板と水とのあいだで静電気
がさらに発生しにくくなり、ガラス基板は帯電しなくな
る。
加速度を前記低加速度法のごとく３５０ｒｐｍ／ｓｅｃ
未満に設定すれば、ガラス基板と水とのあいだで静電気
がさらに発生しにくくなり、ガラス基板は帯電しなくな
る。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、液晶表示装置製造工程
におけるエッチング、洗浄などのウェット処理後にガラ
ス基板を回転させて振切り乾燥する際に生じる帯電を容
易、かつ確実に防止することができる。
におけるエッチング、洗浄などのウェット処理後にガラ
ス基板を回転させて振切り乾燥する際に生じる帯電を容
易、かつ確実に防止することができる。
【図１】本発明の液晶表示装置の製法の一実施例を示す
ステージの回転数の変化を時系列的に示すグラフであ
る。
ステージの回転数の変化を時系列的に示すグラフであ
る。
【図２】従来の本発明の液晶表示装置の製法のステージ
の回転数の変化を時系列的に示すグラフである。
の回転数の変化を時系列的に示すグラフである。
【図３】スピン乾燥装置の平面図である。
【図４】図３のスピン乾燥装置のIV−IV線断面図であ
る。
る。
１ ガラス基板 ２ ステージ ３ ノズル ４ メカニカルチャック ５ 裏面乾燥防止用ノズル
Claims (6)
- 【請求項１】 ウェット処理後のガラス基板をスピン乾
燥する工程を有する液晶表示装置の製法であって、
（ａ）前記ガラス基板を５０〜１００ｒｐｍで低速回転
させながらガラス基板表面に水を噴射することにより、
ガラス基板表面を洗浄し、（ｂ）前記ガラス基板を３５
０ｒｐｍ／ｓｅｃ未満の加速度で加速しながら高速回転
に移行し、ガラス基板表面の水を振り切ることを特徴と
する液晶表示装置の製法。 - 【請求項２】 ウェット処理後のガラス基板をスピン乾
燥する工程を有する液晶表示装置の製法であって、
（ａ）前記ガラス基板を５０〜１００ｒｐｍで低速回転
させながらガラス基板表面に水を噴射することにより、
ガラス基板表面を洗浄し、（ｂ）前記ガラス基板を１０
〜３０秒間静止させて前記ガラス基板表面の水を雰囲気
に暴露させることにより、水の比抵抗を低下させ、
（ｃ）前記ガラス基板を高速回転させることにより、ガ
ラス基板表面の水を振り切ることを特徴とする液晶表示
装置の製法。 - 【請求項３】 前記ガラス基板を静止状態から高速回転
に移行する際、立上がり時間２〜４秒のあいだに１５０
０〜２０００ｒｐｍの高速回転へ移行させる請求項２記
載の液晶表示装置の製法。 - 【請求項４】 ウェット処理後のガラス基板をスピン乾
燥する工程を有する液晶表示装置の製法であって、
（ａ）前記ガラス基板を５０〜１００ｒｐｍで低速回転
させながらガラス基板表面に水を噴射することにより、
ガラス基板表面を洗浄し、（ｂ）ガラス基板を１０〜３
０秒間静止させて前記ガラス基板表面の水を雰囲気に暴
露させることにより、水の比抵抗を低下させ、（ｃ）前
記ガラス基板を３５０ｒｐｍ／ｓｅｃ未満の加速度で加
速しながら高速回転に移行し、ガラス基板表面の水を振
り切ることを特徴とする液晶表示装置の製法。 - 【請求項５】 前記ガラス基板表面の水をＣＯ2 ガスに
暴露させる請求項２または４記載の液晶表示装置の製
法。 - 【請求項６】 前記ガラス基板が静止しているあいだ、
ガラス基板裏面に水を噴射してガラス基板の乾燥を防止
する請求項２または４記載の液晶表示装置の製法。
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|---|---|---|---|
| JP30269295A JP3321658B2 (ja) | 1995-11-21 | 1995-11-21 | 液晶表示装置の製法 |
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|---|---|
| JPH09146079A true JPH09146079A (ja) | 1997-06-06 |
| JP3321658B2 JP3321658B2 (ja) | 2002-09-03 |
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| JP30269295A Expired - Fee Related JP3321658B2 (ja) | 1995-11-21 | 1995-11-21 | 液晶表示装置の製法 |
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| JP (1) | JP3321658B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6503335B2 (en) | 1998-11-12 | 2003-01-07 | WACKER SILTRONIC GESELLSCHAFT FüR HALBLEITERMATERIALIEN AG | Centrifuge and method for centrifuging a semiconductor wafer |
| US6632289B2 (en) | 2000-06-26 | 2003-10-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus |
| US7022610B2 (en) * | 2003-12-22 | 2006-04-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Wet cleaning method to eliminate copper corrosion |
| KR100785433B1 (ko) * | 2000-07-11 | 2007-12-13 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 세정처리방법 및 세정처리장치 |
| KR20210115032A (ko) * | 2019-03-25 | 2021-09-24 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
| CN113534622A (zh) * | 2021-07-28 | 2021-10-22 | 华虹半导体(无锡)有限公司 | 去除静电聚集的显影方法 |
-
1995
- 1995-11-21 JP JP30269295A patent/JP3321658B2/ja not_active Expired - Fee Related
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