JP2003031536A - ウエハの洗浄方法 - Google Patents
ウエハの洗浄方法Info
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
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- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハ中央部におけるゲート酸化膜の破壊、
パーティクルの集中並びにウエハ上に形成された金属膜
の酸化及び溶出を防止することができるウエハの洗浄方
法を提供する。 【解決手段】 洗浄するウエハ１の上方に洗浄水を噴射
するノズル２を配置する。ノズル２の位置は、ノズル２
の噴射口２ａから噴射された洗浄水が、ウエハ１の中心
３から１ｃｍ以上離れ、且つ中心３よりも手前側の位置
４に落下するような位置に配置する。洗浄水の噴射方向
とウエハ１の表面とのなす角度θを５乃至４５°とす
る。
パーティクルの集中並びにウエハ上に形成された金属膜
の酸化及び溶出を防止することができるウエハの洗浄方
法を提供する。 【解決手段】 洗浄するウエハ１の上方に洗浄水を噴射
するノズル２を配置する。ノズル２の位置は、ノズル２
の噴射口２ａから噴射された洗浄水が、ウエハ１の中心
３から１ｃｍ以上離れ、且つ中心３よりも手前側の位置
４に落下するような位置に配置する。洗浄水の噴射方向
とウエハ１の表面とのなす角度θを５乃至４５°とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置が形成
されたウエハの洗浄方法に関し、特に、ウエハの最終リ
ンス工程におけるウエハの洗浄方法に関する。
されたウエハの洗浄方法に関し、特に、ウエハの最終リ
ンス工程におけるウエハの洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造においては、各工程に
おいてウエハに付着したパーティクル（ちり）及び微量
不純物を除去するために、各工程間にウエハの洗浄工程
が設けられている。近時、半導体装置の微細化に伴い、
問題となるパーティクルのサイズ及び濃度が小さくなっ
ているため、洗浄技術の重要性は益々高まっている。な
お、近年問題となるパーティクルのサイズは０．１μｍ
以上であり、このようなサイズのパーティクルに対して
管理が行われるようになってきている。ウエハ上にパー
ティクルが多量に存在すると、パターン欠陥等の欠陥を
引き起こし、素子の歩留を低下させる。
おいてウエハに付着したパーティクル（ちり）及び微量
不純物を除去するために、各工程間にウエハの洗浄工程
が設けられている。近時、半導体装置の微細化に伴い、
問題となるパーティクルのサイズ及び濃度が小さくなっ
ているため、洗浄技術の重要性は益々高まっている。な
お、近年問題となるパーティクルのサイズは０．１μｍ
以上であり、このようなサイズのパーティクルに対して
管理が行われるようになってきている。ウエハ上にパー
ティクルが多量に存在すると、パターン欠陥等の欠陥を
引き起こし、素子の歩留を低下させる。
【０００３】図１３（ａ）及び（ｂ）は従来の枚葉スピ
ン方式によるウエハの洗浄方法を示す斜視図である。図
１３（ａ）に示すように、ウエハ１を回転させながらウ
エハ１の表面における回転中心３に向けて、この中心３
の直上に配置したノズル２により純水（図示せず）を噴
射する。又は、図１３（ｂ）に示すように、ノズル２を
ウエハ１の中心３の直上部分からずれた位置に配置する
こともある。この場合も、ノズル２は純水をウエハ１の
中心３に向けて噴射する。ウエハ１の表面上における中
心３に落下した純水は、ウエハ１の回転に伴う遠心力に
よりウエハ１の外縁方向に移動し、この移動に伴ってウ
エハ１の表面を洗浄する。純水をウエハ１の中心３に向
けて噴射する理由は、前述の如くウエハ１上に落下した
純水は中心３からウエハ１の外縁に向けて移動するた
め、純水をウエハ１の中心３に落下させることにより、
少ない量の純水によって効率良くウエハ１を洗浄できる
からである。なお、純水はＤＩＷ（deionized water:脱
イオン水）又は超純水とも呼ばれる。
ン方式によるウエハの洗浄方法を示す斜視図である。図
１３（ａ）に示すように、ウエハ１を回転させながらウ
エハ１の表面における回転中心３に向けて、この中心３
の直上に配置したノズル２により純水（図示せず）を噴
射する。又は、図１３（ｂ）に示すように、ノズル２を
ウエハ１の中心３の直上部分からずれた位置に配置する
こともある。この場合も、ノズル２は純水をウエハ１の
中心３に向けて噴射する。ウエハ１の表面上における中
心３に落下した純水は、ウエハ１の回転に伴う遠心力に
よりウエハ１の外縁方向に移動し、この移動に伴ってウ
エハ１の表面を洗浄する。純水をウエハ１の中心３に向
けて噴射する理由は、前述の如くウエハ１上に落下した
純水は中心３からウエハ１の外縁に向けて移動するた
め、純水をウエハ１の中心３に落下させることにより、
少ない量の純水によって効率良くウエハ１を洗浄できる
からである。なお、純水はＤＩＷ（deionized water:脱
イオン水）又は超純水とも呼ばれる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来の技術には以下に示すような問題点がある。純水を
使用してウエハ１を洗浄する場合、洗浄後のウエハ１の
中央部において、薄いゲート酸化膜が破壊されることが
ある。また、ウエハ１に形成された配線を構成する材
料、例えばＣｕが、その露出部において溶出又は酸化し
やすいという問題もある。特に、前記配線が大面積の露
出部を有する配線部とこの配線部から引き出され小面積
の露出部を有する引出配線とを備える場合、前記大面積
の露出部の面積が大きく前記小面積の露出部の面積が小
さいほど、配線材料が溶出又は酸化しやすくなる。更
に、パーティクルが中央部に集まりやすいという問題点
もある。従来、これらの問題点の原因は不明であった。
従来の技術には以下に示すような問題点がある。純水を
使用してウエハ１を洗浄する場合、洗浄後のウエハ１の
中央部において、薄いゲート酸化膜が破壊されることが
ある。また、ウエハ１に形成された配線を構成する材
料、例えばＣｕが、その露出部において溶出又は酸化し
やすいという問題もある。特に、前記配線が大面積の露
出部を有する配線部とこの配線部から引き出され小面積
の露出部を有する引出配線とを備える場合、前記大面積
の露出部の面積が大きく前記小面積の露出部の面積が小
さいほど、配線材料が溶出又は酸化しやすくなる。更
に、パーティクルが中央部に集まりやすいという問題点
もある。従来、これらの問題点の原因は不明であった。
【０００５】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、ウエハ中央部におけるゲート酸化膜の破
壊、パーティクルの集中並びにウエハ上に形成された金
属膜の酸化及び溶出を防止することができるウエハの洗
浄方法を提供することを目的とする。
のであって、ウエハ中央部におけるゲート酸化膜の破
壊、パーティクルの集中並びにウエハ上に形成された金
属膜の酸化及び溶出を防止することができるウエハの洗
浄方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係るウエハの洗
浄方法は、ウエハをこのウエハの表面に垂直な軸を中心
として回転させつつウエハの表面に洗浄液を供給してウ
エハを洗浄する方法において、前記洗浄液を前記ウエハ
の回転中心から１ｃｍ以上離れた位置に向けて噴射する
ことを特徴とする。なお、前記ウエハの表面とは、半導
体装置等が形成されている面及びその反対面の双方を含
むものとする。
浄方法は、ウエハをこのウエハの表面に垂直な軸を中心
として回転させつつウエハの表面に洗浄液を供給してウ
エハを洗浄する方法において、前記洗浄液を前記ウエハ
の回転中心から１ｃｍ以上離れた位置に向けて噴射する
ことを特徴とする。なお、前記ウエハの表面とは、半導
体装置等が形成されている面及びその反対面の双方を含
むものとする。
【０００７】本発明においては、洗浄液をウエハの回転
中心から１ｃｍ以上離れた位置に噴射することにより、
ウエハの回転中心付近において洗浄液が滞留し、ウエハ
と洗浄液との摩擦により静電気が発生することを抑制す
ることができる。これにより、静電気に起因するゲート
酸化膜の破壊、パーティクルの集中並びにウエハ上に形
成された金属膜の酸化及び溶出を防止することができ
る。
中心から１ｃｍ以上離れた位置に噴射することにより、
ウエハの回転中心付近において洗浄液が滞留し、ウエハ
と洗浄液との摩擦により静電気が発生することを抑制す
ることができる。これにより、静電気に起因するゲート
酸化膜の破壊、パーティクルの集中並びにウエハ上に形
成された金属膜の酸化及び溶出を防止することができ
る。
【０００８】本発明に係る他のウエハの洗浄方法は、ウ
エハの表面をＣＭＰにより平坦化した後のウエハの洗浄
方法において、ＣＭＰにより平坦化処理した後のウエハ
を薬液を使用するブラシスクラブにより洗浄する工程
と、前記ウエハを純水を使用するブラシスクラブにより
洗浄する工程と、前記ウエハを薬液によるスピンリンス
により洗浄する工程と、前記ウエハをこのウエハの表面
に垂直な軸を中心として回転させつつ洗浄液を前記ウエ
ハの回転中心から１ｃｍ以上離れた位置に向けて噴射す
る工程と、を有することを特徴とする。
エハの表面をＣＭＰにより平坦化した後のウエハの洗浄
方法において、ＣＭＰにより平坦化処理した後のウエハ
を薬液を使用するブラシスクラブにより洗浄する工程
と、前記ウエハを純水を使用するブラシスクラブにより
洗浄する工程と、前記ウエハを薬液によるスピンリンス
により洗浄する工程と、前記ウエハをこのウエハの表面
に垂直な軸を中心として回転させつつ洗浄液を前記ウエ
ハの回転中心から１ｃｍ以上離れた位置に向けて噴射す
る工程と、を有することを特徴とする。
【０００９】本発明に係る更に他のウエハの洗浄方法
は、ウエハをこのウエハの表面に垂直な軸を中心として
回転させつつ、前記ウエハの裏面を薬液により洗浄する
と共に、前記ウエハの表面に対して洗浄液を前記ウエハ
の回転中心から１ｃｍ以上離れた位置に向けて噴射する
ことを特徴とする。
は、ウエハをこのウエハの表面に垂直な軸を中心として
回転させつつ、前記ウエハの裏面を薬液により洗浄する
と共に、前記ウエハの表面に対して洗浄液を前記ウエハ
の回転中心から１ｃｍ以上離れた位置に向けて噴射する
ことを特徴とする。
【００１０】本発明に係る更に他のウエハの洗浄方法
は、ウエハの表面から有機膜を剥離した後のウエハの洗
浄方法において、ウエハ表面の有機膜をドライエッチン
グし前記有機膜を有機系薬液により剥離した後のウエハ
に対して、前記ウエハをこのウエハの表面に垂直な軸を
中心として回転させつつ洗浄液を前記ウエハの回転中心
から１ｃｍ以上離れた位置に向けて噴射することを特徴
とする。
は、ウエハの表面から有機膜を剥離した後のウエハの洗
浄方法において、ウエハ表面の有機膜をドライエッチン
グし前記有機膜を有機系薬液により剥離した後のウエハ
に対して、前記ウエハをこのウエハの表面に垂直な軸を
中心として回転させつつ洗浄液を前記ウエハの回転中心
から１ｃｍ以上離れた位置に向けて噴射することを特徴
とする。
【００１１】本発明に係る更に他のウエハの洗浄方法
は、ウエハの表面に第１の酸化膜を形成する工程と、こ
の第１の酸化膜上にレジストを形成する工程と、このレ
ジストをマスクとして前記第１の酸化膜をウエットエッ
チングすることにより前記第１の酸化膜を選択的に除去
する工程と、前記ウエハをリンス洗浄してウエットエッ
チング液を除去する第１のリンス洗浄を行う工程と、薬
液を使用して前記ウエハから前記レジストを除去する工
程と、前記ウエハをリンス洗浄して前記薬液を除去する
第２のリンス洗浄を行う工程と、前記ウエハを酸性又は
アルカリ性の薬液により洗浄する工程と、前記ウエハを
リンス洗浄して前記酸性又はアルカリ性の薬液を除去す
る第３のリンス洗浄を行う工程と、第２の酸化膜を形成
する工程と、を有するマルチオキサイドのゲート酸化膜
の形成工程におけるウエハの洗浄方法において、前記第
１乃至第３のリンス洗浄工程のうち少なくとも１のリン
ス洗浄工程は、前記ウエハをこのウエハの表面に垂直な
軸を中心として回転させつつ洗浄液を前記ウエハの回転
中心から１ｃｍ以上離れた位置に向けて噴射するもので
あることを特徴とする。
は、ウエハの表面に第１の酸化膜を形成する工程と、こ
の第１の酸化膜上にレジストを形成する工程と、このレ
ジストをマスクとして前記第１の酸化膜をウエットエッ
チングすることにより前記第１の酸化膜を選択的に除去
する工程と、前記ウエハをリンス洗浄してウエットエッ
チング液を除去する第１のリンス洗浄を行う工程と、薬
液を使用して前記ウエハから前記レジストを除去する工
程と、前記ウエハをリンス洗浄して前記薬液を除去する
第２のリンス洗浄を行う工程と、前記ウエハを酸性又は
アルカリ性の薬液により洗浄する工程と、前記ウエハを
リンス洗浄して前記酸性又はアルカリ性の薬液を除去す
る第３のリンス洗浄を行う工程と、第２の酸化膜を形成
する工程と、を有するマルチオキサイドのゲート酸化膜
の形成工程におけるウエハの洗浄方法において、前記第
１乃至第３のリンス洗浄工程のうち少なくとも１のリン
ス洗浄工程は、前記ウエハをこのウエハの表面に垂直な
軸を中心として回転させつつ洗浄液を前記ウエハの回転
中心から１ｃｍ以上離れた位置に向けて噴射するもので
あることを特徴とする。
【００１２】本発明に係る更に他のウエハの洗浄方法
は、導電膜上にレジストパターンを形成し、このレジス
トパターンをマスクとして前記導電膜をドライエッチン
グしてゲート電極を形成した後のウエハの洗浄方法にお
いて、前記レジストを剥離し、酸性又はアルカリ性の薬
液により前記ウエハを洗浄する工程と、前記ウエハを表
面に垂直な軸を中心として回転させつつ洗浄液を前記ウ
エハの回転中心から１ｃｍ以上離れた位置に向けて噴射
する工程と、を有することを特徴とする。
は、導電膜上にレジストパターンを形成し、このレジス
トパターンをマスクとして前記導電膜をドライエッチン
グしてゲート電極を形成した後のウエハの洗浄方法にお
いて、前記レジストを剥離し、酸性又はアルカリ性の薬
液により前記ウエハを洗浄する工程と、前記ウエハを表
面に垂直な軸を中心として回転させつつ洗浄液を前記ウ
エハの回転中心から１ｃｍ以上離れた位置に向けて噴射
する工程と、を有することを特徴とする。
【００１３】本発明に係る更に他のウエハの洗浄方法
は、ウエハ上に形成されたレジストを現像した後のウエ
ハの洗浄方法において、レジストに対して露光及び現像
を行ったウエハに対して、前記ウエハをこのウエハの表
面に垂直な軸を中心として回転させつつ洗浄液を前記ウ
エハの回転中心から１ｃｍ以上離れた位置に向けて噴射
することを特徴とする。
は、ウエハ上に形成されたレジストを現像した後のウエ
ハの洗浄方法において、レジストに対して露光及び現像
を行ったウエハに対して、前記ウエハをこのウエハの表
面に垂直な軸を中心として回転させつつ洗浄液を前記ウ
エハの回転中心から１ｃｍ以上離れた位置に向けて噴射
することを特徴とする。
【００１４】また、前記洗浄液は前記ウエハの表面に対
して傾斜した噴射流として噴射され、前記噴射流と前記
ウエハの表面とのなす角度が５乃至７０°であり、前記
噴射流は前記ウエハの回転中心よりも手前側の位置に向
けて噴射されることが好ましい。これにより、洗浄液を
ウエハの回転中心に回り込ませることができ、ウエハの
回転中心部も洗浄することができる。なお、前記噴射流
と前記ウエハの表面とのなす角度は、５乃至４５°であ
ることがより好ましい。
して傾斜した噴射流として噴射され、前記噴射流と前記
ウエハの表面とのなす角度が５乃至７０°であり、前記
噴射流は前記ウエハの回転中心よりも手前側の位置に向
けて噴射されることが好ましい。これにより、洗浄液を
ウエハの回転中心に回り込ませることができ、ウエハの
回転中心部も洗浄することができる。なお、前記噴射流
と前記ウエハの表面とのなす角度は、５乃至４５°であ
ることがより好ましい。
【００１５】更に、前記洗浄液の比抵抗は１ＭΩ・ｃｍ
以下としてもよく、前記洗浄液はＣＯ２を含有していて
もよい。これにより、前記洗浄液を導電性とし、洗浄液
とウエハとの間の摩擦により静電気が発生することをよ
り効果的に抑制することができる。また、前記洗浄液は
純水であってもよく、純水にはＤＩＷ（deionized wate
r:脱イオン水）もある。
以下としてもよく、前記洗浄液はＣＯ２を含有していて
もよい。これにより、前記洗浄液を導電性とし、洗浄液
とウエハとの間の摩擦により静電気が発生することをよ
り効果的に抑制することができる。また、前記洗浄液は
純水であってもよく、純水にはＤＩＷ（deionized wate
r:脱イオン水）もある。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明者等は前述の課題を解決す
るために鋭意実験研究を行った結果、純水によりウエハ
を洗浄する際に、ウエハ中央部においてゲート酸化膜の
破壊、金属膜の溶出及びパーティクルの集中が発生する
理由について、以下に示す知見を得た。純水は比抵抗が
１８ＭΩ・ｃｍと極めて高く、高抵抗物質である。この
ため、純水によりウエハの表面を洗浄する場合、純水と
ウエハとの間で摩擦が発生することにより、純水とウエ
ハとの間に静電気が発生する。この結果、純水は正に帯
電し、ウエハは負に帯電しチャージアップする。特に、
ウエハの回転中心付近においては、ウエハの周辺部と比
較して純水に加わる遠心力が弱いため、供給された純水
が長時間滞留する。このため、純水との衝突による摩擦
で発生したチャージは、ウエハの中心付近に局所的に蓄
積されることになる。従って、ウエハの中央部は周辺部
よりも大きく負に帯電し、ウエハの中央部と周辺部との
間で大きな電位差が発生する。
るために鋭意実験研究を行った結果、純水によりウエハ
を洗浄する際に、ウエハ中央部においてゲート酸化膜の
破壊、金属膜の溶出及びパーティクルの集中が発生する
理由について、以下に示す知見を得た。純水は比抵抗が
１８ＭΩ・ｃｍと極めて高く、高抵抗物質である。この
ため、純水によりウエハの表面を洗浄する場合、純水と
ウエハとの間で摩擦が発生することにより、純水とウエ
ハとの間に静電気が発生する。この結果、純水は正に帯
電し、ウエハは負に帯電しチャージアップする。特に、
ウエハの回転中心付近においては、ウエハの周辺部と比
較して純水に加わる遠心力が弱いため、供給された純水
が長時間滞留する。このため、純水との衝突による摩擦
で発生したチャージは、ウエハの中心付近に局所的に蓄
積されることになる。従って、ウエハの中央部は周辺部
よりも大きく負に帯電し、ウエハの中央部と周辺部との
間で大きな電位差が発生する。
【００１７】この結果、ウエハの中央部において、薄い
ゲート酸化膜が帯電した負電荷により絶縁破壊されるこ
とがある。近時、ゲート酸化膜の厚さは１．５乃至２．
０ｎｍ程度と極めて薄いため、微量の静電気により容易
に破壊される。また、ウエハの中央部と周辺部との間に
電位差が発生することにより、大面積の露出部を有する
配線部から引き出した細い引出配線の小面積の露出部に
おいて、Ｃｕ等の金属膜が溶出又は酸化しやすくなる。
更に、この電位差により、パーティクルがウエハの中央
部に集まりやすくなる。なお、洗浄液として純水以外の
液体を使用する場合においても、洗浄液の比抵抗が十分
に高い場合には、前述の現象と同様な現象が発生するも
のと考えられる。
ゲート酸化膜が帯電した負電荷により絶縁破壊されるこ
とがある。近時、ゲート酸化膜の厚さは１．５乃至２．
０ｎｍ程度と極めて薄いため、微量の静電気により容易
に破壊される。また、ウエハの中央部と周辺部との間に
電位差が発生することにより、大面積の露出部を有する
配線部から引き出した細い引出配線の小面積の露出部に
おいて、Ｃｕ等の金属膜が溶出又は酸化しやすくなる。
更に、この電位差により、パーティクルがウエハの中央
部に集まりやすくなる。なお、洗浄液として純水以外の
液体を使用する場合においても、洗浄液の比抵抗が十分
に高い場合には、前述の現象と同様な現象が発生するも
のと考えられる。
【００１８】そこで、本発明においては、洗浄液をウエ
ハの回転中心から離れた位置に噴射することにより、洗
浄液がウエハの中央部において滞留することを防止し、
ウエハの中央部がチャージアップすることを防止する。
ハの回転中心から離れた位置に噴射することにより、洗
浄液がウエハの中央部において滞留することを防止し、
ウエハの中央部がチャージアップすることを防止する。
【００１９】以下、本発明の実施例について添付の図面
を参照して具体的に説明する。先ず。本発明の第１の実
施例について説明する。図１は本実施例に係るウエハの
洗浄方法を示す斜視図である。図１に示すように、本実
施例においては、洗浄するウエハ１の上方に洗浄液を噴
射するノズル２を配置する。ノズル２の位置は、ノズル
２の噴射口２ａから噴射された洗浄液が、ウエハ１の中
心３から１ｃｍ以上離れ、且つ中心３よりも手前側に位
置する位置４に落下するように配置する。また、洗浄液
の噴射方向とウエハ１の表面とのなす角度θを５乃至４
５°とする。これにより、落下後の洗浄液を中心３に回
り込ませることができる。なお、本実施例においては、
洗浄液には純水を使用する。
を参照して具体的に説明する。先ず。本発明の第１の実
施例について説明する。図１は本実施例に係るウエハの
洗浄方法を示す斜視図である。図１に示すように、本実
施例においては、洗浄するウエハ１の上方に洗浄液を噴
射するノズル２を配置する。ノズル２の位置は、ノズル
２の噴射口２ａから噴射された洗浄液が、ウエハ１の中
心３から１ｃｍ以上離れ、且つ中心３よりも手前側に位
置する位置４に落下するように配置する。また、洗浄液
の噴射方向とウエハ１の表面とのなす角度θを５乃至４
５°とする。これにより、落下後の洗浄液を中心３に回
り込ませることができる。なお、本実施例においては、
洗浄液には純水を使用する。
【００２０】先ず、ウエハ１を回転させながらウエハ１
の表面の位置４に向けてノズル２の噴射口２ａにより純
水を噴射する。位置４はウエハ１の中心３から１ｃｍ以
上離れている。ウエハ１の回転数は２００乃至１５００
ｒｐｍとし、ノズル２から噴出される純水の流量は０．
５乃至１．５リットル／分とする。ノズル２より噴出さ
れ、ウエハ１表面の位置４に落下した純水は、噴射時の
勢いによりウエハ１の中心３に回りこみ、その後、ウエ
ハ１の回転に伴う遠心力によりウエハ１の外縁方向に移
動し、この移動に伴ってウエハ１の表面を洗浄する。
の表面の位置４に向けてノズル２の噴射口２ａにより純
水を噴射する。位置４はウエハ１の中心３から１ｃｍ以
上離れている。ウエハ１の回転数は２００乃至１５００
ｒｐｍとし、ノズル２から噴出される純水の流量は０．
５乃至１．５リットル／分とする。ノズル２より噴出さ
れ、ウエハ１表面の位置４に落下した純水は、噴射時の
勢いによりウエハ１の中心３に回りこみ、その後、ウエ
ハ１の回転に伴う遠心力によりウエハ１の外縁方向に移
動し、この移動に伴ってウエハ１の表面を洗浄する。
【００２１】その後、純水の供給を停止し、ウエハ１の
表面をスピン乾燥する。スピン乾燥は、Ｎ２ガス又はＣ
Ｏ２ガスを使用して行う。ウエハ１のスピン乾燥は、ウ
エハ１を洗浄したチャンバをそのまま使用し、ウエハ１
を回転させつつ純水の供給を停止して、ウエハ１の回転
に伴う遠心力によりウエハ１の表面から純水を除去して
乾燥させてもよく、また、ウエハ１を乾燥専用のチャン
バに移し替えて行ってもよい。前者の方法によれば、ウ
エハ１を他のチャンバに移し替える工程を省略でき、効
率的にウエハ１を乾燥させることができる。また、後者
の方法によれば、純水による洗浄工程の前の工程におい
て使用した薬液が存在しない雰囲気中において乾燥を行
うことができ、乾燥中に前記薬液がウエハに再付着する
ことを確実に防止できる。
表面をスピン乾燥する。スピン乾燥は、Ｎ２ガス又はＣ
Ｏ２ガスを使用して行う。ウエハ１のスピン乾燥は、ウ
エハ１を洗浄したチャンバをそのまま使用し、ウエハ１
を回転させつつ純水の供給を停止して、ウエハ１の回転
に伴う遠心力によりウエハ１の表面から純水を除去して
乾燥させてもよく、また、ウエハ１を乾燥専用のチャン
バに移し替えて行ってもよい。前者の方法によれば、ウ
エハ１を他のチャンバに移し替える工程を省略でき、効
率的にウエハ１を乾燥させることができる。また、後者
の方法によれば、純水による洗浄工程の前の工程におい
て使用した薬液が存在しない雰囲気中において乾燥を行
うことができ、乾燥中に前記薬液がウエハに再付着する
ことを確実に防止できる。
【００２２】本実施例に係るウエハの洗浄方法によれ
ば、純水がウエハ１の中心３から１ｃｍ以上離れた位置
４に落下するため、中心３付近において純水が滞留し、
純水とウエハ１との間の摩擦により静電気が発生するこ
とを防止できる。即ち、位置４に落下した純水は、特定
の位置に留まらずにウエハ１の表面上を移動しながらウ
エハ１の表面を洗浄するため、ウエハ１における特定の
位置に電荷が蓄積されることがない。この結果、ウエハ
１の中央部に形成されたゲート酸化膜の絶縁破壊、ウエ
ハ１の表面に形成された配線及び電極等を構成するＣｕ
の酸化及び溶出、並びにウエハ１の中央部へのパーティ
クルの集中を防止することができる。
ば、純水がウエハ１の中心３から１ｃｍ以上離れた位置
４に落下するため、中心３付近において純水が滞留し、
純水とウエハ１との間の摩擦により静電気が発生するこ
とを防止できる。即ち、位置４に落下した純水は、特定
の位置に留まらずにウエハ１の表面上を移動しながらウ
エハ１の表面を洗浄するため、ウエハ１における特定の
位置に電荷が蓄積されることがない。この結果、ウエハ
１の中央部に形成されたゲート酸化膜の絶縁破壊、ウエ
ハ１の表面に形成された配線及び電極等を構成するＣｕ
の酸化及び溶出、並びにウエハ１の中央部へのパーティ
クルの集中を防止することができる。
【００２３】また、純水の噴射方向を前述のように規定
することにより、純水は位置４に落下した後、ウエハ１
の中心３にも回り込むため、純水はウエハ１の表面全面
に行き渡る。この結果、ウエハ１の表面全面を洗浄する
ことができる。
することにより、純水は位置４に落下した後、ウエハ１
の中心３にも回り込むため、純水はウエハ１の表面全面
に行き渡る。この結果、ウエハ１の表面全面を洗浄する
ことができる。
【００２４】なお、本実施例においては洗浄液として純
水を使用する例を示したが、本発明における洗浄液は純
水に限定されず、水溶液又は非水系の液体を使用しても
よい。例えば洗浄液としてＣＯ２を含有する水を使用し
てもよい。これにより、洗浄液の比抵抗を例えば１ＭΩ
・ｃｍ以下に低下させることができ、ウエハ１と洗浄液
との摩擦によりウエハ１がチャージアップすることを確
実に防止することができる。洗浄液として純水又はＣＯ
２を含有する水を使用することにより、次工程のプロセ
スに影響を及ぼすような残留の発生を防止することがで
きる。このため、本実施例の洗浄方法は最終リンス工程
とすることができる。
水を使用する例を示したが、本発明における洗浄液は純
水に限定されず、水溶液又は非水系の液体を使用しても
よい。例えば洗浄液としてＣＯ２を含有する水を使用し
てもよい。これにより、洗浄液の比抵抗を例えば１ＭΩ
・ｃｍ以下に低下させることができ、ウエハ１と洗浄液
との摩擦によりウエハ１がチャージアップすることを確
実に防止することができる。洗浄液として純水又はＣＯ
２を含有する水を使用することにより、次工程のプロセ
スに影響を及ぼすような残留の発生を防止することがで
きる。このため、本実施例の洗浄方法は最終リンス工程
とすることができる。
【００２５】以下、本発明の各構成要件における数値限
定理由について説明する。
定理由について説明する。
【００２６】ウエハ表面における洗浄液の噴射位置と回
転中心との距離：１ｃｍ以上 本発明においては、洗浄液がウエハの回転中心に直接噴
射されないようにしている。これにより、遠心力が弱い
ウエハの回転中心付近において洗浄液が滞留することを
防止し、ウエハの中心付近において静電気が蓄積される
ことを抑制する。ウエハ表面における洗浄液の噴射位置
と回転中心との距離が１ｃｍ未満であると、前記効果が
認められない。従って、ウエハ表面における洗浄液の噴
射位置と回転中心との距離は１ｃｍ以上とする。
転中心との距離：１ｃｍ以上 本発明においては、洗浄液がウエハの回転中心に直接噴
射されないようにしている。これにより、遠心力が弱い
ウエハの回転中心付近において洗浄液が滞留することを
防止し、ウエハの中心付近において静電気が蓄積される
ことを抑制する。ウエハ表面における洗浄液の噴射位置
と回転中心との距離が１ｃｍ未満であると、前記効果が
認められない。従って、ウエハ表面における洗浄液の噴
射位置と回転中心との距離は１ｃｍ以上とする。
【００２７】洗浄液の噴射流とウエハの表面とのなす角
度：５乃至７０° 前記角度が７０°を超えると、洗浄液がウエハにほぼ真
上から噴射されるようになり、ウエハ上に落下した洗浄
液の水平方向の速度が小さくなる。この結果、ウエハの
中心に洗浄液が行き渡りにくくなる。一方、前記角度が
５°未満であると、ウエハが回転しているため、洗浄液
がウエハの中心に届かない場合がある。従って、前記角
度は５乃至７０°とすることが好ましい。より好ましく
は、５乃至４５°である。
度：５乃至７０° 前記角度が７０°を超えると、洗浄液がウエハにほぼ真
上から噴射されるようになり、ウエハ上に落下した洗浄
液の水平方向の速度が小さくなる。この結果、ウエハの
中心に洗浄液が行き渡りにくくなる。一方、前記角度が
５°未満であると、ウエハが回転しているため、洗浄液
がウエハの中心に届かない場合がある。従って、前記角
度は５乃至７０°とすることが好ましい。より好ましく
は、５乃至４５°である。
【００２８】洗浄液の比抵抗：１ＭΩ・ｃｍ以下
洗浄液の比抵抗が１ＭΩ・ｃｍ以下であると、洗浄液の
導電性が向上する。この結果、ウエハと洗浄液との間の
摩擦により、ウエハが負にチャージアップすることを確
実に防止できる。これにより、ゲート酸化膜の絶縁破
壊、パーティクルの集中及び金属膜の溶出及び酸化を確
実に防止することができる。従って、洗浄液の比抵抗は
１ＭΩ・ｃｍ以下であることが好ましい。例えば、純水
にＣＯ２を含有させることにより、比抵抗が１ＭΩ・ｃ
ｍ以下の洗浄液を得ることができる。
導電性が向上する。この結果、ウエハと洗浄液との間の
摩擦により、ウエハが負にチャージアップすることを確
実に防止できる。これにより、ゲート酸化膜の絶縁破
壊、パーティクルの集中及び金属膜の溶出及び酸化を確
実に防止することができる。従って、洗浄液の比抵抗は
１ＭΩ・ｃｍ以下であることが好ましい。例えば、純水
にＣＯ２を含有させることにより、比抵抗が１ＭΩ・ｃ
ｍ以下の洗浄液を得ることができる。
【００２９】ウエハの回転数：２０乃至４０００ｒｐｍ
ウエハの回転数が２０ｒｐｍ未満ではウエハ上の洗浄液
の流速が低下して洗浄効率が低下する。特に、ウエハの
回転数が５ｒｐｍ未満では、ウエハ上における洗浄液の
落下位置をウエハの中心から１ｃｍ以上離したとして
も、前記落下位置において局所的なチャージアップが発
生する。一方、ウエハの回転数が４０００ｒｐｍを超え
ても、洗浄液に作用する遠心力が強くなりすぎ、洗浄液
とウエハとの間の摩擦力が大きくなり、ウエハに蓄積さ
れるチャージ量が増大する。ウエハの回転速度を速くし
すぎると、例えば、ウエハ表面に形成されているゲート
酸化膜の厚さが１００ｎｍである場合に、チャージ量が
−５０Ｖに達することがある。この場合、ゲート酸化膜
には５ＭＶ／ｃｍの電界が印加されるため、ゲート酸化
膜が破壊される場合がある。従って、ウエハの回転数は
２０乃至４０００ｒｐｍであることが好ましい。より好
ましくは、２００乃至１５００ｒｐｍである。
の流速が低下して洗浄効率が低下する。特に、ウエハの
回転数が５ｒｐｍ未満では、ウエハ上における洗浄液の
落下位置をウエハの中心から１ｃｍ以上離したとして
も、前記落下位置において局所的なチャージアップが発
生する。一方、ウエハの回転数が４０００ｒｐｍを超え
ても、洗浄液に作用する遠心力が強くなりすぎ、洗浄液
とウエハとの間の摩擦力が大きくなり、ウエハに蓄積さ
れるチャージ量が増大する。ウエハの回転速度を速くし
すぎると、例えば、ウエハ表面に形成されているゲート
酸化膜の厚さが１００ｎｍである場合に、チャージ量が
−５０Ｖに達することがある。この場合、ゲート酸化膜
には５ＭＶ／ｃｍの電界が印加されるため、ゲート酸化
膜が破壊される場合がある。従って、ウエハの回転数は
２０乃至４０００ｒｐｍであることが好ましい。より好
ましくは、２００乃至１５００ｒｐｍである。
【００３０】洗浄液の流量：０．５乃至５リットル／分
洗浄液の流量が少ないほど、ウエハに蓄積されるチャー
ジ量が減少する。従って、ウエハに蓄積されるチャージ
量を低減するためには、洗浄液の流量は可及的に少ない
方が好ましい。しかしながら、洗浄液の流量が０．２リ
ットル／分未満であると、洗浄効率が低下する。一方、
洗浄液の流量が５リットル／分を超えると、ウエハに蓄
積されるチャージ量が増加すると共に、洗浄液の流量に
対して洗浄効率が飽和する。従って、洗浄液の流量は
０．２乃至５リットル／分であることが好ましい。より
好ましくは０．５乃至１．５リットル／分である。特
に、ウエハの直径が８インチである場合は、洗浄液の流
量は０．５リットル／分以上であることが好ましい。
ジ量が減少する。従って、ウエハに蓄積されるチャージ
量を低減するためには、洗浄液の流量は可及的に少ない
方が好ましい。しかしながら、洗浄液の流量が０．２リ
ットル／分未満であると、洗浄効率が低下する。一方、
洗浄液の流量が５リットル／分を超えると、ウエハに蓄
積されるチャージ量が増加すると共に、洗浄液の流量に
対して洗浄効率が飽和する。従って、洗浄液の流量は
０．２乃至５リットル／分であることが好ましい。より
好ましくは０．５乃至１．５リットル／分である。特
に、ウエハの直径が８インチである場合は、洗浄液の流
量は０．５リットル／分以上であることが好ましい。
【００３１】次に、本発明の第２の実施例について説明
する。図２は本実施例に係るウエハの洗浄方法を示す斜
視図である。図２に示すように、本実施例においては、
洗浄するウエハ１の上方に洗浄液を噴射するノズル２を
２本配置する。ノズル２の位置は、ノズル２の噴射口２
ａから噴射された洗浄液が、夫々ウエハ１の中心３から
１ｃｍ以上離れた位置５及び６に落下し、且つ落下後の
洗浄液が中心３に回り込むような位置に配置する。本実
施例においては、ノズル２は垂直に延びノズル２の下端
部に噴射口２ａが配置されるように設ける。ノズル２は
ウエハ１の中心３を含む垂直面に対して対称に配置して
もよく、非対称に配置してもよい。本実施例における前
記以外のウエハの洗浄方法は前述の第１の実施例におけ
るウエハの洗浄方法と同様である。
する。図２は本実施例に係るウエハの洗浄方法を示す斜
視図である。図２に示すように、本実施例においては、
洗浄するウエハ１の上方に洗浄液を噴射するノズル２を
２本配置する。ノズル２の位置は、ノズル２の噴射口２
ａから噴射された洗浄液が、夫々ウエハ１の中心３から
１ｃｍ以上離れた位置５及び６に落下し、且つ落下後の
洗浄液が中心３に回り込むような位置に配置する。本実
施例においては、ノズル２は垂直に延びノズル２の下端
部に噴射口２ａが配置されるように設ける。ノズル２は
ウエハ１の中心３を含む垂直面に対して対称に配置して
もよく、非対称に配置してもよい。本実施例における前
記以外のウエハの洗浄方法は前述の第１の実施例におけ
るウエハの洗浄方法と同様である。
【００３２】本実施例においては、前述の第１の実施例
の効果に加え、ノズル２を２本設けることにより、洗浄
液を分散してウエハ１に噴射することができる。これに
より、洗浄液がウエハ上の特定の部分に滞留することを
より確実に防止できると共に、より少ない洗浄液で効果
的にウエハ１を洗浄することができる。
の効果に加え、ノズル２を２本設けることにより、洗浄
液を分散してウエハ１に噴射することができる。これに
より、洗浄液がウエハ上の特定の部分に滞留することを
より確実に防止できると共に、より少ない洗浄液で効果
的にウエハ１を洗浄することができる。
【００３３】なお、前述の第１及び第２の実施例におい
て、ノズル２の噴射口２ａは洗浄液がシャワー状に噴射
されるような形状にしてもよい。この場合は、噴射口２
ａから噴射される噴射流の中心がウエハ１の中心３から
１ｃｍ以上離れた位置に噴射されるようにすれば、噴射
流の一部がウエハ１の中心３に噴射されていても構わな
い。また、噴射流の中心の噴射方向が、ウエハ１の表面
との間に５乃至７０°の角度をなすことが好ましく、５
乃至４５°の角度をなすことがより好ましい。このよう
にウエハ上に噴射される洗浄液をシャワー状とすること
により、洗浄液をより効果的に分散させ、洗浄液がウエ
ハ上において局所的に滞留することをより確実に防止で
きる。
て、ノズル２の噴射口２ａは洗浄液がシャワー状に噴射
されるような形状にしてもよい。この場合は、噴射口２
ａから噴射される噴射流の中心がウエハ１の中心３から
１ｃｍ以上離れた位置に噴射されるようにすれば、噴射
流の一部がウエハ１の中心３に噴射されていても構わな
い。また、噴射流の中心の噴射方向が、ウエハ１の表面
との間に５乃至７０°の角度をなすことが好ましく、５
乃至４５°の角度をなすことがより好ましい。このよう
にウエハ上に噴射される洗浄液をシャワー状とすること
により、洗浄液をより効果的に分散させ、洗浄液がウエ
ハ上において局所的に滞留することをより確実に防止で
きる。
【００３４】次に、本発明の第３の実施例について説明
する。図３は本実施例の工程を示すフローチャート図で
ある。図３に示すように、本実施例は本発明に係るウエ
ハの洗浄方法をＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishin
g：化学的機械研磨）後の洗浄工程に適用した例であ
る。先ず、図３のステップＳ１１に示すように、ウエハ
の表面をＣＭＰにより平坦化した後、ステップＳ１２に
示すように、このウエハの表面に対して、薬液を使用す
るブラシスクラブを行う。次に、ステップＳ１３に示す
ように、純水によりブラシスクラブを行う。次に、ステ
ップＳ１４に示すように、ウエハを回転させながら薬液
をウエハ表面の中央部に噴射して薬液スピンリンスを行
う。次に、ステップＳ１５に示すように、純水を使用し
てスピンリンスを行い、ステップＳ１４において使用し
た薬液を除去する。その後、ステップＳ１６に示すよう
に、このウエハをスピン乾燥する。ステップＳ１５及び
Ｓ１６に示す工程は、前述の第１の実施例におけるウエ
ハの洗浄工程と同一である。このような方法により、Ｃ
ＭＰ後の洗浄工程において、静電気に起因するゲート酸
化膜の破壊、パーティクルの集中及びＣｕの溶出を抑制
することができる。
する。図３は本実施例の工程を示すフローチャート図で
ある。図３に示すように、本実施例は本発明に係るウエ
ハの洗浄方法をＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishin
g：化学的機械研磨）後の洗浄工程に適用した例であ
る。先ず、図３のステップＳ１１に示すように、ウエハ
の表面をＣＭＰにより平坦化した後、ステップＳ１２に
示すように、このウエハの表面に対して、薬液を使用す
るブラシスクラブを行う。次に、ステップＳ１３に示す
ように、純水によりブラシスクラブを行う。次に、ステ
ップＳ１４に示すように、ウエハを回転させながら薬液
をウエハ表面の中央部に噴射して薬液スピンリンスを行
う。次に、ステップＳ１５に示すように、純水を使用し
てスピンリンスを行い、ステップＳ１４において使用し
た薬液を除去する。その後、ステップＳ１６に示すよう
に、このウエハをスピン乾燥する。ステップＳ１５及び
Ｓ１６に示す工程は、前述の第１の実施例におけるウエ
ハの洗浄工程と同一である。このような方法により、Ｃ
ＭＰ後の洗浄工程において、静電気に起因するゲート酸
化膜の破壊、パーティクルの集中及びＣｕの溶出を抑制
することができる。
【００３５】次に、本発明の第４の実施例について説明
する。図４は本実施例の工程を示すフローチャート図で
ある。図４に示すように、本実施例は本発明に係るウエ
ハの洗浄方法をウエハの裏面洗浄に適用した例である。
先ず、ステップＳ２１に示すように、ウエハをスピンさ
せながら、ウエハの裏面に薬液を噴射して洗浄する。通
常、このウエハ裏面の洗浄は、金属汚染及び粒子汚染の
除去等を目的として行う。このとき、同時にウエハの表
面に純水を噴射してウエハ表面を保護する。このウエハ
の保護は、前記薬液の跳ね返りにより前記薬液がウエハ
表面に付着することを防止すると共に、ウエハ表面の雰
囲気を保護するために行う。次に、ステップＳ２２に示
すように、ウエハの表面及び裏面に純水を噴射してスピ
ンリンスを行い、裏面から前記薬液を除去する。その
後、ステップＳ２３に示すように、ウエハをスピン乾燥
する。ステップＳ２１における表面の保護方法、ステッ
プＳ２２における表面及び裏面のリンス方法、並びにス
テップＳ２３におけるスピン乾燥方法は、前述の第１の
実施例に示すウエハの洗浄方法と同一である。本実施例
によれば、ウエハの裏面を洗浄する際に、ウエハの表面
がこの薬液により汚染されることを防止すると共に、純
水によるウエハ表面保護工程及び裏面洗浄後のウエハ両
面のリンス工程において、静電気に起因するゲート酸化
膜の破壊、パーティクルの集中及びＣｕの溶出を抑制す
ることができる。
する。図４は本実施例の工程を示すフローチャート図で
ある。図４に示すように、本実施例は本発明に係るウエ
ハの洗浄方法をウエハの裏面洗浄に適用した例である。
先ず、ステップＳ２１に示すように、ウエハをスピンさ
せながら、ウエハの裏面に薬液を噴射して洗浄する。通
常、このウエハ裏面の洗浄は、金属汚染及び粒子汚染の
除去等を目的として行う。このとき、同時にウエハの表
面に純水を噴射してウエハ表面を保護する。このウエハ
の保護は、前記薬液の跳ね返りにより前記薬液がウエハ
表面に付着することを防止すると共に、ウエハ表面の雰
囲気を保護するために行う。次に、ステップＳ２２に示
すように、ウエハの表面及び裏面に純水を噴射してスピ
ンリンスを行い、裏面から前記薬液を除去する。その
後、ステップＳ２３に示すように、ウエハをスピン乾燥
する。ステップＳ２１における表面の保護方法、ステッ
プＳ２２における表面及び裏面のリンス方法、並びにス
テップＳ２３におけるスピン乾燥方法は、前述の第１の
実施例に示すウエハの洗浄方法と同一である。本実施例
によれば、ウエハの裏面を洗浄する際に、ウエハの表面
がこの薬液により汚染されることを防止すると共に、純
水によるウエハ表面保護工程及び裏面洗浄後のウエハ両
面のリンス工程において、静電気に起因するゲート酸化
膜の破壊、パーティクルの集中及びＣｕの溶出を抑制す
ることができる。
【００３６】次に、本発明の第５の実施例について説明
する。図５は本実施例の工程を示すフローチャート図で
ある。図５に示すように、本実施例は本発明に係るウエ
ハの洗浄方法をウエハの両面洗浄に適用した例である。
先ず、ステップＳ２５に示すように、ウエハをスピンさ
せながら、ウエハの表面及び裏面の双方に薬液を噴射し
て洗浄する。通常、このウエハ表面及び裏面の洗浄は、
金属汚染及び粒子汚染の除去等を目的として行う。次
に、ステップＳ２６に示すように、ウエハの表面及び裏
面に純水を噴射してスピンリンスを行い、表面及び裏面
から前記薬液を除去する。その後、ステップＳ２７に示
すように、ウエハをスピン乾燥する。ステップＳ２６に
おける表面及び裏面のリンス方法、並びにステップＳ２
７におけるスピン乾燥方法は、前述の第１の実施例に示
すウエハの洗浄方法と同一である。本実施例によれば、
ウエハの表面及び裏面洗浄後のリンス工程において、静
電気に起因するゲート酸化膜の破壊、パーティクルの集
中及びＣｕの溶出を抑制することができる。
する。図５は本実施例の工程を示すフローチャート図で
ある。図５に示すように、本実施例は本発明に係るウエ
ハの洗浄方法をウエハの両面洗浄に適用した例である。
先ず、ステップＳ２５に示すように、ウエハをスピンさ
せながら、ウエハの表面及び裏面の双方に薬液を噴射し
て洗浄する。通常、このウエハ表面及び裏面の洗浄は、
金属汚染及び粒子汚染の除去等を目的として行う。次
に、ステップＳ２６に示すように、ウエハの表面及び裏
面に純水を噴射してスピンリンスを行い、表面及び裏面
から前記薬液を除去する。その後、ステップＳ２７に示
すように、ウエハをスピン乾燥する。ステップＳ２６に
おける表面及び裏面のリンス方法、並びにステップＳ２
７におけるスピン乾燥方法は、前述の第１の実施例に示
すウエハの洗浄方法と同一である。本実施例によれば、
ウエハの表面及び裏面洗浄後のリンス工程において、静
電気に起因するゲート酸化膜の破壊、パーティクルの集
中及びＣｕの溶出を抑制することができる。
【００３７】次に、本発明の第６の実施例について説明
する。図６は本実施例の工程を示すフローチャート図で
ある。図６に示すように、本実施例は本発明に係るウエ
ハの洗浄方法をウエハの表面から有機膜を剥離する有機
剥離工程後の洗浄工程に適用した例である。なお、有機
膜とは例えば、レジスト及び反射防止膜等である。先
ず、図６のステップＳ３１に示すように、レジスト等の
有機膜が形成されたウエハ表面に対してドライエッチン
グを行った後、ステップＳ３２に示すように、有機系薬
液を使用してウエハ表面の有機膜を剥離する。このと
き、薬液がアミン系有機剥離液である場合は、バッチス
プレー式の剥離装置を使用することが多い。また、薬液
がフッ素系有機剥離液の場合は、枚葉スピン式の剥離装
置を使用することが多い。なお、現状では後者の方が多
く使用されている。次に、ステップＳ３３に示すよう
に、ウエハを回転させながらその表面に純水を噴射して
スピンリンスを行い、前記有機系薬液を除去する。次
に、ステップＳ３４に示すように、ウエハをスピン乾燥
する。ステップＳ３３に示す洗浄方法及びステップＳ３
４に示すスピン乾燥方法は、前述の第１の実施例と同様
である。本実施例によれば、ウエハの表面を薬液剥離し
た後のリンス工程において、ゲート酸化膜の破壊、パー
ティクルの集中及びＣｕの溶出を防止することができ
る。
する。図６は本実施例の工程を示すフローチャート図で
ある。図６に示すように、本実施例は本発明に係るウエ
ハの洗浄方法をウエハの表面から有機膜を剥離する有機
剥離工程後の洗浄工程に適用した例である。なお、有機
膜とは例えば、レジスト及び反射防止膜等である。先
ず、図６のステップＳ３１に示すように、レジスト等の
有機膜が形成されたウエハ表面に対してドライエッチン
グを行った後、ステップＳ３２に示すように、有機系薬
液を使用してウエハ表面の有機膜を剥離する。このと
き、薬液がアミン系有機剥離液である場合は、バッチス
プレー式の剥離装置を使用することが多い。また、薬液
がフッ素系有機剥離液の場合は、枚葉スピン式の剥離装
置を使用することが多い。なお、現状では後者の方が多
く使用されている。次に、ステップＳ３３に示すよう
に、ウエハを回転させながらその表面に純水を噴射して
スピンリンスを行い、前記有機系薬液を除去する。次
に、ステップＳ３４に示すように、ウエハをスピン乾燥
する。ステップＳ３３に示す洗浄方法及びステップＳ３
４に示すスピン乾燥方法は、前述の第１の実施例と同様
である。本実施例によれば、ウエハの表面を薬液剥離し
た後のリンス工程において、ゲート酸化膜の破壊、パー
ティクルの集中及びＣｕの溶出を防止することができ
る。
【００３８】次に、本発明の第７の実施例について説明
する。図７は本実施例の工程を示すフローチャート図で
ある。図７に示すように、本実施例は本発明に係るウエ
ハの洗浄方法を、ウエハ表面にマルチオキサイドのゲー
ト酸化膜を形成する際のウエットプロセスにおける洗浄
工程に適用した例である。先ず、ステップＳ４１に示す
ように、ウエハの表面に第１の酸化膜を例えば３．０ｎ
ｍの厚さに形成する。次に、ステップＳ４２に示すよう
に、この第１の酸化膜上にレジストを形成し、このレジ
ストをマスクとしてＨＦ系溶液により前記第１の酸化膜
をエッチングして前記第１の酸化膜を選択的に除去す
る。次に、ステップＳ４３に示すように、前記ウエハ
を、純水を使用してリンスし、ＨＦ系溶液を除去する。
このリンス工程はスピン乾燥工程を含み、前述の第１の
実施例に示すスピン洗浄工程及びスピン乾燥工程と同一
の方法により行う。
する。図７は本実施例の工程を示すフローチャート図で
ある。図７に示すように、本実施例は本発明に係るウエ
ハの洗浄方法を、ウエハ表面にマルチオキサイドのゲー
ト酸化膜を形成する際のウエットプロセスにおける洗浄
工程に適用した例である。先ず、ステップＳ４１に示す
ように、ウエハの表面に第１の酸化膜を例えば３．０ｎ
ｍの厚さに形成する。次に、ステップＳ４２に示すよう
に、この第１の酸化膜上にレジストを形成し、このレジ
ストをマスクとしてＨＦ系溶液により前記第１の酸化膜
をエッチングして前記第１の酸化膜を選択的に除去す
る。次に、ステップＳ４３に示すように、前記ウエハ
を、純水を使用してリンスし、ＨＦ系溶液を除去する。
このリンス工程はスピン乾燥工程を含み、前述の第１の
実施例に示すスピン洗浄工程及びスピン乾燥工程と同一
の方法により行う。
【００３９】その後、ステップＳ４４に示すように、硫
酸過酸化水素水の混合液を使用して前記レジストを除去
する。次に、ステップＳ４５に示すように、前記ウエハ
を純水によりリンスし、硫酸過酸化水素水の混合液を除
去する。このリンス工程はスピン乾燥工程を含み、前述
の第１の実施例に示すスピン洗浄工程及びスピン乾燥工
程と同一の方法により行う。次に、ステップＳ４６に示
すように、前記ウエハを酸性又はアルカリ性の薬液によ
り洗浄する。次に、ステップＳ４７に示すように、前記
ウエハを純水によりリンスし、前記薬液を除去する。こ
のリンス工程はスピン乾燥工程を含み、前述の第１の実
施例に示すスピン洗浄工程及びスピン乾燥工程と同一の
方法により行う。その後、ステップＳ４８に示すよう
に、第２の酸化膜を例えば２．０ｎｍの厚さに形成す
る。これにより、ウエハ上にマルチオキサイドのゲート
酸化膜の形成することができる。本実施例によれば、ウ
エハ表面にマルチオキサイドのゲート酸化膜を形成する
際の洗浄工程において、静電気に起因するパーティクル
の集中を抑制することができる。
酸過酸化水素水の混合液を使用して前記レジストを除去
する。次に、ステップＳ４５に示すように、前記ウエハ
を純水によりリンスし、硫酸過酸化水素水の混合液を除
去する。このリンス工程はスピン乾燥工程を含み、前述
の第１の実施例に示すスピン洗浄工程及びスピン乾燥工
程と同一の方法により行う。次に、ステップＳ４６に示
すように、前記ウエハを酸性又はアルカリ性の薬液によ
り洗浄する。次に、ステップＳ４７に示すように、前記
ウエハを純水によりリンスし、前記薬液を除去する。こ
のリンス工程はスピン乾燥工程を含み、前述の第１の実
施例に示すスピン洗浄工程及びスピン乾燥工程と同一の
方法により行う。その後、ステップＳ４８に示すよう
に、第２の酸化膜を例えば２．０ｎｍの厚さに形成す
る。これにより、ウエハ上にマルチオキサイドのゲート
酸化膜の形成することができる。本実施例によれば、ウ
エハ表面にマルチオキサイドのゲート酸化膜を形成する
際の洗浄工程において、静電気に起因するパーティクル
の集中を抑制することができる。
【００４０】次に、本発明の第８の実施例について説明
する。図８は本実施例の工程を示すフローチャート図で
ある。図８に示すように、本実施例は本発明に係るウエ
ハの洗浄方法をウエハのゲート電極形成後の洗浄工程に
適用した例である。先ず、ステップＳ５１に示すよう
に、ウエハ上に所定のパターンを有するレジストを形成
し、このレジストをマスクとしてゲート電極層をドライ
エッチングする。次に、ステップＳ５２に示すように、
前記レジストを剥離する。次に、ステップＳ５３に示す
ように、枚葉式の洗浄装置を使用して酸性又はアルカリ
性の薬液によりウエハ表面を薬液洗浄する。次に、ステ
ップＳ５４に示すように、ウエハの表面に純水を噴射し
てスピンリンスを行い、前記薬液を除去する。次に、ス
テップＳ５５に示すように、ウエハをスピン乾燥する。
ステップＳ５４におけるウエハのスピンリンス方法及び
ステップＳ５５に示すスピン乾燥方法は、前述の第１の
実施例と同様に行う。本実施例によれば、ゲート電極形
成後の洗浄工程において、静電気に起因するパーティク
ルの集中及びＣｕの溶出を抑制することができる。
する。図８は本実施例の工程を示すフローチャート図で
ある。図８に示すように、本実施例は本発明に係るウエ
ハの洗浄方法をウエハのゲート電極形成後の洗浄工程に
適用した例である。先ず、ステップＳ５１に示すよう
に、ウエハ上に所定のパターンを有するレジストを形成
し、このレジストをマスクとしてゲート電極層をドライ
エッチングする。次に、ステップＳ５２に示すように、
前記レジストを剥離する。次に、ステップＳ５３に示す
ように、枚葉式の洗浄装置を使用して酸性又はアルカリ
性の薬液によりウエハ表面を薬液洗浄する。次に、ステ
ップＳ５４に示すように、ウエハの表面に純水を噴射し
てスピンリンスを行い、前記薬液を除去する。次に、ス
テップＳ５５に示すように、ウエハをスピン乾燥する。
ステップＳ５４におけるウエハのスピンリンス方法及び
ステップＳ５５に示すスピン乾燥方法は、前述の第１の
実施例と同様に行う。本実施例によれば、ゲート電極形
成後の洗浄工程において、静電気に起因するパーティク
ルの集中及びＣｕの溶出を抑制することができる。
【００４１】次に、本発明の第９の実施例について説明
する。図９は本実施例の工程を示すフローチャート図で
ある。図９に示すように、本実施例は本発明に係るウエ
ハの洗浄方法をレジスト現像後の洗浄工程に適用した例
である。先ず、ステップＳ６１に示すように、ウエハ上
に所定のパターンを有するレジストを形成し、このレジ
ストを露光する。次に、ステップＳ６２に示すように、
所定の現像液により前記レジストを現像して所定のパタ
ーンを形成する。次に、ステップＳ６３に示すように、
ウエハの表面に純水を噴射してスピンリンスを行い、前
記現像液を除去する。次に、ステップＳ６４に示すよう
に、ウエハをスピン乾燥する。ステップＳ６３における
ウエハのスピンリンス方法及びステップＳ６４に示すス
ピン乾燥方法は、前述の第１の実施例に示す方法と同一
である。本実施例によれば、レジスト現像後の洗浄工程
において、パーティクルの集中及びＣｕの溶出を抑制す
ることができる。
する。図９は本実施例の工程を示すフローチャート図で
ある。図９に示すように、本実施例は本発明に係るウエ
ハの洗浄方法をレジスト現像後の洗浄工程に適用した例
である。先ず、ステップＳ６１に示すように、ウエハ上
に所定のパターンを有するレジストを形成し、このレジ
ストを露光する。次に、ステップＳ６２に示すように、
所定の現像液により前記レジストを現像して所定のパタ
ーンを形成する。次に、ステップＳ６３に示すように、
ウエハの表面に純水を噴射してスピンリンスを行い、前
記現像液を除去する。次に、ステップＳ６４に示すよう
に、ウエハをスピン乾燥する。ステップＳ６３における
ウエハのスピンリンス方法及びステップＳ６４に示すス
ピン乾燥方法は、前述の第１の実施例に示す方法と同一
である。本実施例によれば、レジスト現像後の洗浄工程
において、パーティクルの集中及びＣｕの溶出を抑制す
ることができる。
【００４２】なお、前述の第２乃至第９の実施例におい
ては、洗浄液として純水を使用する例を示したが、本発
明においては、洗浄液は純水に限定されず、ＣＯ２を含
有した水等であってもよく、非水系の液体であってもよ
い。但し、ウエハのリンス工程において洗浄する場合に
は、ウエハの乾燥後にウエハ表面に残留物が残らないよ
うな洗浄液を使用することが好ましい。また、第３乃至
第９の実施例において、スピンリンス方法は第１の実施
例に示す方法としたが、第２の実施例に示すような２本
のノズルを使用する方法であってもよい。また、３本以
上のノズルを使用する方法であってもよく、洗浄液をシ
ャワー状にしてウエハに噴射する方法であってもよい。
ては、洗浄液として純水を使用する例を示したが、本発
明においては、洗浄液は純水に限定されず、ＣＯ２を含
有した水等であってもよく、非水系の液体であってもよ
い。但し、ウエハのリンス工程において洗浄する場合に
は、ウエハの乾燥後にウエハ表面に残留物が残らないよ
うな洗浄液を使用することが好ましい。また、第３乃至
第９の実施例において、スピンリンス方法は第１の実施
例に示す方法としたが、第２の実施例に示すような２本
のノズルを使用する方法であってもよい。また、３本以
上のノズルを使用する方法であってもよく、洗浄液をシ
ャワー状にしてウエハに噴射する方法であってもよい。
【００４３】
【実施例】以下、本発明の実施例方法によりウエハを洗
浄し、その効果について、その特許請求の範囲から外れ
る比較例と比較して具体的に説明する。
浄し、その効果について、その特許請求の範囲から外れ
る比較例と比較して具体的に説明する。
【００４４】試験例１
本試験例においては、洗浄液の噴射位置がウエハのチャ
ージアップに及ぼす影響を調査した。先ず、直径が２０
０ｍｍであり、表面に膜厚が約１００ｎｍである熱酸化
膜が形成されたウエハを２枚用意した。次に、このウエ
ハを純水によりスピン洗浄した。このとき、１枚のウエ
ハは純水をウエハの中心から１ｃｍ以上離れた位置に向
けて噴射してスピン洗浄を行い、他の１枚のウエハは純
水をウエハの中心に向けて噴射してスピン洗浄を行っ
た。その後、これらのウエハをスピン乾燥させた。この
２枚のウエハのスピン洗浄工程及びスピン乾燥工程にお
いて、純水の噴射位置以外の条件は前述の第１の実施例
に示す条件と同一とした。
ージアップに及ぼす影響を調査した。先ず、直径が２０
０ｍｍであり、表面に膜厚が約１００ｎｍである熱酸化
膜が形成されたウエハを２枚用意した。次に、このウエ
ハを純水によりスピン洗浄した。このとき、１枚のウエ
ハは純水をウエハの中心から１ｃｍ以上離れた位置に向
けて噴射してスピン洗浄を行い、他の１枚のウエハは純
水をウエハの中心に向けて噴射してスピン洗浄を行っ
た。その後、これらのウエハをスピン乾燥させた。この
２枚のウエハのスピン洗浄工程及びスピン乾燥工程にお
いて、純水の噴射位置以外の条件は前述の第１の実施例
に示す条件と同一とした。
【００４５】次に、スピン乾燥後のウエハの表面電位を
測定した。図１０（ａ）及び（ｂ）は、Ｘ軸及びＹ軸に
ウエハ表面のＸ方向及びＹ方向の位置をとり、Ｚ軸に表
面電位をとって洗浄後のウエハにおける表面電位分布の
測定結果を示すグラフ図であり、（ａ）は純水をウエハ
の中心に向けて噴射して洗浄した場合のウエハの表面電
位分布、（ｂ）は純水をウエハの中心から１ｃｍ以上離
れた位置に向けて噴射した場合のウエハの表面電位分布
を示す。図１０（ａ）に示すように、純水をウエハの中
心に向けて噴射してスピン洗浄した場合は、ウエハの中
心付近に電位が低い領域が発生した。これに対して、図
１０（ｂ）に示すように、純水をウエハの中心から１ｃ
ｍ以上離れた位置に向けて噴射してスピン洗浄した場合
は、ウエハの表面電位が面内で均一となった。
測定した。図１０（ａ）及び（ｂ）は、Ｘ軸及びＹ軸に
ウエハ表面のＸ方向及びＹ方向の位置をとり、Ｚ軸に表
面電位をとって洗浄後のウエハにおける表面電位分布の
測定結果を示すグラフ図であり、（ａ）は純水をウエハ
の中心に向けて噴射して洗浄した場合のウエハの表面電
位分布、（ｂ）は純水をウエハの中心から１ｃｍ以上離
れた位置に向けて噴射した場合のウエハの表面電位分布
を示す。図１０（ａ）に示すように、純水をウエハの中
心に向けて噴射してスピン洗浄した場合は、ウエハの中
心付近に電位が低い領域が発生した。これに対して、図
１０（ｂ）に示すように、純水をウエハの中心から１ｃ
ｍ以上離れた位置に向けて噴射してスピン洗浄した場合
は、ウエハの表面電位が面内で均一となった。
【００４６】試験例２
本試験例においては、ウエハの回転数がウエハのチャー
ジアップに及ぼす影響を調査した。先ず、直径が２００
ｍｍであり、表面に膜厚が約１００ｎｍである熱酸化膜
が形成されたウエハを３枚用意した。次に、このウエハ
をＤＩＷによりスピン洗浄した。このとき、１枚のウエ
ハは回転させず、他の１枚のウエハは５ｒｐｍの回転数
で回転させ、更に他の１枚のウエハは２００ｒｐｍの回
転数で回転させた。その後、これらのウエハをスピン乾
燥させた。この３枚のウエハのスピン洗浄工程及びスピ
ン乾燥工程において、ウエハの回転数以外の条件は前述
の第１の実施例に示す条件と同一とした。
ジアップに及ぼす影響を調査した。先ず、直径が２００
ｍｍであり、表面に膜厚が約１００ｎｍである熱酸化膜
が形成されたウエハを３枚用意した。次に、このウエハ
をＤＩＷによりスピン洗浄した。このとき、１枚のウエ
ハは回転させず、他の１枚のウエハは５ｒｐｍの回転数
で回転させ、更に他の１枚のウエハは２００ｒｐｍの回
転数で回転させた。その後、これらのウエハをスピン乾
燥させた。この３枚のウエハのスピン洗浄工程及びスピ
ン乾燥工程において、ウエハの回転数以外の条件は前述
の第１の実施例に示す条件と同一とした。
【００４７】次に、スピン乾燥後のウエハの表面電位を
測定した。図１１（ａ）乃至（ｃ）は、Ｘ軸及びＹ軸に
ウエハ表面のＸ方向及びＹ方向の位置をとり、Ｚ軸に表
面電位をとって洗浄後のウエハにおける表面電位分布の
測定結果を示すグラフ図であり、（ａ）はウエハを回転
させずに洗浄した場合のウエハの表面電位分布、（ｂ）
はウエハを５ｒｐｍの回転数で回転させて洗浄した場合
のウエハの表面電位分布、（ｃ）はウエハを２００ｒｐ
ｍの回転数で回転させて洗浄した場合のウエハの表面電
位分布を示す。図１１（ａ）に示すように、ウエハを回
転させずに洗浄した場合は、ウエハ上における純水の落
下位置において局所的に電位が低い領域が発生した。こ
れに対して、図１１（ｂ）及び（ｃ）に示すように、ウ
エハを５ｒｐｍ又は２００ｒｐｍの回転数で回転させて
スピン洗浄した場合は、ウエハの表面電位が面内でほぼ
均一となった。但し、ウエハの回転数が５ｒｐｍである
場合は、ウエハの洗浄効率が劣っていた。
測定した。図１１（ａ）乃至（ｃ）は、Ｘ軸及びＹ軸に
ウエハ表面のＸ方向及びＹ方向の位置をとり、Ｚ軸に表
面電位をとって洗浄後のウエハにおける表面電位分布の
測定結果を示すグラフ図であり、（ａ）はウエハを回転
させずに洗浄した場合のウエハの表面電位分布、（ｂ）
はウエハを５ｒｐｍの回転数で回転させて洗浄した場合
のウエハの表面電位分布、（ｃ）はウエハを２００ｒｐ
ｍの回転数で回転させて洗浄した場合のウエハの表面電
位分布を示す。図１１（ａ）に示すように、ウエハを回
転させずに洗浄した場合は、ウエハ上における純水の落
下位置において局所的に電位が低い領域が発生した。こ
れに対して、図１１（ｂ）及び（ｃ）に示すように、ウ
エハを５ｒｐｍ又は２００ｒｐｍの回転数で回転させて
スピン洗浄した場合は、ウエハの表面電位が面内でほぼ
均一となった。但し、ウエハの回転数が５ｒｐｍである
場合は、ウエハの洗浄効率が劣っていた。
【００４８】試験例３
本試験例においては、洗浄液の流量がウエハのチャージ
アップに及ぼす影響を調査した。先ず、直径が２００ｍ
ｍであり、表面に膜厚が約１００ｎｍである熱酸化膜が
形成されたウエハを４枚用意した。次に、このウエハを
ＤＩＷによりスピン洗浄した。このとき、ウエハ毎にＤ
ＩＷの流量を異ならせた。その後、これらのウエハをス
ピン乾燥させた。この４枚のウエハのスピン洗浄工程及
びスピン乾燥工程において、ウエハの回転数以外の条件
は前述の第１の実施例に示す条件と同一とした。
アップに及ぼす影響を調査した。先ず、直径が２００ｍ
ｍであり、表面に膜厚が約１００ｎｍである熱酸化膜が
形成されたウエハを４枚用意した。次に、このウエハを
ＤＩＷによりスピン洗浄した。このとき、ウエハ毎にＤ
ＩＷの流量を異ならせた。その後、これらのウエハをス
ピン乾燥させた。この４枚のウエハのスピン洗浄工程及
びスピン乾燥工程において、ウエハの回転数以外の条件
は前述の第１の実施例に示す条件と同一とした。
【００４９】図１２は横軸に洗浄液であるＤＩＷの流量
をとり、縦軸にウエハのチャージ量、即ち、ウエハ内に
おける最小電位をとって、ウエハのチャージ量のＤＩＷ
流量依存性を示すグラフ図である。図１２に示すよう
に、ＤＩＷの流量が多いほど、ウエハのチャージ量が増
加したが、ＤＩＷの流量が２リットル／分ではチャージ
量の増加が飽和した。
をとり、縦軸にウエハのチャージ量、即ち、ウエハ内に
おける最小電位をとって、ウエハのチャージ量のＤＩＷ
流量依存性を示すグラフ図である。図１２に示すよう
に、ＤＩＷの流量が多いほど、ウエハのチャージ量が増
加したが、ＤＩＷの流量が２リットル／分ではチャージ
量の増加が飽和した。
【００５０】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
ウエハのスピン洗浄工程において、ウエハ上に電荷が蓄
積することを抑制でき、ウエハ中央部におけるゲート酸
化膜の破壊及びパーティクルの集中を防止することがで
きる。また、ウエハ上に形成された配線及び電極等を構
成する金属膜の溶出及び酸化を防止することができる。
ウエハのスピン洗浄工程において、ウエハ上に電荷が蓄
積することを抑制でき、ウエハ中央部におけるゲート酸
化膜の破壊及びパーティクルの集中を防止することがで
きる。また、ウエハ上に形成された配線及び電極等を構
成する金属膜の溶出及び酸化を防止することができる。
【図１】本発明の第１の実施例に係るウエハの洗浄方法
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図２】本発明の第２の実施例に係るウエハの洗浄方法
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図３】本発明の第３の実施例における工程を示すフロ
ーチャート図である。
ーチャート図である。
【図４】本発明の第４の実施例における工程を示すフロ
ーチャート図である。
ーチャート図である。
【図５】本発明の第５の実施例における工程を示すフロ
ーチャート図である。
ーチャート図である。
【図６】本発明の第６の実施例における工程を示すフロ
ーチャート図である。
ーチャート図である。
【図７】本発明の第７の実施例における工程を示すフロ
ーチャート図である。
ーチャート図である。
【図８】本発明の第８の実施例における工程を示すフロ
ーチャート図である。
ーチャート図である。
【図９】本発明の第９の実施例における工程を示すフロ
ーチャート図である。
ーチャート図である。
【図１０】（ａ）及び（ｂ）は、Ｘ軸及びＹ軸にウエハ
表面のＸ方向及びＹ方向の位置をとり、Ｚ軸に表面電位
をとって洗浄後のウエハにおける表面電位分布の測定結
果を示すグラフ図であり、（ａ）は純水をウエハの中心
に向けて噴射して洗浄した場合のウエハの表面電位分
布、（ｂ）は純水をウエハの中心から１ｃｍ以上離れた
位置に向けて噴射した場合のウエハの表面電位分布を示
す。
表面のＸ方向及びＹ方向の位置をとり、Ｚ軸に表面電位
をとって洗浄後のウエハにおける表面電位分布の測定結
果を示すグラフ図であり、（ａ）は純水をウエハの中心
に向けて噴射して洗浄した場合のウエハの表面電位分
布、（ｂ）は純水をウエハの中心から１ｃｍ以上離れた
位置に向けて噴射した場合のウエハの表面電位分布を示
す。
【図１１】（ａ）乃至（ｃ）は、Ｘ軸及びＹ軸にウエハ
表面のＸ方向及びＹ方向の位置をとり、Ｚ軸に表面電位
をとって洗浄後のウエハにおける表面電位分布の測定結
果を示すグラフ図であり、（ａ）はウエハを回転させず
に洗浄した場合、（ｂ）はウエハを５ｒｐｍで回転させ
て洗浄した場合、（ｃ）はウエハを２００ｒｐｍで回転
させて洗浄した場合を示す。
表面のＸ方向及びＹ方向の位置をとり、Ｚ軸に表面電位
をとって洗浄後のウエハにおける表面電位分布の測定結
果を示すグラフ図であり、（ａ）はウエハを回転させず
に洗浄した場合、（ｂ）はウエハを５ｒｐｍで回転させ
て洗浄した場合、（ｃ）はウエハを２００ｒｐｍで回転
させて洗浄した場合を示す。
【図１２】横軸に洗浄液であるＤＩＷの流量をとり、縦
軸にウエハのチャージ量をとって、ウエハのチャージ量
のＤＩＷ流量依存性を示すグラフ図である。
軸にウエハのチャージ量をとって、ウエハのチャージ量
のＤＩＷ流量依存性を示すグラフ図である。
【図１３】（ａ）及び（ｂ）は従来の枚葉スピン方式に
よるウエハの洗浄方法を示す斜視図である。
よるウエハの洗浄方法を示す斜視図である。
１；ウエハ
２；ノズル
２ａ；噴射口
３；中心
４、５、６；純水噴射位置
Claims (15)
- 【請求項１】 ウエハをこのウエハの表面に垂直な軸を
中心として回転させつつウエハの表面に洗浄液を供給し
てウエハを洗浄する方法において、前記洗浄液を前記ウ
エハの回転中心から１ｃｍ以上離れた位置に向けて噴射
することを特徴とするウエハの洗浄方法。 - 【請求項２】 ウエハの表面をＣＭＰにより平坦化した
後のウエハの洗浄方法において、ＣＭＰにより平坦化処
理した後のウエハを薬液を使用するブラシスクラブによ
り洗浄する工程と、前記ウエハを純水を使用するブラシ
スクラブにより洗浄する工程と、前記ウエハを薬液によ
るスピンリンスにより洗浄する工程と、前記ウエハをこ
のウエハの表面に垂直な軸を中心として回転させつつ洗
浄液を前記ウエハの回転中心から１ｃｍ以上離れた位置
に向けて噴射する工程と、を有することを特徴とするウ
エハの洗浄方法。 - 【請求項３】 ウエハをこのウエハの表面に垂直な軸を
中心として回転させつつ、前記ウエハの裏面を薬液によ
り洗浄すると共に、前記ウエハの表面に対して洗浄液を
前記ウエハの回転中心から１ｃｍ以上離れた位置に向け
て噴射することを特徴とするウエハの洗浄方法。 - 【請求項４】 ウエハの表面から有機膜を剥離した後の
ウエハの洗浄方法において、ウエハ表面の有機膜をドラ
イエッチングし前記有機膜を有機系薬液により剥離した
後のウエハに対して、前記ウエハをこのウエハの表面に
垂直な軸を中心として回転させつつ洗浄液を前記ウエハ
の回転中心から１ｃｍ以上離れた位置に向けて噴射する
ことを特徴とするウエハの洗浄方法。 - 【請求項５】 ウエハの表面に第１の酸化膜を形成する
工程と、この第１の酸化膜上にレジストを形成する工程
と、このレジストをマスクとして前記第１の酸化膜をウ
エットエッチングすることにより前記第１の酸化膜を選
択的に除去する工程と、前記ウエハをリンス洗浄してウ
エットエッチング液を除去する第１のリンス洗浄を行う
工程と、薬液を使用して前記ウエハから前記レジストを
除去する工程と、前記ウエハをリンス洗浄して前記薬液
を除去する第２のリンス洗浄を行う工程と、前記ウエハ
を酸性又はアルカリ性の薬液により洗浄する工程と、前
記ウエハをリンス洗浄して前記酸性又はアルカリ性の薬
液を除去する第３のリンス洗浄を行う工程と、第２の酸
化膜を形成する工程と、を有するマルチオキサイドのゲ
ート酸化膜の形成工程におけるウエハの洗浄方法におい
て、前記第１乃至第３のリンス洗浄工程のうち少なくと
も１のリンス洗浄工程は、前記ウエハをこのウエハの表
面に垂直な軸を中心として回転させつつ洗浄液を前記ウ
エハの回転中心から１ｃｍ以上離れた位置に向けて噴射
するものであることを特徴とするウエハの洗浄方法。 - 【請求項６】 導電膜上にレジストパターンを形成し、
このレジストパターンをマスクとして前記導電膜をドラ
イエッチングしてゲート電極を形成した後のウエハの洗
浄方法において、前記レジストを剥離し、酸性又はアル
カリ性の薬液により前記ウエハを洗浄する工程と、前記
ウエハを表面に垂直な軸を中心として回転させつつ洗浄
液を前記ウエハの回転中心から１ｃｍ以上離れた位置に
向けて噴射する工程と、を有することを特徴とするウエ
ハの洗浄方法。 - 【請求項７】 ウエハ上に形成されたレジストを現像し
た後のウエハの洗浄方法において、レジストに対して露
光及び現像を行ったウエハに対して、前記ウエハをこの
ウエハの表面に垂直な軸を中心として回転させつつ洗浄
液を前記ウエハの回転中心から１ｃｍ以上離れた位置に
向けて噴射することを特徴とするウエハの洗浄方法。 - 【請求項８】 前記洗浄液は前記ウエハの表面に対して
傾斜した噴射流として噴射され、前記噴射流と前記ウエ
ハの表面とのなす角度が５乃至７０°であり、前記噴射
流は前記ウエハの回転中心よりも手前側の位置に向けて
噴射されることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか
１項に記載のウエハの洗浄方法。 - 【請求項９】 前記噴射流と前記ウエハの表面とのなす
角度が５乃至４５°であることを特徴とする請求項８に
記載のウエハの洗浄方法。 - 【請求項１０】 前記洗浄液の比抵抗が１ＭΩ・ｃｍ以
下であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１
項に記載のウエハの洗浄方法。 - 【請求項１１】 前記洗浄液がＣＯ２を含有する水であ
ることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に
記載のウエハの洗浄方法。 - 【請求項１２】 前記洗浄液が純水であることを特徴と
する請求項１乃至９のいずれか１項に記載のウエハの洗
浄方法。 - 【請求項１３】 前記ウエハの回転数が２０乃至４００
０ｒｐｍであることを特徴とする請求項１乃至１２のい
ずれか１項に記載のウエハの洗浄方法。 - 【請求項１４】 前記洗浄液の流量が０．２乃至５リッ
トル／分であることを特徴とする請求項１乃至１３のい
ずれか１項に記載のウエハの洗浄方法。 - 【請求項１５】 前記洗浄液により洗浄されたウエハを
このウエハの表面に垂直な軸を中心として回転させて乾
燥させる工程を有することを特徴とする請求項１乃至１
４のいずれか１項に記載のウエハの洗浄方法。
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|---|---|---|---|
| JP2001212204A JP2003031536A (ja) | 2001-07-12 | 2001-07-12 | ウエハの洗浄方法 |
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|---|---|---|---|
| JP2001212204A JP2003031536A (ja) | 2001-07-12 | 2001-07-12 | ウエハの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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|---|---|---|---|
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| JP (1) | JP2003031536A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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