JP2010283286A - ワーク保持装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】保持したワークに加工や処理を施した際に、摩擦による静電気発生が抑えられてワークに電荷が溜まりにくく帯電量を小さくし、静電破壊を抑制する。
【解決手段】枠体411の上面に吸着部412が嵌合され、吸着部412の上面が保持面413とされたスピンナテーブル41と、スピンナテーブル41を回転可能に支持する回転ベース42とからなるワーク保持装置40において、吸着部412と枠体411をともにフッ素樹脂等の絶縁体で形成し、回転ベース42をアルミニウム等の導体で形成する。導体であるウェーハ1と回転ベース42との間に絶縁体のスピンナテーブル41を挟んだコンデンサ構造を有し、間の絶縁体すなわちスピンナテーブル41の厚さを大きくしてウェーハ1への帯電を抑える。
【選択図】図3
【解決手段】枠体411の上面に吸着部412が嵌合され、吸着部412の上面が保持面413とされたスピンナテーブル41と、スピンナテーブル41を回転可能に支持する回転ベース42とからなるワーク保持装置40において、吸着部412と枠体411をともにフッ素樹脂等の絶縁体で形成し、回転ベース42をアルミニウム等の導体で形成する。導体であるウェーハ1と回転ベース42との間に絶縁体のスピンナテーブル41を挟んだコンデンサ構造を有し、間の絶縁体すなわちスピンナテーブル41の厚さを大きくしてウェーハ1への帯電を抑える。
【選択図】図3
Description
本発明は、例えば半導体ウェーハ等の薄板状のワークに種々の加工や処理を施す装置に具備されるワーク保持装置に関する。
半導体デバイスは、半導体ウェーハの表面に分割予定ラインによって区画された多数の矩形領域に、ICやLSI等の電子回路(デバイス)を形成し、次いで、該ウェーハの裏面を研削・研磨するなど必要な処理を施してから、分割予定ラインを切断して個々のデバイス(半導体チップ)にダイシングするといった過程を経て得られる。デバイスに分割された後のウェーハは、洗浄水で洗浄されてダイシング時に生じた切削屑等が除去されてから高圧エアが吹き付けられて乾燥処理され(特許文献1等参照)、次のボンディング工程等に移される。なお、通常、ダイシング時にはウェーハの裏面にダイシングテープが貼られるため、多数のデバイスに分割されてもウェーハは分散せず元の形状が維持され、ダイシングテープごと洗浄工程に移される。
ウェーハのダイシングや洗浄・乾燥といった工程では、静電気が発生してウェーハが帯電するといったことが起こる。例えばダイシングを切削ブレードによる切削で行う場合には、潤滑や冷却のためにウェーハに切削水を供給しており、この切削水が接触する際に生じる摩擦などでウェーハが帯電する。また、洗浄・乾燥時においては、回転するテーブル上に保持したウェーハに洗浄水や高圧エアを吹き付けるため、これら洗浄水や高圧エアなどがウェーハに接触する時に摩擦が生じて帯電する。
ウェーハが帯電するということは放電に至る可能性を有するということであり、放電が起こることによってデバイスの中に流れる電気が許容量以上であった場合には、静電破壊が生じてデバイスがダメージを受け、結果としてデバイスの品質が低下したり使用不能になったりする。そこでこの問題を解決するために、上記ダイシングテープとして導電性を有するもの(導電テープ)を用い、ウェーハが帯電しにくいようにすることが行われている。また、このように導電性部材によって除電を図る技術として、ワークの保持テーブルを導電性の高い材質にすることが特許文献2によって提案されている。また、この他には、ウェーハ等のワークを洗浄する際に、除電効果を有するイオン化されたエアを吹き付けて静電気を除去することが上記特許文献1で提案されている。
上記ダイシングテープは、ワークの種類等に応じて複数の種類があり、その中からワークに適合したものが選択される。ところが導電性を有するタイプは少ないため、導電テープを使用できない場合が多かった。しかも、導電テープは高価であり、製造コストの面でも不利である。
ところで、上記の導電テープや導電性保持テーブル、あるいはイオン化エアといった手段は、ワークに生じる静電気を速やかに除去して静電破壊を抑えるといったものであるが、そもそもワークに電荷が溜まりにくくして帯電量を抑え、結果として電子の移動に起因する放電を抑えるといった根本的な対策を施すことができれば、上記従来のような静電破壊抑止策よりも大いに効果的である。
よって本発明は、保持したワークに加工や処理を施した際に、摩擦による静電気発生が抑えられてワークに電荷が溜まりにくく帯電量を小さくすることができ、これによって静電破壊を効果的に抑制することができるワーク保持装置を提供することを目的としている。
本発明は、ワークを保持する保持面が設けられた保持部と、該保持部を支持する支持部とを備えたワーク保持装置であって、保持部が絶縁体からなり、支持部が導体からなることを特徴としている。
本発明のワーク保持装置によると、ワークは保持部の保持面に保持された状態で、所定の加工や処理等が施される。ここで、絶縁体からなる保持部の厚さがある程度確保されており、このため導体からなる支持部とワークとの離間距離が大きくなることにより、摩擦によってワークに溜まる帯電量を小さくすることができるといった作用が得られ、その結果、帯電による静電破壊を抑制することができる。
本発明の上記保持部は、保持面が形成された単体で構成される場合の他に、吸着部が別体で設けられ、この吸着部に保持面が形成されている構成のものも含む。すなわち保持面が保持部に設けられた吸着部に形成されているという形態である。
また、本発明のワーク保持装置は、上記保持部に保持されたワークに洗浄水を供給するノズルを有し、上記支持部は保持部を回転可能に支持する形態を含む。この形態では保持部に保持されたワークは回転し、回転するワークに対して洗浄水が供給されるため、洗浄水の接触による摩擦帯電がワークに起こりやすいものであるが、上記のように本発明では帯電量が小さく抑えられるため静電破壊が効果的に抑制される。
また、上記保持面にイオン化エアを吹き付ける除電手段が付加された形態は、ワークに生じる静電誘導に起因する静電破壊が抑制されるため、好ましい形態である。
なお、本発明で言うワークは特に限定はされないが、例えばシリコンウェーハ等の半導体ウェーハや、セラミック、ガラス、サファイア(Al2O3)もしくはシリコン系の無機材料基板の上に導電性のデバイスを有するものなどが挙げられる。
本発明によれば、保持したワークに加工や処理を施した際に生じる静電気の発生が抑えられてワークに電荷が溜まりにくく帯電量を小さくすることができ、これによって静電破壊を効果的に抑制することができるといった効果を奏する。
以下、図面を参照して本発明の第1実施形態を説明する。
[1]洗浄装置
図1は、第1実施形態のワーク保持装置40が適用されたスピンナ式の洗浄装置10を示している。この洗浄装置10は、図示せぬ加工装置で所定の加工がなされた円板状の半導体ウェーハ(ワーク)1を洗浄する装置として好適なものである。
[1]洗浄装置
図1は、第1実施形態のワーク保持装置40が適用されたスピンナ式の洗浄装置10を示している。この洗浄装置10は、図示せぬ加工装置で所定の加工がなされた円板状の半導体ウェーハ(ワーク)1を洗浄する装置として好適なものである。
ウェーハ1は、厚さが例えば100〜700μm程度であり、表面には電子回路が形成された多数の半導体チップ2が形成されている。ウェーハ1は、環状のフレーム3の内側に粘着テープ4を介して同心状に一体に支持された状態で、上記加工装置により加工が施される。粘着テープ4は片面が粘着面とされた絶縁性のテープであって、その粘着面にフレーム3とウェーハ1が貼着される。フレーム3は、金属等の板材からなる剛性を有するものであり、このフレーム3を支持することにより、ウェーハ1を損傷させることなく安全に搬送することができる。
粘着テープ4を介してウェーハ1を支持したフレーム3(以下、ウェーハ付きフレーム5と称する)は、洗浄装置10の上方のウェーハ供給位置に位置付けられてから、ワーク保持装置40の上面に同心状に保持されて、洗浄・乾燥処理される。
なお、ウェーハ1の加工装置としては、ダイシング加工(切削ブレードによるダイシング、またはレーザ光照射によるダイシングを含む)、レーザ光を用いた孔あけ加工、研削加工、研磨加工、エキスパンド分割加工などを行うものが挙げられる。本実施形態の洗浄装置10は、そのような加工装置に付随して装備されるか、あるいは加工装置とは離され単独で設置される。
さて、本実施形態の洗浄装置10は、支持台20上に支持されたケーシング30と、ケーシング30内に収容されたワーク保持装置40およびノズル51,52を備えている。支持台20は、水平に設置される板状のベース21上に複数の脚部22が立設されたものである。ケーシング30は、軸心がほぼ鉛直方向に沿った円筒状の側壁部31と、この側壁部31の下部開口を閉塞する底部32とを備えたもので、底部32の下面が支持台20の脚部22の上端に固定されている。
ワーク保持装置40は、図2に示すように、円板状のスピンナテーブル(保持部)41と、スピンナテーブル41を支持する円板状の回転ベース(支持部)42とを備えている。回転ベース42の下面中心には、鉛直下方に延びる回転軸43の上端が固定されており、回転ベース42は、回転軸43を中心として、ケーシング30の下方に配設されたモータ44により回転駆動される。また、回転ベース42は、エアシリンダ等からなる図示せぬ昇降装置により、モータ44と一体的に昇降させられるようになっている。
回転ベース42の上面に、上記スピンナテーブル41が同心状に固定されている。スピンナテーブル41は、円板状の枠体411と、この枠体411の上面に同心状に配設されて嵌合された円板状の吸着部412とから構成されている。吸着部412は、無数の気孔を有する多孔質体からなるものであり、アルミナ(Al2O3)等のセラミック(絶縁体)が用いられる。この吸着部412はスピンナテーブル41の上面の大部分を占めており、その上面413が、ウェーハ1を吸着して保持する保持面を構成している。吸着部412の上面(以下、保持面)413と、吸着部412の周囲の環状の枠体411の上面とは、同一平面であって水平に設定されている。
上記回転ベース42と枠体411の中心には、吸着部412に連通する吸引通路424,414がそれぞれ形成されており、これら吸引通路424,414は、図示せぬバキューム装置に接続されている。そしてそのバキューム装置が運転されると、吸引通路424,414から空気が吸引されて吸着部412が負圧となり、吸着部412の保持面413に載置されたウェーハ付きフレーム5のウェーハ1が、保持面413に粘着テープ4を介して吸着し、保持されるようになっている。
スピンナテーブル41の吸着部412の外径はウェーハ1の外径とほぼ同等であり、また、保持面413は多孔質体の吸着部412で形成されているため、吸着部412に同心状に載置されるウェーハ1は、全体が吸着部412に均等に密着して保持される。スピンナテーブル41は、回転ベース42と一体にモータ44によって回転させられ、したがって吸着部412に保持されたウェーハ1は自転することになる。なお、スピンナテーブル41の外周縁部に、回転時にフレーム3を保持する機構(例えばクランプのような保持機構)を設けると、ウェーハ付きフレーム5全体が安定して保持されるので好ましい。
上記昇降機構により、回転ベース42を含むワーク保持装置40全体が昇降させられる。この場合、スピンナテーブル41は、ケーシング30の上方の開口部に近いかまたは開口部から上方に出たウェーハ受け渡し位置と、ウェーハ受け渡し位置から下降したケーシング30内の洗浄位置(図1のスピンナテーブル41は洗浄位置にある)とに位置付けられるようになっている。
ケーシング30内には、水平方向に延びる2つのノズル51,52が、上下に並列した状態で設けられている。これらノズル51,52はいずれも先端が下向きに屈曲しており、一方は洗浄水ノズル51、もう1方がエアノズル52である。これらノズル51,52は、ノズル基部50に、水平旋回可能に支持されている。
洗浄水ノズル51には、水源511から配管512を介して洗浄水が送られ、先端から洗浄水が吐出されるようになっている。使用される洗浄水としては、純水、あるいは静電気防止のためにCO2が混入された純水が好ましく用いられる。一方、エアノズル52には、エア源521から配管522を介して乾燥エアが送られ、先端から高圧の乾燥エアが吐出されるようになっている。なお、図示はしていないが、ケーシング30の底部32には、洗浄水の排水を処理設備に排出するための排水管が接続されている。
ノズル基部50は、側壁部31の内壁に近接して配設されている。各ノズル51,52は、側壁部31の内壁に近接した最も外側の待機位置においては、ワーク保持装置40よりも外周側であって、ワーク保持装置40に保持されているウェーハ付きフレーム5のフレーム3に干渉しない位置に退避するようになされている。そして各ノズル51,52は、スピンナテーブル41が洗浄位置に位置付けられている時に、スピンナテーブル41の上方において水平旋回するように作動する。各ノズル51,52は、水平旋回することにより、少なくとも先端がスピンナテーブル41の中心から外周縁までの間の半径に対応する領域を移動可能とされている。これにより、自転するウェーハ1の表面全面に洗浄水および乾燥エアが吐出される。
上記ワーク保持装置40のスピンナテーブル41を構成する枠体411は、絶縁体を材料として形成されている。この場合の絶縁体としては、テフロン(登録商標)等に代表されるフッ素樹脂や、ポリアセタール樹脂、多孔質状のセラミック等が挙げられる。スピンナテーブル41の厚さは、8mm以上が確保されていることが望ましく、例えば30mm程度とされる。また、スピンナテーブル41を支持する回転ベース42は、アルミニウムやステンレス鋼等の金属からなる導体によって形成されている。
ケーシング30の上方には、ウェーハ供給位置に位置付けられたワーク保持装置40のスピンナテーブル41の上面にイオン化エアを吹き付けるイオン化エアノズル(除電手段)61が配設されている。このイオン化エアノズル61は水平方向に延びており、ノズル基部60に水平旋回可能に支持されている。イオン化エアノズル61には、下向きにエアを吐出する複数の吐出口(図示略)が形成されており、上記エア源521から配管612を介してエアが送られ、該吐出口からエアが下向きに吐出されるようになっている。
配管612の途中には、エアをイオン化するイオン化エア生成手段613が配設されている。このイオン化エア生成手段613としては、例えば、針状の電極に電圧をかけてコロナ放電を起こし、針状の電極周辺を通過するエアをイオン化するものなどが用いられる。このようなイオン化エア生成手段613にあっては、印加する電圧をコントロールすることにより、プラスイオンとマイナスイオンとを適宜に発生させることができる。このイオン化エア生成手段613を作動させた状態で、イオン化エアノズル61が往復旋回しながら該ノズル61からエアが吐出されることにより、ウェーハ供給位置に位置付けられたスピンナテーブル41の上面にイオン化エアが吹き付けられる。
[2]洗浄装置の動作
次に、上記構成からなる洗浄装置10の動作例を説明する。
ウェーハ1に所定の加工が施されたウェーハ付きフレーム5は、搬送手段等によってケーシング30の上方のウェーハ供給位置に位置付けられる。次いで、ワーク保持装置40が上昇してスピンナテーブル41がウェーハ受け渡し位置に位置付けられ、ウェーハ付きフレーム5のウェーハ1が、粘着テープ4を介してスピンナテーブル41の吸着部412の保持面413に同心状に吸着、保持される。
次に、上記構成からなる洗浄装置10の動作例を説明する。
ウェーハ1に所定の加工が施されたウェーハ付きフレーム5は、搬送手段等によってケーシング30の上方のウェーハ供給位置に位置付けられる。次いで、ワーク保持装置40が上昇してスピンナテーブル41がウェーハ受け渡し位置に位置付けられ、ウェーハ付きフレーム5のウェーハ1が、粘着テープ4を介してスピンナテーブル41の吸着部412の保持面413に同心状に吸着、保持される。
スピンナテーブル41の吸着部412にウェーハ1が吸着して保持されたらワーク保持装置40が下降し、ウェーハ付きフレーム5がケーシング30内のウェーハ洗浄位置に位置付けられる。
次に、モータ44が作動してワーク保持装置40が例えば800rpm(revolutions per minute)程度といった所定の洗浄回転速度で回転する。そして、洗浄水ノズル51が往復旋回しながら該ノズル51の先端から洗浄水が吐出される。洗浄水は自転するウェーハ1の上面にまんべんなく吐出され、ウェーハ1に付着している汚れ成分(例えば切削屑や研削屑)が洗浄水で洗い流される。所定の洗浄時間が経過したら、洗浄水の供給が停止されて洗浄水ノズル51が退避する。
続いて、スピンナテーブル41の回転速度が例えば3000rpm程度まで上昇し、ウェーハ1に付着している洗浄水が遠心力により吹き飛ばされる。そしてこれと同時に、エアノズル52が往復旋回しながら該ノズル52の先端から高圧の乾燥エアが吐出される。乾燥エアは自転するウェーハ1の上面にまんべんなく行き渡り、遠心力による洗浄水の吹き飛ばし作用と相まってウェーハ1は速やかに乾燥する。所定の乾燥時間が経過したら、乾燥エアの供給が停止されてエアノズル52が退避する。
ウェーハ1の洗浄および乾燥が終了したら、ワーク保持装置40が上昇してスピンナテーブル41がウェーハ受け渡し位置に位置付けられ、吸着部412によるウェーハ1の吸着が解除され、上記搬送手段等によってウェーハ付きフレーム5は次の工程が行われる場所に搬送される。この後、イオン化エアノズル61が往復旋回しながらイオン化エアがスピンナテーブル41の表面全面に吹き付けられる。所定のイオン化エア吹き付け時間が経過したらイオン化エアの吹き付けが停止、次の洗浄処理されるウェーハがスピンナテーブル41に搬送されてくる。
以上が、1枚のウェーハ1に対する洗浄装置10の動作の1サイクルである。
以上が、1枚のウェーハ1に対する洗浄装置10の動作の1サイクルである。
[3]静電破壊抑制の作用
ところで、上記洗浄工程および乾燥工程においては、ウェーハ1の表面に洗浄水や高圧エアを吹き付けることにより摩擦が生じてウェーハ1が帯電するといったことが従来では起こっていた。ところが本実施形態のワーク保持装置40を用いることにより、以下の理由から帯電が起こりにくいものとなっている。
ところで、上記洗浄工程および乾燥工程においては、ウェーハ1の表面に洗浄水や高圧エアを吹き付けることにより摩擦が生じてウェーハ1が帯電するといったことが従来では起こっていた。ところが本実施形態のワーク保持装置40を用いることにより、以下の理由から帯電が起こりにくいものとなっている。
ワーク保持装置40の吸着部412にウェーハ1が保持された状態では、導体であるウェーハ(半導体)1と回転ベース42(アルミニウム等の金属製)との間に、絶縁体であるスピンナテーブル41(枠体411が例えばフッ素樹脂、吸着部412が例えばアルミナである)が挟まれている。これは2枚の導体の間に絶縁体を挟んだ平行コンデンサと同じような構造として考えられる。
2枚の導体板からなる一般的なコンデンサの容量Cは、
C=εr(導体板間の比誘導率)×S(導体の面積)/d(導体間の距離)…式1
であり、これを本実施形態のワーク保持装置40に対応させると、
C=εr(回転ベース42とウェーハ1の間の比誘導率)×S(回転ベース42とウェーハ1の面積)/d(回転ベース42とウェーハ1間の距離=絶縁体の厚さ)となる。この式から、dすなわちスピンナテーブル41の厚さが大きければ大きいほどコンデンサの容量は小さくなる。ここで、コンデンサに蓄えられる電気量qと電位差の一般的な関係式
q=CV (C:コンデンサの容量、V:電位差)…式2
から、コンデンサの容量が小さければ小さいほどqすなわち帯電量が小さくなるということが導かれる。
C=εr(導体板間の比誘導率)×S(導体の面積)/d(導体間の距離)…式1
であり、これを本実施形態のワーク保持装置40に対応させると、
C=εr(回転ベース42とウェーハ1の間の比誘導率)×S(回転ベース42とウェーハ1の面積)/d(回転ベース42とウェーハ1間の距離=絶縁体の厚さ)となる。この式から、dすなわちスピンナテーブル41の厚さが大きければ大きいほどコンデンサの容量は小さくなる。ここで、コンデンサに蓄えられる電気量qと電位差の一般的な関係式
q=CV (C:コンデンサの容量、V:電位差)…式2
から、コンデンサの容量が小さければ小さいほどqすなわち帯電量が小さくなるということが導かれる。
図3(a)に示すように、本実施形態のワーク保持装置40においては、ウェーハ1の裏面に貼着された粘着テープ4とスピンナテーブル41(枠体411+吸着部412)とを合わせた厚さd1が、保持装置40をコンデンサとして考えた場合における導体間の距離(絶縁体の厚さ)である。一方、図3(b)は、スピンナテーブル41の枠体411が本実施形態のように絶縁体ではなく導体(例えばアルミニウム)からなり、吸着部412が本実施形態と同様に絶縁体であるセラミック製の多孔質体からなる場合を示しており、この場合は、粘着テープ4と吸着部412とを合わせた厚さd2が保持装置40をコンデンサとして考えた場合における導体間の距離(絶縁体の厚さ)である。
両者を比べると、本実施形態ではスピンナテーブル41の枠体411が絶縁体であるため、吸着部412が嵌合している部分の枠体411の厚さ分、d1がd2よりも厚い。したがって、本実施形態のワーク保持装置40の方が、電荷が溜まりにくく帯電量が常に小さく抑えられる。静電破壊は、ウェーハ1内での電子の移動に起因するものであり、電子の移動は溜まった電荷が放電した時に生じるが、本実施形態では帯電量が常に小さく抑えられるので、ウェーハ1内での電子の移動も生じにくくなって放電が起こりにくくなり、結果として静電破壊が効果的に抑制される。
ところで、静電破壊を引き起こす電子の移動は、溜まった電荷が放電した時の他に、内部で静電誘導が起こった時にも生じる可能性がある。静電誘導は、例えば誘電分極した絶縁体が導体に近付くことによって起こり、誘電分極は、本実施形態の場合では、洗浄水が帯電していると、その洗浄水が吐出されるスピンナテーブル41の保持面413に起こる可能性がある。保持面413が誘電分極していると、保持されるウェーハ1に静電誘導が起こって電子が移動し、静電破壊を招くことになる。ところが、本実施形態のスピンナテーブル41の枠体411の材料で挙げたフッ素樹脂や、吸着部412のような多孔質体は、誘電分極が生じにくい材料であり、したがってスピンナテーブル41に保持されるウェーハ1に静電誘導は起こりにくく、結果としてスピンナテーブル41の厚さを大きくすることと相まって静電破壊の抑制効果を相乗的に得ることができる。
さらにスピンナテーブル41の誘電分極は、洗浄後のウェーハ1が除去された後にイオン化エアノズル61からイオン化エアを吹き付けることによっても抑えられ、特に本実施形態のようにスピンナテーブル41の厚さが比較的大きいと効果的である。これは、以下の理由による。
帯電した洗浄水がスピンナテーブル41に吐出されることなどによって、スピンナテーブル41の吸着部412の保持面413で誘電分極が生じたとする。誘電分極が保持面413に発生すると、図3(b)に示したような厚さの小さい吸着部412のみが絶縁体である従来構造の場合には、導体である枠体411が、回転ベース42を介して接地されていることによりマイナスに帯電する。この接地されている枠体411が、絶縁体である吸着部412の厚さが小さいために保持面413の近くに存在することから、保持面413の誘電分極によって発生する電気力線(電界)のうち、上方の保持面413方向に発生する電気力線は枠体411からの電界で打ち消される。このため、イオン化エアを保持面413に吹き付けてもイオンが保持面413には引き寄せられず、除電効果が得られにくい。なお、これは見かけ上電界が発生していないように見えるだけで、帯電した状態のウェーハ1が保持面413に近づくと、電界が上方向にも発生してウェーハ1内で静電誘導は起こる。
一方、枠体411が絶縁体からなる本実施形態のスピンナテーブル41の保持面413に、同様にして誘電分極が発生する状況を考えると、保持面413に誘電分極が発生する際には、導体である回転ベース42が、接地されていることによりマイナスに帯電する。この接地されている回転ベース42と保持面413との間は比較的大きく離れているので、保持面413の誘電分極によって発生する電気力線は、回転ベース42からの電界で打ち消されることはなく上方の保持面413方向に発生する。したがって保持面413に対してイオン化エアが吹き付けられれば、電界によってイオンが保持面413に引き寄せられ誘電分極が解消されるといった除電効果は得られ、結果として静電破壊の抑制につながる。
以上のように、本実施形態のワーク保持装置40は静電破壊抑制の効果が大いに発揮される。上記洗浄装置10は、回転させたウェーハ1に対して洗浄水を供給したり高圧エアを吹き付けるため、ウェーハ1に摩擦帯電は起こりやすく、かつ、帯電量は多くなりやすいものであるが、上記のように静電破壊抑制の効果が大いに発揮されることから、この洗浄装置10に本実施形態のワーク保持装置40を適用することはきわめて有効である。
[4]第2実施形態
図4および図5は、スピンナテーブル41の形態が変更された第2実施形態のワーク保持装置40を示している。この場合のスピンナテーブル41は、上記枠体411と同様のフッ素樹脂等の絶縁材料によって円板状に形成された1つの材料のみからなるものである。スピンナテーブル41の上面には、複数の同心状の円形溝415と、これら円形溝415を横断して十字状に交差する直線溝416とが形成されている。複数の円形溝415は直線溝416によって連通している。これら溝415,416が形成された円形領域が、上記第1実施形態の吸着部412に匹敵し、その上面がウェーハ1の保持面417となっている。
図4および図5は、スピンナテーブル41の形態が変更された第2実施形態のワーク保持装置40を示している。この場合のスピンナテーブル41は、上記枠体411と同様のフッ素樹脂等の絶縁材料によって円板状に形成された1つの材料のみからなるものである。スピンナテーブル41の上面には、複数の同心状の円形溝415と、これら円形溝415を横断して十字状に交差する直線溝416とが形成されている。複数の円形溝415は直線溝416によって連通している。これら溝415,416が形成された円形領域が、上記第1実施形態の吸着部412に匹敵し、その上面がウェーハ1の保持面417となっている。
図5に示すように、2つの直線溝416の交差部であるスピンナテーブル41の中心には、回転ベース42の吸引通路424に連通する吸引通路418が形成されている。このスピンナテーブル41では、接続された上記バキューム装置が運転されると、吸引通路424,418から2つの直線溝416および各円形溝415内の空気が吸引され、負圧となった保持面417にウェーハ1が粘着テープ4を介して吸着、保持される。
このスピンナテーブル41でウェーハ1を保持した状態も、図6(a)に示すように、導体からなるウェーハ1と回転ベース42とで絶縁体(粘着テープ4とスピンナテーブル41)を挟んだコンデンサの構造となっている(絶縁体の厚さはd1)。図6(b)は、スピンナテーブル41が当該第2実施形態のスピンナテーブル41と同一の構造でアルミニウム等の導体からなるものとした場合を示している(絶縁体の厚さは粘着テープ4だけのd3)。
両者を比べると、スピンナテーブル41が導体の場合には絶縁体の厚さは粘着テープ4の厚さd3しかなく、これに比べて第2実施形態のワーク保持装置40ではスピンナテーブル41と粘着テープ4を合わせた厚さd1はかなり大きい。したがって、単一材料でスピンナテーブル41を形成する場合においてスピンナテーブル41を絶縁体からなるものにすることは、導体の場合に比べると、帯電量が小さくなったり誘電分極が起こりにくくなったりすることによる静電破壊の抑制効果を格段に得ることができる。
[5]第3実施形態
図7は、上記第1実施形態のワーク保持装置40におけるスピンナテーブル41を変更した第3実施形態のワーク保持装置40Bを示している。この場合のスピンナテーブル41Bは、枠体411Bが回転ベース42と同じくアルミニウム等の金属からなる導体で形成されていることと、吸着部412Bの厚さが大きいことが、第1実施形態と異なっている。吸着部412Bは第1実施形態と同様にアルミナ(Al2O3)等のセラミック(絶縁体)からなる多孔質体で形成されており、厚さは8mm以上が望ましく、例えば30mm程度とされる。この第3実施形態では、絶縁体からなる吸着部412Bが本発明における保持部を構成し、吸引通路414Bから空気が吸引されると上面の保持面413Bに負圧が発生してウェーハ1が保持面413Bに吸着、保持される。
図7は、上記第1実施形態のワーク保持装置40におけるスピンナテーブル41を変更した第3実施形態のワーク保持装置40Bを示している。この場合のスピンナテーブル41Bは、枠体411Bが回転ベース42と同じくアルミニウム等の金属からなる導体で形成されていることと、吸着部412Bの厚さが大きいことが、第1実施形態と異なっている。吸着部412Bは第1実施形態と同様にアルミナ(Al2O3)等のセラミック(絶縁体)からなる多孔質体で形成されており、厚さは8mm以上が望ましく、例えば30mm程度とされる。この第3実施形態では、絶縁体からなる吸着部412Bが本発明における保持部を構成し、吸引通路414Bから空気が吸引されると上面の保持面413Bに負圧が発生してウェーハ1が保持面413Bに吸着、保持される。
第3実施形態のワーク保持装置40Bで上記ウェーハ1を保持した状態では、該ワーク保持装置40Bをコンデンサとして考えた場合における導体間の距離は、図8(a)のd1に示すように吸着部412Bと粘着テープ4とを合わせた厚さである。ここで、図8(b)に示す第3実施形態と同じ構成で吸着部412がきわめて薄い場合(これは図3(b)のものと同じである)の絶縁体の厚さ(吸着部412+粘着テープ4)d2とd1を比べると、d1の厚さが格段に大きい。したがって枠体が導体であっても吸着部の厚さが帯電量を抑える程度に十分大きければ、静電破壊の抑制効果を得ることができる。
なお、この他の実施形態であっても、ウェーハ1と回転ベース42との間に一定以上の厚さ(上記式1からも判るようにεrの値やSの値の影響も受けるが、直径が300mm程度のシリコンウェーハを保持するスピンナテーブルにフッ素樹脂を使用した場合は、例えば8mm以上の厚さ)を有する絶縁体を介在させた構造であれば、本発明の要件を満たすものとして適用可能である。
なお、上記実施形態は、スピンナ式の洗浄装置10のワーク保持装置40に本発明を適用した例であるが、本発明のワーク保持装置は洗浄装置に限らず、例えば洗浄前のウェーハをダイシングするダイシング装置に具備されるウェーハ保持用のチャックテーブル等にも適用可能である。
また、イオン化エアノズル61はケーシング30の上方に別途設けているが、乾燥エアをウェーハ1に吐出するエアノズル52をイオン化エアノズルとして兼用させ、イオン化エアノズル61を省略することができる。その場合には、配管522の途中にイオン化エア生成手段613を配設し、洗浄・乾燥後にウェーハ1が除去された後にワーク保持装置40を再び洗浄位置まで下降させてエアノズル52からイオン化エアをスピンナテーブル41の上面に吹き付けるという動作になる。
また、ウェーハ1は粘着テープ4を介してフレーム3で支持した状態で搬送され、洗浄装置10に供給されているが、粘着テープ4を貼らずにウェーハ1のみを直接搬送する場合にも、本発明は適用可能である。
次に、実施例によって本発明の効果を実証する。
[実施例]
図4および図5に示した構造の絶縁体(フッ素樹脂)からなる厚さ30mmのスピンナテーブルに、表面に電子回路が形成されていないシリコンウェーハ(直径300mm)を粘着テープを介して保持し、このウェーハに超純水を掛ける水洗を1000rpmで30秒間行った後、2000rpmで30秒間回転させながら乾燥エアを吹き付けて乾燥してからスピンナテーブルより剥離し、ウェーハの帯電電位(ウェーハの帯電量)を測定した。また、ウェーハを剥離させた後のスピンナテーブルの保持面の帯電電位(保持面の帯電量)を、測定器(オムロン社製:ZD−SD)を用いて測定した。
[実施例]
図4および図5に示した構造の絶縁体(フッ素樹脂)からなる厚さ30mmのスピンナテーブルに、表面に電子回路が形成されていないシリコンウェーハ(直径300mm)を粘着テープを介して保持し、このウェーハに超純水を掛ける水洗を1000rpmで30秒間行った後、2000rpmで30秒間回転させながら乾燥エアを吹き付けて乾燥してからスピンナテーブルより剥離し、ウェーハの帯電電位(ウェーハの帯電量)を測定した。また、ウェーハを剥離させた後のスピンナテーブルの保持面の帯電電位(保持面の帯電量)を、測定器(オムロン社製:ZD−SD)を用いて測定した。
[比較例]
スピンナテーブルをアルミニウム製のものとした以外は実施例と同様にして、ウェーハとスピンナテーブルの保持面の帯電電位を測定した。
スピンナテーブルをアルミニウム製のものとした以外は実施例と同様にして、ウェーハとスピンナテーブルの保持面の帯電電位を測定した。
測定結果を表1に示す。表1によると、実施例でのウェーハの帯電量は比較例と比べると大幅に低く、静電破壊が発生しにくい効果を得られている。また、保持面の帯電量に関しては、比較例の測定値が相当低いが(絶対値で比較する)、これは、上述したようにコンデンサ構造の絶縁体(比較例で粘着テープ)の厚さが小さすぎて保持面の誘電分極による電界が発生しにくく、帯電量そのものが測定されないという理由による。
1…半導体ウェーハ(ワーク)
10…洗浄装置
40…ワーク保持装置
41…スピンナテーブル(保持部)
412…吸着部
412B…吸着部(保持部)
413,417…保持面
42…回転ベース(支持部)
51…洗浄水ノズル
52…エアノズル
61…イオン化エアノズル(除電手段)
10…洗浄装置
40…ワーク保持装置
41…スピンナテーブル(保持部)
412…吸着部
412B…吸着部(保持部)
413,417…保持面
42…回転ベース(支持部)
51…洗浄水ノズル
52…エアノズル
61…イオン化エアノズル(除電手段)
Claims (4)
- ワークを保持する保持面が設けられた保持部と、
該保持部を支持する支持部と
を備えたワーク保持装置であって、
前記保持部が絶縁体からなり、前記支持部が導体からなることを特徴とするワーク保持装置。 - 前記保持面は、前記保持部に設けられた吸着部に形成されていることを特徴とする請求項1に記載のワーク保持装置。
- 前記保持部に保持された前記ワークに洗浄水を供給するノズルを有し、
前記支持部は前記保持部を回転可能に支持することを特徴とする請求項1または2に記載のワーク保持装置。 - 前記保持面にイオン化エアを吹き付ける除電手段が付加されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のワーク保持装置。
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